CN113683291A - 一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法 - Google Patents
一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113683291A CN113683291A CN202110873609.XA CN202110873609A CN113683291A CN 113683291 A CN113683291 A CN 113683291A CN 202110873609 A CN202110873609 A CN 202110873609A CN 113683291 A CN113683291 A CN 113683291A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- deposition
- temperature
- quartz glass
- furnace
- burner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 125
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 103
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 101
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005025 nuclear technology Methods 0.000 description 2
- 206010033307 Overweight Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1407—Deposition reactors therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
- C03B19/1423—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1476—Means for heating during or immediately prior to deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，该方法采用化学气相沉积工艺，即向多个燃烧器中通入氢气和氧气，氢气和氧气在燃烧器中燃烧进而对沉积炉炉腔进行预热；预热完成后，将沉积炉内石英基板的温度升高至指定温度，同时启动温度探测器使其开始工作；通过每个燃烧器的下料管向沉积炉内通入气态含硅化合物，氢气和氧气在燃烧器中燃烧产生水蒸汽，该水蒸汽与气态含硅化合物在沉积炉内反应生成二氧化硅颗粒；二氧化硅颗粒在转动的石英基板上逐渐沉积形成石英玻璃坨，且所述温度探测器动态监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布；本发明通过增加燃烧器及沉积面温度测试保证沉积面温度的均匀性，从而保证石英玻璃的结构均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及石英玻璃生产方法的技术领域，具体涉及一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法。
背景技术
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)简称CVD,是广泛应用于材料合成、加工生产的一种技术工艺。CVD工艺是由气体作为前驱体，气相发生反应并与固体基体相互作用并沉积在基体表面形成薄层或镀膜等沉积体，实现材料制备或表面加工的过程。CVD工艺也是制造石英玻璃的重要方法之一，原因是其工艺简单、可控性好，原料来源广泛且价廉，并能够生产大尺寸石英玻璃坨。目前，合成石英玻璃砣的熔制方法主要有卧式沉积炉化学气相沉积法和立式沉积炉化学气相沉积法。由于卧式沉积炉化学气相沉积法无法生产大尺寸、高重量的石英玻璃砣，且炉温低、能耗大、效率低，已逐步被立式沉积炉化学气相沉积所取代。现有立式沉积炉化学气相沉积技术中，主要是通过将氢气和氧气在燃烧器中燃烧产生水蒸汽后与燃烧器下料管中气态含硅化合物反应产生二氧化硅颗粒，二氧化硅颗粒直接沉积在基础杆上形成石英玻璃砣。在沉积石英玻璃砣的过程中，高温熔融的石英玻璃砣在离心力和重力作用下，被迫使中心的石英玻璃逐步向边部扩散而生长成形，以便得到较大直径的石英玻璃砣，由于制备过程始终处于一个氢过量的氛围，所以制备的石英玻璃坨中羟基含量较高，并且从制备机理上还会导致沉积面的温度存在梯度变化，温度梯度会使石英玻璃砣的中心到边部的结构存在较大差异，如石英玻璃的羟基含量沿中心到边部逐渐降低，这导致了石英玻璃的折射率、密度等分布不均匀，进而影响石英玻璃结构的均匀性，直接影响石英玻璃的光学均匀性，进而影响航天、精密仪器、核技术等领域精密光学系统的成像品质。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，可满足航天、精密仪器、核技术等领域对石英玻璃高均匀性的要求，更加实用且易实现。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，该方法采用化学气相沉积工艺，其特征在于，包括以下步骤：
①向多个燃烧器中通入氢气和氧气，氢气和氧气在燃烧器中燃烧进而对沉积炉炉腔进行预热，同时通过引杆将石英基板升高至指定位置；
②沉积炉炉腔预热完成后，将位于沉积炉内的石英基板的温度升高至指定温度，同时启动温度探测器使其开始工作；
③通过每个燃烧器的下料管向沉积炉内通入气态含硅化合物，氢气和氧气在燃烧器中燃烧产生水蒸汽，该水蒸汽与气态含硅化合物在沉积炉内反应生成二氧化硅颗粒；
④二氧化硅颗粒在转动的石英基板上逐渐沉积形成石英玻璃坨，且所述温度探测器动态监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布；
所述沉积炉炉体的顶部设有燃烧器和温度探测器，所述燃烧器和温度探测器均与石英基板相对，所述沉积炉的内部设有竖直的引杆，所述引杆的顶端固定有所述石英基板，所述引杆的下端安装在驱动其转动和升降的旋转升降系统上。
作为本发明的进一步改进，所述沉积炉炉体的顶部上嵌入固定有两个伸入炉体内部的燃烧器，两个所述燃烧器分别为第一燃烧器和第二燃烧器，所述第一燃烧器竖直正对所述石英基板的中心设置，所述第二燃烧器倾斜朝向所述石英基板设置，所述温度探测器嵌入固定在沉积炉顶部的炉体上，所述温度探测器伸入沉积炉内并监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布，所述沉积炉上还设有与其内部连通的抽风通道。
作为本发明的进一步改进，所述步骤①中，对沉积炉炉腔进行预热的温度为850℃～1100℃，且预热的时间不少于24H，所述燃烧器中氢气和氧气的流速分别为200～400L/min和100～200L/min。
作为本发明的进一步改进，所述步骤②中，沉积炉预热完成后，将沉积炉炉体内壁的温度升高至1200℃～1300℃，所述石英基板的温度升高至1800℃。
作为本发明的进一步改进，所述步骤③中，石英基板的温度升高至1800℃以上后，向每个燃烧器的下料管中以7～15L/min的流度通入气态含硅化合物，氢气和氧气在燃烧器中燃烧产生水蒸汽，该水蒸汽与气态含硅化合物在沉积炉内反应生成二氧化硅颗粒。
作为本发明的进一步改进，所述气态含硅化合物为气态的四氯化硅或气态的八甲基环四硅氧烷。
作为本发明的进一步改进，所述步骤③中，控制沉积炉炉体内的气压与外部大气压的压力差在-5pa～-60pa之间。
作为本发明的进一步改进，所述步骤④中，所述石英基板的旋转速度为5～50r/min。
作为本发明的进一步改进，所述步骤④中，温度探测器动态监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布，根据温度探测器的反馈结果，通过动态调整第二燃烧器的角度、每个燃烧器中氢气和氧气的流量，进而调整沉积面的温度分布。
作为本发明的进一步改进，所述温度探测器动态监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布的反馈结果为热力图，通过动态调整第二燃烧器的角度、每个燃烧器中氢气和氧气的流量，使得热力图的颜色保持在一个色域。
本发明的有益效果：
本发明是一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，首先，本发明通过增加燃烧器的数量及沉积面温度测试保证沉积面温度的均匀性，从而保证沉积面的温度梯度明显降低(小于等于10℃)，从而保证石英玻璃砣中羟基含量沿中心到边部分布均匀，进而也确保了石英玻璃的折射率及密度分布均匀，保证石英玻璃砣沉积面方向的结构均匀性；其次，本发明沉积炉内压力通过微负压控制减少了顶部燃烧器与炉体粘连风险，炉体内的气流控制相对稳定，生产效率明显提高；再者，本发明通过增加沉积面温度的动态监控，通过实时监控沉积面的温度分布情况，动态调整燃烧器在不同层数的氢气和氧气的比例，确保沉积温度的均匀性；最后，本发明生产的石英砣尺寸大，直径达600mm，光学均匀性高，达1.2×10-6。
附图说明
图1为沉积炉的结构示意图；
图中标号说明：10、沉积炉；11、温度探测器；12、第一燃烧器；13、第二燃烧器；14、石英玻璃砣；15、石英基板；16、抽风通道；17、引杆。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
本发明一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法的一实施例；
一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，该方法采用化学气相沉积工艺，包括以下步骤：
①向多个燃烧器中通入氢气和氧气，氢气和氧气在燃烧器中燃烧进而对沉积炉炉腔进行预热，同时通过引杆将石英基板升高至指定位置；
②沉积炉炉腔预热完成后，将位于沉积炉内的石英基板的温度升高至指定温度，同时启动温度探测器使其开始工作；
③通过每个燃烧器的下料管向沉积炉内通入气态含硅化合物，氢气和氧气在燃烧器中燃烧产生水蒸汽，该水蒸汽与气态含硅化合物在沉积炉内反应生成二氧化硅颗粒；
④二氧化硅颗粒在转动的石英基板上逐渐沉积形成石英玻璃坨，且所述温度探测器动态监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布；
所述沉积炉炉体的顶部设有燃烧器和温度探测器，所述燃烧器和温度探测器均与石英基板相对，所述沉积炉的内部设有竖直的引杆，所述引杆的顶端固定有所述石英基板，所述引杆的下端安装在驱动其转动和升降的旋转升降系统上。
参照图1所示，在本发明的一具体实施例中，所述沉积炉炉体的顶部上嵌入固定有两个伸入炉体内部的燃烧器，两个所述燃烧器分别为第一燃烧器和第二燃烧器，所述第一燃烧器竖直正对所述石英基板的中心设置，所述第二燃烧器倾斜朝向所述石英基板设置，所述温度探测器嵌入固定在沉积炉顶部的炉体上，所述温度探测器伸入沉积炉内并监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布，所述沉积炉上还设有与其内部连通的抽风通道。
在本发明的一具体实施例中，所述步骤①中，对沉积炉炉腔进行预热的温度为850℃～1100℃，且预热的时间不少于24H，所述燃烧器中氢气和氧气的流速分别为200～400L/min和100～200L/min，预热的目的就是让沉积炉内部的温度首先达到一个稳态，若将沉积炉内的温度从室温迅速升至目标温度将会影响炉内耐火砖与引杆的使用寿命。
在本发明的一具体实施例中，所述步骤②中，沉积炉预热完成后，将沉积炉炉体内壁的温度升高至1200℃～1300℃，所述石英基板的温度升高至1800℃。
在本发明的一具体实施例中，所述步骤③中，石英基板的温度升高至1800℃以上后，向每个燃烧器的下料管中以7～15L/min的流度通入气态含硅化合物，氢气和氧气在燃烧器中燃烧产生水蒸汽，该水蒸汽与气态含硅化合物在沉积炉内反应生成二氧化硅颗粒。
在本发明的一具体实施例中，所述气态含硅化合物为气态的四氯化硅或气态的八甲基环四硅氧烷。
在本发明的一具体实施例中，所述步骤③中，控制沉积炉炉体内的气压与外部大气压的压力差在-5pa～-60pa之间，使得沉积炉内保持微负压，通过微负压控制减少了顶部燃烧器与炉体粘连风险，炉体内的气流控制相对稳定，生产效率明显提高。
在本发明的一具体实施例中，所述步骤④中，所述石英基板的旋转速度为5～50r/min。
在本发明的一具体实施例中，所述步骤④中，温度探测器动态监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布，根据温度探测器的反馈结果，通过动态调整第二燃烧器的角度、每个燃烧器中氢气和氧气的流量，进而调整沉积面的温度分布。
在本发明的一具体实施例中，所述温度探测器动态监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布的反馈结果为热力图，若热力图的颜色没有保持在一个色域，即沉积面的温度分布相对不均匀，通过动态调整第二燃烧器的角度、每个燃烧器中氢气和氧气的流量，使得热力图的颜色保持在一个色域，即沉积面的温度分布相对均匀，能够满足生产要求，从而保证沉积面的温度梯度明显降低(小于等于10℃)，从而保证石英玻璃砣中羟基含量沿中心到边部分布均匀，进而也确保了石英玻璃的折射率及密度分布均匀，保证石英玻璃砣沉积面方向的结构均匀性。
通过本发明的方法，沉积在石英基板上的石英玻璃砣逐渐生长，沉积10天后，制得重量约250Kg,直径为600mm、高为400mm的合成石英玻璃砣；对上述获得的合成石英玻璃砣性能进行检测，首先切割出两块边长为80mm的立方体状石英玻璃坯，将其进行精密退火，然后滚圆、铣磨、平面磨、研磨和拋光等冷加工工序后，制得两块规格相同的石英玻璃成型坯片，每块成型坯片的直径为58mm，高度为80mm，利用平面溦光干涉仪检测上述两块石英玻璃成型坯片的光学均匀性分别为1.2×10-6和1.8×10-6，而未采用本发明的立式化学气相沉积法制得的石英玻璃的光学均匀性仅15×10-6。
以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，该方法采用化学气相沉积工艺，其特征在于，包括以下步骤：
①向多个燃烧器中通入氢气和氧气，氢气和氧气在燃烧器中燃烧进而对沉积炉炉腔进行预热，同时通过引杆将石英基板升高至指定位置；
②沉积炉炉腔预热完成后，将位于沉积炉内的石英基板的温度升高至指定温度，同时启动温度探测器使其开始工作；
③通过每个燃烧器的下料管向沉积炉内通入气态含硅化合物，氢气和氧气在燃烧器中燃烧产生水蒸汽，该水蒸汽与气态含硅化合物在沉积炉内反应生成二氧化硅颗粒；
④二氧化硅颗粒在转动的石英基板上逐渐沉积形成石英玻璃坨，且所述温度探测器动态监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布；
所述沉积炉炉体的顶部设有燃烧器和温度探测器，所述燃烧器和温度探测器均与石英基板相对，所述沉积炉的内部设有竖直的引杆，所述引杆的顶端固定有所述石英基板，所述引杆的下端安装在驱动其转动和升降的旋转升降系统上。
2.如权利要求1所述的一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，其特征在于，所述沉积炉炉体的顶部上嵌入固定有两个伸入炉体内部的燃烧器，两个所述燃烧器分别为第一燃烧器和第二燃烧器，所述第一燃烧器竖直正对所述石英基板的中心设置，所述第二燃烧器倾斜朝向所述石英基板设置，所述温度探测器嵌入固定在沉积炉顶部的炉体上，所述温度探测器伸入沉积炉内并监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布，所述沉积炉上还设有与其内部连通的抽风通道。
3.如权利要求2所述的一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，其特征在于，所述步骤①中，对沉积炉炉腔进行预热的温度为850℃～1100℃，且预热的时间不少于24H，所述燃烧器中氢气和氧气的流速分别为200～400L/min和100～200L/min。
4.如权利要求3所述的一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，其特征在于，所述步骤②中，沉积炉预热完成后，将沉积炉炉体内壁的温度升高至1200℃～1300℃，所述石英基板的温度升高至1800℃。
5.如权利要求4所述的一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，其特征在于，所述步骤③中，石英基板的温度升高至1800℃以上后，向每个燃烧器的下料管中以7～15L/min的流度通入气态含硅化合物，氢气和氧气在燃烧器中燃烧产生水蒸汽，该水蒸汽与气态含硅化合物在沉积炉内反应生成二氧化硅颗粒。
6.如权利要求5所述的一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，其特征在于，所述气态含硅化合物为气态的四氯化硅或气态的八甲基环四硅氧烷。
7.如权利要求1所述的一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，其特征在于，所述步骤③中，控制沉积炉炉体内的气压与外部大气压的压力差在-5pa～-60pa之间。
8.如权利要求1所述的一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，其特征在于，所述步骤④中，所述石英基板的旋转速度为5～50r/min。
9.如权利要求2所述的一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，其特征在于，所述步骤④中，温度探测器动态监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布，根据温度探测器的反馈结果，通过动态调整第二燃烧器的角度、每个燃烧器中氢气和氧气的流量，进而调整沉积面的温度分布。
10.如权利要求9所述的一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法，其特征在于，所述温度探测器动态监测二氧化硅颗粒沉积面的温度分布的反馈结果为热力图，通过动态调整第二燃烧器的角度、每个燃烧器中氢气和氧气的流量，使得热力图的颜色保持在一个色域。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110873609.XA CN113683291A (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110873609.XA CN113683291A (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113683291A true CN113683291A (zh) | 2021-11-23 |
Family
ID=78578692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110873609.XA Pending CN113683291A (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113683291A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114702233A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-07-05 | 江苏亨芯石英科技有限公司 | 一种石英沉积装置及方法 |
| CN115180807A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-10-14 | 连云港太平洋半导体材料有限公司 | 一种不透明石英砣的制造装置 |
| CN115304243A (zh) * | 2022-09-06 | 2022-11-08 | 中天科技精密材料有限公司 | 石英玻璃沉积装置以及石英玻璃的制备方法 |
| CN118459058A (zh) * | 2024-07-10 | 2024-08-09 | 内蒙古金沙布地恒通光电科技有限公司 | 一种制备超低膨胀石英玻璃的原料混合方法 |
| CN118459058B (zh) * | 2024-07-10 | 2024-11-12 | 内蒙古金沙布地恒通光电科技有限公司 | 一种制备超低膨胀石英玻璃的原料混合方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06234530A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Nikon Corp | 石英ガラスの製造方法 |
| JP2000281359A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Nikon Corp | 合成石英ガラスの製造方法および合成石英ガラス中の水素分子濃度の制御方法 |
| JP2001335327A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-04 | Nikon Corp | 石英ガラス製造装置、石英ガラス製造方法および石英ガラス光学部材 |
| CN108467184A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-08-31 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种大尺寸高均匀石英玻璃的制备方法和装置 |
| CN112876044A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-06-01 | 江苏亨通智能科技有限公司 | 高纯度低羟基高均匀性石英玻璃的化学沉积方法及装置 |
-
2021
- 2021-07-30 CN CN202110873609.XA patent/CN113683291A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06234530A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Nikon Corp | 石英ガラスの製造方法 |
| JP2000281359A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Nikon Corp | 合成石英ガラスの製造方法および合成石英ガラス中の水素分子濃度の制御方法 |
| JP2001335327A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-04 | Nikon Corp | 石英ガラス製造装置、石英ガラス製造方法および石英ガラス光学部材 |
| CN108467184A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-08-31 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种大尺寸高均匀石英玻璃的制备方法和装置 |
| CN112876044A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-06-01 | 江苏亨通智能科技有限公司 | 高纯度低羟基高均匀性石英玻璃的化学沉积方法及装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114702233A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-07-05 | 江苏亨芯石英科技有限公司 | 一种石英沉积装置及方法 |
| CN114702233B (zh) * | 2022-05-12 | 2023-12-22 | 江苏亨芯石英科技有限公司 | 一种石英沉积装置及方法 |
| CN115180807A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-10-14 | 连云港太平洋半导体材料有限公司 | 一种不透明石英砣的制造装置 |
| CN115304243A (zh) * | 2022-09-06 | 2022-11-08 | 中天科技精密材料有限公司 | 石英玻璃沉积装置以及石英玻璃的制备方法 |
| CN115304243B (zh) * | 2022-09-06 | 2024-03-22 | 中天科技精密材料有限公司 | 石英玻璃沉积装置以及石英玻璃的制备方法 |
| CN118459058A (zh) * | 2024-07-10 | 2024-08-09 | 内蒙古金沙布地恒通光电科技有限公司 | 一种制备超低膨胀石英玻璃的原料混合方法 |
| CN118459058B (zh) * | 2024-07-10 | 2024-11-12 | 内蒙古金沙布地恒通光电科技有限公司 | 一种制备超低膨胀石英玻璃的原料混合方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113683291A (zh) | 一种生产大尺寸、高均匀性合成石英玻璃砣的方法 | |
| CN104926088B (zh) | 高均匀合成石英玻璃砣的制备方法 | |
| US20200095156A1 (en) | Fabrication method and fabrication apparatus for porous glass base material for optical fiber | |
| CN112876044A (zh) | 高纯度低羟基高均匀性石英玻璃的化学沉积方法及装置 | |
| CN108467184B (zh) | 一种大尺寸高均匀石英玻璃的制备方法和装置 | |
| CN211946809U (zh) | 一种高精度的四氯化锗鼓泡装置 | |
| CN105948468B (zh) | 一种石英玻璃的制备装置 | |
| CN105036520B (zh) | 制备石英玻璃砣的沉积炉 | |
| CN204848633U (zh) | 制备合成石英玻璃砣的沉积炉 | |
| CN104926087B (zh) | 制备合成石英玻璃砣的沉积炉 | |
| CN108298798B (zh) | 一种大尺寸的二氧化硅疏松体的制备装置和方法 | |
| US20190112216A1 (en) | Fabrication apparatus and fabrication method for porous glass base material | |
| CN111153590B (zh) | 一种高精度的四氯化锗鼓泡装置 | |
| JPH07138028A (ja) | 合成石英ガラス部材の製造方法および合成石英ガラス製造用バーナー | |
| JP7170555B2 (ja) | 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法 | |
| EP2878582B1 (en) | SiO2-TiO2-BASED GLASS PRODUCTION METHOD, PRODUCTION METHOD FOR PLATE-SHAPED MEMBER COMPRISING SiO2-TiO2-BASED GLASS, AND SiO2-TiO2-BASED GLASS PRODUCTION DEVICE | |
| JP2005075682A (ja) | 多孔質ガラス母材の製造方法 | |
| JP3816268B2 (ja) | 多孔質ガラス母材の製造方法 | |
| CN204874269U (zh) | 制备石英玻璃砣的沉积炉 | |
| CN208182839U (zh) | 一种反应燃烧器组合部件和二氧化硅疏松体的沉积炉 | |
| CN114735926B (zh) | 一种用于制备半导体掩膜版用高品质石英的装置和方法 | |
| CN115010352B (zh) | 一种高均匀性石英棒材的沉积装置及方法 | |
| CN108467186A (zh) | 一种防止大尺寸二氧化硅疏松体开裂的方法 | |
| CN208308668U (zh) | 一种石英玻璃沉积炉 | |
| US8297079B2 (en) | Method of manufacturing porous glass base material used for optical fibers, and glass base material |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211123 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |