CN209859955U - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种显示面板，包括：设于衬底上的薄膜晶体管；钝化层，设于薄膜晶体管上，且具有暴露薄膜晶体管的漏极的接触孔；像素电极，设于钝化层上，像素电极包括彼此隔离的多个子电极，像素电极的多个子电极通过同一接触孔与薄膜晶体管的漏极连接；子像素，设于像素电极的多个子电极上。如此，由于每一像素电极的多个子电极均通过接触孔与漏极连接，因此只需要切断对应于异物的子电极与接触孔之间的连接，即可使得该子电极与其它子电极断开，从而消除像素电极与阴极的短路，进而使得子像素具有异物以外的区域能够正常发光，降低了暗点发生率，提高了显示品质及良率。还提供一种显示装置。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

随着大数据、云计算以及移动互联网等技术的发展，人类已经进入智能化时代，作为智能化时代人机交互的重要窗口，显示面板也在发生着重大变革。有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，具有厚度薄、自发光性能、功耗低等优势，已经成为继薄膜晶体管液晶显示器之后，被认为是最有发展潜力的平板显示器件。然而，在OLED显示面板生产过程中不可避免存在着灰尘等异物污染显示面板的表面或者内部，使得显示面板品质下降。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种显示面板及显示装置，以降低生产过程中异物对显示面板品质的影响。

根据本申请一个方面，提供一种显示面板，包括：

设于衬底上的薄膜晶体管；

钝化层，设于所述薄膜晶体管上，且被构造为具有暴露所述薄膜晶体管的漏极的接触孔；

像素电极，设于所述钝化层上，所述像素电极包括彼此隔离的多个子电极，所述像素电极的多个所述子电极通过同一所述接触孔与所述薄膜晶体管的漏极连接；

子像素，设于所述像素电极的所述多个子电极上。

上述显示面板，由于每一像素电极包括多个子电极，且该多个子电极均通过接触孔与薄膜晶体管的漏极连接。因此，当有异物掉落于子像素时，导致像素电极中对应的一个子电极与阴极短路，即像素电极与阴极短路(由于一个像素电极的多个子电极均连接于同一接触孔)，造成该子像素不能发光，形成暗点。只需要切断对应于异物的子电极与接触孔之间的连接(例如，可通过激光切断走线的方式，实现切断子电极与接触孔之间的连接)，即可使得该子电极与其它子电极断开，从而消除像素电极与阴极的短路，进而使得子像素具有异物以外的区域能够正常发光，降低了暗点发生率，提高了显示品质及良率。

在一实施例中，所述子像素包括彼此绝缘隔离的多个孙像素，多个所述孙像素与多个所述子电极一一对应，每一所述孙像素设于对应的一个所述子电极上。当异物掉落于其中一个孙像素内，该孙像素的有机发光层被破坏使得该孙像素下方的子电极与有机发光层上方的阴极出现短路现象，导致整个子像素不能发光。此时，仅需将该子电极与接触孔之间的连接切断，使该子电极与其它的子电极断开，掉落有异物的孙像素不能发光，而其它的孙像素则能正常发光。如此，子像素的发光能力不会受到影响，进而使每一像素单元的发光能力也不会受到影响，可以将灰尘等微小异物对子像素和像素单元的发光能力的影响趋于最小化，从而提高了显示品质及良率。

在一实施例中，所述显示面板还包括至少一个绝缘墙，每一所述绝缘墙包括设于相邻两个所述子电极之间所述钝化层上的第一绝缘部，以将所述像素电极的多个所述子电极分隔开来且相互绝缘。

在一实施例中，每一所述绝缘墙还包括设于所述第一绝缘部上的第二绝缘部，且每一所述第二绝缘部位于所述相邻两个所述孙像素之间，以将所述子像素的多个孙像素分隔开来且相互绝缘。

在一实施例中，所述显示面板还包括位于所述像素电极上的像素定义层；

所述像素定义层具有多个子像素开口，所述第二绝缘部将每个所述子像素开口分隔成多个孙像素开口，且每一所述孙像素开口暴露对应的一个所述子电极的至少部分。

在一实施例中，每一所述子像素开口中的所述孙像素开口的形状、尺寸相同。

在一实施例中，在背离所述衬底的方向上，所述第二绝缘部依次具有平行于所述衬底的第一横截面和第二横截面；

所述第一横截面在所述衬底上的正投影位于所述第二横截面在所述衬底上的正投影范围内。

在一实施例中，所述第二绝缘部在垂直于所述衬底且垂直于所述第二绝缘部的延伸方向上的截面形状为倒梯形；

其中，所述第二绝缘部的延伸方向平行于所述衬底。

在一实施例中，所述绝缘墙与所述像素定义层的材料相同；或

所述绝缘墙与所述像素定义层的材料相异。

根据本申请另一个方面，提供一种显示装置，包括如上述实施例中所述的显示面板。

附图说明

图1为本申请一实施例中的显示面板的剖面结构示意图；

图2为图1所示的显示面板的一个子像素区域的俯视图；

图3为本申请另一实施例中的显示面板的剖面结构示意图；

图4为本申请又一实施例中的显示面板的剖面结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

OLED显示面板通常包括阵列基板、设于阵列基板上的阳极(即像素电极)、OLED发光器件及阴极。OLED的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体为在一定的电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入迁移至OLED发光器件，并在其中复合形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射驰豫而发出可见光。

每一个子像素是通过阵列基板中的薄膜晶体管控制发光或不发光，每一个子像素对应一个阳极，阴极是整面覆盖于像素定义层，以为OLED发光器件提供电子。研究发现，OLED显示面板的阳极和阴极之间的间距很小，通常为几百纳米。正如背景技术所述，显示面板生产过程中不可避免存在着灰尘异物污染着显示面板的表面或者内部，使得显示面板品质下降。当工艺制程中进入一些微小异物，很容易造成阳极和阴极的短路，从而导致该整个子像素处于暗态，即造成OLED面板上的暗点，影响显示品质，造成良率大幅降低。

容易理解，当子像素中掉落有异物造成阳极与阴极短路，从而形成暗点。为了修复该子像素，就需要把子像素掉落有异物的部分切割分离，使得该子像素的其它部分可正常发光。但是，子像素区域存在薄膜晶体管、电容以及走线等。因此，用激光切割子像素时，容易造成对薄膜晶体管、电容以及走线等结构造成损坏，增加了出现其它不良的风险，且受限于光学图像识别的精确性，仍然无法有效避免上述缺陷的发生。

为解决上述问题，本申请提供了一种显示面板，能够较佳地解决上述问题。

在对本申请进行详细说明之前，首先对本申请中的一些内容进行解释，以便于更清楚地理解本实用新型的技术方案。

阵列基板：即TFT(Thin-film transistor，薄膜晶体管)阵列基板，是在衬底上至少形成薄膜晶体管阵列得到。该衬底可为刚性衬底(例如，玻璃基板)，也可为柔性衬底(例如，PI材料形成的衬底)，在此不作限定。

阵列基板具有多个子像素区域，例如，一些实施例中，阵列基板具有发射红光的第一子像素区域、发射蓝光的第二子像素区域，以及发射绿光的第三子像素区域，一组的第一子像素区域、第二子像素区域及第三子像素区域可构成一个像素区域。可以理解的是，在其它一些实施例中，每个显示区域亦可包括其它子像素区域，在此不作限定，例如还可包括发射白光的第四子像素。

图1示出了本申请一实施例中显示面板的剖面图。图2示出了图1所示的显示面板的一个子像素区域的俯视图。为便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分。

请参阅图1及图2所示，本申请一实施例中的显示面板10，包括衬底11、薄膜晶体管12、钝化层13、像素电极14及子像素15。

薄膜晶体管12设于衬底11上。钝化层13设于薄膜晶体管12上，且该钝化层13被构造为具体暴露薄膜晶体管12的漏极的接触孔。像素电极14设于钝化层13上，像素电极14包括彼此隔离的多个子电极141(即两个或两个以上)，多个子电极141通过同一接触孔131与薄膜晶体管12的漏极121连接。子像素15设于像素电极14的多个子电极141上。

上述显示面板，像素电极14的多个子电极141均通过同一接触孔131连接于薄膜晶体管12的漏极121，薄膜晶体管12控制设置于该像素电极14上的子像素15发光或不发光。当有异物100(见图2)掉落于子像素15，导致像素电极14中对应的一个子电极141与阴极短路，即像素电极14与阴极短路(由于一个像素电极14的多个子电极141均连接于同一接触孔131)，造成该子像素15不能发光，形成暗点。只需要切断对应于异物的子电极141与接触孔131之间的连接(例如，可通过激光切断走线的方式，实现切断子电极141与接触孔131之间的连接)，即可使得该子电极141与其它子电极141和漏极121断开，从而消除像素电极14与阴极的短路，进而使得子像素15具有异物以外的区域能够正常发光，降低了暗点发生率，提高了显示品质及良率。

需要说明的是，子电极141可通过连接走线d(见图2)延伸至接触孔131，进而电连接于薄膜晶体管12的漏极121。如此，当异物导致其中一个子电极141与阴极短路而使得整个子像素15不能发光，形成暗点时，可通过激光切断对应的连接走线d，使得该子电极141与其它子电极141及漏极121断开。因此，其它子电极141对应的子像素区域(即子像素15具有异物以外的区域)能够正常发光，消除了该暗点。

需要说明的是，像素电极14的多个子电极141也可通过同一接触孔131与薄膜晶体管12的源极连接。此时，钝化层13的接触孔131用于暴露薄膜晶体管12的源极。

需要说明的是，一些实施例中，像素电极14(即阳极)可以为透明电极、半透明电极或反射电极。例如，像素电极14可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)或锌铝氧化物(AZO)中的至少一种。另一些实施例中，像素电极14亦可为Ag、Al、Pt、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物形成的反射膜和形成反射膜上的透射电极层，透射电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)或锌铝氧化物(AZO)中的至少一种。相对像素电极14设置的阴极18可以是透射电极，例如可采用银、锂、镁、钙、锶、铝、铟等功率函数较低的金属，亦或为金属化合物或合金材料制成。当工艺制程中进入一些例如灰尘等的微小异物，有机发光层被破坏使子像素15的阴极18和阳极(即像素电极14)出现短路烧伤的现象，从而导致该子像素15不能发光出现暗点等缺陷。

需要说明的是，每一子像素15设于对应的一个子像素区域内，并与像素电极14电连接，以由驱动电路(即薄膜晶体管12)驱动每个子像素15显示。

本申请的实施例中，每一子像素15包括多个彼此绝缘隔离的孙像素151。每一子像素15的多个孙像素151与每一像素电极14的多个子电极141一一对应。每一孙像素151设于对应的一个子电极141上。例如，每一像素电极14包括两个子电极141，该两个子电极141彼此对称的排布于子像素区域。每一子像素15也包括两个孙像素151，两个孙像素151分别设于两个子电极141上。

容易理解的是，当异物100掉落于其中一个孙像素151内，该孙像素151的有机发光层被破坏使得该孙像素151下方的子电极141与该孙像素151上方的阴极18发生短路现象，导致整个子像素15不能发光。此时，仅需将该子电极141与接触孔131之间的连接切断，使该子电极141与其它的子电极141断开，掉落有异物100的孙像素151不能发光，而其它的孙像素151则能正常发光。在图2所示的实施例中，异物100掉落于左侧的孙像素151内，该左侧孙像素151的有机发光层被破坏使得左侧的子电极141与阴极18出现短路现象，导致整个子像素15不能发光。此时，仅需将该左侧子电极141与接触孔131之间的连接走线切断，使该左侧子电极141与其它的子电极141及漏极121断开，左侧孙像素151不能发光，而右侧孙像素151则能正常发光。

如此，子像素15的发光能力不会受到影响，进而使每一像素单元的发光能力也不会受到影响，可以将灰尘等微小异物对子像素15和像素单元的发光能力的影响趋于最小化，从而提高了显示品质及良率。

每一孙像素151至少包括有机发光层，有机发光层可以由低分子有机材料或聚合物有机材料形成。一些实施例中，孙像素151还可以包括诸如空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层的功能膜层。具体到实施例中，空穴注入层的材质可为自由基发光材料，以使空穴注入层与子电极141、空穴传输层之间具有较佳的能级匹配，有效提高空穴注入能力，进一步提高有机电致发光显示面板的性能。当然，该空穴注入层的材质包括但不限于自由基发光材料，例如，HAT-CN。电子注入层的材料可采用氟化锂、氧化锂、氧化锂硼、硅酸钾、碳酸铯，以及金属醋酸盐类。

一些实施例中，显示面板还包括至少一个绝缘墙17，每一绝缘墙17包括设于相邻两个子电极141之间钝化层13上的第一绝缘部171，以将每一像素电极14的多个子电极141分隔开来且相互绝缘。也就是说，每一像素电极14的多个子电极141被对应的绝缘墙17的第一绝缘部171分隔开来且相互绝缘。如此，保证了每一像素电极14的多个子电极141彼此之间隔离，当为了消除异物造成的暗点现象而切断其中一个子电极141与接触孔131的连接时，该子电极141与其它的子电极141以及漏极121断开(即绝缘)，以保证其它子电极141对应的孙像素151能够正常发光。

具体到实施例中，每一绝缘墙17还包括设于第一绝缘部171上的第二绝缘部172，且每一第二绝缘部172位于相邻两个孙像素151之间，以将每一子像素15的多个孙像素151分隔开来且相互绝缘。也就是说，每一子像素15的多个孙像素151被对应的绝缘墙17的第二绝缘部172分隔开来且相互绝缘。应当理解的是，每一子像素15中的孙像素151发射同一种颜色的光，绝缘墙17设于钝化层13和阴极18之间，从而可以将像素电极14分隔为多个子电极141，将子像素15分隔为多个孙像素151。还应当理解的是，绝缘墙17可以起到绝缘间隔作用，作为一种实施方式，该绝缘墙17为有机材料绝缘墙17，具体地，有机材料示例地包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、苯丙环丁烯、亚克力树脂、有机硅、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或酚醛树脂等有机材料中的至少一种。

一些实施例中，显示面板10还包括位于像素电极14上的像素定义层16，像素定义层16具有多个子像素开口，绝缘墙17的第二绝缘部172将每个子像素开口分隔成多个孙像素开口，以使每一所述孙像素开口暴露对应的一个子电极141的至少部分，且孙像素151设于每个孙像素开口内。具体地，像素定义层16形成于钝化层13上，且暴露像素电极14的部分，例如，像素定义层16包裹于像素电极14的侧面及部分上表面，从而将像素电极14的每个子电极141的上表面的部分暴露出来，以使孙像素151的有机发光层与对应的子电极141相接触而实现电连接。示例地，像素定义层16为有机材料层，例如，像素定义层16包含有聚酰亚胺、聚酰胺、苯丙环丁烯、亚克力树脂、有机硅、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或酚醛树脂等有机材料中的至少一种。

每一个孙像素开口区域定义为一个孙像素151，即每个孙像素开口中设置一个发光单元，位于同一个子像素开口中的多个发光单元发出相同颜色的光线。可选地，每个子像素开口的形状可为矩形，绝缘墙17的第二绝缘部172将子像素开口分隔为左右两部分，每个孙像素开口的形状也为矩形。可以理解，当孙像素151的有机发光层受到异物污染时，为保证不会影响子像素15的发光性能，作为一种优选的实施方式，同一子像素开口内的孙像素开口的形状、尺寸一致。进一步地，多个子像素开口的所有孙像素开口形状、尺寸均可以一致，如此，进一步地保证孙像素151损坏不会影响子像素15的发光性能。

可以理解的是，子像素开口的形状及孙像素开口的形状还可以为其他，例如，同一子像素开口中的孙像素开口的形状还可以为圆形、三角形、椭圆形等。同理，同一子像素开口中的孙像素开口的形状、尺寸亦可不同，在此不作限定。

一些实施例中，在背离衬底11的方向上第二绝缘部172依次具有平行于衬底11的第一横截面a和第二横截面b，第一横截面a在衬底11上的正投影位于第二横截面b在衬底11上的正投影范围内。容易理解，由于第二绝缘部172为立体结构，在其平行于衬底11的截面上(也即横截面)，不同高度位置处可能具有不同的宽度，但是不同高度(背离衬底11的距离不同)的横截面在衬底11上的投影的宽度和面积是唯一的。第一横截面a在衬底11上的正投影位于第二横截面b在衬底11上的正投影范围内，也即第二横截面b覆盖第一横截面a，第二横截面b的面积大于第一横截面a的面积。如此，在背离衬底11的方向上，第二绝缘部172的至少部分具有宽度逐渐增加的趋势或者具有台阶，通过蒸镀源向孙像素开口中垂直向下蒸镀有机发光材料的过程中，蒸镀的有机发光材料会附着于孙像素开口区域中，以及会附着到第二绝缘部172背离衬底11的一侧。由于第二绝缘部172的至少部分具有宽度逐渐增加的趋势或者具有台阶，使自上而下蒸镀的有机发光材料无法大概率或者无法连续地附着于第二绝缘部172的侧壁上，从而保证第二绝缘部172将多个孙像素151绝缘隔离开。

图3示出了另一实施例中显示面板的剖面结构示意图。图4示出了又一实施例中显示面板的剖面结构示意图。为便于描述，附图仅示出了与本申请相关的结构。

示例地，如图1所示，一些实施例中，第二绝缘部172的延伸方向平行于衬底11，第二绝缘部172在垂直于衬底11且垂直于第二绝缘部172的延伸方向上的截面形状为倒梯形。如图3所示，在另一些实施例中，在垂直于第二绝缘部172的延伸方向，且垂直于衬底11的方向第二绝缘部172的截面形状为圆形或圆台形。如图4所示，在又一些实施例中，第二绝缘部172具有多层，至少两相邻层间形成有台阶，形成台阶且位于上层的膜层的底表面的宽度，大于形成台阶且位于下层的膜层的顶表面的宽度。上述的一些实施例中，在垂直且背离衬底11的方向上，第二绝缘部172均具有面积相异的第一横截面a和第二横截面b，且第一横截面a的面积大于第二横截面b的面积。因此，自上而下蒸镀的有机发光材料无法大概率或无法连续地附着于第二绝缘部172的侧壁上，从而保证第二绝缘部172将多个孙像素151绝缘隔离开。

一些实施例中，绝缘墙17与像素定义层16处于同一层。具体地，绝缘墙17与像素定义层16的材料可以相同，例如，绝缘墙17和像素定义层16均为聚酰亚胺、聚酰胺、苯丙环丁烯、亚克力树脂、有机硅、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或酚醛树脂等有机材料中的至少一种。如此，简化了工艺，便于加工。

可以理解，在另一些实施例中，绝缘墙17与像素定义层16的材料可相异，在此不作限定。

本申请一实施例中还提供了一种显示面板的制作方法，包括：

步骤S110：提供一衬底11；

以柔性显示面板为例，衬底11形成于承载基板上。衬底11可选地为有机聚合物、氮化硅及氧化硅形成，例如，有机聚合物可以为聚酰亚胺基板、聚酰胺基板、聚碳酸酯基板、聚苯醚砜基板等中的一种。在一些实施例中，衬底11可通过在承载基板上涂覆聚酰亚胺胶液，之后对聚酰亚胺进行固化得到。以刚性显示面板为例，衬底11还可以是玻璃基板。

步骤S120：在衬底11上形成薄膜晶体管12阵列；

薄膜晶体管可以控制每个子像素的发光。薄膜晶体管可以包括半导体层、栅极、源极和漏极。半导体层可以由非晶硅层、金属氧化物或多晶硅层形成，或者可以由有机半导体材料形成。一些实施例中，半导体层包括沟道区和掺杂有掺杂剂的源区和漏区。

可以利用栅极绝缘层覆盖半导体层，栅极可以设置在栅极绝缘层上。大体上，栅极绝缘层可以覆盖衬底11的整个表面。另一些实施例中，可以通过图案化形成栅极绝缘层。考虑到与相邻层的粘合、堆叠的可成形性和表面平整性，栅极绝缘层可以由氧化硅、氮化硅或其它绝缘有机或无机材料形成。栅电极可以被由氧化硅、氮化硅和/或其它合适的绝缘有机或无机材料形成的层间绝缘层覆盖。

步骤S130：在薄膜晶体管12阵列上形成钝化层13。去除钝化层13的一部分，以形成用于暴露薄膜晶体管12的漏极121的接触孔131；

步骤S140：在钝化层13上形成像素电极14；

具体地，像素电极14为多个，且呈阵列排布。当然，每个像素电极14均包括多个子电极141，每个像素电极14的多个子电极141均通过接触孔131与对应的一个薄膜晶体管12的漏极121连接；

像素电极14可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)或锌铝氧化物(AZO)中的至少一种。

步骤S150：在像素电极14上形成像素定义层16，以形成多个子像素开口，并形成至少一个隔离墙。每一隔离墙包括形成于钝化层13上的第一绝缘部171以及形成于第一绝缘部171上的第二绝缘部172。并且，第一绝缘部171位于每一像素电极14的相邻两个子电极141之间，用于将每一像素电极14的多个子电极141彼此分隔开来。第二绝缘部172位于每一子像素15的相邻两个孙像素151之间，用于将每一子像素15的多个孙像素151彼此分隔开来；

一些实施方式中，像素定义层16可以整层形成于钝化层13上，并覆盖像素电极14，然后采用刻蚀工艺刻蚀出多个子像素开口，并同时刻蚀出将子像素开口分隔为多个孙像素开口的绝缘墙17(包括第一绝缘部及第二绝缘部)。

另一些实施方式中，可以先在衬底11上形成像素定义层16，像素定义层16具有多个子像素开口，像素定义层16包裹于像素电极14的侧面，从而将像素电极14的上表面暴露出来。然后利用电纺丝工艺或梯度浓度工艺制成前述的绝缘墙17，以将子像素开口分隔成多个孙像素开口。

应当理解的是，采用电纺丝工艺可以形成在垂直于绝缘墙17的延伸方向，且垂直于衬底11的方向绝缘墙17的第二绝缘部172的截面形状为圆形。采用梯度浓度工艺可以形成例如在垂直于绝缘墙17的延伸方向，且垂直于衬底11的方向绝缘墙17的第二绝缘部172的截面形状为倒梯形。还应当理解的是，亦可将像素定义层16和绝缘墙17分为多层制作，在制作中采用光刻工艺制作形成具有倒梯形或具有台阶的第二绝缘部172，在此不作限定。

可以理解，电纺丝工艺和梯度浓度工艺为本领域技术人员所习知的技术，故不在此赘述其具体原理。

步骤S160：在孙像素开口内形成有机发光层；

具体地，形成在子像素开口内的各有机发光层被对应的绝缘墙17的第二绝缘部172分隔开来且相互绝缘，每个位于孙像素开口内的有机发光层构成一个孙像素151。

步骤170：在像素定义层16上形成阴极18；

具体地，阴极18可整面覆盖于像素定义层16上，以与有机发光层的上表面电连接。

基于上述的显示面板10，本申请的实施例还提供一种显示装置，一些实施例中，该显示装置可为显示终端，例如平板电脑，在另一些实施例中，该显示装置亦可为移动通信终端，例如手机终端。

一些实施例中，该显示装置包括显示面板10及控制单元，该控制单元用于向显示面板10传输显示信号。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

设于衬底上的薄膜晶体管；

钝化层，设于所述薄膜晶体管上，且被构造为具有暴露所述薄膜晶体管的漏极的接触孔；

像素电极，设于所述钝化层上，所述像素电极包括彼此隔离的多个子电极，所述像素电极的多个所述子电极通过同一所述接触孔与所述薄膜晶体管的漏极连接；

子像素，设于所述像素电极的所述多个子电极上。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素包括彼此绝缘隔离的多个孙像素，多个所述孙像素与多个所述子电极一一对应，每一所述孙像素设于对应的一个所述子电极上。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括至少一个绝缘墙，每一所述绝缘墙包括设于相邻两个所述子电极之间所述钝化层上的第一绝缘部，以将所述像素电极的多个所述子电极分隔开来且相互绝缘。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，每一所述绝缘墙还包括设于所述第一绝缘部上的第二绝缘部，且每一所述第二绝缘部位于所述相邻两个所述孙像素之间，以将所述子像素的多个孙像素分隔开来且相互绝缘。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述像素电极上的像素定义层；

所述像素定义层具有多个子像素开口，所述第二绝缘部将每个所述子像素开口分隔成多个孙像素开口，且每一所述孙像素开口暴露对应的一个所述子电极的至少部分。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，每一所述子像素开口中的所述孙像素开口的形状、尺寸相同。

7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在背离所述衬底的方向上，所述第二绝缘部依次具有平行于所述衬底的第一横截面和第二横截面；

所述第一横截面在所述衬底上的正投影位于所述第二横截面在所述衬底上的正投影范围内。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二绝缘部在垂直于所述衬底且垂直于所述第二绝缘部的延伸方向上的截面形状为倒梯形；

其中，所述第二绝缘部的延伸方向平行于所述衬底。

9.根据权利要求3～8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘墙与所述像素定义层的材料相同；或

所述绝缘墙与所述像素定义层的材料相异。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的显示面板。