CN203180783U - 一种升压电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于控制电路领域，尤其涉及一种升压电路。在本实用新型中，升压电路采用常见的分立元件构成，电感L、肖特基二极管D1、采样电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、稳压管ZD1、运算放大器U1和开关管构成升压电路，当出现负载短路、过载等意外情况时，会引起流过电路的电流过大，采样电阻R1两端的电压升高，导致运算放大器U1输出控制信号，保护控制电路控制开关管断开，升压电路停止工作，从而避免升压电路受到损坏，该升压电路采用的过流保护电路体积小和成本低。
Description
技术领域
本实用新型属于控制电路领域，尤其涉及一种升压电路。
背景技术
升压电路作为常见的动力装置，应用在各行各业中，用于带动各种负载工作。
当升压电路的负载出现短路、过载等意外情况时，会引起流过升压电路开关管的电流过大，使管子功耗增大、发热，若没有过流保护装置，大功率开关管就可能损坏，目前市场上很多电气产品的过流保护一般通过取样电阻或霍尔传感器等来检测和比较，从而实现保护，但它们都有体积大和成本高的缺点。
实用新型内容
本实用新型实施例的目的在于提供一种升压电路，旨在解决现在的升压电路采用的过流保护电路存在体积大和成本高的问题。
本实用新型实施例是这样实现的，一种升压电路，接保护控制电路，所述升压电路包括：
电感L、肖特基二极管D1、采样电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、稳压管ZD1、运算放大器U1和开关管；
所述电感L的第一端为输入端，所述电感L的第二端接所述肖特基二极管D1的阳极，所述肖特基二极管D1的阴极为输出端，所述电容C2连接在所述肖特基二极管D1的阴极与地之间，所述开关管的高电位端接电感L的第二端，所述开关管的控制端接保护控制电路的输出端，所述开关管的低电位端通过采样电阻R1接地，所述运算放大器U1的同相输入端通过电阻R3接所述开关管的低电位端，所述运算放大器U1的输出端接保护控制电路的输入端，所述稳压管ZD1的阴极同时接运算放大器U1的反相输入端和电源，所述稳压管ZD1的阳极接地，所述电阻R2和电容C1并联电源和地之间。
在本实用新型实施例中，升压电路采用常见的分立元件构成，电感L、肖特基二极管D1、采样电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、稳压管ZD1、运算放大器U1和开关管构成升压电路，当出现负载短路、过载等意外情况时，会引起流过电路的电流过大，采样电阻R1两端的电压升高，导致运算放大器U1输出控制信号，保护控制电路控制开关管断开，升压电路停止工作，从而避免升压电路受到损坏，该升压电路采用的过流保护电路体积小和成本低。
附图说明
图1是本实用新型第一实施例提供的升压电路的电路结构图；
图2是本实用新型第二实施例提供的升压电路的电路结构图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
图1示出了本实用新型第一实施例提供的升压电路的电路结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型实施例相关的部分，详述如下。
一种升压电路，接保护控制电路，所述升压电路包括：
电感L、肖特基二极管D1、采样电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、稳压管ZD1、运算放大器U1和开关管100；
所述电感L的第一端为输入端，所述电感L的第二端接所述肖特基二极管D1的阳极，所述肖特基二极管D1的阴极为输出端，所述电容C2连接在所述肖特基二极管D1的阴极与地之间，所述开关管100的高电位端接电感L的第二端，所述开关管100的控制端接保护控制电路的输出端，所述开关管100的低电位端通过采样电阻R1接地，所述运算放大器U1的同相输入端通过电阻R3接所述开关管100的低电位端，所述运算放大器U1的输出端接保护控制电路的输入端，所述稳压管ZD1的阴极同时接运算放大器U1的反相输入端和电源，所述稳压管ZD1的阳极接地，所述电阻R2和电容C1并联电源和地之间。
作为本实用新型一实施例，所述开关管100采用NPN型三极管Q1，所述NPN型三极管Q1的基极为开关管100的控制端，所述NPN型三极管Q1的集电极为开关管100的高电位端，所述NPN型三极管Q1的发射极为开关管100的低电位端。
图2示出了本实用新型第二实施例提供的升压电路的电路结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型实施例相关的部分，详述如下。
作为本实用新型一实施例，所述开关管100采用N型MOS管Q2，所述N型MOS管Q2的栅极为开关管100的控制端，所述N型MOS管Q2的漏极为开关管100的高电位端，所述N型MOS管Q2的源极为开关管100的低电位端。
下面以开关管100采用N型MOS管Q2为例说明LED灯具的升压电路的工作原理：
电感L、肖特基二极管D1、N型MOS管Q2组成BOOST的升压电路，采样电阻R1两端的电压值输出至运算放大器U1的同相输入端，与运算放大器U1的反相输入端设置的参考电压Vf做比较，如运算放大器U1的同相输入端高于Vf，则运算放大器U1输出高电平给保护控制电路，停止PWM输出，N型MOS管Q2断开，无电流通过，到达保护目的。
通过设置采样电阻R1的阻值，使经过N型MOS管Q2最大峰值电流所产生的峰值电压也比Vf值小30％，确保保护部误动作。所以正常工作时，保护电路不起作用。只有当流过采样电阻R1上的电流所产生的电压值超过Vf=Ic*R1时，运算放大器U1的输出端输出高电平至保护控制电路，停止PWM输出，N型MOS管Q2断开，无电流通过，保护了电路因过流烧毁的危险。
在本实用新型实施例中，升压电路采用常见的分立元件构成，电感L、肖特基二极管D1、采样电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、稳压管ZD1、运算放大器U1和开关管构成升压电路，当出现负载短路、过载等意外情况时，会引起流过电路的电流过大，采样电阻R1两端的电压升高，导致运算放大器U1输出控制信号，保护控制电路控制开关管断开，升压电路停止工作，从而避免升压电路受到损坏，该升压电路采用的过流保护电路体积小和成本低。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种升压电路，接保护控制电路，其特征在于，所述升压电路包括：
电感L、肖特基二极管D1、采样电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、稳压管ZD1、运算放大器U1和开关管；
所述电感L的第一端为输入端，所述电感L的第二端接所述肖特基二极管D1的阳极，所述肖特基二极管D1的阴极为输出端，所述电容C2连接在所述肖特基二极管D1的阴极与地之间，所述开关管的高电位端接电感L的第二端，所述开关管的控制端接保护控制电路的输出端，所述开关管的低电位端通过采样电阻R1接地，所述运算放大器U1的同相输入端通过电阻R3接所述开关管的低电位端，所述运算放大器U1的输出端接保护控制电路的输入端，所述稳压管ZD1的阴极同时接运算放大器U1的反相输入端和电源，所述稳压管ZD1的阳极接地，所述电阻R2和电容C1并联电源和地之间。
2.如权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述开关管采用NPN型三极管Q1，所述NPN型三极管Q1的基极为开关管的控制端，所述NPN型三极管Q1的集电极为开关管的高电位端，所述NPN型三极管Q1的发射极为开关管的低电位端。
3.如权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述开关管采用N型MOS管Q2，所述N型MOS管Q2的栅极为开关管的控制端，所述N型MOS管Q2的漏极为开关管的高电位端，所述N型MOS管Q2的源极为开关管的低电位端。
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