CN113641031B - 阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，属于显示技术领域，阵列基板包括衬底、色阻层、黑矩阵层、光收敛层，色阻层包括多个不同颜色的色阻，黑矩阵层包括多个遮光条和多个遮光条相互交叉限定出的开口，开口向衬底的正投影与色阻向衬底的正投影交叠；光收敛层位于色阻层和黑矩阵层之间，光收敛层包括多个光收敛部，光收敛部将入射至光收敛部的光线收敛汇聚至遮光条。显示面板包括第一基板和上述阵列基板。显示装置包括上述显示面板。本发明在色阻层和黑矩阵层之间设置的多个光收敛部，可以改善漏光现象，提高显示品质的同时，还可以将黑矩阵层的遮光条的宽度尽可能减小，提升开口率。

Description

阵列基板、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight Module)。其中，液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列(Thin Film Transistor Array，TFT Array)基板、一彩色滤光片(Color Filter，CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

COA(Color-filter On Array)技术是一种将彩色光阻层直接制作在阵列基板上以形成COA型阵列基板的一种集成技术。由于COA结构的液晶显示面板不存在彩色滤光片基板与薄膜晶体管阵列基板的对位问题，因此可以有效降低液晶显示面板制备过程中对盒制程的难度，避免了对盒时的误差，同时还能一定程度上提升显示开口率，显著的提升面板品质和面板生产效率。

但是现有技术中为了完全遮挡阵列基板一侧金属线处的反射光，避免产生漏光风险，遮光的黑矩阵(Black Matrix，BM)的宽度必须大于金属线的线宽，进而很容易影响显示开口率，即COA结构的液晶显示面板的开口率提升幅度较小。而随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越普遍，相应的，人们对显示面板的要求也越来越高。如何进一步更有效的提升显示面板的开口率成为本领域技术人员的主要研究方向。

因此，提供一种能够改善漏光现象的同时，还能够提升开口率的阵列基板、显示面板和显示装置，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有技术中为了避免产生漏光风险，导致显示面板的开口率提升幅度较小的问题。

本发明公开了一种阵列基板，包括：衬底；色阻层，色阻层位于衬底的一侧，色阻层包括多个不同颜色的色阻；黑矩阵层，黑矩阵层位于色阻层远离衬底的一侧，黑矩阵层包括多个遮光条和多个遮光条相互交叉限定出的开口，开口向衬底的正投影与色阻向衬底的正投影交叠；光收敛层，光收敛层位于色阻层和黑矩阵层之间，光收敛层包括多个光收敛部，光收敛部将入射至光收敛部的光线收敛汇聚至遮光条。

基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示面板，该显示面板包括第一基板和上述阵列基板，第一基板与阵列基板相对设置。

基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。

与现有技术相比，本发明提供的阵列基板、显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明的阵列基板在色阻层和黑矩阵层之间设置光收敛层，光收敛层包括多个光收敛部，光收敛部用于将入射至光收敛部的光线收敛汇聚至遮光条，其中入射至光收敛部的光线可以为外界环境光，即可以通过光收敛部的设置，改变入射至光收敛部的光线的传播方向，使得光收敛部将光线收敛汇聚至遮光条，被遮光条吸收，进而改善漏光现象。当本发明的阵列基板中的某一膜层包括金属信号线时，由于光收敛部具有对光线收敛汇聚的效果，可以将黑矩阵层的遮光条设置的宽度较小，有利于提升开口率，然后通过光收敛部收敛汇聚光线至遮光条，此时即使遮光条的宽度较小也可以避免外界环境光在阵列基板一侧的金属信号线上反射，减少漏光现象的发生。本发明在色阻层和黑矩阵层之间设置的多个光收敛部，可以改善漏光现象，提高显示品质的同时，还可以将黑矩阵层的遮光条的宽度尽可能减小，提升开口率。

当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是相关技术中提供的显示面板的一种局部剖面示意图；

图2是本发明实施例提供的阵列基板的一种平面结构示意图；

图3是图2中A-A’向的剖面结构示意图；

图4是图2中B-B’向的剖面结构示意图；

图5是图2中A-A’向的另一种剖面结构示意图；

图6是本发明实施例提供的阵列基板的另一种平面结构示意图；

图7是图6中C-C’向的剖面结构示意图；

图8是图6中D-D’向的剖面结构示意图；

图9是图6中C-C’向的另一种剖面结构示意图；

图10是图6中D-D’向的另一种剖面结构示意图；

图11是图6中C-C’向的另一种剖面结构示意图；

图12是图6中D-D’向的另一种剖面结构示意图；

图13是图6中D-D’向的另一种剖面结构示意图；

图14是图6中D-D’向的另一种剖面结构示意图；

图15是本发明实施例提供的阵列基板的另一种平面结构示意图；

图16是图15中E-E’向的剖面结构示意图；

图17是图15中F-F’向的剖面结构示意图；

图18是本发明实施例提供的阵列基板的另一种平面结构示意图；

图19是图18中G-G’向的剖面结构示意图；

图20是图18中H-H’向的剖面结构示意图；

图21是图18中G-G’向的另一种剖面结构示意图；

图22是图18中H-H’向的另一种剖面结构示意图；

图23是图18中G-G’向的另一种剖面结构示意图；

图24是图18中H-H’向的另一种剖面结构示意图；

图25是本发明实施例提供的阵列基板的另一种平面结构示意图；

图26是图25中I-I’向的剖面结构示意图；

图27是图25中J-J’向的剖面结构示意图；

图28是图25中I-I’向的另一种剖面结构示意图；

图29是图25中J-J’向的另一种剖面结构示意图；

图30是图25中I-I’向的另一种剖面结构示意图；

图31是图25中J-J’向的另一种剖面结构示意图；

图32是图25中I-I’向的另一种剖面结构示意图；

图33是图25中J-J’向的另一种剖面结构示意图；

图34是图25中I-I’向的另一种剖面结构示意图；

图35是图25中J-J’向的另一种剖面结构示意图；

图36是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的局部放大剖面结构示意图；

图37是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图；

图38是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图；

图39是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图；

图40是相关技术中提供的斜面与衬底所在平面的夹角大于45度时的光线传输路径图；

图41是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图；

图42是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图；

图43是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图；

图44是本发明实施例提供的阵列基板的另一种平面结构示意图；

图45是图44中K-K’向的剖面结构示意图；

图46是图44中M-M’向的剖面结构示意图；

图47是图44中K-K’向的另一种剖面结构示意图；

图48是图44中M-M’向的另一种剖面结构示意图；

图49是图44中K-K’向的另一种剖面结构示意图；

图50是图44中M-M’向的另一种剖面结构示意图；

图51是图44中K-K’向的另一种剖面结构示意图；

图52是图44中M-M’向的另一种剖面结构示意图；

图53是图44中K-K’向的另一种剖面结构示意图；

图54是图44中M-M’向的另一种剖面结构示意图；

图55是本实施例提供的一个透镜部与一个遮光条对应的局部放大剖面结构示意图；

图56是本实施例提供的一个透镜部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图；

图57是本实施例提供的一个透镜部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图；

图58是本实施例提供的一个透镜部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图；

图59是图44中K-K’向的另一种剖面结构示意图；

图60是图44中M-M’向的另一种剖面结构示意图；

图61是本发明实施例提供的一种显示面板的局部剖面结构示意图；

图62是本发明实施例提供的一种显示装置的平面结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

相关技术中，请参考图1，图1是相关技术中提供的显示面板的一种局部剖面示意图，图1提供的一种液晶显示面板111’包括COA型的阵列基板000’和与其相对设置的对置基板001’、以及位于两个基板之间的液晶层LC’、用于维持盒厚的隔垫物PS’(Photo Spacer)。图1中的COA型的阵列基板000’中，通过色阻单元(R/G/B)形成有色光的彩色光阻层101’、用于防止像素边缘漏光的黑矩阵BM’(Black Matrix)均设置在包括薄膜晶体管阵列的阵列基板000’上。黑矩阵BM’主要用来遮挡阵列基板000’一侧各像素边界处金属线的反射光与混色，而COA结构的阵列基板000’中混色较轻微，因此黑矩阵BM’主要用于遮挡金属线的反射光。由于COA结构的液晶显示面板不存在彩色滤光片基板与薄膜晶体管阵列基板的对位问题，因此可以有效降低液晶显示面板制备过程中对盒制程的难度，避免了对盒时的误差，同时还能一定程度上提升显示开口率，显著的提升面板品质和面板生产效率。

但是该阵列基板000’一侧由于集成有各种金属线，如提供数据电压信号的数据线S’(如图1所示)等，环境光在阵列基板000’上容易被金属线反射造成漏光现象，尤其是整条设置的数据线S’等位置的反射光更严重、漏光现象更明显。相关技术中为了完全遮挡阵列基板000’一侧金属线(数据线S’或‘其他金属信号线)处的反射光，只能将遮光作用的黑矩阵BM’的宽度W1’设置为大于金属线的线宽W2’(如图1所示)，而宽度较大的黑矩阵BM’容易影响显示开口率，即相关技术中为了减少漏光现象而增加黑矩阵BM’宽度的COA结构的液晶显示面板的开口率提升幅度较小。

基于上述问题，本申请提出了一种阵列基板、显示面板和显示装置，能够改善漏光现象的同时，还能够提升开口率。关于本申请提出的阵列基板、显示面板和显示装置的具体实施例，详细说明如下。

请结合参考图2-图4，图2是本发明实施例提供的阵列基板的一种平面结构示意图，图3是图2中A-A’向的剖面结构示意图，图4是图2中B-B’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图2中进行了透明度填充)，本实施例提供的一种阵列基板000，包括：

衬底10；

色阻层20，色阻层20位于衬底10的一侧，色阻层20包括多个不同颜色的色阻201(图中以不同填充图案区分示意)；

黑矩阵层30，黑矩阵层30位于色阻层20远离衬底10的一侧，黑矩阵层30包括多个遮光条301和多个遮光条301相互交叉限定出的开口302，开口302向衬底10的正投影与色阻201向衬底10的正投影交叠；

光收敛层40，光收敛层40位于色阻层20和黑矩阵层30之间，光收敛层40包括多个光收敛部401，光收敛部401将入射至光收敛部401的光线收敛汇聚至遮光条301。

具体而言，本实施例提供的阵列基板000可以为COA结构的阵列基板，即包括多个不同颜色的色阻201的光阻层20直接制作在阵列基板000上的结构；其中，阵列基板000包括用于承载各个膜层结构的衬底10。衬底10上至少设置有色阻层20，色阻层20包括多个不同颜色的色阻201，不同颜色的色阻201可以至少包括红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻。可选的，在其他实施方式中，不同颜色的色阻201还可以至少包括红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻和白色色阻，本实施例不作具体限定。色阻层20远离衬底10的一侧还设置有黑矩阵层30，黑矩阵层30包括多个遮光条301和多个遮光条301相互交叉限定出的开口302，开口302用于暴露出至少部分色阻201，遮光条301用于遮挡阵列基板000一侧存在的金属信号线的反射光与混色。可选的，遮光条301主要用于遮挡金属信号线的反射光。可以理解的是，本实施例的图2-图4中未示意金属信号线的具体位置以及信号线类型，金属信号线可以为黑矩阵层30与衬底10之间的任意膜层的金属信号线，如阵列基板000可以包括阵列设置的薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电连接的扫描线、数据线等，当阵列基板000应用于触控显示面板中时，阵列基板000还可以包括实现触控功能的触控信号线，则数据线、触控信号线等均可以设置于黑矩阵层30与衬底10之间的任意位置的膜层中，仅需满足金属信号线对应位置上设置有遮光条301用于遮光即可。

本实施例的阵列基板000在色阻层20和黑矩阵层30之间设置光收敛层40，光收敛层40包括多个光收敛部401，光收敛部401用于将入射至光收敛部401的光线收敛汇聚至遮光条301，其中入射至光收敛部401的光线可以为外界环境光，即可以通过光收敛部401的设置，改变入射至光收敛部401的光线的传播方向，使得光收敛部401将光线收敛汇聚至遮光条301，被遮光条301吸收，进而改善漏光现象。当本实施例的阵列基板000中的某一膜层包括金属信号线时，由于光收敛部401具有对光线收敛汇聚的效果，可以将黑矩阵层30的遮光条301设置的宽度较小(如图3所示)，有利于提升开口率，然后通过光收敛部401收敛汇聚光线至遮光条301，此时即使遮光条301的宽度较小也可以避免外界环境光在阵列基板000一侧的金属信号线上反射，减少漏光现象的发生。本实施例在色阻层20和黑矩阵层30之间设置的多个光收敛部401，可以改善漏光现象，提高显示品质的同时，还可以将黑矩阵层30的遮光条301的宽度尽可能减小，提升开口率。

可以理解的是，结合图1和图3所示，本实施例中由于光收敛部401具有对光线收敛汇聚的效果，可以将黑矩阵层30的遮光条301设置的宽度较小，即图3中遮光条301设置的宽度W1可以小于相关技术的图1中的黑矩阵BM’的宽度W1’，本实施例通过设置光收敛部401，可以将原本相关技术中的黑矩阵层30的遮光条301的宽度设计得更窄，进而达到改善漏光的效果，同时可以提升开口率。

可以理解的是，本实施例阵列基板000的具体膜层结构包括但不仅限于上述结构，本实施例图中示意的膜层结构仅用于示意出黑矩阵层30、色阻层20、光收敛层40的位置关系，并表示阵列基板000的实际膜层结构，具体实施时，可参考相关技术中COA结构的阵列基板的结构进行理解，如阵列基板000还可以包括像素电极的膜层、公共电极的膜层、薄膜晶体管的膜层、各个绝缘膜层等，本实施例在此不作赘述。本实施例的图2和图3仅是示例性画出一条沿纵向延伸的遮光条301与一个光收敛部401一一对应的关系，包括但不局限于此设置关系，具体实施时，还可以设置为不是所有的纵向延伸的遮光条301下方均设置有光收敛部401，即可以仅仅是部分数量中的纵向延伸的遮光条301的位置处设置有光收敛部401，还可以是一条纵向延伸的遮光条301的部分段设置有光收敛部401，还可以是阵列基板000的部分区域内的遮光条301位置设置有光收敛部401，还可以为其他设置关系，仅需满足通过在阵列基板000中可能出现金属信号线反射漏光现象或者漏光现象较为严重的位置设置光收敛部401，以达到改善漏光现象的目的即可，本实施例对此不作具体限定。

可选的，由于采用COA结构的阵列基板000制作液晶显示面板时，可以避免存在彩色滤光片基板与薄膜晶体管阵列基板的对位问题，进而可以有效降低液晶显示面板制备过程中对盒制程的难度，避免对盒时的误差，因此本实施例的COA结构的阵列基板000应用于曲面屏中时，恰好可以解决曲面屏对位精度的问题。此时，由于曲面屏弯曲导致的挤压漏光和金属信号线反射造成的漏光现象会比较明显。因此本实施例的阵列基板000应用于曲面屏中时，光收敛部401的设置不仅可以较好的改善金属信号线的反射漏光，还可以更好的改善弯曲挤压造成的漏光。

需要说明的是，本实施例中的图2-图4中仅是示例性画出光收敛部401的形状结构，包括但不局限于图中的形状结构，光收敛部401的形状结构还可以为其他能够实现将入射至光收敛部401的光线收敛汇聚至遮光条301效果的形状，具体实施时，可根据实际需求设置光收敛部401的形状结构，本实施例在此不作具体限定。需要进一步说明的是，如图3所示，本实施例仅是示例性画出光收敛部401的宽度W2，具体实施时，光收敛部401的宽度W2可以大于或等于或小于遮光条301的宽度W1，本实施例不作具体限定，并且本实施例的图3仅是示例性画出遮光条301与光收敛部401的交叠位置关系，包括但不局限于此，遮光条301与光收敛部401的交叠位置关系还可以为其他，如：图3中遮光条301的边界可以和光收敛部401的边界交叠，或者图3中遮光条301的边界可以位于光收敛部401的左右两个边界之间，或者图3中遮光条301的边界可以超出光收敛部401的边界，或者还可以为其他结构，仅需满足光收敛部401的设置能够实现本实施例的改善漏光和提升开口率的技术效果即可，本实施例对此不作具体限定。

可选的，本实施例中的多个光收敛部401起到的作用可以理解为，如图3和图4所示，对于由阵列基板000的第一侧M入射至光收敛部401的第一光线L，光收敛部401用于改变第一光线L的传播方向，使得第一光线L收敛汇聚至遮光条301；其中，第一侧M指黑矩阵层30远离衬底10的一侧。由阵列基板000的第一侧M入射至光收敛部401的第一光线L可以为外界的环境光，当第一光线L从黑矩阵层30远离衬底10的一侧入射到光收敛部401上时，光收敛部401可以通过反射和/或折射来改变第一光线L的传播方向，使得第一光线L被光收敛部401收敛并汇聚至遮光条301，被黑色的遮光条301吸收，进而避免了漏光现象的发生，并且由于光收敛部401对于第一光线L的收敛汇聚作用，即使将黑矩阵层30的遮光条301设置的较窄(如图3所示)，也不会造成漏光现象，进而能够提升开口率，有利于提高显示品质。

在一些可选实施例中，请结合参考图2和图5，图5是图2中A-A’向的剖面结构示意图，本实施例中，光收敛部401包括反射部4011，反射部4011包括朝向黑矩阵层30一侧的第一表面40110，第一表面40110朝远离黑矩阵层30的方向凹陷。

本实施例解释说明了光收敛部401可以为具有反射作用的反射部4011，且反射部4011的朝向黑矩阵层30一侧的第一表面40110可以为凹陷结构，即第一表面40110是朝远离黑矩阵层30的方向凹陷形成的一个带凹陷的反射面。作为外界环境光的第一光线L从黑矩阵层30远离衬底10的一侧入射到光收敛部401上时，光收敛部401的反射部4011可以通过第一表面40110的反射作用来改变第一光线L的传播方向，使得第一光线L被反射部4011反射回第一侧M，并且本实施例还将反射面的第一表面40110设计为凹陷结构，可以进一步在第一光线L被反射回第一侧M的同时，使得第一光线L被凹陷的第一表面40110收敛汇聚至遮光条301，被黑色的遮光条301吸收，进而避免了漏光现象的发生，并且由于反射部4011对于第一光线L的收敛汇聚作用，即使将黑矩阵层30的遮光条301设置的较窄(如图5所示)，也不会造成漏光现象，进而能够提升开口率，有利于提高显示品质。

在一些可选实施例中，请继续结合参考图2-图5，本实施例中，至少部分遮光条301向衬底10的正投影位于反射部4011向衬底10的正投影范围内。

本实施例解释说明了作为外界环境光的第一光线L从黑矩阵层30远离衬底10的一侧入射到光收敛部401上时，光收敛部401的反射部4011可以通过第一表面40110的反射作用来改变第一光线L的传播方向，使得第一光线L被反射部4011反射回第一侧M，并且本实施例还将反射面的第一表面40110设计为凹陷结构，可以进一步在第一光线L被反射回第一侧M的同时，使得第一光线L被凹陷的第一表面40110收敛汇聚至遮光条301，被黑色的遮光条301吸收，进而避免了漏光现象的发生。因此可以设置至少部分遮光条301向衬底10的正投影位于反射部4011向衬底10的正投影范围内，即至少部分遮光条301向衬底10的正投影的宽度W1可以小于反射部4011向衬底10的正投影的宽度W2，即将黑矩阵层30的遮光条301设置的较窄(如图3和图5所示)，也不会造成漏光现象，进而能够提升开口率，有利于提高显示品质。

可以理解的是，黑矩阵层30的遮光条301一般主要用来遮挡阵列基板000一侧各子像素边界处金属信号线的反射光，金属信号线可以有多个延伸方向，因此多个遮光条301可以包括沿第一方向X延伸的遮光条301，还可以包括沿第二方向Y延伸的遮光条301，第一方向X可以为扫描线(图中未示意)的延伸方向，第二方向Y可以为数据线(图中未示意)的延伸方向，第一方向X和第二方向Y在平行于衬底10所在平面的方向上相交，图2中以第一方向X和第二方向Y相互垂直为例进行示例说明。阵列基板000中一般位于相邻两个子像素之间，即位于子像素边界位置的整条延伸的金属信号线一般包括用于提供数据电压信号的数据线和用于提供触控信号的触控信号线，外界环境光在阵列基板000上的这种金属信号线占据面积较大、位于子像素边界更容易反射环境光线，造成漏光现象。因此本实施例中设置的反射部4011的延伸方向可以与金属信号线(数据线和触控信号线)的延伸方向相同，即反射部4011的延伸方向可以为第二方向Y(如图2所示)。因此，黑矩阵层30中的至少部分遮光条301向衬底10的正投影位于反射部4011向衬底10的正投影范围内，即黑矩阵层30中的所有遮光条301中，至少部分沿第二方向Y延伸的遮光条301的延伸方向与反射部4011的延伸方向相同，且反射部4011向衬底10的正投影覆盖至少部分沿第二方向Y延伸的遮光条301向衬底10的正投影。

可选的，本实施例的反射部4011的延伸方向还可以为第一方向X，当阵列基板000一侧还包括其他的如沿第一方向X延伸的金属信号线(如扫描线)，且该沿第一方向X延伸的金属信号线也容易产生反射漏光时，可通过在第一方向X上也设置反射部4011(即反射部4011沿第一方向X延伸，反射部4011的延伸方向也与至少部分沿第一方向X延伸的遮光条301的延伸方向相同)，从而能够起到进一步改善漏光的效果，此时与第一方向X延伸的反射部4011对应的沿第一方向X延伸的遮光条301也可以设置的相比于现有技术中的窄，进而可以进一步提升开口率。

需要说明的是，本实施例的图5仅是示例性画出反射部4011的朝向黑矩阵层30一侧的第一表面40110的凹陷结构，第一表面40110的结构包括图5示意的曲面但不局限于此，还可以为其他结构的凹陷方式，如多个平面拼接的凹陷结构等，仅需满足凹陷结构的反射部4011的第一表面40110能够反射第一光线L并将其收敛汇聚至遮光条301即可，具体实施时，可根据实际需求选择设置第一表面40110的凹陷方式，本实施例在此不作具体限定。

在一些可选实施例中，请结合参考图6、图7和图8，图6是本发明实施例提供的阵列基板的另一种平面结构示意图，图7是图6中C-C’向的剖面结构示意图，图8是图6中D-D’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图6中进行了透明度填充)，本实施例中，阵列基板000还包括多个阵列排布的子像素00、多条沿第一方向X延伸的扫描线G、多条沿第二方向Y延伸的数据线S，扫描线G和数据线S交叉绝缘限定出子像素00所在区域，其中，第一方向X和第二方向Y相交；可选的，第一方向X和第二方向Y在平行于衬底10所在平面的方向上相交，图6中以第一方向X和第二方向Y相互垂直为例进行示例说明。子像素00包括电连接的薄膜晶体管50和像素电极60，薄膜晶体管50包括栅极50G、源极50S、漏极50D、有源部50E，薄膜晶体管50的漏极50D与像素电极60电连接，栅极50G与扫描线G电连接，源极50S与数据线S电连接；

栅极50G与扫描线G位于第一金属层M1，数据线S、源极50S和漏极50D位于第二金属层M2，有源部50E位于有源层501；像素电极60位于色阻层20远离衬底10的一侧；

阵列基板000还包括公共电极70(图6中未示意)，公共电极70位于像素电极60靠近衬底10的一侧；或者，公共电极70位于像素电极60远离衬底10的一侧。

本实施例解释说明了阵列基板000的结构还可以包括多个阵列排布的子像素00、多条沿第一方向X延伸的扫描线G、多条沿第二方向Y延伸的数据线S以及公共电极70，扫描线G和数据线S交叉绝缘限定出子像素00所在区域，其中，子像素00所在区域可以理解为色阻层20的色阻201所在区域。子像素00包括电连接的薄膜晶体管50和像素电极60，薄膜晶体管50的漏极50D与像素电极60电连接，栅极50G与扫描线G电连接，源极50S与数据线S电连接，当本实施例的阵列基板000用于液晶显示面板中使用时，薄膜晶体管50作为显示面板中子像素00的开关器件。薄膜晶体管50的栅极50G连接显示面板的阵列基板000上的扫描线G，经由扫描线G连接至栅极扫描电路(图中未示意)，薄膜晶体管50的源极50S连接数据线S，经由数据线S连接至集成电路芯片(IC，图中未示意)，薄膜晶体管50的漏极50D连接至像素电极60，通过数据线S加载电压至像素电极60，使得像素电极60与公共电极70之间形成电场，进而液晶层的液晶分子(图中未示意)在该电场内偏转，从而控制光线出射与否，色阻层20的色阻201的颜色不同，则出光颜色也不同，进而实现显示面板的显示。

本实施例中的薄膜晶体管50的栅极50G与扫描线G位于第一金属层M1，数据线S、薄膜晶体管50的源极50S和漏极50D位于第二金属层M2，薄膜晶体管50的有源部50E位于有源层501，可选的，第一金属层M1和有源层501可以设置于色阻层20和衬底10之间。可以理解的是，本实施例的图中仅是以第一金属层M1位于有源层501和第二金属层M2之间即薄膜晶体管50为顶栅结构的晶体管为例进行示例说明，具体实施时，第一金属层M1还可以位于有源层501和衬底10之间即薄膜晶体管50为底栅结构的晶体管，本实施例不作具体限定。像素电极60位于色阻层20远离衬底10的一侧，可选的，像素电极60可以位于黑矩阵层30靠近色阻层20的一侧(如图7和图8所示)，此时公共电极70也可以位于黑矩阵层30靠近色阻层20的一侧；像素电极60也可以位于黑矩阵层30远离色阻层20的一侧(如图9和图10所示，图9是图6中C-C’向的另一种剖面结构示意图，图10是图6中D-D’向的另一种剖面结构示意图)，此时公共电极70也可以位于黑矩阵层30远离色阻层20的一侧，本实施例对此并不做限定，只要保证黑矩阵层30位于第一金属层M1和第二金属层M2等各金属层的背离衬底10的一侧，可以起到避免外界环境光线照射到各金属层的金属线上引起反光现象即可。

可选的，本实施例的公共电极70可以位于像素电极60靠近衬底10的一侧(如图7和图8所示)；或者，公共电极70还可以位于像素电极60远离衬底10的一侧(如图11和图12所示，图11是图6中C-C’向的另一种剖面结构示意图，图12是图6中D-D’向的另一种剖面结构示意图)，本实施例对此并不做具体限定，仅需满足像素电极60和公共电极70之间形成电场，进而液晶层的液晶分子能够在该电场内偏转，从而控制光线出射与否，进而实现显示面板的显示即可。可以理解的是，如图7和图8所示，当本实施例的公共电极位于像素电极60靠近衬底10的一侧时，公共电极70可以为多个块状结构(公共电极70复用为触控电极块)或者包括多个过孔的整面铺设的结构(未附图示意)，该过孔用于实现像素电极60与薄膜晶体管50的漏极50D电连接。可选的，为了使得像素电极60和公共电极70之间更好的产生驱动电场，本实施例的像素电极60可以为梳齿状结构。此时，若公共电极70为整面结构，可以通过该整面结构的公共电极70共同给入公共信号，若公共电极70为块状结构且复用作触控电极块使用，则在显示阶段可通过多条信号输入线共同给入公共信号，在触控阶段，可通过多条信号输入线分别传输触控信号，本实施例对此不作具体限定。可选的，本实施例的图7和图8仅以公共电极70可以为多个块状结构，一个子像素对应一个块状结构的公共电极70为例进行示意说明，具体实施时，一个块状结构的公共电极70还可以对应多个子像素设置，本实施例不作具体限定。

当本实施例的公共电极位于像素电极60远离衬底10的一侧时，公共电极70与像素电极60的梳齿状结构的交叠区域需要进行镂空设计(如图11所示，可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，本实施例的像素电极60的梳齿状结构仅在剖面图中示意，在平面结构图中未示意)。当本实施例的公共电极位于像素电极60远离衬底10的一侧时，公共电极70可以为整面铺设但在与像素电极60交叠区域为镂空设计的结构，以使得像素电极60与公共电极70之间产生驱动液晶偏转的电场(此时公共电极70不用考虑为像素电极60与薄膜晶体管50的漏极50D电连接设置过孔)，在显示阶段可以通过该整面结构的公共电极70共同给入公共信号；或者如图11和图12所示的公共电极70还可以为多个块状结构(公共电极70复用为触控电极块，此时块状的公共电极70与像素电极60交叠区域仍然需要进行镂空设计)，公共电极70为块状结构且复用作触控电极块使用时，在显示阶段可通过多条信号输入线共同给入公共信号，在触控阶段，可通过多条信号输入线分别传输触控信号，本实施例对此不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择设置。可选的，公共电极70为块状结构时，可以是如图11和图12所示的一个块状结构的公共电极70对应一个子像素，还可以是一个块状结构的公共电极70对应多个子像素，本实施例对此不作具体限定，图11和图12仅是以一个块状结构的公共电极70对应一个子像素为例进行示意说明，具体实施时，一个块状结构的公共电极70对应子像素的数量可根据实际需求选择设置，本实施例不作具体限定。

需要说明的是，本实施例的图6-图8仅是示例性画出阵列基板000的结构，包括但不局限于上述结构，还可以包括各绝缘膜层等，具体实施时，可参考相关技术中COA型阵列基板的结构进行理解，本实施例在此不作赘述。

需要进一步说明的是，本实施例的色阻层20的色阻201在同一方向如第二方向Y上为同一颜色的色阻201时，可以将同一方向上的同一颜色的多个色阻201合并制作为一个整条结构，以降低制程工艺难度，仅需在整条结构的需要开孔位置开设过孔K，便于色阻201下方的膜层与色阻201上方的膜层连接即可，如色阻201下方的薄膜晶体管50与色阻201上方的像素电极60电连接时，整条结构的色阻201可以开设过孔K；可选的，整条结构的色阻201开设过孔K的位置可以与薄膜晶体管50的漏极50D与像素电极60通过过孔电连接时的过孔的位置相互交叠，可以避免在阵列基板000上不同位置的绝缘膜层开设过孔影响显示效果。

在一些可选实施例中，请继续结合参考图6、图7和图8，本实施例中，色阻层20和黑矩阵层30之间包括第三金属层M3，第三金属层M3和衬底10之间包括有源层501、第一金属层M1、第二金属层M2；第三金属层M3包括多条第一触控信号线TP1；

至少部分第一触控信号线TP1复用为反射部4011。

本实施例进一步解释说明了阵列基板000中，在色阻层20和黑矩阵层30之间还可以包括第三金属层M3，第三金属层M3用于设置第一触控信号线TP1，在公共电极70复用为触控电极使用时，可以将第一触控信号线TP1与公共电极70电连接(图中未示意，具体连接结构可参考触控显示面板中的连接结构进行理解)，为公共电极70传输触控信号，进而实现阵列基板000在触控显示面板中使用时的触控功能。由于设置有多条第一触控信号线TP1的第三金属层M3位于色阻层20和黑矩阵层30之间，且第一触控信号线TP1的延伸方向一般沿第二方向Y延伸至阵列基板000的台阶区域(与驱动芯片电连接)，且第三金属层M3为金属材料具有反射效果，因此本实施例设置至少部分第一触控信号线TP1复用为反射部4011，不仅可以通过将至少部分第一触控信号线TP1制作为反射部4011的结构(第一表面40110为凹陷结构)，使得第一光线L被至少部分第一触控信号线TP1(即反射部4011)的第一表面40110收敛汇聚至遮光条301，被黑色的遮光条301吸收，进而避免了漏光现象的发生，还可以设置至少部分遮光条301向衬底10的正投影位于第一触控信号线TP1向衬底10的正投影范围内，即至少部分遮光条301向衬底10的正投影的宽度W1可以小于第一触控信号线TP1向衬底10的正投影的宽度W2，即将黑矩阵层30的遮光条301设置的较窄(如图7和图8所示)，也不会造成漏光现象，进而能够提升开口率，有利于提高显示品质。并且由于本申请利用了阵列基板000中本身具有的至少部分第一触控信号线TP1的结构复用为反射部4011，从而可以使得阵列基板000上无需另设膜层设置反射部4011，进而有利于阵列基板000的减薄，继而有利于实现显示面板的薄型化。

可选的，本实施例的至少部分第一触控信号线TP1复用为反射部4011，可以理解为阵列基板000上的多条第一触控信号线TP1中，部分数量的第一触控信号线TP1复用为反射部4011，或者全部数量的所有第一触控信号线TP1均复用为反射部4011，或者是部分数量的第一触控信号线TP1中，同一条第一触控信号线TP1的部分段复用为反射部4011(第一触控信号线TP1的部分段制作成第一表面40110的凹陷结构)，或者还可以是全部数量的所有第一触控信号线TP1中，同一条第一触控信号线TP1的部分段复用为反射部4011，本实施例对此不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择设置第一触控信号线TP1的结构。

可以理解的是，当公共电极70作为触控电极使用时，与同一块公共电极70电连接的第一触控信号线TP1中，还可以包括实际触控信号线和虚拟触控信号线，实际触控信号线和虚拟触控信号线可以均位于第三金属层M3，虚拟触控信号线与驱动芯片不连接，而作为触控电极使用的每一块公共电极70通过实际触控信号线与驱动芯片连接进行触控检测信号的传输。虚拟触控信号线一般用于减小各个作为触控电极使用的公共电极70之间的电阻差及电容差以保证触控精度，本实施例对于第一触控信号线TP1包括实际触控信号线和虚拟触控信号线的具体结构不作赘述，具体可参考相关技术中的触控结构进行理解。本实施例的复用为反射部4011的至少部分第一触控信号线TP1可以为实际触控信号线，还可以为虚拟触控信号线，本实施例对此不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择设置。

需要说明的是，本实施例的图7和图8中以第二金属层M2位于色阻层20靠近衬底10的一侧为例进行示例说明，第二金属层M2的设置位置不局限于此，第二金属层M2还可以位于色阻层20远离衬底10的一侧，仅需满足第三金属层M3和衬底10之间包括有源层501、第一金属层M1、第二金属层M2即可，本实施例对此不作具体限定。可以理解的是，由于第二金属层M2的薄膜晶体管50的漏极50D需要与像素电极60电连接，因此为了避免两者电连接的过孔过深，可以通过在第三金属层M3设置实现薄膜晶体管50的漏极50D与像素电极60电连接的搭接部D1(如图8所示)，即薄膜晶体管50的漏极50D先通过一个较浅的过孔与第三金属层M3的搭接部D1连接，再通过另一个较浅的过孔将第三金属层M3的搭接部D1的像素电极60连接，从而实现薄膜晶体管50的漏极50D与像素电极60的电连接，进而有利于降低制程难度，提高显示品质。

在一些可选实施例中，请结合参考图6、图13和图14，图13是图6中D-D’向的另一种剖面结构示意图，图14是图6中D-D’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，第一金属层M1和第二金属层M2之间包括第一绝缘层J1，第二金属层M2与色阻层20贴合接触。

本实施例解释说明了阵列基板000中还可以包括多个绝缘层，用于将两个导电膜层相互绝缘。其中第一金属层M1和第二金属层M2之间至少包括第一绝缘层J1，第二金属层M2与色阻层20可以直接贴合接触，即色阻层20可以起到色阻201滤光作用的同时，还可以作为第二金属层M2与其他导电膜层之间的绝缘层使用，进而可以无需在第二金属层M2与其他导电膜层之间另设绝缘层，有利于阵列基板000的薄型化。

可选的，本实施例的第二金属层M2可以位于色阻层20靠近衬底10的一侧(如图13所示)，即色阻层20和衬底10之间包括第一金属层M1、有源层501、第二金属层M2，第一金属层M1可以位于有源层501靠近衬底10的一侧(薄膜晶体管50为底栅结构的晶体管，未附图示意)，第一金属层M1可以位于有源层501远离衬底10的一侧(如图13所示，薄膜晶体管50为顶栅结构的晶体管)，此时第一金属层M1和第二金属层M2由于均位于色阻层20和衬底10之间，且第二金属层M2位于第一金属层M1靠近色阻层20的一侧，第一金属层M1和第二金属层M2之间仍然至少需要设置第一绝缘层J1起到将两个金属导电层绝缘的作用，而第二金属层M2远离第一金属层M1的一侧可以直接与色阻层20贴合接触，即制作完第二金属层M2并图案化后直接在其上方制作色阻层20的色阻201，色阻层20本身为绝缘材料制作，因此色阻层20可以起到色阻201滤光作用的同时，还可以起到将第二金属层M2与色阻层20上方的其他导电膜层(如第三金属层M3或其他导电膜层)绝缘的效果。并且由于色阻层20需要设置色阻201结构，因此色阻层20的厚度一般较厚，进而有利于减弱第二金属层M2与其他导电膜层之间的信号耦合，提高显示品质。

可选的，本实施例的第二金属层M2可以位于色阻层20远离衬底10的一侧(如图14所示)，即色阻层20和衬底10之间包括第一金属层M1、有源层501，第二金属层M2位于色阻层20和黑矩阵层30之间，第一金属层M1可以位于有源层501靠近衬底10的一侧(薄膜晶体管50为底栅结构的晶体管，未附图示意)，第一金属层M1可以位于有源层501远离衬底10的一侧(如图14所示，薄膜晶体管50为顶栅结构的晶体管)，此时第二金属层M2位于色阻层20远离衬底10的一侧，第二金属层M2靠近第一金属层M1的一侧可以直接与色阻层20贴合接触，即制作完色阻层20的色阻201后直接在其上方制作第二金属层M2，色阻层20本身为绝缘材料制作，因此色阻层20可以起到色阻201滤光作用的同时，还可以起到将第二金属层M2与第一金属层M1绝缘的效果。进一步可选的，此时第一金属层M1朝向第二金属层M2的一侧也可以直接与色阻层20贴合接触，即制作完第一金属层M1并图案化后直接在其上方制作色阻层20，色阻层20复用为第一金属层M1和第二金属层M2之间的第一绝缘层J1使用，可以进一步减小阵列基板000的厚度。并且由于色阻层20需要设置色阻201结构，因此色阻层20的厚度一般较厚，进而有利于减弱第二金属层M2与第一金属层M1之间的信号耦合，提高显示品质。

在一些可选实施例中，请结合参考图15、图16和图17，图15是本发明实施例提供的阵列基板的另一种平面结构示意图，图16是图15中E-E’向的剖面结构示意图，图17是图15中F-F’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图15中进行了透明度填充)，本实施例中，阵列基板000的第二金属层M2位于色阻层20远离衬底10的一侧，衬底10和第二金属层M2之间包括有源层501、第一金属层M1；

色阻201包括第一通孔K1，薄膜晶体管50的源极50S和漏极50D通过第一通孔K1与有源部50E电连接；

反射部4011与第二金属层M2同层同材料设置。

本实施例解释说明了阵列基板000的第二金属层M2可以位于色阻层20远离衬底10的一侧，即第二金属层M2与第一金属层M1之间包括色阻层20，此时，位于色阻层20和黑矩阵层30之间的反射部4011可以与第二金属层M2同层同材料设置，即可以用第二金属层M2的材料制作反射部4011，进而有利于阵列基板000的整体减薄。

当第二金属层M2位于色阻层20远离衬底10的一侧时，由于衬底10和第二金属层M2之间包括有源层501、第一金属层M1，可选的，有源层501、第一金属层M1位于第二金属层M2靠近衬底10一侧的色阻层20和衬底10之间，因此薄膜晶体管50的源极50S和漏极50D与有源部50E电连接需要通过色阻201所在的色阻层20，即本实施例的色阻层20的色阻201开设有贯穿色阻层20厚度的第一通孔K1，薄膜晶体管50的源极50S和漏极50D通过第一通孔K1实现与有源部50E的电连接。

需要说明的是，本实施例仅是示例性画出色阻层20远离衬底10的一侧包括第二金属层M2的结构，色阻层20远离衬底10的一侧还可以包括其他金属膜层，如第三金属层M3等，本实施例不作具体限定，仅需满足第二金属层M2位于色阻层20远离衬底10的一侧，且在色阻层20远离衬底10的一侧的用于实现反射、收敛汇聚第一光线L的反射部4011与第二金属层M2同层同材料设置即可。

需要进一步说明的是，本实施例的第一金属层M1和有源层501均位于色阻层20靠近衬底10的一侧，第一金属层M1可以位于有源层501靠近衬底10的一侧(薄膜晶体管50为底栅结构的晶体管，未附图示意)，第一金属层M1也可以位于有源层501远离衬底10的一侧(如图17所示，薄膜晶体管50为顶栅结构的晶体管)，本实施例对此不作具体限定。

在一些可选实施例中，请结合参考图18、图19和图20，图18是本发明实施例提供的阵列基板的另一种平面结构示意图，图19是图18中G-G’向的剖面结构示意图，图20是图18中H-H’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图18中进行了透明度填充)，本实施例中，阵列基板000的第二金属层M2位于色阻层20远离衬底10的一侧，衬底10和第二金属层M2之间包括有源层501、第一金属层M1；

色阻201包括第一通孔K1，薄膜晶体管50的源极50S和漏极50D通过第一通孔K1与有源部50E电连接；

反射部4011与第二金属层M2同层同材料设置，且至少部分数据线S复用为反射部4011。

本实施例解释说明了阵列基板000的第二金属层M2可以位于色阻层20远离衬底10的一侧，即第二金属层M2与第一金属层M1之间包括色阻层20，此时，位于色阻层20和黑矩阵层30之间的反射部4011可以与第二金属层M2同层同材料设置，且位于第二金属层M2的至少部分数据线S可以直接复用为反射部4011，进而有利于阵列基板000的整体减薄的同时，还可以减少第二金属层M2的布设结构的数量，有利于提升第二金属层M2的布设空间，避免发生第二金属层M2不同结构之间的短路现象，进而有利于提升产品良率。

当第二金属层M2位于色阻层20远离衬底10的一侧时，由于衬底10和第二金属层M2之间包括有源层501、第一金属层M1，可选的，有源层501、第一金属层M1位于第二金属层M2靠近衬底10一侧的色阻层20和衬底10之间，因此薄膜晶体管50的源极50S和漏极50D与有源部50E电连接需要通过色阻201所在的色阻层20，即本实施例的色阻层20的色阻201开设有贯穿色阻层20厚度的第一通孔K1，薄膜晶体管50的源极50S和漏极50D通过第一通孔K1实现与有源部50E的电连接。

需要说明的是，本实施例仅是示例性画出色阻层20远离衬底10的一侧包括第二金属层M2的结构，色阻层20远离衬底10的一侧还可以包括其他金属膜层，如第三金属层M3等，本实施例不作具体限定，仅需满足第二金属层M2位于色阻层20远离衬底10的一侧，且在色阻层20远离衬底10的一侧的用于实现反射、收敛汇聚第一光线L的反射部4011与第二金属层M2的至少部分数据线S复用即可。

需要进一步说明的是，本实施例的第一金属层M1和有源层501均位于色阻层20靠近衬底10的一侧，第一金属层M1可以位于有源层501靠近衬底10的一侧(薄膜晶体管50为底栅结构的晶体管，未附图示意)，第一金属层M1也可以位于有源层501远离衬底10的一侧(如图20所示，薄膜晶体管50为顶栅结构的晶体管)，本实施例对此不作具体限定。

可选的，本实施例的至少部分数据线S复用为反射部4011，可以理解为阵列基板000上的多条数据线S中，部分数量的数据线S复用为反射部4011，或者全部数量的数据线S均复用为反射部4011，或者是部分数量的数据线S中，同一条数据线S的部分段复用为反射部4011(数据线S的部分段制作成第一表面40110的凹陷结构)，或者还可以是全部数量的所有数据线S中，同一条数据线S的部分段复用为反射部4011，本实施例对此不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择设置数据线S的结构。

在一些可选实施例中，请继续结合参考图18-图20，本实施例中，黑矩阵层30和色阻层20之间包括平坦化层PLN。

本实施例解释说明了阵列基板000上的黑矩阵层30和色阻层20之间还可以包括平坦化层PLN，平坦化层PLN用于提高公共电极70与像素电极60的形成表面的平坦化程度。

可选的，如图18、图19和图20所示，本实施例中的平坦化层PLN位于第二金属层M2靠近色阻层20的一侧。即第二金属层M2和第一金属层M1之间至少可以包括平坦化层PLN和色阻层20，从而有利于降低第一金属层M1和第二金属层M2之间的信号耦合。

可以理解的是，当第二金属层M2位于色阻层20远离衬底10的一侧，时，公共电极70和像素电极60的位置可以参考图11和图12中的公共电极70位于像素电极60远离衬底10的一侧，或者还可以参考图19和图20中的公共电极70位于像素电极60靠近衬底10的一侧，本实施例对此不作具体限定。

进一步可选的，请结合参考图18、图21和图22，图21是图18中G-G’向的另一种剖面结构示意图，图22是图18中H-H’向的另一种剖面结构示意图，平坦化层PLN位于第二金属层M2靠近色阻层20的一侧，即平坦化层PLN远离衬底10一侧的表面具有较好的平坦化程度时，可以设置公共电极70位于像素电极60靠近衬底10的一侧，且公共电极70与第二金属层M2同层设置。

本实施例解释说明了第二金属层M2位于色阻层20远离衬底10的一侧，且平坦化层PLN位于第二金属层M2靠近色阻层20的一侧时，由于平坦化层PLN远离衬底10一侧的表面具有较好的平坦化程度，因此可以直接在平坦化层PLN远离衬底10一侧的表面设置公共电极70，使得公共电极70与第二金属层M2同层不同材料设置，从而可以进一步减小阵列基板000的整体厚度，更好的有利于面板的薄型化。

可以理解的是，在制作完平坦化层PLN后，可以在平坦化层PLN远离衬底10一侧的表面先制作第二金属层M2并图案化，再在平坦化层PLN远离衬底10一侧的表面制作公共电极70，或者还可以在制作完平坦化层PLN后，可以在平坦化层PLN远离衬底10一侧的表面先制作公共电极70并图案化，再在平坦化层PLN远离衬底10一侧的表面制作第二金属层M2并图案化，本实施例对此不作具体限定，仅需满足公共电极70与第二金属层M2同层不同材料且公共电极70与第二金属层M2的数据线S等结构相互绝缘即可。

可选的，请结合参考图18、图23和图24，图23是图18中G-G’向的另一种剖面结构示意图，图24是图18中H-H’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，平坦化层PLN位于第二金属层M2靠近黑矩阵层30的一侧。

本实施例中的平坦化层PLN还可以设置于第二金属层M2靠近黑矩阵层30的一侧。即第二金属层M2与像素电极60之间至少可以包括平坦化层PLN，从而有利于降低像素电极60和第二金属层M2之间的信号耦合。

进一步可选的，如图23和图24所示，当第二金属层M2位于平坦化层PLN与色阻层20之间时，第二金属层M2可以与色阻层20贴合接触，制作完色阻层20后，在色阻层20的上方直接制作第二金属层M2，图案化第二金属层M2后可以直接在第二金属层M2上制作平坦化层PLN。即色阻层20可以复用作为第二金属层M2和第一金属层M1之间的绝缘层使用，起到彩色滤光效果的同时还可以使得在第二金属层M2和第一金属层M1之间无需另设绝缘层，有利于减薄阵列基板000的厚度。

进一步可选的，如图23和图24所示，第一金属层M1与色阻层20贴合接触。此时位于色阻层20与衬底10之间的第一金属层M1朝向第二金属层M2的一侧也可以直接与色阻层20贴合接触，即制作完第一金属层M1并图案化后直接在其上方制作色阻层20，色阻层20复用为第一金属层M1和第二金属层M2之间的绝缘层使用，可以进一步减小阵列基板000的厚度。并且由于色阻层20需要设置色阻201结构，因此色阻层20的厚度一般较厚，进而有利于减弱第二金属层M2与第一金属层M1之间的信号耦合，提高显示品质。

在一些可选实施例中，请结合参考图25、图26、图27、图28、图29，图25是本发明实施例提供的阵列基板的另一种平面结构示意图，图26是图25中I-I’向的剖面结构示意图，图27是图25中J-J’向的剖面结构示意图，图28是图25中I-I’向的另一种剖面结构示意图，图29是图25中J-J’向的另一种剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图25中进行了透明度填充)，本实施例中，如图26和图27所示，平坦化层PLN位于第二金属层M2靠近色阻层20的一侧，或者如图28和图29所示，平坦化层PLN位于第二金属层M2靠近黑矩阵层30的一侧时，第二金属层M2还包括多条第二触控信号线TP2；

至少一个反射部4011包括第一子部4011A和第二子部4011B，相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2中，数据线S复用为第一子部4011A，第二触控信号线TP2复用为第二子部4011B。

本实施例解释说明了当第二金属层M2位于色阻层20和黑矩阵层30之间时，第二金属层M2除了设置数据线S和薄膜晶体管50的源极50S、漏极50D，还可以包括多条第二触控信号线TP2，即第二金属层M2还用于设置第二触控信号线TP2，在公共电极70复用为触控电极使用时，可以将第二触控信号线TP2与公共电极70电连接(图中未示意，具体连接结构可参考触控显示面板中的连接结构进行理解)，为公共电极70传输触控信号，进而实现阵列基板000在触控显示面板中使用时的触控功能。由于设置有多条第二触控信号线TP2的第二金属层M2位于色阻层20和黑矩阵层30之间，且第二触控信号线TP2的延伸方向一般沿第二方向Y延伸至阵列基板000的台阶区域(与驱动芯片电连接)，且第二金属层M2为金属材料具有反射效果，因此本实施例设置至少一个反射部4011包括第一子部4011A和第二子部4011B，相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2中，数据线S复用为第一子部4011A，第二触控信号线TP2复用为第二子部4011B，即由相邻的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2共同设置成反射部4011的结构，使得第一光线L被相邻的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2构成的反射部4011收敛汇聚至遮光条301，被黑色的遮光条301吸收，进而避免了漏光现象的发生，还可以设置至少部分遮光条301向衬底10的正投影位于相邻的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2共同向衬底10的正投影范围内，即将黑矩阵层30的遮光条301设置的较窄，也不会造成漏光现象，进而能够提升开口率，有利于提高显示品质。并且由于本申请利用了阵列基板000中本身具有的第二金属层M2设置第二触控信号线TP2，且第二金属层M2的数据线S和第二触控信号线TP2共同复用为反射部4011，从而可以使得阵列基板000上无需另设膜层设置第二触控信号线TP2和反射部4011，进而有利于阵列基板000的进一步减薄，继而更好的实现显示面板的薄型化。

可选的，本实施例的至少一个反射部4011包括第一子部4011A和第二子部4011B可以理解为至少部分反射部4011的结构包括第一子部4011A和第二子部4011B，其余反射部4011的结构可以仅复用数据线S(将数据线S的上表面制作成第一表面40110的凹陷结构)或仅复用第二触控信号线TP2(将第二触控信号线TP2的上表面制作成第一表面40110的凹陷结构)，或者还可以是全部反射部4011的结构包括第一子部4011A和第二子部4011B，相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2中，数据线S复用为第一子部4011A，第二触控信号线TP2复用为第二子部4011B，本实施例对此不作具体限定。其中，相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2中，数据线S复用为第一子部4011A，第二触控信号线TP2复用为第二子部4011B，可以理解为阵列基板000上的多条第二触控信号线TP2、多条数据线S中，部分数量的数据线S复用为第一子部4011A，与其对应相邻的部分数量的第二触控信号线TP2复用为第二子部4011B，或者全部数量的所有数据线S均复用为第一子部4011A，全部数量的所有第二触控信号线TP2均复用为第二子部4011B，或者是部分数量的第二触控信号线TP2、多条数据线S中，同一条第二触控信号线TP2的部分段复用为第二子部4011B(第二触控信号线TP2的部分段制作成第一表面40110的凹陷结构)，与其对应位置的数据线S的部分段复用为第一子部4011A，或者还可以是全部数量的所有第二触控信号线TP2和数据线S中，同一条第二触控信号线TP2的部分段复用为第二子部4011B，与其对应位置的数据线S的部分段复用为第一子部4011A，本实施例对此不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择设置第二触控信号线TP2和数据线S的结构。

可以理解的是，当公共电极70作为触控电极使用时，与同一块公共电极70电连接的第二触控信号线TP2中，还可以包括实际触控信号线和虚拟触控信号线，实际触控信号线和虚拟触控信号线可以均位于第二金属层M2，虚拟触控信号线与驱动芯片不连接，而作为触控电极使用的每一块公共电极70通过实际触控信号线与驱动芯片连接进行触控检测信号的传输。虚拟触控信号线一般用于减小各个作为触控电极使用的公共电极70之间的电阻差及电容差以保证触控精度，本实施例对于第二触控信号线TP2包括实际触控信号线和虚拟触控信号线的具体结构不作赘述，具体可参考相关技术中的触控结构进行理解。本实施例的复用为反射部4011的第二子部4011B的第二触控信号线TP2可以为实际触控信号线，还可以为虚拟触控信号线，本实施例对此不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择设置。

需要说明的是，本实施例的图26-图29仅是示例性画出了相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2中，数据线S复用为第一子部4011A，第二触控信号线TP2复用为第二子部4011B，由相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2共同构成包括凹陷的第一表面40110的反射部4011的结构，但不局限于此结构，具体实施时，相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2还可以为其他结构形状以形成包括凹陷的第一表面40110的反射部4011，本实施例在此不作赘述。

在一些可选实施例中，请继续结合参考图25-图29，本实施例中，在平行于衬底10所在平面的方向上，第一子部4011A靠近第二子部4011B的一端为第一端部4011A1，第二子部4011B靠近第一子部4011A的一端为第二端部4011B1；

第一端部4011A1和第二端部4011B1相互绝缘。

本实施例进一步解释说明了位于第二金属层M2的相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2中，数据线S复用为一个反射部4011的第一子部4011A，第二触控信号线TP2复用为同一个反射部4011第二子部4011B，由于数据线S用于加载电压至像素电极60，第二触控信号线TP2用于传输触控信号，两者实现的功能不同，因此本实施例设置在平行于衬底10所在平面的方向上，第一子部4011A靠近第二子部4011B的一端为第一端部4011A1，第二子部4011B靠近第一子部4011A的一端为第二端部4011B1，第一端部4011A1和第二端部4011B1相互绝缘，从而可以保证相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2互不干扰，保证阵列基板000的使用效果。

可选的，请继续结合参考图25-图29，第一端部4011A1和第二端部4011B1相互绝缘可以理解为在平行于衬底10所在平面的方向上，第一端部4011A1与第二端部4011B1之间的距离L1大于0，以保证相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2互不干扰，保证阵列基板000的使用效果。

可选的，请结合参考图25、图30和图31，图30是图25中I-I’向的另一种剖面结构示意图，图31是图25中J-J’向的另一种剖面结构示意图，第一端部4011A1和第二端部4011B1相互绝缘可以理解为，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一端部4011A1与第二端部4011B1之间的距离L2大于0。即第一端部4011A1与第二端部4011B1在垂直于衬底10所在平面的方向Z上相互错开不在同一水平面上，以保证相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2互不干扰，保证阵列基板000的使用效果。

在一些可选实施例中，请结合参考图25、图32和图33，图32是图25中I-I’向的另一种剖面结构示意图，图33是图25中J-J’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一端部4011A1与第二端部4011B1之间的距离L2大于0，第一子部4011A向衬底10的正投影与第二子部4011B向衬底10的正投影至少部分交叠。

本实施例解释说明了第一端部4011A1和第二端部4011B1相互绝缘可以理解为在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一端部4011A1与第二端部4011B1之间的距离L2大于0，即第一端部4011A1与第二端部4011B1在垂直于衬底10所在平面的方向Z上相互错开不在同一水平面上，以保证相邻设置的一条数据线S和一条第二触控信号线TP2互不干扰的同时，还可以使得第一子部4011A向衬底10的正投影与第二子部4011B向衬底10的正投影至少部分交叠，从而可以减小第一子部4011A和第二子部4011B在平行于衬底10所在平面方向上的总宽度(即反射部4011的宽度W2)，进而有利于提升开口率。

在一些可选实施例中，请结合参考图25、图34和图35，图34是图25中I-I’向的另一种剖面结构示意图，图35是图25中J-J’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，第一子部4011A和第二子部4011B还可以各自为带凹陷的结构，具体为复用为反射部4011的第一子部4011A的数据线S包括远离衬底10一侧的表面，该表面为朝靠近衬底10方向凹陷的结构，复用为反射部4011的第二子部4011B的第二触控信号线TP2也包括远离衬底10一侧的表面，该表面也为朝靠近衬底10方向凹陷的结构，从而使得一个反射部4011的第一表面40110整体包括多个凹陷结构，以实现较好的光线反射后收敛汇聚的作用。

可选的，如图34和图35所示，第一子部4011A的凹陷的结构为两个直角面相交的结构，第二子部4011B的凹陷的结构为两个直角面相交的结构，使得第一光线L从第一侧M入射至第一子部4011A的一个直角面后反射至第一子部4011A的另一个直角面，并垂直反射回遮光条301中，而第一光线L从第一侧M入射至第二子部4011B的一个直角面后也可以反射至第二子部4011B的另一个直角面，并垂直反射回遮光条301中，进而可以使得更多的第二光线L被收敛汇聚至遮光条301，有效避免发生第一光线L反射回第一侧M时与遮光条301错位导致的漏光现象。

在一些可选实施例中，请继续结合参考图6-图24，本实施例中，反射部4011远离衬底10一侧的第一表面40110为弧面。

本实施例解释说明了反射部4011远离衬底10一侧的第一表面40110可以为朝靠近衬底10一侧凹陷的弧面，通过弧面凹陷的第一表面40110实现第一光线L反射后能够收敛汇聚至遮光条301，从而可以设置遮光条301的宽度W1较窄，改善漏光现象的同时有利于提升开口率。

可以理解的是，本实施例对于第一表面40110的弧面的弯曲程度不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求设置弧面的弯曲程度，仅需可以实现对第一光线L的收敛汇聚效果即可。

可选的，如图6-图24和图36所示，图36是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的局部放大剖面结构示意图，本实施例提供的反射部4011的第一表面40110至少包括相交的两个斜面40110A，两个斜面40110A形成的朝向黑矩阵层30的夹角α为钝角。

本实施例解释说明了反射部4011的第一表面40110还可以为至少两个斜面40110A相交形成的凹陷结构，即反射部4011的第一表面40110至少包括相交的两个斜面40110A，从而可以使得第一光线L从第一侧M入射至第一表面40110后被反射回第一侧M的同时，通过两个斜面40110A形成的朝向黑矩阵层30的夹角α为钝角，使得反射后的第一光线L进一步被凹陷的第一表面40110收敛汇聚至较窄的遮光条301，以改善漏光现象的同时，提升开口率，避免夹角α为锐角时第一光线L可能会一直在两个相交的斜面40110A间多次反射造成光损耗，且夹角α为锐角时容易导致第一光线L不能收敛汇聚至遮光条301的情况发生。

进一步可选的，如图37-图39所示，图37是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图，图38是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图，图39是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图，反射部4011的第一表面40110至少包括相交的多个斜面40110A，多个斜面40110A相互连接形成朝靠近衬底10一侧凹陷的结构，本实施例对于第一表面40110的结构不作具体限定，具体实施时，包括但不局限于上述结构。

进一步可选的，请继续参考图6-图24、图36，斜面40110A与衬底10所在平面的夹角β小于或等于45度。本实施例进一步解释说明了反射部4011的第一表面40110至少包括相交的两个斜面40110A，两个斜面40110A形成的朝向黑矩阵层30的夹角α为钝角时，斜面40110A与衬底10所在平面的夹角β可以设置为小于或等于45度，从而可以避免夹角β’大于45度时，第一光线L’在斜面40110A’反射后仍然从遮光条301’的两侧漏出，造成漏光现象(如图40所示，图40是相关技术中提供的斜面40110A’与衬底所在平面的夹角β’大于45度时的光线传输路径图)。因此本实施例将斜面40110A与衬底10所在平面的夹角β设置为小于或等于45度，可以有效在减小遮光条301的宽度的基础上，提高开口率，避免出现漏光现象。

可选的，如图6-图24和图41所示，图41是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图，本实施例提供的反射部4011包括垂直于衬底10所在平面的截面，且截面垂直于反射部4011的延伸方向(截面即可理解为图41示意出的平面图形)；第一表面40110在截面上的图形为W形(如图41所示)。

本实施例解释说明了反射部4011的朝向黑矩阵层30一侧的第一表面40110可以为不同角度的平面构成的锯齿面结构，具体为反射部4011可以包括垂直于衬底10所在平面的截面，且截面垂直于反射部4011的延伸方向(如图41示意出的平面图形)；第一表面40110在截面上的图形为W形，从而使得第一光线L入射至W形的第一表面40110上之后，可以经该形状的第一表面40110多次反射并收敛汇聚至遮光条301，改善漏光现象。

进一步可选的，如图6-图24和图42所示，图42是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图，本实施例提供的反射部4011包括垂直于衬底10所在平面的截面，且截面垂直于反射部4011的延伸方向(截面即可理解为图41示意出的平面图形)；第一表面40110在截面上的图形为W形，第一表面40110在截面上的图形为W形可以理解为第一表面40110包括四个相连的子面401100，相邻两个子面401100形成的夹角γ为直角。本实施例设置了相邻两个子面401100形成的夹角γ为直角，可以使得垂直于衬底10所在平面入射的第一光线L能够在一个子面401100反射至与其夹角γ为直角的另一个子面401100上，然后返回至第一侧M被遮光条301吸收(第一光线L的光路传输如图41所示)，从而更好的改善漏光现象。

可选的，如图6-图24和图43所示，图43是本实施例提供的一个反射部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图，本实施例提供的反射部4011朝向黑矩阵层30的一侧至少包括三个间隔设置的三角棱条4011C，每个三角棱条4011C包括一个直角4011C0、与直角4011C0相对的斜向面4011C1、形成直角4011C0的两个直角面4011C2；

三个三角棱条4011C分别为第一棱条P1、第二棱条P2、第三棱条P3，第二棱条P2位于第一棱条P1和第三棱条P3之间，第二棱条P2的直角4011C0朝向黑矩阵层30；第一棱条P1的斜向面4011C1与第二棱条P2的斜向面4011C1相对设置；

第一光线L经第一棱条P1的斜向面4011C1反射至第二棱条P2的直角面4011C2，再经第二棱条P2的直角面4011C2反射至遮光条301；

和/或，第一光线L经第三棱条P3的斜向面4011C1反射至第二棱条P2的直角面4011C2，再经第二棱条P2的直角面4011C2反射至遮光条301。

本实施例进一步解释说明了反射部4011还可以包括的一种结构，反射部4011朝向黑矩阵层30的一侧至少包括三个间隔设置的三角棱条4011C，三个三角棱条4011C分别为第一棱条P1、第二棱条P2、第三棱条P3，第二棱条P2位于第一棱条P1和第三棱条P3之间，三个三角棱条4011C的朝向不同，具体为中间的第二棱条P2的直角4011C0朝向黑矩阵层30，两侧的第一棱条P1的斜向面4011C1与第二棱条P2的斜向面4011C1相对设置，从而可以使得第一侧M的第一光线L首先经第一棱条P1的斜向面4011C1反射至第二棱条P2的一个直角面4011C2，继续被该第二棱条P2的直角面4011C2反射回遮光条301，还可以理解为第一侧M的第一光线L首先经第三棱条P3的斜向面4011C1反射至第二棱条P2的一个直角面4011C2，继续被该第二棱条P2的直角面4011C2反射至遮光条301，达到改善漏光现象的同时，可以将遮光条301做窄，提升开口率。

在一些可选实施例中，请结合参考图44-图46，图44是本发明实施例提供的阵列基板的另一种平面结构示意图，图45是图44中K-K’向的剖面结构示意图，图46是图44中M-M’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图44中进行了透明度填充，图44中未示意光收敛部401)，本实施例中，光收敛部401包括透镜部4012，透镜部4012向衬底10所在平面的正投影与遮光条301向衬底10所在平面的正投影交叠；

透镜部4012的制作材料包括透明材料；

透镜部4012朝向黑矩阵层30一侧包括第二绝缘层J2，透镜部4012朝向色阻层20的一侧包括第三绝缘部J3，透镜部4012的折射率大于第二绝缘层J2的折射率，透镜部4012的折射率大于第三绝缘层J3的折射率。

本实施例解释说明了位于黑矩阵层30和色阻层之间的光收敛部401可以为具有透光且光线收敛汇聚作用的透镜部4012，通过设置透镜部4012向衬底10所在平面的正投影与遮光条301向衬底10所在平面的正投影交叠，可选的，透镜部4012向衬底10所在平面的正投影与其下方的金属信号线(可以为位于透镜部4012靠近衬底10一侧的第二金属层M2的数据线S或第三金属层M3的触控信号线TP，本实施例对于数据线S和触控信号线TP的作用不作赘述，具体可参考上述实施例中的相关描述)向衬底10的正投影交叠，透镜部4012的制作材料为透明材料，透镜部4012的折射率大于其上方的第二绝缘层J2的折射率，透镜部4012的折射率也大于其下方的第三绝缘层J3的折射率，即透镜部4012采用的透明材料需选择折射率较大的且分别大于其上下层的绝缘层材料的折射率，作为外界环境光的第一光线L从黑矩阵层30远离衬底10的一侧(第一侧M)入射到金属信号线上被反射后，再透过透镜部4012，由于透镜部4012采用的透明材料的折射率较大且分别大于其上下层的绝缘层材料的折射率，因此第一光线L在经过透镜部4012后可以改变传播方向，使得从透镜部4012出射的第一光线L收敛汇聚至较窄的遮光条301，避免第一侧M入射至金属信号线上的第一光线L直接被金属信号线反射，造成漏光，也可以避免遮光条301为了遮挡金属信号线反射的第一光线L需做宽造成开口率下降的问题。本实施例设置的透镜部4012可以进一步在第一光线L被金属信号线反射回第一侧M的同时，使得第一光线L透过透镜部4012后收敛汇聚至遮光条301，被黑色的遮光条301吸收，进而避免了漏光现象的发生，并且由于透镜部4012对于第一光线L的收敛汇聚作用，即使将黑矩阵层30的遮光条301设置的较窄，也不会造成漏光现象，进而能够提升开口率，有利于提高显示品质。

可以理解的是，本实施例对于阵列基板000的其他结构不作赘述，如扫描线G、薄膜晶体管50等，具体可参考上述实施例中的阵列基板000的结构进行理解。

可选的，为了使得像素电极60和公共电极70之间产生驱动电场，当本实施例的公共电极位于像素电极60远离衬底10的一侧时，像素电极60可以为梳齿状结构，且公共电极70与像素电极60的梳齿状结构的交叠区域需要进行镂空设计(如图45所示，可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，本实施例的像素电极60的梳齿状结构仅在剖面图中示意，在平面结构图中未示意)。

可选的，本实施例的公共电极70可以为整面铺设的结构(未附图示意)，也可以为块状结构，公共电极70为块状结构时，可以选择一个块状结构的公共电极70对应一个子像素(如图45和图46所示)，还可以选择一个块状结构的公共电极70对应多个子像素(未附图示意)，其具体工作原理和结构可参考图11和图12对应的实施例部分进行理解，本实施例在此不作赘述。

需要说明的是，本实施例中的图中仅是示例性画出透镜部4012的形状结构，包括但不局限于图中的形状结构，透镜部4012的形状结构还可以为其他能够实现将透过其本身的第一光线L收敛汇聚至较窄范围的遮光条301内的效果的形状，具体实施时，可根据实际需求设置光透镜部4012的形状结构，本实施例在此不作具体限定。

在一些可选实施例中，请结合参考图44、图47和图48，图47是图44中K-K’向的另一种剖面结构示意图，图48是图44中M-M’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，色阻层20远离衬底10的一侧包括像素电极60，透镜部4012与像素电极60同层同材料设置。

本实施例解释说明了由于像素电极60的制作材料一般采用铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO，Indium Tin Oxides)，具有很好的导电性和透明性，且一般像素电极60的上下膜层均为绝缘层，如氮化硅等绝缘材料制作的绝缘层，折射率相比于像素电极60而言较小，因此本实施例的透镜部4012可以与像素电极60同层同材料设置，满足透镜部4012收敛汇聚第一光线L效果的同时，还可以使得阵列基板000中无需另设透明膜层来设置透镜部4012，有利于阵列基板000的薄型化。

可选的，如图44、图47和图48所示，色阻层20远离衬底10的一侧还包括公共电极70，公共电极70位于像素电极60远离衬底10的一侧。本实施例中的公共电极70位于像素电极60远离衬底10的一侧，即像素电极60相比于公共电极70而言更远离遮光条301，从而当透镜部4012与像素电极60同层同材料设置时，可以为第一光线L在垂直于衬底10所在平面的方向上提供更大的传输空间，避免透镜部4012与遮光条301过于靠近，影响透镜部4012的收敛聚光效果。

可选的，本实施例的公共电极70可以为整面铺设的结构(未附图示意)，也可以为块状结构，公共电极70为块状结构时，可以选择一个块状结构的公共电极70对应一个子像素(如图47和图48所示)，还可以选择一个块状结构的公共电极70对应多个子像素(未附图示意)，其具体工作原理和结构可参考图11和图12对应的实施例部分进行理解，本实施例在此不作赘述。

在一些可选实施例中，请结合参考图44、图49和图50，图49是图44中K-K’向的另一种剖面结构示意图，图50是图44中M-M’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，色阻层20远离衬底10的一侧包括像素电极60，至少部分像素电极60复用为透镜部4012。

本实施例解释说明了透镜部4012可以与像素电极60同层同材料设置，满足透镜部4012收敛汇聚第一光线L效果，还可以使得阵列基板000中无需另设透明膜层来设置透镜部4012，有利于阵列基板000的薄型化的同时，还可以将一个像素电极60的部分区域复用为透镜部4012，即一个像素电极60的至少部分范围设计为透镜部4012的形状结构，以通过一个结构实现多个效果，像素电极60不仅可以与公共电极70形成驱动液晶偏转的电场，还可以通过其本身部分为透镜部4012的结构收敛汇聚第一光线，改善漏光现象。

可以理解的是，本实施例的至少部分像素电极60复用为透镜部4012使用的区域一般位于遮光条301所在区域，即本实施例的像素电极60是指一个子像素00中位于整个像素电极膜层的电极，像素电极60所在区域不仅包括可以子像素00中用于透光显示的开口区，还包括遮光条301所在的非开口区，因此将该遮光条301所在区域的像素电极60设计为透镜部4012的形状，对像素电极60和公共电极70产生的电场的影响也较小，即使对该电场有一定影响，由于透镜部4012位于遮光条301所在的非开口区，因此对显示影响较小或者可以理解为没有影响，进而像素电极60的部分结构复用为透镜部4012可以保证显示效果。

可选的，本实施例的公共电极70可以为整面铺设的结构(未附图示意)，也可以为块状结构，公共电极70为块状结构时，可以选择一个块状结构的公共电极70对应一个子像素(如图49和图50所示)，还可以选择一个块状结构的公共电极70对应多个子像素(未附图示意)，其具体工作原理和结构可参考图11和图12对应的实施例部分进行理解，本实施例在此不作赘述。

在一些可选实施例中，请结合参考图44、图51和图52，图51是图44中K-K’向的另一种剖面结构示意图，图52是图44中M-M’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，色阻层20远离衬底10的一侧包括公共电极70，透镜部4012与公共电极70同层同材料设置。

本实施例解释说明了由于公共电极70的制作材料一般采用铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO，Indium Tin Oxides)，具有很好的导电性和透明性，且一般公共电极70的上下膜层均为绝缘层，如氮化硅等绝缘材料制作的绝缘层，折射率相比于公共电极70而言较小，因此本实施例的透镜部4012可以与公共电极70同层同材料设置，满足透镜部4012收敛汇聚第一光线L效果的同时，还可以使得阵列基板000中无需另设透明膜层来设置透镜部4012，有利于阵列基板000的薄型化。

可选的，如图44、图51和图52所示，色阻层20远离衬底10的一侧还包括像素电极60，公共电极70位于像素电极60靠近衬底10的一侧。本实施例中的公共电极70位于像素电极60靠近衬底10的一侧，即公共电极70相比于像素电极60而言更远离遮光条301，从而当透镜部4012与公共电极70同层同材料设置时，可以为第一光线L在垂直于衬底10所在平面的方向上提供更大的传输空间，避免透镜部4012与遮光条301过于靠近，影响透镜部4012的收敛聚光效果。

在一些可选实施例中，请结合参考图44、图53和图54，图53是图44中K-K’向的另一种剖面结构示意图，图54是图44中M-M’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，至少部分公共电极70复用为透镜部4012。

本实施例解释说明了透镜部4012可以与公共电极70同层同材料设置，满足透镜部4012收敛汇聚第一光线L效果，还可以使得阵列基板000中无需另设透明膜层来设置透镜部4012，有利于阵列基板000的薄型化的同时，还可以将一个公共电极70的部分区域复用为透镜部4012，即一个公共电极70的至少部分范围设计为透镜部4012的形状结构，以通过一个结构实现多个效果，公共电极70不仅可以与像素电极60形成驱动液晶偏转的电场，还可以通过其本身部分为透镜部4012的结构收敛汇聚第一光线，改善漏光现象。

可以理解的是，本实施例的至少部分公共电极70复用为透镜部4012使用的区域一般位于遮光条301所在区域，因此将该区域的公共电极70设计为透镜部4012的形状，对像素电极60和公共电极70产生的电场的影响也较小，即使对该电场有一定影响，由于透镜部4012位于遮光条301所在的非开口区，因此对显示影响较小或者可以理解为没有影响，进而公共电极70的部分结构复用为透镜部4012可以保证显示效果。

在一些可选实施例中，请结合参考图44-图54和图55、图56、图57，图55是本实施例提供的一个透镜部与一个遮光条对应的局部放大剖面结构示意图，图56是本实施例提供的一个透镜部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图，图57是本实施例提供的一个透镜部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图，本实施例中，透镜部4012朝向黑矩阵层30的表面为第二表面4012A，透镜部4012朝向色阻层20的表面为第三表面4012B；

如图55所示，第二表面4012A朝靠近黑矩阵层30的方向凸起，第三表面4012B朝靠近色阻层20的方向凸起，透镜部4012为凸透镜结构；

或者，如图56所示，第二表面4012A为朝靠近黑矩阵层30的方向凸起的弧面，第三表面4012B为平面；

或者，如图57所示，第二表面4012A为平面，第三表面4012B为朝靠近色阻层20的方向凸起的弧面。

可以理解的是，本实施例的透镜部4012的形状结构包括但不局限于上述实施例中的形状，可选的，如图58所示，图58是本实施例提供的一个透镜部与一个遮光条对应的另一种局部放大剖面结构示意图，透镜部4012还可以为包括多个棱条4012C的结构，通过在棱条4012C内的折射作用使得第一光线L最终收敛汇聚至遮光条301，透镜部4012的形状还可以包括其他形状，具体实施时，可根据实际需求选择设置，仅需满足透镜部4012的材料为透明材料且折射率大于其上下绝缘层的折射率，使得光线能收敛汇聚即可。

在一些可选实施例中，请结合参考图44、图59和图60，图59是图44中K-K’向的另一种剖面结构示意图，图60是图44中M-M’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，位于色阻层20和黑矩阵层30之间的光收敛部401还可以包括反射部4011和透镜部4012，反射部4011向衬底10的正投影与透镜部4012向衬底10的正投影交叠，遮光条301向衬底10的正投影可以位于反射部4011向衬底10的正投影范围内，遮光条301向衬底10的正投影可以位于透镜部4012向衬底10的正投影范围内，从而可以通过反射部4011和透镜部4012的共同作用，使得第一侧M的第一光线L被反射部4011的第一表面40110反射后进一步通过透镜部4012收敛汇聚至遮光条301，从而可以更好的改善漏光现象，还可以将遮光条301的宽度设计的更窄，进一步提升开口率。

需要说明的是，本实施例对于反射部4011和透镜部4012的具体实施结构(如与其他膜层同层、复用等)和两者结合后起到的作用效果可参考上述实施例进行理解，本实施例在此不作赘述。

在一些可选实施例中，请参考图61，图61是本发明实施例提供的一种显示面板的局部剖面结构示意图，本实施例提供的显示面板111，包括本发明上述实施例提供的阵列基板000和第一基板001，第一基板001和阵列基板000相对设置，第一基板001和阵列基板000之间还可以包括液晶层LC、用于维持盒厚的隔垫物PS等。可选的，本实施例的图61中仅是示例性画出隔物垫PS的结构，具体实施时，隔物垫PS可以位于阵列基板000一侧，与阵列基板000在同一制程工序中制作(如图61所示)，或者隔物垫PS可以位于第一基板001一侧(未附图示意)，与第一基板001在同一制程工序中制作，本实施例不作具体限定。本发明实施例提供的显示面板111，具有本发明实施例提供的阵列基板000的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于阵列基板000的具体说明，本实施例在此不再赘述。

在一些可选实施例中，请参考图62，图62是本发明实施例提供的一种显示装置的平面结构示意图，本实施例提供的显示装置222，包括本发明上述实施例提供的显示面板111，可选的，本实施例的显示装置222可以为曲面显示装置。图62的实施例仅以手机为例，对显示装置222进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置222，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置222，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置222，具有本发明实施例提供的显示面板111中的阵列基板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板111中的阵列基板的具体说明，本实施例在此不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明提供的阵列基板、显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明的阵列基板在色阻层和黑矩阵层之间设置光收敛层，光收敛层包括多个光收敛部，光收敛部用于将入射至光收敛部的光线收敛汇聚至遮光条，其中入射至光收敛部的光线可以为外界环境光，即可以通过光收敛部的设置，改变入射至光收敛部的光线的传播方向，使得光收敛部将光线收敛汇聚至遮光条，被遮光条吸收，进而改善漏光现象。当本发明的阵列基板中的某一膜层包括金属信号线时，由于光收敛部具有对光线收敛汇聚的效果，可以将黑矩阵层的遮光条设置的宽度较小，有利于提升开口率，然后通过光收敛部收敛汇聚光线至遮光条，此时即使遮光条的宽度较小也可以避免外界环境光在阵列基板一侧的金属信号线上反射，减少漏光现象的发生。本发明在色阻层和黑矩阵层之间设置的多个光收敛部，可以改善漏光现象，提高显示品质的同时，还可以将黑矩阵层的遮光条的宽度尽可能减小，提升开口率。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (33)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

色阻层，所述色阻层位于所述衬底的一侧，所述色阻层包括多个不同颜色的色阻；

黑矩阵层，所述黑矩阵层位于所述色阻层远离所述衬底的一侧，所述黑矩阵层包括多个遮光条和多个所述遮光条相互交叉限定出的开口，所述开口向所述衬底的正投影与所述色阻向所述衬底的正投影交叠；

光收敛层，所述光收敛层位于所述色阻层和所述黑矩阵层之间，所述光收敛层包括多个光收敛部，所述光收敛部将入射至所述光收敛部的光线收敛汇聚至所述遮光条；对于由所述阵列基板的第一侧入射至所述光收敛部的第一光线，所述光收敛部用于改变所述第一光线的传播方向，使得所述第一光线收敛汇聚至所述遮光条；其中，所述第一侧指所述黑矩阵层远离所述衬底的一侧。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光收敛部包括反射部，所述反射部包括朝向所述黑矩阵层一侧的第一表面，所述第一表面朝远离所述黑矩阵层的方向凹陷。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，至少部分所述遮光条向所述衬底的正投影位于所述反射部向所述衬底的正投影范围内。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括多个阵列排布的子像素、多条沿第一方向延伸的扫描线、多条沿第二方向延伸的数据线，所述扫描线和所述数据线交叉绝缘限定出所述子像素所在区域，其中，所述第一方向和所述第二方向相交；所述子像素包括电连接的薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、有源部，所述薄膜晶体管的所述漏极与所述像素电极电连接，所述栅极与所述扫描线电连接，所述源极与所述数据线电连接；

所述栅极和所述扫描线位于第一金属层，所述数据线、所述源极和所述漏极位于第二金属层，所述有源部位于有源层；所述像素电极位于所述色阻层远离所述衬底的一侧；

所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述像素电极靠近所述衬底的一侧；或者，所述公共电极位于所述像素电极远离所述衬底的一侧。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述色阻层和所述黑矩阵层之间包括第三金属层，所述第三金属层和所述衬底之间包括所述有源层、所述第一金属层、所述第二金属层；所述第三金属层包括多条第一触控信号线；

至少部分所述第一触控信号线复用为所述反射部。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层之间包括第一绝缘层，所述第二金属层与所述色阻层贴合接触。

7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二金属层位于所述色阻层远离所述衬底的一侧，所述衬底和所述第二金属层之间包括所述有源层、所述第一金属层；

所述色阻包括第一通孔，所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极通过所述第一通孔与所述有源部电连接；

所述反射部与所述第二金属层同层同材料设置。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，至少部分所述数据线复用为所述反射部。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵层和所述色阻层之间包括平坦化层。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层位于所述第二金属层靠近所述色阻层的一侧。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极位于所述像素电极靠近所述衬底的一侧，所述公共电极与所述第二金属层同层设置。

12.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层位于所述第二金属层靠近所述黑矩阵层的一侧。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层与所述色阻层贴合接触。

14.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层与所述色阻层贴合接触。

15.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还包括多条第二触控信号线；

至少一个所述反射部包括第一子部和第二子部，相邻设置的一条所述数据线和一条所述第二触控信号线中，所述数据线复用为所述第一子部，所述第二触控信号线复用为所述第二子部。

16.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，在平行于所述衬底所在平面的方向上，所述第一子部靠近所述第二子部的一端为第一端部，所述第二子部靠近所述第一子部的一端为第二端部；

所述第一端部和所述第二端部相互绝缘。

17.根据权利要求16所述的阵列基板，其特征在于，

在平行于所述衬底所在平面的方向上，所述第一端部与所述第二端部之间的距离大于0。

18.根据权利要求16所述的阵列基板，其特征在于，

在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一端部与所述第二端部之间的距离大于0。

19.根据权利要求18所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子部向所述衬底的正投影与所述第二子部向所述衬底的正投影至少部分交叠。

20.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一表面为弧面。

21.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一表面至少包括相交的两个斜面，两个所述斜面形成的朝向所述黑矩阵层的夹角为钝角。

22.根据权利要求21所述的阵列基板，其特征在于，所述斜面与所述衬底所在平面的夹角小于或等于45度。

23.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述反射部包括垂直于所述衬底所在平面的截面，且所述截面垂直于所述反射部的延伸方向；

所述第一表面在所述截面上的图形为W形。

24.根据权利要求23所述的阵列基板，其特征在于，所述第一表面包括四个相连的子面，相邻两个所述子面形成的夹角为直角。

25.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述反射部朝向所述黑矩阵层的一侧至少包括三个间隔设置的三角棱条，每个所述三角棱条包括一个直角、与所述直角相对的斜向面、形成所述直角的两个直角面；

三个所述三角棱条分别为第一棱条、第二棱条、第三棱条，所述第二棱条位于所述第一棱条和所述第三棱条之间，所述第二棱条的直角朝向所述黑矩阵层；所述第一棱条的斜向面与所述第二棱条的斜向面相对设置；

所述第一光线经所述第一棱条的斜向面反射至所述第二棱条的直角面，再经所述第二棱条的直角面反射至所述遮光条；

和/或，所述第一光线经所述第三棱条的斜向面反射至所述第二棱条的直角面，再经所述第二棱条的直角面反射至所述遮光条。

26.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光收敛部包括透镜部，所述透镜部向所述衬底所在平面的正投影与所述遮光条向所述衬底所在平面的正投影交叠；

所述透镜部的制作材料包括透明材料；

所述透镜部朝向所述黑矩阵层一侧包括第二绝缘层，所述透镜部朝向所述色阻层的一侧包括第三绝缘部，所述透镜部的折射率大于所述第二绝缘层的折射率，所述透镜部的折射率大于所述第三绝缘层的折射率。

27.根据权利要求26所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻层远离所述衬底的一侧包括像素电极，所述透镜部与所述像素电极同层同材料设置。

28.根据权利要求27所述的阵列基板，其特征在于，至少部分所述像素电极复用为所述透镜部。

29.根据权利要求26所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻层远离所述衬底的一侧包括公共电极，所述透镜部与所述公共电极同层同材料设置。

30.根据权利要求29所述的阵列基板，其特征在于，至少部分所述公共电极复用为所述透镜部。

31.根据权利要求26所述的阵列基板，其特征在于，所述透镜部朝向所述黑矩阵层的表面为第二表面，所述透镜部朝向所述色阻层的表面为第三表面；

所述第二表面朝靠近所述黑矩阵层的方向凸起，所述第三表面朝靠近所述色阻层的方向凸起，所述透镜部为凸透镜结构；或者，

所述第二表面为朝靠近所述黑矩阵层的方向凸起的弧面，所述第三表面为平面；或者，

所述第二表面为平面，所述第三表面为朝靠近所述色阻层的方向凸起的弧面。

32.一种显示面板，其特征在于，包括第一基板和权利要求1-31任一项所述的阵列基板，所述第一基板与所述阵列基板相对设置。

33.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求32所述的显示面板。

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