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DD283311A7 - Verfahren zur herstellung von stabilen mos-anordnungen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von stabilen mos-anordnungen

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Publication number
DD283311A7
DD283311A7 DD23542581A DD23542581A DD283311A7 DD 283311 A7 DD283311 A7 DD 283311A7 DD 23542581 A DD23542581 A DD 23542581A DD 23542581 A DD23542581 A DD 23542581A DD 283311 A7 DD283311 A7 DD 283311A7
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
arrangements
producing stable
stable mos
mos
producing
Prior art date
Application number
DD23542581A
Other languages
English (en)
Inventor
Nina Sieber
Hans Syhre
Original Assignee
Sieber,Nina,Dd
Syhre,Hans,Dd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sieber,Nina,Dd, Syhre,Hans,Dd filed Critical Sieber,Nina,Dd
Priority to DD23542581A priority Critical patent/DD283311A7/de
Publication of DD283311A7 publication Critical patent/DD283311A7/de

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0488149A2 (de) * 1990-11-26 1992-06-03 Seiko Epson Corporation Verfahren zur Analyse von Metallverunreinigungen in dem oberflächigen Oxidfilm eines Halbleitersubstrats

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0488149A2 (de) * 1990-11-26 1992-06-03 Seiko Epson Corporation Verfahren zur Analyse von Metallverunreinigungen in dem oberflächigen Oxidfilm eines Halbleitersubstrats
EP0488149A3 (en) * 1990-11-26 1993-03-17 Seiko Epson Corporation Method of analyzing metal impurities in surface oxide film of semiconductor substrate

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