CN205080695U - 一种高灵敏度单腔体非晶声磁传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器包括狭长的盒体和磁性偏置片，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒体相匹配的盒盖，所述磁性偏置片与所述盒盖相连，所述盒盖与所述盒体底部相连使得所述磁性偏置片位于所述盒体的腔体内，所述磁性偏置片为复合半硬磁偏置片，所述盒体的腔体内设有非晶共振片，所述非晶共振片的横断面呈弧形，所述非晶共振片的弧形外侧与所述磁性偏置片相对。本实用新型采用复合半硬磁作为磁性偏置片，可以直接设置在含有非晶共振片的腔体内。将复合半硬磁与盒盖粘结在一起，不仅不会阻碍非晶共振片的共振，还能够使共振频率稳定，增加非晶声磁传感器的灵敏度。

Description

一种高灵敏度单腔体非晶声磁传感器

技术领域

本实用新型涉及一种声磁传感器，具体涉及一种高灵敏度单腔体非晶声磁传感器。

背景技术

非晶声磁传感器作为EAS领域的重点产品，目前被广泛应用于物流、仓储系统，工厂和零售等领域的监控和防盗。随着经济全球化和国际贸易的快速发展，非晶声磁传感器被持续应用到更为广泛的领域中。声磁传感器必须含有一个或多个铁磁性磁致伸缩材料即非晶共振片和一个可提供偏置磁场偏置片。当非晶共振片在偏磁场下受到交变磁场的激励时，由于磁致伸缩效应与压磁效应，共振片产生磁能与机械能之间的交替转换，例如当激励信号频率为58KHz时，声磁传感器产生共振便触发报警器报警声磁传感器通常由盒体、盖膜、共振片和偏置片组成，现在广泛使用的声磁传感器中偏置片由盖膜与双面胶固定在盒体底部，而共振片则置于盒体的空腔中，共振片与偏置片之间由一层盖膜隔开。

互联网的快速发展为面向零售市场防盗用的非晶声磁传感器与面向数字标记的RFID封装一体化带来了发展契机。这致使声磁传感器必须小型化、集成化，单腔体非晶声磁传感器将是下一轮产品升级的重点。例如，公布号为CN102930683B的中国专利《一种多片共振片的窄型声磁防盗标签》，以及公布号为CN201838126U的中国专利《一种声磁防盗标签》公开了单腔体声磁防盗标签，但两者均未对非晶共振片和偏置磁片之间的关系进行阐述。将非晶共振片与偏置磁片放在一个腔体内，共振片与偏置磁片之间存在的磁吸现象将导致标签振动阻尼增大，使共振信号减弱，将导致标签无法工作。另外，偏置磁片在腔体内处于自由移动状态，将导致标签振动频率不稳定，偏离激励磁场的振动频率，灵敏度显著下降，甚至不能工作。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供了一种高灵敏度单腔体非晶声磁传感器。

为实现上述目的，所采取的技术方案：一种高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器包括狭长的盒体和磁性偏置片，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒体相匹配的盒盖，所述磁性偏置片与所述盒盖相连，所述盒盖与所述盒体底部相连使得所述磁性偏置片位于所述盒体的腔体内，所述磁性偏置片为复合半硬磁偏置片，所述盒体的腔体内设有非晶共振片，所述非晶共振片的横断面呈弧形，所述非晶共振片的弧形外侧与所述磁性偏置片相对。

作为一种优选的方案，所述非晶共振片为1～4片，所述非晶共振片的宽度为4～12mm，所述非晶共振片的长度为35～40mm，所述非晶共振片的厚度为20～30μm。更优选地，所述非晶共振片为2片。

作为一种优选的方案，所述磁性偏置片的宽度为3.5～12mm，所述磁性偏置片的长度为25～40mm，所述磁性偏置片的厚度为60～80μm。

作为一种优选的方案，所述磁性偏置片为长方体形，所述非晶共振片和所述磁性偏置片呈层状排列。

作为一种优选的方案，所述磁性偏置片与所述盒体的腔体通过粘结方式连接。

作为一种优选的方案，所述非晶共振片为FeNiMoB基非晶合金；所述复合半硬磁偏置片为FeNiAlTi基合金。

作为一种优选的方案，所述盒体的腔体宽度为5～13mm，所述盒体的腔体长度为36～45mm；所述盒体的宽度为10～14mm，所述盒体的长度为40～50mm。本实用新型所述腔体的宽度大于非晶共振片和磁性偏置片的宽度，腔体的长度大于非晶共振片和磁性偏置片的长度；本实用新型所述盒体的宽度大于腔体的宽度，本实用新型所述盒体的长度大于腔体的长度；腔体的高度由所加非晶共振片和磁性偏置片的厚度决定。

作为一种优选的方案，所述盒体是由PS/PE复合膜材料制成的塑料壳体。

作为一种优选的方案，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒盖相匹配的盒盖，所述盒盖包含由PE/PET复合膜材料制成的封接层，所述封接层的PE面与所述盒体底部的PE面热封连接。

作为一种优选的方案，所述盒盖还包括覆盖在所述封接层的PET面上的双面胶层，所述双面胶层的另一面贴有离型纸。

本实用新型所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器的中心频率为58.0KHz，带宽为57.8～58.2KHz(0.4KHz)。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供了一种高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，本实用新型采用复合半硬磁作为磁性偏置片，复合半硬磁可有效降低与非晶共振片相邻时产生的磁吸力，进而有效降低非晶共振片的共振阻尼。采用复合半硬磁材料制备而成的非晶声磁传感器无需使用隔膜来限制半硬磁产生的磁吸力，可以直接设置在含有非晶共振片的腔体内，制造成单腔体非晶声磁传感器，可进一步提高生产效率、降低生产成本、压缩产品体积。另外，将复合半硬磁与盒盖粘结在一起，不仅不会阻碍非晶共振片的共振，还能够使共振频率稳定，增加非晶声磁传感器的灵敏度。本实用新型所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器相比于非晶共振片和半硬磁偏置磁片隔开的双腔型非晶声磁传感器更节省人力和物力，且使得非晶声磁传感器更薄，薄型非晶声磁传感器更加美观精巧，更受商家青睐。

附图说明

图1为本实用新型所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器的一种实施例的爆炸图；

图2为本实用新型所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器的一种实施例的横截面图。

具体实施方式

为更好的说明本实用新型的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。

实施例1

本实用新型所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器的一种实施例，如图1和图2所示，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器包括狭长的盒体1和磁性偏置片4，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒体1相匹配的盒盖5，所述磁性偏置片4与所述盒盖5通过粘结方式连接，所述盒盖5与所述盒体1底部相连使得所述磁性偏置片4位于所述盒体1的腔体2内，所述磁性偏置片4为复合半硬磁偏置片，所述盒体1的腔体2内设有非晶共振片3，所述非晶共振片3的横断面呈弧形，所述非晶共振片3的弧形外侧与所述磁性偏置片4相对。

所述非晶共振片3为2片，所述非晶共振片3的宽度为4mm，所述非晶共振片3的长度为35mm，所述非晶共振片3的厚度为20μm。

所述磁性偏置片4的宽度为3.5mm，所述磁性偏置片4的长度为25mm，所述磁性偏置片4的厚度为60μm。

所述磁性偏置片4为长方体形，所述非晶共振片3和所述磁性偏置片4呈层状排列。

所述非晶共振片3为FeNiMoB基非晶合金；所述复合半硬磁偏置片为FeNiAlTi基合金。

所述盒体1的腔体2宽度为5mm，所述盒体1的腔体2长度为36mm；所述盒体1的宽度为10mm，所述盒体1的长度为40mm。

所述盒体1是由PS/PE复合膜材料制成的塑料壳体。

所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒体1相匹配的盒盖5，所述盒盖5包含由PE/PET复合膜材料制成的封接层，所述封接层的PE面与所述盒体底部的PE面热封连接。

所述盒盖5还包括覆盖在所述封接层的PET面上的双面胶层，所述双面胶层的另一面贴有离型纸。通过上述操作可以使得所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器具备粘性。

实施例2

本实用新型所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器的一种实施例，如图1和图2所示，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器包括狭长的盒体1和磁性偏置片4，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒体1相匹配的盒盖5，所述磁性偏置片4与所述盒盖5通过粘结方式连接，所述盒盖5与所述盒体1底部相连使得所述磁性偏置片4位于所述盒体1的腔体2内，所述磁性偏置片4为复合半硬磁偏置片，所述盒体1的腔体2内设有非晶共振片3，所述非晶共振片3的横断面呈弧形，所述非晶共振片3的弧形外侧与所述磁性偏置片4相对。

所述非晶共振片3为2片，所述非晶共振片3的宽度为12mm，所述非晶共振片3的长度为40mm，所述非晶共振片3的厚度为30μm。

所述磁性偏置片4的宽度为12mm，所述磁性偏置片4的长度为40mm，所述磁性偏置片4的厚度为80μm。

所述磁性偏置片4为长方体形，所述非晶共振片3和所述磁性偏置片4呈层状排列。

所述非晶共振片3为FeNiMoB基非晶合金；所述复合半硬磁偏置片为FeNiAlTi基合金。

所述盒体1的腔体2宽度为13mm，所述盒体1的腔体2长度为45mm；所述盒体1的宽度为14mm，所述盒体1的长度为50mm。

所述盒体1是由PS/PE复合膜材料制成的塑料壳体。

所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒体1相匹配的盒盖5，所述盒盖5包含由PE/PET复合膜材料制成的封接层，所述封接层的PE面与所述盒体底部的PE面热封连接。

实施例3

本实用新型所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器的一种实施例，如图1和图2所示，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器包括狭长的盒体1和磁性偏置片4，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒体1相匹配的盒盖5，所述磁性偏置片4与所述盒盖5通过粘结方式连接，所述盒盖5与所述盒体1底部相连使得所述磁性偏置片4位于所述盒体1的腔体2内，所述磁性偏置片4为复合半硬磁偏置片，所述盒体1的腔体2内设有非晶共振片3，所述非晶共振片3的横断面呈弧形，所述非晶共振片3的弧形外侧与所述磁性偏置片4相对。

所述非晶共振片3为2片，所述非晶共振片3的宽度为8mm，所述非晶共振片3的长度为37mm，所述非晶共振片3的厚度为25μm。

所述磁性偏置片4的宽度为8mm，所述磁性偏置片4的长度为37mm，所述磁性偏置片4的厚度为70μm。

所述磁性偏置片4为长方体形形，所述非晶共振片3和所述磁性偏置片4呈层状排列。

所述非晶共振片3为FeNiMoB基非晶合金；所述复合半硬磁偏置片为FeNiAlTi基合金。

所述盒体1的腔体2宽度为9mm，所述盒体1的腔体2长度为40mm；所述盒体1的宽度为12mm，所述盒体1的长度为45mm。

所述盒体1是由PS/PE复合膜材料制成的塑料壳体。

所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒体1相匹配的盒盖5，所述盒盖5包含由PE/PET复合膜材料制成的封接层，所述封接层的PE面与所述盒体底部的PE面热封连接。

所述盒盖5还包括覆盖在所述封接层的PET面上的双面胶层，所述双面胶层的另一面贴有离型纸。通过上述操作可以使得所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器具备粘性。

最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。

Claims (10)

1.一种高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器包括狭长的盒体和磁性偏置片，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒体相匹配的盒盖，所述磁性偏置片与所述盒盖相连，所述盒盖与所述盒体底部相连使得所述磁性偏置片位于所述盒体的腔体内，所述磁性偏置片为复合半硬磁偏置片，所述盒体的腔体内设有非晶共振片，所述非晶共振片的横断面呈弧形，所述非晶共振片的弧形外侧与所述磁性偏置片相对。

2.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述非晶共振片为1～4片，所述非晶共振片的宽度为4～12mm，所述非晶共振片的长度为35～40mm，所述非晶共振片的厚度为20～30μm。

3.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述磁性偏置片的宽度为3.5～12mm，所述磁性偏置片的长度为25～40mm，所述磁性偏置片的厚度为60～80μm。

4.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述磁性偏置片为长方体形，所述非晶共振片和所述磁性偏置片呈层状排列。

5.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述磁性偏置片与所述盒体的腔体通过粘结方式连接。

6.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述非晶共振片为FeNiMoB基非晶合金；所述复合半硬磁偏置片为FeNiAlTi基合金。

7.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述盒体的腔体宽度为5～13mm，所述盒体的腔体长度为36～45mm；所述盒体的宽度为10～14mm，所述盒体的长度为40～50mm。

8.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述盒体是由PS/PE复合膜材料制成的塑料壳体。

9.根据权利要求8所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述盒盖包含由PE/PET复合膜材料制成的封接层，所述封接层的PE面与所述盒体底部的PE面热封连接。

10.根据权利要求9所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述盒盖还包括覆盖在所述封接层的PET面上的双面胶层，所述双面胶层的另一面贴有离型纸。