CN113846303B - 一种含w低活化高熵合金及其制备方法 - Google Patents
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- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 56
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 11
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000003471 anti-radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000459 effect on growth Effects 0.000 description 1
- 230000000482 effect on migration Effects 0.000 description 1
- 229910001325 element alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
- C22C27/04—Alloys based on tungsten or molybdenum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
- C22C27/06—Alloys based on chromium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种一种含W低活化高熵合金薄膜及其制备方法。其特征在于利用共溅射和交替溅射沉积(TiVCr)100‑xWx高熵合金和单相W层，形成具有不同单层厚度(TiVCr)100‑xWx/W纳米多层结构，其中(TiVCr)100‑xWx层中掺杂不同的W含量，W单层中通过层厚可调节α‑W和β‑W，通过不同相的组合、界面强化以及固溶强化，获得具有优异力学和物理性能的含W的低活化高熵合金材料。本发明方法操作简单，重复性好，清洁无污染，所制备薄膜表面平整，膜厚均匀，具有低活化，高热稳定性，抗辐照损伤等性能优势，相比TiVCr单相薄膜性能显著提升，具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于金属薄膜材料及其制备领域，具体涉及一种含W低活化高熵合金薄膜及其制备方法
背景技术
高熵合金即4种或4种以上元素以等原子比或近原子比组成的多主元合金，可以形成单一的面心立方(FCC)、体心立方(BCC)或密排六方(HCP)结构。由于混合熵较高，高熵合金具有四大效应：高熵效应、缓慢扩散效应、晶格畸变效应、鸡尾酒效应。这四大效应使高熵合金比其他合金拥有更加优秀的性能，如突出的高温强度、良好的耐磨性能、良好的耐腐蚀性、优秀的抗辐照性能等。目前，BCC结构高熵合金多为高熔点元素组成的难熔高熵合金，塑性较差但拥有出色的热稳定性，有优异的高温环境应用潜能。
核聚变能具有清洁，高效的巨大优势，而材料是目前阻碍可控核聚变技术实现的重要瓶颈之一。在核聚变强烈的辐照条件下，材料的放射性大部分来自高能中子辐照活化后产生的放射性核素，低活化元素的放射性核素半衰期较短，这对核聚变堆第一壁的修护以及废料的回收利用十分有利，因此核应用材料应尽量选用低活化元素。目前，低活化钢具有抗氧化、耐腐蚀、机械加工性能好、易加工成形等优点，因此被选为聚变堆第一壁的主要结构材料，但其作为第一壁材料远不能满足在聚变堆服役环境下的要求。为此，可以采用表面改性的方法来改善其表面性能。研究表明，高熵合金独特的高熵效应、晶格畸变效应使其在辐照的环境下相较为稳定，初始辐照损伤较小，缓慢扩散效应对辐照后辐照缺陷的迁移与长大有明显的抑制作用。在纳米多层结构材料中，高密度的界面在强化材料力学性能的同时也会吸附辐照缺陷，减少辐照损伤。因此纳米结构多层高熵合金材料拥有优异的力学性能及抗辐照损伤能力，有望作为聚变堆保护材料增加等离子体的运行稳定性，提高第一壁材料的使用寿命，提高反应堆的有效运行时间，意义十分重大。
磁控溅射法作为物理气相沉积的一种，具有沉积速度快、材料适用性广泛、沉积薄膜纯度高、致密性和均匀性好、能精确控制厚度、可批量生产的优点，是制备高熵合金薄膜的首选方法之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于耐高温抗辐照保护涂层的含W低活化高熵合金薄膜，本发明的另一目的在于提供上述薄膜材料的制备方法。本发明采用直流磁控溅射法沉积薄膜，能制得表面平整，膜厚均匀的高熵合金薄膜。
本发明的技术方案为：一种含W低活化高熵合金薄膜，其特征在于：利用共溅射和交替溅射沉积(TiVCr)100-xWx(0≤x≤25％)高熵合金层和单相W层，形成具有不同单层厚度的(TiVCr)100-xWx/W纳米多层结构，通过不同相的组合、界面强化以及固溶强化，获得强度、耐热和抗辐照兼具的含W低活化高熵合金薄膜。
所述的(TiVCr)100-xWx高熵合金和单相W层单层厚度相等，层厚均为2-500nm。优选所述的高熵合金薄膜的总厚度为1-10μm。
本发明还提供了一种制备上述的含W低活化高熵合金薄膜的方法，采用磁控溅射的方法，结合共溅射和交替溅射的方法制备不同厚度的(TiVCr)100-xWx/W高熵合金薄膜，其具体步骤如下：
1)选用纯度99.9％以上的TiVCr、W高纯靶材作为溅射靶材；
2)选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用；
3)镀膜前，将真空腔内抽至真空；缓慢通入Ar气，进行预溅射清理靶材表面杂质；
4)开始溅射，设置靶材溅射功率，通过共溅射沉积(TiVCr)100-xWx层；
5)再溅射沉积W层；
6)交替沉积(TiVCr)100-xWx层与W层，得到纳米多层结构(TiVCr)100-xWx/W高熵合金薄膜。
优选所述的步骤4中共溅射时溅射TiVCr的功率是100-230W；共溅射时溅射W的功率是20-80W；优选步骤5中溅射沉积W层功率为80-200W。
本发明可通过共溅射在TiVCr中熵合金薄膜中进行W掺杂得到(TiVCr)100-xWx高熵合金薄膜，其中0≤x≤25(at％)。W元素掺杂强化效果优秀，在少量W掺杂时即拥有约6GPa的高硬度，相比TiVCr单相中熵合金薄膜硬度提高了80％，最高硬度高达7.2Gpa。同时拥有良好的抗辐照性能与热稳定性。
上述(TiVCr)100-xWx高熵合金层和单相W层单层厚度相等，层厚均为2-500nm。W层结构可通过改变层厚对结构进行调控，层厚20-100nm时，通过层厚可调节W层呈现β-W、α-W混合结构，β-W作为一种亚稳态结构，拥有比α-W更高的硬度、电阻率以及超导转变温度。
有益效果：
(1)本发明所述高熵合金薄膜主要由Ti、V、Cr、W元素组成，具有低活化特性，并且强度、耐热和抗辐照性可以兼具。在聚变堆第一壁保护涂层方面有优秀的应用前景。
(2)针对不同的性能需求，本发明可以通过对(TiVCr)100-xWx层中W掺杂量以及多层结构的层厚进行调整，从而对材料的结构性能进行调控。
(3)本发明所述方法制备纳米结构高熵合金多层薄膜使用磁控溅射方法，沉积速度快、材料适用性广泛，沉积得到的薄膜表面平整，均匀性好，能精确控制厚度、可批量生产。
附图说明
图1为实施例1所制备的TiVCrW/W纳米多层高熵合金薄膜结构示意图。
图2为实施例2所制备的TiVCrW/W薄膜XRD图谱。
图3为实施例6所制备的(TiVCr)100-xWx/W薄膜纳米压痕硬度。
具体实施方式
下面结合实例对本发明作进一步阐述，其中，所述方法如无特别说明均为常规方法，所述原材料如无特别说明均能从公开商业途径而得。
实施例1：TiVCr/W纳米多层结构薄膜制备步骤如下：
步骤1：选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用，在本底真空4×10-4Pa，工作压力1.0Pa，高纯Ar气条件下对靶材进行预溅射。
步骤2：TiVCr靶材溅射功率设置为230W。
步骤3：W靶材溅射功率设置为90W，沉积W层。
步骤4：重复步骤2、3，交替沉积TiVCr层与W层，单层厚度10nm，得到总厚度1μm的纳米多层结构TiVCr/W高熵合金薄膜。图1为纳米多层结构高熵合金薄膜示意图。硬度约为12.3GPa。
实施例2：TiVCr/W纳米多层结构薄膜制备步骤如下：
步骤1：选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用，在本底真空4×10-4Pa，工作压力1.0Pa，高纯Ar气条件下对靶材进行预溅射。
步骤2：TiVCr靶材溅射功率设置为230W。
步骤3：W靶材溅射功率设置为90W，沉积W层。
步骤4：重复步骤2、3，交替沉积TiVCr层与W层，单层厚度100nm，得到总厚度1μm的纳米多层结构TiVCr/W高熵合金薄膜。W层呈现β-W、α-W混合结构，如图2所示。硬度约为9.3GPa。
实施例3：(TiVCr)90W5/W纳米多层结构薄膜制备步骤如下：
步骤1：选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用，在本底真空4×10-4Pa，工作压力1.0Pa，高纯Ar气条件下对靶材进行预溅射。
步骤2：TiVCr靶材溅射功率设置为230W，W靶材溅射功率设置为20W，共溅射沉积TiVCrW高熵合金薄膜。
步骤3：W靶材溅射功率设置为90W，沉积W层。
步骤4：重复步骤2、3，交替沉积TiVCrW层与W层，单层厚度2nm，得到总厚度1μm的纳米多层结构TiVCrW/W高熵合金薄膜。硬度约为11.9GPa，并兼具热稳定性和抗辐照特性。
实施例4：(TiVCr)90W5/W纳米多层结构薄膜制备步骤如下：
步骤1：选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用，在本底真空4×10-4Pa，工作压力1.0Pa，高纯Ar气条件下对靶材进行预溅射。
步骤2：TiVCr靶材溅射功率设置为230W，W靶材溅射功率设置为20W，共溅射沉积TiVCrW高熵合金薄膜。
步骤3：W靶材溅射功率设置为150W，沉积W层。
步骤4：重复步骤2、3，交替沉积TiVCrW层与W层，单层厚度100nm，得到总厚度5μm的纳米多层结构TiVCrW/W高熵合金薄膜。硬度约为11.6GPa，并兼具热稳定性和抗辐照特性。
实施例5：(TiVCr)90W5/W纳米多层结构薄膜制备步骤如下：
步骤1：选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用，在本底真空4×10-4Pa，工作压力1.0Pa，高纯Ar气条件下对靶材进行预溅射。
步骤2：TiVCr靶材溅射功率设置为230W，W靶材溅射功率设置为20W，共溅射沉积TiVCrW高熵合金薄膜。
步骤3：W靶材溅射功率设置为200W，沉积W层。
步骤4：重复步骤2、3，交替沉积TiVCrW层与W层，单层厚度300nm，得到总厚度10μm的纳米多层结构TiVCrW/W高熵合金薄膜。硬度约为11.2GPa，并兼具热稳定性和抗辐照特性。
实施例6：(TiVCr)85W15/W纳米多层结构薄膜制备步骤如下：
步骤1：选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用，在本底真空4×10-4Pa，工作压力1.0Pa，高纯Ar气条件下对靶材进行预溅射。
步骤2：TiVCr靶材溅射功率设置为100W，W靶材溅射功率设置为30W，共溅射沉积TiVCrW高熵合金薄膜。
步骤3：W靶材溅射功率设置为150W，沉积W层。
步骤4：重复步骤2、3，交替沉积TiVCrW层与W层，单层厚度10nm，得到总厚度5μm的纳米多层结构TiVCrW/W高熵合金薄膜，硬度达到最大值约13.6GPa，并兼具热稳定性和抗辐照特性。图3为硬度随单层厚度的变化关系。
实施例7：(TiVCr)85W15/W纳米多层结构薄膜制备步骤如下：
步骤1：选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用，在本底真空4×10-4Pa，工作压力1.0Pa，高纯Ar气条件下对靶材进行预溅射。
步骤2：TiVCr靶材溅射功率设置为100W，W靶材溅射功率设置为30W，共溅射沉积TiVCrW高熵合金薄膜。
步骤3：W靶材溅射功率设置为150W，沉积W层。
步骤4：重复步骤2、3，交替沉积TiVCrW层与W层，单层厚度20nm，得到总厚度2μm的纳米多层结构TiVCrW/W高熵合金薄膜。硬度约为13.0GPa，并兼具热稳定性和抗辐照特性。
实施例8：(TiVCr)85W15/W纳米多层结构薄膜制备步骤如下：
步骤1：选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用，在本底真空4×10-4Pa，工作压力1.0Pa，高纯Ar气条件下对靶材进行预溅射。
步骤2：TiVCr靶材溅射功率设置为100W，W靶材溅射功率设置为30W，共溅射沉积TiVCrW高熵合金薄膜。
步骤3：W靶材溅射功率设置为150W，沉积W层。
步骤4：重复步骤2、3，交替沉积TiVCrW层与W层，单层厚度100nm，得到总厚度10μm的纳米多层结构TiVCrW/W高熵合金薄膜。硬度约为12.1GPa，并兼具热稳定性和抗辐照特性。
实施例9：(TiVCr)75W25/W纳米多层结构薄膜制备步骤如下：
步骤1：选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用，在本底真空4×10-4Pa，工作压力1.0Pa，高纯Ar气条件下对靶材进行预溅射。
步骤2：TiVCr靶材溅射功率设置为230W，W靶材溅射功率设置为80W，共溅射沉积TiVCrW高熵合金薄膜。
步骤3：W靶材溅射功率设置为150W，沉积W层。
步骤4：重复步骤2、3，交替沉积TiVCrW层与W层，单层厚度10nm，得到总厚度5μm的纳米多层结构TiVCrW/W高熵合金薄膜。硬度约为13.2GPa，并兼具热稳定性和抗辐照特性。
以上仅为本发明的部分实例及设计思路，本发明不限于上述实施例，本领域人员不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种含W低活化高熵合金薄膜，其特征在于：利用共溅射和交替溅射沉积(TiVCr)100- xWx高熵合金层和单相W层，其中X的取值范围为0≤x≤25％，形成具有不同单层厚度的(TiVCr)100-xWx/W纳米多层结构，通过不同相的组合、界面强化以及固溶强化，获得强度、耐热和抗辐照兼具的含W低活化高熵合金薄膜，其中所述的(TiVCr)100-xWx高熵合金和单相W层单层厚度相等，层厚均为2-500nm。
2.根据权利要求1所述的含W低活化高熵合金薄膜，其特征在于所述的高熵合金薄膜的总厚度为1-10μm。
3.一种制备如权利要求1所述的含W低活化高熵合金薄膜的方法，其具体步骤如下：
1)选用纯度99.9％以上的TiVCr、W高纯靶材作为溅射靶材；
2)选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用；
3)镀膜前，将真空腔内抽至真空，通入高纯Ar气；
4)开始溅射，设置靶材溅射功率，通过共溅射沉积(TiVCr)100-xWx层；
5)再溅射沉积W层；
6)交替沉积(TiVCr)100-xWx层与W层，得到纳米多层结构(TiVCr)100-xWx/W高熵合金薄膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于(TiVCr)100-xWx高熵合金层和单相W层单层厚度相等，层厚均为2-500nm。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于步骤4)中W掺杂原子百分含量为0-25％。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述的步骤4中共溅射时溅射TiVCr的功率是100-230W，溅射W的功率是20-80W；步骤5中溅射沉积W层功率为90-200W。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111145286.9A CN113846303B (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 一种含w低活化高熵合金及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113846303A CN113846303A (zh) | 2021-12-28 |
| CN113846303B true CN113846303B (zh) | 2023-09-26 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111145286.9A Active CN113846303B (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 一种含w低活化高熵合金及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113846303B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580667A (en) * | 1992-06-30 | 1996-12-03 | Hmt Technology Corporation | Multilayered medium with gradient isolation layer |
| CN101254674A (zh) * | 2004-02-02 | 2008-09-03 | 株式会社神户制钢所 | 硬质叠层被膜 |
| CN109536907A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-03-29 | 河南城建学院 | 一种高强度强立方织构层状复合基带及其制备方法 |
| CN111074223A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-04-28 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 成分均匀可控的高熵合金薄膜的物理气相沉积制备方法 |
| CN111471957A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-07-31 | 南京工业大学 | 一种多层异质结构高熵合金的制备方法 |
| CN111485209A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-08-04 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 高熵合金/wc硬质层纳米多层薄膜、其制备方法及应用 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040191556A1 (en) * | 2000-02-29 | 2004-09-30 | Jardine Peter A. | Shape memory device having two-way cyclical shape memory effect due to compositional gradient and method of manufacture |
-
2021
- 2021-09-28 CN CN202111145286.9A patent/CN113846303B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580667A (en) * | 1992-06-30 | 1996-12-03 | Hmt Technology Corporation | Multilayered medium with gradient isolation layer |
| CN101254674A (zh) * | 2004-02-02 | 2008-09-03 | 株式会社神户制钢所 | 硬质叠层被膜 |
| CN109536907A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-03-29 | 河南城建学院 | 一种高强度强立方织构层状复合基带及其制备方法 |
| CN111074223A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-04-28 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 成分均匀可控的高熵合金薄膜的物理气相沉积制备方法 |
| CN111485209A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-08-04 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 高熵合金/wc硬质层纳米多层薄膜、其制备方法及应用 |
| CN111471957A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-07-31 | 南京工业大学 | 一种多层异质结构高熵合金的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 李荣斌等.TaWTiVCr高熵合金薄膜的制备及微观结构、力学性能研究.《 表面技术》.2020,第49卷(第6期),第159-166页. * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113846303A (zh) | 2021-12-28 |
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