CN201321490Y - 低压化学气相淀积系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低压化学气相淀积系统，包括：反应腔，包括出气口；真空泵；排气管，与上述出气口连通；以及弯管，其一端与上述排气管连通，另一端与上述真空泵连接。在进行晶圆片的处理过程中，利用该低压化学气相淀积系统可有效防止了真空泵突然停机，进而更加保护了处理过程中的晶圆片免受损坏，并延长了真空泵的使用寿命，而且制造成本低廉，可以大范围推广，方便维护系统清洁，保证系统运行的稳定。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体制程设备，特别涉及一种低压化学气相淀积系统。
背景技术
在现有半导体芯片制造工艺中化学气相淀积(CVD)已成为非常流行的工艺，并对宽范围材料而言是优选的淀积方法。
一般来说，化学气相淀积过程包括：首先，将晶圆片装载到反应室内，装载过程通常是在惰性气体的环境下进行的。然后将晶圆片加热到预定的温度，将反应气体引入到淀积薄膜的反应室内进行反应。最后，将参与反应的化学气体排出反应室，移出晶圆片，完成工序。
CVD系统主要分为两种类型：常压(AP)和低压(LP)。
在低压化学气相淀积(LPCVD)工艺中，工艺流程需要在低压(真空)反应室中进行。低压(真空)反应室为其提供没有污染气体的工艺条件。LPCVD需要在低至10-3托(中真空)的压力范围内进行，中真空需通过真空泵来实现。
请参见图1，其所示为现有技术中的低压化学气相淀积系统的结构示意图。该低压化学气相淀积系统100包括反应腔110，管线120，真空泵130。在一些LPCVD处理过程中会产生许多粉末状的副产物，例如：LPCVD的氮化过程。当大的粉末副产物沿着直的管线120掉到真空泵130时是很危险的，这可能阻塞真空泵130，真空泵130会因为过载而停机，导致反应腔110出现严重的问题，致使设备毁坏，进而严重损害处理中的晶圆片140。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种低压化学气相沉淀系统，以改善现有技术中，因低压化学气相淀积过程中的粉末杂质阻塞真空泵而致使晶圆损坏等技术问题。
本实用新型提供一种低压化学气相淀积系统，包括：反应腔，包括出气口；真空泵；排气管，与上述出气口连通；以及弯管，其一端与上述排气管连通，另一端与上述真空泵连接。
可选的，上述排气管末端套接排污管。
可选的，上述真空泵为机械真空泵。
可选的，上述反应腔为炉管。
可选的，上述反应腔为立式反应腔。
本实用新型所提供的低压化学气相淀积系统具有以下有益效果：1.在对晶圆片进行处理过程中，有效防止了真空泵突然停机，进而更加保护了处理过程中的晶圆片免受损坏；2.减少了粉末状杂质阻塞真空泵，保持真空泵的清洁，延长了真空泵的使用寿命；3.由于本实用新型设计新颖，制造成本低廉，可以大范围推广；4.方便维护系统清洁，保证系统运行的稳定。
附图说明
图1所示为现有技术中的低压化学气相淀积系统的结构示意图；
图2所示为本实用新型一实施例所提供的低压化学气相淀积系统的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，给出较佳实施例并结合附图，对本实用新型作进一步说明。
请参见图2，其所示为本实用新型一实施例所提供的低压化学气相淀积系统的结构示意图，该低压化学气相淀积(LPCVD)系统200，包括：反应腔210，包括出气口211；真空泵220；排气管230，与上述出气口211连通；以及弯管240，其一端与上述排气管230连通，另一端与上述真空泵220连接。
在本实施例中，是在直的排气管230在上面加装了一个弯管240，然后将真空泵220接在弯管240的一端，而不直接接在直的排气管230的末端。这样在LPCVD处理过程中产生的粉末状的副产物沿着排气管230掉下，由于弯管240的作用，这些粉末状的副产物不会掉到真空泵220。从而有效防止了粉末状的副产物阻塞真空泵220，造成真空泵220因负荷过大而突然停机，进而更加有效的保护了处理过程中的晶圆片250免受损坏，而且也保持真空泵220的清洁，延长了真空泵220的使用寿命。
在本实用新型的一实施例中，请参见图2，在直的排气管230的末端加装一个排污管260，当系统工作时，粉末状的副产物将沿着排气管230掉入排污管260，由排污管230收集这些粉末状的副产物。因此真空泵220就将得到很好的保护。此外，该排污管260可以拆下方便清洗维护。
在本实用新型的一实施例中，真空泵220可以为机械真空泵。LPCVD工艺需要在低压(真空)反应腔210中进行。低压(真空)反应腔210为其提供没有污染气体的工艺条件。LPCVD需要在低至10-3托(中真空)的压力范围内进行，中真空可以通过机械真空泵来获得。
在本实用新型的一实施例中，上述反应腔210为炉管，在一般的LPCVD系统中，一般是由4根炉管构成的。
在本实用新型的一实施例中，LPCVD所采用的反应腔210是立式反应腔，这与标准炉管相比，该系统具有若干优点。因为晶圆片全部靠重力保持在特定位置，所以硅片之间间距更加均匀。横跨过晶圆片的对流效应分布更加均匀。而且立式LPCVD系统在淀积不掺杂的多晶硅和氮化硅中经常可达到均匀性好于2％。立式LPCVD系统更容易被集成到自动化工厂，这是由于晶圆片不必翻转到垂直方向，使得其更容易用机械手处理。且立式LPCVD系统最重要优点是降低了颗粒数。
综上所述，本实用新型所提供的低压化学气相淀积系统具有以下优点：1.在进行晶圆片的处理过程中，有效防止了真空泵突然停机，进而更加保护了处理过程中的晶圆片免受损坏；2.减少了粉末状杂质阻塞真空泵，保持真空泵的清洁，延长了真空泵的使用寿命；3.由于本实用新型设计新颖，制造成本低廉，可以大范围推广；4.方便维护系统清洁，保证系统运行的稳定。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何熟习此技术者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
Claims (5)
1.一种低压化学气相淀积系统，其特征在于，包括：
反应腔，包括出气口；
真空泵；
排气管，与上述出气口连通；以及
弯管，其一端与上述排气管连通，另一端与上述真空泵连接。
2.根据权利要求1所述的低压化学气相淀积系统，其特征在于，其中上述排气管末端套接排污管。
3.根据权利要求1所述的低压化学气相淀积系统，其特征在于，其中上述真空泵为机械真空泵。
4.根据权利要求1所述的低压化学气相淀积系统，其特征在于，其中上述反应腔为炉管。
5.根据权利要求1所述的低压化学气相淀积系统，其特征在于，其中上述反应腔为立式反应腔。
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2008
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