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CN203368748U - Mems麦克风 - Google Patents

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CN203368748U
CN203368748U CN 201320337018 CN201320337018U CN203368748U CN 203368748 U CN203368748 U CN 203368748U CN 201320337018 CN201320337018 CN 201320337018 CN 201320337018 U CN201320337018 U CN 201320337018U CN 203368748 U CN203368748 U CN 203368748U
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CN
China
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vibrating diaphragm
backboard
mems
chip
pedestal
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Application number
CN 201320337018
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English (en)
Inventor
孟珍奎
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AAC Technologies Pte Ltd
Original Assignee
AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种MEMS麦克风，其包括MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和ASIC芯片电连接，所述MEMS芯片设有第一振膜、第二振膜以及背板，所述背板设置于第一振膜和第二振膜之间，所述第一振膜和第二振膜分别与所述背板间隔设置构成电容结构，所述背板在其与所述第一振膜和第二振膜正对的位置上设有若干背板通孔，所述第一振膜在其与所述背板正对的位置上设有若干振膜通孔，所述ASIC芯片提供偏置电压给第一振膜或第二振膜工作。本实用新型提供的MEMS麦克风同时具备高灵敏度和高声压级。

Description

MEMS麦克风
【技术领域】
本实用新型涉及麦克风领域，具体是一种MEMS麦克风。
【背景技术】
随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其性能的好坏直接影响通话质量。
目前应用较多的是MEMS麦克风，为了能够达到优越的语音拾取性能要求MEMS麦克风同时具备较高的灵敏度和较高的声压级，但现在面对的问题是提高灵敏度和提高声压级对于同一个振膜结构来讲是矛盾的，即提高灵敏度就要牺牲声压级，提高声压级就要牺牲灵敏度。如何解决实现MEMS麦克风同时具备高灵敏度和高声压级已成为本领域研究的热点。
【实用新型内容】
本实用新型提供了一种MEMS麦克风，所述MEMS麦克风同时具备高灵敏度和高声压级。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种MEMS麦克风，其包括MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和ASIC芯片电连接，所述MEMS芯片设有第一振膜、第二振膜以及背板，所述背板设置于第一振膜和第二振膜之间，所述第一振膜和第二振膜分别与所述背板间隔设置构成电容结构，所述背板在其与所述第一振膜和第二振膜正对的位置上设有若干背板通孔，所述第一振膜在其与所述背板正对的位置上设有若干振膜通孔，所述ASIC芯片提供偏置电压给第一振膜或第二振膜工作。
优选的，所述MEMS芯片进一步还包括第一基座和第二基座，所述第一基座设有与第一振膜相对的第一声腔，所述第二基座设有与第二振膜相对的第二声腔，所述第一基座和第一振膜之间、第二基座和第二振膜之间、第一振膜和背板之间以及第二振膜和背板之间均设有绝缘层。
优选的，所述背板上还设有防止第一振膜和第二振膜与背板贴合粘连的凸块。
优选的，所述第一振膜上的若干振膜通孔呈圆周均匀对称分布。
本实用新型的优点在于：本实用新型提供的MEMS麦克风同时具备高灵敏度和高声压级。
【附图说明】
图1为本实用新型提供的MEMS麦克风的MEMS芯片的截面示意图；
图2为本实用新型提供的MEMS麦克风的MEMS芯片的俯视图；
图3为本实用新型提供的MEMS麦克风的MEMS芯片的仰视图。
【具体实施方式】
下面结合附图，对本实用新型作详细说明。
本实用新型提供的MEMS麦克风（Micro-Electro-Mechanical-SystemMicrophone，微机电系统麦克风）包括MEMS芯片和ASIC（ApplicationSpecific IC，专用集成电路）芯片（未图示），所述MEMS芯片和ASIC芯片电连接。
如图1至图3所示为本实用新型提供的MEMS麦克风的MEMS芯片1，所述MEMS芯片1设有第一振膜21、第二振膜22以及背板30，所述背板30设置于第一振膜21和第二振膜22之间，所述第一振膜21和第二振膜22分别与所述背板30间隔设置构成电容结构。所述第一振膜21、第二振膜22和背板30可以采用多晶硅或单晶硅掺杂导电材料制成。
所述背板30上设有防止第一振膜21和第二振膜22与背板30贴合粘连的凸块32，所述背板30在其与所述第一振膜21和第二振膜22正对的位置上设有若干背板通孔31。
所述第一振膜21在其与所述背板30正对的位置上设有若干振膜通孔210，所述第一振膜21上的若干振膜通孔210呈圆周均匀对称分布。所述第一振膜21上的若干振膜通孔210可以调节振膜阻尼，释放振膜应力，还可以平衡内外腔体的气压。
所述MEMS芯片1进一步还包括有第一基座11和第二基座12，所述第一基座11设有与第一振膜21相对的第一声腔110，所述第二基座12设有与第二振膜22相对的第二声腔120，所述第一基座11和第二基座12可以采用硅基材料制成。所述MEMS芯片1在所述第一基座11和第一振膜21之间、第二基座12和第二振膜22之间、第一振膜21和背板30之间以及第二振膜22和背板30之间均设有绝缘层40，所述绝缘层40可以采用半导体绝缘材料制成。
本实用新型的MEMS芯片1的第一振膜21可以优化提高灵敏度，第二振膜22可以优化提高声压级。当需要实现高灵敏度时，ASIC芯片输出偏置电压给第一振膜21工作；当ASIC芯片接收声音信号判断为高声压级时，ASIC芯片输出偏置电压给第二振膜22工作；当ASIC芯片输出偏置电压给第一振膜21和第二振膜22同时工作时，第一振膜21弥补了第二振膜22灵敏度不够的问题从而优化提高了整体的灵敏度，第二振膜22弥补了第一振膜21声压级不够的问题从而优化提高了整体的声压级。本实用新型提供的MEMS麦克风同时具备高灵敏度和高声压级，并且MEMS芯片的制作工艺简单、成本低、易于批量化生产，同时不会因为提高性能而增大了整体的结构尺寸。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施方式，本实用新型的保护范围并不以上述实施方式为限，但凡本领域普通技术人员根据本实用新型所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。

Claims (4)

1.一种MEMS麦克风，其包括MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和ASIC芯片电连接，其特征在于：所述MEMS芯片设有第一振膜、第二振膜以及背板，所述背板设置于第一振膜和第二振膜之间，所述第一振膜和第二振膜分别与所述背板间隔设置构成电容结构，所述背板在其与所述第一振膜和第二振膜正对的位置上设有若干背板通孔，所述第一振膜在其与所述背板正对的位置上设有若干振膜通孔，所述ASIC芯片提供偏置电压给第一振膜或第二振膜工作。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述MEMS芯片进一步还包括第一基座和第二基座，所述第一基座设有与第一振膜相对的第一声腔，所述第二基座设有与第二振膜相对的第二声腔，所述第一基座和第一振膜之间、第二基座和第二振膜之间、第一振膜和背板之间以及第二振膜和背板之间均设有绝缘层。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述背板上还设有防止第一振膜和第二振膜与背板贴合粘连的凸块。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于：所述第一振膜上的若干振膜通孔呈圆周均匀对称分布。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105197871A (zh) * 2015-10-26 2015-12-30 杭州士兰微电子股份有限公司 Mems器件及其制造方法
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WO2021128638A1 (zh) * 2019-12-27 2021-07-01 潍坊歌尔微电子有限公司 一种mems芯片

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Patentee after: AAC Technologies (Singapore) Co., Ltd.

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Patentee before: AAC Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd.

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