[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE1059940B - Bismuth tellurium thermocouple for electrothermal generation of cold - Google Patents

Bismuth tellurium thermocouple for electrothermal generation of cold

Info

Publication number
DE1059940B
DE1059940B DET13931A DET0013931A DE1059940B DE 1059940 B DE1059940 B DE 1059940B DE T13931 A DET13931 A DE T13931A DE T0013931 A DET0013931 A DE T0013931A DE 1059940 B DE1059940 B DE 1059940B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
thermocouple
cold
leg
negative
legs
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET13931A
Other languages
German (de)
Inventor
Yoshio Suge
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TOHO DENTAN KK
Original Assignee
TOHO DENTAN KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TOHO DENTAN KK filed Critical TOHO DENTAN KK
Publication of DE1059940B publication Critical patent/DE1059940B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Description

Wismut -Tellur -Thermoelement zur elektrothermischen Kälteerzeugung Es ist entsprechend der Theorie der elektrothermischen Kälteerzeugung nach Altenkirch bekannt, daß gewisse, aus einem negativen und einem positiven Schenkel zusammengesetzte Elemente bei Stromdurchfluß eine Abkühlung zeigen. Die maximale Abkühlung, die Kälteleistung und das Wärmeverhältnis wächst mit steigendem Peltier-Koeffizienten und nach der 1. Thomsonschen Gleichung proportional zur differentiellen Thermokraft. Sowohl die maximale Abkühlung wie die Kälteleistung ergeben sich aus einer Energiebilanz, in der auf der einen Seite die Peltier-Kälte, auf der anderen Seite die Joulesche Wärme und der Wärmefluß von der warmen zur kalten Lötstelle durch die Thermoelementschenkel stehen. Daraus folgt, daß diese Schenkel zur Verminderung der Jouleschen Wärme einen geringen spezifischen Widerstand (Ohm cm) haben sollen. Wegen der Wärmezufuhr ist jedoch eine möglichst geringe Wärmeleitfähigkeit (Watt/ cm Grad) erwünscht. Diese beiden Größen stehen wiederum durch das Wiedemann-Franzsche Gesetz miteinander in Verbindung. Die kritische Abkühlung und die maximale Kälteleistung sind von der effektiven Thermokraft der verwendeten Thermoelementkombination abhängig. Eine Übersicht über die bisher mit verschiedenen Thermoelementkombinationen erreichten Thermokräfte gibt die nachfolgende Aufstellung: 38 Sb/62 Te-63 Pb/37 Te .............. 143 V/Grad 38 Sb/62 Te-61,9 Pb/38,1 Te ........... 142 V/Grad 41,72 Zn/58,28 Sb-63 Pb/37 Te ......... 137 V/Grad 41,72 Zn/58,28 Sb-61,9 Pb/38,1 Te ...... 136 V/Grad 41,72 Zn/58,28 Sb-64 Pb/36 Te ......... 133 V/Grad Diese Kombinationen würden einstufig eine maximale Temperaturdifferenz von 22 bis 25° C zulassen. Als die beste bekannte Kombination wird angesehen: 1 Bi/99 Te-52 Bi/58 Te 34,94 Zn/65,06 Sb -91 Bi/Sb Gemäß der vorliegenden Erfindung wird nun ein Wismut-Tellur-Thermoelement vorgeschla@en, dessen Werte noch bedeutend günstiger liegen a@@ diejenigen der bekannten Elemente.Bismuth-tellur-thermocouple for electrothermal cold generation According to the theory of electrothermal cold generation according to Altenkirch, it is known that certain elements composed of a negative and a positive limb show a cooling when current flows through them. The maximum cooling, the cooling capacity and the heat ratio increase with increasing Peltier coefficients and, according to Thomson's 1st equation, proportionally to the differential thermal force. Both the maximum cooling and the cooling capacity result from an energy balance in which on the one hand the Peltier cold, on the other hand the Joule heat and the heat flow from the warm to the cold solder joint through the thermocouple legs. It follows from this that these legs should have a low specific resistance (ohm cm) in order to reduce the Joule heat. Because of the heat input, however, the lowest possible thermal conductivity (watt / cm degree) is desirable. These two quantities are in turn related to each other by the Wiedemann-Franz law. The critical cooling and the maximum cooling capacity depend on the effective thermal power of the thermocouple combination used. The following list gives an overview of the thermal forces achieved so far with different thermocouple combinations: 38 Sb / 62 Te-63 Pb / 37 Te .............. 143 V / degree 38 Sb / 62 Te-61.9 Pb / 38.1 Te ........... 142 V / degree 41.72 Zn / 58.28 Sb-63 Pb / 37 Te ......... 137 V / degree 41.72 Zn / 58.28 Sb-61.9 Pb / 38.1 Te ...... 136 V / degree 41.72 Zn / 58.28 Sb-64 Pb / 36 Te ......... 133 V / degree These combinations would allow a maximum temperature difference of 22 to 25 ° C in one stage. The best known combination is considered to be: 1 Bi / 99 Te-52 Bi / 58 Te 34.94 Zn / 65.06 Sb -91 Bi / Sb According to the present invention, a bismuth-tellurium thermocouple is proposed, the values of which are significantly more favorable than those of the known elements.

Gemäß der Erfindung enthalten die thermoelektrischen Kontaktstellen positive Schenkel aus Bi2Te3, vermischt mit kleinen Mengen Verunreinigungen, z. B. Thallium, und negative Schenkel, bei denen das Verhältnis von Bi zu Te zwischen 1:1,75 und 1:2,5 (z. B. Bi4Te7 bis Bi2Te5) liegt, vermischt mit kleinen Mengen von Verunreinigungen.According to the invention, the thermoelectric contact points contain positive legs made of Bi2Te3, mixed with small amounts of impurities, e.g. B. thallium, and negative legs where the ratio of Bi to Te is between 1: 1.75 and 1: 2.5 (e.g. Bi4Te7 to Bi2Te5) mixed with small amounts of Impurities.

In den Zeichnungen sind schematisch die Legierungsbereiche, die thermoelektrische Kraft h (V Grad-1), der spezifische elektrische Widerstand (Ohm cm) und die Wärmeleitfähigkeit (cal - cm-' - Grad-) veranschaulicht. Es zeigt Fig. 1 die Werte für einen Schenkel aus 40 Molprozent Bi und 60 Molprozent Te, verunreinigt mit Thallium, Fig. 2 die Werte für einen Schenkel aus 33 Molprozent Bi und 67 Molprozent Te, verunreinigt mit Quecksilber, Fig. 3 einen Schenkel aus 36 Molprozent Bi und 64 Molprozent Te, verunreinigt mit Quecksilber, Fig. 4 einen Schenkel aus 29 Molprozent Bi und 71 Molprozent Te, verunreinigt mit Quecksilber, Fig. 5 einen Schenkel aus 40 Molprozent Bi und 60 Molprozent Te, verunreinigt mit HgBr2, und Fig. 6 ein Diagramm, das die Abhängigkeit der thermoelektrischen Kraft h von dem Tellurgehalt in einer Bi-Te-Legierung veranschaulicht.In the drawings, the alloy areas, the thermoelectric Force h (V degree-1), the specific electrical resistance (ohm cm) and the thermal conductivity (cal - cm - '- degrees -) illustrated. 1 shows the values for one leg from 40 mole percent Bi and 60 mole percent Te, contaminated with thallium, Fig. 2 die Values for a leg of 33 mole percent Bi and 67 mole percent Te, contaminated with mercury, Fig. 3 shows a limb made of 36 mole percent Bi and 64 mole percent Te, contaminated with mercury, Fig. 4 a leg made of 29 mol percent Bi and 71 Mole percent Te contaminated with mercury, Fig. 5, a leg of 40 mole percent Bi and 60 mole percent Te contaminated with HgBr2, and Fig. 6 is a diagram showing the Dependence of the thermoelectric force h on the tellurium content in a Bi-Te alloy illustrated.

Entsprechend Fig.1 werden maximale Werte bei einem Gehalt von 0,6 Gewichtsprozent Thallium des Bi-Te-Schenkels (40:60) erreicht, nämlich h = 187 und z = 110 . 10-7. Die Wärmeleitfähigkeit dieses Schenkels ist 2,0.10-2.According to FIG. 1, maximum values are obtained at a content of 0.6 Weight percent thallium of the Bi-Te leg (40:60) reached, namely h = 187 and z = 110. 10-7. The thermal conductivity of this leg is 2.0.10-2.

Gemäß Fig.2 werden maximale Werte des Bi-Te-Schenkels (33:67) bei Beimischung von 0,2 Gewichtsprozent Hg, nämlich h = -186 und z = 226 ₧ 10-7, erzielt. Die Wärmeleitfähigkeit dieses Schenkels ist 1,9.10-2.According to FIG. 2, maximum values of the Bi-Te leg (33:67) are at Admixture of 0.2 percent by weight Hg, namely h = -186 and z = 226 ₧ 10-7, achieved. The thermal conductivity of this leg is 1.9.10-2.

Gemäß Fig.5 werden maximale Werte des Bi-Te-Schenkels (40:60) bei Beimischung von 0,15 Gewichtsprozent Hg Br, erreicht, nämlich h = -169 und z = 240 10-7. Die Wärmeleitfähigkeit liegt zwischen 2,0 - 10-2 (0 bis 0,20/o HgBrz) und 2,2 - 10-2 (ab 0,30/o HgBrz). Gemäß der Erfindung können folgende Temperaturgefälle unter Zimmertemperatur (18° C) erzielt werden: Temperaturgefälle Positiver Negativer unter Schenkel Schenkel Zimmertemperatur (18°C) Bi2Te3 + Tl Bi1Te3 + Hg 46° C max. T1 = 0,6 Ge- Hg = 0,2 Ge- wichtsprozent wichtsprozent h = 187 h = -186 38° C min. = 1,6 ₧ 10-3 = 0,8 ₧ 10-3 = 2,0 ₧ 10-2 = 1,9 . 10-2 Bi2Te3 + T1 Bi2Te3 + HgBr2 45° C max. T1 = 0,6 Ge- HgBr2 = 0,15 Ge- wichtsprozent wichtsprozent h = 187 h = -169 37° C min. = 1,6 ₧ 10-3 = 0,6 ₧ 10-3 = 2,0 ₧ 10-2 = 2,0 ₧ 10-2 Die gemäß der Erfindung vorgeschlagenen Thermoelemente können, wie insbesondere Fig. 6 zeigt, je nach dem Anteil an Tellur sowohl als positive als auch als negative Schenkel dienen. Man erhält also einen positiven Halbleiter bei einer Zusammensetzung von etwa Bi2Te3 und einem negativen Halbleiter von einer Legierung, deren Zusammensetzung ungefähr Bi1Te, ist.According to FIG. 5, maximum values of the Bi-Te leg (40:60) are achieved with an admixture of 0.15 percent by weight Hg Br, namely h = -169 and z = 240 10-7. The thermal conductivity is between 2.0 - 10-2 (0 to 0.20 / o HgBrz) and 2.2 - 10-2 (from 0.30 / o HgBrz). According to the invention, the following temperature gradients below room temperature (18 ° C) can be achieved: Temperature gradient Positive negative below Thigh thigh room temperature (18 ° C) Bi2Te3 + Tl Bi1Te3 + Hg 46 ° C max. T1 = 0.6 Ge Hg = 0.2 Ge weight percent weight percent h = 187 h = -186 38 ° C min. = 1.6 10-3 = 0.8 ₧ 10-3 = 2.0 ₧ 10-2 = 1.9. 10-2 Bi2Te3 + T1 Bi2Te3 + HgBr2 45 ° C max. T1 = 0.6 Ge HgBr2 = 0.15 Ge weight percent weight percent h = 187 h = -169 37 ° C min. = 1.6 10-3 = 0.6 ₧ 10-3 = 2.0 10-2 = 2.0 ₧ 10-2 The thermocouples proposed according to the invention can, as FIG. 6 shows in particular, serve both as positive and negative legs, depending on the proportion of tellurium. So you get a positive semiconductor with a composition of about Bi2Te3 and a negative semiconductor from an alloy whose composition is about Bi1Te.

Die erzielbare thermoelektrische Kraft ist, wie die Figuren zeigen, von der Menge und der Art der zugegebenen Verunreinigung abhängig. Wenn dem positiven Bi2Te3- Schenkel Kupfer oder Silber zugegeben wird, wird die thermoelektrische Kraft bei etwa 0,20/, Verunreinigung Null. Bei darüberliegenden Konzentrationen an Kupfer oder Silber werden die Schenkel negativ, wobei sich eine maximale thermoelektrische Kraft bei 0,501, Verunreinigung ergibt. Es können im negativen Schenkel folgende Werte erzielt werden: h = -150 bis -200; = 2 10-3; = 2 ₧ 10-2 Durch Zugabe von Kupfer erhöht sich die Festigkeit des Materials.The achievable thermoelectric force is, as the figures show, depends on the amount and type of contamination added. If the positive Bi2Te3 leg copper or silver is added, the thermoelectric force is at about 0.20 /, zero impurity. At higher concentrations of copper or silver will make the legs negative, with a maximum thermoelectric Force at 0.501, results in contamination. The following can be found in the negative leg Values can be obtained: h = -150 to -200; = 2 10-3; = 2 ₧ 10-2 by adding copper increases the strength of the material.

Ebenfalls durch Zugabe von Zinn, Cadmium, Quecksilber oder anderer Verbindungen dieser Gruppe wird der h-Wert gesenkt, und zwar bei Zinn am schwächsten und bei Quecksilber am stärksten. Bei höheren Prozentsätzen dieser Verbindungen, beispielsweise bei 20/, Cadmium, werden die Elemente in negative Elemente umgewandelt. Bei Zugabe von Gallium, Indium, Thallium oder anderer Verbindungen dieser Gruppe wird die thermoelektrische Kraft erhöht. Ga erhöht allerdings den Widerstand, während T1 den Widerstand eher verringert. Folgende Werte wurden erzielt Die Zugabe von T1 ist dementsprechend sehr günstig. C, Si, Ge, Sn, Tb oder andere Elemente dieser Gruppe verringern den Wert von h. Sn verändert das Vorzeichen von h bei einem Gehalt in der Größenordnung von 10/,. Sb verringert den Wert von h, während Bi den Wert von h erhöht.The addition of tin, cadmium, mercury or other compounds of this group also lowers the h-value, the weakest for tin and the strongest for mercury. At higher percentages of these compounds, for example at 20% cadmium, the elements are converted into negative elements. When gallium, indium, thallium or other compounds of this group are added, the thermoelectric force is increased. However, Ga increases the resistance, while T1 tends to decrease the resistance. The following values were achieved The addition of T1 is therefore very cheap. C, Si, Ge, Sn, Tb or other elements of this group reduce the value of h. Sn changes the sign of h at a content of the order of magnitude of 10 /,. Sb decreases the value of h while Bi increases the value of h.

Von der Gruppe S, Se, Te verringern Se und Te den Wert von h. Die Zugabe von S ist nicht wünschenswert, weil es den Widerstand erhöht.Of the group S, Se, Te, Se and Te decrease the value of h. the Addition of S is undesirable because it increases resistance.

Von den Elementen der Gruppe Cl, Br, J usw. bewirkt Jod einen Umschlag zum negativen Element bei ungefähr 0,5 % mit h = -100, o = 0,8 ₧ 10-3. An Stelle eines mit J verunreinigten Bi2Te3- Negativschenkels wird jedoch besser ein Bi2Te2- Schenkel verwendet.Of the elements of the group Cl, Br, I, etc., iodine causes a change to the negative element at about 0.5% with h = -100, o = 0.8 ₧ 10-3. At However, if a Bi2Te3 negative leg is contaminated with J, it will be better Bi2Te2 legs used.

Nickel bewirkt eine Verringerung des h-Wertes, ändert aber das Vorzeichen nicht.Nickel causes a reduction in the h-value, but changes the sign not.

In ähnlicher Weise wurde Verunreinigung für den negativen Schenkel erprobt. Es zeigte sich dabei, daß am günstigsten Quecksilber verwendet wird. Durch Zugabe von 0,07 % Quecksilber zu Bi1Te2 wird h = -160 und = 0,8 ₧ 10-3 erzielt gegenüber h = -140 und O = 1 ₧ 10-3 für Bi1Te2 allein.Similarly, there was contamination for the negative leg tried. It was found that mercury is the cheapest to use. By Adding 0.07% mercury to Bi1Te2 results in h = -160 and = 0.8 ₧ 10-3 compared to h = -140 and O = 1 ₧ 10-3 for Bi1Te2 alone.

Die günstigste Kombination ist also Thallium für den positiven Bi2Te3- Schenkel und Quecksilber für den negativen Bi1Te2- Schenkel.The cheapest combination is thallium for the positive Bi2Te3- Legs and mercury for the negative Bi1Te2 leg.

Claims (1)

PATENTANSPRUCH: Wismut-Tellur-Thermoelement zur elektrothermischen Kälteerzeugung, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoelektrischen Kontaktstellen positive Schenkel aus Bi2Te3, vermischt mit kleinen Mengen Verunreinigungen, z. B. Thallium, und negative Schenkel, bei denen das Verhältnis von Bi: Te zwischen 1:1,75 und 1:2,5 (z. B. Bi4Te, bis Bi2Te5) liegt, vermischt mit kleinen Mengen von Verunreinigungen, enthalten. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 277624, 280696, 872 210, 906 813; Zeitschrift »Kältetechnik«, 1953, Heft 6, S. 150 bis 157; Zeitschrift »Die Kälte«, 1957, Heft 1, S. 3 bis 10.Claim: bismuth tellurium thermocouple for electrothermal cold generation, characterized in that the thermoelectric contact points are positive legs made of Bi2Te3, mixed with small amounts of impurities, e.g. B. Thallium, and negative legs, where the ratio of Bi: Te is between 1: 1.75 and 1: 2.5 (e.g. Bi4Te, to Bi2Te5) mixed with small amounts of impurities. Considered publications: German Patent Nos. 277624, 280696, 872 210, 906 813; Journal "Kältetechnik", 1953, issue 6, pp. 150 to 157; "Die Kälte" magazine, 1957, issue 1, pp. 3 to 10.
DET13931A 1956-07-31 1957-07-27 Bismuth tellurium thermocouple for electrothermal generation of cold Pending DE1059940B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1059940X 1956-07-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1059940B true DE1059940B (en) 1959-06-25

Family

ID=14422258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DET13931A Pending DE1059940B (en) 1956-07-31 1957-07-27 Bismuth tellurium thermocouple for electrothermal generation of cold

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1059940B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1162436B (en) * 1959-07-13 1964-02-06 Western Electric Co Thermoelectric arrangement

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE277624C (en) *
DE280696C (en) * 1912-04-03
DE872210C (en) * 1949-03-25 1953-03-30 Siemens Ag Arrangement for heat delivery by means of thermocouples, in particular for electrothermal cold generation
DE906813C (en) * 1951-11-03 1954-03-18 Siemens Ag Thermocouple, especially for electrothermal generation of cold

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE277624C (en) *
DE280696C (en) * 1912-04-03
DE872210C (en) * 1949-03-25 1953-03-30 Siemens Ag Arrangement for heat delivery by means of thermocouples, in particular for electrothermal cold generation
DE906813C (en) * 1951-11-03 1954-03-18 Siemens Ag Thermocouple, especially for electrothermal generation of cold

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1162436B (en) * 1959-07-13 1964-02-06 Western Electric Co Thermoelectric arrangement

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2685608A (en) Thermoelement, particularly for the electrothermic production of cold
DE1295043B (en) Thermocouple for converting thermal energy into electrical energy with a leg consisting of a germanium-silicon alloy over at least part of its length
CH407265A (en) Thermoelectric converter
DE1054519B (en) Thermocouple and process for its manufacture
DE2251938C2 (en) Solid solution alloy for thermoelectric energy conversion
DE1059940B (en) Bismuth tellurium thermocouple for electrothermal generation of cold
DE102017110313A1 (en) Thermoelectric conversion device
DE1295195B (en) Thermoelectric semiconductor material
DE1085178B (en) Thermocouple, especially for electrothermal cold generation
DE829170C (en) Device for electrothermal cold generation
DE1278111B (en) Semiconductor material made of p-conductive lead telluride, suitable as a limb for thermocouples
DE872210C (en) Arrangement for heat delivery by means of thermocouples, in particular for electrothermal cold generation
DE1162436B (en) Thermoelectric arrangement
DE1414622B2 (en) METHOD FOR MANUFACTURING MOELEMENT LEGS
US3451808A (en) Copper-manganese alloys and articles made therefrom
Allgaier Interpretation of transport measurements in electronically conducting liquids. II. Hall mobility
DE1295039B (en) Thermoelectric semiconductor device for converting heat into electrical energy
DE1240288B (en) Thermoelectric semiconductor device and method for its manufacture
DE1277967C2 (en) Method for producing a semiconductor arrangement, in particular a thermoelectric semiconductor arrangement
DE2165169C3 (en) Alloy, manufacture thereof and use thereof for devices for direct thermoelectric energy conversion
DE512817C (en) Electric dry rectifier
DE1298286B (en) Method of making a thermoelectric connection for use at high temperatures
AT232561B (en) Sintered thermocouple leg
AT236527B (en) Silicon semiconductor element
DE1166220B (en) Thermoclectric or electrothermal arrangement, in particular Peltier cooling arrangement, in which a semiconducting connection is used for at least one thermocouple limb