CN1567543A - 防止凝结液污染基板的方法与装置 - Google Patents
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Abstract
本发明是有关于一种防止凝结液污染基板的装置，是配合一基板，主要包括：一反应室，用以容置该基板及一制程流体，以进行一制程步骤，该反应室之一侧边具有一出入口，以供该基板进出该反应室；一传送单元，用以自该出入口将该基板传入或传出该反应室；一第一喷气元件，位于该反应室外该传送单元的行进路径上，用以对该传送单元上的该基板喷气；以及一第二喷气元件，位于该反应室外该出入口之一侧，用以对该出入口喷气。本发明一种防止凝结液污染基板的方法亦一并提供。
Description
技术领域
本发明是关于一种防止凝结液污染基板的方法，尤指一种适用于去光阻制程的防止去光阻凝结液污染基板的方法。
背景技术
微影制程可说是半导体或平面显示面板制造过程中最重要的步骤之一，凡是与元件结构相关的图案或杂质区，皆由微影步骤来决定。微影制程的技术很复杂，主要是先在晶片表面覆盖一层光阻，再藉由平行光依光罩上的图案使光阻进行选择性曝光，然后再经由显影使光阻上呈现与光罩相同的图案，之后便可执行后续的制程，例如蚀刻、离子植入等。当这些制程执行完毕后，光阻的利用便已结束，因此必须将其从晶片表面剥除(strip)，一般称为去光阻。
目前去光阻程序如图1所示，基板10先在去光阻室20(STRIPPERChamber)进行去光阻，之后进入清洗室30(Rising Chamber)将去光阻液清洗乾浮。由生产线上发现，当基板10经过去光阻室20与清洗室30之间的隔板40时，其表面会有水痕产生。推究其因为，当基板欲进入清洗室30时，隔板40会自动开启，此时在清洗室30的冷气体便会进入温度较高的去光阻室20(约65～70℃)，使附近的去光阻液蒸气与水蒸气遇冷凝结于隔板40上，尤其当清洗室30内的风刀50出口调向隔板40的方向时，此冷凝现象更为明显。隔板40内壁的去离子水与去光阻液混合凝结液便滴落至基板10上，基板10再经过清洗室30内的风刀50刮过而留下一道道的水痕，造成产品良率损失及可靠度降低。
发明内容
本发明的主要目的是在提供一种防止凝结液污染基板的装置，，以便能避免基板表面产生水痕，提高面板良率及元件可靠度。
本发明的另一目的是在提供一种防止凝结液污染基板的方法，以便能避免基板表面产生水痕，提高面板良率及元件可靠度。
为达成上述目的，本发明一种防止凝结液污染基板的装置，是配合一基板，主要包括：一反应室，用以容置该基板及一制程流体，以进行一制程步骤，该反应室之一侧边具有至少一出入口，以供该基板进出该反应室；一传送单元，用以自该出入口将该基板传入或传出该反应室；一第一喷气元件，位于该反应室外该传送单元的行进路径上，用以对该传送单元上的该基板喷气；以及一第二喷气元件，位于该反应室外该出入口之一侧，用以对该出入口喷气。
为达成上述目的，本发明一种防止凝结液污染基板的方法，是配合一基板，主要包括以下步骤：首先提供一反应室，用以容置该基板及一制程流体进行一制程步骤，其中该反应室之一侧边具有一出入口，以供该基板进出该反应室；一可自该出入口将该基板传入或传出该反应室的传送单元；一位于该反应室外该传送单元行进路径上的第一喷气元件；及一位于该反应室外该出入口之一侧的第二喷气元件；以及使该第二喷气元件对该出入口喷气。
本发明防止凝结液污染基板的装置与方法中，配合使用的基板无限制，较佳为玻璃基板或矽晶圆。本发明防止凝结液污染基板的装置与方法中的传送单元无限制，可为任何现有的基板传送元件，较佳为滚轮或输送带。本发明防止凝结液污染基板的装置与方法应用的制程步骤较佳为去光阻或蚀刻，更佳为湿式去光阻或湿式蚀刻。本发明防止凝结液污染基板的装置与方法使用的制程流体无限制，可为任何配合该制程步骤所需使用的流体，较佳为光阻液或酸溶液。本发明防止凝结液污染基板的装置与方法中的第一或第二喷气元件较佳为喷嘴、气刀、或风刀。本发明防止凝结液污染基板的装置与方法中的出入口较佳为一闸门。本发明防止凝结液污染基板的方法中，当第二喷气元件对该出入口喷气时，该出入口的状态无限制，可为开启或关闭；该第一喷气元件可于该第二喷气元件对该出入口喷气之前、同时、或之后，对该传送单元上的该基板喷气。
附图说明
图1是现有去光阻机台的剖视图；
图2是本发明一较佳实施例的去光阻机台剖视图。
具体实施方式
为能更了解本发明的技术内容，特举下述较佳具体实施例说明如下。
请参见图2，图2为本发明较佳具体实施例的去光阻机台剖视图。本较佳具体实例的去光阻机台100为SHIBAURA的STRIPPER机台，其反应室为去光阻室110。去光阻室110内部有去光阻液111，例如三福化工的TOK液，其温度约为65℃，以去除基板130表面的光阻层131。清洗室120内有室温的去离子水121，可于基板130完成去光阻后，立即清洗基板130，以将其上残留的去光阻液111洗净。基板130先前已进行覆盖光阻、曝光、及显影等步骤，或者亦经过蚀刻或离子植入等制程步骤，而需进行表面光阻剥除(strip)的基板，一般称为去光阻。去光阻室110与清洗室120之间设有一气动闸门143，并以气体源144的气体输出与否来控制气动闸门143的开或关。基板130在去光阻机台100内进行制程时，乃由输送带140先将基板130送进去光阻室110进行去光阻，之后再将基板130送出去光阻室110而进入清洗室120进行清洗，清洗完毕后再将基板130送出清洗室120，而完成此部分的工作。由气动闸门143的开或关，可控制基板130进入清洗室120的时间点。
由于基板130进入清洗室120时，会带有部分的去光阻液111，为避免去光阻液111残余在基板130上，并减少去光阻液111进入清洗室120的量，于清洗室120内接近气动闸门143之处装设一组风刀122，可于基板130进入清洗室120时，将其上的去光阻液111吹回去光阻室110。因去光阻液111的温度高于去离子水121的温度，使得去光阻室110的室温高于清洗室120的室温，当气动闸门143打开时，去光阻液111的蒸汽或去离子水121蒸汽于接近清洗室120处会遇冷凝结，尤其最常凝结残留于气动闸门143上方141。因此，增设气刀123于风刀122侧边，并使气刀123的吹气口对准气动闸门143上方141，而气刀123所需气体亦由气体源144提供。如图2所示，气刀123与气体源144之间有一导气管相连接。当气体源144提供气体给气动闸门143，以关闭气动闸门143时，气体源144的气体同时会经由导气管进入气刀123。气刀123以吹气方式吹掉凝结于气动闸门143上方141的液体，直至气动闸门143再次被打开之前。于气刀123吹气过程中，前一块基板130已离开气动闸门143，而后一块基板130尚未到达气动闸门143，并与气动闸门143保持一段距离。因此，被气刀123吹落的液体并不会滴落至基板130。因此，待基板130行经气动闸门143下方时，因上方141上的凝结液已去除或减量，故不会再掉落至基板130而使其产生水痕。
于本发明之一变通实施例中，气刀123的吹气，并不限于气动闸门143关闭期间始可执行。经由调整气刀123的吹气角度以及气刀123吹气过程中基板130与气动闸门143间的距离，气刀123的吹气亦可以于气动闸门143开启期间执行吹气动作。
本发明使用因为对有额外针对反应室出入口的室壁或闸门中容易凝结的部位喷气，所以可以大幅减少溶液于反应室出入口的室壁或闸门上凝结的机率，因而可以减少基板上因为溶液凝结导致的水痕污染，而因气刀的气体源可以直接采用气体闸门的气体源，故本发明于反应室内或其外壁加装喷气元件来去除制程流体或凝结液的方法所需的成本很低，但却可大大地改善基板表面残留水痕的问题，使产品良率与元件可靠度大为提高。
上述实施例仅是为了方便说明而举例而已，而非仅限于上述实施例。
Claims (17)
1.一种防止凝结液污染基板的装置，其特征在于，是配合一基板，主要包括：
一反应室，用以容置该基板及一制程流体，以进行一制程步骤，该反应室的一侧边具有至少一出入口，以供该基板进出该反应室；
一传送单元，用以自该出入口将该基板传入或传出该反应室；
一第一喷气元件，位于该反应室外该传送单元的行进路径上，用以对该传送单元上的该基板喷气；以及
一第二喷气元件，位于该反应室外该出入口之一侧，用以对该出入口喷气。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该基板为玻璃基板或矽晶圆。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该传送单元为滚轮或输送带。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该制程步骤为去光阻或蚀刻。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该出入口为一气动闸门。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该制程流体为去光阻液或酸溶液。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该第一或第二喷气元件为喷嘴、气刀、或风刀。
8.一种防止凝结液污染基板的方法，其特征在于，是配合一基板，主要包括以下步骤：
提供一反应室，用以容置该基板及一制程流体进行一制程步骤，其中该反应室一侧边具有一出入口，以供该基板进出该反应室；一可自该出入口将该基板传入或传出该反应室的传送单元；一位于该反应室外该传送单元行进路径上的第一喷气元件；及一位于该反应室外该出入口一侧的第二喷气元件；以及使该第二喷气元件对该出入口喷气。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述该第二喷气元件对该出入口喷气之前、同时、或之后，更包含一步骤：使该第一喷气元件对该传送单元上的该基板喷气。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述该基板为玻璃基板或矽晶圆。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述该出入口为一气动闸门。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述该传送单元为滚轮或输送带。
13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述该制程步骤为去光阻或蚀刻。
14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述该制程流体为去光阻液或酸溶液。
15、如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述该第一或第二喷气元件为喷嘴、气刀、或风刀。
16.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述该第二喷气元件对该出入口喷气时，该出入口为开启。
17.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述该第二喷气元件对该出入口喷气时，该出入口为关闭。
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- 2003-06-09 CN CN 03141109 patent/CN1287432C/zh not_active Expired - Fee Related
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