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CN1894621A - 抗辐射退化的液晶单元 - Google Patents

抗辐射退化的液晶单元 Download PDF

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CN1894621A
CN1894621A CNA2004800372901A CN200480037290A CN1894621A CN 1894621 A CN1894621 A CN 1894621A CN A2004800372901 A CNA2004800372901 A CN A2004800372901A CN 200480037290 A CN200480037290 A CN 200480037290A CN 1894621 A CN1894621 A CN 1894621A
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CN
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liquid crystal
crystal material
optical element
electrode
crystal cells
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CNA2004800372901A
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查尔斯·D·霍克
彼得·R·洛博石
雷内·P·海尔兵
西村健
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Original Assignee
Agilent Technologies Inc
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Abstract

本发明的实施例涉及抗UV的液晶单元。本发明的一个实施例是增加在液晶单元内存储的液晶材料的容量。例如，可以利用沟槽来提供存储额外的液晶材料的贮液器(24、28)。本发明的另一个实施例在液晶单元中使用无机对准层(33)，而不是使用有机材料作为对准层。本发明的又一个实施例使用泵(91)来使液晶材料循环过液晶单元。本发明的液晶单元可以用作光刻成像系统(50)中的SLM(53)。

Description

抗辐射退化的液晶单元
相关申请交叉参考
本申请涉及题为“REAL TIME IMAGE RESIZING FOR DYNAMICDIGITAL PHOTOLITHOGRAPHY”[律师案卷No.10030518-1]、“SPATIAL LIGHT MODULATOR AND METHOD FOR PERFORMINGDYNAMIC PHOTOLITHOGRAPHY”[律师案卷No.10030571-1]和“DEFECT MITIGATION IN SPATIAL LIGHT MODULATOR USED FORDYNAMIC PHOTOLITHOGRAPHY”[律师案卷No.10031375-1]的同时提交并且共同转让的美国专利申请，这些申请的公开通过应用结合于此。
技术领域
本发明一般地涉及液晶单元，更具体地说，涉及抗辐射退化的液晶单元。
背景技术
通常使用光刻来生产微电子电路和电路板。一般的光刻系统利用紫外(UV)光来使用掩膜施加图案。图案化的UV光然后轰击到已用UV光敏感的光刻胶涂覆的衬底或电路板上。曝光到UV光的光刻胶产生化学变化，这种化学变化允许利用化学制品将曝光到UV光的光刻胶移除(但是不影响未曝光的光刻胶)，或者保护曝光到UV的光刻胶免受移除未曝光的光刻胶的化学制品影响。在任一情形中，光刻都允许掩膜上的图案被复制到衬底上。图案化的衬底然后被处理来生产微电子电路。
图1示出了一般的光刻系统10。系统10包括UV光源11。来自光源11的UV光通过照明系统12的光学元件提供给掩膜13。具有掩膜13的图案的UV光被投影系统14的光学元件引导到衬底15。在某些系统中，同时照明整个掩膜。在其他系统中，每次只照明一部分掩膜。在这些系统中，照明系统12、投影系统14和支撑衬底15和/或掩膜13的平台16中的一个或多个可以被移动来照明掩膜13的不同区域。
这种布置存在若干问题。一个问题在于生成最简单的微电子电路都需要许多掩膜。诸如处理器之类的复杂电路可能要求更多。因此，每次要形成不同的层时，就需要使用不同的掩膜。从而，许多掩膜必须被载入光刻机并从光刻机卸载。必须小心地搬运、存储和检查每块掩膜。任何污染或损坏都将导致有缺陷的产品。另一个问题在于一旦创建了掩膜，就不能改变它们。因此，简单的设计变化，即使比例变化也将要求创建一组新的掩膜。
在试图解决这些问题之前已使用了空间光调制器(SLM)来替换掩膜。由SLM形成的图像是动态的，因此，一个SLM可以替换所有的掩膜。SLM可以容易地改变来反映设计改变。这还解决了与搬运、存储和检查掩膜相关的问题。一类SLM是液晶SLM。然而，现有的液晶SLM不能用在光刻系统中，这是因为紫外光会导致液晶材料分解，从而使SLM无法使用。
发明内容
本发明的实施例涉及抗电磁或离子化辐射的液晶单元，所述辐射例如是具有100nm到400nm之间的波长的光，通称为UV辐射。然而，本发明的实施例可以与使液晶(LC)材料退化的其他波长或离子化辐射一起使用。本发明液晶单元可以用作替换光刻成像系统中光刻胶的空间光调制器(SLM)。LC单元的一个示例是硅上液晶(LCOS)单元。这些类型的液晶先前已用在其他光学技术中，例如用于投影系统的微显示设备；然而，试图将其用到在UV波长范围中的光时未成功。这些液晶单元中的材料一般是有机的，因此在暴露至UV光时会分解。先前的液晶单元可能随着液晶单元表面上的残渣沉积、或者离子物质(ionic species)的形成的增加而出现退化。这两种效果都最终导致液晶单元的电学或光学失效。取决于光源的强度，失效可能仅在数分钟内就发生。相反，本发明的液晶单元具有数千小时的寿命，从而使得LCOS单元器件能够与UV照明一起使用。
本发明的一个实施例是增加在液晶单元内存储的液晶材料的容量。本实施例的示例是在液晶单元的周围和/或在液晶单元的一个或多个有源元件周围提供沟槽。这些沟槽提供存储额外的液晶材料的贮液器。由于UV曝光所产生的污染物可以通过液晶材料扩散，所以本实施例可以工作。对本实施例的增强是在沟槽中放置电极，并且在电极之间施加DC电压。这些电极将吸引污染物的离子物质，从而使这些污染物从有源区迁移走然后进入沟槽。
本发明的另一个实施例使用无机层(例如，二氧化硅)作为液晶单元中的对准层，而不是使用有机材料作为对准层。无机层应当是透明的，并且/或者不吸收入射到该层上的光，例如UV光。在暴露至UV光时，有机层会快速分解。没有对准层，液晶单元工作很差。此外，来自分解的层的分解副产品或污染物还使液晶单元的工作退化。另一方面，无机对准层对于UV光谱中的光实质上是透明的，因此可以实现对液晶材料的必要的对准。
本发明的又一个实施例使用泵来使液晶材料循环通过液晶单元。泵或其他器件用来使液晶材料移过有源区。从而，退化的材料被从液晶单元移除，并且用新的或者退化较少的材料替换。对本实施例的增强是在液晶单元中包括微沟道来引导或促使液晶材料在特定方向和/或路径上流动。
注意，各种实施例可以与其他实施例组合使用。例如，液晶单元可以实现无机对准层实施例、以及沟槽实施例或流动的液晶单元实施例之一。另一种液晶单元可以同时实现沟槽实施例和流动的液晶单元实施例。在这种液晶单元中，沟槽可以充当贮液器以及流动沟道，以向低速移动的液晶材料“河流”提供路径。另一种液晶单元可以实现本发明的所有三种实施例。注意，本发明的实施例使液晶单元能够抗辐射退化，例如，电磁或离子化辐射。辐射的波长可以是紫外波长或另一种波长。注意，本发明的实施例可以用在使用液晶单元的任何情况，包括在光刻中使用的SLM。
附图说明
图1示出了使用掩膜的一般的现有技术光刻系统；
图2示出了根据本发明实施例的液晶单元的示例；
图3A和3B示出了根据本发明另一个实施例的液晶单元的另一个示例；
图4A和4B示出了根据本发明又一个实施例的液晶单元的又一个示例；
图5示出了根据本发明实施例在光刻系统中用作SLM的液晶单元的示例；以及
图6示出了根据本发明又一个实施例的液晶单元的又一个示例。
具体实施方式
图2示出了根据本发明实施例的液晶(LC)单元20的示例。该单元具有顶极板22和具有有源区23的衬底21。顶极板具有电极(未示出)。有源区23具有多个像素电极，该多个像素电极与顶极板电极一起用来产生开关液晶材料的电场。注意，为了简化，未示出液晶单元工作所需的具他层，例如，对准层、极化层、抗反射层、电介质层等。密封25将液晶材料28保持在顶极板22和衬底21之间。来自光源(未示出)的光27例如UV光轰击有源区23。在美国专利No.6,329,974中公开了液晶单元的一个示例，该专利的公开通过引用结合于此。
液晶单元还具有两个对准层(在图2中未示出)，一个接近顶极板，另一个接近有源区。对准层在没有外加场时对准液晶材料。基于顶极板电极和像素电极产生的外加场，液晶材料将改变其对准。从而，各种像素电极可以被激活，像素电极被激活又影响接近被激活的像素电极的液晶材料的对准，这又影响液晶单元的光学特性。
在本实施例中，额外的液晶流体被存储在一个或多个贮液器中的单元中。  (多个)贮液器减少了由于液晶材料暴露给辐射而产生的分解所导致的污染物在有源区上的累积。例如，如图2所示，一个或多个沟槽24作为贮液器绕液晶单元形成在衬底21中。另外，如图6所示，可以绕液晶单元的一个或多个有源元件62(例如，像素电极)形成沟槽61、63和64。沟槽61可以在一个方向上取向，或者沟槽63、64可以完全围绕有源元件。从而，(多个)沟槽可以完全包围有源区，或者可以仅部分地包围有源区。相对于液晶材料的分解量，这增加了液晶材料的总的容量。随着液晶材料被瓦解并且形成污染物，污染物通过液晶材料扩散。利用这种较大的容量，减小了污染物的浓度。
可以通过切割或蚀刻衬底来形成沟槽。在硅衬底的情形中，也可以利用诸如KOH之类的各向异性蚀刻剂来对衬底进行微机械加工。注意，沟槽可以位于被UV光照明的区域的外部。这保护了位于(多个)沟槽内的液晶材料免受由UV光引起的不必要的退化。
一般而言，顶极板22和衬底21之间的距离为数微米。作为示例，取决于LC单元的面积，200微米深1毫米宽的沟槽将使在液晶单元中存储的液晶材料的容量增加10-50倍。因此，如果UV光每小时使1微升退化，并且液晶单元通过使用贮液器存储1000微升，那么在需要替换和/或维修之前液晶单元可以持续1000小时。
通过从液晶材料中滤除瓦解污染物可以可选地增强本实施例。一种方法是使用具有施加到它们之间的DC电势的电极。一个或多个电极26a和26b位于液晶单元中，例如，位于一个或多个沟槽的底部中。液晶材料的瓦解可能导致该材料分解为离子物质，即，某些污染物具有正离子电荷，而其他的具有负离子电荷。这些污染物将被吸引到沟道底部的(多个)带电电极，从而从被照明的区域27迁移走。在图2所示的示例中，电极26a和电极26b可能具有施加到它们之间的电势。在另一个实施例中，两个电极26c和26d可能被置于沟槽中，并且具有施加在它们之间的电势。电极26(注意26指示26a、26b、26c和26d)可以暴露至液晶材料，或者电极可以埋在衬底21中。电极26产生的电场可以与顶极板电极和像素电极产生的电场正交。这将降低来自电极26的电场对LC单元的工作的影响，并提供净动力来将离子污染物扫到它们各自的电极26，从而从LC器件内的循环中移除。
从液晶材料滤除污染物的另一种方法是在液晶单元中设置过滤器29，来从液晶材料中分离污染物。可以使用内部驱动流(例如，动电效应)来在液晶单元周围移动液晶材料。从而可以从该流中分离出污染物。利用电极和/或过滤器将通过减少有源区中的污染物，从而有助于延长液晶单元的寿命。
图3A示出了根据本发明另一个实施例的液晶单元30的另一个示例的侧视图。图3B示出了图3A的单元30的内侧立体图。在本发明的该实施例中，利用无机材料替换了有机材料(除了液晶材料外)。例如，现有技术的液晶单元使用薄的有机材料薄涂层(即，聚酰亚胺)作为对准层。对准层确立液晶材料的对准。这些材料吸收一些UV光，结果逐渐分解从而形成使液晶单元的工作退化的污染物。
本发明的该实施例使用无机材料(例如，二氧化硅(SiO2))层作为对准层。二氧化硅在光谱的紫外部分中实质上是透明的，因此将不会因为暴露至UV光而快速退化或以其他方式改变。该层的表面特征将实现所要求的液晶材料的对准。二氧化硅层可以通过将蒸发的SiO2倾斜地沉积在顶极板32上(形成对准层33)和/或衬底3 1的有源区上(形成对准层34)而形成。在沉积蒸发的SiO2时，极板和/或衬底一般以5度角(从水平表面或从法向轴85度)取向来提供适当的取向36。本实施例对于2到10度之间的取向都应当可行。该层可以形成8-12纳米(nm)厚，一般为1 0nm厚。还要注意，二氧化硅具有与顶极板的折射系数类似的折射率，这将减少UV光的折射损失。因此，二氧化硅减少了由于液晶材料暴露至辐射而产生的分解导致的污染物的累积。
注意，其他无机材料也可以用于该对准层，只要该无机材料对工作波长的光或者感兴趣的光是透明的并且/或者吸收较小。此外，不是利用独立的层，而是对准图案或区域可以是LC单元的另一组件的一部分，例如，是顶极板的一部分和/或衬底的一部分(例如，电极)。对准图案应当与液晶材料接触，并且应当具有实现所要求的液晶材料的对准的表面特征。组件的对准图案对工作波长的光或者感兴趣的光应当也是透明的并且/或者吸收较小。
图4A示出了根据本发明又一个实施例的液晶单元40的又一个示例的侧视图。图4B示出了图4A的示例的不同布置93的俯视图。在本实施例中，液晶材料被抽吸通过液晶单元。该流减小或者防止了由于液晶材料暴露至辐射而产生分解导致的污染物在有源区中的累积。这是很重要的，因为污染物可能吸收UV光因而被加热，而没有污染物的液晶材料吸收UV光最小。热量累积可能损坏或毁坏液晶单元。因此，利用本实施例，由于UV光而导致退化的液晶材料被更新，这增加了液晶单元的寿命。可以通过以下方式更新液晶材料：在一遍之后丢弃该材料；将该材料在容器中混合然后将该材料重新循环回到液晶单元；以及/或者在该材料返回液晶单元之前过滤或以其他方式提纯该材料。
图4A示出了具有液晶材料流的液晶单元40的示例。液晶单元40具有入口44、出口46、泵43、液晶源91和液晶终点92。泵43可以位于源91中或终点92中，或者在液晶单元40中。泵43可以是旋转泵、注射泵，或者可以是动电泵。泵可以连续工作或者以各种(或者预定的)时间间隔间歇工作。在任何情形中，液晶材料47都从入口44通过有源区流动到出口46。液晶单元由顶极板42、衬底41和密封45限界。
液晶源91可以是贮液器或罐，保存用于液晶单元的液晶材料。新的液晶材料将按需被添加到源。液晶终点92也可以是贮液器或罐，用于保存来自液晶单元的用过的液晶材料。来自该终点的用过的液晶材料可以按需被处理。或者，源91和终点92可以是回收系统的一部分，回收系统使用过的液晶材料移回到液晶单元中。例如，源91和终点92可以是将用过的液晶材料混合来稀释液晶材料中污染物的单个罐的多个端口。一段时间后，应当替换掉罐中的材料。或者，罐中的材料在返回液晶单元之前可以被提纯和/或过滤来从液晶材料中移除污染物。
图4A的布置对于低纵横比的有源区(例如，正方形或圆形)足够了。然而，对于高纵横比的有源区，例如矩形、椭圆形等，使液晶材料在短轴方向上移过有源区是有益的。这意味着液晶材料可以以较低的速度通过有源区，并且仍旧防止了污染物累积。如果材料沿长轴移动，则要么流速应该增加(这可能导致液晶单元工作较差)，要么污染物可能累积。
图4B是一种布置的平面视图，该布置可用于高纵横比的有源区。图4B的液晶单元包括微流体沟道48和94，这些微流体沟道48和94沿长轴方向分配液晶材料。这允许液晶材料沿短轴方向流过有源区。沟道48和94使在入口44处接收到的液晶材料均匀扩散过有源区，并且从有源区的另一端均匀收集以传送到出口46。由于液晶材料通过有源区的短轴，所以可以降低流速。降低的流速减小了压力效应，并且防止流动缺陷影响LC单元的正常工作。高流速可能影响液晶材料的对准，并且导致LC单元工作较差。对于给定的流率，使液晶材料沿短轴方向流动允许更低的流速。沟道48和94可以内置在硅衬底41中，或者可以固定附着在液晶单元中。这些沟道也可以形成在顶极板中，尤其是贮液器位于衬底中时。
另外，液晶单元可以具有内密封环49，内密封环49可以充当隔离环。该环厚度一般为1到10微米，提供液晶单元的顶和底极板之间的正确间隔。另外，密封环还防止液晶材料在没有完全穿过有源区的情况下从入口44直接流到沟道94。通过提供密封环，流体通过沟道48进入有源区，然后均匀地分配通过液晶单元。环49一般用例如金属之类的不透明材料制成，其将一般是环氧化物的外密封45从散射的UV光屏蔽开。即使环氧化物的外密封不直接暴露至散射的UV光，长时间暴露至散射的UV光也可能使密封退化并且危及液晶单元的机械完整性。注意，已针对UV光描述了实施例，但是这些实施例也可以用于其他波长的光或离子化辐射。
注意，各种实施例可以与其他实施例组合使用。例如，液晶单元可以具有图3A和3B的实施例的无机对准层33、图2的实施例的(多个)沟槽24。作为另一示例，液晶单元可以具有图3A和3B的实施例的无机对准层33、图4A的泵43和/或图4B的微流体沟道48和94。又一个液晶单元可以具有图2的实施例的(多个)沟槽24、图4A的泵43和/或图4B的微流体沟道48和94。在这种液晶单元中，沟槽可以充当贮液器以及流动沟道，以向低速移动的液晶材料“河流”提供路径。另一种液晶单元还可以具有本发明的所有三种实施例的特征。
图5示出了包括空间光调制器(SLM)53的一般的光刻系统50。SLM包括具有图2、3A、3B、4A和4B的实施例中的任何一个的一个或多个特征的液晶单元。系统50包括UV光源51。来自光源51的UV光通过照明系统52的光学元件被提供给SLM 53。具有SLM 53的图案的UV光被投影系统54的光学元件引导到衬底55。在大多系统中，同时照明整个SLM。在这些系统中，投影系统54和支撑衬底55的平台56中的一个或多个被移动来照明衬底55的不同区域。针对衬底55的每个不同区域，SLM上的图案可以改变也可以不改变。注意，SLM 53是反射SLM，但是，对于透射SLM，本发明的实施例也将工作。
注意，通过使用SLM，可以按需改变图案，例如，针对设计改变或针对正制造的产品的每个不同层进行的处理。因此，利用本发明的SLM，可以实时改变图像比例。还要注意，SLM的图案可以针对每个部分改变，从而允许每个部分可以具有在每个部分上编码的唯一标识符，例如，序列号。
在生成集成电路器件、离散电路器件、印刷电路板、平板显示器和IC封装时可以使用本发明的实施例。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.一种光学元件(20、30、40或93)，包括：
透明顶极板(22、32或42)；
包括有源区的衬底(23、31或41)，所述衬底和所述顶极板共同限定空腔；
所述空腔内的液晶材料；以及
用于减少由于暴露至辐射而使所述液晶材料分解所导致的污染物累积的装置。
2.如权利要求1所述的光学元件，其中用于减少的装置包括：
限定在所述衬底(23)和所述顶极板(22)至少一个中的与所述空腔流体连通的贮液器(24或28)；以及
所述贮液器内的额外的液晶材料。
3.如权利要求1所述的光学元件，其中用于减少的装置包括：
限定在所述顶极板(32)和所述衬底(31)至少一个中的无机对准图案33，其中所述无机对准图案与所述液晶材料接触。
4.如权利要求1所述的光学元件，其中用于减少的装置包括：
可工作来通过穿过所述有源区的所述空腔抽取所述液晶材料的泵(91)。
5.如权利要求3所述的光学元件，其中用于减少的装置还包括：
限定在所述衬底和所述顶极板至少一个中的与所述空腔液体连通的贮液器；以及
所述贮液器内的额外的液晶材料。
6.如权利要求2所述的光学元件，其中用于减少的装置还包括：
与所述贮液器液体连通的微流体沟道(48、94)。
7.如权利要求2所述的光学元件，还包括：
位于所述贮液器中可工作来吸引离子污染物的电极(26)。
8.如权利要求7所述的光学元件，其中，所述电极是第一电极(26a)，并且所述液晶光调制器还包括第二电极(26b)，所述第一和第二电极可连接来接收电势差。
9.如权利要求8所述的光学元件，其中，所述电极可工作来产生与所述顶极板平行的电场。
10.如权利要求2所述的光学元件，其中，利用紫外光照明所述光学元件。

Claims (10)

1.一种光学元件(20、30、40或93)，包括：
透明顶极板(22、32或42)；
包括有源区的衬底(23、31或41)，所述衬底和所述顶极板共同限定空腔；
所述空腔内的液晶材料；以及
用于减少由于暴露至辐射而使所述液晶材料分解所导致的污染物累积的装置。
2.如权利要求1所述的光学元件，其中用于减少的装置包括：
限定在所述衬底(23)和所述顶极板(22)至少一个中的与所述空腔流体连通的贮液器(24或28)；以及
所述贮液器内的额外的液晶材料。
3.如权利要求1所述的光学元件，其中用于减少的装置包括：
限定在所述顶极板(32)和所述衬底(31)至少一个中的无机对准图案(33)，其中所述无机对准图案与所述液晶材料接触。
4.如权利要求1所述的光学元件，其中用于减少的装置包括：
可工作来通过穿过所述有源区的所述空腔抽取所述液晶材料的泵(91)。
5.如权利要求3或4所述的光学元件，其中用于减少的装置还包括：
限定在所述衬底和所述顶极板至少一个中的与所述空腔流体连通的贮液器；以及
所述贮液器内的额外的液晶材料。
6.如权利要求2或5所述的光学元件，其中用于减少的装置还包括：
与所述贮液器流体连通的微流体沟道(48、94)。
7.如权利要求2或5所述的光学元件，还包括：
位于所述贮液器中可工作来吸引离子污染物的电极(26)。
8.如权利要求7所述的光学元件，其中，所述电极是第一电极(26a)，并且所述液晶光调制器还包括第二电极(26b)，所述第一和第二电极可连接来接收电势差。
9.如权利要求8所述的光学元件，其中，所述电极可工作来产生与所述顶极板平行的电场。
10.如权利要求2-9所述的光学元件，其中，利用紫外光照明所述光学元件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102844715A (zh) * 2010-03-05 2012-12-26 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 合并多个几何像素图像并生成单个调制器像素图像的方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007140008A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Seiko Epson Corp 液晶装置およびプロジェクタ
US20080112088A1 (en) * 2006-11-13 2008-05-15 Hitachi Global Storage Technologies Perpendicular magnetic write head having a wrap around trailing shield with a flux return path
US8213015B2 (en) * 2008-09-25 2012-07-03 Agilent Technologies, Inc. Integrated flow cell with semiconductor oxide tubing
US8810758B2 (en) * 2009-03-24 2014-08-19 Jay Ahling Dual-function alignment layer for liquid crystal devices to improve degradation resistance to radiation
CN104121867B (zh) * 2014-08-06 2017-01-18 哈尔滨理工大学 基于液晶空间光调制器非球面镜计算全息干涉检测方法
JP2017090794A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP2017097190A (ja) * 2015-11-25 2017-06-01 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP7268473B2 (ja) 2019-05-13 2023-05-08 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP2020187214A (ja) * 2019-05-13 2020-11-19 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP7367347B2 (ja) * 2019-06-11 2023-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP7247797B2 (ja) * 2019-07-12 2023-03-29 セイコーエプソン株式会社 投射型表示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04125617A (ja) * 1990-09-18 1992-04-27 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル
JPH05323336A (ja) * 1992-05-26 1993-12-07 Hitachi Ltd 液晶表示素子および液晶封入方法
JPH08201830A (ja) * 1995-01-27 1996-08-09 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置
US6424388B1 (en) * 1995-04-28 2002-07-23 International Business Machines Corporation Reflective spatial light modulator array
US5688708A (en) * 1996-06-24 1997-11-18 Motorola Method of making an ultra-high vacuum field emission display
JP3497098B2 (ja) * 1999-05-25 2004-02-16 シャープ株式会社 液晶表示素子
US6426786B1 (en) * 1999-06-01 2002-07-30 International Business Machines Corporation Method of homeotropic alignment or tilted homeotropic alignment of liquid crystals by single oblique evaporation of oxides and liquid crystal display device formed thereby
JP2001033793A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネルおよびその製造方法
KR100583310B1 (ko) * 2000-01-19 2006-05-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 주입/봉지 장치 및 방법
US6670753B1 (en) * 2000-07-19 2003-12-30 Sony Corporation Flat panel display with gettering material having potential of base, gate or focus plate
TWI242680B (en) * 2002-07-30 2005-11-01 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device
US6804976B1 (en) * 2003-12-12 2004-10-19 John F. Dain High reliability multi-tube thermal exchange structure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102844715A (zh) * 2010-03-05 2012-12-26 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 合并多个几何像素图像并生成单个调制器像素图像的方法
CN102844715B (zh) * 2010-03-05 2015-12-02 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 合并多个几何像素图像并生成单个调制器像素图像的方法

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