CN211295118U - 一种双面钝化晶体硅太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种双面钝化晶体硅太阳能电池，包括晶体硅衬底、绒面结构层、氮化硅钝化层、氧化硅层、减反凹槽、电极栅线，所述晶体硅衬底的上下两侧面设置有绒面结构层，所述绒面结构层的外侧面设置有氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层外侧面设置有氧化硅层，所述氧化硅层上设置有若干减反凹槽，所述氧化硅层的外侧面设置有电极栅线。本实用新型能够有效提升太阳能电池的光电转换效率，结构合理，性能稳定，充分满足人们的需求。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及太阳能电池的技术领域，特别是一种双面钝化晶体硅太阳能电池的技术领域。
【背景技术】
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件。当太阳光照射在半导体P-N结上时，会形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。常规晶硅太阳能电池一般只采用正面钝化技术，在硅片的正面使用PECVD方式沉积一层氮化硅，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。随着当前对晶硅太阳能电池光电转换效率的要求越来越高，单面钝化太阳电池结构已经无法满足人们的需求。
【实用新型内容】
本实用新型的目的就是解决现有技术中的问题，提出一种双面钝化晶体硅太阳能电池，能够有效提升太阳能电池的光电转换效率，结构合理，性能稳定，充分满足人们的需求。
为实现上述目的，本实用新型提出了一种双面钝化晶体硅太阳能电池，包括晶体硅衬底、绒面结构层、氮化硅钝化层、氧化硅层、减反凹槽、电极栅线，所述晶体硅衬底的上下两侧面设置有绒面结构层，所述绒面结构层的外侧面设置有氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层外侧面设置有氧化硅层，所述氧化硅层上设置有若干减反凹槽，所述氧化硅层的外侧面设置有电极栅线。
作为优选，所述绒面结构层的形状为均匀分布有波浪形曲线的凹凸面。
作为优选，所述氮化硅钝化层的内侧面与绒面结构层均匀贴合，所述氮化硅钝化层的外侧面为光滑平面。
作为优选，所述减反凹槽的数量有多个，所述减反凹槽均匀分布在氧化硅层上，所述减反凹槽的形状为棱锥形，所述减反凹槽内设置有氧化铝膜层。
作为优选，所述绒面结构层和晶体硅衬底为一体式结构。
本实用新型的有益效果：本实用新型通过将晶体硅衬底、绒面结构层、氮化硅钝化层、氧化硅层、减反凹槽、电极栅线结合在一起，经过试验优化，能够有效提升太阳能电池的光电转换效率，结构合理，性能稳定，充分满足人们的需求。
本实用新型的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。
【附图说明】
图1是本实用新型一种双面钝化晶体硅太阳能电池的结构示意图。
图中：1-晶体硅衬底、2-绒面结构层、3-氮化硅钝化层、4-氧化硅层、5-减反凹槽、6-电极栅线。
【具体实施方式】
参阅图1，本实用新型一种双面钝化晶体硅太阳能电池，包括晶体硅衬底1、绒面结构层2、氮化硅钝化层3、氧化硅层4、减反凹槽5、电极栅线6，所述晶体硅衬底1的上下两侧面设置有绒面结构层2，所述绒面结构层2的外侧面设置有氮化硅钝化层3，所述氮化硅钝化层3，所述氮化硅钝化层3外侧面设置有氧化硅层4，所述氧化硅层4上设置有若干减反凹槽5，所述氧化硅层4的外侧面设置有电极栅线6，所述绒面结构层2的形状为均匀分布有波浪形曲线的凹凸面，所述氮化硅钝化层3的内侧面与绒面结构层2均匀贴合，所述氮化硅钝化层3的外侧面为光滑平面，所述减反凹槽5的数量有多个，所述减反凹槽5均匀分布在氧化硅层4上，所述减反凹槽5的形状为棱锥形，所述减反凹槽5内设置有氧化铝膜层，所述绒面结构层2和晶体硅衬底1为一体式结构。
本实用新型通过将晶体硅衬底1、绒面结构层2、氮化硅钝化层3、氧化硅层4、减反凹槽5、电极栅线6结合在一起，经过试验优化，能够有效提升太阳能电池的光电转换效率，结构合理，性能稳定，充分满足人们的需求。
上述实施例是对本实用新型的说明，不是对本实用新型的限定，任何对本实用新型简单变换后的方案均属于本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种双面钝化晶体硅太阳能电池，其特征在于：包括晶体硅衬底(1)、绒面结构层(2)、氮化硅钝化层(3)、氧化硅层(4)、减反凹槽(5)、电极栅线(6)，所述晶体硅衬底(1)的上下两侧面设置有绒面结构层(2)，所述绒面结构层(2)的外侧面设置有氮化硅钝化层(3)，所述氮化硅钝化层(3)，所述氮化硅钝化层(3)外侧面设置有氧化硅层(4)，所述氧化硅层(4)上设置有若干减反凹槽(5)，所述氧化硅层(4)的外侧面设置有电极栅线(6)。
2.如权利要求1所述的一种双面钝化晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述绒面结构层(2)的形状为均匀分布有波浪形曲线的凹凸面。
3.如权利要求1所述的一种双面钝化晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述氮化硅钝化层(3)的内侧面与绒面结构层(2)均匀贴合，所述氮化硅钝化层(3)的外侧面为光滑平面。
4.如权利要求1所述的一种双面钝化晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述减反凹槽(5)的数量有多个，所述减反凹槽(5)均匀分布在氧化硅层(4)上，所述减反凹槽(5)的形状为棱锥形，所述减反凹槽(5)内设置有氧化铝膜层。
5.如权利要求1所述的一种双面钝化晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述绒面结构层(2)和晶体硅衬底(1)为一体式结构。
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| CN112349738A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-02-09 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 半导体器件及其形成方法、图像传感器 |
| CN113690334A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-23 | 浙江中晶新能源股份有限公司 | 一种p型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法 |
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