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CN1458742A - 具有分压电路的振荡器 - Google Patents

具有分压电路的振荡器 Download PDF

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CN1458742A
CN1458742A CN03130756A CN03130756A CN1458742A CN 1458742 A CN1458742 A CN 1458742A CN 03130756 A CN03130756 A CN 03130756A CN 03130756 A CN03130756 A CN 03130756A CN 1458742 A CN1458742 A CN 1458742A
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CN
China
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circuit
inductor
capacitor
circuit comprises
oscillator according
Prior art date
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Pending
Application number
CN03130756A
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English (en)
Inventor
松尾信昭
阿莱詹德罗·普埃尔
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Fujitsu Media Devices Ltd
Original Assignee
Fujitsu Media Devices Ltd
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    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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    • H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

本发明提供了一种振荡器，该振荡器包括谐振电路以及与该谐振电路相连的反馈电路。该谐振电路包括主谐振单元电路以及分压电路，该分压电路对主谐振单元电路的输出电压进行分压并将分压电压施加到反馈电路。

Description

具有分压电路的振荡器
技术领域
本发明一般地涉及振荡器，更具体地说，本发明涉及适于射频(RF)电路的振荡器。
背景技术
通常使用各种类型的振荡器，例如用于FM调谐器的本机振荡器、晶体振荡器以及压控振荡器。考毕兹振荡器和哈特莱振荡器被称为LC振荡器。LC振荡器采用作为电感器L和电容器C的组合的谐振电路。该谐振电路可以在宽频范围内产生振荡信号。通过改变电感器L和电容器C的值可以连续改变振荡频率。然而，LC振荡器的振荡频率因为各种因素发生波动。
例如，振动(clap)振荡器被称为考毕兹振荡器的改进型，而且具有改善的温度特性。振动振荡器可以覆盖从低频到VHF(甚高频)的宽频范围。
图1是传统电路配置的振动振荡器的电路图。参考图1，振动振荡器具有谐振电路1和反馈电路20。谐振电路1主要确定振荡频率，而反馈电路20主要确定振荡条件。反馈电路20由振荡晶体管21以及反馈电容器C1和C2构成，该振荡晶体管21是NPN型晶体管。反馈电容器C1连接在晶体管21的基极和发射极之间，而反馈电容器C2连接在其发射极与集电极之间。晶体管21的基极连接到谐振电路1。更具体地说，晶体管21的基极通过振动电容器C3连接到谐振电路1的主谐振单元电路11。主谐振单元电路11可以具有自谐振或串联/并联谐振配置，这种配置可以由电容器、电感器、二极管或压电元件实现。调节主谐振单元电路11，可以获得取决于目标应用的谐振频率。
为了在主谐振单元电路11与反馈电路20之间实现“粗”耦合，设置振动电容器3。频率控制端12连接到主谐振单元电路11和振动电容器C3连接的节点。频率控制端12不是谐振电路1的基本单元，可以省略。施加到频率控制端12的频率控制电压控制主谐振单元电路11内的可变电容元件。例如，可变电容元件可以是可变电容二极管。通过改变通过频率控制端12施加到可变电容二极管上的电压，该振荡电路起压控振荡器的作用。
如今，从蜂窝式电话等的技术趋势可以看出，用于RF装置的频率范围在扩大，而用于这种电路的各电容性元件具有减小的数值。通常，因为各元件具有减小的电容值，所以存在增加的电容值弥散。增加的电容弥散产生的一个严重问题是导致电路运行不稳定。因此，需要降低距离目标电容值的偏差。具体地说，图1所示的振动振荡器采用具有小电容值的主谐振单元电路11和分别具有小电容值的反馈电容器C1和C2。在该振动振荡器中，为了避免因为晶体管21的浮动电容和振荡器所驱动的负载的变化而对谐振电路1产生影响，通常将该振荡器设计成满足条件：振动电容器C3的电容小于反馈电容器C1或C2的电容。因此，振动电容器C3应该具有极小的电容值。
为了使包括具有极小电容值的振动电容器C3的振动振荡器的振荡稳定，必需降低其电容的弥散。然而，实际上，可能因为电源电压和环境温度的变化，而改变晶体管21的浮动电容和反馈电容器C1或C2的电容变化。在主谐振单元电路11包括根据外部信号改变谐振器阻抗的元件，例如可变电容二极管或晶体振子的情况下，可以根据谐振电路1的阻抗的变化以及晶体管21的阻抗的变化确定可以保证电路稳定运行的振动电容器C3的电容的容许范围。然而，电容弥散的减小存在极限，因为振动电容器C3的电容极小，而且这种减小有时可能不适于批量生产。
更具体地说，在利用施加到频率控制端12的频率控制电压改变的主谐振单元电路11的阻抗与振动电容器C3的阻抗之间的比值始终不变的情况下，从反馈电路20观看谐振电路1的阻抗仅具有小变化。然而，实际上，该比值并不始终为常数，因为主谐振单元电路11的阻抗以及振动电容器C3的阻抗的弥散，而且从反馈电路20观看的阻抗发生变化。因此，整个振荡器具有图2中的B1和B2所示的特性，图2中，横轴表示对频率控制端12施加的频率控制电压，而纵轴表示C/N(载波-噪声比)。如图2所示，随着频率控制电压(即，频率)变化，C/N比的变化大。此外，存在特性弥散，使得某些振荡器具有C/N特性B1或者类似特性，而某些振荡器具有C/N特性B2或者类似特性。
发明内容
本发明的总体目的是提供一种可以克服上述缺陷的振荡器。
本发明的更具体目的是提供一种具有稳定振荡和改善的C/N比的振荡器。
利用一种包括谐振电路和与该谐振电路相连的反馈电路的振荡器可以实现本发明的上述目的，该谐振电路包括：主谐振单元电路；以及分压电路，用于对主谐振单元电路的输出电压进行分压并将分压电压施加到反馈电路。
附图说明
通过结合附图阅读以下详细说明，本发明的其它目的、特征和优点将变得更加明显，附图包括：
图1是传统振动振荡器的电路图；
图2是示出随着频率控制电压变化的、传统振荡器的C/N比以及根据本发明实施例的振荡器的C/N比的曲线图；
图3是根据本发明第一实施例的振荡器的电路图；
图4是图3所示振荡器的更详细结构的电路图；
图5是图3所示振荡器的变换例的电路图；
图6是根据本发明第二实施例的振荡器的电路图；
图7是图6所示振荡器的更详细结构的电路图；
图8是根据本发明第三实施例的振荡器的电路图；
图9是根据本发明第四实施例的振荡器的电路图；
图10是可变电感元件的透视图；
图11是根据本发明第五实施例的振荡器的电路图；
图12是根据本发明第六实施例的振荡器的电路图；
图13是根据本发明第七实施例的振荡器的电路图；以及
图14是根据本发明第八实施例的振荡器的电路图。
具体实施方式
现在，将参考附图说明本发明的优选实施例。
(第一实施例)
图3是根据本发明第一实施例的振荡器的电路图，在该图中，与图1中的参考编号相同的参考编号表示相同的部件。
该振荡器设置了谐振电路10和上述反馈电路20。反馈电路20包括振荡晶体管21和反馈电容器C1和C2。除了上述主谐振单元电路11和电容器C3外，谐振电路10还新设置了电容器C4。更具体地说，图3所示的振荡器具有如下配置。反馈电路20包括：晶体管21；第一电容器C1，与作为第一端的、晶体管21的发射极和作为控制端的其基极相连；以及第二电容器C2，与作为第二端的、晶体管21的集电极和发射极相连。谐振电路10包括第三电容器C3与第四电容器C4的串联电路，第三电容器C3连接到主谐振单元电路11的一端和晶体管21的基极，而第四电容器C4连接到主谐振单元电路11的另一端和晶体管21的基极。
电容器C3和C4用作分压电路，并对主谐振单元电路11的输出电压进行分压。将这样获得的分压电压施加到反馈电路20。电容器C3和C4形成作为分压电路的串联电路，而其中间节点，即电容器C3与C4之间的节点连接到晶体管21的基极。串联电路的一端连接到主谐振单元电路11的一端和频率控制端12，而其另一端连接到主谐振单元电路11的另一端。电容器C3和C4的组合对输出电压(谐振信号)进行分压，并将这样获得的分压电压施加到晶体管21的基极。可以将与电容器C2和C4相连的主谐振单元电路11的另一端接地。
通过对主谐振单元电路11的输出电压进行分压并将分压电压施加到晶体管21的基极，可以使基极电位相对于通过频率控制端12施加的频率控制电压的变化稳定，因此可以减小谐振电路10的阻抗与反馈电路20的阻抗之间比值的变化。在这方面，由电容器C3和C4构成的分压电路是用于控制谐振电路10与反馈电路20之间的阻抗比的装置。即使偏离图3所示电路元件的设计值，仍可以相对降低基极电压的变化，因为不是将主谐振单元电路11的输出电压本身，而是将对主谐振单元电路11的输出电压进行分压获得的电压施加到晶体管21的基极。也就是说，分压电路可以吸收因为电路元件偏离设计值导致的基极电压的变化。因此，由生产过程中导致的电路元件偏离设计值引起的各振荡器之间的性能差别减小。
图2所示的曲线A1和A2分别表示随着根据本发明第一实施例的两个振荡器的频率控制电压(频率)变化的C/N特性。与传统特性B1和B2相比，随着频率控制电压变化的C/N比值的特性A1和A2的偏差小。此外，特性A1和A2的差别也小。根据上述说明可以看出，可以提高根据本实施例振荡器的稳定性。仅通过对电容器C3串联附加电容器C4，就可以提高振荡稳定性。因此，在批量生产和生产成本方面，根据本实施例的振荡器具有优势。
可以以这样的方式设置电容器C3与C4之间的电容比，以便可以在谐振电路10与反馈电路20之间实现适当阻抗比。
晶体管21的偏压电路是dc电路，为了简洁起见，图3中未示出该电路。如图4所示，对图3所示的电路配置设置上述偏压电路和其它电路元件。在图4中，与上述参考编号相同的参考编号表示相同的单元。电阻器R1、R2和R3构成晶体管21的偏压电路。电阻器R1和R2确定对晶体管21的基极施加的偏压。电阻器R1和R2串联连接在电源端34与地线之间，并将分压施加到晶体管21的基极。电阻器R3偏压晶体管21的发射极，并连接在其发射极与地线之间。
主谐振单元电路11包括电感器32、可变电容二极管D、电容器C6和C7以及电感器33。可变电容二极管D的阳极接地，而通过频率控制端12和电感器32对其阴极施加频率控制电压。可变电容二极管D的电容取决于频率控制电压。电感器32作为用于切断高频电流的扼流圈。可以利用电阻器代替电感器32。可变电容二极管D的阴极连接到ac电路中的电感器33的一端。为了切断dc分量，设置电容器C6。可变电容二极管D、电容器C7以及电感器33是谐振电路的结构元件。电容器C5使高频电流流入地线，并将作为dc电压的频率控制电压施加到主谐振单元电路11。需要时，可以省略电容器C5。
主谐振单元电路11并不局限于此图4所示的电路配置。例如，可以省略电容器C7。
缓冲放大器35对在晶体管21的发射极可用的振荡频率进行线性放大，并通过输出端36将放大信号输出到振荡器的外部。因此，将振荡输出升压到适当输出电平。设置连接在晶体管21的集电极与地线之间的电容器C8，以便利用集电极的阻抗确定最佳振荡条件。
可以在半导体芯片38上实现图4所示的振荡器。可以将图4所示的电路元件形成在半导体芯片38上。例如，可以利用诸如形成在半导体基底或芯片上的微带线或带状线的传输线形成电感器32和33。电容器C1-C8可以是MIM(金属绝缘体金属)电容器或叉指式电容器。可以优选利用树脂等封装半导体芯片38。在这方面，参考编号38表示用于密封半导体芯片38的封装。封装振荡器是可以用于各种应用的半导体器件。将频率控制端12、电源端34以及输出端36连接到封装38。尽管为了简洁起见未示出，但是还将地线端连接到封装38。可以以这样的方式实现图4所示的振荡器的电路配置，即将某些电路元件设置在半导体芯片或封装38的外部。主谐振单元电路11可以采用具有利用外部电压控制的可变阻抗的振子，例如晶体振子或陶瓷振子。还可以利用其它适当电路元件构造主谐振单元电路11。
主谐振单元电路11是LC并联谐振电路，可以将其配置设计得不同于图4所示的配置。主谐振单元电路11可以是LC串联谐振电路或RC谐振电路，其中电阻器和电容器组合在一起以形成梯形排列。
如图5所示，可以利用场效应晶体管(FET)22代替NPN双极晶体管21。
(第二实施例)
图6是根据本发明第二实施例的振荡器的电路图，其中与上述参考编号相同的参考编号表示相同的单元。
谐振电路10A具有电感器L3和L4，电感器L3和L4分别代替电容器C3和C4。更具体地说，图6所示振荡器具有如下配置。反馈电路20包括：晶体管21；第一电容器C1，与作为第一端的、晶体管21的发射极和作为控制端的其基极相连；以及第二电容器C2，与作为第二端的、晶体管21的集电极和发射极相连。谐振电路10A包括第一电感器L3与第二电感器L4的串联电路，第一电感器L3连接到主谐振单元电路11的一端和晶体管21的基极，而第二电感器L4连接到主谐振单元电路11的另一端和晶体管21的基极。
电感器L3和L4对主谐振单元电路11的输出电压进行分压，将分压电压施加到反馈电路20。电感器L3和L4形成串联电路，而其中间节点，即电感器L3与L4之间的节点连接到晶体管21的基极。该串联电路的一端连接到主谐振单元电路11的一端和频率控制端12，而其另一端连接到主谐振单元电路11的另一端。电感器L3和L4的组合对输出电压(谐振信号)进行分压，并将这样获得的分压电压施加到晶体管21的基极。可以将与电容器C2和电感器L4相连的主谐振单元电路11的另一端接地。
通过对主谐振单元电路11的输出电压进行分压并将分压电压施加到晶体管21的基极，可以使基极电位相对于通过频率控制端12施加的频率控制电压的变化稳定，因此可以减小谐振电路10A的阻抗与反馈电路20的阻抗之间比值的变化。在这方面，由电感器L3和L4构成的分压电路是用于控制谐振电路10A与反馈电路20之间的阻抗比的装置。即使偏离图6所示电路元件的设计值，仍可以相对降低基极电压的变化，因为不是将主谐振单元电路11的输出电压本身，而是将对主谐振单元电路11的输出电压进行分压获得的电压施加到晶体管21的基极。因此，可以降低电路元件偏离设计值的影响。
图7示出图6所示振荡器的详细电路配置，而且除了图6所示的电路配置外，还示出了晶体管21的偏压电路和主谐振单元电路11的内部配置。除了分别利用电感器L3和L4代替图4所示的电容器C3和C4外，图7所示的电路配置与图4所示的电路配置相同。
可以象图5所示的那样，利用场效应晶体管代替图6或图7所示的双极晶体管。
(第三实施例)
图8是根据本发明第三实施例的振荡器的电路图。谐振电路10B的可变电容器Cv代替图3所示的电容器C3和C4。可变电容器Cv连接在主谐振单元电路11的两端。可变电容器Cv的一端连接到频率控制端12。可变电容器Cv具有中间点，该中间点将可变电容器Cv的电容分割为两部分。两个分割部分之一构成上述电容器C3，另一分割部分构成上述电容器C4。因此，图8所示的电路与图3所示的电路具有同样的功能和效果。此外，通过改变可变电容器Cv的电容，可以调节晶体管21的基极电压。也就是说，通过改变电容器C3与电容器C4的电容比，可以任意调节基极电压。
可以利用MIM电容器或叉指式电容器实现可变电容器Cv。例如，将两个叉指式电容器串联，以便构成一个可变电容器。将两个叉指式电容器的中间节点连接到晶体管21的基极。可以以这样的方式实现叉指式电容器，以便在利用诸如GaAs或Si的半导体构成的基底上形成一对梳状电极。以叉指式方式排列这对梳状电极。为了改变电容，可以利用激光微调梳状电极。通过改变两个叉指式电容器中至少之一的电容，可以改变主谐振单元电路11的输出电压的分压比。
(第四实施例)
图9是根据本发明第四实施例的振荡器的电路图，其中利用谐振电路10C的一个可变电感器Lv代替图6所示的电感器L3和L4。可变电感器Lv连接在主谐振单元电路11的两端。可变电感器Lv的一端连接到频率控制端12。可变电感器Lv具有中间点，该中间点将可变电感器Lv的电感分割为两部分。两个分割部分之一构成上述电感器L3，而另一分割部分构成上述电感器L4。因此，图9所示的电路与图6所示的电路具有同样的功能和效果。此外，通过改变可变电感器Lv的电感，可以调节晶体管21的基极电压。也就是说，通过改变电感器L3与电感器L4的电感比，可以任意调节基极电压。
图10是由微带线形成的可变电感器Lv的透视图。在由例如氮化硅Si3N4或环氧玻璃构成的介质基底40的背面形成导电部件41。在介质基底40的正面形成图形线42。图形线42的第一部分421连接到频率控制端12和主谐振单元电路11。图形线42的第二部分422连接到主谐振单元电路11的另一端。第三部分423连接到晶体管21的基极。通过适当微调图形线42，可以改变第一部分421和第二部分422的电感值。这样，可以调节电感器L3与L4之间的电感比，以确定用于振荡的最佳导通。
(第五实施例)
图11是根据本发明第五实施例的振荡器的电路图。本发明的第一至第四实施例均采用考毕兹振荡器。不同的是，图11所示的振荡器是哈特莱振荡器。在图11中，与上述附图中所示的参考编号相同的参考编号表示相同的单元。
图11所示的电感器L1和L2分别代替图3所示的考毕兹振荡器的电容器C1和C2。更具体地说，图11所示的振荡器具有如下配置。反馈电路20A包括：晶体管21；第一电感器L1，与作为第一端的、晶体管21的发射极和作为控制端的其基极相连；以及第二电感器L2，与作为第二端的、晶体管21的集电极和发射极相连。谐振电路10包括第一电容器C3与第二电容器C4的串联电路(分压电路)，第一电容器C3连接到主谐振单元电路11的一端和晶体管21的基极，而第二电容器C4连接到主谐振单元电路11的另一端和晶体管21的基极。图11所示的电容器C3和C4与图3所示的电容器C3和C4具有同样的功能，而且与图3所示的电容器C3和C4具有同样的效果。
(第六实施例)
图12是根据本发明第六实施例的振荡器的电路图。图12所示的电感器L1和L2分别代替图6所示的考毕兹振荡器的电容器C1和C2。更具体地说，图12所示的振荡器具有如下配置。反馈电路20A包括：晶体管21；第一电感器L1，与作为第一端的、晶体管21的发射极和作为控制端的其基极相连；以及第二电感器L2，与作为第二端的、晶体管21的集电极和发射极相连。谐振电路10A包括第三电感器L3与第四电感器L4的串联电路，第三电感器L3连接到主谐振单元电路11的一端和晶体管21的基极，而第四电感器L4连接到主谐振单元电路11的另一端和晶体管21的基极。图11所示的电感器L3和L4与图6所示的电感器L3和L4具有同样的功能，而且与图6所示的电感器L3和L4具有同样的效果。
(第七实施例)
图13是根据本发明第七实施例的振荡器的电路图。图13所示的电感器L1和L2分别代替图8所示的考毕兹振荡器的电容器C1和C2。更具体地说，图13所示的谐振器具有如下配置。反馈电路20A包括：晶体管21；第一电感器L1，与作为第一端的、晶体管21的发射极和作为控制端的其基极相连；以及第二电感器L2，与作为第二端的、晶体管21的集电极和发射极相连。谐振电路10B包括连接在主谐振单元电路11两端的可变电容器Cv。可变电容器Cv具有中间点，该中间点连接到晶体管21的基极。图13所示的可变电容器Cv与图8所示的可变电容器Cv具有同样的功能，而且与图8所示的可变电容器Cv具有同样的效果。
(第八实施例)
图14是根据本发明第八实施例的振荡器的电路图。图14所示的电感器L1和L2分别代替图9所示的考毕兹振荡器的电容器C1和C2。更具体地说，图14所示的振荡器具有如下配置。反馈电路20A包括：晶体管21；第一电感器L1，与作为第一端的、晶体管21的发射极和作为控制端的其基极相连；以及第二电感器L2，与作为第二端的、晶体管21的集电极和发射极相连。谐振电路10C包括连接在主谐振单元电路11两端的可变电感器Lv。可变电感器Lv具有中间点，该中间点连接到晶体管21的基极。图14所示的可变电感器Lv与图9所示的可变电感器Lv具有同样的功能，而且与图9所示的可变电感器Lv具有同样的效果。
本发明并不局限于上述具体说明的实施例，而且在本发明范围内还可以实现其它实施例、变换例或者修改。例如，可以不利用上述电容器或电感器，而利用电阻元件构成分压电路。该分压电路并不局限于一个可变电容器Cv、可变电感器Lv或包括串联的两个电容器或电感器的串联电路，还可以由串联的3个或者更多个电容器或电感器构成分压电路，其中，将在串联电路的中间节点获得的分压电压施加到晶体管的基极或栅极。
本发明基于2002年5月13日提交的第2002-137842号日本专利申请，在此引用其全部内容供参考。

Claims (24)

1、一种振荡器，该振荡器包括：
谐振电路；以及
反馈电路，连接到该谐振电路，
该谐振电路包括：
主谐振单元电路；以及
分压电路，用于对主谐振单元电路的输出电压进行分压，并将分压电压施加到反馈电路。
2、根据权利要求1所述的振荡器，其中分压电路包括多个串联的电容器，而且具有连接到反馈电路的中间节点。
3、根据权利要求1所述的振荡器，其中分压电路包括多个串联的电感器，而且具有连接到反馈电路的中间节点。
4、根据权利要求1所述的振荡器，其中分压电路包括用于调节分压比的电路，利用该电路对输出电压进行分压。
5、根据权利要求1所述的振荡器，其中分压电路包括可变电容器，利用该可变电容器可以调节用于分压输出电压的分压比。
6、根据权利要求1所述的振荡器，其中分压电路包括可变电感器，利用该可变电感器可以调节用于分压输出电压的分压比。
7、根据权利要求1所述的振荡器，其中分压电路包括具有传输线结构的电感器，而且具有连接到反馈电路的中间节点。
8、根据权利要求1所述的振荡器，其中分压电路包括具有微带线和带状线结构之一的电感器。
9、根据权利要求1所述的振荡器，其中反馈电路包括：
晶体管；
第一电容器，连接到该晶体管的第一端及其控制端；以及
第二电容器，连接到该晶体管的第一端及其第二端，而且
其中分压电路包括：
第三电容器，连接到主谐振单元电路的一端和所述控制端；以及
第四电容器，连接到主谐振单元电路的另一端和所述控制端。
10、根据权利要求1所述的振荡器，其中反馈电路包括：
晶体管；
第一电容器，连接到该晶体管的第一端及其控制端；以及
第二电容器，连接到该晶体管的第一端及其第二端，而且
其中分压电路包括：
第一电感器，连接到主谐振单元电路的一端和所述控制端；以及
第二电感器，连接到主谐振单元电路的另一端和所述控制端。
11、根据权利要求1所述的振荡器，其中反馈电路包括：
晶体管；
第一电容器，连接到该晶体管的第一端及其控制端；以及
第二电容器，连接到该晶体管的第一端及其第二端，而且
其中分压电路包括具有中间点的可变电容元件，在该中间点分割该可变电容元件的电容，该中间点连接到所述控制端。
12、根据权利要求1所述的振荡器，其中反馈电路包括：
晶体管；
第一电容器，连接到该晶体管的第一端及其控制端；以及
第二电容器，连接到该晶体管的第一端及其第二端，而且
其中分压电路包括具有中间点的可变电感元件，在该中间点分割该可变电感元件的电感，该中间点连接到所述控制端。
13、根据权利要求1所述的振荡器，其中反馈电路包括：
晶体管；
第一电感器，连接到该晶体管的第一端及其控制端；以及
第二电感器，连接到该晶体管的第一端及其第二端，而且
其中分压电路包括：
第一电容器，连接到主谐振单元电路的一端和所述控制端；以及
第二电容器，连接到主谐振单元电路的另一端和所述控制端。
14、根据权利要求1所述的振荡器，其中反馈电路包括：
晶体管；
第一电感器，连接到该晶体管的第一端及其控制端；以及
第二电感器，连接到该晶体管的第一端及其第二端，而且
其中分压电路包括：
第三电感器，连接到主谐振单元电路的一端和所述控制端；以及
第四电感器，连接到主谐振单元电路的另一端和所述控制端。
15、根据权利要求1所述的振荡器，其中反馈电路包括：
晶体管；
第一电感器，连接到该晶体管的第一端及其控制端；以及
第二电感器，连接到该晶体管的第一端及其第二端，而且
其中分压电路包括具有中间点的可变电容元件，在该中间点分割该可变电容元件的电容，该中间点连接到所述控制端。
16、根据权利要求1所述的振荡器，其中反馈电路包括：
晶体管；
第一电感器，连接到该晶体管的第一端及其控制端；以及
第二电感器，连接到该晶体管的第一端及其第二端，而且
其中分压电路包括具有中间点的可变电感元件，在该中间点分割该可变电感元件的电感，该中间点连接到所述控制端。
17、根据权利要求9所述的振荡器，其中主谐振单元电路的所述另一端和晶体管的第二端接地。
18、根据权利要求1所述的振荡器，其中主谐振单元电路具有由外部频率控制电压改变的谐振频率。
19、根据权利要求1所述的振荡器，其中：
主谐振单元电路包括其电容由外部频率控制电压改变的元件；而且
该元件连接到分压电路
20、根据权利要求1所述的振荡器，其中主谐振单元电路包括可变电容元件，以及包括电感元件和电阻元件至少之一。
21、根据权利要求1所述的振荡器，其中主谐振单元电路包括振子。
22、根据权利要求1所述的振荡器，该振荡器还包括用于对从反馈电路获得的振荡信号进行放大的缓冲放大器。
23、根据权利要求1所述的振荡器，其中在半导体芯片上形成谐振电路和反馈电路。
24、根据权利要求1所述的振荡器，其中将谐振电路和反馈电路容纳在封装内。
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