CN1849356B - 聚合物配位化合物和使用其的聚合物发光器件 - Google Patents

Abstract

一种聚合物配位化合物，其特征在于，包含由下式(1)表示的重复单元和显示从三重态受激态发光的金属配位结构，在固态发射可见光，并且其聚苯乙烯折算的数均分子量为10³至10⁸。在式中，环P和环Q各自独立地表示芳族环，条件是环P可以存在或不存在；当环P存在时，两个连接键分别在环P和/或环Q上，并且当环P不存在时，两个连接键分别在含Y的5元环上和/或在环Q上；并且Y表示-O-、-S-等。

Description

聚合物配位化合物和使用其的聚合物发光器件

技术领域

本发明涉及一种聚合物配位化合物和一种聚合物发光器件(以下，在某些情况下称作聚合物LED)。

背景技术

已知的是在发光层中使用显示由三重态受激态发光的金属配合物(以下，在某些情况下称作三重态发光配合物)作为在发光器的发光层中使用的发光材料的器件具有高的发光效率。研究了在聚合物中含有三重态发光配位结构的配位化合物，并且例如，已知有这样一种化合物，其具有三(2-苯基吡啶)铱配合物Ir(ppy)₃作为在含有芴结构的聚合物主链中的三重态发光配合物的部分结构，作为重复单元(日本专利申请公开(JP-A)2003-73480)。

此外，还研究这样的聚合物配位化合物，其在主链中含有芳族烃环的聚合物的侧链中含有三重态发光配合物的结构，并且例如，公开了这样一种化合物，其在含有芴结构的聚合物化合物的侧链中含有如下所示的三重态发光配合物的结构，作为重复单元(J.Am.Chem.Soc.，2003，vol.125，No.3，636-637)：

但是，在上面所述的在发光层中使用配位化合物的器件中，器件的性质如发光效率、亮度的半衰期等还不足。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种配位化合物，其在聚合物中含有三重态发光配位结构，并且在用于发光器件的发光层中时，其使器件具有优异的性质。

为了解决上面所述的问题，本发明的发明人进行了深入细致的研究，结果发现，包含下式(1)的重复单元和显示由三重态受激态发光的金属配位结构的聚合物配位化合物在用于发光器件的发光层中时，使器件具有优异的性质，从而导致本发明的完成。

即，本发明提供一种聚合物配位化合物，其包含下式(1)的重复单元和显示从三重态受激态发光的金属配位结构，在固态具有可见光发射，并且其聚苯乙烯折算的数均分子量为10³至10⁸：

(其中，环P和环Q各自独立地表示芳族环，但是环P可以存在或不存在。当环P存在时，两个连接键分别在环P和/或环Q上，并且当环P不存在时，两个连接键分别在含Y的5元环上和/或在环Q上。芳族环和/或含Y的5元环可以含有选自下组的取代基：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基和氰基。Y表示-O-、-S-、-Se-、-Si(R₁)(R₂)-、-P(R₃)-或-PR₄(＝O)-，且R₁、R₂、R₃和R₄各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基或卤素原子)。

实施本发明的最佳方式

在本发明中，作为上面所述式(1)提及的结构是下式(1-1)、(1-2)和(1-3)的结构以及下式(1-4)和(1-5)的结构：

(其中，环A、环B和环C各自独立地表示芳族环。式(1-1)、(1-2)和(1-3)分别可以含有选自选自下组的取代基：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基和氰基。Y表示如上所述相同的含义)。

(其中，环D、环E、环F和环G各自独立地表示芳族环。这些重复的单元可以具有选自下组的取代基：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基和氰基。Y表示如上所述相同的含义)。

在上式(1)、(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)或(1-5)中，环P、环Q、环A、环B、环C、环D、环E、环F和环G各自独立地代表芳族环，并且该芳族环包括芳族烃环，如苯环、萘环、蒽环、并四苯环、并五苯环、芘环和菲环等。杂芳环，如吡啶环、联吡啶环、菲咯啉环、喹啉环、异喹啉环、噻吩环、呋喃环和吡咯环等。

作为未取代结构所示的式(1-1)的具体实例包括下列：

作为未取代结构所示的式(1-2)的具体实例包括下列：

作为未取代结构所示的式(1-3)的具体实例包括下列：

作为未取代结构所示的式(1-4)的具体实例包括下列：

作为未取代结构所示的式(1-5)的具体实例包括下列：

上式(1)中，优选(1-4)和(1-5)，并且更优选由上式(1-4)表示的结构。

式(1-4)的具体实例包括下列：

其中，R各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基、氰基等。在上面所述的具体实例中，在一个结构式中含有的多个R可以相同或不同，并且可以各自独立地选择。

烷基可以是直链、支链或环状烷基中的任何一种。碳原子数通常约为1至20，优选为3至20，并且其具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等；并且优选戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基和3，7-二甲基辛基。

烷氧基可以是直链、支链或环状烷氧基中的任何一种。碳原子数通常约为1至20，优选为3至20，并且其具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基等；并且优选戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基和3，7-二甲基辛氧基。

烷硫基可以是直链、支链或环状烷硫基中的任何一种。碳原子数通常约为1至20，优选为3至20，并且其具体实例包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、十二烷硫基、三氟甲硫基等；并且优选戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基和3，7-二甲基辛硫基。

芳基通常含有约6至60个碳原子，优选为7至48个碳原子，并且其具体实例包括苯基、C₁-C₁₂烷氧基苯基(C₁-C₁₂表示1至12个碳原子数，以下相同)、C₁-C₁₂烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，且优选C₁-C₁₂烷氧基苯基和C₁-C₁₂烷基苯基。芳基是指其中从芳族烃中去除一个氢原子的原子团。芳族烃包括含有稠环、独立的苯环或通过基团如直接键或亚乙烯基连接的两个或多个稠环的那些。

C₁-C₁₂烷氧基苯基的具体实例包括甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、异丙氧基苯基、丁氧基苯基、异丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、戊氧基苯基、己氧基苯基、环己氧基苯基、庚氧基苯基、辛氧基苯基、2-乙基己氧基苯基、壬氧基苯基、癸氧基苯基、3，7-二甲基辛氧基苯基、十二烷氧基苯基等。

C₁-C₁₂烷基苯基的具体实例包括甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、2，4，6-三甲基苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。

芳氧基的碳原子数通常约为6至60，优选为7至48，并且其具体实例包括苯氧基、C₁-C₁₂烷氧基苯氧基、C₁-C₁₂烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等；且优选C₁-C₁₂烷氧基苯氧基和C₁-C₁₂烷基苯氧基。

C₁-C₁₂烷基苯氧基的具体实例包括甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。

芳硫基的碳原子数通常约为6至60，优选为7至48，并且其具体实例包括苯硫基、C₁-C₁₂烷氧基苯硫基、C₁-C₁₂烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等；且优选C₁-C₁₂烷氧基苯硫基和C₁-C₁₂烷基苯硫基。

芳基烷基的碳原子数通常约为7至60，优选为7至48，并且其具体实例包括苯基-C₁-C₁₂烷基、C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷基、C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷基、1-萘基-C₁-C₁₂烷基、2-萘基-C₁-C₁₂烷基等；且优选C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷基和C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷基。

芳基烷氧基的碳原子数通常约为7至60，优选为7至48，并且其具体实例包括：苯基-C₁-C₁₂烷氧基，如苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基和苯基辛氧基；C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷氧基、C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷氧基、1-萘基-C₁-C₁₂烷氧基、2-萘基-C₁-C₁₂烷氧基等；且优选C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷氧基和C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷氧基。

芳基烷硫基的碳原子数通常约为7至60，优选为7至48，并且其具体实例包括苯基-C₁-C₁₂烷硫基、C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷硫基、C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷硫基、1-萘基-C₁-C₁₂烷硫基、2-萘基-C₁-C₁₂烷硫基等；且优选C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷硫基和C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷硫基。

芳基烯基的碳原子数通常约为7至60，优选为7至48，并且其具体实例包括：苯基-C₂-C₁₂烯基、C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₂-C₁₂烯基、C₁-C₁₂烷基苯基-C₂-C₁₂烯基、1-萘基-C₂-C₁₂烯基、2-萘基-C₂-C₁₂烯基等；且优选C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₂-C₁₂烯基和C₁-C₁₂烷基苯基-C₂-C₁₂烯基。

芳基炔基的碳原子数通常约为7至60，优选为7至48，并且其具体实例包括：苯基-C₂-C₁₂炔基、C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₂-C₁₂炔基、C₁-C₁₂烷基苯基-C₂-C₁₂炔基、1-萘基-C₂-C₁₂炔基、2-萘基-C₂-C₁₂炔基等；且优选C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₂-C₁₂炔基和C₁-C₁₂烷基苯基-C₂-C₁₂炔基。

取代的氨基包括被1个或2个选自烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基中的基团取代的氨基。烷基氨基可以是直链、支链或环状烷基氨基中的任何一种，并且可以是一烷基氨基或二烷基氨基。所述的烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基可以有取代基。取代的氨基通常含有约1至60个碳原子，优选2至48个碳原子，其中不包括所述取代基的碳原子数。

其具体实例包括：甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、十二烷基氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、环己基氨基、二环己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、二(三氟甲基)氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C₁-C₁₂烷氧基苯基氨基、二(C₁-C₁₂烷氧基苯基)氨基、二(C₁-C₁₂烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡唑基氨基(pyrazylamino group)、三唑基氨基(triazylamino group)、苯基-C₁-C₁₂烷基氨基、C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷基氨基、C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷基氨基、二(C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷基)氨基、二(C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷基)氨基、1-萘基-C₁-C₁₂烷基氨基、2-萘基-C₁-C₁₂烷基氨基等。

取代的甲硅烷基是指被1个、2个或3个选自烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基中的基团取代的甲硅烷基。取代的甲硅烷基通常含有约1至60个碳原子，优选3至48个碳原子。烷基甲硅烷基可以是直链、支链或环状烷基甲硅烷基中的任何一种，并且所述的烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基可以有取代基。

取代的甲硅烷基的具体实例包括：三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基-异丙基甲硅烷基、二乙基-异丙基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、十二烷基二甲基甲硅烷基、苯基-C₁-C₁₂烷基甲硅烷基、C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷基甲硅烷基、C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷基甲硅烷基、1-萘基-C₁-C₁₂烷基甲硅烷基、2-萘基-C₁-C₁₂烷基甲硅烷基、苯基-C₁-C₁₂烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三-对-二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。

至于卤素原子，示例的是氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。

酰基通常含有约2至20个碳原子，优选2至18个碳原子，并且其具体实例包括乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基等。

酰氧基通常含有约2至20个碳原子，优选2至18个碳原子，并且其具体实例包括乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、新戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。

亚胺残基是其中从亚胺化合物(在分子中含有-N＝C-的有机化合物。其实例包括醛亚胺、酮亚胺和N上的氢原子被烷基等取代的化合物)中去除氢原子的残基，并且通常含有约2至20个碳原子，优选2至18个碳原子。至于具体实例，示例的是由下面结构式表示的基团：

酰胺基通常含有约2至20个碳原子，优选2至18个碳原子，并且其具体实例包括甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二(三氟乙)酰胺基、二(五氟苯)甲酰胺基等。

酸亚胺基的实例包括其中与氮原子连接的氢原子被去除的残基，并通常含有约2至60个碳原子，优选含有2至48个碳原子。至于酸亚胺基的具体实例，示例的是下面的基团：

一价杂环基是指其中从杂环化合物中去除氢原子的原子团，且碳原子数通常约为4至60，优选为4至20。杂环基的碳原子数中不包括取代基的碳原子数。杂环化合物是指具有环状结构的有机化合物，其中在环状结构中含有至少一个杂原子如氧、硫、氮、磷、硼等作为不同于碳原子的元素。其具体实例包括噻吩基、C₁-C₁₂烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁-C₁₂烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等；且优选噻吩基、C₁-C₁₂烷基噻吩基、吡啶基和C₁-C₁₂烷基吡啶基。

取代的羧基是指被烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基取代的羧基，并且通常含有约2至60个碳原子，优选2至48个碳原子。其具体实例包括甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、环己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3，7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。所述烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基可以含有取代基。取代的羧基的碳原子数中不包括所述取代基的碳原子数。

在上面所述的实例中，在含有烷基的基团中，它们可以是直链、支链或环状烷基中的任何一种，或者可以是它们的组合。在不是直链的情况下，示例的是异戊基、2-乙基己基、3，7-二甲基辛基、环己基、4-C₁-C₁₂烷基环己基等。此外，两个烷基链的末端可以连接形成环。此外，烷基的部分甲基和亚甲基可以被含有杂原子的基团代替，或者被一个或多个氟原子取代的甲基或亚甲基所代替。至于杂原子，示例的是氧原子、硫原子、氮原子等。

此外，在取代基的实例中，当芳基或杂环基被包括在它们的部分中时，它们可以含有一个或多个取代基。

在取代基R的实例中，更优选烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基和芳硫基。

此外，在由上式(1-4)所示的结构中，优选由下式(1-6)、(1-7)、(1-8)、(1-9)或(1-10)所示的结构，更优选由(1-6)、(1-7)或(1-8)所示的结构，且进一步优选由(1-6)所示的结构：

(其中，R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂、R₁₃和R₁₄各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基或取代的羧基。a和b各自独立地表示0至3的整数。c、d、e和f各自独立地表示0至5的整数。g、h、i和j各自独立地表示0至7的整数。当R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂、R₁₃和R₁₄各自存在多个时，它们可以相同或不同。Y表示如上所述相同的含义)。

考虑到在溶剂中的溶解度，a+b、c+d、e+f和i+j优选为1或更大。

在上面所述的具体实例中，Y优选为O原子或S原子。

接着，将解释显示由三重态受激态发光的金属配位结构。显示由三重态受激态发光的金属配位结构是一种衍生自显示由三重态受激态发光的金属配合物的结构，并且通常以其中已经从配合物的配体中除去一个或两个氢的残基形式存在于分子中。

显示由三重态受激态发光的金属配合物包括：例如，其中观察到磷光发光的配合物，以及除了观察到磷光发光还观察到荧光发光的配合物。例如，示例的是已经由前者用作低分子量EL发光材料的金属配位化合物。这些公开于例如：Nature，(1998)395，151；Appl.Phys.Lett.(1999)，75(1)，4；Proc.SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.(2001)，4105(Organic Light-Emitting Materialsand Devices IV，119；J.Am.Chem.Soc.，(2001)，123，4304；Appl.Phys.Lett.，(1997)，71(18)，2596；Syn.Met.，(1998)，94(1)，103；Syn.Met.，(1999)，99(2)，1361；Adv.Mater.，(1999)，11(10)，852等中。

发射三重态光的配合物的中心金属通常是原子数为50或更大的原子，并且是对该配位化合物显示自旋轨道相互作用并且具有在单重态和三重态之间进行系统间跨越的可能性的金属。

例如，优选金、铂、铱、锇、铼、钨、铕、铽、铥、镝、钐、镨、钆、镱原子；更优选金、铂、铱、锇、铼、钨原子；进一步优选金、铂、铱、锇、铼原子；并且最优选金、铂、铱和铼原子。

至于三重态发光配位化合物的配体，示例的是例如8-羟基喹啉及其衍生物、苯并喹啉醇及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生物、2-苯基-苯并噻唑及其衍生物、2-苯基-苯并噁唑及其衍生物、卟啉及其衍生物等。

显示由三重态受激态发光的金属配位结构的实例包括其中从下面的三重态发光配位化合物中去除一个或多个R的残基：

其中，R’各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基、一价杂环基。为了改善在溶剂中的溶解性，优选烷基和烷氧基，并且优选包含取代基的重复单元具有很少对称的形式。

R′的具体实例包括：与由上面的R所示相同的那些。

在作为本发明中的聚合物链中的重复单元而包括显示由三重态受激态发光的金属配位结构的情况下，由下式(14)、(15)、(16)或(16-1)表示所述的重复单元：

(其中，K表示配体，其含有作为与M结合的原子的选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的一个或多个原子；卤素原子或氢原子。M表示原子数为50或更大并且由对该化合物上的自旋轨道相互作用而显示在单重态和三重态之间进行系统间跨越的可能性的原子。H表示配体，其含有作为与M结合的原子的选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的一个或多个原子。h₁表示1-3的整数，k₁表示0-3的整数，且h₁+k₁为1-5的整数。L₁表示其中从含有作为与M结合的原子的选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的一个或多个原子的配体中除去两个氢原子的残基)。

(其中，M、H和K表示如上所述相同的含义。L₂和L₃各自独立地表示其中从含有作为与M结合的原子的选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的一个或多个原子的配体中除去一个氢原子的残基。h₂表示1-3的整数，k₂表示0-3的整数，且h₂+k₂为1-3的整数)。

(其中，M、H和K表示如上所述相同的含义。Ar₁₉表示三价芳族基或三价杂环基。

L₄表示其中从含有作为与M结合的原子的选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的一个或多个原子的配体中除去一个氢原子的残基。h₃表示1-3的整数，k₃表示0-3的整数，且h₃+k₃为1-4的整数)。

三价芳基是其中从芳族烃中去除三个氢原子的原子团，并且通常含有4至60个碳原子，优选4至20个碳原子。在三价芳族基的碳原子数中不包括取代基的碳原子数。具体地，示例的是其中从表示为在Ar₁中所述的亚芳基的基团中去除一个氢原子的基团。

三价杂环基是其中从杂环化合物中去除三个氢原子的原子团，并且通常含有4至60个碳原子，优选4至20个碳原子。在三价杂环基的碳原子数中不包括取代基的碳原子数。具体地，示例的是其中从表示为在Ar₁中所述的二价杂环基的基团中去除一个氢原子的基团。

本发明中，显示由三重态受激态发光的金属配位结构可以是由在重复单元中的含-L-X基团的结构所表示的那些，例如，下式(16-1)：

(其中，Ar₂₀表示二价杂环基，其含有一个或多个选自氧原子、硅原子、和镓原子、锡原子、磷原子、硼原子、硫原子、硒原子和碲原子中的原子。所述的Ar₂₀含有1至4个由-L-X表示的基团。

X表示一价基团，其含有显示由三重态受激态发光的金属配位结构。L表示单键、-O-、-S-、-CO-，-CO₂-和-SO-、-SO₂-、-SiR_3′R_4′-、NR_5′-、-BR_6′-、-PR_7′-、-P(＝O)(R_8’)-、可以被取代的亚烷基、可以被取代的亚烯基、可以被取代的亚炔基、可以被取代的亚芳基或可以被取代的二价杂环基。当这些亚烷基、亚烯基和亚炔基含有-CH₂-基时，亚烷基中含有的一个或多个-CH₂-基、亚烯基中含有的一个或多个-CH₂-基和亚炔基中含有的一个或多个-CH₂-基可以分别被选自下组的基团所代替：-O-、-S-、-CO-、-CO₂-、-SO-、-SO₂-和-SiR_9′R_10′-、NR_11′-、-BR_12′-、-PR_13′-和-P(＝O)(R_14′)。R_1’、R_2’、R_3’、R_4’、R_5’、R_6’、R_7’、R_8’、R_9’、R_10’、R_11’、R_12’、R_13’、R_14’各自独立地表示选自氢原子、烷基、芳基、一价杂环基和氰基中的基团。

Ar₂₀可以含有不同于由-L-X表示的基团的取代基，其选自：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基和氰基。当Ar₂₀含有多个取代基时，它们可以相同或不同。n′表示0或1)。

至于X，示例的是由下式(X-1)表示的那些：

其中，M表示如上所述相同的含义。H₁是配体，其含有一个或多个氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子，并且通过一个或多个所述的原子与M结合。当K₁不含有与L的连接键时，它在H₁不与M结合的任何位置含有与L的连接键。

至于H₁，示例的是由H表示的配体。

K₁表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、酰氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代的氨基、烯烃、炔、胺、亚胺、酰胺基、酸亚胺基、异腈(isonitril)配体、氰基、膦、氧化膦配体、亚磷酸酯、砜配体、亚砜配体、磺酸酯基、硫醚、杂环配体、羧基、羰基化合物或醚；并且可以是其组合的多齿配体。

当H₁不含有与L的连接键时，K₁在H₁不与M结合的任何位置含有与L的连接键。在此情况下，K₁是从选自上面所述的具体实例中的那些中去除一个氢原子的原子团。因此，当L¹含有与L的连接键时，L¹不是氢原子和卤素原子。

至于K₁，示例的是由K表示的配体。

h_3’表示0-5的整数，k_3′表示1-5的整数，且h3′+k3′为1-5的整数。

-L-X中的L表示单键、-O-、-S-、-CO-、-CO₂-、-SO-、-SO₂-、-SiR_3′R_4′-、-NR_5′-、-BR_6′-、-PR_7′-、-P(＝O)(R_8′)-、可以被取代的亚烷基、可以被取代的亚烯基、可以被取代的亚炔基、可以被取代的亚芳基或二价杂环基。当这些亚烷基、亚烯基和亚炔基含有-CH₂-基时，亚烷基中含有的一个或多个-CH₂-基、亚烯基中含有的一个或多个-CH₂-基和亚炔基中含有的一个或多个-CH₂-基可以分别被选自下列的基团所代替-O-、-S-、-CO-、-CO₂-、-SO-、-SO₂-和-SiR_3′R_4′-、NR_5′-、-BR_6′-、-PR_7′-和P(＝O)(R_8′)。R_3’、R_4’、R_5’、R_6’、R_7’、R_8’、R_9’、R_10’、R_11’、R_12’、R_13’和R_14’各自独立地表示选自氢原子、烷基、芳基、一价杂环基和氰基中的基团。R_3′至R_14′的具体实例包括与上面R′中所示相同的那些。

在L是可以被取代的亚烷基的情况下，碳原子数通常为约1至12。取代基的实例包括：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基、氰基等。

当该亚烷基含有两个或多个-CH₂-基，在亚烷基中含有的一个或多个-CH₂-基可以被选自下列的基团所代替：-O-、-S-、-CO-、-CO₂-、-SO-、-SO₂-、和-SiR_15′R_16′-、NR_17′-、-BR_18′-、-PR_19′-和-P(＝O)(R_20′)。R_15′至R_20′的具体实例包括与R_3′至R_14′中所示相同的那些。亚烷基的优选实例包括：-C₃H₆-、-C₄H₈-、-C₅H₁₀-、-C₆H₁₂-、-C₈H_16-、-C₁₀H₂₀-等。

在L是可以被取代的亚烯基的情况下，碳原子数通常为约1至12。取代基的实例包括：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基、氰基等。

当该亚烯基含有-CH₂-基时，在亚烯基中含有的一个或多个-CH₂-基可以被选自下列的基团所代替：-O-、-S-、-CO-、-CO₂-、-SO-、-SO₂-、-SiR_15′R₁₆′-、NR_17′-、-BR_18′-、-PR_19′-和-P(＝O)(R_20′)-。

R_15′至R_20′的具体实例包括与上述R’中的R_3′至R_14′中所示相同的那些。至于亚烯基的优选实例，示例的是-CH＝CH-、-CH＝CH-CH₂-等。

当L是亚炔基时，碳原子数通常为1至12。取代基的实例包括：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基、氰基等。

当该亚炔基含有-CH₂-基时，在亚炔基中含有的一个或多个-CH₂-基可以被选自下列的基团所代替：-O-、-S-、-CO-、-CO₂-、-SO-、-SO₂-、-SiR_15′R₁₆′-、NR_17′-、-BR_18′-、-PR_19′-和-P(＝O)(R_20′)-。R_15′至R_20′的具体实例包括与上述R’中的R_3′至R_14′中所示相同的那些。至于亚炔基的优选实例，示例的是-C≡C-、-CH₂-C≡C-CH₂-等。

当L是可以被取代的亚芳基时，该亚芳基的具体实例包括其中从含有6-60个碳原子的芳族烃的芳族环中去除两个氢原子的原子团，优选其中从苯环中去除两个氢原子的原子团，且作为可以对芳族环取代的取代基，优选的是C₁-C₁₂烷基和C₁-C₁₂烷氧基。

当L是可以被取代的二价杂环基时，作为可以对所述杂环取代的取代基，优选的是C₁-C₁₂烷基和C₁-C₁₂烷氧基。碳原子数通常为约4至60，并且优选为4至20。未将取代基的碳原子数计数为杂环化合物基团的碳原子数。杂环化合物是指具有环状结构的有机化合物，其中在环状结构中含有至少一个杂原子如氧、硫、氮、磷、硼等作为不同于碳原子的元素。

其具体实例包括噻吩基、C₁-C₁₂烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁-C₁₂烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等；且优选噻吩基、C₁-C₁₂烷基噻吩基、吡啶基和C₁-C₁₂烷基吡啶基。

此外，在L中，优选单键、-O-和-S-。

至于Ar₂₀，示例的是由下式(1-1′)、(1-2′)或(1-3′)表示的结构：

其中环A’和环B’以及环C’各自独立地表示芳族环。式(1-1′)、(1-2′)和(1-3′)分别含有1至4个由-L-X表示的取代基。L和X表示如上所述相同的含义。Y′表示O原子、S原子、Se原子、Te原子、下式(1-A)、(1-B)、(1-C)、(1-D)、(1-E)或(1-F)。

至于Ar₂₀，示例的是由下式(1-4′)或(1-5′)表示的结构：

其中环D’，环E’以及环F’和环G’各自独立地表示芳族环。式(1-4′)和(1-5′)分别含有1至4个由-L-X表示的取代基。L，X和X’表示如上所述相同的含义。

(其中R^A表示氢原子、烷基、环烷基、芳基烷基、芳基、烷氧基、环烷基氧基、芳基烷氧基、芳氧基或由-L-X表示的基团)。

(其中R^B表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代的氨基、酰基、酰氧基、酰胺基、一价杂环基、或由-L-X表示的基团)。

(其中A₁表示Si、Ge和Sn，且R^C和R^D各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代的氨基、酰氧基、酰胺基、一价杂环基或由-L-X表示的基团。1表示1或2)。

(其中R^E表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基、卤素原子或由-L-X表示的基团)。

(其中A₂表示O和S，且R^F和R^G各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代的氨基、酰氧基、酰胺基、一价杂环基或由-L-X表示的基团。)。

式(1-1′)的具体实例包括以下的那些：其中由(1-1)的具体实例所示的基团的Y是Y′，且1至4个-L-X被取代至由所述具体实例所示的基团的芳族环上。

式(1-2′)的具体实例包括以下的那些：其中由(1-2)的具体实例所示的基团的Y是Y′，且1至4个-L-X被取代至由所述具体实例所示的基团的芳族环上。

式(1-3′)的具体实例包括以下的那些：其中由(1-3)的具体实例所示的基团的Y是Y′，且1至4个-L-X被取代至由所述具体实例所示的基团的芳族环上。

式(1-4′)的具体实例包括以下的那些：其中由(1-4)的具体实例所示的基团的Y是Y′，且1至4个-L-X被取代至由所述具体实例所示的基团的芳族环上。

式(1-5′)的具体实例包括以下的那些：其中由(1-5)的具体实例所示的基团的Y是Y′，且1至4个-L-X被取代至由所述具体实例所示的基团的芳族环上。

含有由上式(16-1)、(1-1’)、(1-2’)、(1-3’)、(1-4’)、(1-5’)所表示的结构的重复单元除了含有由-L-X表示的基团外，还可以含有选自下列的取代基：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺基、酰胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基和氰基。

当多个取代基存在时，它们可以相同或不同。

(1-A)、(1-B)、(1-C)、(1-D)和(1-F)中的取代基R^A至R^G的具体实例包括与上面R′中所述相同的那些。

至于上式(16-1)中的Ar₂₀，优选(1-4′)。优选下式(1-4′A)、(1-4′B)、(1-4′C)、(1-4′D)或(1-4′E)，进一步优选由下式(1-4′A)、(1-4′B)或(1-4′C)表示的结构，最优选由(1-4′A)表示的结构。

式(1-4′)的具体实例包括在由(1-4)的具体实例所示的实例中，其1至4个相应的R由-L-X表示的那些。

其它结构的具体实例包括在下式中，其1至4个相应的R由-L-X表示的那些。

Ar₂₀的具体实例除了包括属于上式(1-1’)至(1-5’)的那些外，还包括其1至4个相应的R由-L-X表示的那些。

在上式(1-1’)、(1-2’)、(1-3’)、(1-4’)或(1-5’)中，优选环A’、环B’、环C’、环D’、环E’、环F’和环G’是芳族烃环。

由上式(1-1′)表示的重复单元优选是选自下式(1-1′A)至(1-1′E)的重复单元，更优选是由(1-1′A)、(1-1′B)或(1-1′C)表示的结构。

(其中，L、X和Y’表示如上所述相同的含义)

由上式(1-4′)表示的重复单元优选是选自下式(1-4′A)至(1-4′E)的重复单元，更优选(1-4′A)、(1-4′B)或(1-4′C)，且最优选(1-4′A)。

(其中，L、X和Y’表示如上所述相同的含义。m₁和m₂是0或1，并且它们中的任一个是1)。

在上面所述的具体实例中，优选Y′为O原子或S原子。

在上面所述的式(16-1)中，优选X是含有金、铂、铱、锇、铼、钨、铕、铽、铥、镝、钐、镨、钆和镱原子的配位结构；更优选是含有金、铂、铱、锇、铼和钨原子的配位结构；进一步优选是含有金、铂、铱、锇和铼原子的配位结构；并且最优选是含有铂、铱和铼原子的配位结构。

在上面所述的式(16-1)中，n′为0或1。

在上面所述的式(16-1)中，R1′和R2′各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基或氰基。

此处，R_1′和R_2′中的烷基、芳基和一价杂环基的具体实例包括与上述R′中所示相同的那些。

基于在本发明的聚合物化合物中所有重复单元的总摩尔数，由上式(14)至(16)和(16-1)表示的重复单元的总量通常为0.01-50摩尔％，优选为0.1-10摩尔％。

此外，当在聚合物链的末端含有本发明的显示从三重态受激态发光的金属配位结构时，末端结构例如由下式(17)表示：

(其中，M、H和K表示如上所述相同的含义。L₅表示其中从含有作为与M结合的原子的选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的一个或多个原子的配体中除去一个氢原子的残基。H₄表示1-3的整数，k₄表示0-3的整数，且h₄+k₄为1-4的整数)。

在上式(14)-(16)、(16-1)和(17)中，含有作为与M结合的原子的选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的一个或多个原子的配体的实例包括：烷基、烷氧基、酰氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、氨基、取代的氨基、烯烃配体、炔配体、胺配体、亚胺配体、酰胺基、酸亚胺基、异腈配体、氰基、膦配体、氧化膦配体、亚磷酸酯配体、砜配体、亚砜配体、磺酸酯基、硫醚配体、杂环配体、羧基、羰基配体和醚配体；并且还可以包括衍生自其组合的多齿配体。

至于烯烃配体，示例的是乙烯、丙烯、丁烯、己烯和癸烯。

置于炔配体，示例的是乙炔、苯乙炔和二苯乙炔而没有特别限制。

至于异腈配体，示例的是叔丁基异腈和苯基异腈而没有特别限制。

至于膦配体，示例的是在磷原子处与M具有配位键的那些，如三苯膦、三邻甲苯基膦、三叔丁基膦、三环己膦、1，2-双(二苯基膦基)乙烷和1，3-双(二苯基膦基)乙烷。

至于氧化膦配体，示例的是三丁基氧化膦和三苯基氧化膦而没有特别限制。

至于亚磷酸酯配体，示例的是在磷原子处与M具有配位键的那些，如亚磷酸三甲酯、亚磷酸三乙酯、亚磷酸三苯酯和亚磷酸三苄酯。

至于砜配体，示例的是二甲砜和二丁砜而没有特别限制。

至于亚砜配体，示例的是二甲亚砜和二丁亚砜而没有特别限制。

至于磺酸酯基，示例的是苯磺酸酯基、甲苯磺酸酯基、甲磺酸酯基、乙磺酸酯基和三氟甲烷磺酸酯基。

至于硫醚配体，示例的是在硫原子处与M具有配位键的那些，如甲硫醚、苯硫醚和茴香硫醚。

杂环配体可以是零价或一价配体，并且至于零价配体，示例的是其中从下列中去除一个氢原子的原子团：2，2′-联吡啶、1，10-菲咯啉、2-(4-噻吩-2-基)吡啶、2-(苯并噻吩-2-基)吡啶等。至于一价配体，示例的是其中从下列中去除一个氢原子的原子团：苯基吡啶、2-(对苯基苯基)吡啶、7-溴苯并[h]喹啉、2-(4-苯基噻吩-2-基)吡啶、2-苯基苯并噁唑、2-(对苯基苯基)苯并噁唑、2-苯基苯并噻唑和2-(对苯基苯基)苯并噻唑。

至于羧基，示例的是乙酰氧基、环烷酸根基和2-乙基己酸根基而没有特别限制。

至于羰基配体，示例的是在氧原子处与M具有配位键的那些，并且其实例包括：酮，如一氧化碳、丙酮、二苯甲酮，和二酮，如乙酰丙酮，和二氢苊并(acenaphtho)醌。

至于醚配体，示例的是在氧原子处与M具有配位键的那些，并且其实例包括：二甲基醚、二乙基醚、四氢呋喃、1，2-二甲氧基乙烷等。

衍生自这些的组合的多齿配体(二-或多-齿配体)包括：其中杂环环与苯环结合的基团，如苯基吡啶、2-(对苯基苯基)吡啶，2-苯基苯并噁唑、2-(对苯基苯基)苯并噁唑、2-苯基苯并噻唑、2-(对苯基苯基)苯并噻唑、1，3-二(2-吡啶基)苯等；其中两个或多个杂环环结合的基团，如2-(4-噻吩-2-基)吡啶、2-(4-苯基噻吩-2-基)吡啶、2-(苯并噻吩-2-基)吡啶、2，2′：6′，2″-三联吡啶、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉等；和丙酮化物，如乙酰丙酮，二苯并甲基化物和噻吩甲酰三氟丙酮等。

至于衍生自烷基、烷氧基、酰氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代的氨基、磺酸酯基、氰基、杂环配体、羰基配体、醚配体、胺配体、亚胺配体、膦配体、亚磷酸酯配体和硫醚配体的组合的多齿配体，示例的是乙酰丙酮化物，如乙酰丙酮，二苯并甲基化物和噻吩甲酰三氟丙酮等。

M是金属原子，其原子数为50或更大，并且通过自旋轨道相互作用可以在该配合物中发生单重态和三重态之间系统间的跨越。

由M表示的金属原子的实例包括：铼原子、锇原子、铱原子、铂原子、金原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子等。优选铼原子、锇原子、铱原子、铂原子、金原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子和镝原子；考虑到发光效率，更优选铱原子、铂原子、金原子和铕原子。

H，表示含有一个或多个选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的原子作为与M结合的原子的配体。

含有一个或多个选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的原子作为与M结合的原子的配体与为K所示例的那些相同。

H的实例包括通过将诸如吡啶环、噻吩环和苯并噁唑的杂环与苯环组合而构成的配体。

优选的实例如下：

当H是二齿配体，其在选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的两个原子处与M结合，并且形成5元环时：苯基吡啶、2-(对苯基苯基)吡啶、7-溴苯并[h]喹啉、2-(4-噻吩-2-基)吡啶、2-(4-苯基噻吩-2-基)吡啶、2-苯基苯并噁唑、2-(对苯基苯基)苯并噁唑、2-苯基苯并噻唑、2-(对苯基苯基)苯并噻唑、2-(苯并噻吩-2-基)吡啶等。

当H是三齿配体时，其在选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的任何三个原子处与M结合时：2，2′：6′，2″-三联吡啶、1，3-二(2-吡啶基)苯等。

当H是四齿配体，其在选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的四个原子处与M结合时：7，8，12，13，17，18-六乙基-21H，23H-卟啉，其是其中四个吡咯环以环状形式连接的配体。

H可以含有取代基，并且其实例包括卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基和一价杂环基。

至于H，示例的是下列：

这里，R″各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺基、酰胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基和一价杂环基。具体地，示例的是在上述R中的基团。R″可以相互连接形成环。为了改善在溶剂中的溶解性，优选至少一个R″含有长链烷基。

至于R″的具体实例，示例的是与上面R和R′中所示的基团相同的那些基团。

优选的是考虑到稳定性，H在至少一个氮或碳原子处与M结合，并且更优选H在多齿处与M结合。

当H是二齿配体，其在选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的两个原子处与M结合，以形成5元环时，更优选M与至少一个碳原子结合，H是由(H-1)、(H-2)、(H-3)或(H-4)表示的二齿配体

在式(H-1)中，R^a至R^h各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基和一价杂环基。

在式(H-2)中，T为S或O，且Rⁱ至Rⁿ各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基和一价杂环基。

Rⁱ和R^j可以形成环，并且在此情况下，它可以是稠合苯环。

在式(H-3)中，R^a1至R^j1各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代的氨基、取代的甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基和一价杂环基。

在式(H-4)中，R^a2至R^j2各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代的氨基、取代的甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基和一价杂环基。

当H是三齿配体，其在选自氮原子、氧原子、碳原子、硫原子和磷原子中的三个原子处与M结合时，更优选H是由下式(H-5)或(H-6)表示的三齿配体：

在式(H-5)中，R^a3至R^k3各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代的氨基、取代的甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基和一价杂环基。

在式(H-6)中，R^a4至R^k4各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代的氨基、取代的甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基和一价杂环基。

R^a至Rⁿ、R^a1至R^j1、R^a2至R^j2、R^a3至R^k3和R^a4至R^k4的具体实例包括与上面R和R′中所示相同的那些。

至于L₁、L₂、L₃、L₄或L₅，示例的是其中从上面H中所述的基团中去除在R″或R″上氢原子的残基，所述的氢原子数对应于连接至聚合物链的连接键数。具体地，示例的是其中从上面的结构式的具体实例中去除在R″或R″上氢原子的残基，所述的氢原子数对应于连接至聚合物链的连接键数。

在L₁的情况下，与聚合物链的连接键数是2，并且在L₂、L₃、L₄和L₅的情况下，与聚合物链的连接键数是1。

考虑到提高发光强度，除了显示由三重态受激态发光的金属配位结构外，本发明的聚合物配位化合物优选是包含具有相同式(1)的结构但具有不同取代基的那些的共聚物，或包含式(1)的重复单元和一种或多种其它的重复单元的共聚物。这种重复单元的实例优选包括由下式(3)、式(4)、式(5)或式(6)表示的重复单元：

-Ar₁-       (3)

-(Ar₂-X₁)₁₁-Ar₃-    (4)

-Ar₄-X₂-    (5)

-x₃-        (6)

其中，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示亚芳基或二价杂环基；X₁、X₂和X₃各自独立地表示-CR₁₅＝CR₁₆-、-C≡C-、-N(R₁₇)-或-(SiR₁₈R₁₉)_m-；R₁₅和R₁₆各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；R₁₇、R₁₈和R₁₉各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、芳基烷基或取代的氨基；ff表示0至2的整数；m表示1至12的整数；当R₁₅、R₁₆、R₁₇、R₁₈和R₁₉各自存在多个时，它们可以相同或不同。

亚芳基是其中去除芳族烃的两个氢原子的原子团，并且通常，碳原子数为约6至60，优选为6至20。芳族烃包括含有稠环、独立的苯环或通过基团如直接键或亚乙烯基连接的两个或多个稠环的那些。

亚芳基的实例包括亚苯基(例如，下式1-3)、萘二基(下式4-13)、亚蒽基(下式14-19)、亚联苯基(下式20-25)、三联苯二基(下式26-28)、稠环化合物基团(下式29-35)、芴二基(下式36-38)、1，2-二苯乙烯-二基(下式A-D)、二(1，2-二苯乙烯)-二基(下式E、F)等。它们中，优选亚苯基、亚联苯基、芴二基和1，2-二苯乙烯-二基。

二价杂环基是指其中从杂环化合物去除两个氢原子的原子团，并且碳原子数通常为约3至60。

杂环化合物是指具有环状结构的有机化合物，其中在环状结构中含有至少一个杂原子如氧、硫、氮、磷、硼等作为不同于碳原子的元素。

二价杂环基的实例包括下列：

含有氮作为杂原子的二价杂环基：吡啶-二基(下式39-44)、二氮杂亚苯基(下式45-48)、喹啉二基(下式49-63)、喹喔啉二基(下式64-68)、吖啶二基(下式69-72)、联吡啶二基(下式73-75)、菲咯啉二基(下式76-78)等；

具有含硅、氮、硒等作为杂原子的芴结构的基团(下式79-93)；

含硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元杂环基(下式94-98)；

含硅、氮、硒等作为杂原子的稠合5元杂环基(下式99-108)；

含硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元杂环基，其在杂原子的位置处连接形成二聚体或低聚体(下式109-112)；

含硅、氮、硫、硒作为杂原子的5元杂环基，其在杂原子的位置处与苯基连接(下式113-119)；和

含氮、氧、硫作为杂原子的5元杂环基组，其中在5元杂环基组中，苯基、呋喃基或噻吩基被取代(下式120-125)：

上式1-125的实例中，R各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子(例如，氯、溴、碘)、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。在式1-125的基团中含有的碳原子可以被氮原子、氧原子或硫原子取代，并且氢原子可以被氟原子取代。

在上式(3)表示的重复单元中，优选由下式(7)、式(8)、式(9)、式(10)、式(11)和式(12)表示的重复单元：

(其中，R₂₀表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。n表示0至4的整数。当存在多个R₂₀时，它们可以相同或不同)。

至于式(7)的具体实例，示例的是下列：

(其中，R₂₁和R₂₂各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。o和p各自独立地表示0至3的整数。当R₂₁和R₂₂存在多个时，它们可以相同或不同)。

至于式(8)的具体实例，示例的是下列：

(其中，R₂₃和R₂₆各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；q和r各自独立地表示0至4的整数。R₂₄和R₂₅各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。当R₂₃和R₂₆存在多个时，它们可以相同或不同)。

至于式(9)的具体实例，示例的是下列：

(其中，R₂₇表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。s表示0至2的整数。Ar₁₃和Ar₁₄各自独立地表示亚芳基、二价杂环基，或具有金属配位结构的二价基团。ss和tt各自独立地表示0或1。X₄表示O、S、SO、SO₂、Se或Te。当多个R₂₇存在时，它们可以相同或不同)。

至于式(10)的具体实例，示例的是下列：

(其中，R₂₈和R₂₉各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。t和u各自独立地表示0至4的整数。X₅表示O、S、SO₂、Se、Te、N-R₃₀或SiR₃₁R₃₂。X₆和X₇各自独立地表示N或C-R₃₃。R₃₀、R₃₁、R₃₂和R₃₃各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基。当R₂₈、R₂₉和R₃₃存在多个时，它们可以相同或不同)。

至于在由式(11)表示的重复单元中的中心5元环的实例，示例的是噻二唑、噁二唑、三唑、噻吩、呋喃、silole等。

至于式(11)的具体实例，示例的是下列：

(其中，R₃₄和R₃₉各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。v和w各自独立地表示0至4的整数。R₃₅、R₃₆、R₃₇和R₃₈各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。Ar₅表示亚芳基、二价杂环基，或具有金属配位结构的二价基团。当R₃₄和R₃₉存在多个时，它们可以相同或不同)。

至于式(12)的具体实例，示例的是下列：

至于由上式(3)表示的结构，示例的是由下式(12-1)表示的结构：

[其中，Ar_a和Ar_b各自独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基；R_x1表示芳基或一价杂环基，其可以含有烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基和取代基。X′表示单键、或

(其中，R_x2各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨基、酰胺基、二酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基)；当多个R_x2存在时，它们可以相同或不同]。

其中，Ar_a和Ar_b各自独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基。

三价芳族烃基是指从苯环或稠环中去除三个氢原子的原子团。在下面示例的式中，在三种连接键中，邻正位中的键分别与由式(12-1)、(12-1A)、(12-1C)和(12-1D)表示的X’和N相连。

上述三价芳族烃基在芳族环上可以含有一个或多个取代基。至于取代基，示例的是：卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳氨基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷基氨基、酰基、酰氧基、酰胺基、亚氨基、取代的甲硅烷基、取代的甲硅烷氧基、取代的甲硅烷硫基、取代的甲硅烷基氨基、一价杂环基、芳基烯基、芳基炔基或氰基。

构成三价芳族烃基的环的碳原子数通常为6至60，优选为6至20。

三价杂环基是指从杂环化合物中去除三个氢原子的原子团。

杂环化合物是指环状有机化合物，其中除了碳原子外，在环中含有杂原子如氧、硫、氮、磷、硼等作为构成环的元素。

至于三价杂环基，示例的是下列。在下面示例的式中，在三种连接键中，邻正位中的键分别与由式(12-1)、(12-1A)、(12-1C)和(12-1D)表示的X和N相连。

上面所述的三价杂环基可以在环上含有一个或多个取代基。取代基的实例包括：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨基、酰胺基、二酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基和氰基。

构成三价杂环基的环的碳原子数通常为4至60，优选为4至20。

上式中，R_#1各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子(例如，氯、溴、碘)、酰基、酰氧基、亚氨基、酰胺基、二酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。

R_#2各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、芳基烷基、取代的甲硅烷基、酰基或一价杂环基。

式(12-1)中，X′表示单键或下面的基团：

(其中，R_x2各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨基、酰胺基、二酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；当多个R_x2存在时，它们可以相同或不同)。

它们中，优选的是单键和下面的基团：

并且更优选单键。

在上式(12-1)表示的重复单元中，优选(12-1A)、(12-1B)、(12-1C)、(12-1D)、(12-1E)和(12-1F)，更优选式(12-1A)、(12-1D)、(12-1E)、(12-1F)，且进一步优选式(12-1F)：

[其中，X′、Ar_a和Ar_b表示如上所述相同的含义。R_x3、R_x4、R_x5、R_x6和R_x7各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨基、酰胺基、二酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基]。

[其中，R_x3、R_x4、R_x5、R_x6、R_x7和X′表示如上所述相同的含义。R_x8、R_x9、R_x10、R_x11、R_x12和R_x13表示与R_x3、R_x4、R_x5、R_x6和R_x7相同的含义]

[其中，R_x1、Ar_a和Ar_b表示如上所述相同的含义。]

[其中，R_x3、R_x4、R_x5、R_x6、R_x7、Ar_a和Ar_b表示如上所述相同的含义。]

[其中，R_x1、R_x8、R_x9、R_x10、R_x11、R_x12和R_x13表示如上所述相同的含义。]

[其中，R_x3、R_x4、R_x5、R_x6、R_x7、R_x8、R_x9、R_x10、R_x11、R_x12和R_x13表示如上所述相同的含义。]

在由上式(4)表示的重复单元中，优选由下式(13)表示的重复单元：

[其中，Ar₆、Ar₇、Ar₈和Ar₉各自独立地表示亚芳基或二价杂环基。Ar₁₀、Ar₁₁和Ar₁₂各自独立地表示芳基或一价杂环基。Ar₆、Ar₇、Ar₈、Ar₉和Ar₁₀可以含有取代基。x和y各自独立地表示0或1，且0≤x+y≤1]。

至于由上式(13)表示的重复单元的具体实例，示例的是下列(由式126至133表示)：

在上式中，R与上式1-125的那些相同。上面的实例中，在一个结构式中含有多个R，它们可以是相同或不同的基团。为了改善在溶剂中的溶解度，优选含有一个或多个不同于氢原子的基团，并且优选包含取代基的重复单元具有很少对称的形式。

当R含有芳基或杂环基作为其在上式中的部分时，它们可以含有一个或多个取代基。

在其中R在上式中包含烷基链的取代基中，它们可以是直链、支链或环状烷基中的任何一种，或其组合，并且当它不是直链时，示例的是异戊基、2-乙基己基、3，7-二甲基辛基、环己基、4-C₁-C₁₂烷基环己基等。为了改善聚合物化合物在溶剂中的溶解度，优选包含一个或多个环状或支链烷基链。

此外，多个R可以连接形成环。此外，当R是含有烷基链的基团时，所述的烷基链可以被含有杂原子的基团断开。这里，作为杂原子，示例的是氧原子、硫原子、氮原子等。

它们中，优选由下式(13-2)表示的重复单元：

[其中，R₄₀、R₄₁和R₄₂各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。hh、ii和jj各自独立地表示0至4的整数。z表示1至2的整数。当R₄₀、R₄₁和R₄₂存在多个时，它们可以相同或不同]。

在不损害荧光特性或电荷输送特性的范围内，本发明的聚合物配位化合物可以含有与由上式(1)表示的重复单元和由式(3)至式(13)表示的重复单元不同的重复单元。此外，这些重复单元和其它重复单元可以通过非共轭单元连接，并且所述的非共轭部分可以包含在所述的重复单元中。结合结构的实例包括下面所示的那些，以及下面所示那些的两种或多种的组合。这里，R是选自如上所述相同的取代基，并且Ar₁₅表示含有6至60个碳原子的烃基。

本发明的聚合物配位化合物可以具有两种或多种显示从三重态受激态发光的金属配位结构。每种金属配位结构可以具有彼此相同的金属，并且可以具有不同的金属。此外，每种金属配位结构可以具有相互不同的配体，并且可以具有相互不同的发光颜色。例如，示例的是这样一种情况：在一种聚合配位化合物中同时包含发射绿光的金属配位结构和发射红光的金属配位结构。在这种情况下，由于通过设计使得包含适当量的金属配位结构而可以控制发光颜色，因而它是优选的。

用于本发明的聚合物配位化合物还可以是无规、嵌段或接枝共聚物，或具有其中间结构的聚合物，例如具有嵌段性能的无规共聚物。考虑到得到具有高荧光性量子产额的聚合物化合物，与完全的无规共聚物相比，优选具有嵌段性能的无规共聚物和嵌段或接枝共聚物。此外，还可以包括具有支化的主链和超过三个端基的聚合物。

此外，还可以用稳定基团保护用于本发明的聚合物化合物的端基，因为如果聚合活性基团保留完整，当制备成器件时，存在减少发光性能和寿命的可能性。优选具有延伸至主链的共轭结构的共轭键的那些，示例的是通过碳-碳键与芳基或杂环化合物连接的结构。具体而言，示例的是如在JP-A-9-45478中的化学式10所述的取代基。

该聚合物配位化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量通常为10³-10⁸，优选为10⁴至10⁶。该聚合物配位化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量通常为10³-10⁸，优选为5×10⁴至5×10⁶。

至于本发明聚合物配位化合物的良好溶剂，示例的是氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、1，3，5-三甲基苯、1，2，3，4-四氢化萘、萘烷、正-丁基苯等。虽然其取决于聚合物配位化合物的结构和分子量，在这些溶剂中通常可以溶解的配位化合物的量为0.1重量％或更高。

接着，解释的是本发明聚合物配位化合物的制造方法。

在主链中含有1，2-亚乙烯基的情形的情况下，例如，示例的是JP-A-5-202355中描述的方法。即，示例的是：含有甲酰基的化合物和含有鏻-甲基的化合物，或含有甲酰基和鏻-甲基的化合物通过Wittig反应的聚合；含有乙烯基的化合物和含有卤素原子的化合物通过Heck反应的聚合；含有两个或多个单卤化甲基的化合物通过脱卤化氢方法的缩聚；含有两个或多个锍-甲基的化合物通过锍盐分解方法的缩聚；含有甲酰基的化合物和含有氰基的化合物通过Knoevenagel反应的聚合；和含有两个或多个甲酰基的化合物通过McMurry反应的聚合。

在本发明的聚合物配位化合物在主链中含有三键时，例如，可以使用Heck反应。

在主链中既不含有双键也不含有三键的情况下，示例的是：由相应的单体通过Suzuki偶合反应而聚合的方法；通过格利雅反应而聚合的方法；通过Ni(0)催化剂而聚合的方法；使用氧化剂例如FeCl₃而聚合的方法；电化学氧化聚合的方法；和通过分解具有适宜离去基团的中间聚合物的方法。

在它们当中，优选通过Wittig反应的聚合，通过Heck反应的聚合；通过Knoevenagel反应的聚合，通过Suzuki偶联反应聚合的方法，通过格利雅反应聚合的方法；以及通过Ni(0)催化剂聚合的方法，因为容易控制结构。

具体地，根据需要，将作为单体的、具有多个聚合活性基团的化合物溶解于有机溶剂中，并且可以使用碱或适宜的催化剂在有机溶剂的沸点和熔点之间的温度下反应。

例如，可以使用的已知方法描述于：Organic Reactions，volume 14，page270-490，John Wiley & Sons，Inc.，1965；Organic Reactions，Volume 27，page345-390，John Wiley & Sons，Inc.，1982；Organic Syntheses，Collective VolumeVI，page 407-411，John Wiley & Sons，Inc.，1988；Chemical Review(Chem.Rev.)，Volume 95，page 2457(1995)；Journal of OrganometallicChemistry(J.Organomet.Chem.)，Volume 576，page 147(1999)；Journal ofPraktical Chemistry，Vol.336th，page 247(1994)；and MacromolecularChemistry，Macromolecular Symposium (Makromol.Chem.，Macromol.Symp.)，Volume 12th，page 229(1987)。

优选对使用的有机溶剂充分地进行脱氧处理，并且反应在惰性气氛下进行，通常是为了抑制副反应，尽管处理根据所使用的化合物和反应而不同。此外，优选同样地进行脱水处理。但是，在有水的两相体系的反应如Suzuki偶合反应的情况下，这是不适用的。

为了反应，加入碱或适宜的催化剂。这可以根据所采用的反应而选择。优选碱或催化剂可以溶解于反应所使用的溶剂中。混合碱或催化剂的方法的实例包括：在氩气、氮气等的惰性气氛下，搅拌下慢慢地向反应溶液中加入碱或催化剂的溶液的方法；或相反地，慢慢地向碱或催化剂的溶液中加入反应溶液的方法。

例如，优选通过下面的方法制备含有上式(14)作为重复单元的聚合物配位化合物：在式(1)的单体或一种或多种选自式(1)和式(3)、(4)、(5)和(6)中的单体的存在下，进行由下式(18)表示的单体的缩聚：

[其中，M、H、K、L₁、h₁和k₁表示如上所述相同的含义。W₁和W₂各自独立地表示卤素原子、磺酸酯基、-B(OH)₂、硼酸酯基、锍-甲基、鏻-甲基、膦酸酯-甲基、单卤化甲基、甲酰基、氰基或乙烯基]。

优选通过下面的方法制备含有上式(15)作为重复单元的聚合物配位化合物：在式(1)的单体或一种或多种选自式(1)和式(3)、(4)、(5)和(6)中的单体的存在下，进行由下式(19)表示的单体的缩聚：

[其中，M、H、K、L₂、L₃、h₃和k₂表示如上所述相同的含义。W₃和W₄各自独立地表示卤素原子、磺酸酯基、-B(OH)₂、硼酸酯基、锍-甲基、鏻-甲基、膦酸酯-甲基、单卤化甲基、甲酰基、氰基或乙烯基]。

这里，作为W₃和W₄，优选卤素原子、-B(OH)₂和硼酸酯基，并且更优选卤素原子。

至于由上式(19)表示的单体，示例的是：其中用W₃和W₄代替在上式MC-1至MC-37的化合物中的分别含有的两个R′的那些，并且作为实例，示例的是由下式(19-a)至(19-h)表示的那些：

至于由上式(19)表示的单体的具体实例，还示例的是：其中将在(19-a)至(19-j)每一个中的相同配体上的溴原子的位置交换为R’的那些，并且其中将中心金属Ir改变为其它金属的那些。

优选通过下面的方法制备含有上式(16)作为重复单元的聚合物配位化合物：在式(1)的单体或一种或多种选自式(1)和式(3)、(4)、(5)和(6)中的单体的存在下，进行由下式(20)表示的单体的缩聚：

[其中，M、H、K、Ar₁₉、L₄、h₃和k₃表示如上所述相同的含义。W₅和W₆各自独立地表示卤素原子、磺酸酯基、-B(OH)₂、硼酸酯基、锍-甲基、鏻-甲基、膦酸酯-甲基、单卤化甲基、甲酰基、氰基或乙烯基]。

此外，优选通过下面的方法制备含有上式(16-1)作为重复单元的聚合物配位化合物：在式(1)的单体或一种或多种选自式(1)和式(3)、(4)、(5)和(6)中的单体的存在下，进行由下式(20-1)表示的单体的缩聚：

(其中，Ar₂₀、R_1′、R_2′和n′表示如上所述相同的含义。W₇和W₈各自独立地表示卤素原子、磺酸酯基、-B(OH)₂、硼酸酯基、锍-甲基、鏻-甲基、膦酸酯-甲基、单卤化甲基、甲酰基、氰基或乙烯基)。

至于由上式(20-1)表示的单体，例如，示例的是下列：

在上面的具体实例中，Y′表示如上所述相同的含义，并且R′的具体实例包括由上面的R’所示相同的那些。

在由上述W₁至W₈表示的基团中，作为卤素原子、磺酸酯基、硼酸酯基、锍-甲基、鏻-甲基、膦酸酯-甲基和单卤化甲基，示例的是下面的基团：

作为卤素原子，示例的是氯、溴和碘。

磺酸酯基的实例包括苯磺酸酯基、对甲苯磺酸酯基、甲磺酸酯基、乙磺酸酯基和三氟甲烷磺酸酯基。

作为硼酸酯基，示例的是由下式表示的基团：

作为锍-甲基，示例的是由下式表示的基团：

-CH₂S⁺Me₂X”-、-CH₂S⁺Ph₂X”-

(X”表示卤素原子)。

作为鏻-甲基，示例的是由下式表示的基团：

-CH₂P⁺Ph₃X”-(X”表示卤素原子)。

作为膦酸酯-甲基，示例的是由下式表示的基团：

-CH₂P(＝O)(OR”’)₂(R”’表示烷基、芳基或芳基烷基)。

作为单卤化甲基，示例的是氯甲基、溴甲基和碘甲基。

当本发明的聚合物配位化合物包含与式(14)至(16-1)的重复单元不同的重复单元时，它可以通过将用作与式(14)至(16-1)的重复单元不同的重复单元的单体共聚合来制备。

作为用作与式(14)至(16-1)的重复单元不同的重复单元的单体，示例的是下式(21)和(22)的化合物：

X₅-Ar₁₆-(CR₄₃＝CR₄₄)₁-X₆        (21)

其中，Ar₁₆、R₄₃、R₄₄和1表示如上所述相同的含义。X₅和X₆各自独立地表示卤素原子、磺酸酯基、-B(OH)₂、硼酸酯基、锍-甲基、鏻-甲基、膦酸酯-甲基、单卤化甲基、甲酰基、氰基或乙烯基。

其中，Ar₁₇、Ar₁₈、R₄₅和m表示如上所述相同的含义。X₇和X₈各自独立地表示卤素原子、磺酸酯基、-B(OH)₂、硼酸酯基、锍-甲基、鏻-甲基、膦酸酯-甲基、单卤化甲基、甲酰基、氰基或乙烯基。

在由X₅至X₈表示的基团中，作为卤素原子、硼酸酯基、锍-甲基、磺酸酯甲基、鏻-甲基、膦酸酯-甲基和单卤化甲基，示例的是上面W₁和W₂中所述的基团。

可以通过下面的方法制备本发明的聚合物配位化合物：在例如式(1)的单体或一种或多种选自式(3)、(4)、(5)和(6)中的单体的存在下，进行由下式(23)表示的单体的缩聚：

[其中，M、H、K、L₅、h₄和k₄表示如上所述相同的含义。X₉表示卤素原子、-B(OH)₂、硼酸酯基、锍-甲基、磺酸酯甲基、鏻-甲基、膦酸酯-甲基、单卤化甲基、甲酰基、氰基或乙烯基]。

在由X₉表示的基团中，作为卤素原子、硼酸酯基、锍-甲基、磺酸酯甲基、鏻-甲基、膦酸酯-甲基和单卤化甲基，示例的是上面W₁和W₂中所述的基团。

其中，作为X₉，优选卤素原子、-B(OH)₂和硼酸酯基，并且更优选卤素原子。

至于由上式(23)表示的单体，示例的是：其中用X₉代替在上式MC-1至MC-37的化合物中分别含有的R′之一的那些，并且作为实例，示例的是由下式(23-a)至(23-j)表示的那些：

至于由上式(23)表示的单体的具体实例，还示例的是：其中将在(23-a)至(23-j)每一个中的相同配体上的溴原子的位置交换为R’的那些，以及其中将中心金属Ir改变为其它金属的那些。

当将包含本发明的聚合物配位化合物的发光材料用于有机电致发光器件时，其纯度对发光性能产生影响，因而，优选在聚合之前通过诸如蒸馏、升华纯化、重结晶等之类的方法纯化单体。此外，优选在聚合后进行纯化处理，例如再沉淀纯化、色谱分离等。

如上所述，至于本发明的聚合物配位化合物的制造方法，可以通过使用三重态发光配合物和含有可聚合基团的单体作为原料的聚合来制备。

此外，使用由上面的H、K、L₁、L₄或L₅表示的配体的基团和含有可聚合基团的单体作为原料的聚合来得到聚合物，并且使所述的聚合物与三重态发光配合物的中心金属反应。

接着，解释的是本发明的聚合物配位化合物的应用。

本发明的聚合物配位化合物在固态下具有荧光或磷光，并且其可以用作发光聚合物(高分子量发光材料)。此外，该聚合物配位化合物具有优异的电输送性能，并且可以将其适宜地用作聚合物LED材料和电荷输送材料。包含发光聚合物的聚合物LED是可以在低压下和高效率地驱动的高性能聚合物LED。因此，可以优选将聚合物LED用于仪器如液晶显示器作为背光，用于照明的扁平或弯曲光源，分段显示器、点矩阵平板显示器等。

此外，还可以将本发明的聚合物配位化合物用作激光染料、有机太阳能电池材料、用于有机晶体管的有机半导体和导电薄膜材料如导电薄膜或有机半导体薄膜。

此外，还可以将它用作发射荧光和磷光的发光薄膜材料。

接着，解释本发明的聚合物LED。

本发明聚合物LED的特征在于，在阳极和阴极组成的电极之间具有包含有机层的层，并且所述的有机层包含本发明的聚合物配位化合物。

有机层可以是发光层、空穴输送层和电子输送层中的任何一种，但是优选有机层是发光层。

其中，发光层是具有发光功能的层，空穴输送层是具有输送空穴功能的层，并且电子输送层是具有输送电子功能的层。其中，电子输送层和空穴输送层统称为电荷输送层。可以各自独立地将发光层、空穴输送层和电子输送层作为两层或多层使用。

在有机层是发光层时，是有机层的发光层可以还含有空穴输送材料、电子输送材料或荧光材料。

可以将包含一种或多种选自穴输送材料、电子输送材料和荧光材料中的化合物以及本发明的聚合物配位化合物的组合物用作发光材料或电荷输送材料。

当将本发明的聚合物配位化合物和空穴输送材料混合时，空穴输送材料与全部混合物的混合物比率为1重量％至80重量％，并且优选为5重量％至60重量％。当将本发明的聚合物材料和电子输送材料混合时，电子输送材料与全部混合物的混合比率为1重量％至80重量％，并且优选为5重量％至60重量％。此外，当将本发明的聚合物配位化合物和荧光材料混合时，荧光材料与全部混合物的混合比率为1重量％至80重量％，并且优选为5重量％至60重量％。

当将本发明的聚合物配位化合物与荧光材料、空穴输送材料和/或电子输送材料混合时，荧光材料与全部混合物的混合比率为1重量％至50重量％，优选为5重量％至40重量％，空穴输送材料和电子输送材料在其总和中的比率为1重量％至50重量％，优选为5重量％至40重量％，并且本发明的聚合物配位化合物的含量为99重量％至20重量％。

作为将要混合的空穴输送材料、电子输送材料和荧光材料，可以使用已知的低分子量化合物和已知的聚合物化合物，并且优选使用聚合物化合物。

至于聚合物化合物的空穴输送材料、电子输送材料和荧光材料，示例的是：聚芴、其衍生物和共聚物；聚亚芳基、其衍生物和共聚物；聚亚芳基亚乙烯基、其衍生物和共聚物；芳族胺、其衍生物和共聚物；并且它们公开于：WO 99/13692、WO99/48160、GB2340304A、WO00/53656、WO01/19834、WO00/55927、GB2348316和WO00/46321、WO00/06665、WO99/54943、WO99/54385、US5777070和WO98/06773、WO97/05184、WO00/35987、WO00/53655、WO01/34722、WO99/24526、WO00/22027、WO00/22026、WO98/27136、US573636、WO 98/21262、US5741921、WO97/09394、WO 96/29356、WO 96/10617、EP0707020、WO95/07955、JP-A-2001-181618、JP-A-2001-123156、JP-A-2001-3045、JP-A-2000-351967、JP-A-2000-303066、JP-A-2000-299189、JP-A-2000-252065、JP-A-2000-136379、JP-A-2000-104057、JP-A-2000-80167、JP-A-10-324870、JP-A-10-114891、JP-A-9-111233、JP-A-9-45478等中。

作为低分子量荧光材料，可以使用例如，萘衍生物、蒽或其衍生物、苝或其衍生物、染料如聚次甲基染料、呫吨染料、香豆素染料、花青染料；8-羟基喹啉或其衍生物、芳族胺、四苯基环戊烷或其衍生物、四苯基丁二烯或其衍生物的金属配合物等。

具体而言，例如，可以使用已知的化合物，例如JP-A 57-51781、59-194393等所述的那些。

至于本发明聚合物LED的发光层的厚度，最佳值根据使用的材料而不同，并且可以适当选择使得驱动电压和发光效率变为最佳值，并且例如，它为1nm至1μm，优选为2nm至500nm，进一步优选为5nm至200nm。

至于发光层的形成方法，示例的有由溶液形成膜的方法。至于由溶液形成膜的方法，可以使用涂法，例如旋涂法、浇铸方法、微型凹版印刷涂法、凹版印刷涂法、棒涂法、辊涂法、线棒涂法、浸渍涂法、喷射涂法、丝网印刷方法、苯胺印刷方法、胶印印刷方法、喷墨印刷方法等。在图案形成和多色印刷容易时，优选印刷方法，如筛板印刷法、苯胺印刷方法、胶印印刷方法和喷墨印刷方法。

至于由印刷方法等使用的油墨组合物，含有至少一种本发明的聚合物化合物，并且除了本发明的聚合物配位化合物外，还可以含有空穴输送材料、电子输送材料、荧光材料、溶剂和添加剂如稳定剂。

本发明的聚合物配位化合物在油墨组合物中的比例相对于不包括溶剂的组合物总重量为20重量％至100重量％，并且优选为40重量％至100重量％。

在油墨组合物中还含有溶剂的情况下，溶剂的比例相对于组合物的总重量为1重量％至99.9重量％，优选为60重量％至99.5重量％，并且更优选为80重量％至99.0重量％。

油墨组合物的粘度根据印刷方法而改变。

在油墨组合物通过排放仪器如喷墨印刷方法的情况下，优选在25℃的粘度为1至100mPa·s，以防止在排放时的堵塞和射程弯曲。

尽管对用于油墨组合物的溶剂没有特别限制，但是优选可以均匀地溶解或分散除溶剂外的构成组合物的材料的那些。

当构成油墨组合物的材料可溶于非极性溶剂时，作为溶剂，示例的是：氯溶剂例如氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等，醚溶剂例如四氢呋喃等，芳族烃溶剂例如甲苯、二甲苯等，酮溶剂例如丙酮、甲基乙基酮等，和酯溶剂例如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等。

此外，作为本发明的聚合物LED，示例的是：在阴极与发光层之间具有电子输送层的聚合物LED；在阳极与发光层之间具有空穴输送层的聚合物LED；和在阴极与发光层之间具有电子输送层，并且在阳极与发光层之间具有空穴输送层的聚合物LED。

例如，具体示例的是下面的a-d结构：

a)阳极/发光层/阴极

b)阳极/空穴输送层/发光层/阴极

c)阳极/发光层/电子输送层/阴极

d)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

(其中，“/”是指相邻的层的层叠。以下，相同)

当本发明的聚合物LED具有空穴输送层时，作为所使用的空穴输送材料，示例的是：聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中含有芳族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、1，2-二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对-亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等。

空穴输送材料的具体实例包括在JP-A 63-70257、63-175860、2-135359、2-135361、2-209988、3-37992和3-152184中所述的那些。

在它们当中，至于空穴输送层中使用的空穴输送材料，优选聚合物空穴输送材料，例如聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中含有芳族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对-亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等，并且进一步优选为聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物和在侧链或主链中含有芳族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物。

至于低分子量化合物的空穴输送材料，示例的是吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、1，2-二苯乙烯衍生物和三苯基二胺衍生物。在低分子量化合物的空穴输送材料的情况下，优选在聚合物粘合剂中分散使用。

优选要混和的聚合物粘合剂不严重干扰电荷输送，并且适宜使用的要混和的聚合物粘合剂对可见光没有强吸收。至于这种聚合物粘合剂，示例的是聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚(丙烯酸甲酯)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚苯乙烯、聚(氯乙烯)、聚硅氧烷等。

例如，通过由乙烯基单体的阳离子聚合或自由基聚合，得到聚乙烯咔唑或其衍生物。

至于聚硅烷或其衍生物，示例的是描述于Chem.Rev.，89，1359(1989)和GB 2300196公布的说明书中所述的化合物等。至于合成，可以使用在它们中描述的方法，并且特别可以适宜地使用Kipping方法。

至于聚硅氧烷或其衍生物，示例的是具有上述的在侧链或主链中含有上述低分子量空穴输送材料的结构的那些，因为硅氧烷骨架结构的空穴输送性能差。特别地，示例的是在侧链或主链中具有芳族胺的那些，所述的芳族胺具有空穴输送性能。

对形成空穴输送层的方法没有限制，并且在低分子量空穴输送层的情况下，示例的是由含有聚合物粘合剂的混合溶液形成层的方法。在聚合物空穴输送材料的情况下，示例的是由溶液形成层的方法。

对用于由溶液形成膜的溶剂没有特别限制，只要它可以溶解空穴输送材料。至于溶剂，示例的是氯溶剂例如氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等，醚溶剂例如四氢呋喃等，芳族烃溶剂例如甲苯、二甲苯等，酮溶剂例如丙酮、甲基乙基酮等，和酯溶剂例如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等。

至于由溶液形成膜的方法，可以使用由溶液的涂法例如旋转涂法、浇铸方法、微型凹版印刷涂法、凹版印刷涂法、棒涂法、辊涂法、线棒涂法、浸渍涂法、喷射涂法、丝网印刷法、苯胺印刷方法、胶印印刷方法、喷墨印刷方法等。

至于空穴输送层的厚度，最佳值根据使用的材料而不同，和可以适当选择使得驱动电压和发光效率变为最佳值，并且必须的是至少不产生针孔的厚度，太厚的厚度是不优选的，因为器件的驱动电压提高。因此，空穴输送层的厚度为例如1nm至1μm，优选为2nm至500nm，进一步优选为5nm至200nm。

当本发明的聚合物LED具有电子输送层时，使用已知的化合物作为电子输送材料，示例的是噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯酚合苯醌，或8-羟基喹啉或其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴或其衍生物的金属配合物等。

具体地，示例的是在JP-A 63-70257、63-175860、2-135359、2-135361、2-209988、3-37992和3-152184中所述的那些。

在它们当中，优选噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物，或8-羟基喹啉或其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴或其衍生物的金属配合物，并且进一步优选为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝和聚喹啉。

对形成电子输送层的方法没有特别限制，并且分别地，在低分子量电子输送材料的情况下，示例的是由粉末的气相沉积方法或由溶液或熔化状态形成膜的方法，并且在聚合物电子输送材料的情况下，示例的是由溶液或熔化状态形成膜的方法。

对用于由溶液形成膜中使用的溶剂没有特别限制，只要它可以溶解电子输送材料和/或聚合物粘合剂。至于溶剂，示例的是氯溶剂例如氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等，醚溶剂例如四氢呋喃等，芳族烃溶剂例如甲苯、二甲苯等，酮溶剂例如丙酮、甲基乙基酮等，酯溶剂例如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等。

至于由溶液或熔化状态形成膜的方法，可以使用涂法例如旋转涂法、浇铸方法、微型凹版印刷涂法、凹版印刷涂法、棒涂法、辊涂法、线棒涂法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷涂法、苯胺印刷方法、胶印印刷方法、喷墨印刷方法等。

至于电子输送层的厚度，最佳值根据使用的材料而不同，并且可以适当选择使得驱动电压和发光效率变为最佳值，必须的是至少不产生针孔的厚度，并且太厚的厚度是不优选的，因为器件的驱动电压提高。因此，电子输送层的厚度为例如1nm至1μm，优选为2nm至500nm，进一步优选为5nm至200nm。

此外，在邻近电极提供的电荷输送层中，具有改善来自电极的电荷注入效率的功能并且具有降低器件的驱动电压作用的那些通常只称为电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。

此外，为了提高与电极的粘合力和改善来自电极的电荷注入，还可以邻近电极制备上述电荷注入层或膜厚度为2nm的绝缘层，并且为了提高界面的粘合力和防止混合等，还可以将薄缓冲层插入到电荷输送层和发光层的界面中。

在考虑到器件的发光效率和寿命的同时，可以适宜地采用层压的层的顺序和数量以及每一层的厚度。

在本发明中，至于所提供的具有电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的聚合物LED，列出的是具有在邻近阴极处提供的电荷注入层的聚合物LED和具有在邻近阳极处提供的电荷注入层的聚合物LED。

例如，特别示例的是下面的结构e)至p)：

e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极

f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极

g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极

h)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极

i)阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

k)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/阴极

l)阳极/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

m)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

至于电荷注入层的具体实例，示例的是包含导电聚合物的层，安置在阳极和空穴输送层之间并且包含电离电位在阳极材料电离电位和空穴输送层所含空穴输送材料电离电位之间的材料的层，安置在阴极和电子输送层之间并且包含具有电子亲合性在阴极材料电子亲合性和电子输送层所含电子输送材料电子亲合性之间的材料的层，等。

当上述电荷注入层是包含导电聚合物的层时，优选导电聚合物的导电率为10^-5S/cm或更大和10³S/cm或更小，并且为了降低发光像素之间的泄漏电流，更优选为10^-5S/cm或更大和10²S/cm或更小，进一步优选为10^-5S/cm或更大和10¹S/cm或更小。

通常，为了提供导电率为10^-5S/cm或更大和10³S/cm或更小的导电聚合物，向导电聚合物中掺杂适宜量的离子。

至于掺杂离子的种类，在空穴注入层中使用阴离子而在电子注入层中使用阳离子。至于阴离子的实例，示例的是聚苯乙烯磺酸根离子、烷基苯磺酸根离子、樟脑磺酸根离子等，并且至于阳离子的实例，示例的是锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子等。

电荷注入层的厚度为例如1nm至100nm，优选为2nm至50nm。

考虑到电极材料与邻近层的关系，可以适当选择在电荷注入层中使用的材料，示例的是导电聚合物，例如聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在其主链或侧链中包含芳族胺结构的聚合物等，以及金属酞菁(铜酞菁等)，碳等。

厚度为2nm或更小的绝缘层具有使电荷注入容易的功能。至于上述的绝缘层的材料，列出的是金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。至于具有厚度为2nm或更小的绝缘层的聚合物LED，列出的是具有在邻近阴极处提供的厚度为2nm或更小的绝缘层的聚合物LED，和具有在邻近阳极处提供的厚度为2nm或更小的绝缘层的聚合物LED。

具体地，例如，列出的是下面的结构q)至ab)：

q)阳极/厚度为2nm或更小的绝缘层/发光层/阴极

r)阳极/发光层/厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

s)阳极/厚度为2nm或更小的绝缘层/发光层/厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

t)阳极/厚度为2nm或更小的绝缘层/空穴输送层/发光层/阴极

u)阳极/空穴输送层/发光层/厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

v)阳极/厚度为2nm或更小的绝缘层/空穴输送层/发光层/厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

w)阳极/厚度为2nm或更小的绝缘层/发光层/电子输送层/阴极

x)阳极/发光层/电子输送层/厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

y)阳极/厚度为2nm或更小的绝缘层/发光层/电子输送层/厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

z)阳极/厚度为2nm或更小的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

aa)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

ab)阳极/厚度为2nm或更小的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

优选形成本发明聚合物LED的衬底可以是在形成电极和有机材料层中不变化的衬底，示例的是玻璃、塑料、聚合物膜、硅衬底等。在不透明衬底的情况下，优选相对的电极是透明的或半透明的。

通常，由阳极和阴极组成的电极中的至少一个是透明的或半透明的。优选阳极是透明的或半透明的。

至于这种阳极的材料，使用的是导电金属氧化膜、半透明金属薄膜等。具体地，使用的是氧化铟、氧化锌、氧化锡及其组合物，即，铟/锡/氧化物(ITO)，和通过使用由铟/锌/氧化物组成的导电玻璃制成的膜(NESA等)等，和金、铂、银、铜等。在它们当中，优选ITO、铟/锌/氧化物、氧化锡。至于制造方法，使用的是真空气相沉积方法、溅射方法、离子电镀方法、电镀方法等。至于阳极，还可以使用有机透明导电膜，例如聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。

在考虑光的透射和导电率的同时，可以适当选择阳极的厚度，例如为10nm至10μm，优选为20nm至1μm，进一步优选为50nm至500nm。

此外，为了电荷注入容易，可以在阳极上提供包含酞菁衍生物导电聚合物、碳等的层，或平均膜厚度为2nm或更小的包含金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等的层等。

至于本发明聚合物LED中使用的阴极材料，优选具有低功函的材料。例如，使用金属，例如锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等，或包含它们中的两种或多种的合金，或包含它们中的一种或多种与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨和锡的一种或多种的合金，石墨或石墨夹层化合物等。合金的实例包括镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。阴极可以形成为两层或多层的层压结构。

在考虑光的透射和导电率的同时，可以适当选择阴极的厚度，例如为10nm至10μm，优选为20nm至1μm，更优选为50nm至500nm。

至于制造阴极的方法，使用的是真空气相沉积方法、溅射方法，和其中在热和压力等下粘合金属薄膜的层压方法。此外，在阴极和有机层之间还可以提供包含导电聚合物的层，或平均膜厚度为2nm或更小的包含金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等的层，并且在制造阴极后，还可以提供保护聚合物LED的保护层。为了长期稳定使用聚合物LED，优选提供保护层和/或保护盖以保护器件，目的在于防止从外面的破坏。

至于保护层，可以使用聚合化合物、金属氧化物、金属氟化物、金属硼酸盐等。至于保护盖，可以使用玻璃片、塑料片，其表面已经进行低渗水性处理等，并且适当使用其中由密封用的热固性树脂或光固化树脂将盖与器件衬底粘贴在一起的方法。如果使用隔板保持空间，容易防止器件受到破坏。如果在该空间密封了内部气体例如氮和氩，可以防止阴极的氧化，此外，通过在上述空间放置干燥剂例如氧化钡等，可以容易地抑制由在生产过程中粘附的湿气导致的器件损坏。在它们当中，优选采用任何一种或多种方法。

本发明的聚合物LED可以用于平板光源、分段显示器、点矩阵显示器和液晶显示器作为背光，照明等。

为了使用本发明的聚合物LED得到平面形式的发光，可以适当以平面形式放置阳极和阴极，使得它们相互层压。此外，为了得到图案形式的发光，一种方法是在上述的平面光发光器件上放置具有图案形式的窗口的掩模，一种方法是在非发光部分中形成有机层以得到提供基本不发光的非常厚的厚度，以及一种方法是以图案形式形成阳极或阴极中的任何一种，或它们中的两种。通过这些方法中的任何一种和通过放置一些电极形成图案，使得可以独立开/关，得到分段型显示器件，其可以显示数字、字母、简单标记等。此外，为了形成点矩阵显示器，将阳极和阴极制成条状形式并且放置使得它们直角交叉可能是有利的。通过其中分开放置多种发出不同颜色的光的聚合化合物的方法，或其中使用滤色镜或发光转换滤光器的方法，得到区域彩色(area color)显示器和多色显示器。点矩阵显示器可以通过被动驱动，或通过与TFT组合的主动驱动等来驱动。可以使用这些显示器件作为计算机、电视机、便携终端、手提电话、汽车导航、摄影机的取录器等的显示器。

此外，上述的平面形式的发光器件是薄自发光器件，并且可以适当地用作液晶显示器的背光用的平光源，或用作发光的平光源。此外，如果使用挠性板，它还可以用作弯曲的光源或显示器。

下面的实施例将更详细地解释本发明，但是本发明的范围不受这些实施例的限制。

这里，至于数均分子量，聚苯乙烯换算的数均分子量是通过使用四氢呋喃作为溶剂的凝胶渗透色谱法(GPC)而得到的。

实施例1(化合物(a-1)的合成)

用氩气对100ml四颈烧瓶进行换气，然后，向烧瓶中加入0.49g(1.4mmol)氯化铱水合物和0.97g(2.8mmol)的5-溴-2-(4-辛基苯基)吡啶，并且加入21ml的2-乙氧基乙醇和7ml的水。将混合物在120℃的浴温搅拌6小时，然后使其冷却，过滤沉积的橙色固体，并且用水洗涤。将得到的固体从10ml甲苯和4ml己烷的混合溶剂中重结晶，得到0.80g的橙色固体。

用氩气对100ml四颈烧瓶进行换气，然后，向烧瓶中加入0.46g得到的橙色固体、0.20g(2.0mmol)的乙酰丙酮和0.20g(2.0mmol)的三乙胺，并且加入100ml的脱水甲醇。将混合物在80℃的浴温回流13小时，然后使其冷却，并且浓缩至干燥，由使用甲苯作为溶剂的硅胶柱色谱纯化，蒸馏掉溶剂，得到0.30g的化合物(a-1)。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)d8.51(2H，s)，7.81(2H，dd)，7.67(2H，d)，7.40(2H，d)，6.64(2H，d)，6.00(2H，s)，5.25(1H，s)，2.31(4H，t)，1.82(6H，s)，1.15-1.42(24H，m)，0.87(6H，t)。

MS(ESI-正，KCl加入)m/z：1021.3([M+K]⁺)。

实施例2(聚合物配位化合物(a-2)的合成)

将82mg(0.08mmol)上面所述的化合物(a-1)、1.9g(2.9mmol)的2，7-二溴-3，6-辛氧基苯并呋喃和1.15g的2，2′-联吡啶加入至反应容器中，然后，用氮气对反应体系中的气氛换气。向其中加入70ml预先通过用氩气鼓泡而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)。接着，向此混合溶液中加入2.0g的双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂}，将混合物在室温搅拌30分钟，然后，在60℃反应3.3小时。该反应是在氮气气氛中进行的。反应后，将该溶液冷却，然后，倾倒入甲醇30ml/离子交换水30ml/25％氨水5ml的混合溶液中，并且将混合物搅拌约2小时。接着，通过过滤收集产生的沉积物。将该沉积物在减压下干燥，然后，溶解于甲苯中。过滤该溶液，以除去不溶物，然后，将该溶液经过填充有氧化铝的柱子而纯化，接着，将该溶液用1N盐酸、2.5％氨水和离子交换水洗涤，并且倾倒入甲醇中，以引起再沉积，并且收集产生的沉积物。将该沉积物在减压下干燥，得到0.57g的聚合物(a-2)。

该聚合物的聚苯乙烯折算的数均分子量为7.2×10⁴，且聚苯乙烯折算的重均分子量为2.2×10⁵。

2，7-二溴-3，6-辛氧基苯并呋喃是由EP1344788中所述的方法合成的。

实施例3(化合物(b-1)的合成)

用氩气对100ml四颈烧瓶进行换气，然后，向烧瓶中加入1.06g(3.0mmol)氯化铱水合物、1.04g(3.0mmol)的5-溴-2-(4-辛基苯基)吡啶和0.80g(3.0mmol)的2-(4-辛基苯基)吡啶，并且加入42ml的2-乙氧基乙醇和14ml的水。将混合物在120℃的浴温搅拌9小时，然后使其冷却，过滤沉积的橙色固体，并且用水洗涤。将得到的固体溶解于氯仿中，通过硅胶过滤，然后蒸馏掉溶剂，得到橙色固体。

用氩气对100ml四颈烧瓶进行换气，然后，向烧瓶中加入2.58mg(3.0mmol)得到的橙色固体、1.2g(12mmol)的乙酰丙酮和1.2g(12mmol)的三乙胺，并且加入150ml的脱水甲醇。将混合物在80℃的浴温回流18小时，然后使其冷却，并且浓缩至干燥，由使用甲苯作为溶剂的硅胶柱色谱纯化，蒸馏掉溶剂，得到0.42g的化合物(b-1)。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)d8.55(1H，s)，8.45(1H，d)，7.80(1H，d)，7.79(1H，d)，7.69(2H，m)，7.42(2H，m)，7.09(2H，m)，6.01(2H，d)，5.22(1H，s)，2.30(4H，m)，1.80(6H，s)，1.03-1.41(24H，m)，0.88(6H，t)。

MS(ESI-正，KCl加入)m/z：941.2([M+K]⁺)。

实施例4(聚合物配位化合物(b-2)的合成)

将77mg(0.08mmol)上面所述的化合物(b-1)、1.9g(2.9mmol)的2，7-二溴-3，6-辛氧基二苯并呋喃和1.16g的2，2′-联吡啶加入至反应容器中，然后，用氮气对反应体系中的气氛换气。向其中加入70ml预先通过用氩气鼓泡而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)。接着，向此混合溶液中加入2.0g的双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂}，将混合物在室温搅拌30分钟，然后，在60℃反应3.3小时。该反应是在氮气气氛中进行的。反应后，将该溶液冷却，然后，倾倒入甲醇30ml/离子交换水30ml/25％氨水5ml的混合溶液中，并且将混合物搅拌约2小时。接着，通过过滤收集产生的沉积物。将该沉积物在减压下干燥，然后，溶解于甲苯中。过滤该溶液，以除去不溶物，然后，将该溶液经过填充有氧化铝的柱子而纯化，接着，将该溶液用1N盐酸、2.5％氨水和离子交换水洗涤，并且倾倒入甲醇，以引起再沉积，并且收集产生的沉积物。将该沉积物在减压下干燥，得到0.57g的聚合物(b-2)。

该聚合物的聚苯乙烯折算的数均分子量为5.8×10⁴，且聚苯乙烯折算的重均分子量为1.5×10⁵。

<发光性质>

实施例5和6

在石英上，旋转涂布各自浓度为0.8重量％的上面合成的聚合物配位化合物(a-2，b-2)的甲苯溶液，以制造薄膜。使用分光光度计对该薄膜的发射光谱的测量证实由三重态受激态的强光发射，表明在551nm(a-2)附近和554nm(b-2)附近的峰。激发波长为350nm。

<EL光发射的测量>

实施例7

在通过溅射方法在其上形成有厚度为150nm的ITO膜的玻璃衬底上，使用聚(亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(由Bayer制造的Baytron P)，由旋转涂布形成厚度为70nm的膜，然后将该膜在电热板上于200℃干燥10分钟。接着，通过使用聚合物配位化合物(a-2)的甲苯溶液在1500rpm的旋转速度下旋转涂布而形成膜，所述聚合物配位化合物(a-2)的甲苯溶液是如此制备的，使得其浓度为1.5重量％。此外，将其在减压下于80℃干燥1小时，然后气相沉积约4nm厚度的氟化锂，并且气相沉积约5nm厚度的钙和气相沉积约80nm厚度的铝，各自作为阴极，以制造EL器件。在真空度达到1×10^-4Pa或更低后，开始金属的气相沉积。通过向得到的器件施加电压，得到在560nm处显示峰的EL光发射。该器件在约14.7V下显示的光发射为100cd/m²。最大光发射效率为12.06cd/A。

实施例8

以与实施例12中相同的方式制造器件，不同之处在于使用聚合物配位化合物(b-2)代替聚合物配位化合物(a-2)。使用1.5重量％的甲苯溶液，由旋转涂布法以1100rpm进行膜的形成。通过向得到的器件施加电压，得到在564nm处显示峰的EL光发射。该器件在约8.3V下显示的光发射为100cd/m²。最大光发射效率为17.35cd/A。

实施例9(化合物c-1的合成)

在氩气气氛下，装入1.73g(72mmol)的NaH，并且将其在冰浴中冷却。在冰冷却下，滴加7.96g(40mmol)4-溴苯乙酮在60ml乙酸乙酯中的溶液，历时1小时。将该混合物加热回流以反应4.5小时。将该混合物冷却至室温，并且用1N盐酸和离子交换水洗涤，并且进行液体分离。用无水芒硝干燥有机层，并且浓缩，得到7.35g淡橙色粗产品。将该产品从乙醇中重结晶，得到3.37g白色针状结晶(收率：35％)。

¹H-NMR(300MHz/CDCl₃，)：

d2.20(s，3H)，6.14(s，1H)，7.60(d，2H)，7.74(d，2H)，16.1(bs，1H)，

MS(APCI(+))：(M+H)⁺241

实施例10(化合物c-2的合成)

装入15.9g(61.1mmol)频哪醇四叔丁基苯基硼酸酯、10.0g(61.1mmol)的1-氯喹啉和150ml的脱水甲苯，并且进行用氮气的鼓泡。加入106mg(0.092mmol)的Pd(PPh₃)₄，再进行用氮气的鼓泡。加入97ml(137.5mmol)的20％Et4NOH水溶液，并且将混合物加热回流21小时。将反应物质冷却至室温，加入至离子交换水中，并且用二乙醚萃取。将有机层用无水硫酸镁干燥，过滤且浓缩，得到19.3g的油。将晶体用50ml的二氯甲烷/己烷＝1/1溶解，并且装在硅胶柱上，使二氯甲烷/己烷＝1/1、二氯甲烷和二氯甲烷/甲醇＝9/1通过该柱。浓缩滤液，得到20g的黄色油。从200ml的己烷中重结晶得到8.2g白色片状晶体(收率：51.3％)。

实施例10(化合物c-3的合成)

装入4.89g(14mmol)的IrCl₃·3H₂O、27.97g(31mmol)的配体、36ml的2-乙氧基乙醇和12ml的离子交换水，并且进行用氮气的鼓泡。在氮气气氛下，将混合物加热回流17小时，然后，冷却至室温，并且在抽吸下过滤反应物质。将得到的棕红色粉末用离水交换水和甲醇洗涤，得到9.3g的棕红色粉末(收率：89.8％)。

实施例11(化合物c-4的合成)

在氩气气氛下，装入1.05g(0.7mmol)的μ-配合物、10.84g(3.5mmol)的配体、0.74g(7.0mmol)的碳酸钠和20ml的2-乙氧基乙醇，并且在室温反应4小时。在抽吸下过滤反应物质，得到棕红色粉末。将棕红色粉末溶解于氯仿中，装在硅胶柱上，并且使氯仿通过该柱。将滤液浓缩，得到棕红色粉末。将得到的粉末用乙醇洗涤，得到0.37g所要的物质(收率：27.8g)。

¹H-NMR(300MHz/THF-d₄)：

d0.97(d，18H)，1.90(s，3H)，6.04(s，1H)，6.36(dd，2H)，6.89-6.97(m，2H)，7.41(d，2H)，7.58(dd，2H)，7.65(dd，2H)，7.74-7.78(m，4H)，8.01-8.04(m，2H)，8.11(dd，2H)，8.56(dd，2H)，9.04(m，2H)

MS(ESI-正，KCl加入：(M+K)⁺991

实施例12(聚合物配位化合物c-5的合成)

将24mg(0.025mmol)上面所述的化合物、568mg(0.975mmol)的2，7-二溴-3，6-辛氧基二苯并呋喃和375mg的2，2′-联吡啶加入至反应容器中，然后，用氮气对反应体系中的气氛换气。向其中，加入30ml预先通过用氩气鼓泡而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)。接着，向此混合溶液中加入660mg的双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂}，将混合物在室温搅拌30分钟，然后，在60℃反应3.3小时。该反应是在氮气气氛中进行的。反应后，将该溶液冷却，然后，倾倒入甲醇30ml/离子交换水30ml/25％氨水3.6ml的混合溶液中，并且将混合物搅拌约2小时。接着，通过过滤收集产生的沉积物。将该沉积物在减压下干燥，然后，溶解于甲苯中。过滤该溶液，以除去不溶物，然后，将该溶液经过填充有氧化铝的柱子而纯化，接着，将该溶液用1N盐酸、2.5％氨水和离子交换水洗涤，并且倾倒入甲醇中，以引起再沉积，并且收集产生的沉积物。将该沉积物在减压下干燥，得到110mg的聚合物配位化合物(c-5)。

该聚合物的聚苯乙烯折算的数均分子量为4.8×10⁴，且聚苯乙烯折算的重均分子量为8.1×10⁴。

<发光性质>

实施例13

在石英上，旋转涂布浓度为0.8重量％的上面合成的聚合物配位化合物(c-5)的甲苯溶液，以制造薄膜。使用分光光度计对该薄膜的发射光谱的测量证实由三重态受激态的强光发射，表明在618nm附近的峰。激发波长为350nm。

<EL光发射的测量>

实施例14

在通过溅射方法在其上形成有厚度为150nm的ITO膜的玻璃衬底上，使用聚(亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(由Bayer制造的Baytron P)，由旋转涂布形成厚度为70nm的膜，然后将该膜在电热板上于200℃干燥10分钟。接着，通过使用聚合物配位化合物(c-5)的甲苯溶液在900rpm的旋转速度下旋转涂布而形成膜，所述聚合物配位化合物(c-5)的甲苯溶液是如此制备的，使得其浓度为1.7重量％。此外，将其在减压下于80℃干燥1小时，然后气相沉积约4nm厚度的氟化锂，并且气相沉积约5nm厚度的钙和气相沉积约80nm厚度的铝，各自作为阴极，以制造EL器件。在真空度达到1×10^-4Pa或更低后，开始金属的气相沉积。通过向得到的器件施加电压，得到在625nm处显示峰的EL光发射。该器件在约13V下显示的光发射为100cd/m²。最大光发射效率为0.78cd/A。

实施例15(化合物d-2的合成)

该铱配合物(d-1)是通过通用的芳族有机化合物溴化方法来溴化的，并且该溴化的配合物是通过使用甲苯∶己烷＝1∶1作为溶剂的硅胶柱色谱来纯化的，得到下式(d-2)：

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)d7.81-7.72(4H，m)，7.54-7.42(7H，m)，6.88～6.78(3H，m)，6.75-6.60(5H，m)，2.36-2.19(6H，m)，1.56～1.40(6H，m)，1.05-1.39(30H，m)，0.90-0.85(9H，m).

MS(ESI-正，KCl加入m/z：1070.4([M+H]⁺)

实施例16(聚合物配位化合物d-3的合成)

将43mg(0.040mmol)上面所述的化合物(d-2)、1.142g(1.960mmol)的2，7-二溴-3，6-辛氧基二苯并呋喃和750mg的2，2′-联吡啶加入至反应容器中，然后，用氮气对反应体系中的气氛换气。向其中加入42ml预先通过用氩气鼓泡而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)。接着，向此混合溶液中加入1.320g的双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂}，将混合物在室温搅拌30分钟，然后，在60℃反应3.3小时。该反应是在氮气气氛中进行的。反应后，将该溶液冷却，然后，倾倒入甲醇30ml/离子交换水30ml/25％氨水3.6ml的混合溶液中，并且将混合物搅拌约2小时。接着，通过过滤收集产生的沉积物。将该沉积物在减压下干燥，然后，溶解于甲苯中。过滤该溶液，以除去不溶物，然后，将该溶液经过填充有氧化铝的柱子而纯化，接着，将该溶液用1N盐酸、2.5％氨水和离子交换水洗涤，并且倾倒入甲醇中，以引起再沉积，并且收集产生的沉积物。将该沉积物在减压下干燥，得到610mg的聚合物配位化合物(d-3)。

该聚合物的聚苯乙烯折算的数均分子量为4.8×10⁴，且聚苯乙烯折算的重均分子量为1.2×10⁵。

实施例17

<发光性质>

在石英上，旋转涂布浓度为0.8重量％的上面合成的聚合物配位化合物(d-3)的甲苯溶液，以制造薄膜。使用分光光度计对该薄膜的发射光谱的测量证实由三重态受激态的强光发射，表明在516nm附近的峰。激发波长为350nm。

<EL光发射的测量>

实施例18

在通过溅射方法在其上形成有厚度为150nm的ITO膜的玻璃衬底上，使用聚(亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(由Bayer制造的Baytron P)，通过旋转涂布形成厚度为70nm的膜，然后将该膜在电热板上于200℃干燥10分钟。接着，使用聚合物配位化合物(d-3)的甲苯溶液在1400rpm的旋转速度下通过旋转涂布而形成膜，所述聚合物配位化合物(d-3)的甲苯溶液是如此制备的，使得其浓度为2.0重量％。此外，将其在减压下于80℃干燥1小时，然后气相沉积约4nm厚度的氟化锂，并且气相沉积约5nm厚度的钙和气相沉积约80nm厚度的铝，各自作为阴极，以制造EL器件。在真空度达到1×10^-4Pa或更低后，开始金属的气相沉积。通过向得到的器件施加电压，得到在520nm处显示峰的EL光发射。该器件在约11V下显示的光发射为100cd/m²。最大光发射效率为3.8cd/A。

实施例19(化合物(e-1)的合成)

用氩气对100ml四颈烧瓶进行换气，然后，向烧瓶中装入0.30g(0.1mmol)下面所述的化合物(e-3)、0.13g(0.2mmol)下面所述的化合物(e-2)和0.20g(2.0mmol)的三乙胺，并且向其加入30ml脱水乙醇。将混合物于80℃的浴温搅拌9小时，然后，使其冷却，浓缩至干燥，然后由使用甲苯作为溶剂的硅胶柱色谱来纯化，并且蒸馏掉溶剂，得到0.35g的化合物(e-1)。

化合物(e-3)是由EP1344788和J.Am.Chem.Soc.2003，125，636-637中所述的方法来合成的。

¹H-NMR(CDCl₃，300MHz)d8.47(4H，d)，7.79-7.02(20H，m)，6.56(4H，m)，6.08(2H，s)，6.02(2H，s)，5.20(2H，s)，3.91(4H，m)，2.26(6H，m)，2.04(4H，t)，1.69(4H，t)，1.05-1.45(64H，m)，0.88(12H，m).

MS(ESI-正，KCl加入：m/：2153.7([M+K]⁺)

实施例20(聚合物配位化合物(e-4)的合成)

将93mg(0.08mmol)上面所述的化合物(e-1)、1.9g(2.9mmol)的2，7-二溴-3，6-辛氧基二苯并呋喃和1.25g的2，2′-联吡啶加入至反应容器中，然后，用氮气对反应体系中的气氛换气。向其中加入70ml预先通过用氩气鼓泡而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)。接着，向此混合溶液中加入2.2g的双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂}，将混合物在室温搅拌30分钟，然后，在60℃反应3.3小时。该反应是在氮气气氛中进行的。反应后，将该溶液冷却，然后，倾倒入甲醇30ml/离子交换水30ml/25％氨水5ml的混合溶液中，并且将混合物搅拌约2小时。接着，通过过滤收集产生的沉积物。将该沉积物在减压下干燥，然后，溶解于甲苯中。过滤该溶液，以除去不溶物，然后，将该溶液经过填充有氧化铝的柱子而纯化，接着，将该溶液用1N盐酸、2.5％氨水和离子交换水洗涤，并且倾倒入甲醇中，以引起再沉积，并且收集产生的沉积物。将该沉积物在减压下干燥，得到0.57g的聚合物配位化合物(e-4)。

该聚合物的聚苯乙烯折算的数均分子量为4.4×10⁴，且聚苯乙烯折算的重均分子量为2.2×10⁵。

2，7-二溴-3，6-辛氧基二苯并呋喃是由EP1344788中所述的方法合成的。

实施例21

<发光性质>

在石英上，旋转涂布浓度为0.8重量％的上面合成的聚合物配位化合物(e-4)的甲苯溶液，以制造薄膜。使用分光光度计对该薄膜的发射光谱的测量证实由三重态受激态的强光发射，表明在517nm附近的峰。激发波长为350nm。

<EL光发射的测量>

实施例22

在通过溅射方法在其上形成有厚度为150nm的ITO膜的玻璃衬底上，使用聚(亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(由Bayer制造的Baytron P)，通过旋转涂布形成厚度为70nm的膜，然后将该膜在电热板上于200℃干燥10分钟。接着，通过使用聚合物配位化合物(e-4)的甲苯溶液在600rpm的旋转速度下旋转涂布而形成膜，所述聚合物配位化合物(e-4)的甲苯溶液是如此制备的，使得其浓度为1.5重量％。此外，将其在减压下于80℃干燥1小时，然后气相沉积约4nm厚度的氟化锂，并且气相沉积约5nm厚度的钙和气相沉积约80nm厚度的铝，各自作为阴极，以制造EL器件。在真空度达到1×10^-4Pa或更低后，开始金属的气相沉积。通过向得到的器件施加电压，得到在517nm处显示峰的EL光发射。该器件在约6.0V下显示的光发射为100cd/m²。最大光发射效率为5.04cd/A。

工业适用性

本发明在聚合物中含有三重态发光配位结构的配位化合物在用于发光器件的发光层时，使该器件具有优异的性质。

Claims (20)

1.一种聚合物配位化合物，其包含下式(1-4)或(1-5)的重复单元和显示从三重态受激态发光的金属配位结构，在固态具有可见光发射，所述配位化合物的中心金属为金、铂、铱、锇、铼、钨、铕、铽、铥、镝、钐、镨、钆或镱原子，并且其聚苯乙烯折算的数均分子量为10³至10⁸：

其中，环D、环E、环F和环G各自独立地表示芳族环，其任选含有选自下组的取代基：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基和氰基；Y表示-O-或-S-，其中取代的氨基是指被1个或2个选自烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基中的基团取代的氨基；取代的甲硅烷基是指被1个、2个或3个选自烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基中的基团取代的甲硅烷基；而取代的羧基是指被烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基取代的羧基。

2.根据权利要求1的聚合物配位化合物，其中环D、环E、环F和环G表示芳族烃环。

3.根据权利要求1或2的聚合物配位化合物，其中上面所述的式(1-4)的重复单元是选自下式(1-6)、(1-7)、(1-8)、(1-9)和(1-10)中的重复单元：

其中，R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂、R₁₃和R₁₄各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基或取代的羧基，其中取代的氨基、取代的甲硅烷基和取代的羧基如权利要求1中所定义；a和b各自独立地表示0至3的整数；c、d、e和f各自独立地表示0至5的整数；g、h、i和j各自独立地表示0至7的整数；当R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂、R₁₃和R₁₄各自存在多个时，它们可以相同或不同；Y表示如上所述相同的含义。

4.根据权利要求1或2的聚合物配位化合物，其还含有下面的式(3)、式(4)、式(5)或式(6)的重复单元：

-Ar₁-(3)

-Ar₄-X₂-(5)

-X₃-(6)

其中，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示亚芳基、二价杂环基，或具有金属配位结构的二价基团；X₁、X₂和X₃各自独立地表示-CR₁₃＝CR₁₄-、-C≡C-、-N(R₁₅)-或-(SiR₁₆R₁₇)_m-；R₁₃和R₁₄各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；R₁₅、R₁₆和R₁₇各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、芳基烷基或取代的氨基，其中取代的氨基和取代的羧基如权利要求1中所定义；ff表示0至2的整数；m表示1至12的整数；当R₁₃、R₁₄、R₁₅、R₁₆和R₁₇各自存在多个时，它们可以相同或不同。

5.根据权利要求4的聚合物配位化合物，其中上面所述的式(3)的重复单元是下式(7)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)或(12-1)的重复单元：

其中，R₂₀表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；n表示0至4的整数；当存在多个R₂₀时，它们可以相同或不同；

其中，R₂₁和R₂₂各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；o和p各自独立地表示0至3的整数；当R₂₁和R₂₂各自存在多个时，它们可以相同或不同；

其中，R₂₃和R₂₆各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；q和r各自独立地表示0至4的整数；R₂₄和R₂₅各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；当R₂₃和R₂₆存在多个时，它们可以相同或不同；

其中，R₂₇表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；s表示0至2的整数；Ar₁₃和Ar₁₄各自独立地表示亚芳基、二价杂环基，或具有金属配位结构的二价基团；ss和tt各自独立地表示0或1；X₄表示O、S、SO、SO₂、Se或Te；当多个R₂₇存在时，它们可以相同或不同；

其中，R₂₈和R₂₉各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；t和u各自独立地表示0至4的整数；X₅表示O、S、SO₂、Se、Te、N-R₃₀或SiR₃₁R₃₂；X₆和X₇各自独立地表示N或C-R₃₃；R₃₀、R₃₁、R₃₂和R₃₃各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基；当R₂₈、R₂₉和R₃₃存在多个时，它们可以相同或不同；

其中，R₃₄和R₃₉各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；v和w各自独立地表示0至4的整数；R₃₅、R₃₆、R₃₇和R₃₈各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；Ar₅表示亚芳基、二价杂环基，或具有金属配位结构的二价基团；当R₃₄和R₃₉存在多个时，它们可以相同或不同；

其中，Ar_a和Ar_b各自独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基；R_x1表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、或一价杂环基；X′表示单键、

其中，R_x2各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨基、酰胺基、二酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；当多个R_x2存在时，它们可以相同或不同，

其中取代的氨基、取代的甲硅烷基和取代的羧基如权利要求1中所定义。

6.根据权利要求4的聚合物配位化合物，其中上面所述式(4)的重复单元是下式(13)的重复单元：

其中，Ar₆、Ar₇、Ar₈和Ar₉各自独立地表示亚芳基或二价杂环基；Ar₁₀、Ar₁₁和Ar₁₂各自独立地表示芳基或一价杂环基；Ar₆、Ar₇、Ar₈、Ar₉和Ar₁₀各自是未取代的或被选自下列的取代基取代的：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基，这些基团中所含的碳原子可以被氮原子、氧原子或硫原子取代，并且氢原子可以被氟原子取代，其中取代的氨基、取代的甲硅烷基和取代的羧基如权利要求1中所定义；x和y各自独立地表示0或1，且0≤x+y≤1。

7.根据权利要求6的聚合物配位化合物，其中所述卤素原子为氯、溴或碘。

8.一种油墨组合物，其包含至少一种根据权利要求1至7任何一项的聚合物配位化合物。

9.根据权利要求8的油墨组合物，其中在25℃的粘度为1至100mPa·s。

10.一种发光薄膜，其包含根据权利要求1至7任何一项的聚合物配位化合物。

11.一种导电薄膜，其包含根据权利要求1至7任何一项的聚合物配位化合物。

12.一种有机半导体薄膜，其包含根据权利要求1至7任何一项的聚合物配位化合物。

13.一种聚合物发光器件，其在由阳极和阴极组成的电极之间具有有机层，其中所述的有机层含有根据权利要求1至7任何一项的聚合物配位化合物。

14.根据权利要求13的聚合物发光器件，其中所述有机层是发光层。

15.根据权利要求14的聚合物发光器件，其中所述的发光层还包含空穴输送材料、电子输送材料或荧光材料。

16.一种片状光源，其使用根据权利要求13至15任何一项的聚合物发光器件。

17.一种分段显示器，其使用根据权利要求13至15任何一项的聚合物发光器件。

18.一种点矩阵显示器，其使用根据权利要求13至15任何一项的聚合物发光器件。

19.一种液晶显示器，其使用根据权利要求13至15任何一项的聚合物发光器件作为背光。

20.一种照明设备，其使用根据权利要求13至15任何一项的聚合物发光器件。