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CN213959175U - 具熔接结构的导电端子 - Google Patents

具熔接结构的导电端子 Download PDF

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CN213959175U CN202022021216.XU CN202022021216U CN213959175U CN 213959175 U CN213959175 U CN 213959175U CN 202022021216 U CN202022021216 U CN 202022021216U CN 213959175 U CN213959175 U CN 213959175U
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conductive
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张俊云
何应松
叶大丰
吕正伟
邱佳誉
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Dongguan Solteam Electronics Co ltd
Solteam Electronics Co Ltd
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Solteam Electronics Suzhou Co ltd
Dongguan Solteam Electronics Co ltd
Solteam Electronics Co Ltd
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Abstract

本实用新型主要揭示一种具熔接结构的导电端子,其包括:一主体以及一第一导电单元。所述主体包括一第一连接部,形成于所述主体的一端。并且,所述第一导电单元包括一第一连接端,连接所述第一连接部。其中,所述主体还包括形成于所述主体的另一端的一第二连接部,且一第二导线单元的一第二连接端连接于所述第二连接部。值得说明的是,所述主体还包括位于所述第一连接部与所述第二连接部之间的一端子连接件,且所述端子连接件的半径小于所述第一连接部与第二连接部的半径。

Description

具熔接结构的导电端子
技术领域
本实用新型是关于导电端子连接的技术领域,特别是指一种具熔接结构的导电端子。
背景技术
如何有效率的将导电端子与导电线路紧密地相连接,一直是相关业者及工程师所重视与关心的项目;例如,美国专利号US4,681,393 所公开的一种导电端子,由美国专利号US4,681,393的FIG.1可以得知,其透过导电端子线与导电线路互相卡合的设计以连接彼此。可想而知的是,经过数次的对接/拔除之后,导电端子与导电线路相卡合的部分将出现磨损与变形,导致导线端子与导电线路之间发生接触不良的情形。
另一方面,如美国专利号US4,681,393的FIG.4所示,其导电端子的结构及制造程序复杂,因此容易产生不符合规定的缺陷品。然而,上述缺陷品亦会造成导电线路的损坏,造成导电端子与导电线路产生接触不良的情形。因此,如何提供一种高良率且高紧密度的导电端子与导电线路的结构亦成为相关业者亟欲解决的方向。
由上述可以得知,现有的导电端子其有所不足而仍有所改善空间。有鉴于此,本实用新型的发明人系极力加以研究创作,而终于研发完成本实用新型的一种具熔接结构的导电端子。
实用新型内容
本实用新型的具熔接结构的导电端子包括:一主体以及一第一导电单元。所述主体包括一第一连接部,形成于所述主体的一端。并且,所述第一导电单元包括一第一连接端,连接所述第一连接部。其中,所述主体还包括形成于所述主体的另一端的一第二连接部,且一第二导线单元的一第二连接端连接于所述第二连接部。值得说明的是,所述第一连接部包括一第一熔接面,且所述第一连接端包括与所述第一熔接面相连接的一第二熔接面;如此设置,令所述第一导电单元以及所述主体具有高强度的连接关系。
为了达成上述本实用新型的主要目的,本案发明人提供所述具熔接结构的导电端子的一实施例,包括:
一主体,包括:形成于所述主体一端的一第一连接部;以及
一第一导电单元,包括:一第一连接端连接所述第一连接部。
在本实用新型的所述具熔接结构的导电端子的实施例中,所述主体还包括:一第二连接部,形成于所述主体的另一端;一第二导电单元的一第二连接端连接于所述第二连接部。
在本实用新型的所述具熔接结构的导电端子的实施例中,其中,所述主体还包括一端子连接件,位于所述第一连接部与所述第二连接部之间。
附图说明
图1显示本实用新型的一种具熔接结构的导电端子的第一实施例的立体图;
图2显示本实用新型的具熔接结构的导电端子的第一实施例的立体示意图;
图3显示本实用新型的具熔接结构的导电端子的第二实施例的第一立体示意图;
图4显示本实用新型的具熔接结构的导电端子的第二实施例的第二立体示意图;
图5显示本实用新型的具熔接结构的导电端子的第三实施例的立体示意图;以及
图6显示本实用新型的具熔接结构的导电端子的第三实施例的立体图。
图中主要符号说明:
1:具熔接结构的导电端子
11:主体
111:第一连接部
111P:第一熔接面
112:第二连接部
112P:第三熔接面
113:端子连接件
114:第一凸环
115:第二凸环
12:第一导电单元
121:第一连接端
121O:凸环
122:第一铜线束
123:第一绝缘包覆件
13:第二导电单元
131:第二连接端
132:第二铜线束
133:第二绝缘包覆件
134:第二卡合部
具体实施方式
为了能够更清楚地描述本实用新型所提出的一种具熔接结构的导电端子,以下将配合图式,详尽说明本实用新型的较佳实施例。
第一实施例
请参阅图1,显示本实用新型的一种具熔接结构的导电端子的第一实施例的立体图。并请同时参阅图2,显示本实用新型的具熔接结构的导电端子的第一实施例的立体示意图。如图1与图2所示,本实用新型的具熔接结构的导电端子1包括:一主体11以及一第一导电单元12。其中,所述主体11包括一第一连接部111,所述第一连接部111形成于所述主体11一端。并且,所述主体11还包括一第一凸环114,邻近所述第一连接部111。值得说明的是,所述第一连接部111包括一第一熔接面111P。并且,所述第一导电单元12包括一第一连接端121,连接所述第一连接部111。所述第一连接端121包括一第二熔接面,其中,所述第二熔接面与所述第一熔接面111P相连接。需补充说明的是,所述第一导电单元12包括一第一铜线束122以及一第一绝缘包覆件123,所述第一铜线束122连接所述第一连接端121,且所述第一绝缘包覆件 123包覆于所述第一铜线束122。更具体地说明,所述第一熔接面111P 与第二熔接面侧面呈下列任一者:平板状、不规则状、波浪状、及弧状。换句话说,将所述第一熔接面111P与所述第二熔接面相接触后进行一超声波熔接动作,以令本实用新型的第一导电单元12与所述主体 11具有高强度的连接结构,同时具有更佳的温升(所述导电端子1的温度与室温的差)表现。本实用新型的导电端子与实验现有一般导电端子的温升数据整理于下表(1)之中。
表(1)
Figure DEST_PATH_GDA0003073400300000041
第二实施例
承上述,请同时参阅图3,显示本实用新型的具熔接结构的导电端子的第二实施例的第一立体示意图。并请同时参阅图4,显示本实用新型的具熔接结构的导电端子的第二实施例的第二立体示意图。如图2 至图4所示,相较于上述第一实施例,本实施例的所述主体11还包括一第二连接部112,形成于所述主体11的另一端。其中,一第二导电单元13的一第二连接端131连接于所述第二连接部112。值得说明的是,所述主体11还包括一端子连接件113,位于所述第一连接部111 与所述第二连接部112之间。更具体地说明,所述端子连接件113的两端分别卡合于对应的一第一卡合部与一第二卡合部134,以令本实用新型的主体11、所述第一导电单元12与所述第二导电单元13之间具有可相连接与拆除的效果。并且,所述端子连接件113的半径系小于第一连接部111与所述第二连接部112的半径。
承上述,所述主体11还包括一第二凸环115,设置邻近于所述第二连接部112。如图4所示,所述第二导电单元13包括一第二铜线束 132以及一第二绝缘包覆件133。所述第二铜线束132由多条铜线所集束而成,而所述第二绝缘包覆件133包覆于所述第二铜线束132。在本实用新型中,所述第二连接部112包括一第三熔接面112P。并且,所述第二连接端131包括一第四熔接面,所述第四熔接面与所述第三熔接面112P相连接。更具体地说明,所述第三熔接面112P与所述第四熔接面的侧面呈下列任一者:平板状、不规则状、波浪状、及弧状。如此设置,将所述第三熔接面112P与所述第四熔接面相接触后再进行一超声波熔接动作,以令本实用新型的第二导电单元13与所述主体11 具有高强度的连接结构。
第三实施例
再次参阅图2。并请同时参阅图5与图6,显示本实用新型的具熔接结构的导电端子的第三实施例的立体示意图与立体图。如图2与图5 所示,相较于前述第一实施例,本实用新型的所述第一连接端121的形状为半圆柱状,且所述第一连接端121上设置有至少一凸环121O。同样地,相较于前述第二实施例,本实施例三上午所述第二连接端131 上午形状亦为半圆柱状。并且,所述第二连接端131上设置有至少一凸环。如图6所示,本实施例上午凸环121O的数量为两个。下表(2) 是本实用新型的实施例一与实施例三的实验数据与测试结果。由表(2) 可以得知,具有平板状连接端的导电端子在流通65A的电流时,其温升表现将超过规范所规定的50℃;而具有半圆柱状连接端(121、131) 的导电端子1的温升表现则低于50℃。由此可以得知,本实施例三的半圆柱状的连接端(121、131)导电端子1相对于平板状的连接端具有更佳的温升表现。
表(2)
测试项目 电流 1 2 3 4 测试结果
平板状 65A 51 54 75 53 FAIL
半圆柱状 45A 27.147 25.645 30.567 29.678 PASS
半圆柱状 65A 43.197 42.740 49.574 42.825 PASS
半圆柱状 70A 51.65 50.176 55.625 53.643 FAIL
如此,上述已完整且清楚地说明本实用新型的具熔接结构的导电端子的技术特征与立体图,经由上述,可以得知本实用新型具有下列的优点:
(1)本实用新型的具熔接结构的导电端子1包括:一主体11以及一第一导电单元12。所述主体11的一端形成有一第一连接部111。并且,所述第一导电单元12包括一第一连接端121,连接所述第一连接部111。其中,所述主体11还包括形成于所述主体11的另一端的一第二连接部112,且一第二导线单元13的一第二连接端131连接于所述第二连接部112。值得说明的是,所述第一连接部111包括一第一熔接面111P,且所述第一连接端121包括与所述第一熔接面111P相连接的一第二熔接面;如此设置,令所述第一导电单元12以及所述主体11 具有高强度的连接关系。
(2)另一方面,在本实用新型的中,主体11还包括一端子连接件 113,设置于所述第一连接部111与所述第二连接部112之间。其中,所述端子连接件113的半径小于第一连接部111与所述第二连接部112 的半径。并且,所述端子连接件113的两端分别卡合于对应的一第一卡合部与一第二卡合部134,以令本实用新型的主体11、所述第一导电单元12与所述第二导电单元13之间具有可相连接与拆除的效果。
必须加以强调的是,上述的详细说明是针对本实用新型可行实施例的具体说明,但所述实施例并非用以限制本实用新型的专利范围,凡未脱离本实用新型技艺精神所为的等效实施或变更,均应包含于本案的专利范围中。

Claims (14)

1.一种具熔接结构的导电端子,其特征是,包括:
一主体,包括:一第一连接部,设置于所述主体的一端且包括一第一熔接面;以及
一第一导电单元,包括:一第一连接端连接所述第一连接部,且所述第一连接端包括与所述第一熔接面相连接的一第二熔接面。
2.根据权利要求1所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述第一连接端的形状为半圆柱状。
3.根据权利要求2所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述第一连接端上设置有至少一凸环。
4.根据权利要求1所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述主体还包括:一第二连接部,形成于所述主体的另一端;一第二导电单元的一第二连接端连接于所述第二连接部。
5.根据权利要求4所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述第二连接端的形状为半圆柱状。
6.根据权利要求5所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述第二连接端设置有至少一凸环。
7.根据权利要求4所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述主体还包括一端子连接件,设置于所述第一连接部与所述第二连接部之间。
8.根据权利要求4所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述主体还包括一第一凸环,邻近所述第一连接部。
9.根据权利要求8所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述主体还包括一第二凸环,邻近所述第二连接部。
10.根据权利要求7所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述端子连接件的两端分别卡合于对应的一第一卡合部与一第二卡合部,且所述端子连接件的半径小于第一连接部与所述第二连接部的半径。
11.根据权利要求4所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述第一导电单元包括:
一第一铜线束,连接所述第一连接端;以及
一第一绝缘包覆件,包覆所述第一铜线束。
12.根据权利要求11所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述第二导电单元包括:
一第二铜线束,连接所述第二连接端;以及
一第二绝缘包覆件,包覆所述第二铜线束。
13.根据权利要求4所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述第二连接部包括一第三熔接面,且所述第二连接端包括与所述第三熔接面相连接的一第四熔接面。
14.根据权利要求13所述的具熔接结构的导电端子,其特征是,所述第一熔接面、第二熔接面、第三熔接面、及/或所述第四熔接面的侧面呈下列任一者:平板状、不规则状、波浪状、及弧状。
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