DE10049861A1 - Kompensations-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft ein in einem Halbleiterkörper angeordnetes Halbleiterbauelement nach dem Prinzip der Ladungsträgerkompensation, DOLLAR A mit einem in dem Halbleiterkörper angeordneten Halbleiter-Grundkörper, der mindestens eine an eine Grenzschicht tretende Kompensationsschicht aufweist, in der erste Bereiche des ersten Leitungstyps und zweite Bereiche des zweiten Leitungstyps vorgesehen sind, die im Layout ein Raster bilden, wobei die Gesamtladungsmenge der ersten Bereiche etwa der Gesamtladungsmenge der zweiten Bereiche entspricht, DOLLAR A mit mindestens einer im Halbleiterkörper angeordneten und an der Grenzschicht an den Halbleiter-Grundkörper angrenzenden Halbleiterschicht, in deren erster Oberfläche eine Vielzahl von dotierten Bereichen eingebettet sind, die ein Raster für ein Zellenfeld des Halbleiterbauelementes bilden, DOLLAR A wobei dass das Raster in der Halbleiterschicht nicht justiert ist auf das Raster des Halbleiter-Grundkörpers. Ferner betrifft die Erfindung zwei Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelementes.

Description

Die Erfindung betrifft ein in einem Halbleiterkörper angeord­ netes Halbleiterbauelement nach dem Prinzip der Ladungsträ­ gerkompensation der im Oberbegriff des Patentanspruchs ge­ nannten Art. Ferner betrifft die Erfindung zwei Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes.

Die Erfindung bezieht sich also allgemein auf Halbleiterbau­ elemente nach dem Prinzip der Ladungsträgerkompensation und insbesondere auf die Herstellung solcher sogenannten Kompen­ sationsbauelemente. Der Aufbau und die Funktionsweise von Kompensationsbauelementen ist vielfach bekannt und beispiels­ weise in den US-Patenten US 5,216,275 und US 4,754,310 wie auch in der WO 97/29518 und der DE 43 09 764 C2 beschrieben.

Die Herstellung von solchen Kompensationsbauelementen, von denen zu erwarten ist, dass sie in naher Zukunft einen sehr großen Marktanteil insbesondere im Segment hochsperrender MOS-Halbleiterbauelemente einnehmen werden, ist derzeit noch äußerst aufwendig und zeitraubend. Dies ist zum einen darauf zurückzuführen, dass anders als bei herkömmlichen Halbleiter­ bauelementen die Struktur eines zu fertigenden Kompensations­ bauelementes bereits bei der Bereitstellung und Prozessierung im Halbleiterkörper inhärent ist und daher mit berücksichtigt werden muss. Dies bedeutet zum Beispiel, dass bei einem als Kompensationsbauelement ausgebildeten Leistungs-MOSFET, der dazu ausgelegt ist, eine Sperrspannung von beispielsweise 600 Volt aufzunehmen, in der bisher bevorzugt verwendeten Aufbau­ technik eine Serie von fünf bis sieben einander abwechselnder Epitaxie- und Dotierungsschritte vorgenommen werden müssen. Die Herstellung eines Kompensationsbauelementes mit derartig abwechselnd anzuwendenden Epitaxie- und Dotierungsschritten erfordert jedoch einen sehr großen Zeitaufwand für die Bear­ beitung des Grundmaterials. Man erhält dann ein bearbeiteten Grundkörper, der im Bereich des aktiven Zellenfeld, das heißt unterhalb der Gate-Elektrode, in gewünschter Weise vorberei­ tet ist.

Darüber hinaus ist bei herkömmlichen Kompensationsbauelemen­ ten das Zellraster typischerweise nicht homogen: im aktiven Bereich des Zellenfeldes ist das Zellraster vielfach größer als im Randbereich, so dass der Randbereich und der aktive Bereich bei der Prozessierung getrennt hergestellt werden müssen, was sehr aufwendig ist.

Kompensationsbauelementen weisen gegenüber herkömmlichen Halbleiterbauelementen, die eine homogene, beispielsweise epitaktisch aufgewachsene Innenzone aufweisen, in der aufge­ wachsenen Epitaxieschicht alternierende Schichten vom ersten und vom zweiten Leitungstyp auf. Die Hauptschwierigkeit bei der Herstellung von Kompensationsbauelementen besteht darin, dass diese alternierenden Schichten hinsichtlich des Rasters des Zellenfeldes justiert sind, das heißt sie sind säulenför­ mig, v-förmig, u-förmig oder dergleichen entweder unterhalb der aktiven Zelle angeordnet und/oder unterhalb der Gate- Elektrode angeordnet.

Dieses Justierungserfordernis der säulenartig in den Halblei­ terkörper eingebrachten Bereiche des ersten und zweiten Lei­ tungstyps auf die Strukturen des aktiven Zellenfeldes macht den gesamten Herstellungsprozess aufwendig, langwierig und kostenintensiv.

Ein weiterer Nachteil derartiger Kompensationsbauelemente be­ steht darin, dass für nahezu jedes unterschiedliche Zellende­ sign jeweils ein dezidiert auf das entsprechende Bauelement zugeschnittener Prozess zur Erzeugung der Kompensationsstruk­ turen bereitgestellt werden muss, der jedoch nicht auf Kom­ pensationsbauelemente mit anderem Zellendesign anwendbar ist. Eine Entkoppelung der Herstellung des Halbleitergrundkörpers und des entsprechenden Zellenfeldes ist also kaum möglich. Es lassen sich daher für die Vielzahl der Halbleiterbauelemente die entsprechenden Halbleitergrundkörper nicht vorprozessie­ ren, was die gesamte Herstellung solcher Kompensationsbauele­ mente zudem noch unnötig verteuert. Dadurch, dass bei her­ kömmlichen Kompensationsbauelementen der eigentliche Prozess zur Herstellung der Transistorstrukturen und der Prozess zur Herstellung des kompensierten "Ausgangsmaterials" aneinander gekoppelt sind, lassen sich diese Prozesse darüber hinaus nicht getrennt optimieren.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, möglichst aufwandsarm und somit kostengünstig herstellbare Kompensationsbauelemente bereitzustellen. Ferner liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, insbesondere den Prozess zur Herstellung des Grundmaterials von Kompensationsbauelementen von der eigentlichen Prozessierung der Zellenstrukturen zu entkoppeln.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Halbleiterbau­ element mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.

Demgemäss ist ein in einem Halbleiterkörper angeordnetes Halbleiterbauelemente nach dem Prinzip der Ladungsträgerkom­ pensation vorgesehen,
mit einem in dem Halbleiterkörper angeordneten Halblei­ ter-Grundkörper, der mindestens eine an eine Grenzschicht tretende Kompensationsschicht aufweist, in der erste Bereiche des ersten Leitungstyps und zweite Bereiche des zweiten Lei­ tungstyps vorgesehen sind, die im Layout ein Raster bilden, wobei die Gesamtladungsmenge der ersten Bereiche etwa der Ge­ samtladungsmenge der zweiten Bereiche entspricht,
mit mindestens einer im Halbleiterkörper angeordneten und an die Grenzschicht an den Halbleiter-Grundkörper angrenzen­ den Halbleiterschicht, in deren erster Oberfläche eine Viel­ zahl von dotierten Bereichen eingebettet sind, die ein Raster für ein Zellenfeld des Halbleiterbauelementes bilden,
wobei das Raster in der Halbleiterschicht nicht justiert ist auf das Raster des Halbleiter-Grundkörpers.

Ferner wird die Aufgabe gelöst durch zwei Verfahren gemäß den Patentansprüchen 17 und 19.

Demgemäss ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter­ bauelementes nach dem Prinzip der Ladungsträgerkompensation vorgesehen mit folgenden nacheinander durchgeführten Verfah­ rensschritten:

• a) Ein Halbleiterkörper wird bereitgestellt;
• b) In dem Halbleiterkörper wird eine dotierte Gebiete des ersten und/oder oder zweiten Leitungstyps enthaltende Kompensationsschicht erzeugt;
• c) Auf die Kompensationsschicht wird eine Halbleiterschicht aufgebracht;
• d) In die Halbleiterschicht werden die dotierten Gebiete für Strukturen eines Zellenfeldes und eines Randbereiches ei­ nes Halbleiterbauelementes eingebettet, wobei die Struk­ turen der dotierten Gebiete nicht auf ein Raster der durch die Gebiete gebildeten Strukturen der Kompensati­ onsschicht justiert werden.

Ferner ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbau­ elementes nach dem Prinzip der Ladungsträgerkompensation vor­ gesehen mit folgenden nacheinander durchgeführten Verfahrens­ schritten:

• a) Es wird ein Halbleiterkörper bereitgestellt;
• b) An einer ersten Oberfläche werden die dotierten Gebiete für Strukturen eines Zellenfeldes und eines Randbereiches eines Halbleiterbauelementes in die Halbleiterschicht eingebettet;
• c) Über eine zweite Oberfläche wird eine, dotierte Gebiete des ersten und/oder oder zweiten Leitungstyps enthaltende Kompensationsschicht erzeugt, wobei die Strukturen der Kompensationsschicht nicht auf ein Raster der durch die dotierten Gebiete des Zellenfeldes gebildeten Strukturen justiert werden.

Der besondere Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht dar­ in, dass die Herstellungsprozesse zur Bereitstellung eines Halbleitergrundkörpers von den entsprechenden Prozessen zur Herstellung der eigentlichen Strukturen des Halbleiterbauele­ mentes vollständig entkoppelt werden können. Der neue Gedanke hierbei ist, dass nur kompensiertes "Substratmaterial" herge­ stellt wird, bei dem die entsprechenden Kompensationsstruktu­ ren nach gewünschter Spannungsfestigkeit und Stromtragfähig­ keit des Halbleiterbauelementes ausgebildet sind und der hierfür die entsprechende Dicke aufweist. Auf dieses Sub­ stratmaterial wird dann eine passende Halbleiterschicht auf­ gebracht und dann erst der eigentlichen Prozess zur Herstel­ lung der Zellstrukturen des Halbleiterbauelementes durchge­ führt. Dieses Substratmaterial kann je nach Fertigbarkeits­ möglichkeiten vorgefertigt werden und braucht zu den eigent­ lichen Zellstrukturen der anschließend aufgebrauchten Epita­ xie-Schicht an der Scheibenvorderseite nicht justiert zu wer­ den. Die vorliegende Erfindung stellt damit quasi ein Baukas­ tenprinzip zur Weiterentwicklung von Kompensationsbauelemen­ ten vor mit der grundlegend neuen Idee, die Fertigung und Op­ timierung von Grundmaterial und hierauf nicht justiertem Zel­ lenfeld zu trennen.

Bei gattungsgemäßen Kompensationsbauelementes werden die p- dotierten Säulen jeweils genau unterhalb der Bodyzonen und/oder unterhalb der Gate-Elektroden angeordnet. In einer völligen Abkehr zu dem Aufbau von Kompensationsbauelementen nach dem Stand der Technik entfällt bei der erfindungsgemäßen Anordnung eines Kompensationsbauelementes das Erfordernis der Justage.

Die Kompensationsstruktur kann zum einen den Halbleitergrund­ körper vollständig einnehmen. Hier wird typischerweise, je­ doch nicht notwendigerweise, eine Kontaktimplantation an der Scheibenrückseite vorgenommen, die eine Verbesserung des elektrischen Kontaktes zu der entsprechenden Rückseitenelekt­ rode gewährleistet. Zum anderen kann die Kompensationsschicht lediglich einen Teil des Grundkörpers einnehmen. Der jeweils andere Teil weist typischerweise eine höhere Dotierungskon­ zentration als die Kompensationsschicht auf.

Die Dotierungsgebiete des ersten und des zweiten Leitungstyps innerhalb der Kompensationsschicht erstrecken sich vorteil­ hafterweise vertikal über die gesamte Dicke dieser Kompensa­ tionsschicht. In einer speziellen Ausgestaltung können diese Dotierungsgebiete an die Scheibenrückseite angeschlossen sein.

In einer weiteren Ausgestaltung weisen die Dotierungsgebiete der Kompensationsschicht lateral einen festen Abstand zuein­ ander auf und erstrecken sich über die gesamte Breite der Kompensationsschicht.

Die Zellgeometrie bzw. das Raster der Halbleiterschicht wie auch der Kompensationsschicht kann ein mehr oder weniger be­ liebiges Layout aufweisen. Allerdings empfiehlt es sich, Strukturen zu verwenden, bei denen das Raster in der Zellgeo­ metrie der Halbleiterschicht und in der Kompensationsschicht zueinander passen. Dies ist jedoch nicht notwendigerweise er­ forderlich. Vielmehr kann sich das Raster der Zellen in der Halbleiterschicht von dem Raster in der Kompensationsschicht unterscheiden.

Besonders vorteilhaft ist ein hexagonales Raster, welches flächenmäßig die dichteste Packung aufweist. Weitere vorteil­ hafte Layouts ergeben sich bei einem streifenförmigen, recht­ eckförmigen oder mäanderförmigen Layout. Jedoch wären auch runde oder ovale oder ähnliche Zellstrukturen von Vorteil.

Besonders vorteilhaft ist ferner, wenn das Raster der Halb­ leiterschicht zumindest teilweise enger ist als das Raster in der Kompensationsschicht. Alternativ kann auch vorgesehen sein, dass das Raster der Halbleiterschicht in der Draufsicht mehr oder weniger senkrecht auf dem Raster der Kompensations­ schicht steht. Dies ist insbesondere bei rechteckförmigen oder streifenförmigen Layouts besonders vorteilhaft.

Typischerweise sind die ersten Bereiche und/oder die zweiten Bereiche in der Kompensationsschicht in etwa säulenförmig oder trichterförmig ausgebildet, das heißt sie verjüngen sich in die Tiefe der Kompensationsschicht hinein. Darüber hinaus wären auch kugelförmige Strukturen von Vorteil. Diese kugel­ förmigen Strukturen müssen nicht notwendigerweise aneinander angeschlossen sein, sondern es reicht aus, dass diese einen Abstand im Bereich einer Raumladungszonenweite bei Anlegen ei­ ner Spannung aufweisen.

Für die Funktion eines Kompensationsbauelementes muss die Ge­ samtmenge der Dotierung des ersten Leistungstyps und des zweiten Leitungstyps in der Kompensationsschicht in etwa gleich sein. Damit ist gemeint, dass die Dotierungskonzentra­ tionen nicht zu stark, das heißt um eine oder mehrere Größen­ ordnungen, voneinander abweichen. Aus Stabilitätsgründen ist es von Vorteil, wenn die Gesamtmenge der Ladungsträger des zweiten Leitungstyps in der Kompensationsschicht geringfügig größer ist als die Gesamtmenge der Ladungsträger des ersten Leitungstyps.

Die Bereiche unterschiedlichen Leitungstyps innerhalb der Kompensationsschicht sind typischerweise aneinander ange­ schlossen auf. Es wäre jedoch auch denkbar, dass diese Berei­ che einen geringfügigen Abstand im Bereich kleiner oder gleich der Raumladungszoneweite bei Anlegen einer Spannung aufweisen. Zwischen den ersten und den zweiten Bereichen kön­ nen in diesem Fall undotierte oder sehr leicht dotierte Be­ reiche vorgesehen sein.

Die Erfindung eignet sich besonders vorteilhaft bei als Leistungs-MOSFET ausgebildeten Halbleiterbauelementen. Ein Leistungs-MOSFET ist als in einem Zellenfeld angeordnetes Halbleiterbauelement ausgebildet, bei dem eine Vielzahl von in jeweils einer Zelle angeordneten Einzeltransistoren vorge­ sehen ist, die über Parallelschaltung ihrer Laststrecken zu einem einzigen Halbleiterbauelement verschaltet sind. Typi­ scherweise weist jede dieser Zellen jeweils eine in die Halb­ leiterschicht eingebettete Bodyzone auf, in die wiederum min­ destens eine Sourcezone des entgegengesetzten Leitungstyps eingebettet ist. Ein Leistungs-MOSFET weist darüber hinaus an der Scheibenrückseite eine Drain-Elektrode und an der Schei­ benvorderseite eine die Sourcezonen kontaktierende Source- Elektrode auf. Jeweils benachbarte Bodyzonen sind über eine Zwischenzone beabstandet, über der eine über ein Gate-Oxyd isolierte Gate-Elektrode angeordnet ist.

Die Halbleiterschicht weist typischerweise eine Grunddotie­ rung des ersten Leitungstyps auf. In einer speziellen Ausges­ taltung kann die Halbleiterschicht auch eine Grunddotierung des zweiten Leitungstyps aufweisen. In diesem Falle reichen die Zwischenzonen und die aus der Grunddotierung der Halblei­ terschicht gebildeten Bodyzonen über die gesamte Dicke der Halbleiterschicht und sind an die Kompensationsschicht ange­ schlossen. Eine derartige Auslegung der Halbleiterschicht mit Ladungsträgern des zweiten Leitungstyps empfiehlt sich bei Festlegung eines definierten Durchbruchs des Halbleiterbau­ elementes im Durchbruchsfall, wodurch eine bessere Stabilität des Halbleiterbauelementes gewährleistet ist. In einer weite­ ren Ausgestaltung kann die Halbleiterschicht auch schwach do­ tiert oder gar nicht dotiert sein. In diesem Falle sollten jedoch die zwischen den Basiszonen angeordneten Zwischenzonen eine hohe Dotierung des ersten Leitungstyps aufweisen.

Ein gattungsgemäßes Halbleiterbauelement weist typischerweise einen aktiven Bereich, der in einem Zellenfeld des Halblei­ terbauelementes angeordnet ist, und einen Randbereich als Randabschluss des Halbleiterbauelementes auf. Der besondere Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht unter anderem auch darin, dass das Raster unterhalb des Zellenfeldes und unter­ halb des Randbereiches gleich sein kann. Es muss also kein getrennter Prozess für die Bereiche unterhalb des Zellenfel­ des und des Randbereiches bereitgestellt werden, wodurch die Halbleiterbauelemente aufwandsärmer und somit kostengünstiger herstellbar sind.

In einem ersten erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Kompensationsbauelementes wird zunächst ein Halbleiter­ grundkörper bereitgestellt, der eine Kompensationsschicht mit Bereichen des ersten und zweiten Leitungstyps aufweist. Auf diesem Halbleitergrundkörper mit Kompensationsschicht wird anschließend eine Halbleiterschicht aufgebracht, in deren Oberfläche eine Vielzahl von dotierten Bereichen des einen und/oder des anderen Leitungstyps eingebettet werden. Wesent­ lich ist hierbei, dass das Raster der in die Halbleiter­ schicht eingebetteten dotierten Bereiche nicht auf das Raster der Kompensationsschicht justiert wird.

In einem weiteren vorteilhaften Verfahren wird ein Halblei­ terkörper bereitgestellt, in dessen erste Oberfläche dotierte Bereiche des ersten und/oder des zweiten Leitungstyps einge­ bettet sind. Diese dotierten Bereiche bilden somit ein Raster für ein Zellenfeld eines Halbleiterbauelementes. Anschließend wird der Halbleiterkörper fakultativ von der entgegengesetz­ ten zweiten Oberfläche her bis zu einer vorbestimmten Dicke gedünnt. Danach werden von der zweiten Oberfläche her Berei­ che des ersten und/oder des zweiten Leitungstyps derart in den Halbleiterkörper eingebracht, dass sich eine Kompensati­ onsschicht ausbildet. Diese sind vorteilhafterweise nicht an die dotierten Bereiche an der ersten Oberfläche angeschlos­ sen. Wesentlich ist hier ebenfalls, dass das Raster der Kom­ pensationsschicht nicht justiert sein muss auf das Raster des Zellenfeldes.

Vorteilhafterweise wird zur Erzeugung der ersten und/oder der zweiten Gebiete innerhalb der Kompensationsschicht eine Hoch­ energie-Implantation bei unterschiedlichen Energien und Do­ tierungsdosen vorgenommen. Für eine derartige Hochenergie- Implantation kann vorteilhafterweise eine aus einem dünnen Silizium-Wafer hergestellte Implantationsmaske verwendet wer­ den. Eine derartige Implantationsmaske weist an den zu dotie­ renden Bereichen Aussparungen in der Implantationsmaske auf. Die übrigen Bereiche der Maske bilden während der Implantati­ on eine perfekte Abschirmung der nicht zu dotierenden Berei­ che. Eine derartige Maske ist darüber hinaus auf sehr einfa­ che Art und Weise herstellbar.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen sowie der Beschreibung un­ ter Bezugnahme auf die Zeichnung entnehmbar.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren der Zeichnung angegebenen Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt dabei:

Fig. 1 in perspektivischer Ansicht einen Ausschnitt eines hochvolttauglichen Grundmaterials für ein erfin­ dungsgemäßes Kompensationsbauelement;

Fig. 2 in einem Teilschnitt ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Kompensationsbauelementes mit vorgefertigtem Silizium-Grundkörper;

Fig. 3 in einem Teilschnitt ein zweites Ausführungsbei­ spiel eines erfindungsgemäßen Kompensationsbauele­ mentes;

Fig. 4 in einem Teilschnitt ein drittes Ausführungsbei­ spiel eines erfindungsgemäßen Kompensationsbauele­ mentes;

Fig. 5 in einem Teilschnitt ein viertes Ausführungsbei­ spiel eines erfindungsgemäßen Kompensationsbauele­ mentes;

Fig. 6 anhand von schematischen Teilschnitten ein erstes erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines Kompensationsbauelementes;

Fig. 7 anhand von schematischen Teilschnitten ein zweites erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines Kompensationsbauelementes.

In allen Figuren der Zeichnung sind gleiche bzw. funktions­ gleiche Elemente - sofern nichts anderes angegeben ist - mit gleichen Bezugszeichen versehen.

Fig. 1 zeigt in einer perspektivischen Ansicht einen Aus­ schnitt eines erfindungsgemäßen Grundkörpers für ein Kompen­ sationsbauelement. In Fig. 1 mit 1 ein Grundkörper - bei­ spielsweise eine Siliziumscheibe - bezeichnet. Der Grundkör­ per 1 weist eine erste Oberfläche 2, die sogenannte Scheiben­ vorderseite, und eine zweite Oberfläche 3, die sogenannte Scheibenrückseite, auf. Der Grundkörper 1 weist zwei über die Grenzfläche 6 getrennte Teilbereiche 1a, 1b auf. Der erste Teilbereich 1a, der nachfolgend auch als Substratbereich be­ zeichnet wird, ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel stark n-dotiert und bezeichnet das Halbleitergrundmaterial des Grundkörpers 1. Der erste Teilbereich 1a grenzt großflächig an die Scheibenrückseite 3 an.

Im Teilbereich 1b, der nachfolgend auch als Kompensations­ schicht bezeichnet wird, sind abwechselnd nebeneinander ange­ ordnete Dotierungsgebiete 4, 5 beider Leitfähigkeitstypen vorgesehen. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die n- dotierten Gebiete 4 und p-dotierte Gebiete 5 lateral strei­ fenförmig und vertikal säulenförmig ausgebildet. Die p- dotierten Gebiete 5 werden nachfolgend auch als Ausräumzonen bezeichnet, während die n-dotierten Gebiete als Komplementär­ ausräumzonen bezeichnet werden. Die Gebiete 4, 5 erstrecken sich in der Kompensationsschicht 1b von der Scheibenvorder­ seite 2 durch die gesamte Kompensationsschicht 1b bis zur Grenzschicht 6, das heißt also sie sind an den Substratbe­ reich 1a angeschlossen.

In vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Kompensations­ schicht 1b als Epitaxie-Schicht ausgebildet, die durch Ab­ scheidung von n-dotiertem Silizium auf die Grenzschicht 6 aufgewachsen wird. Die Ausräumzonen 5 können anschließend durch geeignete Verfahren, auf die nachfolgend noch detail­ lierter eingegangen wird, in den Grundkörper 1 eingebracht werden. Es wäre auch denkbar, dass eine p-dotierte oder undo­ tierte Epitaxie-Schicht 1b abgeschieden wird, in die n- dotierte Gebiete 4 und/oder p-dotierte Gebiete 5 eingebracht werden. Alternativ wäre auch denkbar, dass ein n-dotierter Grundkörper 1 bereitgestellt wird, in den durch gängige Do­ tierverfahren der hoch dotierte Substratbereich 1a erzeugt wird und bei dem anschließend von der Scheibenvorderseite 2 her die p-dotierten Ausräumzonen 5 erzeugt werden.

Fig. 2 zeigt in einem Teilschnitt ein erstes Ausführungsbei­ spiel eines erfindungsgemäßen Kompensationsbauelementes mit vorgefertigtem Siliziumgrundkörper.

In Fig. 2 wird auf den mit 1 bezeichneten Grundkörper eine weitere, n-dotierte Epitaxie-Schicht 10 aufgebracht. Dies ist in Fig. 2 mit den senkrechten Pfeilen zwischen Epitaxie- Schicht 10 und Halbleitergrundkörper 1 dargestellt wurde. Halbleitergrundkörper 1 und Epitaxie-Schicht 10 bilden somit den Halbleiterkörper 11. An der Oberfläche 12 des Halbleiter­ körpers 11 sind mehrere p-dotierte Bodyzonen 13 in die Epita­ xie-Schicht 10 eingebettet. In jeweils eine Bodyzone 13 sind eine oder mehrere stark n-dotierte Sourcezonen 14 eingebet­ tet. Die Bodyzonen 13 und Sourcezonen 14 können in bekannter Art und Weise durch Ionenimplantation oder Diffusion in den Halbleiterkörper 11 eingebracht und/oder durch Epitaxie auf den Halbleiterkörper 11 aufgebracht werden. Die Bodyzonen 13 sind an der Oberfläche 12 voneinander durch eine Zwischenzone 15, die die Dotierung Epitaxie-Schicht 10 aufweist, beabstan­ det. Oberhalb der Zwischenzonen 15 ist jeweils eine Gate- Elektrode 16 vorgesehen, die lateral verlaufend bis zu den Sourcezonen 14 reichen. Die Gate-Elektroden 16 sind gegen die Oberfläche 12 über ein dünnes Gate-Oxid 17 isoliert. Ferner ist eine Source-Metallisierung 18 vorgesehen, die die Source­ zonen 14 und Bodyzonen 13 über einen Nebenschluss elektrisch kontaktiert und die gegen die Gate-Elektrode 16 über ein Schutz-Oxyd 19 beabstandet ist. An der Scheibenrückseite 3 des Halbleiterkörpers 11 ist großflächig eine Drain- Metallisierung aufgebracht, die mit dem Drain-Anschluss D verbunden ist. An der Vorderseite des Halbleiterkörpers 11 ist die Source-Metallisierung 18 mit einem Source-Anschluss S und die Gate-Elektrode 16 mit einem Gate-Anschluss G verbun­ den.

Im Layout des Halbleiterkörpers 11 bezeichnen die mit Gate- Elektroden 16 sowie mit Bodyzonen 13 und Sourcezonen 14 be­ deckten Bereiche das aus einer Vielzahl von Zellen bestehende Zellenfeld ZF des Kompensationsbauelementes. Jeweils eine Zelle beinhaltet einen Einzeltransistor. Die Parallelschal­ tung der Laststrecken der Vielzahl von Einzeltransistoren er­ gibt den MOSFET des Kompensationsbauelements. Ein Kompensati­ onsbauelement weist typischerweise auch einen Randbereich RB auf, der außerhalb des Zellenfeldes ZF angeordnet ist und der im Betrieb des Kompensationsbauelementes einen definierten Verlauf der Feldlinien im Randbereich gewährleisten soll.

Im Randbereich RB sind Feldplatten 21 vorgesehen, die eben­ falls über ein Schutz-Oxid 22 gegen den Halbleiterkörper 11 sowie die Source-Metallisierung 18 isoliert sind. Unterhalb des Bereiches der Feldplatten 21 ist eine p-dotierte Wanne 23 in die Epitaxie-Schicht 10 eingebettet, die jedoch nicht über eine Elektrode angeschlossen ist, das heißt die somit auf ei­ nem unbestimmten Potential liegt.

Die Gate-Elektroden 16 bestehen typischerweise aus Polysili­ zium, jedoch können sie auch aus einem anderen Material, bei­ spielsweise aus Metall oder Silicid, bestehen, wenngleich diese Materialien herstellungstechnisch und aufgrund deren physikalischen und elektrischen Eigenschaften nicht so vor­ teilhaft sind wie hochdotiertes Polysilizium. Gleichsam kann für das Gate-Oxyd 16 und Schutz-Oxyd 19, 22 statt Siliziumdi­ oxyd (SiO₂) auch jedes andere isolierende Material, bei­ spielsweise Siliziumnitrid (Si₃N₄) oder auch ein Vakuum Ver­ wendung finden, jedoch ist thermisch hergestelltes Silizium­ dioxyd insbesondere bei Verwendung als Gate-Oxyd qualitativ am hochwertigsten und deshalb vorzuziehen. Als Source- Metallisierung 18 und Drain-Metallisierung 20 wird typischer­ weise Aluminium verwendet, jedoch könnte hier auch jedes an­ dere hochleitfähige Material bzw. Metall, das einen guten Kontakt zu dem Halbleiterkörper gewährleistet, verwendet wer­ den.

Erfindungswesentlich an der Anordnung entsprechend Fig. 2 ist nun, dass die das Zellenfeld und den Randbereich enthal­ tende Epitaxie-Schicht 10 nicht auf den Grundkörper 1 und so­ mit die Kompensationsschicht 1b justiert ist. Dieser Sachver­ halt wird in Fig. 2 durch die horizontalen Pfeile zwischen dem Grundkörper 1 und der Epitaxie-Schicht 10 gezeigt. Der Abstand zwischen Epitaxie-Schicht 10 und Grundkörper 1 wurde in Fig. 2 lediglich zur Veranschaulichung dieser Erfindung eingeführt. Bei der Herstellung des Kompensationsbauelementes existiert natürlich ein derartiger Abstand nicht, das heißt die Epitaxie-Schicht 10 ist direkt auf den Halbleitergrund­ körper 1 aufgebracht.

Nachfolgend wird die Funktionsweise der in Fig. 2 gezeigten Struktur kurz erläutert.

Bei kleiner Drainspannung ist die Leitfähigkeit in der Kom­ pensationsschicht 1b gut, da die n-dotierten Gebiete 4 nie­ derohmig sind. Wird die Drainspannung erhöht, dann werden bei geringer Drainspannung, zum Beispiel einer Spannung kleiner 30 Volt, die p-dotierten Ausräumzonen 5 und die n-dotierten Gebiete 4 gegenseitig ausgeräumt. Bei einer weiteren Span­ nungserhöhung wird die vertikale Feldstärke weiter erhöht und die Epitaxieschicht 10 nimmt Spannung auf. Die Ankoppelung der p-dotierten Bodyzonen 13 an die p-dotierten Ausräumzonen 5 kann hier bereits bei einer geringen Spannung in bekannter Weise durch einen Punch-Through-Effekt erfolgen. Wesentlich ist, dass schon bei kleinen Spannungen ein Durchgriff zwi­ schen den beiden Gebieten 5, 13 erfolgt, also dass bereits beim Einschalten die Raumladungszonenweite in den Bereich des Abstandes A zwischen p-dotierten Gebiet 5 und Bodyzone 13 ge­ langt. Auf diese Weise wird die Ausräumzone 5 auf das Poten­ tial der Bodyzone 13 gebracht und eine gegenseitige Ausräu­ mung der Gebiete 4, 5 kann erfolgen.

Nachfolgend werden anhand der Fig. 3 bis 5 weitere Ausfüh­ rungsbeispiele eines erfindungsgemäßen Kompensationsbauele­ mentes beschrieben.

Das Kompensationsbauelement entsprechend Fig. 3 zeichnet sich gegenüber dem in Fig. 2 dadurch aus, dass die Epitaxie- Schicht 10 undotiert ist bzw. eine sehr geringe Dotierung (i- Epi) aufweist. Die p-dotierten Wannen 13 sowie die n- dotierten Zwischenzonen 15 reichen bis zu dem Kompensations­ bereich 1b oder zumindest in die unmittelbare Nähe des Kom­ pensationsbereichs 1b.

In Fig. 4 ist die Epitaxie-Schicht 10 p-dotiert. Die Bodyzo­ nen 13 werden hier direkt von der Epitaxie-Schicht 10 gebil­ det. Die stark n-dotierten Zwischenzonen 15 reichen hier bis an die Kompensationsschicht 1b und beabstanden somit benach­ barte Bodyzonen 13 voneinander. Diese starke p-lastige Ausle­ gung der die einzelnen Zellen enthaltenden Epitaxie-Schicht 10 ist insbesondere aus Gründen eines definierten Spannungs­ durchbruchs des Kompensationsbauelementes im Durchbruchfall und somit zur Gewährleistung einer besseren Stabilität von besonderem Vorteil. Ferner weist die Anordnung in Fig. 4 - äquivalent zu der in Fig. 2 - eine n-dotierte Zone 24 im Rundbereich unterhalb der Feldplatten 21 auf.

Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfin­ dungsgemäßen Kompensationsbauelementes. Fig. 5 unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel in Fig. 2 dadurch, dass der Halbleitergrundkörper 1 vollständig aus der Kompensations­ schicht 1b besteht, das heißt ein Substratbereich 1b wie in den vorstehenden Ausführungsbeispielen liegt hier nicht vor. Typischerweise enthält die Kompensationsschicht 1b an der Scheibenrückseite eine dünne, stark n-dotierte Kontaktimplan­ tation (in Fig. 5 nicht dargestellt) zur Gewährleistung ei­ nes definierten elektrischen Kontaktes zu der Drain- Metallisierung 20.

Nachfolgend werden anhand der Fig. 6 und 7 zwei prinzi­ piell unterschiedliche Verfahren zur Herstellung eines erfin­ dungsgemäßen Kompensationsbauelementes näher erläutert. Dabei soll lediglich das Prinzip dargestellt werden, die einzelnen detaillierten Prozessschritte zur Herstellung der einzelnen Strukturen, die dem Fachmann wohl bekannt sind, werden nicht extra erläutert.

Erstes Verfahren (Fig. 6)

Ein Halbleiterkörper 1a - beispielsweise eine Siliziumscheibe - wird bereitgestellt (a). Auf diesen Halbleiterkörper 1a wird die die n-dotierten und p-dotierten Gebiete 4, 5 enthal­ tende Kompensationsschicht 1b aufgebracht (b). Es ergibt sich somit ein Halbleitergrundkörper 1 mit einer Kompensations­ schicht 1b und einem Substratbereich 1a. Auf den Halbleiter­ grundkörper 1 wird eine Epitaxie-Schicht 10 aufgebracht, die somit den Halbleiterkörper 11 bilden (c). In die Halbleiter­ schicht 10 können sodann die einzelnen Strukturen des Zellen­ feldes und des Randbereiches, das heißt die einzelnen Dotie­ rungsgebiete, mittels geeigneter Prozessschritte eingebracht werden (d). Für die einzelnen Prozessschritte in Verfahrens­ schritt (d) ist jedoch keinerlei Justierung auf die Struktu­ ren der Kompensationsschicht erforderlich, das heißt die Mas­ kierung des Halbleiterkörpers 1 zur Herstellung der Dotie­ rungsstrukturen kann mehr oder weniger willkürlich erfolgen. Durch die Verfahrensschritte (a) bis (d) wird somit ein Halb­ leiterbauelement entsprechend den Fig. 2 bis 4 bereitge­ stellt. Um ein Halbleiterbauelement entsprechend Fig. 5 zu erhalten, muss der Halbleiterkörper 11 von der Scheibenrück­ seite her lediglich so lange dünn geschliffen oder geätzt werden, bis kein Substratbereich 1a mehr vorhanden ist.

Zweites Verfahren (Fig. 7)

Es wird ein Halbleiterkörper 11 bereitgestellt (a). In den Halbleiterkörper 11 werden durch geeignete Prozessschritte die Strukturen (13, 14) des Zellenfeldes und des Randberei­ ches eingebracht (b). Der Halbleiterkörper 11 kann dann, falls erforderlich, von der Scheibenrückseite her dünn ge­ schliffen oder geätzt werden (c). Anschließend werden die n- dotierten und p-dotierten Gebiete 4, 5 von der Scheibenrück­ seite her in den Halbleiterkörper 11 eingebracht (b). Es er­ gibt sich somit ein Kompensationsbauelement entsprechend Fig. 5. Für ein Kompensationsbauelement entsprechend den Fig. 2 bis 4 müsste von der Scheibenrückseite her noch der stark n-dotierte Bereich, beispielsweise durch Ionenimplanta­ tion, auf die Kompensationsschicht 1b aufgebracht werden. Für die Herstellung der Kompensationsschicht 1b muss equivalent wie im oben beschriebenen ersten Verfahren keine Justierung der Kompensationsstrukturen vorgenommen werden.

Der besondere Vorteil dieses zweiten Verfahrens besteht dar­ in, dass die Gebiete 13, 14 direkt in den Halbleiterkörper 11 eingebracht werden können, ohne dass hier ein eigenes dafür vorgesehener Prozessschritt erforderlich wäre. Selbstver­ ständlich können jedoch auch die Gebiete 13, 14 nach einem Aufwachsen einer Epitaxieschicht in diese eingebettet werden.

Zur Herstellung der n-dotierten und p-dotierten Gebiete 4, 5 der Kompensationsschicht 1b können mehrere Verfahren einge­ setzt werden, von denen nachfolgend einige besonders vorteil­ hafte kurz beschreiben werden:

• 1. Die Gebiete 4, 5 in der Kompensationsschicht 1b können in der bekannten Aufbautechnik durch abwechselndes Abscheiden von n-dotiertem Silizium und nachfolgender maskierter Do­ tierung, beispielsweise durch Ionenimplantation oder Dif­ fusion, erzeugt werden. Durch Vorsehen mehrerer dieser Ab­ scheide- und Dotierschritte lässt sich eine gewünschte Di­ cke je nach gewünschter Spannungsfestigkeit bzw. Stromtra­ gefähigkeit des Kompensationsbauelementes bereitstellen.
• 2. Eine weitere Möglichkeit bietet die Hochenergie-Implanta­ tion. Für den Fall, dass die Kompensationsschicht 1b eine dotierte Grundbelegung aufweist, kann durch eine maskierte Fächerimplantation bei gestaffelten Energien und Implanta­ tionsdosen eine gewünschte säulenartige Struktur erzeugt werden. Mittels Hochenergie-Implantation können bei Im­ plantationsenergien von bis zu 20 MeV je nach Dotierele­ ment Implantationstiefen bis über 50 µm erzielt werden. Bei der Hochenergie-Implantation wird also das Kompensati­ onsmuster und somit das Raster in der Kompensationsschicht 1b erst nach dem Dünnschleifen von der Rückseite her im­ plantiert. Da die säulenartigen Strukturen für die Gebiete 4 und/oder 5 von der Rückseite her bis nahe unter die Bo­ dyzonen implantiert werden, ist hier wesentlich, dass To­ leranzen bei der Fertigung der einzelnen Schichten und bei der Implantation sehr exakt kontrollierbar sind.
• 3. Eine weitere Methode bietet das elektrolytische Ätzen von Röhren in die Kompensationsschicht. Dieses Verfahren ist beispielsweise in der EP 0 621 355 A2 beschreiben, welches vollinhaltlich in den Gegenstand der vorliegenden Patent­ anmeldung mit einbezogen wird. Bei diesen Verfahren kann die Grunddotierung des Halbleiterkörpers hinsichtlich der Ätzung sehr günstig gewählt werden. Erst nach dem Ätzen der Röhren wird der Halbleiterkörper durch bekannte Dotie­ rungsverfahren dotiert. Die Dotierung kann durch Abschei­ dung einer dotierten Schicht in die Röhren und Eindiffusi­ on von Dotierstoffen aus dieser Schicht in den Halbleiter­ körper hinein erfolgen. Anschließend kann p-dotiertes Ma­ terial in die Röhren abgeschieden werden, wodurch diese aufgefüllt werden.

Die Erfindung eignet sich insbesondere bei als MOSFETS ausge­ bildeten Kompensationsbauelementen. Jedoch sei die Erfindung nicht auf MOSFETs beschränkt, sondern kann im Rahmen der Er­ findung auf beliebige Halbleiterbauelemente, beispielsweise JFETs, IGBTs und dergleichen, erweitert werden.

Die Erfindung sei nicht ausschließlich auf die Ausführungs­ beispiele gemäß der Fig. 2 bis 5 bzw. die Verfahren gemäß der Fig. 6 und 7 beschränkt. Vielmehr können dort bei­ spielsweise durch Austauschen der Leitfähigkeitstypen n gegen p eine Vielzahl neuer Bauelementvarianten angegeben werden. Bezüglich weiterer Ausführungsbeispiele wird auch auf die eingangs erwähnten US 5,216,275, US 4,754,310, WO 97/29518 und DE 43 09 764 C2 verwiesen, deren Gegenstände vollinhalt­ lich in die vorliegende Patentanmeldung mit einbezogen wer­ den.

Zusammenfassend kann festgestellt werden, dass durch die Trennung von Halbleitergrundkörper und Zellenbereich, die in völliger Abkehr bei Kompensationsbauelementes nach dem Stand der Technik nicht gegeneinander justiert sein müssen, auf einfache, jedoch nichts desto trotz sehr effektive Weise eine Entkopplung von prozessintensiven Schritten erfolgen kann.

Die einzelnen Prozessschritte lassen sich dabei getrennt von­ einander optimieren.

Die vorliegende Erfindung wurde anhand der vorstehenden Be­ schreibung so dargelegt, um das Prinzip der Erfindung und dessen praktische Anwendung bestmöglich zu erklären. Selbst­ verständlich lässt sich die vorliegende Erfindung im Rahmen des fachmännischen Handels und Wissens in geeigneter Weise in mannigfaltigen Ausführungsformen und Abwandlungen realisie­ ren.

Bezugszeichenliste

1

Halbleiter-Grundkörper

1

a Substratbereich, erster Teilbereich

1

b Kompensationsschicht, zweiter Teilbereich

2

erste Oberfläche, Scheibenvorderseite

3

zweite Oberfläche, Scheibenrückseite

4

n-dotiertes Gebiet, Komplementärausräumzone

5

p-dotiertes Gebiet, Ausräumzone

6

Grenzschicht

10

Epitaxieschicht, Halbleiterschicht

11

Halbleiterkörper

12

Oberfläche, Scheibenvorderseite

13

Bodyzone

14

Sourcezone

15

Zwischenzone

16

Gateelektrode

17

Dielektrikum, Gateoxid

18

Sourceelektrode, Source-Metallisierung

19

Schutzoxid

20

Drainelektrode, Drain-Metallisierung

21

Feldplatte

22

Schutzoxid

23

p-dotierte Zone

24

n-dotierte Zone
D Drain-Anschluss
G Gate-Anschluss
RB Randbereich
S Source-Anschluss
ZF Zellenfeld

Claims (24)

1. In einem Halbleiterkörper (11) angeordnetes Halbleiterbau­ elemente nach dem Prinzip der Ladungsträgerkompensation,
mit einem in dem Halbleiterkörper (11) angeordneten Halblei­ ter-Grundkörper (1),
der mindestens eine an eine Grenzschicht (2) tretende Kompensationsschicht (1b) aufweist, in der erste Be­ reiche (4) des ersten Leitungstyps und zweite Berei­ che (5) des zweiten Leitungstyps vorgesehen sind, die im Layout ein Raster bilden,
wobei die Gesamtladungsmenge der ersten Bereiche (4) etwa der Gesamtladungsmenge der zweiten Bereiche (5) ent­ spricht,
mit mindestens einer im Halbleiterkörper (11) angeordneten und an die Grenzschicht (2) an den Halbleiter-Grundkörper (1) angrenzenden Halbleiterschicht (10),
in deren erster Oberfläche (12) eine Vielzahl von dotier­ ten Bereichen (13, 14, 23) eingebettet sind, die ein Raster für ein Zellenfeld (ZF) des Halbleiterbauele­ mentes bilden, dadurch gekennzeichnet,
dass das Raster in der Halbleiterschicht (10) nicht justiert ist auf das Raster des Halbleiter-Grundkörpers (1).

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter-Grundkörper (1) nahezu vollständig von der Kompensationsschicht (1b) eingenommen ist und lediglich auf einer zweiten Oberfläche (3) ein dünner Kontaktimplanta­ tions-Bereich zur Verbesserung eines elektrischen Kontaktes an der zweiten Oberfläche (3) vorgesehen ist.

3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter-Grundkörper (1) einen Substratbereich (1a) des ersten Leitungstyps aufweist, der außerhalb der Kom­ pensationsschicht (1b) angeordnet ist, wobei die ersten und/oder zweiten Bereiche (4, 5) eine geringere Dotierungs­ konzentration als der Substratbereich (1a) aufweist.

4. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und/oder zweiten Bereiche (4, 5) sich verti­ kal über die gesamte Dicke der Kompensationsschicht (1b) erstrecken.

5. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und/oder zweiten Bereiche (4, 5) sich lateral über die gesamte Breite der Kompensationsschicht (1b) erstre­ cken und einen festen Abstand zueinander aufweisen.

6. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass das Raster in der Halbleiterschicht (10) und/oder in der Kompensationsschicht (1b) im Layout rund, streifenförmig, rechteckförmig, hexagonal oder mäanderförmig ausgebildet sind.

7. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass das Raster der Halbleiterschicht (10) enger ist als das Raster der Kompensationsschicht (1b).

8. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass das Raster der Halbleiterschicht (10) in der Draufsicht senkrecht auf dem Raster der Kompensationsschicht (1b) steht.

9. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und/oder die zweiten Bereiche (4, 5) in der Kompensationsschicht (1b) in etwa kugelförmige, säulenförmige oder trichterförmige Strukturen ausbilden.

10. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass in der Kompensationsschicht (1b) die Gesamtmenge der La­ dungsträger des zweiten Leitungstyp geringfügig größer ist als die Gesamtmenge der Ladungsträger des ersten Leitungs­ typs.

11. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass die flächenbezogene Ladung der ersten und/oder der zwei­ ten Bereiche (4, 5) von der ersten Oberfläche (12) in die Tiefe der Kompensationsschicht (1b) hin abnimmt.

12. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Bereiche (4) und die zweiten Bereiche (5) in der Kompensationsschicht einen Abstand zueinander von größer oder gleich null und kleiner oder gleich der Breite einer Raumladungszone bei Anlegen einer Drainspannung aufweist.

13. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet,
dass in die Oberfläche (12) der Halbleiterschicht (10) min­ destens eine Bodyzone (13) des zweiten Leitungstyps ein­ gebettet ist, in die jeweils mindestens eine Sourcezone (14) des zweiten Leitungstyps eingebettet ist,
wobei benachbarte Bodyzonen (13) jeweils über eine Zwischen­ zone (15) des ersten Leitungstyps voneinander beabstandet sind,
wobei die Sourcezonen (14) jeweils über eine Sourceelektrode (18) kontaktiert sind,
wobei zumindest über den Zwischenzonen (15) eine über ein Ga­ teoxid (17) beabstandete Gateelektrode (16) angeordnet ist und
wobei an der zweiten Oberfläche (3) eine Drainelektrode (20) zur Kontaktierung des Halbleiter-Grundkörpers (1) vorge­ sehen ist.

14. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht (10) eine Grunddotierung des zwei­ ten Leitungstyps aufweist und dass sich die Bodyzonen (13) und die Zwischenzonen (15) jeweils von der ersten Oberfläche (12) bis zur Grenzfläche (2) erstrecken.

15. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht (10) eine schwache Dotierung oder gar keine Dotierung aufweist und dass die Zwischenzone (15) eine starke Dotierung des ersten Leitungstyps aufweist.

16. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement einen aktiven Bereich aufweist, in dem das Zellenfeld (ZF) des Halbleiterbauelementes ange­ ordnet ist, und einen Randbereich (RB) aufweist, über den bei Anlegen einer Spannung an das Halbleiterbauelement die Feld­ linien definiert aus dem Halbleiterkörper (11) geführt wer­ den, wobei das Raster der Kompensationsschicht (1b) unterhalb des Zellenfelds (ZF) und unterhalb des Randbereiches (RB) gleich ist.

17. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes nach dem Prinzip der Ladungsträgerkompensation nach einem der vorstehenden Ansprüche, mit folgenden nacheinander durchge­ führten Verfahrensschritten:

• a) Ein Halbleiterkörper (1a) wird bereitgestellt;
• b) In dem Halbleiterkörper (1a) wird eine dotierte Gebiete (4, 5) des ersten und/oder oder zweiten Leitungstyps enthal­ tende Kompensationsschicht (1b) erzeugt;
• c) Auf die Kompensationsschicht (1b) wird eine Halbleiter schicht (10) aufgebracht;
• d) In die Halbleiterschicht (10) werden die dotierten Gebie­ te (13, 14) für Strukturen eines Zellenfeldes (ZF) und eines Randbereiches (RB) eines Halbleiterbauelementes eingebettet, wobei die Strukturen der dotierten Gebiete (13, 14) nicht auf ein Raster der durch die Gebiete (4, 5) gebildeten Strukturen der Kompensationsschicht (1b) justiert werden.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (1a) solange dünn geschliffen oder geätzt wird, bis kein Substrat des Halbleiterkörpers (1a) mehr vorhanden ist.

19. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes nach dem Prinzip der Ladungsträgerkompensation nach einem der Ansprüche 1 bis 16, mit folgenden nacheinander durchgeführten Verfahrensschritten:

• a) Es wird ein Halbleiterkörper (1) bereitgestellt;
• b) An einer ersten Oberfläche (12) werden die dotierten Ge­ biete (13, 14) für Strukturen eines Zellenfeldes (ZF) und ei­ nes Randbereiches (RB) eines Halbleiterbauelementes in die Halbleiterschicht (10) eingebettet;
• c) Über eine zweite Oberfläche (3) wird eine dotierte Gebie­ te (4, 5) des ersten und/oder oder zweiten Leitungstyps ent­ haltende Kompensationsschicht (1b) erzeugt, wobei die Struk­ turen der Kompensationsschicht (1b) nicht auf ein Raster der durch die dotierten Gebiete (13, 14) des Zellenfeldes (ZF) gebildeten Strukturen justiert werden.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass vor Durchführung des Verfahrensschrittes (c) der Halb­ leiterkörper (11) von der zweiten Oberfläche (3) her dünn ge­ schliffen oder geätzt wird.

21. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass auf den Halbleiterkörper (1) eine Halbleiterschicht 10 aufgebracht wird, in die dann die dotierten Gebiete (13, 14) eingebettet werden.

22. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die dotierten Gebiete (4, 5) der Kompensationsschicht (1b) zumindest teilweise mittels Hochenergieimplantation von Ionen des ersten und/oder des zweiten Leitungstyps in den Halbleiterkörper (11) eingebracht werden.

23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochenergieimplantation mit verschiedenen Implanta­ tionsenergien und verschiedenen Implantationsdosen derart vorgenommen wird, dass sich von der ersten Oberfläche (12) des Halbleiterkörpers (11) bis zu einer vorgegebenen Tiefe ein weitestgehend durchgehender dotierter Bereich ausbildet.

24. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (11) bei der Hochenergieimplantati­ on mittels einer Implantationsmaske aus einer Silizium- Scheibe, die Aussparungen für den Durchtritt der Ionen wäh­ rend der Implantation aufweist, maskiert wird.