CN207427712U - 一种透明电磁屏蔽薄膜 - Google Patents
一种透明电磁屏蔽薄膜 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207427712U CN207427712U CN201720822832.0U CN201720822832U CN207427712U CN 207427712 U CN207427712 U CN 207427712U CN 201720822832 U CN201720822832 U CN 201720822832U CN 207427712 U CN207427712 U CN 207427712U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive layer
- film
- electromagnetic wave
- wave shield
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种透明电磁屏蔽薄膜,一种透明电磁屏蔽薄膜,包括基材、导电层、离型膜,该基材的上表面与导电层贴合,该离型膜位于该导电层远离该基材的一侧上,该导电层靠近基材的一侧上设置有接地端,该导电层经由该接地端接地。本实用新型的透明电磁屏蔽薄膜,具有较好的透光性、屏蔽效果明显,且可根据需要冲切外形使用,操作简单、方便,只需将屏蔽薄膜贴在设备的机壳上并有效的接地。
Description
技术领域
本实用新型属于电磁屏蔽技术领域,具体涉及一种具有电磁屏蔽能力的透明电磁屏蔽薄膜。
背景技术
随着电子科技的高速发展,电子设备越来越精密,应用也越来越广泛。计算机、电视、智能家居、移动电话、通信基站、广播发射系统、输变电设备、高压及超高压输电线、地铁列车及电气火车、大型电力发电站、雷达系统、射频感应及介质加热设备、射频及微波医疗设备、电加工设备等电器和系统都产生各种形式、不同频率、不同强度的电磁辐射,这种看不见、摸不着的电磁污染源日益受到各界的关注,被人们称为“隐形杀手”,已成为继水污染、大气污染、噪声污染之后当今人们生活中的第四大污染。
电磁屏蔽薄膜是一种具有一定屏蔽性能又具有一定透光性的薄膜,当电磁波辐射到屏蔽薄膜表面时,它会改变电磁波的传输方向,有效阻断无线电波、红外、紫外等各种电磁波的传播,从而能成功阻断信息泄露、防止电子及电磁辐射的干扰,确保电子设备正常工作。目前电子设备常用的电磁屏蔽装置主要是采用金属腔体添加到相应设备上,或将电子设备安装在电磁屏蔽的屋子里面。这种做法比较笨重,且屏蔽装置制作复杂,生产成本高。同时也不能满足可视化的电子设备,如计算机显示器、仪器仪表的显示器等电子产品对屏蔽装置的使用要求,这类的可视化电子设备需要可以屏蔽电磁波又可以满足透光的需求的透明电磁屏蔽薄膜。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种透明电磁屏蔽薄膜,其具有优良的透明性、屏蔽性能以及良好的加工性能,操作简单,只需将屏蔽薄膜贴在设备的机壳上并有效的接地即可。
为实现上述目的,本实用新型通过如下技术方案实现:一种透明电磁薄膜,包括基材、导电层、离型膜,该基材的上表面与导电层贴合,该离型膜位于该导电层远离该基材的一侧上,该导电层靠近基材的一侧上设置有接地端,该导电层经由该接地端接地。
进一步地,该导电层靠近该离型膜的一侧上设置一导电层保护膜,该导电层保护膜远离该导电层的一侧通过一粘接层与离型膜粘接。
进一步地,该导电层的尺寸与导电层保护膜的尺寸相同,且该导电层的尺寸大于该基材及该离型膜的尺寸。
进一步地,该接地端位于该导电层的裙边上。
进一步地,该接地端与该导电层为一体成型形成。
进一步地,该导电层的厚度为10nm~50um。
进一步地,该导电层为由导电材料形成的导电网格,该导电网格的方阻为0.001欧姆/方块~50欧姆/方块,其宽度为100nm~30um。
进一步地,该导电网格的形状为长方形、正方形、菱形、六边形、多边形或不规则形状中的一种。
进一步地,该导电层的导电材料为铜、银、铝、镍或铁中的至少一种。
本实用新型的透明电磁薄膜结构简单,屏蔽效果好,成本低,加工、使用操作简单方便,只需将该电磁屏蔽薄膜贴在仪器设备的机壳上并有效接地。
附图说明
图1为本实用新型的透明电磁薄膜第一实施例的结构示意图。
图2为本实用新型的透明电磁薄膜第二实施例的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对本实用新型的具体实施方式、结构、特征及功效详细说明如下。
图1为本实用新型的透明电磁薄膜第一实施例的结构示意图。请参图1,一种透明电磁薄膜10,包括基材101、导电层102、离型膜105。该导电层102覆盖在基材101上,该离型膜105位于该导电层102远离该基材101的一侧上,该导电层102靠近基材101的一侧上设置有接地端106,该导电层102经由该接地端106接地。
该导电层102靠近该离型膜105的一侧上设置一导电层保护膜103,该导电层保护膜103远离该导电层102的一侧通过一粘接层104与离型膜105粘接。该导电层102的尺寸与导电层保护膜103的尺寸相同,且该导电层102的尺寸比该基材101和离型膜105的尺寸要大。
其中,该导电层102由导电材料形成的导电网格组成,该导电层102的厚度为10nm~50um,该导电网格的方阻为0.001欧姆/方块~50欧姆/方块,其宽度为100nm~30um。其中,该导电网格的形状可为长方形、正方形、菱形、六边形、多边形或不规则形状中的一种。具体地,该导电层102的导电材料为铜、银、铝、镍或铁中的至少一种。
其中,该接地端106设置在导电层102靠近基材101的一侧且位于该导电层102的裙边上。该接地端106可以单独焊接或印刷与导电层102一样的设计图案,也可选择相同的导电材料,或采用不同的导电材料。优选地,接地端106与导电层102为一体成型形成,并采用相同的导电材料。
其中,粘接层104所用粘接剂为透明粘接剂,其材料为透明光学胶。
本实用新型的透明屏蔽薄膜,具有较好的透光性、屏蔽效果明显,且可根据需要冲切外形使用,操作简单、方便,只需将电磁屏蔽薄膜贴在仪器设备的机壳上并有效的接地。
图2为本实用新型的透明电磁薄膜第二实施例的结构示意图。一种透明屏蔽薄膜20,如图2所示,包括第一导电层201、第二导电层202、第三导电层203、离型膜204、粘接层205、基材206、接地端207。
该第一导电层201、第二导电层202、第三导电层203从上往下依次设置,该第二导电层202设置在该第一导电层201与第三导电层203中间,该第三导电层203覆盖在基材206上,第一导电层201通过粘接层205与离型膜204粘接,离型膜204与基材206分别设置在导电层的两侧。该透明屏蔽薄膜20经由该接地端207接地。
第一导电层201、第二导电层202、第三导电层203的尺寸一样,且第一导电层201、第二导电层202、第三导电层203的尺寸大于该基材206及离型膜204的尺寸。其中,该接地端207设置在该第三导电层203靠近基材206一侧,且位于该第三导电层203的裙边上。该接地端207可以单独焊接或印刷与第三导电层203一样的设计图案,也可选择相同的导电材料,或采用不同的导电材料。优选地,接地端207与第三导电层203为一体成型形成,并采用相同的导电材料。
其中,第一导电层201为纳米压印涂布的导电材料,第二导电层202及第三导电层203均为电铸上去的导电材料。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本实用新型,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (8)
1.一种透明电磁屏蔽薄膜,其特征在于,包括基材、导电层、离型膜,该基材的上表面与导电层贴合,该离型膜位于该导电层远离该基材的一侧上,该导电层靠近基材的一侧上设置有接地端,该导电层经由该接地端接地。
2.如权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜,其特征在于:该导电层靠近该离型膜的一侧上设置一导电层保护膜,该导电层保护膜远离该导电层的一侧通过一粘接层与离型膜粘接。
3.如权利要求2所述的透明电磁屏蔽薄膜,其特征在于:该导电层的尺寸与导电层保护膜的尺寸相同,且该导电层的尺寸大于该基材及该离型膜的尺寸。
4.如权利要求3所述的透明电磁屏蔽薄膜,其特征在于:该接地端位于该导电层的裙边上。
5.如权利要求4所述的透明电磁屏蔽薄膜,其特征在于:该接地端与该导电层为一体成型形成。
6.如权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜,其特征在于:该导电层的厚度为10nm~50um。
7.如权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜,其特征在于:该导电层为由导电材料形成的导电网格,该导电网格的方阻为0.001欧姆/方块~50欧姆/方块,其宽度为100nm~30um。
8.如权利要求7所述的透明电磁屏蔽薄膜,其特征在于:该导电网格的形状为长方形、正方形、菱形或六边形中的一种。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720822832.0U CN207427712U (zh) | 2017-07-07 | 2017-07-07 | 一种透明电磁屏蔽薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720822832.0U CN207427712U (zh) | 2017-07-07 | 2017-07-07 | 一种透明电磁屏蔽薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN207427712U true CN207427712U (zh) | 2018-05-29 |
Family
ID=62398109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201720822832.0U Active CN207427712U (zh) | 2017-07-07 | 2017-07-07 | 一种透明电磁屏蔽薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN207427712U (zh) |
-
2017
- 2017-07-07 CN CN201720822832.0U patent/CN207427712U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN204905440U (zh) | 天线装置以及电子设备 | |
CN106847590B (zh) | 一种薄膜按键开关及薄膜按键面板的制作方法 | |
CN103345317B (zh) | 触摸屏 | |
CN104981347A (zh) | 一种屏蔽膜、屏蔽电路板及终端设备 | |
CN205266129U (zh) | 一种pcb电磁屏蔽盒 | |
CN106686965A (zh) | 双层高效电磁屏蔽膜及其制造方法 | |
KR20150135981A (ko) | 투명 전자파 차폐필름과 그 제조방법 | |
CN207427712U (zh) | 一种透明电磁屏蔽薄膜 | |
CN204178353U (zh) | 窄边框gff电容屏 | |
CN104582457A (zh) | 一种电磁屏蔽玻璃 | |
CN203786696U (zh) | 防静电触控面板 | |
CN206666440U (zh) | 一种具有屏蔽功能的胶带 | |
CN103092447A (zh) | 图形化电路结构、其制备方法及应用 | |
CN207382791U (zh) | 服务器和防电磁泄露装置 | |
CN110808449A (zh) | 用于幕墙的透光天线制作方法、透光幕墙 | |
CN210016831U (zh) | 一种电加热电磁屏蔽玻璃 | |
CN205856382U (zh) | 一种导电布胶带 | |
CN210840545U (zh) | 一种具有散热导电功能的吸波屏蔽膜 | |
CN212194595U (zh) | 一种电磁屏蔽透明薄膜 | |
CN205255642U (zh) | 一种新型绝缘屏蔽材料 | |
CN209330529U (zh) | 一种电磁屏蔽膜 | |
CN208985132U (zh) | 一种触控感应器及一种触控显示面板 | |
CN207925661U (zh) | 一种金属边框天线 | |
CN205856383U (zh) | 稳定性好的双面导电布胶带 | |
CN205430774U (zh) | 一种银浆孔化的印刷线路板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 215026 No. 478 South Street, Suzhou Industrial Park, Jiangsu, Suzhou Patentee after: Suzhou Weiyeda Technology Co.,Ltd. Patentee after: SOOCHOW University Address before: 215026 No. 478 South Street, Suzhou Industrial Park, Jiangsu, Suzhou Patentee before: IVTOUCH Co.,Ltd. Patentee before: SOOCHOW University |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |