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CN113917307A - 载置台的温度调节方法和检查装置 - Google Patents

载置台的温度调节方法和检查装置 Download PDF

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CN113917307A
CN113917307A CN202110726775.7A CN202110726775A CN113917307A CN 113917307 A CN113917307 A CN 113917307A CN 202110726775 A CN202110726775 A CN 202110726775A CN 113917307 A CN113917307 A CN 113917307A
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heater
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CN202110726775.7A
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河西繁
中山博之
赤池由多加
小宫弘晃
加藤仪保
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Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Abstract

本发明提供一种载置台的温度调节方法和检查装置。所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对多个区域分别设置有加热器，温度调节方法包括：对多个区域中的与检查对象器件对应的主区域的加热器进行反馈控制，以使该主区域的温度成为设定温度的步骤；和控制基片载置面上的多个区域中与主区域相邻的副区域的加热器的步骤，在控制副区域的加热器的步骤中，在主区域的温度没有发生过冲的情况下，控制副区域的加热器以使主区域与副区域的温度差成为规定值，在主区域的温度发生过冲的情况下，控制副区域的加热器以使设定温度与副区域的温度之差成为规定值。根据本发明，能够不使载置台发生翘曲地提高载置台所实现的来自检查对象器件的吸热性能。

Description

载置台的温度调节方法和检查装置
技术领域
本公开涉及载置台的温度调节方法和检查装置。
背景技术
专利文献1中公开了检查装置用的加热器。该加热器在基片内部设置有发热体，上述基片通过组合多个区段而整体成为圆板形状的基片。作为各区段，有圆板形状的区段、以包围圆板形状的区段的外围的方式设置的宽幅的圆板形状的区段。另外，专利文献1中公开了在基片的各区段安装测温元件，按每个区段进行温度控制。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-184558号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的技术是不使载置台发生翘曲地提高载置台所实现的来自检查对象器件的吸热性能。
用于解决问题的方法
本发明的一个方式是一种在对形成于基片的检查对象器件进行检查的检查装置中调节用于载置基片的载置台的温度的温度调节方法，所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对所述多个区域分别设置有加热器，所述温度调节方法包括：对所述多个区域中的与检查对象器件对应的主区域的所述加热器进行反馈控制，以使该主区域的温度成为设定温度的步骤；和控制所述基片载置面上的所述多个区域中与所述主区域相邻的副区域的所述加热器的步骤，在控制所述副区域的所述加热器的步骤中，在所述主区域的温度没有发生过冲的情况下，控制所述副区域的所述加热器以使所述主区域与所述副区域的温度差成为规定值，在所述主区域的温度发生过冲的情况下，控制所述副区域的所述加热器以使所述设定温度与所述副区域的温度之差成为规定值。
发明的效果
根据本公开，能够不使载置台发生翘曲地提高载置台所实现的来自检查对象器件的吸热性能。
附图说明
图1是表示本实施方式的检查装置的结构的概略的立体图。
图2是表示本实施方式的检查装置的结构的概略的主视图。
图3是概略地表示载置台的结构的截面图。
图4是概略地表示加热部的结构的俯视图。
图5是示意性地表示控制部的结构的概略的框图。
图6是示意性地表示加热控制部的结构的概略的框图。
附图标记说明
1检查装置
10载置台
13控制部
110a晶片载置面
120加热部
121加热器
D检查对象器件
Tm主区域的温度
Ts副区域的温度
Tt设定温度
W晶片
Zm主区域
Zs副区域
具体实施方式
在半导体器件(以下，称为“器件”)的制造工艺中，多个器件同时形成于半导体晶片(以下，称为“晶片”)等基片上。所形成的器件进行电特性等检查，被筛选为合格品和不合格品。器件的检查例如在被分割成各器件之前的基片的状态下，使用检查装置进行。
另外，在检查装置中，为了能够进行高温、低温下器件的电特性检查，也有在载置基片的载置台中设置加热器、冷却机构的装置。
在载置台设置加热器的情况下，有时将载置台的基片载置面划分为多个区域，在各区域设置加热器(例如参照专利文献1)。在该情况下，例如，测量基片载置面的各区域的温度，以各区域成为设定温度的方式对加热器进行反馈控制，使基片载置面的温度在基片面内均匀。以下，将这样控制称为整体均匀控制。
然而，近年来，在作为器件的逻辑集成电路的检查中，器件的高集成化和高速化发展，发热量变多，所以无法一并检查形成在基片上的器件。因此，按每个器件或每数个器件进行检查成为主流。
但是，在对每个器件或每数个器件进行检查的情况下，若进行上述的整体均匀控制，则检查对象器件所在的区域与其周围的区域为等温，所以上述周围区域的热成为热负载，载置台所实现的、来自检查对象器件的吸热性能降低。其结果，在发生检查对象器件的急剧发热时等，基片载置面的、检查对象器件所在的区域的温度有时会大幅超过设定温度。
另外，作为载置台的基片载置面的温度的控制方法，除了上述之外，还有如下方法：仅在基片载置面中的检查对象的器件所在的区域，与上述同样地对加热器进行反馈控制，对于其他区域将加热器关闭。以下，将这样的控制称为局部集中控制。在该局部集中控制中，与上述的整体均匀控制相比，载置台所实现的来自检查对象器件的吸热性能提高，但是仅基片载置面中的检查对象器件所在的区域成为高温，载置台会产生翘曲。其结果，有时无法进行准确的电特性检查。
于是，本公开的技术是不使载置台发生翘曲地提高载置台所实现的来自检查对象器件的吸热性能。
以下，参照附图对本实施方式的载置台的温度调节方法和检查装置进行说明。注意，在本说明书和附图中，具有实质上相同的功能结构的要素用相同的附图标记表示，并且省略对这些元件的重复说明。
首先，对本实施方式的检查装置的结构进行说明。图1和图2分别是表示本实施方式的检查装置1的结构的概略的立体图和主视图。在图2中，为了表示图1的检查装置1的后述的收纳室和加载器所内置的构成要素，其一部分用截面表示。
检查装置1进行形成于作为基片的晶片W上的器件(未图示)的电特性的检查。在晶片W上形成有n个(n为2以上的自然数)即多个器件，检查装置1在一次检查中同时检查m个(m为小于n的自然数)器件。另外，以下，设检查对象器件的数量为1个。如图1和图2所示，检查装置1包括：在检查时收纳晶片W的收纳室2；与收纳室2相邻地配置的加载器3；和以覆盖收纳室的上方的方式配置的测试器4。
如图2所示，收纳室2是内部为空腔的壳体，具有载置晶片W的载置台即载置台10。载置台10以晶片W相对于该载置台10的位置不偏移的方式吸附保持晶片W。另外，载置台10构成为能够在水平方向和铅垂方向上移动，通过该结构，能够调节后述的探针卡11与晶片W的相对位置而使晶片W的表面的电极与探针卡11的探针11a接触。
在收纳室2中的载置台10的上方，以与载置台10相对的方式配置有探针卡11。探针卡11具有与形成于晶片W的器件的电极等电接触的探针11a。
另外，探针卡11经由接口12与测试器4连接。各探针11a在电特性检查时与形成于晶片W的各器件的电极接触，将来自测试器4的电力经由接口12供给到测试器，并且将来自器件的信号经由接口12向测试器4传递。
加载器3将收纳于作为输送容器的FOUP(未图示)中的晶片W取出并输送到收纳室2的载置台10。另外，加载器3从载置台10接收器件的电特性检查结束后的晶片W，并收纳到FOUP。
而且，加载器3具有进行载置台10的温度控制等各种控制的控制部13。也称为基础单元的控制部13例如由包括CPU、存储器等的计算机构成，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有控制检查装置1中的各种处理的程序。此外，上述程序被记录在计算机可读取存储介质中，也可以从该存储介质安装到控制部13。程序的一部分或全部也可以通过专用硬件(电路板)实现。控制部13例如经由配线14与载置台10连接，基于载置台10的后述的顶板110的温度来控制后述的加热部120。另外，控制部13也可以设置于收纳室2。
测试器4具有再现装载器件的母板的电路结构的一部分的测试板(未图示)。测试板基于来自形成于晶片W的器件的信号，与判断该器件合格与否的测试计算机15连接。测试器4中，通过更换上述测试板，能够再现多种母板的电路结构。
进而，检查装置1包括用于向用户显示信息或者供用户输入指示的用户接口部16。用户接口部16例如由触摸面板、键盘等输入部和液晶显示器等显示部构成。
在具有上述各构成要素的检查装置1中，在检查形成于晶片W的器件的电特性时，测试计算机15向经由各探针11a与器件连接的测试板发送数据。然后，测试计算机15基于来自该测试板的电信号判断所发送的数据是否被该测试板正确处理。
接着，使用图3和图4对载置台10的结构进行说明。图3是概略地表示载置台10的结构的截面图。图4是概略地表示后述加热部120的结构的俯视图。
如图3所示，载置台10由包含加热部120的多个功能部层叠而成。载置台10隔着热绝缘部20载置在使该载置台10在水平方向和铅垂方向移动的移动机构(未图示)上。热绝缘部20例如由树脂、石墨、热传导率低的陶瓷等构成。
载置台10从上方起依次具有顶板110、加热部120、冷却部130。
顶板110是其上表面110a成为作为载置晶片W的基片载置面的晶片载置面的部件。另外，以下，有时也将作为载置台10的上表面的顶板110的上表面110a记作晶片载置面110a。顶板110例如形成为圆板状。另外，顶板110使用热传导率和杨氏模量较高的材料，形成得较薄以使热容量较小。通过减小顶板110的热容量，例如能够通过加热部120的加热使顶板110的温度高速地变化。此外，作为顶板110的材料，例如使用SiC、AlN等陶瓷，在需要进一步抑制制作成本的情况下，使用铜、铝等金属。
另外，如图4所示，顶板110的晶片载置面110a被划分为多个区域。具体而言，晶片载置面110a例如被划分为俯视时位于中心的圆形的第1区域Z1和将包围其周围的圆环状的区域3等分的第2～第4区域Z2～Z4。
进而，顶板110在第1区域Z1具有温度传感器T10，在第2区域Z2具有温度传感器T20～T22，在第3区域Z3具有温度传感器T30～T32，在第4区域Z4具有温度传感器T40～T42。即，若将温度传感器T10、T20～T22、T30～T32、T40～T42分别设为温度传感器T，则顶板110在晶片载置面110a的区域Z1～Z4分别具有至少1个温度传感器T。各温度传感器T测量晶片载置面110a上的设有该温度传感器T的部分的温度。另外，温度传感器T10例如设置于顶板110的中心。温度传感器T20～T22、T30～T32、T40～T42例如等间隔地设置在以顶板110的中心为中心的同一圆周上。
加热部120是加热顶板110的部件。如图3所示，加热部120设置在顶板110与冷却部130之间，换言之，设置在比冷却部130更靠近晶片载置面110a的位置。该加热部120内置有通过供电发热的电阻发热体。电阻发热体例如由钨形成。另外，虽然省略了图示，在该加热部120与顶板110之间，设置有由云母、聚酰亚胺等绝缘材料形成的绝缘层、和由金属材料等导电率高的材料形成的电磁屏蔽层。
另外，如图4所示，加热部120具有分别相对于顶板110的第1～第4区域Z1～Z4设置的加热器1211～1214。加热器1211～1214分别内置有上述电阻发热体，构成为能够单独控制。
另外，加热器1211与对应的晶片载置面110a的第1区域Z1的形状相匹配地形成为俯视圆形，加热器1212～1214与对应的晶片载置面110a的第2～第4区域Z2～Z4的形状相匹配地形成为俯视圆弧环状。
以下，有时将加热器1211～1214分别简写为加热器121。
如图3所示，冷却部130设置于加热部120的下方。该冷却部130是冷却顶板110的部件，例如形成为圆板状。在冷却部130的内部形成有供制冷剂流动的流路131。在冷却部130的侧部连接有端口132。如图4所示，端口132具有用于向流路131供给制冷剂的供给端口132a和用于从流路131排出制冷剂的排出端口132b。
另外，制冷剂例如能够使用氟类液体、乙二醇等液体、氮气等气体。
另外，虽然省略了图示，在该冷却部130与加热部120之间设置有由金属材料等导电率高的材料形成的电磁屏蔽层。
如以上那样构成的加热部120和冷却部130由控制部13控制。
接着，使用图5对控制部13的加热部120和冷却部130的控制的结构进行说明。图5是示意性地表示控制部13的结构的概略的框图。
如图5所示，控制部13具有存储部13a、主区域判断部13b、副区域判断部13c、温度获取部13d、加热控制部13e和冷却控制部13f。
存储部13a存储各种信息。例如，存储部13a存储主区域Zm的设定温度等。另外，存储部13a分别对于晶片载置面110a的第1～第4区域Z2～Z4，存储该区域为副区域时的后述的偏差量。
主区域判断部13b从载置台10的晶片载置面110a的第1～第4区域Z1～Z4中判断与检查对象器件D对应的主区域Zm。主区域判断部13b例如基于检查对象器件D的重心位置的信息，将第1～第4区域Z1～Z4中的俯视时与检查对象器件D的重心位置重叠的区域判断为主区域Zm。在图4的例子中，判断第3区域Z3为主区域Zm。
副区域判断部13c基于主区域判断部13b的判断结果，从载置台10的晶片载置面110a的第1～第4区域Z1～Z4中判断与主区域Zm相邻的副区域Zs。例如，在第1区域Z1为主区域Zm的情况下，判断第2～第4区域Z2～Z4为副区域Zs，在第2区域Z2为主区域Zm的情况下，判断第1、第3、第4区域Z1、Z3、Z4为副区域Zs。
温度获取部13d获取载置台10的晶片载置面110a的第1～第4区域Z1～Z4各自的温度。具体而言，温度获取部13d基于温度传感器T的测量结果，获取载置台10的晶片载置面110a的第1～第4区域Z1～Z4各自的温度。
更具体而言，温度获取部13d例如获取温度传感器T10的测量结果作为第1区域Z1的温度。
另外，温度获取部13d例如获取温度传感器T20～T22的测量结果的平均值作为第2区域Z2的温度，同样地，获取温度传感器T30～T32的测量结果的平均值作为第3区域Z3的温度，获取温度传感器T40～T42的测量结果的平均值作为第4区域Z4的温度。
温度获取部13d也可以针对第1～第4区域Z1～Z4中的主区域Zm，获取主区域Zm中的检查对象器件D所在部分的温度(以下，有时称为“器件位置温度”)作为该区域的温度。器件位置温度Td例如基于检查对象器件D的周围的多个温度传感器T的测量结果和与这些温度传感器T各自距检查对象器件D的距离相应的加权来计算。在上述加权中，越接近检查对象器件D，赋予越大的权重。在图4的例子中，例如基于靠近检查对象器件D的3个温度传感器T30、T32、T10的测量结果t30、t32、t10和从温度传感器T30、T31、T10至检查对象器件D的距离r30、r32、r10，根据以下的式(1)计算器件位置温度Td。
Td＝(r30·r1·t32+r32·r10·t30+r32·r30·t10)/(r30·r10+r32·r10+r32·r30)…(1)
加热控制部13e基于主区域判断部13b和副区域判断部13c中的判断结果和温度获取部13d的获取结果来控制加热部120，具体而言，控制加热部120的加热器1211～1214。关于加热控制部13e的详细情况在后面叙述。
冷却控制部13f控制冷却部130。具体而言，冷却控制部13f基于载置台10的设定温度来控制在冷却部130的流路131中流动的制冷剂的温度、流量。
在本实施方式中，在加热控制部13e和冷却控制部13f的控制之下，一边进行冷却部130对晶片载置面110a整体的冷却，一边按晶片载置面110a的每个区域调节加热部120的加热量。即使在电特性检查时形成于晶片W的器件突然发热的情况下，也总是进行冷却部130的冷却，以便能够迅速吸收器件的热。
接着，使用图6对加热控制部13e的结构进行说明。图6是示意性地表示加热控制部13e的结构的概略的框图。
如图6所示，加热控制部13e具有主区域控制部201和副区域控制部202～204。
主区域控制部201控制由主区域判断部13b判断的主区域Zm的加热器121。具体而言，主区域控制部201对主区域Zm的加热器121进行反馈控制，以使得主区域Zm的温度Tm成为作为控制目标温度的主区域Zm的设定温度Tt，换言之，进行控制运算来调节主区域Zm的加热器121的操作量。因此，主区域控制部201具有：偏差计算器201a，其计算由温度获取部13d获取的主区域Zm的温度Tm相对于设定温度Tt的偏差Δt1；和控制器201b，其根据上述偏差Δt1进行控制运算(例如PID运算)，来计算并输出主区域Zm的加热器121的操作量。另外，以下，“设定温度”是指“主区域Zm的设定温度”。
副区域控制部202～204分别控制由副区域判断部13c判断的副区域Zs的1个区域的加热器121。副区域控制部202～204分别作为控制对象的副区域Zs彼此不同。
副区域控制部202～204所进行的控制在主区域Zm的温度Tm没有发生过冲的情况下与发生过冲的情况下不同。另外，上述过冲例如在检查对象器件D发热时发生。
副区域控制部202具有偏差计算器202a和控制器202b。
在主区域Zm的温度Tm没有发生过冲的情况下，副区域控制部202对副区域Zs的加热器121进行反馈控制，以使得主区域Zm与该副区域控制部202的控制对象的副区域Zs的温度差(Tt-Tm)成为关于该副区域Zs的偏差量α，换言之，进行控制运算来调节该副区域Zs的加热器121的操作量。具体而言，副区域控制部202在主区域Zm的温度Tm没有发生过冲的情况下，使偏差计算器202a根据由温度获取部13d获取的主区域Zm的温度Tm和控制对象的副区域Zs的温度Ts以及上述偏差量α，计算主区域Zm与该副区域Zs的温度差(Tm-Ts)和上述偏差量α之间的偏差Δt2，然后，控制器202b基于上述偏差Δt2进行控制运算(例如PID运算)，计算并输出控制对象的副区域Zs的加热器121的操作量。
在主区域Zm的温度Tm发生过冲的情况下，副区域控制部202对该副区域Zs的加热器121进行反馈控制，以使得设定温度Tt与该副区域控制部202的控制对象的副区域Zs的温度Ts的温度差成为关于该副区域Zs的上述偏差量α。具体而言，副区域控制部202在主区域Zm的温度Tm发生过冲的情况下，使偏差计算器202a根据设定温度Tt和控制对象的副区域Zs的温度Ts以及上述偏差量α，来计算设定温度Tt与该副区域Zs的温度Ts之差(Tt-Ts)和上述偏差量α之间的偏差Δt2，然后，控制器202b基于上述偏差Δt2进行控制运算(例如PID运算)，计算并输出控制对象的副区域Zs的加热器121的操作量。
副区域控制部203、204的结构与副区域控制部202的结构相同，所以省略其说明。
上述偏差量α以不发生从副区域Zs向主区域Zm的热流入，且在载置台10的晶片载置面110a不发生翘曲的方式进行设定。偏差量α如上所述以在载置台10的晶片载置面110a不发生翘曲的方式设定，因此例如与顶板110的杨氏模量、厚度相应地变化。
偏差量α可以根据区域而不同。另外，偏差量α基本上是负值，但根据载置台10的结构，能够取正值。例如，也可以仅对与端口132接近且比其他区域容易冷却的第3区域Z3，设定正值作为偏差量α。
另外，各区域为副区域Zs时的偏差量可以根据主区域Zm是哪个区域而不同。
如上所述，副区域控制部202等进行的控制，在主区域Zm的温度Tm没有发生过冲的情况下与发生过冲的情况下不同。
在主区域Zm的温度Tm是否发生过冲的判断，例如由加热控制部13e进行。
另外，主区域Zm的温度Tm是否发生过冲，例如是基于主区域Zm的温度Tm是否超过基于设定温度Tt确定的基准温度Tb(Tb≥Tt)来判断的。例如，在超过基准温度Tb的情况下判断为发生过冲，在没有超过的情况下判断为没有发生过冲。
主区域Zm的温度Tm是否发生过冲也可以基于主区域Zm的温度Tm是否超过上述基准温度Tb以及主区域Zm的加热器121的操作量是否为零来判断。例如，在超过基准温度Tb且为零的情况下判断为发生过冲，在除此以外的情况下判断为没有发生过冲。
另外，主区域Zm的温度是否发生过冲也可以基于主区域Zm的加热器121的操作量是否为零来判断。例如，在为零的情况下判断为发生过冲，在不是零的情况下判断为没有发生过冲。
在主区域Zm的温度Tm是否发生过冲的判断中使用哪个信息，例如是由用户基于主区域控制部201的控制器201b所进行的控制运算的内容来确定的。
接着，对使用检查装置1的检查处理的一例进行说明。
在检查处理中，首先，从加载器3的FOUP取出晶片W，并将其输送载置到载置台10。接着，载置台10移动，设置于载置台10的上方的探针11a与晶片W的检查对象器件的电极接触。
然后，向探针11a输入检查用的信号。由此，开始检查对象器件的电特性检查。当电特性检查结束时，载置台10移动，对晶片W的下一个检查对象器件进行同样的处理。
以后，反复执行上述处理直到完成所有器件的电特性检查为止。
需要说明的是，在上述电特性检查中，要求检查对象器件的温度成为希望的温度。因此，例如在电特性检查中和电特性检查的前后，温度获取部13d总是获取晶片载置面110a的第1～第4区域Z1～Z4的温度。然后，基于所获取的第1～第4区域Z1～Z4的设定温度Tt和偏差量α，利用加热控制部13e进行第1～第4区域Z1～Z4的加热器121的反馈控制，另外，基于设定温度Tt，由冷却控制部13f控制冷却部130。由此，调节载置台10的温度，使检查对象器件D的温度保持在希望的温度。
在本实施方式的载置台10的温度调节方法的加热控制中包括：(A)对晶片载置面110a上的区域Z1～Z4中的与检查对象器件D对应的主区域Zm的加热器121进行反馈控制，以使主区域Zm的温度成为设定温度Tt的步骤；和(B)控制晶片载置面110a上的区域Z1～Z4中的与主区域Zm相邻的副区域Zs的加热器121的步骤。
并且，在上述(B)步骤中，(a)在主区域Zm的温度Tm没有发生过冲的情况下，按每个副区域Zs控制该副区域Zs的加热器121，以使主区域Zm与该副区域Zs的温度差(Tm-Ts)成为关于该副区域Zs的偏差量α，(b)在主区域Zm的温度Tm发生过冲的情况下，按每个副区域Zs控制该副区域Zs的加热器121，以使设定温度Tt与该副区域Zs的温度Ts之差(Tt-Ts)成为上述偏差量α。
由于如上述(a)那样进行控制，所以在发生检查对象器件D的急剧发热时，与上述的整体均匀控制相比，经由副区域Zs的来自检查对象器件D的吸热量变多。
另外，在主区域Zm的温度Tm没有发生过冲的情况是指主区域Zm的温度Tm为设定温度Tt以下的情况。在这样的情况下，在本实施方式中，如上述的(a)那样进行控制。即，副区域Zs的加热器121的控制，不是以副区域Zs的温度追随设定温度Tt的方式进行，而是以副区域Zs的温度追随比设定温度Tt低的主区域Zm的温度Tm的方式进行。由此，能够防止从副区域Zs向主区域Zm的热流入。因此，在本实施方式中，与以副区域Zs的温度追随设定温度Tt的方式进行副区域Zs的加热器121的控制的情况相比，经由副区域Zs的来自检查对象器件D的吸热量变多。
另一方面，在主区域Zm的温度Tm发生过冲的情况是指主区域Zm的温度Tm高于设定温度Tt的情况。在这样的情况下，在本实施方式中，如上述的(b)那样进行控制。即，副区域Zs的加热器121的控制，不是以副区域Zs的温度追随主区域Zm的温度Tm的方式进行，而是以副区域Zs的温度追随比主区域Zm的温度Tm低的设定温度Tt的方式进行。因此，在主区域Zm的温度Tm发生过冲的情况下，能够使主区域Zm的热释放到副区域Zs。即，在主区域Zm的温度Tm发生过冲时的、经由副区域Zs的来自检查对象器件D的吸热量变多。因此，能够进一步防止过冲。
进而，由于如上述(a)、(b)那样进行控制，所以不会像上述的局部集中控制时那样在载置台10发生翘曲。
因此，根据本实施方式，能够不使载置台10发生翘曲地提高经由载置台10的吸热能力。
根据本实施方式，由于经由载置台10的吸热能力高，所以即使在发生检查对象器件D的急剧发热时，也能够在短时间返回到希望的温度。
另外，根据本实施方式，由于不会如上述那样发生载置台10的翘曲，所以不会因载置台10的翘曲而发生探针11a与检查对象器件D的接触电阻的变化，因此，能够适当地进行检查对象器件D的电特性检查。
进而，根据本实施方式，能够防止因载置台10的翘曲而发生探针卡11的破损。
另外，根据本实施方式，与上述的局部集中控制相比，副区域Zs的温度Ts接近主区域Zm的温度Tm。因此，在检查对象器件D被切换、主区域Zm被切换为曾为副区域Zs的区域时，在本实施方式中，与上述的局部集中控制相比，能够使检查对象器件D高速地成为希望的温度。
如上所述，作为主区域Zm的温度Tm，温度获取部13d也可以获取基于检查对象器件D的周围的多个温度传感器T的测量结果和与这些温度传感器T各自距检查对象器件D的距离相应的加权而计算出的器件位置温度Td。基于作为该主区域Zm的温度Tm的器件位置温度Td，如上述的(A)那样对作为主区域Zm的加热器121进行反馈控制，由此能够使检查对象器件D更准确地成为希望的温度。
通过增加温度传感器T的数量，器件位置温度Td变得更准确，所以能够使检查对象器件D更准确地成为希望的温度。
另外，通过更精细地划分晶片载置面110a而增加加热器121的数量，也能够使检查对象器件D更准确地成为希望的温度。但是，在温度传感器T使用IC温度传感器的情况下等，相比通过增加温度传感器T的数量，增加加热器121的数量会花费更多费用。因此，例如，通过增加温度传感器T的数量而不是加热器121数量，能够以低成本实现使检查对象器件更准确地成为希望的温度。
另外，在本实施方式中，在比冷却部130更靠近晶片载置面110a的位置设置有加热部120，即，在加热部120与晶片载置面110a之间没有设置冷却部130。因此，由于对于加热部120的热容量小，所以能够以良好响应性进行加热部120的加热。
另外，在以上的说明中，在顶板110的下方隔着电磁屏蔽层等设置加热部120，但也可以在顶板中设置加热部。在该情况下，在使用钨等导电性高的材料作为加热部的发热体的情况下，顶板的母材由氮化铝等电绝缘性和热传导性高的材料形成。
进而，在本实施方式中，将晶片载置面110a划分为多个区域，按每个区域，根据该区域的温度，利用设置于该区域的加热器121，从比冷却部130近的位置进行晶片载置面110a的加热。由此，通过响应性好的加热部120对每个区域的加热，来应对晶片载置面110a的局部温度变化。另外，通过与上述加热一起利用冷却部130进行晶片载置面110a整体的吸热，也能够应对发热密度高器件的电气电特性检查时的局部发热。
需要说明的是，现有技术与本实施方式不同，仅进行冷却和加热中的任一者，另外，使载置台的顶板变厚来增大热容量。而且，在检查对象器件发热时，利用该顶板的热容量来吸收热量。但是，近年来，器件的发热密度变高，用上述现有技术的方法无法将高发热密度的器件维持在希望的温度。
与此相对，根据本实施方式，如上所述，对于发热密度高器件，也能够应对电特性检查时的局部发热，能够维持在希望的温度。
另外，在以上的例子中，在将晶片载置面110a划分为多个区域时，各区域是主区域Zm或与其相邻的副区域Zs中的任一个。但是，根据晶片载置面110a的划分方式，有时在划分晶片载置面110a的区域中包含既不是主区域Zm也不是副区域Zs的区域。在该情况下，对于既不是主区域Zm也不是副区域Zs的区域的加热器121，可以与主区域Zm的加热器121同样控制，也可以与副区域Zs的加热器121同样控制。
应该认为，本申请公开的实施方式，所有的点都是例示，并不限定于此。另外，上述实施方式可以不脱离权利要求书和其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。

Claims (8)

1.一种温度调节方法，在对形成于基片的检查对象器件进行检查的检查装置中，调节用于载置基片的载置台的温度，所述温度调节方法的特征在于：
所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对所述多个区域分别设置有加热器，
所述温度调节方法包括：
对所述多个区域中的与检查对象器件对应的主区域的所述加热器进行反馈控制，以使该主区域的温度成为设定温度的步骤；和
控制所述基片载置面上的所述多个区域中与所述主区域相邻的副区域的所述加热器的步骤，
在所述控制副区域的所述加热器的步骤中，
在所述主区域的温度没有发生过冲的情况下，控制所述副区域的所述加热器以使所述主区域与所述副区域的温度差成为规定值，
在所述主区域的温度发生过冲的情况下，控制所述副区域的所述加热器以使所述设定温度与所述副区域的温度之差成为规定值。
2.如权利要求1所述的温度调节方法，其特征在于：
所述主区域的温度是否发生过冲的判断是基于以下的至少任一者来进行的，即：所述主区域的温度是否超过基于所述设定温度确定的基准温度；所述主区域的所述加热器的操作量是否为零。
3.如权利要求1或2所述的温度调节方法，其特征在于：
所述载置台具有冷却所述载置台的所述基片载置面的冷却部，
所述加热器配设在比所述冷却部更靠近所述基片载置面的位置。
4.如权利要求1～3中任一项所述的温度调节方法，其特征在于：
所述载置台在所述多个区域分别具有至少一个温度传感器，
所述温度调节方法还包括作为所述主区域的温度获取该主区域中的所述检查对象器件所在部分的温度的步骤，
该步骤基于所述检查对象器件的周围的多个所述温度传感器的测量结果和与该温度传感器各自距所述检查对象器件的距离相应的加权，获取所述主区域中的检查对象器件所在部分的温度。
5.一种对形成于基片的检查对象器件进行检查的检查装置，其特征在于，包括：
用于载置基片的载置台；和
控制部，
所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对所述多个区域分别设置有加热器，
所述控制部，
对所述多个区域中的与检查对象器件对应的主区域的所述加热器进行反馈控制，以使该主区域的温度成为设定温度，并且，
控制所述基片载置面上的所述多个区域中与所述主区域相邻的副区域的所述加热器，
在控制所述副区域的所述加热器时，
在所述主区域的温度没有发生过冲的情况下，控制所述副区域的所述加热器以使所述主区域与所述副区域的温度差成为规定值，
在所述主区域的温度发生过冲的情况下，控制所述副区域的所述加热器以使所述设定温度与所述副区域的温度之差成为规定值。
6.如权利要求5所述的检查装置，其特征在于：
所述控制部基于以下的至少任一者来进行所述主区域的温度是否发生过冲的判断，即：所述主区域的温度是否超过基于所述设定温度确定的基准温度；所述主区域的所述加热器的操作量是否为零。
7.如权利要求5或6所述的检查装置，其特征在于：
所述载置台具有冷却所述载置台的所述基片载置面的冷却部，
所述加热器配设在比所述冷却部更靠近所述基片载置面的位置。
8.如权利要求5～7中任一项所述的检查装置，其特征在于：
所述载置台在所述多个区域分别具有至少一个温度传感器，
所述控制部，作为所述主区域的温度，获取该主区域中的所述检查对象器件所在部分的温度，此时，基于所述检查对象器件的周围的多个所述温度传感器的测量结果和与该温度传感器各自距所述检查对象器件的距离相应的加权，获取所述主区域中的检查对象器件所在部分的温度。
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