CN217451303U - 半导体清洁用保护罩及半导体清洁系统 - Google Patents

Abstract

一种半导体清洁用保护罩及半导体清洁系统，所述半导体清洁用保护罩适于罩覆在托盘上，托盘具有多个凹槽供多个半导体元件放置于内。半导体清洁用保护罩包括本体以及贯穿本体的多个贯孔。当半导体清洁用保护罩放置在托盘上且这些半导体元件放置于托盘上这些凹槽时时，这些贯孔对位于托盘上的这些凹槽，而外露位在这些凹槽内的这些半导体元件的多个顶面中央区。这些贯孔的每一者的尺寸小于对应的半导体元件的尺寸。因此，本实用新型的半导体清洁用保护罩及半导体清洁系统可遮蔽半导体元件的边缘，可避免高速的清洁流体直接撞击到半导体元件的边缘，且可避免半导体元件被高速的清洁流体吹飞，以降低因清洁而导致半导体元件受损的机率。

Description

半导体清洁用保护罩及半导体清洁系统

技术领域

本实用新型涉及一种保护罩及清洁系统，尤其涉及一种半导体清洁用保护罩及半导体清洁系统。

背景技术

部分的半导体元件(例如是半导体传感器)在顶面设置有玻璃等保护材料。此类玻璃的表面有时会沾附来自于环境、设备或夹具的脏污、水印或胶水残留物。目前的其中一种清洁方法是用布沾水或酒精以手动的方式擦拭玻璃的表面。此类人工擦拭的方法不仅效率低下，而且存在清洁程度不一的问题。

另一种现有的清洁方式是利用超音波清洁，托盘连同半导体元件一起浸入水槽以超音波震动清洁。然而，水槽内的溶液会对托盘造成损伤，且清洁过程相当耗时。

再一种清洁方式是利用高速空气携带干冰来喷射玻璃的表面，以去除脏污。干冰升华之后无水等其他物质残留，而可具有较佳的清洁效果。然而，由于玻璃的边缘较为脆弱，干冰若喷射至半导体元件的玻璃的边缘，可能会导致玻璃碎裂，而造成不良。此外，高速空气可能会使半导体元件被吹飞，而造成半导体元件损伤。

实用新型内容

本实用新型提供一种半导体清洁用保护罩，其可遮蔽半导体元件的边缘，可避免高速的清洁流体直接撞击到半导体元件的边缘，且可避免半导体元件被高速的清洁流体吹飞，以降低因清洁而导致半导体元件受损的机率。

本实用新型提供一种半导体清洁系统，其具有上述的半导体清洁用保护罩。

本实用新型的一种半导体清洁用保护罩，适于罩覆在托盘上，托盘具有多个凹槽供多个半导体元件放置于内，半导体清洁用保护罩包括本体以及贯穿本体的多个贯孔。当半导体清洁用保护罩放置在托盘上且这些半导体元件放置于托盘上这些凹槽时，这些贯孔对位于托盘上的这些凹槽，而外露位在这些凹槽内的这些半导体元件的多个顶面中央区。这些贯孔的每一者的尺寸小于对应的半导体元件的尺寸。

在本实用新型的一实施例中，上述的这些半导体元件分别包括围绕这些顶面中央区的多个顶面外围区，本体覆盖这些半导体元件的多个顶面外围区。

在本实用新型的一实施例中，上述的本体包括相对的第一面、第二面及围绕出这些贯孔的多个壁面，这些壁面的每一者朝向第一面倾斜，当半导体清洁用保护罩放置于托盘时，第二面朝向托盘。

在本实用新型的一实施例中，上述的这些壁面的每一者与第一面之间的夹角大于等于90度，且小于180度。

在本实用新型的一实施例中，上述的壁面为倾斜的平面或是弧面。

在本实用新型的一实施例中，上述的本体包括环绕这些贯孔的多个重叠区，当半导体清洁用保护罩放置在托盘上而罩覆盖这些半导体元件时，这些重叠区重叠于这些半导体元件的这些顶面外围区。

在本实用新型的一实施例中，上述的这些重叠区的每一者的宽度大于等于0.2厘米。

在本实用新型的一实施例中，上述的半导体清洁用保护罩覆盖这些半导体元件的这些顶面中央区的每一者的局部。

在本实用新型的一实施例中，当半导体清洁用保护罩放置于托盘上时，这些贯孔的每一者在远离托盘处的宽度大于在靠近托盘处的宽度，而使所述贯孔呈现上宽下窄。

在本实用新型的一实施例中，上述的这些顶面中央区的每一者为透光区。

本实用新型的一种半导体清洁系统，包括托盘、多个半导体元件、上述的半导体清洁用保护罩及清洁模块。托盘包括排列呈矩阵的多个凹槽。多个半导体元件，分别放置于这些凹槽内。半导体清洁用保护罩可选择地放置或移除于托盘上。当半导体清洁用保护罩放置在托盘上时，清洁模块位于半导体清洁用保护罩上方，清洁模块对外露于半导体清洁用保护罩的这些贯孔的这些半导体元件的多个顶面中央区喷洒清洁流体，以清洁各半导体元件的顶面中央区。

在本实用新型的一实施例中，上述的半导体清洁系统还包括第一工作站、位于第一工作站的保护罩放置模块及电性连接于保护罩放置模块的控制器，当托盘连同这些半导体元件传送至第一工作站时，保护罩放置模块将半导体清洁用保护罩放置在托盘上。

半导体清洁系统还包括图像获取分析模块，电性连接于所述控制器，图像获取分析模块包括多个图像摄影机及电性连接于这些图像摄影机的分析模块，这些图像摄影机位于第一工作站之前，以用于获取托盘上清洁前的这些半导体元件的图像，并传送至分析模块分析托盘上的这些半导体元件的脏污信息，控制器依据脏污信息对应控制清洁模块运作。

在本实用新型的一实施例中，上述的半导体清洁系统还包括第二工作站、位于第二工作站的预加热模块及电性连接于预加热模块的控制器，当托盘连同这些半导体元件传送至第二工作站时，预加热模块加热这些半导体元件。

在本实用新型的一实施例中，上述的半导体清洁系统还包括第三工作站及电性连接于清洁模块的控制器，清洁模块位于第三工作站，清洁模块包括清洁流体喷射器及真空吸尘器，当托盘连同这些半导体元件与半导体清洁用保护罩一起传送至第三工作站时，清洁流体喷射器与真空吸尘器位于半导体清洁用保护罩上方，清洁流体喷射器喷射清洁流体至半导体元件的顶面中央区，以使附着于顶面中央区的脏污分离于顶面中央区，且真空吸尘器吸起脏污。

在本实用新型的一实施例中，上述的清洁模块包括高速空气供应器，高速空气供应器位于托盘下方，以清洁位于托盘的底面的粉尘。

在本实用新型的一实施例中，上述的半导体清洁系统还包括第四工作站、位于第四工作站的后加热模块及电性连接于后加热模块的控制器，当托盘连同这些半导体元件传送至第四工作站时，后加热模块加热这些半导体元件。

在本实用新型的一实施例中，上述的半导体清洁系统还包括第五工作站、位于第五工作站的保护罩拾起模块及电性连接于保护罩拾起模块的控制器，当托盘连同这些半导体元件与半导体清洁用保护罩传送至第五工作站时，保护罩拾起模块将放置在托盘上的半导体清洁用保护罩自托盘上拿起。

在本实用新型的一实施例中，上述的半导体清洁系统还包括图像获取分析模块，电性连接于控制器，图像获取分析模块包括多个图像摄影机及电性连接于这些图像摄影机的分析模块，这些图像摄影机位于第五工作站之后，以用于获取托盘上清洁后的这些半导体元件的图像，并传送至分析模块分析托盘上的这些半导体元件的清洁结果信息，控制器依据清洁结果信息对应控制清洁模块的运作。

基于上述，当本实用新型的半导体清洁用保护罩放置在托盘上时，这些贯孔对位于托盘上的这些凹槽，而外露位在这些凹槽内的这些半导体元件的多个顶面中央区。这些贯孔的每一者的尺寸小于对应的半导体元件的尺寸，因此，半导体清洁用保护罩可遮蔽半导体元件的边缘。此时，半导体清洁系统的清洁模块可朝这些半导体元件喷洒清洁流体以清洁这些顶面中央区。上述的设计可有效避免清洁流体撞击到半导体元件的边缘，以降低因清洁而导致半导体元件不良的机率。此外，由于半导体清洁用保护罩重叠于半导体元件的边缘，可有效避免半导体元件被清洁流体吹离或是撞离于托盘的凹槽，而造成半导体元件损伤。

附图说明

图1是依照本实用新型的一实施例的一种半导体清洁系统的示意图；

图2A是依照本实用新型的一实施例的一种半导体清洁用保护罩尚未被放置在托盘的示意图；

图2B是图2A的半导体清洁用保护罩被放置在托盘上的俯视示意图；

图3A是图2A的局部剖面示意图；

图3B是图2B的局部剖面示意图；

图3C是图3A的半导体清洁用保护罩与半导体元件的局部俯视示意图；

图4是图1的半导体清洁系统对图3B的半导体元件执行清洁程序的局部剖面示意图；

图5是将图4的半导体清洁用保护罩移除于托盘的局部剖面示意图。

符号说明

θ:夹角

C：角落

W1、W2：宽度

10：半导体清洁系统

12：控制器

20：托盘

22：凹槽

25：脏污

26：干冰

30：半导体元件

31：上表面顶面

32：顶面中央区

33：保护层

34：顶面外围区

40：第一工作站

42：保护罩放置模块

50：第二工作站

52：预加热模块

60：第三工作站

62：清洁模块

64：清洁流体喷射器

66：真空吸尘器

67：过滤器

68：高速空气供应器

70：第四工作站

72：后加热模块

80：第五工作站

82：保护罩拾起模块

90：图像获取分析模块

92：图像摄影机

94：分析模块

100：半导体清洁用保护罩

110：本体

112：贯孔

114：第一面

116：第二面

118：壁面

119：重叠区

具体实施方式

图1是依照本实用新型的一实施例的一种半导体清洁系统的示意图。请参阅图1，本实施例的半导体清洁系统10适于清洁沾附在半导体元件30(图3A)在玻璃等保护材料的表面上的脏污25(图3A)、水印或胶水残留物。在本实施例中，半导体清洁系统10包括控制器12及电性连接于控制器12的多个工作站，以控制多个工作站的装置模块运作。下面将详细介绍半导体清洁系统10与其操作过程。

图2A是依照本实用新型的一实施例的一种半导体清洁用保护罩尚未被放置在托盘的示意图。请参阅图2A，半导体清洁系统10包括托盘20、多个半导体元件30及半导体清洁用保护罩100。托盘20包括排列呈矩阵的多个凹槽22。这些半导体元件30分别放置于这些凹槽22内。半导体元件30例如是半导体传感器，但半导体元件30的种类不以此为限制。举例来说，半导体元件30可为图像传感器，如互补金属氧化物半导体传感器(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor Image Sensor，CMOS)图像传感器或电荷耦合元件(ChargeCouple Device，CCD)传感器。半导体元件30亦或是发光二极管器件如微型发光二极管(Micro LED)，但不以此为限制。半导体元件30可为封装后的芯片例如芯片尺寸封装(ChipScale Package，CSP)芯片、单芯片系统(System on a Chip，SoC)芯片，系统封装(System-in-Package，SiP)芯片、基板上芯片封装(Chip on Board，COB)芯片或其他封装形式的芯片。

在本实施例中，半导体清洁用保护罩100包括本体110以及贯穿本体110的多个贯孔112。这些贯孔112的位置与数量对应于托盘20的这些凹槽22的位置与数量。因此，这些贯孔112的位置与数量间接地对应于放置在托盘20的这些半导体元件30的位置与数量。

当然，在其他实施例中，托盘20的至少一个凹槽22内也可选择地不放置半导体元件30，或是仅托盘20上多个凹槽22中的其中之一内放置半导体元件30，半导体清洁用保护罩100的贯孔112与半导体元件30之间的关系不以上述为限制。

请回到图1，在本实施例中，半导体清洁系统10包括第一工作站40及位于第一工作站40的保护罩放置模块42。控制器12电性连接于保护罩放置模块42。保护罩放置模块42用来将半导体清洁用保护罩100放置在托盘20上使多个贯孔112与托盘20上多个凹槽22相对准。保护罩放置模块42例如是机械手臂，但保护罩放置模块42的种类不以此为限制。半导体清洁系统10可包括托盘放置区(未示出)设于第一工作站40之前，并可通过输送带、滚轮输送轨道或是机械手臂等方式传送至第一工作站40以将半导体清洁用保护罩100放置在托盘20上。半导体清洁系统10还可包括托盘卸载区(未示出)设于第五工作站80之后，以供清洁后的半导体元件30及托盘20的存取运送。

图2B是图2A的半导体清洁用保护罩被放置在托盘上的俯视示意图。图3A是图2A的局部剖面示意图。图3B是图2B的局部剖面示意图。要说明的是，图3A与图3B仅示意性地示出单一个凹槽22与半导体元件30。

请参阅图2B至图3B，当半导体元件30要被清洁时，托盘20连同这些半导体元件30传送至第一工作站40(图1)，保护罩放置模块42(图1)将半导体清洁用保护罩100放置在托盘20上。

如图3B所示，本体110包括相对的第一面114、第二面116及围绕出贯孔112的壁面118。当半导体清洁用保护罩100放置于托盘20时，第一面114远离托盘20，且第二面116朝向托盘20。壁面118朝向第一面114倾斜。当半导体清洁用保护罩100放置于托盘20上时，这些贯孔122的每一者在远离托盘20处的宽度大于在靠近托盘20处的宽度，而使贯孔112呈现上宽下窄。

半导体元件30的上表面顶面31(图3A)包括顶面中央区32及环绕顶面中央区32的顶面外围区34。半导体元件30包括保护层33例如是玻璃等保护材料，上表面顶面31位于保护层33上。在一实施例中，顶面中央区32例如是透光区域如光接收区或是光发射区，而顶面外围区34例如为不透光区域如线路布线区域，且顶面对应顶面外围区34上可布设落或是涂有不透光层如黑色光阻之黑色涂布层。

当半导体清洁用保护罩100放置在托盘20上时，贯孔112对位于托盘20上的凹槽22，而外露位在凹槽22内的半导体元件30的顶面中央区32的局部或全部。贯孔112的尺寸小于对应的半导体元件30的尺寸，而使本体110覆盖半导体元件30的顶面外围区34。

具体地说，图3C是图3A的半导体清洁用保护罩与半导体元件的局部俯视示意图。请参阅图3B与图3C，本体110包括环绕贯孔112的重叠区119，当半导体清洁用保护罩100放置在托盘20上而罩覆盖半导体元件30时，重叠区119至少重叠于半导体元件30的顶面外围区34。在本实施例中，重叠区119还重叠于半导体元件30的顶面中央区32的局部。

如图3C所示，在本实施例中，半导体元件30的宽度W1例如是5厘米，重叠区119的宽度W2例如是大于等于0.2厘米。重叠区119可用来确保半导体清洁用保护罩100能够覆盖到半导体元件30的顶面外围区34。当然，重叠区119的宽度W2可随着半导体元件30的尺寸如宽度W1而异，不以上述为限制。

因此，半导体清洁用保护罩100通过覆盖半导体元件30的顶面外围区34局部或全部可对半导体元件30提供保护，如避免清洁流体(高速空气与干冰)撞击到半导体元件30的边缘而使半导体元件30受损(如造成玻璃刮伤或裂开)或是半导体元件30因受到撞击脱离托盘20而导致该半导体元件30和/或邻近一个或多个半导体元件30受损。半导体清洁用保护罩100亦能引导清洁流体(高速空气与干冰)对半导体元件30的顶面(如顶面中央区32及部分顶面外围区34)进行表面清洁。

请回到图3B，在本实施例中，壁面118与第一面114之间的夹角θ大于等于90度，且小于180度。在一实施例中，壁面118与第一面114之间的夹角θ介于120度至150度之间。

这样的设计可使壁面118能够更佳地导引清洁流体去清洁半导体元件30被半导体清洁用保护罩100所暴露出的表面(部分的顶面中央区32)，以降低清洁流体中的干冰26颗粒卡在壁面118与顶面中央区32之间所形成的角落C的机率，而能提供良好的清洁效果。当然，在其他实施例中，壁面118与第一面114之间的夹角θ也可以是直角，不以上述为限制。

此外，在本实施例中，壁面118为倾斜的平面，但在其他实施例中，壁面118也可以是弧面。壁面118的形式不以此为限制。

请回到图1，半导体清洁系统10还包括第二工作站50及位于第二工作站50的预加热模块52。控制器12电性连接于预加热模块52。在半导体元件30被清洁流体清洁之前，被加盖半导体清洁用保护罩100后的托盘20连同半导体元件30会被传送(例如通过输送带、滚轮输送轨道或是机械手臂等)至第二工作站50，控制器12指示预加热模块52加热这些半导体元件30。

在本实施例中，预加热模块52例如是红外线加热器，但预加热模块52也可以是加热线圈等，预加热模块52的种类不以此为限制。预加热模块52用于软化沾附在半导体元件30的玻璃等保护材料的表面上的胶水残留物。此外，预加热模块52还可降低在随后的清洁流体(如冷空气及干冰26)喷射时，半导体元件30温度大幅下降的机率。

要说明的是，在本实施例中，半导体清洁用保护罩100可以事先放置在托盘20上且随着托盘20与半导体元件30一起传送至第二工作站50进行预热。半导体清洁用保护罩100可以选择耐受的温度高于预热温度的材质。在其他实施例中，也可以是托盘20连同这些半导体元件30先传送至第二工作站50进行预热之后，再传送至第一工作站40，以使半导体清洁用保护罩100放置在托盘20上。

在预热程序与放置半导体清洁用保护罩100程序完成之后，半导体清洁系统10可对半导体元件30执行清洁程序。图4是图1的半导体清洁系统对图3B的半导体元件执行清洁程序的局部剖面示意图。请参阅图1与图4，半导体清洁系统10还包括第三工作站60及位于第三工作站60的清洁模块62。当半导体清洁用保护罩100、托盘20与半导体元件30传送(例如通过输送带、滚轮输送轨道或是机械手臂等)至第三工作站60时，清洁模块62位于半导体清洁用保护罩100上方，控制器12指示清洁模块62朝这些半导体元件30喷洒清洁流体以清洁这些半导体元件30的顶面中央区32。

具体地说，在本实施例中，清洁模块62包括清洁流体喷射器64及真空吸尘器66，控制器12电性连接于清洁流体喷射器64及真空吸尘器66。清洁流体喷射器64与真空吸尘器66位于半导体清洁用保护罩100上方。清洁流体喷射器64用以将干冰26和冷空气以高压/高发射速度喷射经由清洁用保护罩100上贯孔112到对应半导体元件30的顶面中央区32进行表面清洁。清洁流体喷射器64可包含一个干冰入口(未示出)以及一个或多个干冰喷射出口。

真空吸尘器66用于在清洁过程中吸入空气/颗粒(例如二氧化碳、灰尘)。真空吸尘器66还可选择地包括过滤器67，过滤器67的类型例如为高效率空气微粒子过滤网(High-Efficiency Particulate Air Filter，HEPA)或超低穿透空气过滤网(Ultra-lowPenetration Air，ULPA)，但不以此为限制。

因此，当托盘20连同这些半导体元件30与半导体清洁用保护罩100一起传送至第三工作站60时，控制器12驱动清洁流体喷射器64经由清洁用保护罩100上一个或多个贯孔112喷射清洁流体(冷空气及干冰(26)至托盘20上一个或多个半导体元件30的顶面中央区32，以使附着于顶面中央区32的脏污25分离于顶面中央区32，且同时真空吸尘器66吸起脏污25。

此外，在本实施例中，清洁模块62包括电性连接于控制器12的高速空气供应器68，高速空气供应器68位于托盘20下方，以清洁位于托盘20的底面的粉尘，以减少或防止后续多个托盘20堆叠在一起时，托盘20底部的粉尘对下方的托盘20所承载的半导体元件30造成的二次污染。在本实施例中，高速空气供应器68例如是鼓风机，但不以此为限制。

另外，控制器12可同时启动清洁流体喷射器64、真空吸尘器66以及高速空气供应器68进行半导体元件清洁及同时停止清洁流体喷射器64、真空吸尘器66以及高速空气供应器68的运作，但不以此为限制。控制器12亦可分别停止清洁流体喷射器64、真空吸尘器66以及高速空气供应器68的运作，例如先停止清洁流体喷射器64，而后再停止真空吸尘器66以及高速空气供应器68。

请回到图1，半导体清洁系统10还包括第四工作站70及位于第四工作站70的后加热模块72。控制器12电性连接于后加热模块72。当清洁程序完成后，托盘20连同这些半导体元件30传送(例如通过输送带、滚轮输送轨道或是机械手臂等)至第四工作站70时，后加热模块72位于托盘20上方，控制器12指示后加热模块72加热这些半导体元件30，以使半导体元件30的温度达到露点以上，避免半导体元件30的顶面中央区32结露，后续又产生水痕，造成二次污染。

图5是将图4的半导体清洁用保护罩移除于托盘的局部剖面示意图。请参阅图1与图5，半导体清洁系统10还包括第五工作站80及位于第五工作站80的保护罩拾起模块82。控制器12电性连接于保护罩拾起模块82。保护罩拾起模块82例如包括机械手臂、气压缸或是油缸，但保护罩拾起模块82的种类不以此为限制。当托盘20连同这些半导体元件30与半导体清洁用保护罩100传送(例如通过输送带、滚轮输送轨道或是机械手臂)至第五工作站80时，控制器12指示保护罩拾起模块82将放置在托盘20上的半导体清洁用保护罩100自托盘20上拿起。

要说明的是，半导体清洁用保护罩100可以选择耐受的温度高于后加热温度的材质。半导体清洁用保护罩100可以随着托盘20与半导体元件30一起传送至第四工作站70进行后加热程序，再传送至第五工作站80，以拿起半导体清洁用保护罩100。

或者，第四工作站70与第五工作站80的工作顺序可以相反。在其他实施例中，半导体清洁用保护罩100、托盘20及半导体元件30也可以先传送至第五工作站80将半导体清洁用保护罩100拿起之后，再将半导体元件30与托盘20传送至第四工作站70，来使半导体元件30回温。

另外，第一工作站40、第二工作站50、第三工作站60、第四工作站70以及第五工作站80于一实施例中亦可整合于一机台，各个工作站之间通过一传送系统(例如输送带或滚轮式轨道)相连，已将具有半导体元件30的托盘20输送至相应工作站，增加清洁速率并降低半导体元件30于传送中的污染风险，但并不限制。

值得一提的是，控制器12亦可被程式化依据一个或多个半导体元件30的顶面中央区32脏污附着情况，对应控制清洁模块62运作，调整清洁流体喷射器64的运作方式例如运作时间、喷射压力、喷射位置等，提高清洁效益，避免清洁流体的浪费，进而降低清洁成本。

于本实施例中，半导体清洁系统10可包括图像获取分析模块90，电性连接于控制器12。图像获取分析模块90包括多个图像摄影机92(例如CCD摄影机)及电性连接于这些图像摄影机92的分析模块94，其中图像摄影机92可位于第一工作站40之前，以用于获取托盘20上清洁前半导体元件30的图像，并传送至分析模块94分析托盘20上各半导体元件30的脏污信息。分析模块94可传送脏污信息至控制器12。控制器12可依据脏污信息对应控制清洁模块62运作。举例来说，可控制设定清洁模块62的清洁流体喷射器64的位置及喷射方向或角度对半导体元件30进行相应清洁。又举例来说，当半导体元件30脏污数量过多，可增加清洁流体喷射器64的运作时间。此外，图像获取分析模块90的多个图像摄影机92的其中之一还可设置于第五工作站80之后，以获取清洁后的半导体元件30的图像，以由分析模块94分析清洁结果信息，并反馈至控制器12，例如供控制器12是否已去除顶面中央区32内的脏污、是否需要再次清洁、清洁模块62运作控制调整等。

半导体清洁系统10可以是有两组图像获取分析模块90分别设在第一工作站40之前与第五工作站80之后，各组图像获取分析模块90有对应的分析模块94。半导体清洁系统10可以是有多个图像摄影机92，部分设在第一工作站40之前，部分设在第五工作站80之后，这些图像摄影机92电性连接于同一个分析模块94，以通过此分析模块94来分析图像。图1中所绘是的图像获取分析模块90仅是其中一种实施方式，不以此为限制。

在现有的半导体元件清洁方式中，利用人工擦拭的方式相当耗费人力与时间，且清洁程度不一，难以良好地被控制。利用超音波清洁的方式，超音波水槽内的溶液会对托盘造成损伤，且清洁过程相当耗时。相较于现有的方式，本实施例的半导体清洁系统10可利用干冰26快速地清洁沾附在半导体元件30在玻璃等保护材料的表面上的脏污25、水印或胶水残留物，又能够避免清洁流体撞击到半导体元件30的顶面外围区34，且可避免半导体元件30被清洁流体吹离或是撞离于托盘20的凹槽22，而导致半导体元件不良的机率。因此，半导体元件30在清洁阶段可具有较佳的良率。

综上所述，当本实用新型的半导体清洁用保护罩放置在托盘上时，这些贯孔对位于托盘上的这些凹槽，而外露位在这些凹槽内的这些半导体元件的多个顶面中央区。这些贯孔的每一者的尺寸小于对应的半导体元件的尺寸，而使本体覆盖这些半导体元件的多个顶面外围区。因此，半导体清洁用保护罩可遮蔽半导体元件的边缘。此时，半导体清洁系统的清洁模块可朝这些半导体元件喷洒清洁流体以清洁每一个半导体元件的顶面中央区。上述的设计可有效避免清洁流体撞击到半导体元件的边缘部位如顶面外围区或侧边部位，以降低因清洁而导致半导体元件不良的机率。此外，由于半导体清洁用保护罩重叠于这些半导体元件的多个顶面外围区，可有效避免这些半导体元件被清洁流体吹离或是撞离于托盘的凹槽，而造成半导体元件损伤。

Claims (19)

1.一种半导体清洁用保护罩，适于罩覆在托盘上，所述托盘具有多个凹槽供多个半导体元件放置于内，所述半导体清洁用保护罩包括：

本体以及贯穿所述本体的多个贯孔，其特征在于，

当所述半导体清洁用保护罩放置在所述托盘上且所述多个半导体元件放置于所述托盘上所述多个凹槽时，所述多个贯孔对位于所述托盘上的所述多个凹槽，而外露位在所述多个凹槽内的所述多个半导体元件的多个顶面中央区，

所述多个贯孔的每一者的尺寸小于对应的所述半导体元件的尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体清洁用保护罩，其特征在于，所述多个半导体元件分别包括围绕所述多个顶面中央区的多个顶面外围区，所述本体覆盖所述多个半导体元件的所述多个顶面外围区。

3.根据权利要求1所述的半导体清洁用保护罩，其特征在于，所述本体包括相对的第一面、第二面及围绕出所述多个贯孔的多个壁面，所述多个壁面的每一者朝向所述第一面倾斜，当所述半导体清洁用保护罩放置于所述托盘时，所述第二面朝向所述托盘。

4.根据权利要求3所述的半导体清洁用保护罩，其特征在于，所述多个壁面的每一者与所述第一面之间的夹角大于等于90度，且小于180度。

5.根据权利要求3所述的半导体清洁用保护罩，其特征在于，所述壁面为倾斜的平面或是弧面。

6.根据权利要求1所述的半导体清洁用保护罩，其特征在于，所述本体包括环绕所述多个贯孔的多个重叠区，当所述半导体清洁用保护罩放置在所述托盘上而罩覆盖所述多个半导体元件时，所述多个重叠区重叠于所述多个半导体元件的所述多个顶面外围区。

7.根据权利要求6所述的半导体清洁用保护罩，其特征在于，所述多个重叠区的每一者的宽度大于等于0.2厘米。

8.根据权利要求1所述的半导体清洁用保护罩，其特征在于，所述半导体清洁用保护罩覆盖所述多个半导体元件的所述多个顶面中央区的每一者的局部。

9.根据权利要求1所述的半导体清洁用保护罩，其特征在于，当所述半导体清洁用保护罩放置于所述托盘上时，所述多个贯孔的每一者在远离所述托盘处的宽度大于在靠近所述托盘处的宽度，而使所述贯孔呈现上宽下窄。

10.根据权利要求1所述的半导体清洁用保护罩，其特征在于，所述多个顶面中央区的每一者为透光区。

11.一种半导体清洁系统，其特征在于，包括：

托盘，包括排列呈矩阵的多个凹槽；

多个半导体元件，分别放置于所述多个凹槽内；

如权利要求1至9任一项所述的半导体清洁用保护罩，可选择地放置或移除于所述托盘上；以及

清洁模块，当所述半导体清洁用保护罩放置在所述托盘上时，所述清洁模块位于所述半导体清洁用保护罩上方，所述清洁模块对外露于所述半导体清洁用保护罩的所述多个贯孔的所述多个半导体元件的多个顶面中央区喷洒清洁流体，以清洁各所述半导体元件的所述顶面中央区。

12.根据权利要求11所述的半导体清洁系统，其特征在于，还包括第一工作站、位于所述第一工作站的保护罩放置模块及电性连接于所述保护罩放置模块的控制器，当所述托盘连同所述多个半导体元件传送至所述第一工作站时，所述保护罩放置模块将所述半导体清洁用保护罩放置在所述托盘上。

13.根据权利要求12所述的半导体清洁系统，其特征在于，还包括图像获取分析模块，电性连接于所述控制器，所述图像获取分析模块包括多个图像摄影机及电性连接于所述多个图像摄影机的分析模块，所述多个图像摄影机位于所述第一工作站之前，以用于获取所述托盘上清洁前的所述多个半导体元件的图像，并传送至所述分析模块分析所述托盘上的所述多个半导体元件的脏污信息，所述控制器依据所述脏污信息对应控制所述清洁模块运作。

14.根据权利要求11所述的半导体清洁系统，其特征在于，还包括第二工作站、位于所述第二工作站的预加热模块及电性连接于所述预加热模块的控制器，当所述托盘连同所述多个半导体元件传送至所述第二工作站时，所述预加热模块加热所述多个半导体元件。

15.根据权利要求11所述的半导体清洁系统，其特征在于，还包括第三工作站及电性连接于所述清洁模块的控制器，所述清洁模块位于所述第三工作站，所述清洁模块包括清洁流体喷射器及真空吸尘器，当所述托盘连同所述多个半导体元件与所述半导体清洁用保护罩一起传送至所述第三工作站时，所述清洁流体喷射器与所述真空吸尘器位于所述半导体清洁用保护罩上方，所述清洁流体喷射器喷射清洁流体至所述半导体元件的所述顶面中央区，以使附着于所述顶面中央区的脏污分离于所述顶面中央区，且所述真空吸尘器吸起所述脏污。

16.根据权利要求15所述的半导体清洁系统，其特征在于，所述清洁模块包括高速空气供应器，所述高速空气供应器位于所述托盘下方，以清洁位于所述托盘的底面的粉尘。

17.根据权利要求11所述的半导体清洁系统，其特征在于，还包括第四工作站、位于所述第四工作站的后加热模块及电性连接于所述后加热模块的控制器，当所述托盘连同所述多个半导体元件传送至所述第四工作站时，所述后加热模块加热所述多个半导体元件。

18.根据权利要求11所述的半导体清洁系统，其特征在于，还包括第五工作站、位于所述第五工作站的保护罩拾起模块及电性连接于所述保护罩拾起模块的控制器，当所述托盘连同所述多个半导体元件与所述半导体清洁用保护罩传送至所述第五工作站时，所述保护罩拾起模块将放置在所述托盘上的所述半导体清洁用保护罩自所述托盘上拿起。

19.根据权利要求18所述的半导体清洁系统，其特征在于，还包括图像获取分析模块，电性连接于所述控制器，所述图像获取分析模块包括多个图像摄影机及电性连接于所述多个图像摄影机的分析模块，所述多个图像摄影机位于所述第五工作站之后，以用于获取所述托盘上清洁后的所述多个半导体元件的图像，并传送至所述分析模块分析所述托盘上的所述多个半导体元件的清洁结果信息，所述控制器依据所述清洁结果信息对应控制所述清洁模块的运作。

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