CN113921742A - 量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 333
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 29
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 20
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 claims description 11
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 10
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 4
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 4
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 8
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine group Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- UWQPDVZUOZVCBH-UHFFFAOYSA-N 2-diazonio-4-oxo-3h-naphthalen-1-olate Chemical class C1=CC=C2C(=O)C(=[N+]=[N-])CC(=O)C2=C1 UWQPDVZUOZVCBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000012650 click reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置，本发明首先在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层；然后采用预设波长的光照射量子点保留区域；由于在预设波长的光照射下，光敏材料或光敏材料在光照射后的生成物与量子点表面的配体发生反应，使配体从量子点表面脱落，没有配体的量子点的溶解性发生改变，从而使量子点发生聚沉，量子点无法再溶解于原溶剂中；最后，去除未被预设波长的光照射的膜层，以在量子点保留区域形成图案化的量子点层；与现有技术相比，本发明不需要采用喷墨打印法或光刻法即可完成量子点层的图案化，能够形成高分辨率的，性能良好的量子点。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置。
背景技术
随着量子点制备技术的深入发展，量子点的稳定性以及发光效率不断提升，量子点电致发光二极管(Quantum Light Emitting Diode，QLED)的研究不断深入，QLED在显示领域的应用前景日渐光明。但是，目前QLED的生成效率还没有达到量产水平，其中最重要的原因是QLED的高分辨率图案化技术目前还没有取得突破。
量子点是零维的纳米半导体材料，量子点三个维度的尺寸都不大于其对应的半导体材料的激子玻尔半径的两倍，现有技术制造图案化的量子点时，由于量子点的无机纳米粒子特性，无法通过蒸镀成膜并图案化的方法制作图案化的量子点。
因此，现有技术无法制作高分辨率的，性能良好的量子点。
发明内容
本发明实施例提供的一种量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置，用以形成高分辨率、性能良好的量子点。
因此，本发明实施例提供了一种量子点层图案化的方法，包括：
在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层；
采用预设波长的光照射量子点保留区域；其中，在所述预设波长的光照射下，所述光敏材料或所述光敏材料在所述光照射后的生成物与所述量子点表面的配体发生反应，使所述配体从所述量子点表面脱落，以改变所述量子点的溶解性，使所述量子点发生聚沉；
去除未被所述预设波长的光照射的膜层，以在所述量子点保留区域形成图案化的量子点层。
可选地，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，所述在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层，具体包括：
将光敏材料和表面具有配体的量子点混合后形成混合溶液；
在所述基底上涂布所述混合溶液形成所述膜层。
可选地，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，所述采用预设波长的光照射量子点保留区域，具体包括：
采用掩膜版遮挡所述膜层，所述掩膜版包括透光区域和遮光区域，所述透光区域对应所述膜层中接受光照射的量子点保留区域。
可选地，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，所述去除未被所述预设波长的光照射的膜层，具体包括：
采用溶剂清洗被所述预设波长的光照射后的膜层，其中，所述膜层中未被所述光照射的区域内量子点溶解于所述溶剂，所述量子点保留区域内聚沉的量子点不溶解于所述溶剂。
可选地，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，述形成图案化的量子点层之后，还包括：
对所述量子点层进行干燥和退火处理。
可选地，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，所述量子点表面的配体包括氧配位的配体、氮配位的配体、膦配位的配体或硫配位的配体。
可选地，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，所述量子点表面的配体包括油酸、油胺、三辛基膦或十二硫醇。
可选地，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，所述光敏材料包括光生酸剂、烯烃类物质或炔烃类物质。
可选地，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，所述光生酸剂质量占所述混合溶液质量的1％-20％，所述烯烃类物质或所述炔烃类物质为所述混合溶液质量的1-20倍。
相应地，本发明实施例还提供了一种发光器件的制作方法，包括制作阳极、量子点层和阴极，所述量子点层采用本发明实施例提供的量子点层图案化的方法形成。
相应地，本发明实施例还提供了一种量子点发光器件，包括层叠设置的阳极、量子点层和阴极，所述量子点层中量子点表面的配体质量与所述量子点层总质量的百分比小于10％。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述量子点发光器件。
本发明实施例的有益效果：
本发明实施例提供的一种量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置，本发明首先在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层；然后采用预设波长的光照射量子点保留区域；由于在预设波长的光照射下，光敏材料或光敏材料在光照射后的生成物与量子点表面的配体发生反应，使配体从量子点表面脱落，没有配体的量子点的溶解性发生改变，从而使量子点发生聚沉，量子点无法再溶解于原溶剂中；最后，去除未被预设波长的光照射的膜层，以在量子点保留区域形成图案化的量子点层，即完成量子点层的图案化；与现有技术相比，本发明不需要采用喷墨打印法或光刻法即可完成量子点层的图案化，能够形成高分辨率的，性能良好的量子点。
附图说明
图1为本发明实施例提供的量子点层图案化的方法的制作方法流程图之一；
图2为本发明实施例提供的量子点图案化的原理示意图；
图3为本发明实施例提供的一种光敏材料与量子点表面配体反应的机理示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种光敏材料与量子点表面配体反应的机理示意图；
图5为本发明实施例提供的量子点层图案化的方法的制作方法流程图之二；
图6A-图6L为本发明实施例提供的量子点层图案化的方法的制作方法在执行每一步骤之后的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的发光器件的制作方法流程图；
图8为本发明实施例提供的量子点发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置的具体实施方式进行详细地说明。
下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
本发明实施例提供了一种量子点层图案化的方法，如图1所示，包括：
S101、在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层；
S102、采用预设波长的光照射量子点保留区域；其中，在预设波长的光照射下，光敏材料或光敏材料在光照射后的生成物与量子点表面的配体发生反应，使配体从量子点表面脱落，以改变量子点的溶解性，使量子点发生聚沉；
S103、去除未被预设波长的光照射的膜层，以在量子点保留区域形成图案化的量子点层。
本发明实施例提供的上述量子点层图案化的方法，本发明首先在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层；然后采用预设波长的光照射量子点保留区域；由于在预设波长的光照射下，光敏材料或光敏材料在光照射后的生成物与量子点表面的配体发生反应，使配体从量子点表面脱落，没有配体的量子点的溶解性发生改变，从而使量子点发生聚沉，量子点无法再溶解于原溶剂中；最后，去除未被预设波长的光照射的膜层，以在量子点保留区域形成图案化的量子点层，即完成量子点层的图案化；与现有技术相比，本发明不需要采用喷墨打印法或光刻法即可完成量子点层的图案化，能够形成高分辨率的，性能良好的量子点。
具体地，本发明实施例中预设波长的光可以是预设波长的紫外光。
具体地，本发明通过向量子点中加入一定量的光敏材料，经预设波长的紫外光照射，光敏材料能够在预设波长的紫外光照射下生成相应的离子、基团或自由基与量子点原有配体进行紧密结合，或者光敏材料本身就能够与量子点原有配体进行反应，达到使配体从量子点表面脱落，使得量子点因为没有配体材料而不溶于原溶剂中，引发被紫外光照射的区域的量子点聚沉，达到图案化量子点的目的。具体地，量子点的图案化原理如图2所示，图2中QD代表量子点，01代表量子点表面的配体，02代表光敏材料在预设波长的紫外光照射下生成相应的离子、基团、自由基或者光敏材料本身，在预设波长的紫外光照射下，02与量子点QD表面的配体01结合，使得配体01从量子点QD表面脱落。
具体地，本发明实施例提供的光敏材料中，针对不同的量子点配体类型可以加入不同的光敏材料。量子点表面的配体一般包括氧配位的配体、氮配位的配体、膦配位的配体或硫配位的配体。具体地，氧配位的配体一般为羧酸根类，氮配位的配体一般为氨基类，膦配位的配体一般为膦基类，硫配位的配体一般为巯基类。具体地，量子点表面常见的羧酸根类配体为油酸，常见的氨基类配体为油胺、常见的膦基类配体为三辛基膦，常见的巯基类配体为十二硫醇。
具体地，光敏材料一般包括光生酸剂、烯烃类物质或炔烃类物质。当量子点表面的配体为羧酸根类配体时，掺杂的光敏材料可以为：重氮萘醌类，三嗪类，三氟磺酸盐类等。当量子点表面的配体为巯基类配体时，掺杂的光敏材料可以为：烯烃类，炔烃类等。当然，光敏材料不限于光生酸剂、烯烃类物质或炔烃类物质，可以根据量子点表面的配体的类型选择相应的光敏材料。
例如量子点表面的配体为油酸(羧酸根类)配体量子点时，可以将量子点与生酸剂进行混合，利用生酸剂被紫外光照之后产生氢离子，氢离子可以和羧酸根结合成羧酸，因此量子点表面的羧酸根类配体发生脱落，不再溶于量子点的原溶剂中，量子点聚沉，羧酸根类配体的量子点聚沉的反应机理如图3所示；例如量子点表面的配体为十二硫醇(巯基类)配体量子点时，可以将量子点与烯烃或炔烃进行混合，利用巯基与烯烃或炔烃在紫外光照射下发生click反应，使量子点表面巯基类配体发生脱落，不再溶于量子点的原溶剂中，量子点聚沉，巯基类配体的量子点聚沉的反应机理如图4所示；当然，量子点表面的配体还可以为其它类型，只要能够提供一种合适的光敏材料能够在紫外光照射下与量子点表面的配体发生反应，均属于本发明保护的范围。
具体地，本发明实施例中的量子点包括但不限于CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS等量子点。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，去除未被预设波长的光照射的膜层，具体可以采用溶剂清洗被预设波长的光照射后的膜层，其中，膜层中未被光照射的区域内量子点溶解于该溶剂，量子点保留区域内聚沉的量子点不溶解于该溶剂，因此可以在量子点保留区域形成图案化的量子点层，采用溶剂去除量子点的方法在实际生产过程中更加简单易行，且生产成本较低。
具体地，在采用溶剂清洗被预设波长的光照射后的膜层时，还可以去除量子点保留区域内除聚沉的量子点之外的残留物，例如没有与量子点表面的配体结合的光敏材料等。
在具体实施时，为了使图案化的量子点层中量子点紧密聚沉形成图形，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，形成图案化的量子点层之后，还包括：
对量子点层进行干燥和退火处理。经过干燥和退火后的量子点层能够更加紧密的聚沉。具体实施时，干燥和退火的工艺参数可以根据实际生产的需要进行设定。
为了实现全彩显示，量子点层一般包括不同颜色的图案化的量子点，本发明实施例以量子点层包括第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层为例，结合附图详细介绍本发明实施例提供的量子点层图案化的方法。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，如图5所示，在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层，具体包括：
S501、将光敏材料和表面具有配体的第一量子点混合后形成第一混合溶液；
S501、在基底上涂布第一混合溶液形成第一膜层；
具体地，如图6A所示，采用旋涂的方式在基底1上涂布该第一混合溶液形成第一膜层2，图6A中QD代表第一量子点，01代表第一量子点表面的配体，02代表分散在第一混合溶液中还未与配体01结合的光敏材料。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，当量子点表面的配体为羧酸根类配体时，光敏材料可以为光生酸剂，则光生酸剂质量可以占上述混合溶液质量的1％-20％；当量子点表面的配体为巯基类配体时，光敏材料可以为烯烃类物质或炔烃类物质，则烯烃类物质或炔烃类物质可以为混合溶液质量的1-20倍。具体实施时，光敏材料的含量可以根据实际需要进行设定。
在具体实施时，如图6B所示，采用预设波长的光(图中箭头方向所示)照射第一量子点保留区域AA，第一量子点保留区域AA对应后续需要形成第一量子点层的区域；在具体实施时，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，可以采用紫外光照射第一膜层2，在照射第一膜层2时，可以采用掩膜版3遮挡第一膜层2，掩膜版3包括透光区域31和遮光区域32，透光区域31对应第一膜层2中接受光照射的第一量子点保留区域AA。
如图6C所示，图6C为采用紫外光照射第一膜层2之后，第一量子点保留区域AA的光敏材料02和第一量子点表面的配体01结合，配体01从第一量子点QD的表面脱落。
如图6D所示，采用溶剂(如甲苯)清洗被光照射后的第一膜层2，未被预设波长的光照射的膜层2中的量子点QD以及第一量子点保留区域AA内除聚沉的量子点QD之外的残留物均溶于甲苯被洗掉，而第一量子点保留区域AA内的量子点表面由于没有配体01，因此不溶解于甲苯而发生聚沉，即第一量子点保留区域AA内聚沉的量子点QD形成图案化的第一量子点层21。
接着，将光敏材料和表面具有配体的第二量子点混合后形成第二混合溶液，如图6E所示，采用旋涂的方式在形成有第一量子点层21的基底1上涂布该第二混合溶液形成第二膜层4，图6E中QD代表第二量子点，01代表第二量子点表面的配体，02代表分散在第二混合溶液中还未与配体01结合的光敏材料。
在具体实施时，如图6F所示，采用预设波长的光(图中箭头方向所示)照射第二膜层4的第二量子点保留区域BB，第二量子点保留区域BB对应后续需要形成第二量子点层的区域；在具体实施时，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，可以采用紫外光照射第二膜层4，在照射第二膜层4时，可以采用掩膜版3遮挡第二膜层4，掩膜版3包括透光区域31和遮光区域32，透光区域31对应第二膜层4中接受光照射的第二量子点保留区域BB。
如图6G所示，图6G为采用紫外光照射第二膜层4之后，第二量子点保留区域BB的光敏材料02和第二量子点表面的配体01结合，配体01从第二量子点的表面脱落。
如图6H所示，采用溶剂(如甲苯)清洗被光照射后的第二膜层4，未被预设波长的光照射的第二膜层中的量子点以及第二量子点保留区域BB内除聚沉的第二量子点之外的残留物均溶于甲苯被洗掉，而第二量子点保留区域BB内的量子点表面没有配体01，因此不溶解于甲苯而发生聚沉，即第二量子点保留区域BB内聚沉的第二量子点形成图案化的第二量子点层22。
最后，将光敏材料和表面具有配体的第三量子点混合后形成第三混合溶液，如图6I所示，采用旋涂的方式在形成有第二量子点层22的基底1上涂布该第三混合溶液形成第三膜层5，图6I中QD代表第三量子点，01代表第三量子点表面的配体，02代表分散在第三混合溶液中还未与配体01结合的光敏材料。
在具体实施时，如图6J所示，采用预设波长的光(图中箭头方向所示)照射第三膜层5的第三量子点保留区域CC，第三量子点保留区域CC对应后续需要形成第三量子点层的区域；在具体实施时，在本发明实施例提供的上述图案化的方法中，可以采用紫外光照射第三膜层5，在照射第三膜层5时，可以采用掩膜版3遮挡第三膜层5，掩膜版3包括透光区域31和遮光区域32，透光区域31对应膜层2中接受光照射的第三量子点保留区域CC。
如图6K所示，图6K为采用紫外光照射第三膜层5之后，第三量子点保留区域CC的光敏材料02和第三量子点表面的配体01结合，配体01从第三量子点的表面脱落。
如图6L所示，采用溶剂(如甲苯)清洗被光照射后的第三膜层5，未被预设波长的光照射的第三膜层5中的第三量子点以及第三量子点保留区域CC内除聚沉的第三量子点之外的残留物均溶于甲苯被洗掉，而第三量子点保留区域CC内的第三量子点表面没有配体01，因此不溶解于甲苯而发生聚沉，即第三量子点保留区域CC内聚沉的第三量子点形成图案化的第三量子点层23。
在具体实施时，本发明实施例中第一量子点层发射的光的颜色、第二量子点层发射的光的颜色、第三量子点层发射的光的颜色分别为红色、绿色、蓝色，这样本发明实施例通过以上图案化的方法完成了全彩量子点的图案化过程。本发明实施例不需要采用喷墨打印或光刻法即可完成量子点层的图案化，能够形成高分辨率的、性能良好的量子点。
在具体实施时，在第一量子点层发射的光的颜色为红色时，采用的紫外光的波长可以为405nm(H线)；在第二量子点层发射的光的颜色为绿色时，采用的紫外光的波长可以为365nm(I线)；在第三量子点层发射的光的颜色为蓝色时，采用的紫外光的波长可以为436nm(G线)。
需要说明的是，在制作上述发射不同颜色光的第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层的过程中，光敏材料可以相同，也可以不同，例如量子点表面的配体为氧配位的羧酸跟类配体，则光敏材料可以选择同一种生酸剂，也可以选择不同的生酸剂，只要是能够在预设波长的光照射下产生氢离子与羧酸根结合即可。
需要说明的是，在制作上述发射不同颜色光的第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层的过程中，假设采用的光敏材料相同，那么可以采用相同的预设波长的光照射量子点保留区域，也可以采用不同的预设波长的光照射量子点保留区域；假设采用的光敏材料不同，那么三种量子点层对应使用的光敏材料的结构有差异，则可以采用不同的预设波长的光照射量子点保留区域，不同波长的选择可以根据光敏材料的结构进行选择，当然也可以选择相同的预设波长的光，根据实际情况进行选择，本发明对此不作限制。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述制作第一量子点层、第二量子点层和第三量子点，可以采用同一种波长的光照射第一量子点保留区域、第二量子点保留区域和第三量子点保留区域。当然也可以采用H线的光照射第一量子点保留区域，形成发射红颜色光的第一量子点层，H线的波长为405nm；可以采用I线的光照射第二量子点保留区域，形成发射绿颜色光的第二量子点层，I线的波长为365nm；可以采用G线的光照射量子点保留区域，形成发射蓝颜色光的第三量子点层，G线的波长为436nm。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种发光器件的制作方法，包括制作阳极、量子点层和阴极，其中，量子点层采用上述量子点层图案化的方法形成。
在具体实施时，发光器件分为正置结构和倒置结构，以发光器件为正置结构为例，形成该发光器件，如图7所示，具体可以包括：
S701、在基底上采用构图工艺形成阳极；
S702、在阳极上依次形成空穴注入层和空穴传输层；
S703、在空穴传输层上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层；
S704、采用预设波长的光照射量子点保留区域；其中，在预设波长的光照射下，光敏材料或光敏材料在光照射后的生成物与量子点表面的配体发生反应，使配体从量子点表面脱落，以改变量子点的溶解性，使量子点发生聚沉；
S705、去除未被预设波长的光照射的膜层，以在量子点保留区域形成图案化的量子点层；
S706、在量子点层上依次形成电子传输层和电子注入层；
S707、在电子注入层上形成阴极。
在具体实施时，为了使得制作形成的量子点发光器件具有更好的发光性能，在本发明实施例提供的上述发光器件的制作方法中，在空穴传输层上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层之前，还包括：在空穴传输层上形成电子阻挡层；
在量子点层上形成电子传输层之前，还包括：在量子点层上形成空穴阻挡层。
具体地，电子阻挡层和空穴阻挡层的具体制作方法与现有技术相同，在此不做赘述。
在具体实施时，本发明具体实施例提供的上述步骤S701、S702、S706和S707的具体方法与现有技术相同，在此不做赘述；上述步骤S703、S704和S705与上述步骤S101、S102和S103类似，在此不做赘述。
具体地，本发明实施例提供的基底可以包括衬底基板、位于衬底基板上的驱动电路以及位于驱动电路上方的钝化层、平坦层等结构。
在具体实施时，本发明实施例在制作完成阴极后，还包括量子点发光器件的封装过程、切割过程，以及绑定(bonding)过程，这些过程均与现有技术相同，在此不做赘述。
下面结合图8对本发明实施例提供的正置结构的发光器件的制作方法进行简单说明。
如图8所示，在形成阳极6之前，采用等离子体处理基底1表面。
接着，在基底1上采用构图工艺制作阳极6，阳极6的制作做法与现有技术相同，在此不做详述。
接着，在阳极6上采用旋涂工艺形成空穴注入层7，在空穴注入层7上采用旋涂工艺形成空穴传输层8，空穴注入层7的材料可以为PEDOT：PSS等，空穴传输层8的材料可以为TFB等，空穴注入层7和空穴传输层8的整体厚度可以为50nm-100nm；空穴注入层7和空穴传输层8的制作做法与现有技术相同，在此不做详述。
接着，利用上述量子点层图案化的方法在空穴传输层8上形成包括第一量子点层21、第二量子点层22和第三量子点层23的量子点层。
接着，在量子点层上采用旋涂或蒸镀工艺依次制作电子传输层9和电子注入层10，电子传输层9的材料可以为ZnO纳米颗粒等，电子注入层10的材料可以为LiF等。
之后，在电子注入层10上蒸镀阴极11，阴极的材料可以为LiF:Al等，阴极的厚度可以为500nm-1000nm；电子传输层9、电子注入层10和阴极11的制作做法与现有技术相同，在此不做详述。
需要说明的是，本发明实施例是以发光器件为正置结构为例进行说明其制作方法的，当发光器件为倒置结构时，与正置结构制作的区别在于，倒置结构在基底上依次形成阴极、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，在此不做详述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种量子点发光器件，包括层叠设置的阳极、量子点层和阴极，量子点层中量子点表面的配体质量与量子点层总质量的百分比小于10％。具体地，该量子点发光器件中的量子点层采用上述量子点层的图案化方法制作形成，由于在形成图案化的量子点层时，量子点表面的配体与光敏材料发生反应而从量子点表面脱落，致使量子点表面的配体的数量大大减少，从而改变量子点的溶解性，使得量子点发生聚沉，以实现量子点层的图案化。经本案的发明人研究发现，当未采用光敏材料与量子点表面的配体结合使配体脱落时，即现有技术中量子点表面的配体质量与量子点层总质量的百分比一般约为20％，而本发明实施例中量子点表面的配体发生脱落，当量子点层中量子点表面的配体质量与量子点层总质量的百分比小于10％时，量子点可以很好的聚沉而不溶解于原溶剂。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述量子点发光器件。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述量子点发光器件的实施例，重复之处不再赘述。
在具体实施时，本发明实施例提供的显示装置还可以包括本领域技术人员熟知的其它功能性膜层，在此不做详述。
本发明实施例提供的一种量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置，本发明首先在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层；然后采用预设波长的光照射量子点保留区域；由于在预设波长的光照射下，光敏材料或光敏材料在光照射后的生成物与量子点表面的配体发生反应，使配体从量子点表面脱落，没有配体的量子点的溶解性发生改变，从而使量子点发生聚沉，量子点无法再溶解于原溶剂中；最后，去除未被预设波长的光照射的膜层，以在量子点保留区域形成图案化的量子点层，即完成量子点层的图案化；与现有技术相比，本发明不需要采用喷墨打印法或光刻法即可完成量子点层的图案化，能够形成高分辨率的，性能良好的量子点。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (12)
1.一种量子点层图案化的方法，其特征在于，包括：
在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层；
采用预设波长的光照射量子点保留区域；其中，在所述预设波长的光照射下，所述光敏材料或所述光敏材料在所述光照射后的生成物与所述量子点表面的配体发生反应，使所述配体从所述量子点表面脱落，以改变所述量子点的溶解性，使所述量子点发生聚沉；
去除未被所述预设波长的光照射的膜层，以在所述量子点保留区域形成图案化的量子点层。
2.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述在基底上形成包括光敏材料以及表面具有配体的量子点的膜层，具体包括：
将光敏材料和表面具有配体的量子点混合后形成混合溶液；
在所述基底上涂布所述混合溶液形成所述膜层。
3.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述采用预设波长的光照射量子点保留区域，具体包括：
采用掩膜版遮挡所述膜层，所述掩膜版包括透光区域和遮光区域，所述透光区域对应所述膜层中接受光照射的量子点保留区域。
4.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述去除未被所述预设波长的光照射的膜层，具体包括：
采用溶剂清洗被所述预设波长的光照射后的膜层，其中，所述膜层中未被所述光照射的区域内量子点溶解于所述溶剂，所述量子点保留区域内聚沉的量子点不溶解于所述溶剂。
5.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述形成图案化的量子点层之后，还包括：
对所述量子点层进行干燥和退火处理。
6.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述量子点表面的配体包括氧配位的配体、氮配位的配体、膦配位的配体或硫配位的配体。
7.如权利要求6所述的图案化的方法，其特征在于，所述量子点表面的配体包括油酸、油胺、三辛基膦或十二硫醇。
8.如权利要求2所述的图案化的方法，其特征在于，所述光敏材料包括光生酸剂、烯烃类物质或炔烃类物质。
9.如权利要求8所述的图案化的方法，其特征在于，所述光生酸剂质量占所述混合溶液质量的1％-20％，所述烯烃类物质或所述炔烃类物质为所述混合溶液质量的1-20倍。
10.一种发光器件的制作方法，包括制作阳极、量子点层和阴极，其特征在于，所述量子点层采用如权利要求1-9任一项所述的量子点层图案化的方法形成。
11.一种量子点发光器件，其特征在于，包括层叠设置的阳极、量子点层和阴极，所述量子点层中量子点表面的配体质量与所述量子点层总质量的百分比小于10％。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的量子点发光器件。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010656714.3A CN113921742A (zh) | 2020-07-09 | 2020-07-09 | 量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置 |
| US17/194,451 US11672162B2 (en) | 2020-07-09 | 2021-03-08 | Method for patterning quantum dot layer, method for manufacturing light emitting device |
| US18/139,277 US12022723B2 (en) | 2020-07-09 | 2023-04-25 | Method for patterning quantum dot layer, method for manufacturing light emitting device |
| US18/646,695 US20240276855A1 (en) | 2020-07-09 | 2024-04-25 | Method for patterning quantum dot layer, method for manufacturing light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010656714.3A CN113921742A (zh) | 2020-07-09 | 2020-07-09 | 量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113921742A true CN113921742A (zh) | 2022-01-11 |
Family
ID=79173849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010656714.3A Pending CN113921742A (zh) | 2020-07-09 | 2020-07-09 | 量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11672162B2 (zh) |
| CN (1) | CN113921742A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023178604A1 (zh) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及量子点层图案化的方法 |
| WO2024026658A1 (zh) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107357080A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜片及其制作方法和彩膜基板 |
| KR102087299B1 (ko) * | 2018-04-09 | 2020-03-10 | 숭실대학교산학협력단 | 양자점 박막, 이의 패터닝 방법 및 이를 적용한 양자점 발광소자 |
| WO2020049738A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | シャープ株式会社 | 表示デバイス |
| CN112740834B (zh) * | 2018-09-21 | 2024-06-14 | 夏普株式会社 | 发光元件以及发光器件 |
| CN109346506A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| US11404658B2 (en) * | 2019-01-16 | 2022-08-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting layer, manufacturing method thereof, and display apparatus |
| CN109904335B (zh) * | 2019-03-26 | 2021-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点层的图案化方法、量子点器件及其制备方法 |
| WO2021002021A1 (ja) * | 2019-07-04 | 2021-01-07 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光デバイス、発光素子の製造方法 |
| CN114342560B (zh) * | 2019-09-04 | 2024-06-21 | 夏普株式会社 | 发光元件、发光装置、发光元件的制造方法 |
| US20220328779A1 (en) * | 2019-09-19 | 2022-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method for manufacturing light emitting device |
-
2020
- 2020-07-09 CN CN202010656714.3A patent/CN113921742A/zh active Pending
-
2021
- 2021-03-08 US US17/194,451 patent/US11672162B2/en active Active
-
2023
- 2023-04-25 US US18/139,277 patent/US12022723B2/en active Active
-
2024
- 2024-04-25 US US18/646,695 patent/US20240276855A1/en active Pending
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|---|---|---|---|---|
| WO2023178604A1 (zh) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及量子点层图案化的方法 |
| WO2024026658A1 (zh) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11672162B2 (en) | 2023-06-06 |
| US20240276855A1 (en) | 2024-08-15 |
| US20230263040A1 (en) | 2023-08-17 |
| US12022723B2 (en) | 2024-06-25 |
| US20220013752A1 (en) | 2022-01-13 |
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