CN113451488B - 显示设备及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开属于半导体技术领域，其提供了一种显示设备及其制备方法，所述显示设备包括基底、发光二极管和光反射部；所述发光二极管设置于所述基底上，所述光反射部围绕所述发光二极管设置；所述光反射部的反射面积根据所述发光二极管的发光效率设定。本公开的方案通过调控光反射部的反射面积来平衡不同颜色的发光二极管的发光效率，平衡了发光二极管的亮度，提高了显示设备的显示效果，且本公开调控不同颜色的发光二极管的发光效率的方式是运用光学反射物理现象去做补偿，相较于现有的驱动IC和画素电路的方法从电学角度去做补偿的方式而言稳定性更好，成本更低。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种显示设备及其制备方法。
背景技术
发光二极管(LED)是通过利用化合物半导体特性将电信号转换为红外线、可见光束等的形式的装置。LED广泛用于家用电器、遥控器、电子显示板和各种自动化装置。随着LED应用于广泛范围的电子装置中，LED的使用领域正在向微型化技术不断发展，这也使得对LED的显示效能要求也越来越严苛的情况下。
不同颜色的发光二极管存在区别，RGB三种颜色的发光二极管的发光曲线中红光与蓝绿光线性度不一样，并且三种颜色的发光效率都不一致。目前做法都是从电性驱动IC或是用TFT方式透过画素电路去变更不同颜色的驱动电流，从而平衡不同颜色发光二极管的发光效率。电性驱动IC主要是通过做演算法运用去调整发光二极管的发光效率，而画素电路主要使用TFT，而TFT的元器件每一颗都会存在着能力的差异，这使得必须使用补偿电路才能克服工艺造成的缺陷，但TFT运用补偿电路又还会有可靠性的问题存在。而驱动IC来进行补偿，则主要是会衍生额外成本，提高了制作成本。
发明内容
有鉴于此，本公开实施例提供一种显示设备及其制备方法，至少部分解决现有技术中存在的问题。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示设备，所述显示设备包括基底、发光二极管和光反射部；
所述发光二极管包括：红光发光二极管、绿光发光二极管和蓝光发光二极管；
所述发光二极管设置于所述基底上，
所述光反射部围绕所述发光二极管设置；
所述光反射部包括光反射区域，所述光反射区域用于反射从所述发光二极管出射的光束；
所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积根据各个发光二极管的发光效率来设定。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述光反射部包括光反射墙和光反射层，所述光反射墙位于所述基底上，所述光反射层覆盖在所述光反射墙上。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SB、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SR和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG满足条件：
其中b为蓝光发光二极管的发光效率，r为红光发光二极管的发光效率，g为绿光发光二极管的发光效率。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SB大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG；所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SR大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hB、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hR和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG相等。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hB、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hR和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG满足条件：
所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hB大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG；所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hR大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示设备的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
在所述基底上预留安装所述发光二极管的位置，所述发光二极管包括：红光发光二极管、绿光发光二极管和蓝光发光二极管；
在所述基底上围绕所述发光二极管的安装位置按照预设图案形成光反射部；
其中，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积根据各个发光二极管的发光效率来设定。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述在所述基底上围绕所述发光二极管的安装位置按照预设图案形成光反射部的步骤包括：
根据所述发光二极管的发光效率生成围绕所述发光二极管的光反射部的预设图案；
根据所述预设图案围绕所述发光二极管形成所述光反射部。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述根据所述预设图案围绕所述发光二极管形成所述光反射部的步骤包括：
根据所述预设图案围绕所述发光二极管形成光反射墙；
根据所述发光二极管的发光效率确定所述光反射部中的光反射层的反射面积；
在所述光反射墙上镀光反射层。
本公开实施例中的显示设备，通过调控光反射部的反射面积来平衡不同颜色的发光二极管的发光效率，进而平衡了发光二极管的亮度，提高了显示设备的显示效果；且本公开调控不同颜色的发光二极管的发光效率的方式是运用光学反射物理现象去做补偿，相较于现有的驱动IC和画素电路的方法从电学角度去做补偿的方式而言稳定性更好，成本更低。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本公开实施例提供的一种显示设备中绿光LED子像素的剖面图；
图2为本公开实施例提供的一种显示设备中红光LED子像素的剖面图；
图3为本公开另一实施例提供的一种显示设备中绿光LED子像素的剖面图；
图4为本公开另一实施例提供的一种显示设备中红光LED子像素的剖面图；
图5为本公开另一实施例提供的一种显示设备中绿光LED子像素的剖面图；
图6为本公开另一实施例提供的一种显示设备中红光LED子像素的剖面图；
图7为本公开实施例提供的一种显示设备的俯视图；
图8为本公开实施例提供的一种显示设备的制备方法的流程示意图。
附图标记汇总：
100-TFT背板，102-LED芯片，103-光反射墙，104-光反射层，105-光反射部，11-n掺杂层，12-量子阱层，13-p掺杂层，14-ITO层，15-P型电极。
具体实施方式
下面结合附图对本公开实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
需要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本公开，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本公开的基本构想，图式中仅显示与本公开中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
本公开实施例提供一种显示设备。
显示设备的示例性实施例可以包括显示单元和驱动器，显示单元可以包括以矩阵形式布置在基底上的多个像素P，驱动器可以包括扫描驱动器和数据驱动器，扫描驱动器用于将扫描信号施加到连接到像素P的扫描线，数据驱动器用于将数据信号施加到连接到像素P的数据线。驱动器可以布置在基底上的非显示区域中，非显示区域可以围绕其中布置有像素P的显示区域。驱动器可以包括直接安装在其上设置有显示单元的基底上或者可安装在柔性印刷电路膜上的集成电路芯片。可替代地，驱动器可以按带载封装(TCP)的形式粘结到基底，或者可以直接形成在基底上。
每个限速P可以包括发光二极管(LED)和连接到LED的像素电路。像素电路可以包括晶体管(TFT)和电容器。像素电路连接到彼此交叉的扫描线和数据线中的每个。
缓冲层可以设置在基底上，TFT和LED可以设置在缓冲层上。
其中，基底可以包括玻璃或者塑料，缓冲层可以有效地防止杂质元素渗入到基底，
TFT背板100可以包括有源层、栅电极、源电极以及漏电极。有源层可以包括半导体材料，并且可以具有源区、漏区以及在有源层的源区和漏区之间的沟道区。栅电极与沟道区对应地设置在有源层上。源电极和漏电极分别电连接到有源层的源区和漏区。包括无机绝缘材料的第一绝缘层作为栅极绝缘层设置在有源层和栅电极之间。第二绝缘层作为层间绝缘层设置在栅电极和源电极/漏电极之间。第三绝缘层作为平坦化层设置在源电极/漏电极上。第二绝缘层和第三绝缘层可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在一个示例性实施例中，例如，第二绝缘层和第三绝缘层可以具有包括有机绝缘材料或无机绝缘材料的单层结构。可替代地，第二绝缘层和第三绝缘层可以具有包括有机绝缘材料的层和包括无机绝缘材料的层的多层结构。
LED可以包括p-n二极管、第一接触电极和第二接触电极。第一接触电极和/或第二接触电极可以包括一个或更多个层，并且可以包括导电材料，所述导电材料包括金属、导电氧化物或导电聚合物。第一接触电极和第二接触电极可以选择地包括反射层，例如银层。第一接触电极电连接到第一电极，第二接触电极电连接到第二电极。p-n二极管可以包括p掺杂层13、量子阱层12以及n掺杂层11、ITO层14、P型电极15，p掺杂层13位于p-n二极管的底部中，n掺杂层11位于p-n二极管的上部中。根据可替代的示例性实施例，p掺杂层13可以在p-n二极管的上部中，n掺杂层11可以在p-n二极管的底部中。p-n二极管可以具有线性侧壁、或者从顶部至底部或从底部至顶部逐渐变细的锥形侧壁。
第一电极可以包括反射电极并且可以包括一个或更多个层。在一个示例性实施例中，例如，第一电极可以包括诸如铝、钼、钛、钨、银、金的金属元素或它们的合金。第一电极可以包括包含导电材料的透明导电层、以及反射层。导电材料可以包括碳纳米管膜、透明导电聚合物或透明导电氧化物(TCO)。TCO可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO或In2O3。根据示例性实施例，第一电极可以具有三层结构，所述三层结构包括上透明导电层、下透明导电层以及在上透明导电层和下透明导电层之间的反射层。第二电极可以包括透明或半透明电极。在一个示例性实施例中，例如，第二电极可以包括上述透明导电材料，并且可以包括从Ag、Al、Mg、Li、Ca、Cu、LiF/Ca、LiF/Al、MgAg和CaAg中选择的至少一种。
本公开实施例的显示设备还包括光反射部105，所述光反射部105围绕所述发光二极管设置，所述的光反射部105可以限定限速区域，并且可以通过包括能够反射一部分光的材料来充当光屏蔽单元。通过在发光二极管的周围设置光反射部105，以有效地防止光行进到相邻像素。因此，在这样的实施例中，有效地防止了相邻像素之间的颜色缓和和串扰。在发光二极管的周围设置光反射部105，显示设备可以实现高亮度。
此外，所述发光二极管包括红光发光二极管、绿光发光二极管和蓝光发光二极管，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积根据各个发光二极管的发光效率来设定。
一般地，所述红光发光二极管的发光效率小于所述绿光发光二极管的发光效率，所述绿光发光二极管的发光效率小于所述蓝光发光二极管的发光效率；如图1和图2所示，绿光发光二极管和红光发光二极管的光反射部的对比图。绿光发光二极管的发光效率要比红光发光二极管的发光效率高，所以绿光发光二极管的光反射部的反射面积要小于红光发光二极管的光反射部的反射面积。如图1为绿光LED的子像素剖面图，图2为红光LED的子像素剖面图，绿光LED的发光效率大于红光LED的发光效率，则红光LED的光反射部105的反射面积大于绿光LED的光反射部105的反射面积。
相比之下，本公开实施例调控不同颜色的发光二极管的发光效率的方式是运用光学反射物理现象去做补偿，相较于现有的驱动IC和画素电路的方法从电学角度去做补偿的方式稳定性更好，成本更低。
在另一公开实施例中，如图1所示，所述光反射部105包括光反射墙103和光反射层104，所述光反射墙103位于所述基底上，所述光反射层104覆盖在所述光反射墙103上。光反射墙103位于所述基底上，且围绕所述发光二极管设置。可以通过诸如喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、光刻、化学气相沉积(CVD)等的各种方法来形成光反射墙103。在一实施例中，可以将用于形成像素分离层的墨装在到基底上，在这样的实施例中，可以通过热固化和/或UV固化来使所装载的墨固化，以形成光反射墙103。在另一实施例中，可以通过黄光显影的方法来蚀刻出光反射墙103，所形成的光反射墙103的图案可以按照预先设定图案进行黄光显影。
光反射墙103可以包括从亚克力、光致抗蚀剂、SiO2、SiNx、PMMA、BCB、聚酰亚胺、丙烯酸酯、环氧树脂和聚酯中选择的至少一种，但不限于此。光反射墙103还可以包括绝缘黑矩阵材料，所述绝缘黑矩阵材料包括：树脂和膏，包括有机树脂、玻璃膏等等。
所述光反射部105还包括光反射层104，光反射层104设置在光反射墙103的外表面。可以通过诸如喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射、CVD等来形成光反射层104。所述光反射层104包括可以用来对光进行反射的材料，包括金属材料、金属氧化物材料、金属氮化物材料等等，例如铝、银、金、镍、钼以及他们的合金，氧化铝、氧化铬等，或者氮化铝、氮化铬等等。
在另一公开实施例中，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SB、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SR和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG满足条件：
其中b为蓝光发光二极管的发光效率，r为红光发光二极管的发光效率，g为绿光发光二极管的发光效率。需要说明的是，1、2.1、6.9这三个数值为因工艺差异原因调整的参数。工艺差异包括CD loss差异以及转移工艺，其中CD loss差异又包括刻蚀差异和曝光差异。
限定光反射部的光反射区域的的反射面积的形式包括：通过限定光反射部的光反射层的面积的大小来限定光反射部的光发射区域的反射面积。具体为，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SB大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG；所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SR大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG。
通过改变光反射部105中的光反射层104的面积来调整不同发光效率的发光二极管周边的光反射部105的反射面积。在这种情况下，红光发光二极管、蓝光发光二极管、绿光发光二极管分别对应的光反射部中的光反射层的高度可以相同也可以为不相同。
在其中一实施例中，限定蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SB大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG；所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SR大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG，并且蓝光发光二极管和红光发光二极管以及绿光发光二极管分别对应的光反射部的光反射层的高度均相同。
在另一实施例中，限定蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SB大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG；所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SR大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG，并且所述红光发光二极管对应的所述光反射部105的高度大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部105的高度，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部105的高度大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部105的高度。
参见图5和图6，由于红光发光二极管的发光效率要低于绿光发光二极管的发光效率，则绿光发光二极管的光反射层104的面积小于红光发光二极管的光反射层104的面积，红光发光二极管对应的光发射层蔓延至发光二极管安装位。
在另一优选实施例中，限定光反射部的光反射区域的的反射面积的形式包括：通过限定光反射部的光反射层的高度的大小来限定光反射部的光发射区域的反射面积。
具体地，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hB、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hR和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG满足条件：
进一步地，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hB大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG；所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hR大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG。
如图3和图4所示，所述红光发光二极管对应的所述光反射部的高度大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部的高度。
本公开实施例中，所述发光二极管的发光效率不全然相同，例如，红光的发光效率最低，蓝色的发光效率最高，则对发光效率设定一预设值，当发光效率高于预设值的的发光二极管其周围设置的光反射部105为第一区光反射部，而发光效率低于预设值的发光二极管其周围设置的光反射部105则为第二区光反射部。为了平衡发光二极管的发光效率，则光反射部105的反射面积与发光效率成反比。则在此实施例中，参见图3和4，采用将第一区光反射部的高度小于第二区光反射部的高度的方式来减小第一区光反射部的反射面积。此时，第一区光反射部表示绿光LED周边的光反射部105，第二区光反射部则表示红光LED周边的光反射部105。具体地，第一区光反射部的高度小于第二区光反射部的高度为第一区光反射部的光反射墙103的高度要小于第二区光反射部的光反射墙103的高度。
通过调整光反射墙103的高度来改变光反射部105的面积的方式相对于通过调整光反射层104覆盖在光反射墙103上的反射面积来改变反射部105的反射面积的方式而言，在工艺上需要使用到半色调掩模光罩，成本相对更高。
综合而言，改变光反射部105的面积的方法可以是通过改变光反射层104覆盖在光反射墙103上的面积来调控，也可以是通过调控光反射墙103的高度来减小或者增加覆盖在其上的光反射层104的面积。
又或者，在另一公开实施例中，通过调整光反射墙的形状来对不同发光效率的发光二极管进行调控。具体地通过对光反射墙103的表面积进行调控，进而调控覆盖在光反射墙103上的光反射墙103的面积。具体可以通过不同的显影方法生成不同形状的光反射墙103，不同形状的光反射墙103对应不同的表面积。通过改变光反射墙103的表面积，进而使得覆盖在光反射墙103上的光反射层104的面积得到调控。需要说明的是，光反射墙103的表面积的调控可以是基于光反射墙的高度相同或者是不同的基础上进行。
与上面的方法实施例相对应，参见图8，本公开实施例还提供了一种显示设备的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
步骤S10，在所述基底上预留安装所述发光二极管的位置；
步骤S20，在所述基底上围绕所述发光二极管的安装位置按照预设图案形成光反射部105；
其中，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积根据各个发光二极管的发光效率来设定。
其中，所述在所述基底上围绕所述发光二极管的安装位置按照预设图案形成光反射部105的步骤包括：
根据所述发光二极管的发光效率生成围绕所述发光二极管的光反射部105的预设图案；
根据所述预设图案围绕所述发光二极管形成所述光反射部105。
进一步地，所述根据所述预设图案围绕所述发光二极管形成所述光反射部105的步骤包括：
根据所述预设图案围绕所述发光二极管形成光反射墙103；
根据所述发光二极管的发光效率确定所述光反射部105中的光反射层104的反射面积；
在所述光反射墙103上镀光反射层104。
将一个倒装封装LED芯片102，焊到TFT背板100N，P电极上使其运作
使用TFT背板100现有工艺有机物平坦化层，利用黃光显影方式制作出堤岸结构的光反射墙103
在所述光反射墙103上采用溅射镀膜的方法镀一层光反射层104。
当LED发光時候，光源会从各方向发射出去，這时候使用光反射部105将侧向的光反射回去，阻挡侧向光影响到隔壁的LED造成混色，当光经过這些不同折射率的金属反射后，因相位角的改变会形成相长干涉，然后互相结合后增加光强度，可降低操作电压減少消耗功率。
图8所示方法可以对应的执行上述方法实施例中的内容，本实施例未详细描述的部分，参照上述方法实施例中记载的内容，在此不再赘述。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括基底、发光二极管和光反射部；
所述发光二极管包括：红光发光二极管、绿光发光二极管和蓝光发光二极管；
所述发光二极管设置于所述基底上，
所述光反射部包括光反射墙和光反射层，所述光反射墙位于所述基底上，且围绕所述发光二极管设置，所述光反射层设置在所述光反射墙的外表面上，并与所述发光二极管之间隔离不连接；
所述光反射部包括光反射区域，所述光反射区域用于反射从所述发光二极管出射的光束以防止光行进到相邻像素；
所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积根据各个发光二极管的发光效率来设定，且所述光反射部中的反射面积与发光效率成反比。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SB、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SR和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG满足条件：
其中b为蓝光发光二极管的发光效率，r为红光发光二极管的发光效率，g为绿光发光二极管的发光效率。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SB大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG；所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SR大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的面积SG。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hB、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hR和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG相等。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hB、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hR和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG满足条件：
6.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hB大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG；所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hR大于所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的所述光反射层的高度hG。
7.一种用于制备如权利要求1至6任一项所述的显示设备的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
在所述基底上预留安装所述发光二极管的位置，所述发光二极管包括：红光发光二极管、绿光发光二极管和蓝光发光二极管；
在所述基底上围绕所述发光二极管的安装位置按照预设图案形成光反射部；
其中，所述蓝光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积、所述红光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积和所述绿光发光二极管对应的所述光反射部中的光反射区域的反射面积根据各个发光二极管的发光效率来设定。
8.根据权利要求7所述的显示设备的制备方法，其特征在于，所述在所述基底上围绕所述发光二极管的安装位置按照预设图案形成光反射部的步骤包括：
根据所述发光二极管的发光效率生成围绕所述发光二极管的光反射部的预设图案；
根据所述预设图案围绕所述发光二极管形成所述光反射部。
9.根据权利要求8所述的显示设备的制备方法，其特征在于，所述根据所述预设图案围绕所述发光二极管形成所述光反射部的步骤包括：
根据所述预设图案围绕所述发光二极管形成光反射墙；
根据所述发光二极管的发光效率确定所述光反射部中的光反射层的反射面积；
在所述光反射墙上镀所述光反射层。
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