CN215728641U

CN215728641U - 一种同步整流二极管动静态测试电路

Info

Publication number: CN215728641U
Application number: CN202122283459.5U
Authority: CN
Inventors: 杨明涛; 严地茂
Original assignee: Shenzhen Saisite Intelligent Equipment Co ltd
Current assignee: Shenzhen Saisite Intelligent Equipment Co ltd
Priority date: 2021-09-18
Filing date: 2021-09-18
Publication date: 2022-02-01
Anticipated expiration: 2031-09-18

Abstract

本实用新型公开了一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，包括测试单元，切换模块，以及电源单元。本实用新型采用了漏电流测试切换电路、恢复时间测量切换电路、VF测试切换电路、充电时间测试切换电路、开通时间测试切换电路相结合，可很好的针对对同步整流二极管静态的参数及实际在电路中的动态参数采集测试，很好的确保测试参数精度，同时，通过主控器CPU与外部的PC上位机相配合，可大大的提升了产品的测试速度(每小时可测10KPCS)。

Description

一种同步整流二极管动静态测试电路

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体是指一种同步整流二极管动静态测试电路。

背景技术

目前，市场上出现一种同步整流二极管的产品，通过市场了解后，发现现阶段还没有针对这款新产品的测试仪器，原厂封装测试也只是用模拟动态测试方法测试，没办法精确的测试产品真实的动态及静态参数且测试速度慢(每小时4000PCS)，品质无法保证。为了提高对同步整流二极管的测试效率和准确性，需要开发一种操作方便，并且可提高同步整流二极管的测试效率和准确性的检测仪器。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决上述问题，提供一种操作方便，一种操作方便，并且可提高同步整流二极管的测试效率和准确性的同步整流二极管动静态测试电路。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种同步整流二极管动静态测试电路，包括测试单元，与测试单元连接的切换模块，以及分别与测试单元和切换模块连接的电源单元，所述测试单元包括主控器CPU，分别与主控器CPU连接的数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、被测机台通讯电路，D极与切换模块连接、G极与主控器CPU连接的场效应管Q19，以及一端与场效应管Q19的D极连接、另一端与场效应管Q19的S极连接后接地的电阻R1；所述切换模块分别与数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、场效应管Q19以及被测试元件连接；所述电源单元分别与数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路以及被测机台通讯电路连接；所述主控器CPU分别与切换模块和电源单元以及外部PC上位机连接。

作为本实用新型的进一步方案，所述电源单元包括变压器T1，分别与变压器T1连接的主电源、测试电源A、测试电源B，与测试电源A连接的电流电压控制电路A，与测试电源B连接的电流电压控制电路B，以及通过高压电源板与变压器T1连接的电流电压控制电路C；所述主电源分别与主控器CPU、数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、场效应管、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、被测机台通讯电路、切换模块连接，所述反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路均分别与电流电压控制电路A和电流电压控制电路B连接；所述电流电压控制电路A和电流电压控制电路B均与主控器CPU连接。

作为本实用新型的进一步方案，所述切换模块包括水银继电器K1，分别与水银继电器K1连接的漏电流测试切换电路、恢复时间测量切换电路、VF测试切换电路、充电时间测试切换电路、开通时间测试切换电路，以及与数据采集电路连接的输出控制电路；所述漏电流测试切换电路、恢复时间测量切换电路、VF测试切换电路、充电时间测试切换电路、开通时间测试切换电路均分别与数据采集电路和主控器CPU连接；所述耐压及芯片漏电流测试电路与漏电流测试切换电路连接，反向恢复时间测量电路与恢复时间测量切换电路连接，反向充电时间测试电路与充电时间测试切换电路连接，等效VF测试电路与VF测试切换电路连接，内阻及开通时间测试电路与开通时间测试切换电路连接。

作为本实用新型的进一步方案，所述漏电流测试切换电路包括场效应管Q9，场效应管Q10，场效应管Q15，以及场效应管Q16；所述场效应管Q9的D极分别与水银继电器K1的常开触头2和被测元件连接、S极与场效应管Q10的S极连接，该场效应管Q9的G极与场效应管Q10的G极连接，且场效应管Q9的G极与场效应管Q10的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S6连接，所述场效应管Q10的D极与耐压及芯片漏电流测试电路连接；所述场效应管Q15的D极分别与据采集电路和被测元件连接，场效应管Q15的S极与场效应管Q16的S极连接，该场效应管Q15的G极与场效应管Q16的G极连接，且场效应管Q15的G极与场效应管Q16的G极连接点与场效应管Q10的G极连接，所述场效应管Q16的D极与耐压及芯片漏电流测试电路连接。

作为本实用新型的进一步方案，所述恢复时间测量切换电路包括场效应管Q7，场效应管Q8，场效应管Q11，以及场效应管Q12；所述场效应管Q8的D极分别与水银继电器K1的常开触头2和被测元件以及数据采集电路连接、S极与场效应管Q7的S极连接，该场效应管Q8的G极与场效应管Q7的G极连接，且场效应管Q8的G极与场效应管Q7的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S5连接，所述场效应管Q7的D极与反向恢复时间测量电路连接；所述场效应管Q12的D极分别与据采集电路和被测元件连接，场效应管Q12的S极与场效应管Q11的S极连接，该场效应管Q12的G极与场效应管Q11的G极连接，且场效应管Q12的G极与场效应管Q11的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S5连接，所述场效应管Q11的D极与反向恢复时间测量电路连接。

作为本实用新型的进一步方案，所述VF测试切换电路包括场效应管Q3和场效应管Q4；所述场效应管Q4的D极与水银继电器K1的常开触头1连接、S极与场效应管Q3的S极连接，该场效应管Q4的G极与场效应管Q3的G极连接，且场效应管Q4的G极与场效应管Q3的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S3连接，所述场效应管Q4的D极与等效VF测试电路连接。

作为本实用新型的进一步方案，所述开通时间测试切换电路包括第一切换电路和第二切换电路，所述第一切换电路包括场效应管Q1和场效应管Q2；所述场效应管Q1的D极与水银继电器K1的常开触头1连接、S极与场效应管Q2的S极连接，该场效应管Q1的G极与场效应管Q2的G极连接，且场效应管Q1的G极与场效应管Q2的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S2连接，所述场效应管Q2的D极与内阻及开通时间测试电路连接；所述第二切换电路包括场效应管Q13和场效应管Q14；所述场效应管Q13的D极分别与场效应管Q19的D极和控制电路连接、S极与场效应管Q14的S极连接，该场效应管Q13的G极与场效应管Q14的G极连接，且场效应管Q13的G极与场效应管Q14的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S2连接，所述场效应管Q14的D极与内阻及开通时间测试电路连接。

作为本实用新型的进一步方案，所述充电时间测试切换电路包括场效应管Q5和场效应管Q6；所述场效应管Q15的D极与水银继电器K1的常开触头1连接、S极与场效应管Q6的S极连接，该场效应管Q5的G极与场效应管Q6的G极连接，且场效应管Q5的G极与场效应管Q6的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S4连接，所述场效应管Q6的D极与反向充电时间测试电路连接。

作为本实用新型的进一步方案，所述控制电路包括场效应管Q17和场效应管Q18；所述场效应管Q17的D极分别与数据采集电路和场效应管Q12的D极连接、S极与场效应管Q18的S极连接，该场效应管Q17的G极与场效应管Q18的G极连接，且场效应管Q17的G极与场效应管Q18的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S13连接，所述场效应管Q18的D极与场效应管Q13的D极连接。

另外，所述主控器CPU为STM32F407单片机。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本实用新型采用了漏电流测试切换电路、恢复时间测量切换电路、VF测试切换电路、充电时间测试切换电路、开通时间测试切换电路相结合，可很好的针对对同步整流二极管静态的参数及实际在电路中的动态参数采集测试，很好的确保测试参数精度，同时，通过主控器CPU与外部的PC上位机相配合，可大大的提升了产品的测试速度(每小时可测10KPCS)。

附图说明

图1为本实用新型的结构框图。

图2为本实用新型的切换模块的电路连接结构图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例

如图1和2所示，本实施例公开了一种同步整流二极管动静态测试电路，包括测试单元，与测试单元连接的切换模块，以及分别与测试单元和切换模块连接的电源单元，所述测试单元包括主控器CPU，分别与主控器CPU连接的数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、被测机台通讯电路，D极与连接、G极与主控器CPU连接的场效应管Q19，以及一端与场效应管Q19的D极连接、另一端与场效应管Q19的S极连接后接地的电阻R1。所述切换模块分别与数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、场效应管Q19以及被测试元件连接；所述电源单元分别与数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路以及被测机台通讯电路连接；所述主控器CPU分别与切换模块和电源单元以及外部PC上位机连接。

使用时，主控器CPU用于接收外部PC上位机所传送的设定参数，同时，该主控器CPU用于为耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路提供工作电流信号，耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路则可模拟被测试的同步整流二极管在的漏电、充电、反向恢复、反向充电以及内阻及开通状态下的动态，数据采集电路则可对被测元件的同步整流二极管的各动态参数进行采集并回传给主控器CPU，主控器CPU将接收的信息传输给外部的PC上位机进行数据分析。主控器CPU本实施例中优先采用STM32F407单片机来实现。

同时，本实施例中的耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、数据采集电路、被测机台通讯电路并非本申请的发明点所在，上述电路为如图1所示型号的传统电路，因此本实施例中并未对耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、数据采集电路、被测机台通讯电路的结构进行赘述。

进一步地，如图1所示，所述电源单元包括变压器T1，分别与变压器T1连接的主电源、测试电源A、测试电源B，与测试电源A连接的电流电压控制电路A，与测试电源B连接的电流电压控制电路B，以及通过高压电源板与变压器T1连接的电流电压控制电路C。具体的，变压器T1为AC220V转10V的交流隔离变压器，该变压器T1的正边电感线圈与外部的电源连接。主电源在本实施例中为LR-50-12电源模块，主电源分别与主控器CPU、数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、场效应管、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、被测机台通讯电路、切换模块连接。电流电压控制电路A和电流电压控制电路B以及电流电压控制电路C在本实施例中均采用现有技术中的AD8066芯片来实现。反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路均分别与电流电压控制电路A和电流电压控制电路B连接。所述电流电压控制电路A和电流电压控制电路B均与主控器CPU连接。

再进一步地，如图2所示，所述切换模块包括水银继电器K1，分别与水银继电器K1连接的漏电流测试切换电路、恢复时间测量切换电路、VF测试切换电路、充电时间测试切换电路、开通时间测试切换电路，以及与数据采集电路连接的输出控制电路；所述漏电流测试切换电路、恢复时间测量切换电路、VF测试切换电路、充电时间测试切换电路、开通时间测试切换电路均分别与数据采集电路和主控器CPU连接；所述耐压及芯片漏电流测试电路与漏电流测试切换电路连接，反向恢复时间测量电路与恢复时间测量切换电路连接，反向充电时间测试电路与充电时间测试切换电路连接，等效VF测试电路与VF测试切换电路连接，内阻及开通时间测试电路与开通时间测试切换电路连接。

作为本实用新如图2所示，所述漏电流测试切换电路包括场效应管Q9，场效应管Q10，场效应管Q15，以及场效应管Q16；所述场效应管Q9的D极分别与水银继电器K1的常开触头2和被测元件连接、S极与场效应管Q10的S极连接，该场效应管Q9的G极与场效应管Q10的G极连接，且场效应管Q9的G极与场效应管Q10的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S6连接，所述场效应管Q10的D极与耐压及芯片漏电流测试电路连接；所述场效应管Q15的D极分别与据采集电路和被测元件连接，场效应管Q15的S极与场效应管Q16的S极连接，该场效应管Q15的G极与场效应管Q16的G极连接，且场效应管Q15的G极与场效应管Q16的G极连接点与场效应管Q10的G极连接，所述场效应管Q16的D极与耐压及芯片漏电流测试电路连接。

使用时，对被测元件同步整流二极管进行漏电检测，该处的同步整流二极管为反向放置。通过PC上位机设定电压为耐压值的1/2电流，先将主控器CPU的控制管脚S6调置高电平，使场效应管Q9、场效应管Q10、场效应管Q15以及场效应管Q1导通，电压经场效应管Q10和场效应管Q9到被测元件同步整流二极管的K极、A极及场效应管Q15和场效应管Q16的D极到高压检测电路(因主控器CPU的控制管脚S6为高电平)，这时在被测元件同步整流二极管的K极、A极上形成一个电压值，因此时的被测元件同步整流二极管为方向放置，所以被测元件是不会导通的，(二极管的特性是反向截止)这时只有内部芯片漏过的微小电流，再经过场效应管Q15和场效应管Q16到耐压及芯片漏电流测试电路可测实际电流值即可。耐压测试和芯片漏电流测试的流程是一样的，只是将电流设为恒流源，电压值设定高出被测元件的耐压值测试时也压值不低于设定值，而电流不大于设定会上即可，最终数据传至数据采集电路的S+、S-端。

如图2所示，所述恢复时间测量切换电路包括场效应管Q7，场效应管Q8，场效应管Q11，以及场效应管Q12。场效应管Q8的D极分别与水银继电器K1的常开触头2和被测元件以及数据采集电路连接，S极与场效应管Q7的S极连接。该场效应管Q8的G极与场效应管Q7的G极连接，且场效应管Q8的G极与场效应管Q7的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S5连接。场效应管Q7的D极与反向恢复时间测量电路连接。场效应管Q12的D极分别与据采集电路和被测元件连接，场效应管Q12的S极与场效应管Q11的S极连接，该场效应管Q12的G极与场效应管Q11的G极连接，且场效应管Q12的G极与场效应管Q11的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S5连接。场效应管Q11的D极与反向恢复时间测量电路连接。

使用时，反向恢复时间所用的电压电流是一个动态值，当主控器CPU的控制管脚S5为高电平时，反向恢复时间电路先发出一个电压，其电压走向为0V电压经场效应管Q12与场效应管Q11施加到被测元件同步整流二极管的K极、A极上，再经场效应管Q7和场效应管Q8到反向反向恢复时间测量电路，这时被测元件为正向导通。正向导通结束后，会立即进入被测元件的反偏模式，这时反向恢复电压会转变为正电压，现在反向恢复时间测量电路为反偏模式，其他电压通路为，反向恢复时间正电压经场效应管Q7和场效应管Q8，被测元件同步整流二极管的K极、A极及场效应管Q12与场效应管Q11流反向恢复时间检测电路，形成被测元件的反偏模式。正向导通时为内部MOSFET导通状态，反偏时为被测元件内部MOSFET关断状态，当被测元件正向导通时突然来一个反偏时，这时内部MOSFET在关断后仍会有电流漏过，这个电流从开始到结束的时间就是反向恢复时间。最终在数据采集电路的S+、S-端采集数据。

更进一步地，如图2所示，所述VF测试切换电路包括场效应管Q3和场效应管Q4。场效应管Q4的D极与水银继电器K1的常开触头1连接，S极与场效应管Q3的S极连接。该场效应管Q4的G极与场效应管Q3的G极连接，且场效应管Q4的G极与场效应管Q3的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S3连接。场效应管Q4的D极与等效VF测试电路连接。

使用时，等效VF检测电路也是一个动态电路，当主控器CPU的控制管脚S13和S3置高电平时，等效VF测试电路会发出一个正电压经过场效应管Q3和场效应管Q4及水银继电器K1到被测元件，通知被测元件内部MOSFET开通，通知完毕后等效VF检测电路会转变为负压，同时将主控器CPU的控制管脚S12置高，使场效应管Q19的S极与D极导通，这时电流经场效应管Q19的S极与D极到场效应管Q17和场效应管Q18的D极及被测元件的A-K.水银继电器K1的常开触头2和1、场效应管Q3和场效应管Q4的D极到等效VF检测电路，这样循环工作就等效于在线工作，状态，(等同于模拟在实际电路中工作)数据采集电路的S+.S-端收集信息，通过主控器CPU传输给PC上位机通过检测的电流电压波形分析后得出等效VF值。

如图2所示，所述开通时间测试切换电路包括第一切换电路和第二切换电路，所述第一切换电路包括场效应管Q1和场效应管Q2。场效应管Q1的D极与水银继电器K1的常开触头1连接，S极与场效应管Q2的S极连接。该场效应管Q1的G极与场效应管Q2的G极连接，且场效应管Q1的G极与场效应管Q2的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S2连接，所述场效应管Q2的D极与内阻及开通时间测试电路连接。第二切换电路包括场效应管Q13和场效应管Q14。所述场效应管Q13的D极分别与场效应管Q19的D极和控制电路连接、S极与场效应管Q14的S极连接，该场效应管Q13的G极与场效应管Q14的G极连接，且场效应管Q13的G极与场效应管Q14的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S2连接。所述场效应管Q14的D极与内阻及开通时间测试电路连接。

使用时，设定好所需的电压电流后先将主控器CPU的控制管脚S2和13置高电平，这时内阻及开通时间测试电路的内阻电路会发出一个电压经场效应管Q1和场效应管Q2的D极(S2已置高，场效应管Q1为开通状态)再经水银继电器K1(S13已置高)到被测元件的K极，被测元件的A极经场效应管Q17、场效应管Q18的D极及场效应管Q13和场效应管Q14形成回路，这个动作是为了给被测元件内的MOSFET开通信号，当内部MOSFET开通后，内阻及开通时间测试电路的内阻电路会有1 80度的转换反向工作。电压电流会经过场效应管Q13、场效应管Q14的D极、场效应管Q17、场效应管Q18的D极，被测元件的A-K.再经过水银继电器K1的常开触头2和1，再经过场效应管Q1和场效应管Q2的D极到达内阻及开通时间测试电路的内阻测试电路内部，在测试电路内部根据检测到的电压电流波形计算出被测元件内部MOSFET的开通时间及开通时的内阻。最终数据传至数据采集电路的S+、S-端数据采集。

如图2所示，所述充电时间测试切换电路包括场效应管Q5和场效应管Q6。场效应管Q15的D极与水银继电器K1的常开触头1连接，S极与场效应管Q6的S极连接。该场效应管Q5的G极与场效应管Q6的G极连接，且场效应管Q5的G极与场效应管Q6的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S4连接。所述场效应管Q6的D极与反向充电时间测试电路连接。

同时，控制电路包括场效应管Q17和场效应管Q18。场效应管Q17的D极分别与数据采集电路和场效应管Q12的D极连接，S极与场效应管Q18的S极连接。该场效应管Q17的G极与场效应管Q18的G极连接，且场效应管Q17的G极与场效应管Q18的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S13连接。场效应管Q18的D极与场效应管Q13的D极连接。

使用时，充电时间测试主要是测试被测元件内部的电容是否损坏及容量是否发生变化，先将主控器CPU的控制管脚S4和13设为高电平，主控器CPU的控制管脚S4为高电平时，场效应管Q5、场效应管Q6、场效应管Q11场效应管Q12的D极导通，电压经场效应管Q5和场效应管Q6流到水银继电器K1的常开触头l，因主控器CPU的控制管脚13是高电平，水银继电器K1合闭，电压经水银继电器K1的常开触头1和2脚到被测元件的K极给内部电容充电，电容的另一端经被测元件的A极再经场效应管Q17和场效应管Q18的D极(因主控器CPU的控制管脚S13已置高，场效应管Q17和场效应管Q18的D极是导通的)再经电阻R1到GN D，形成给电容充电回路。这时最终数据传至数据采集电路的S+、S-采集信息后传输给PC上位机分析。

如上所述，便可很好的实现本实用新型。

Claims

1.一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，包括测试单元，与测试单元连接的切换模块，以及分别与测试单元和切换模块连接的电源单元，所述测试单元包括主控器CPU，分别与主控器CPU连接的数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、被测机台通讯电路，D极与切换模块连接、G极与主控器CPU连接的场效应管Q19，以及一端与场效应管Q19的D极连接、另一端与场效应管Q19的S极连接后接地的电阻R1；所述切换模块分别与数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、场效应管Q19以及被测试元件连接；所述电源单元分别与数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路以及被测机台通讯电路连接；所述主控器CPU分别与切换模块和电源单元以及外部PC上位机连接。

2.根据权利要求1所述的一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，所述电源单元包括变压器T1，分别与变压器T1连接的主电源、测试电源A、测试电源B，与测试电源A连接的电流电压控制电路A，与测试电源B连接的电流电压控制电路B，以及通过高压电源板与变压器T1连接的电流电压控制电路C；所述主电源分别与主控器CPU、数据采集电路、耐压及芯片漏电流测试电路、场效应管、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路、被测机台通讯电路、切换模块连接，所述反向恢复时间测量电路、反向充电时间测试电路、等效VF测试电路、内阻及开通时间测试电路均分别与电流电压控制电路A和电流电压控制电路B连接；所述电流电压控制电路A和电流电压控制电路B均与主控器CPU连接。

3.根据权利要求2所述的一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，所述切换模块包括水银继电器K1，分别与水银继电器K1连接的漏电流测试切换电路、恢复时间测量切换电路、VF测试切换电路、充电时间测试切换电路、开通时间测试切换电路，以及与数据采集电路连接的输出控制电路；所述漏电流测试切换电路、恢复时间测量切换电路、VF测试切换电路、充电时间测试切换电路、开通时间测试切换电路均分别与数据采集电路和主控器CPU连接；所述耐压及芯片漏电流测试电路与漏电流测试切换电路连接，反向恢复时间测量电路与恢复时间测量切换电路连接，反向充电时间测试电路与充电时间测试切换电路连接，等效VF测试电路与VF测试切换电路连接，内阻及开通时间测试电路与开通时间测试切换电路连接。

4.根据权利要求3所述的一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，所述漏电流测试切换电路包括场效应管Q9，场效应管Q10，场效应管Q15，以及场效应管Q16；所述场效应管Q9的D极分别与水银继电器K1的常开触头2和被测元件连接、S极与场效应管Q10的S极连接，该场效应管Q9的G极与场效应管Q10的G极连接，且场效应管Q9的G极与场效应管Q10的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S6连接，所述场效应管Q10的D极与耐压及芯片漏电流测试电路连接；所述场效应管Q15的D极分别与据采集电路和被测元件连接，场效应管Q15的S极与场效应管Q16的S极连接，该场效应管Q15的G极与场效应管Q16的G极连接，且场效应管Q15的G极与场效应管Q16的G极连接点与场效应管Q10的G极连接，所述场效应管Q16的D极与耐压及芯片漏电流测试电路连接。

5.根据权利要求4所述的一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，所述恢复时间测量切换电路包括场效应管Q7，场效应管Q8，场效应管Q11，以及场效应管Q12；所述场效应管Q8的D极分别与水银继电器K1的常开触头2和被测元件以及数据采集电路连接、S极与场效应管Q7的S极连接，该场效应管Q8的G极与场效应管Q7的G极连接，且场效应管Q8的G极与场效应管Q7的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S5连接，所述场效应管Q7的D极与反向恢复时间测量电路连接；所述场效应管Q12的D极分别与据采集电路和被测元件连接，场效应管Q12的S极与场效应管Q11的S极连接，该场效应管Q12的G极与场效应管Q11的G极连接，且场效应管Q12的G极与场效应管Q11的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S5连接，所述场效应管Q11的D极与反向恢复时间测量电路连接。

6.根据权利要求5所述的一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，所述VF测试切换电路包括场效应管Q3和场效应管Q4；所述场效应管Q4的D极与水银继电器K1的常开触头1连接、S极与场效应管Q3的S极连接，该场效应管Q4的G极与场效应管Q3的G极连接，且场效应管Q4的G极与场效应管Q3的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S3连接，所述场效应管Q4的D极与等效VF测试电路连接。

7.根据权利要求6所述的一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，所述开通时间测试切换电路包括第一切换电路和第二切换电路，所述第一切换电路包括场效应管Q1和场效应管Q2；所述场效应管Q1的D极与水银继电器K1的常开触头1连接、S极与场效应管Q2的S极连接，该场效应管Q1的G极与场效应管Q2的G极连接，且场效应管Q1的G极与场效应管Q2的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S2连接，所述场效应管Q2的D极与内阻及开通时间测试电路连接；所述第二切换电路包括场效应管Q13和场效应管Q14；所述场效应管Q13的D极分别与场效应管Q19的D极和控制电路连接、S极与场效应管Q14的S极连接，该场效应管Q13的G极与场效应管Q14的G极连接，且场效应管Q13的G极与场效应管Q14的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S2连接，所述场效应管Q14的D极与内阻及开通时间测试电路连接。

8.根据权利要求7所述的一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，所述充电时间测试切换电路包括场效应管Q5和场效应管Q6；所述场效应管Q15的D极与水银继电器K1的常开触头1连接、S极与场效应管Q6的S极连接，该场效应管Q5的G极与场效应管Q6的G极连接，且场效应管Q5的G极与场效应管Q6的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S4连接，所述场效应管Q6的D极与反向充电时间测试电路连接。

9.根据权利要求8所述的一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，所述控制电路包括场效应管Q17和场效应管Q18；所述场效应管Q17的D极分别与数据采集电路和场效应管Q12的D极连接、S极与场效应管Q18的S极连接，该场效应管Q17的G极与场效应管Q18的G极连接，且场效应管Q17的G极与场效应管Q18的G极连接点与主控器CPU的控制管脚S13连接，所述场效应管Q18的D极与场效应管Q13的D极连接。

10.根据权利要求8所述的一种同步整流二极管动静态测试电路，其特征在于，所述主控器CPU为STM32F407单片机。