CN113786525A - 一种颅内导流及颅内压监测一体化装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种颅内导流及颅内压监测一体化装置，属于医疗器械技术领域，能够解决现有技术中颅内导流与颅内压监测分开进行，操作费时费力、容易导致感染的问题。所述装置包括：引流管、引流单元和监测单元；引流管的一端插入病人脑室，另一端与引流单元连接；引流管插入病人脑室的一端的内壁上设置有基于压阻式压电薄膜传感器，基于压阻式压电薄膜传感器上连接有导线，导线的另一端与监测单元连接；基于压阻式压电薄膜传感器用于采集病人脑室中的脑脊液压力信号；导线用于将脑脊液压力信号传导至监测单元。本发明用于颅内导流与颅内压监测。
Description
技术领域
本发明涉及一种颅内导流及颅内压监测一体化装置，属于医疗器械技术领域。
背景技术
脑室外引流术（external ventricular drain，EVD）是神经外科应用最广泛的急救措施之一，主要用于对造成颅内压增高的疾病进行急救或确定诊断；颅内压（intracranial pressure，ICP）监测是神经重症治疗不可缺少的组成部分。IPC监测已应用于颅脑损伤、蛛网膜下腔出血、颅内肿瘤、颅内出血、脑梗死、脑积水、中枢神经系统感染和暴发性肝衰竭病人的临床治疗管理。
在进行颅内导流及颅内压监测时，现有技术手段主要是采用脑室内置管，外接引流管及传感器装置。然而目前临床所用脑室外引流系统及颅内压监护仪多为各自独立包装，患者需前往手术室行脑室外引流后，再由医护人员讲管路打开连接颅压监护系统，这样操作费时费力而且容易导致感染。
发明内容
本发明提供了一种颅内导流及颅内压监测一体化装置，能够解决现有技术中颅内导流与颅内压监测分开进行，操作费时费力、容易导致感染的问题。
本发明提供了一种颅内导流及颅内压监测一体化装置，包括：引流管、引流单元和监测单元；所述引流管的一端插入病人脑室，另一端与所述引流单元连接；所述引流管插入病人脑室的一端的内壁上设置有基于压阻式压电薄膜传感器，所述基于压阻式压电薄膜传感器上连接有导线，所述导线的另一端与所述监测单元连接；所述基于压阻式压电薄膜传感器用于采集病人脑室中的脑脊液压力信号；所述导线用于将所述脑脊液压力信号传导至所述监测单元。
可选的，所述基于压阻式压电薄膜传感器为粘贴型压阻式传感器。
可选的，所述基于压阻式压电薄膜传感器为扩散型压阻式传感器。
可选的，所述装置还包括补偿单元，所述补偿单元用于对所述基于压阻式压电薄膜传感器采集的脑脊液压力信号进行温度漂移补偿。
可选的，所述补偿单元为附加在所述基于压阻式压电薄膜传感器桥臂上的串并联电阻网络。
可选的，所述串并联电阻网络采用恰当恒定电阻法或桥臂热敏电阻补偿法附加在所述基于压阻式压电薄膜传感器的桥臂上。
可选的，所述串并联电阻网络采用热敏电阻补偿法、双电桥补偿技术或三极管补偿技术附加在所述基于压阻式压电薄膜传感器的桥臂外。
可选的，所述补偿单元用于对所述脑脊液压力信号进行算法修正，以补偿所述基于压阻式压电薄膜传感器的温度漂移。
本发明能产生的有益效果包括：
本发明提供的颅内导流及颅内压监测一体化装置，仅设置一根引流管就可同时进行颅内导流和颅内压监测，这样有效解决了现有技术中颅内导流与颅内压监测分开进行，操作费时费力、容易导致感染的问题；同时，本申请由于将用于采集病人脑室中的脑脊液压力信号的基于压阻式压电薄膜传感器设置在引流管插入病人脑室的一端的内壁上（即颅内），这样使得颅内压的测量更加的准确。
附图说明
图1为本发明实施例提供的颅内导流及颅内压监测一体化装置结构示意图。
部件和附图标记列表：
11、引流管；12、引流单元；13、监测单元；14、基于压阻式压电薄膜传感器；15、导线。
具体实施方式
下面结合实施例详述本发明，但本发明并不局限于这些实施例。
本发明提供了一种颅内导流及颅内压监测一体化装置，如图1所示，包括：引流管11、引流单元12和监测单元13；引流管11的一端插入病人脑室，另一端与引流单元12连接；引流管11插入病人脑室的一端的内壁上设置有基于压阻式压电薄膜传感器14，基于压阻式压电薄膜传感器14上连接有导线15，导线15的另一端与监测单元13连接；基于压阻式压电薄膜传感器14用于采集病人脑室中的脑脊液压力信号；导线15用于将脑脊液压力信号传导至监测单元13。其中，监测装置可以是监护仪。
本发明通过仅设置一根引流管11就可同时进行颅内导流和颅内压监测，这样有效解决了现有技术中颅内导流与颅内压监测分开进行，操作费时费力、容易导致感染的问题；同时，本申请由于将用于采集病人脑室中的脑脊液压力信号的基于压阻式压电薄膜传感器14设置在引流管11插入病人脑室的一端的内壁上（即颅内），这样使得颅内压的测量更加的准确。
基于压阻式压电薄膜传感器14主要有两种类型：一种是粘贴型压阻式传感器，它的敏感元件是用半导体材料体电阻制成的粘贴式应变片；另一种是扩散型压阻式传感器，它是利用在硅片的应变敏感部位扩散出阻值相同的电阻条，当压力作用其上时，硅膜片产生应变，从而使电阻条变形，输出一个与压力呈正比的线性化电压信号。在使用电阻式传感器进行压力测量时，需要能够十分精确测量出微小电阻的变化。电桥提供了一种精确测量微小电阻变化极富有吸引力的解决方案。压阻式传感器的温度漂移主要表现为灵敏度温度漂移和零点温度漂移。在实际应用中，对于压阻式传感器的温度补偿，主要有硬件补偿和软件补偿两种方式：
(1) 硬件补偿：硬件补偿原理是在传感器桥臂附加串并联电阻网络以消除或减小温度的影响。主要有在桥臂上串、并联恰当恒定电阻法，桥臂热敏电阻补偿法，桥外串、并联热敏电阻补偿法，双电桥补偿技术、三极管补偿技术等。
(2) 软件补偿：软件补偿的原理是利用微机或单片机系统对实时采集的数据按照一定的算法进行综合修正以消除和减小温度的影响。软件补偿的算法有曲线拟合法和分段线性插值法。曲线拟合法又可分为最佳拟合直线法和多项式曲线拟合法。还有反函数法及目前广泛应用的神经网络法等，都可用于压力传感器温度漂移的补偿。
以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。
Claims (8)
1.一种颅内导流及颅内压监测一体化装置，其特征在于，包括：引流管、引流单元和监测单元；
所述引流管的一端插入病人脑室，另一端与所述引流单元连接；
所述引流管插入病人脑室的一端的内壁上设置有基于压阻式压电薄膜传感器，所述基于压阻式压电薄膜传感器上连接有导线，所述导线的另一端与所述监测单元连接；
所述基于压阻式压电薄膜传感器用于采集病人脑室中的脑脊液压力信号；所述导线用于将所述脑脊液压力信号传导至所述监测单元。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基于压阻式压电薄膜传感器为粘贴型压阻式传感器。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基于压阻式压电薄膜传感器为扩散型压阻式传感器。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括补偿单元，所述补偿单元用于对所述基于压阻式压电薄膜传感器采集的脑脊液压力信号进行温度漂移补偿。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述补偿单元为附加在所述基于压阻式压电薄膜传感器桥臂上的串并联电阻网络。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述串并联电阻网络采用恰当恒定电阻法或桥臂热敏电阻补偿法附加在所述基于压阻式压电薄膜传感器的桥臂上。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述串并联电阻网络采用热敏电阻补偿法、双电桥补偿技术或三极管补偿技术附加在所述基于压阻式压电薄膜传感器的桥臂外。
8.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述补偿单元用于对所述脑脊液压力信号进行算法修正，以补偿所述基于压阻式压电薄膜传感器的温度漂移。
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