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CN1841150A - 面内切换型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

面内切换型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法 Download PDF

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CN1841150A
CN1841150A CNA2006100670418A CN200610067041A CN1841150A CN 1841150 A CN1841150 A CN 1841150A CN A2006100670418 A CNA2006100670418 A CN A2006100670418A CN 200610067041 A CN200610067041 A CN 200610067041A CN 1841150 A CN1841150 A CN 1841150A
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Abstract

面内切换型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。面内切换型液晶显示装置的阵列基板的制造方法包括以下步骤：在基板上形成选通线和公共线，所述公共线与所述选通线间隔开；形成与所述选通线交叉以限定像素区的数据线；形成连接到所述选通线和所述数据线的薄膜晶体管；在所述像素区中形成像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极中的每一个都包括不透明金属层；以及向所述不透明金属层上照射紫外线，以在所述不透明金属层上形成金属氧化物层。

Description

面内切换型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示(LCD)装置。更具体地，本发明涉及面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的阵列基板及其制造方法。
背景技术
液晶显示(LCD)装置利用液晶分子的光学各向异性和偏振特性来产生图像。液晶分子为长且细的形状，并具有包括初始预倾斜角度的初始配向方向。通过施加电场来影响液晶分子的配向，可以对配向方向进行控制。由于液晶的光学各向异性，入射光的折射取决于液晶分子的配向方向。由此，通过适当地控制所施加的电场，可以产生具有希望的亮度的图像。
在公知类型的液晶显示器(LCD)中，薄膜晶体管(TFT)和像素电极按矩阵形式排列的有源矩阵LCD(AM-LCD)是重要的研发对象，因为它们分辨率高并且在显示运动图像方面能力出众。
液晶显示(LCD)装置包括间隔开并且彼此面对的两个基板、以及插入在这两个基板之间的液晶层。在一种LCD装置中，各个基板都包括电极，各基板的电极彼此面对。施加到各电极的电压在这些电极之间感生出电场。通过改变电场的强度来改变液晶分子的排列。
由于这些电极分别位于两个相对基板中的一个上，因此在这些电极之间感生的电场垂直于这两个基板。因此，由于该垂直电场，所以这种LCD装置的视角窄。
为了解决视角窄的问题，已提出了面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置。IPS-LCD装置包括位于同一基板上的像素电极和公共电极。
图1是示出根据现有技术的IPS-LCD装置的剖面图。该IPS-LCD装置包括阵列基板和滤色器基板，在它们之间插入有液晶层。
更具体地，如图1所示，在第一基板50上限定有像素区“P”。在第一基板50上的像素区“P”中形成有薄膜晶体管“T”以用作开关元件。在像素区“P”中还形成有公共电极58和像素电极72。薄膜晶体管“T”包括栅极52、半导体层62、源极64以及漏极66。在第一基板50上，公共电极58与像素电极72相交替并且平行。公共电极58与源极64和漏极66由相同的材料形成，并且形成在同一层上。像素电极72由透明导电材料形成。此外，在第一基板50上形成有连接到公共电极58的公共线。
第二基板30与第一基板50间隔开。在第二基板30的面对第一基板50的内表面上形成有黑底32。第二基板30上的黑底32对应于第一基板50上的薄膜晶体管“T”、选通线和数据线。在黑底32上形成有包括3种滤色器(红色滤色器34a、绿色滤色器34b以及蓝色滤色器(未示出))的滤色器层34。滤色器层34对应于第一基板50上的像素区“P”。
在第一基板50与第二基板30之间插入有液晶层“LC”。通过在公共电极58与像素电极72之间感生出的水平电场95来控制液晶层“LC”的配向。
图2是示出根据现有技术的面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的阵列基板的平面图。图2的阵列基板包括由透明导电材料形成的公共电极和像素电极。
在图2中，在基板50上形成有选通线54和数据线68。选通线54与数据线68彼此交叉以限定像素区“P”。公共线56与选通线54间隔开并平行于选通线54。在选通线54与数据线68的交叉部分形成有薄膜晶体管“T”。薄膜晶体管“T”包括栅极52、位于栅极52上的半导体层62、源极64以及漏极66。栅极52连接到选通线54，源极64连接到数据线68。
在像素区“P”中形成有彼此平行并间隔开的公共电极90和像素电极92。公共电极90接触公共线56，并延伸到像素区“P”中。像素电极92接触漏极66，并延伸到像素区“P”中。
当公共电极90和像素电极92之一由透明导电材料形成时，IPS-LCD装置可能显现出诸如瑕疵(stain)的图像劣化效应。
图3A和3B是沿图2的线“III-III”截取的剖面图，其示出了用于形成根据现有技术的面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的阵列基板的公共电极和像素电极的曝光步骤。如图3A所示，在基板50上形成栅绝缘层“GL”，在栅绝缘层“GL”上形成数据线68。此外，在数据线68上形成钝化层“PL”，并且在钝化层“PL”的整个表面上形成透明导电材料层96。在透明导电材料层96上形成光刻胶(PR)层98。在PR层98上方布置具有透射部分“F1”和遮挡部分“F2”的掩模“M”。将掩模“M”按使得遮挡部分“F2”对应于公共电极和像素电极的方式对准基板50。
将基板50布置在曝光装置的卡盘(chuck)“CK”上，光“L”透过掩模“M”照射在PR层98上。由于卡盘“CK”由金属材料形成，因此透过掩模“M”、PR层98、透明导电材料层96、钝化层“PL”以及栅绝缘层“GL”的一部分光“L”被卡盘“CK”反射。从卡盘“CK”反射的这部分光“L”照射在与掩模“M”的遮挡部分“F2”对应的PR层98上。来自卡盘“CK”的反射造成的对PR层98的不希望的照射导致PR图案不均匀。
如图3B所示，在照射了光“L”(图3A)之后，对PR层98(图3A)进行显影以形成PR图案(未示出)。使用该PR图案作为刻蚀掩模对透明导电材料层96(图3A)进行刻蚀，以形成公共电极90和像素电极92。由于照射到与卡盘“CK”(图3A)上方的部分“K”对应的PR层98(图3A)上的光的强度高于照射到PR层98(图3A)的其他部分上的光的强度，因此与所述部分“K”对应的公共电极90和像素电极92的第一宽度“d1”小于与所述其他部分对应的公共电极90和像素电极92的第二宽度“d2”。宽度“d1”与“d2”之差是PR图案的临界尺寸(criticaldimension)(CD)偏差。CD偏差导致LCD装置的亮度差，这被LCD装置用户认为是瑕疵。可以将卡盘反射导致的瑕疵称为卡盘瑕疵。
图4是示出另一现有技术的面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的阵列基板的公共电极和像素电极的剖面图。在图4中，公共电极90由不透明材料形成，像素电极92由透明材料形成。即使没有对应于不透明公共电极90而产生CD偏差，透明的像素电极92也会具有CD偏差：与卡盘上方的部分“K”对应的像素电极92的第一宽度“d1”小于与其他部分对应的像素电极92的第二宽度“d2”。
与选通线(未示出)和栅极同时地形成公共电极90。选通线由具有相对较大的厚度(其提供对应的相对较低的电阻率)的材料形成，以防止信号延迟。由于公共电极90是与选通线同时制成的，因此公共电极90也具有相对较大的厚度，导致形成在公共电极90上方的上层中的高度差或台阶差。当公共电极90和像素电极92由透明材料形成时，该台阶差导致LCD装置中的可观察到的图像缺陷或台阶瑕疵。
此外，透明导电材料具有比不透明金属材料高的电阻率。因此，在大尺寸LCD装置中，透明导电材料的电阻率可能导致诸如信号延迟的问题，并且可能降低制造具有透明导电材料的像素电极和公共电极的大尺寸LCD装置时的设计自由度。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种面内切换型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法，其本质上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或更多个问题。
本发明的一个优点是提供了一种面内切换型液晶显示装置，其中防止了卡盘瑕疵和台阶瑕疵。
本发明的另一优点是提供了一种面内切换型液晶显示装置，其中减小了像素电极和公共电极的电阻。
本发明的另一优点是提供了一种面内切换型液晶显示装置，其像素电极和公共电极具有包括不透明材料的多层。
本发明的附加特征和优点将在以下说明得以阐述，其部分地从说明中显见，或者可以通过对本发明的实践而获知。通过所记录的说明及其权利要求以及附图中具体指出的结构，可以实现并获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些和其他优点并且根据本发明的目的，如具体实施和广义描述的，面内切换型液晶显示装置的阵列基板的制造方法包括以下步骤：在基板上形成选通线和公共线，所述公共线与所述选通线间隔开；形成与所述选通线交叉以限定像素区的数据线；形成连接到所述选通线和所述数据线的薄膜晶体管；在所述像素区中形成像素电极和公共电极，所述像素电极和公共电极中的每一个都包括不透明金属层；以及将紫外(UV)线照射在所述不透明金属层上，以在所述不透明金属层上形成金属氧化物层。
在另一方面，面内切换型液晶显示装置的阵列基板包括：基板上的选通线；与所述选通线交叉以限定像素区的数据线；与所述选通线间隔开的公共线；连接到所述选通线和所述数据线的薄膜晶体管；以及位于所述像素区中的像素电极和公共电极，所述像素电极和公共电极中的每一个都包括透明导电层、该透明导电层上的不透明金属层以及该不透明金属层上的金属氧化物层。
面内切换型液晶显示装置的阵列基板的制造方法包括以下步骤：在基板上形成选通线和公共线，所述公共线与所述选通线间隔开；形成与所述选通线交叉以限定像素区的数据线；形成连接到所述选通线和所述数据线的薄膜晶体管；在所述像素区中形成像素电极和公共电极，所述像素电极和公共电极中的每一个都包括透明导电层和该透明导电层上的不透明金属层；以及将紫外线照射在所述不透明金属层上，以在所述不透明金属层上形成金属氧化物层。
应当明白，以上总体说明和以下详细说明都是示例性和说明性的，旨在提供对如权利要求所述的本发明的进一步说明。
附图说明
被包括进来以提供对本发明的进一步理解的附图被并入并且构成本说明书的一部分，其示出本发明的实施例，并且与说明一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是示出根据现有技术的面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的剖面图；
图2是示出根据现有技术的面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的阵列基板的平面图；
图3A和3B是沿图2的线“III-III”截取的剖面图，其示出了用于形成根据现有技术的面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的阵列基板的公共电极和像素电极的曝光步骤；
图4是示出根据另一现有技术的面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的阵列基板的公共电极和像素电极的剖面图；
图5是示出根据本发明第一实施例的面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的阵列基板的平面图；
图6(6A到6D)、7(7A到7D)、8(8A到8D)、9(9A到9D)以及10(10A到10D)是示出根据本发明第一实施例的面内切换型液晶显示装置的制造方法的剖面图；
图11A、11B以及11C是示出根据本发明第二实施例的面内切换型液晶显示装置的阵列基板的剖面图；以及
图12A、12B以及12C是示出根据本发明第三实施例的面内切换型液晶显示装置的阵列基板的剖面图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，其示例在附图中示出。
图5是示出根据本发明第一实施例的面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的阵列基板的平面图。
在图5中，在基板100上形成有选通线112、位于选通线112一端的选通焊盘114、数据线140以及位于数据线140一端的数据焊盘132。选通线112与数据线140交叉，以限定像素区“P”。公共线118被形成为与选通线112平行，并与选通线112间隔开。在选通线112与数据线140的交叉处形成有薄膜晶体管(TFT)“T”。TFT“T”包括连接到选通线112的栅极116、栅极116上方的有源层124、连接到数据线140的源极126以及与源极126间隔开的漏极128。源极126和漏极128形成在有源层124的上方。在像素区“P”中形成有呈条形的像素电极146和公共电极148。像素电极146与公共电极148相互平行并间隔开。像素电极146通过漏接触孔136连接到漏极128，公共电极148通过公共接触孔143连接到公共线118。分别向像素电极146和公共电极148施加数据信号和公共信号。选通焊盘端子150通过接触孔连接到选通焊盘114。数据焊盘端子152通过接触孔连接到数据焊盘132。
像素电极146和公共电极148中的每一个都包括不透明金属层和位于该不透明金属层上方的氧化物层。该不透明金属层具有相对较低的电阻率和相对较低的反射率。此外，可以通过使用红外(IR)线使不透明金属层的上表面氧化来形成所述氧化物层。选通焊盘端子150和数据焊盘端子152中的每一个都包括不透明金属层。由于像素电极146和公共电极148包括不透明金属层，因此光不会透过这些电极的不透明金属层以从曝光装置的卡盘反射。因此，获得了均匀的临界尺寸(CD)，防止了产生卡盘瑕疵。此外，由于像素电极146和公共电极148包括电阻率相对较低的不透明金属层，因此即使大尺寸LCD装置的工作特性也得到了改进。尽管在图5中将公共线118示出为形成在与公共电极148不同的层中，但是另选地，公共线118可以与公共电极148形成在相同的层中。
图6A到6D、7A到7D、8A到8D、9A到9D以及10A到10D是示出根据本发明第一实施例的面内切换型液晶显示装置的制造方法的剖面图。图6A、7A、8A、9A以及10A是沿线“IV-IV”截取的，图6B、7B、8B、9B以及10B是沿线“V-V”截取的。此外，图6C、7C、8C、9C以及10C是沿线“VI-VI”截取的，图6D、7D、8D、9D以及10D是沿线“VII-VII”截取的。
如图6A到6D所示，基板100包括：包括开关区“S”的像素区“P”；选通焊盘区“G”；以及数据焊盘区“D”。通过对第一导电金属材料进行淀积和构图来在基板100上形成选通线112、选通焊盘114以及公共线118(图5)。将选通焊盘114布置在选通线112一端的选通焊盘区“G”中，将公共线118(图5)布置成与选通线112平行并与选通线112间隔开。此外，在基板100上形成从选通线112延伸的栅极116。另选地，可以将选通线的一部分用作栅极。第一导电金属材料可以包括铝(Al)、铝(Al)合金、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)以及钼(Mo)中的至少一种。此外，选通线112和公共线118(图5)具有单层结构和包括第一导电金属材料的多层结构中的一种。
在选通线112、选通焊盘114、栅极116以及公共线118上形成有栅绝缘层120。栅绝缘层120可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)。在栅绝缘层120上顺序地淀积本征非晶硅(a-Si:H)和掺杂非晶硅(n+a-Si:H)材料，并通过对所淀积的本征非晶硅(a-Si:H)和掺杂非晶硅(n+a-Si:H)进行构图来在开关区“S”中在栅极116上方的栅绝缘层120上形成有源层122和欧姆接触层124。
如图7A到7D所示，通过对第二导电金属材料进行淀积和构图，在欧姆接触层124上形成源极126和漏极128。源极126与漏极128彼此间隔开，并且源极126延伸到像素区“P”中。通过对第二导电材料进行构图，在栅绝缘层120上形成连接到源极126的数据线130和位于数据线130一端的数据焊盘区“D”中的数据焊盘132。第二导电金属材料可以包括铝(Al)、诸如钕铝化合物(AlNd)的铝(Al)合金、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)以及钨钼化合物(MoW)中的至少一种。
如图8A到8D所示，在源极126、漏极128和数据线130上形成钝化层134。穿过钝化层134形成暴露出漏极128的漏接触孔136、暴露出选通焊盘114的选通焊盘接触孔138、以及暴露出数据焊盘132的数据焊盘接触孔140。穿过钝化层134和栅绝缘层120形成暴露出公共线118(图5)的公共接触孔143(图5)。钝化层可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂的有机绝缘材料。
如图9A到9D所示，通过对第三导电金属材料进行淀积和构图，在像素区“P”中的钝化层134上形成像素电极146和公共电极148。像素电极146通过漏接触孔136连接到漏极128。公共电极148通过公共接触孔143(图5)连接到公共线118(图5)，并且与像素电极146间隔开。通过对第三导电材料进行构图，分别在选通焊盘114和数据焊盘132上形成选通焊盘端子150和数据焊盘端子152。第三导电金属材料是不透明的，并具有相对较低的电阻率。例如，第三导电金属材料可以包括铝(Al)、诸如钕铝化合物(AlNd)的铝(Al)合金、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)以及钼(Mo)中的至少一种。此外，当像素电极146和公共电极148为单层时，像素电极146和公共电极148可以具有约100到约1000的厚度。
在选通焊盘端子150和数据焊盘端子152的上方布置诸如遮盖掩模的遮挡装置160，将紫外(UV)线照射在像素电极146和公共电极148上。遮挡装置160遮蔽了选通焊盘端子150和数据焊盘端子152，从而UV线不会照射到选通焊盘端子150和数据焊盘端子152上。另选地，可以在选通焊盘端子150和数据焊盘端子152上形成吸收UV线的材料层来作为遮挡装置。
如图10A到10D所示，通过由UV线照射使第三导电金属材料氧化，从而在像素电极146和公共电极148的上表面上形成金属氧化物层“OL”。因此，像素电极146和公共电极148中的每一个都包括不透明金属层“J”和形成在该不透明金属层“J”上的金属氧化物层“OL”。当第三导电金属材料包括钛(Ti)时，金属氧化物层“OL”可以包括钛氧化物(TiOx)。更一般地，金属氧化物层“OL”包括对应于第三导电金属材料的金属氧化物。不透明金属层“J”具有相对较低的电阻率，并且金属氧化物层“OL”具有小于约10％的反射率。此外，金属氧化物层“OL”和不透明金属层“J”的总厚度在约100到约2000的范围内。因为像素电极146和公共电极148的厚度相对较小，所以由像素电极146和公共电极148而导致的上层的台阶差减小了。由于通过遮挡装置160为选通焊盘端子150和数据焊盘端子152遮蔽了UV线，因此在选通焊盘端子150和数据焊盘端子152上不形成氧化物层。
图11A到11C是示出根据本发明第二实施例的面内切换型液晶显示装置的阵列基板的剖面图。图11A、11B以及11C分别对应于沿线“V-V”、“VI-VI”以及“VII-VII”截取的剖面。
如通过参照图11A到11C可以理解的，在包括像素区“P”、选通焊盘区“G”以及数据焊盘区“D”的基板200上形成有选通线(未示出)和选通焊盘208。选通焊盘208布置在选通线一端的选通焊盘区“G”中。在选通线和选通焊盘208上形成有栅绝缘层202，在栅绝缘层202上形成有数据线206和数据焊盘209。数据焊盘209布置在数据线206一端的数据焊盘区“D”中。在数据线206和数据焊盘209上形成有有机绝缘材料的钝化层213。在像素区“P”中的钝化层213上形成有像素电极212和公共电极210。像素电极212和公共电极210中的每一个都包括三层：透明导电层“TL”、位于透明导电层“TL”上的不透明金属层“J”、以及位于不透明金属层“J”上的金属氧化物层“OL”。透明导电层“TL”可以包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)中的一种，可以通过使用UV线照射来使金属材料氧化从而在较高层中形成金属氧化物层“OL”。例如，像素电极212和公共电极210中的每一个都可以包括ITO/Ti/TiO2的多层。
此外，在钝化层213上形成有选通焊盘端子250和数据焊盘端子252，以分别接触选通焊盘208和数据焊盘209。选通焊盘端子250和数据焊盘端子252包括透明导电层“TL”和不透明金属层“J”。在照射像素电极212和公共电极210期间，由诸如遮盖掩模的遮挡装置遮蔽选通焊盘端子250和数据焊盘端子252，从而UV线不会到达选通焊盘端子250和数据焊盘端子252。结果，在像素电极212和公共电极210的不透明金属层“J”上形成有金属氧化物层“OL”，而在选通焊盘端子250和数据焊盘端子252的不透明金属层“J”上没有形成金属氧化物层。
在本发明的第一和第二实施例中，由于选通焊盘端子和数据焊盘端子的不透明金属层暴露于环境空气，因此不透明金属层可能被氧化，在其上表面上形成自然氧化物层。因此，在如图12A到12C所示的另一实施例中，选通焊盘端子和数据焊盘端子可以包括透明导电层。
图12A到12C是示出根据本发明第三实施例的面内切换型液晶显示装置的阵列基板的剖面图。
如图12A到12C所示的，形成在像素区“P”中的钝化层213上的像素电极212和公共电极210各自包括透明导电层“TL”、不透明金属层“J”以及金属氧化物层“OL”。选通焊盘区“G”中的选通焊盘端子250和数据焊盘区“D”中的数据焊盘端子252包括透明导电层“TL”。
在用于形成透明导电层“TL”的选通焊盘端子250和数据焊盘端子252的第一方法中，在钝化层213的整个表面上形成透明导电材料层(未示出)，并使用诸如遮盖掩模的遮挡装置在透明导电材料层“TL”上淀积不透明金属材料。可以将遮挡装置设置为在淀积不透明金属材料的过程中遮蔽选通焊盘区“G”和数据焊盘区“D”。因此，当在像素区“P”中的钝化层213上形成了透明导电材料层和不透明金属材料层(未示出)时，在选通焊盘区“G”和数据焊盘区“D”中的钝化层213上形成了透明导电材料层，而在选通焊盘区“G”和数据焊盘区“D”中没有形成不透明金属层。通过使用光掩模进行光刻处理来对不透明金属材料层和透明导电材料层顺序地进行刻蚀。结果，在像素区“P”中的钝化层213上形成了具有透明导电层“TL”和不透明金属层“J”的像素电极212和公共电极210，而在选通焊盘区“G”和数据焊盘区“D”中的钝化层213上形成了具有透明导电层“TL”的选通焊盘端子250和数据焊盘端子252。接着，向像素电极212、公共电极210、选通焊盘端子250以及数据焊盘端子252上照射UV线。由于透明导电层“TL”不会被UV线氧化，因此在像素电极212和公共电极210的不透明金属层“J”上形成了金属氧化物层“OL”，而选通焊盘端子250和数据焊盘端子252的透明导电层“TL”仍然暴露(即，不被金属氧化物层覆盖)。
在用于形成透明导电层“TL”的选通焊盘端子250和数据焊盘端子252的另选方法中，在钝化层213上顺序地形成透明导电材料层(未示出)和不透明金属材料层(未示出)。通过对该不透明金属层和透明导电材料层顺序地进行刻蚀，形成具有透明导电层“TL”和不透明金属层“J”的像素电极212、公共电极210、选通焊盘端子250以及数据焊盘端子252。接着，通过光刻处理，部分地遮蔽像素区“P”中的像素电极212和公共电极210，选择性地去除选通焊盘端子250和数据焊盘端子252的不透明金属层。例如，可以使用针对不透明金属材料的选择性较之透明导电材料来说相对较高的刻蚀溶液来去除不透明金属层。结果，将像素电极212和公共电极210形成为具有透明导电层“TL”和不透明金属层“J”，而将选通焊盘端子250和数据焊盘端子252形成为具有透明导电层“TL”但不具有不透明金属层“J”。接着，向像素电极212、公共电极210、选通焊盘端子250以及数据焊盘端子252上照射UV线。由于透明导电层“TL”不会被UV线氧化，因此在像素电极212和公共电极210的不透明金属层“J”上形成了金属氧化物层“OL”，而选通焊盘端子250和数据焊盘端子252的透明导电层“TL”是暴露的(即，不被金属氧化物层覆盖)。
在本发明的第三实施例中，可以在清洁步骤中照射UV线。由于使用UV线照射来去除有机颗粒，因此无需额外的UV线照射步骤就可以形成像素电极212和公共电极210的金属氧化物层“OL”。此外，不透明金属层“J”具有相对较低的电阻率，并且金属氧化物层“OL”具有小于约10％的反射率。此外，金属氧化物层“OL”与不透明金属层“J”的总厚度在约100到约2000的范围内。结果，与像素电极212和公共电极210相关联的台阶差减小了。由于选通焊盘端子250和数据焊盘端子252包括透明导电层“TL”，因此在UV照射过程中在选通焊盘端子250和数据焊盘端子252上不会形成金属氧化物层。
尽管在第三实施例中将像素电极212和公共电极210描述为形成在同一层上，但是另选地，像素电极212可以形成在与公共电极210不同的层上。例如，公共电极210可以形成在与公共线相同的层上。
因此，本发明的IPS-LCD装置具有许多优点。第一，由于像素电极和公共电极包括不透明金属材料，因此防止了卡盘瑕疵并改进了显示质量。第二，由于像素电极和公共电极之一形成在与选通线和数据线之一不同的层上，因此可以减小像素电极和公共电极的厚度。结果，减小了台阶差并防止了台阶瑕疵，改进了显示质量。第三，由于像素电极和公共电极的表面反射率小于约10％，因此提高了黑图像的暗度，改进了显示的对比度。第四，由于像素电极和公共电极的金属氧化物是通过UV线照射而形成的，因此简化了制造工艺。
对于本领域的技术人员，很明显，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明进行各种变化和修改。由此，本发明旨在覆盖本发明的变型和修改，只要它们落在所附权利要求及其等同物的范围内。
本申请要求于2005年3月31日提交的韩国专利申请No.2005-0027064的优先权，通过引用将其并入于此，如同在此对其进行全面阐述一样。

Claims (20)

1、一种面内切换型液晶显示装置的阵列基板的制造方法，包括以下步骤：
在基板上形成选通线和公共线，所述公共线与所述选通线间隔开；
形成与所述选通线交叉以限定像素区的数据线；
形成连接到所述选通线和所述数据线的薄膜晶体管；
在所述像素区中形成像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极中的每一个都包括不透明金属层；以及
向所述不透明金属层上照射紫外线，以在所述不透明金属层上形成金属氧化物层。
2、根据权利要求1所述的方法，其中，所述不透明金属层和所述金属氧化物层的总厚度在约100到约2000的范围内。
3、根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
在所述选通线的一端形成选通焊盘；
在所述数据线的一端形成数据焊盘；以及
形成与所述选通焊盘相接触的选通焊盘端子和与所述数据焊盘相接触的数据焊盘端子。
4、根据权利要求3所述的方法，进一步包括以下步骤：在向所述不透明金属层上照射紫外线之前，在所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子的上方设置遮挡装置。
5、根据权利要求3所述的方法，其中，所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子中的每一个都包括所述不透明金属层。
6、一种面内切换型液晶显示装置的阵列基板，包括：
在基板上的选通线；
与所述选通线交叉以限定像素区的数据线；
与所述选通线间隔开的公共线；
连接到所述选通线和所述数据线的薄膜晶体管；以及
位于所述像素区中的像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极中的每一个都包括透明导电层、该透明导电层上的不透明金属层、以及该不透明金属层上的金属氧化物层。
7、根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述像素电极和所述公共电极位于与所述薄膜晶体管和所述公共线不同的层上。
8、根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述像素电极和所述公共电极分别连接到所述薄膜晶体管和所述公共线。
9、根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述透明导电层、所述不透明金属层和所述金属氧化物层的总厚度在约100到约2000的范围内。
10、根据权利要求6所述的阵列基板，进一步包括：
位于所述选通线的一端的选通焊盘；
位于所述数据线的一端的数据焊盘；和
与所述选通焊盘相接触的选通焊盘端子；以及
与所述数据焊盘相接触的数据焊盘端子。
11、根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子中的每一个都包括所述透明导电层和所述不透明金属层。
12、根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子中的每一个都包括所述透明导电层。
13、一种面内切换型液晶显示装置的阵列基板的制造方法，包括以下步骤：
在基板上形成选通线和公共线，所述公共线与所述选通线间隔开；
形成与所述选通线交叉以限定像素区的数据线；
形成连接到所述选通线和所述数据线的薄膜晶体管；
在所述像素区中形成像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极中的每一个都包括透明导电层和该透明导电层上的不透明金属层；以及
向所述不透明金属层上照射紫外线，以在所述不透明金属层上形成金属氧化物层。
14、根据权利要求13所述的方法，其中，所述透明导电层、所述不透明金属层和所述金属氧化物层的总厚度在约100到约2000的范围内。
15、根据权利要求13所述的方法，进一步包括以下步骤：
在所述选通线的一端形成选通焊盘；
在所述数据线的一端形成数据焊盘；以及
形成与所述选通焊盘相接触的选通焊盘端子和与所述数据焊盘相接触的数据焊盘端子。
16、根据权利要求15所述的方法，进一步包括以下步骤：在向所述不透明金属层上照射紫外线之前，在所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子的上方设置遮挡装置。
17、根据权利要求15所述的方法，其中，所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子中的每一个都包括所述透明导电层和所述不透明金属层。
18、根据权利要求15所述的方法，其中，所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子中的每一个都包括所述透明导电层。
19、根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子的步骤包括以下步骤：
在所述选通焊盘和所述数据焊盘的上方形成透明导电材料层；
使用设置在所述选通焊盘和所述数据焊盘的上方的遮挡装置在所述透明导电材料层上形成不透明金属材料层；以及
对所述不透明金属材料层和所述透明导电材料层顺序地进行刻蚀，以形成所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子。
20、根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子的步骤包括以下步骤：
在所述选通焊盘和所述数据焊盘的上方顺序地形成透明导电材料层和不透明金属材料层；
对所述不透明金属材料层和所述透明导电材料层顺序地进行刻蚀，以形成选通焊盘端子和数据焊盘端子；以及
对如此形成的选通焊盘端子和数据焊盘端子的不透明金属材料层进行刻蚀。
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