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CN201556645U - 硅基板功率型led封装结构 - Google Patents

硅基板功率型led封装结构 Download PDF

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CN201556645U CN2009202929163U CN200920292916U CN201556645U CN 201556645 U CN201556645 U CN 201556645U CN 2009202929163 U CN2009202929163 U CN 2009202929163U CN 200920292916 U CN200920292916 U CN 200920292916U CN 201556645 U CN201556645 U CN 201556645U
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China
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silicon
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encapsulating structure
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庄四祥
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Dongguan Kingsun Optoelectronic Co Ltd
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Dongguan Kingsun Optoelectronic Co Ltd
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Abstract

一种硅基板功率型LED封装结构，涉及道路照明大功率LED灯具领域。其包括LED芯片和硅基板，硅基板设置液体循环通道并设置注入孔、排出孔连通基板底部外侧，LED芯片封装在硅基板上的金属涂层3上，也覆盖荧光胶。硅基板可以由上硅片和下硅片构成，在上硅片和下硅片内分别设置循环凹槽，扣接后构成循环通道。通过硅基板下底面的注入孔和排出孔，注入冷却液后在硅基板内循环散热。这种冷却循环可以大大加快热量的散发，同时硅基板对晶体也有良好的散热效果，而且由于芯片衬底同为Si材料，这样芯片和硅基板可以直接集成在一起，有利于提高封装密度。本实用新型技术具有极强的实用价值。

Description

硅基板功率型LED封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种用于道路交通照明的大功率LED灯具领域，具体涉及一种新型的LED封装结构。
背景技术
与本申请有关的现有技术，目前，大功率LED只能将约10％-15％的输入功率转化为光能，而将其余85％-90％转化为热能。如果LED封装散热不良，这将会引起芯片内部热量聚集，从而会使芯片温度升高，引起应力分布不均、发光波长漂移、芯片发光效率降低、荧光粉转换效率下降等一系列后果，进而缩短LED的正常使用寿命。业界已经对大功率LED的散热问题作出了很多努力：通过优化芯片外延结构、改变表面结构(如使表面粗化)等来提高芯片内外量子效率，减小辐射产生的晶格振动；通过优化封装结构和封装材料来加快热量的散发。
与此相关的技术其LED灯具结构一般包括：LED芯片、PCB基板和透镜，是将多个LED芯片封装在基板上，封装后的LED芯片外安装光学透镜，基板上设有金属镀层。这种LED封装结构的总热阻很大。
实用新型内容
为了有效解决上述问题，本实用新型提供一种硅基板功率型LED封装结构，可有效的解决LED封装散热问题，散热性能好。
本实用新型提供这样的技术方案，一种硅基板功率型LED封装结构，其包括LED芯片和硅基板，硅基板设置液体循环通道并设置注入孔、排出孔连通基板底部外侧，LED芯片封装在硅基板上。
上述硅基板包括上硅片和下硅片，上硅片和下硅片分别设置循环凹槽，扣接后构成循环通道，下硅片在凹槽两端设置通孔连通体外。
上述硅基板表层设置金属涂层，LED芯片封装在金属涂层上。
上述LED芯片覆盖荧光胶。
本实用新型提供的硅基板功率型LED封装结构，在硅基板内设置循环通道，通道两端有注入孔和排出孔，由此注入冷却液在硅基板内循环散热。这种冷却循环通道，可以大大加快热量的散发，同时硅基板对晶体也有良好的散热效果，而且由于芯片衬底同为Si材料，这样芯片和硅基板可以直接集成在一起，有利于提高封装密度。
以下结合附图对本实用新型技术方案作进一步详细的说明。
附图说明
图1是本实用新型硅基板功率型LED封装结构端面剖视图。
图2是本实用新型硅基板功率型LED封装结构立体剖视图。
图3是本实用新型硅基板功率型LED封装结构下硅片结构图。
图4是本实用新型硅基板功率型LED封装结构上硅片结构图。
具体实施方式
为了理解本实用新型，使本领域技术人员能够实现本实用新型，请参见附图1至4，理解本实用新型最优选的实施例。
其包括LED芯片1和硅基板2，硅基板设置液体循环通道并设置注入孔、排出孔连通基板底部外侧，LED芯片1封装在硅基板2上的金属涂层3上，LED芯片1覆盖荧光胶。硅基板2包括上硅片5和下硅片6，上硅片和下硅片分别设置循环凹槽7、8，扣接后构成循环通道9，下硅片在凹槽两端设置通孔10、11连通体外。封装好的LED芯片外可以安装二次光学透镜4。
在硅基板内设置的循环通道，通过硅基板下底面的注入孔和排出孔，注入冷却液后在硅基板内循环散热。
本实用新型的体现的硅基板的外形和凹槽的结构形状并不局限于本实施例所展示，对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代均在本实用新型的保护范围。

Claims (4)

1.一种硅基板功率型LED封装结构，其特征在于：其包括LED芯片和硅基板，硅基板设置液体循环通道并设置注入孔、排出孔连通基板底部外侧，LED芯片封装在硅基板上。
2.如权利要求1所述的硅基板功率型LED封装结构，其特征在于：所述硅基板包括上硅片和下硅片，上硅片和下硅片分别设置循环凹槽，扣接后构成循环通道，下硅片在凹槽两端设置通孔连通体外。
3.如权利要求1或2所述的硅基板功率型LED封装结构，其特征在于：硅基板表层设置金属涂层，LED芯片封装在金属涂层上。
4.如权利要求1或2所述的硅基板功率型LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片覆盖荧光胶。
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