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CN113337101B - 一种电子用高阻隔性tpu薄膜及其制备方法 - Google Patents

一种电子用高阻隔性tpu薄膜及其制备方法 Download PDF

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CN113337101B
CN113337101B CN202110557158.9A CN202110557158A CN113337101B CN 113337101 B CN113337101 B CN 113337101B CN 202110557158 A CN202110557158 A CN 202110557158A CN 113337101 B CN113337101 B CN 113337101B
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Abstract

本发明提供一种电子用高阻隔性TPU薄膜及其制备方法,该电子用高阻隔性TPU薄膜以重量份计包括如下组分:端羟基TPU 40~60份、紫罗兰醇5~15份、石墨烯‑水滑石复合物1~10份、交联剂0.1~3份、乙烯基聚硅氧烷3~10份、异氰酸酯类固化剂1~8份。本发明提供的TPU薄膜具有优异的水汽以及氧气阻隔性能,同时还具有低介电损耗的优点,可应用于薄膜电容器或电路板中。

Description

一种电子用高阻隔性TPU薄膜及其制备方法
技术领域
本发明属于高分子材料技术领域,具体涉及一种电子用高阻隔性TPU薄膜及其制备方法。
背景技术
随着信息化产业时代的到来,世界各国纷纷开始大力发展电子信息产业,相关的电子器件产品也越来越多,水蒸气和氧气的存在会对电子产品产生影响,降低使用性能,因此高阻隔包装材料是该领域必不可少的产品。对于电子行业来说,阻隔材料的的水汽透过率和氧气透过率分别低于10-1g/(m2×d)和1cm3/(m2×d)。
目前已有许多关于高阻隔材料的研究,CN107903803A公开了一种冷库用高水汽阻隔聚氨酯涂料及其制备方法,该涂料是由A、B两组份组成,A、B两组份的重量混合比为1:2.5,A组份配方包括:异氰酸酯和聚醚多元醇。B组份配方包括:含氟丙烯酸树脂、聚醚多元醇、扩链剂、催化剂、颜料、填料、分散剂、消泡剂和防沉剂。本发明制备的聚氨酯涂料可用于聚氨酯外保温系统的防潮隔汽领域,经测试当涂膜厚度达到1mm以上时,其水汽透过率为7.5×10-9g/m2·S·Pa。CN104015328A公开了一种聚烯烃高阻隔薄膜加工工艺,所述聚烯烃高阻隔薄膜采用三层共挤流延工艺加工,所述聚烯烃高阻隔薄膜包括两个表面层和中间层,所述中间层按质量份数包括7~8.5份聚烯烃,1.5~3份纳米无机粘土,中间层材料在230~260℃加热挤出进行多层叠合后与表面层贴合,所述表面层按质量份数包括9份聚烯烃,1份活性有机硅,表面层材料在230~260℃加热挤出与中间层贴合,中间层与表面层的厚度比为4:3。通过聚烯烃与纳米无机粘土的加热、挤出、混合的情况下形成连续的多层的无机纳米阻隔层,以此来增加聚烯烃薄膜的阻隔性能,在表面层上加入活性有机硅来改变表面层的粘度,使得聚烯烃薄膜表面的粘性降低,从而使得聚烯烃薄膜卷薄膜脱卷比较方便。目前这些薄膜对水蒸气以及氧气都有一定的阻隔性能,但是阻隔性能仍然需要进一步提高,而且对于电子领域的阻隔材料来说,也需要具备低介电损耗的特点。
因此,研究一种对水蒸气、氧气具有高阻隔性能且低介电损耗的薄膜是十分必要的。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种电子用高阻隔性TPU薄膜及其制备方法,通过在TPU薄膜中引入紫罗兰醇,由于该分子结构中含有双键和羟基,所以能够同时与异氰酸酯固化剂、交联剂以及体系中的乙烯基聚硅氧烷反应,形成互穿网络结构;紫罗兰醇、乙烯基聚硅氧烷、交联剂反应后,可以包覆在石墨烯-水滑石的表面,避免石墨烯-水滑石复合物的团聚,有助于其分散均匀;同时,含硅的物质与石墨烯-水滑石复合物组合,能够降低介质损耗,使得最终制备出的TPU薄膜可以实现高阻隔性以及低介电损耗的效果。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明提供一种电子用高阻隔性TPU薄膜,所述电子用高阻隔性TPU薄膜的制备原料以重量份计包括如下组分:
Figure BDA0003077703900000021
Figure BDA0003077703900000031
本发明中,紫罗兰醇分子结构中含有双键和羟基,能够同时与异氰酸酯固化剂、交联剂和乙烯基聚硅氧烷反应,形成互穿网络结构。紫罗兰醇与乙烯基聚硅氧烷反应后,可以包覆在石墨烯-水滑石的表面,改善分散性;同时乙烯基硅氧烷与含硅的物质与石墨烯-水滑石复合物组合,能够降低介质损耗,使得TPU薄膜具有低介电损耗的特性。
本发明中,端羟基TPU的重量份可以为42份、45份、48份、50份、52份、55份、58份或59份,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
紫罗兰醇的重量份可以为6份、7份、8份、9份、10份、12份、13份或14份,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
石墨烯-水滑石复合物的重量份可以为2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份或9份,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
交联剂的重量份可以为0.5份、1份、1.2份、1.5份、1.8份、2份、2.2份或2.5份,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
乙烯基硅氧烷的重量份可以为4份、5份、6份、7份、8份或9份,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
异氰酸酯类固化剂的重量份可以为2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份、5份、6份或7份,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
本发明中,所述端羟基TPU的羟值为30~110mg KOH/g,例如可以为40mg KOH/g、50mg KOH/g、60mg KOH/g、70mg KOH/g、80mg KOH/g、90mg KOH/g或100mg KOH/g,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
优选地,所述端羟基TPU的数均分子量为800~5000g/mol,例如可以为1000g/mol、1500g/mol、2000g/mol、2500g/mol、3000g/mol、3500g/mol、4000g/mol或4500g/mol,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
本发明中,所述石墨烯-水滑石复合物通过如下方法进行制备,所述方法包括:将氧化石墨烯、水滑石和溶剂混合并分散,得到分散液;所述分散液与抗坏血酸进行还原反应,得到所述石墨烯-水滑石复合物。
所述石墨烯-水滑石复合物的制备过程中,在水滑石上原位生成石墨烯,有助于提升TPU薄膜的阻隔性;氧化石墨烯经过抗坏血酸还原后会生成羟基和羧基,有助于分散。
优选地,所述氧化石墨烯与水滑石的质量比为(1~3):1,例如可以为1.2:1、1.5:1、1.8:1、2:1、2.2:1、2.5:1、2.8:1或2.9:1等。
优选地,所述溶剂为水。
优选地,所述分散的方法为超声分散。
优选地,所述抗坏血酸与氧化石墨烯的质量比为(2~10):1,例如可以为3:1、4:1、5:1、6:1、7:1、8:1或9:1等。
优选地,所述还原反应的时间为4~24h,例如可以为6h、8h、10h、12h、14h、16h、18h、20h、22h或23h,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
优选地,所述还原反应完成后还包括干燥的步骤。
优选地,所述干燥的方法为喷雾干燥。
本发明中,所述交联剂为有机过氧化物。
优选地,所述有机过氧化物包括过氧化苯甲酰、过氧化二异丙苯、过氧化环己酮或过氧化甲基异丁酮中的任意一种或至少两种的组合。
本发明中,所述乙烯基聚硅氧烷的粘度为500~10000mPa·s,例如可以为1000mPa·s、2000mPa·s、3000mPa·s、4000mPa·s、5000mPa·s、6000mPa·s、7000mPa·s、8000mPa·s或9000mPa·s,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
本发明中,所述异氰酸酯类固化剂包括TDI三羟基加成物、TDI三聚体、HDI缩二脲或HDI三聚体中的任意一种或至少两种的组合。
第二方面,本发明提供一种如第一方面所述的电子用高阻隔性TPU薄膜的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
(1)将石墨烯-水滑石复合物与紫罗兰醇混合并分散后,将其与乙烯基聚硅氧烷混合,分散均匀,得到物料A;将端羟基TPU与溶剂混合,得到物料B;
(2)将步骤(1)得到的物料A与物料B混合均匀后,向其中加入交联剂和异氰酸酯类固化剂,得到浆料;
(3)将步骤(2)得到的浆料流延成膜,得到所述电子用高阻隔性TPU薄膜。
优选地,步骤(1)所述溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜或N,N-二甲基乙酰胺中的任意一种或至少两种的组合。
优选地,以所述端羟基TPU的质量为1g计,步骤(1)所述溶剂的用量为2~10mL,例如可以为3mL、4mL、5mL、6mL、7mL、8mL或9mL,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
优选地,步骤(3)所述流延成膜的温度为25~80℃,例如可以为30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、60℃、65℃、70℃或75℃,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
优选地,步骤(3)所述流延成膜的时间为2~10h,例如可以为3h、4h、5h、6h、7h、8h或9h,以及上述点值间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
第三方面,本发明提供一种如第一方面所述的电子用高阻隔性TPU薄膜在薄膜电容器或电路板中的应用。
相对于现有技术,本发明具有以下有益效果:
本发明通过在TPU薄膜中引入紫罗兰醇,形成互穿网络结构;紫罗兰醇与乙烯基聚硅氧烷反应后,包覆在石墨烯-水滑石的表面,使其分散均匀;同时,含硅的物质与石墨烯-水滑石复合物组合,能够降低介质损耗,使得最终制备出的TPU薄膜的水汽透过率为(0.23~0.71)×10-6g/(m2×d),氧气透过率为(0.11~0.55)×10-6cm3/(m2×d),同时具有低介电损耗为0.0042~0.0089。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了,所述实施例仅仅是帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。
本发明以下实施例及对比例所使用的材料包括:
端羟基TPU:购自东莞市胜浩塑胶原料有限公司,JZ-PU640;
乙烯基聚硅氧烷:粘度为5000mPa·s,购自广东深圳吉鹏,203型;
异氰酸酯类固化剂:拜耳N75。
制备例1
一种石墨烯-水滑石复合物,制备方法如下:
将氧化石墨烯、水滑石按照质量比为2:1的比例和水混合进行超声分散,得到分散液;所述分散液与抗坏血酸进行还原反应24h后,喷雾干燥,得到所述石墨烯-水滑石复合物。所述抗坏血酸与氧化石墨烯的质量比为6:1。
制备例2
一种石墨烯-水滑石复合物,制备方法如下:
将氧化石墨烯、水滑石按照质量比为1:2的比例和水混合进行超声分散,得到分散液;所述分散液与抗坏血酸进行还原反应24h后,喷雾干燥,得到所述石墨烯-水滑石复合物。所述抗坏血酸与氧化石墨烯的质量比为6:1。
制备例3
一种石墨烯-水滑石复合物,制备方法如下:
将氧化石墨烯、水滑石按照质量比为5:1的比例和水混合进行超声分散,得到分散液;所述分散液与抗坏血酸进行还原反应24h后,喷雾干燥,得到所述石墨烯-水滑石复合物。所述抗坏血酸与氧化石墨烯的质量比为6:1。
实施例1
本实施例提供一种电子用高阻隔性TPU薄膜,所述电子用高阻隔性TPU薄膜的制备原料以重量份计包括如下组分:端羟基TPU 50份、紫罗兰醇10份、石墨烯-水滑石复合物(制备例1)5份、过氧化苯甲酰1.5份、乙烯基聚硅氧烷6份、N75固化剂4份,N,N-二甲基甲酰胺300ml。
所述电子用高阻隔性TPU薄膜的制备方法具体包括如下步骤:
(1)将石墨烯-水滑石复合物与紫罗兰醇混合并分散后,将其与乙烯基聚硅氧烷混合,分散均匀,得到物料A;将端羟基TPU与N,N-二甲基甲酰胺混合,得到物料B;
(2)将步骤(1)得到的物料A与物料B混合均匀后,向其中加入过氧化苯甲酰和N75固化剂,得到浆料;
(3)将步骤(2)得到的浆料在60℃下流延成膜6h,得到所述电子用高阻隔性TPU薄膜。
实施例2
本实施例提供一种电子用高阻隔性TPU薄膜,所述电子用高阻隔性TPU薄膜的制备原料以重量份计包括如下组分:端羟基TPU 40份、紫罗兰醇5份、石墨烯-水滑石复合物(制备例1)1份、过氧化苯甲酰0.1份、乙烯基聚硅氧烷3份、N75固化剂1份,N,N-二甲基甲酰胺80ml。
所述电子用高阻隔性TPU薄膜的制备方法具体包括如下步骤:
(1)将石墨烯-水滑石复合物与紫罗兰醇混合并分散后,将其与乙烯基聚硅氧烷混合,分散均匀,得到物料A;将端羟基TPU与N,N-二甲基甲酰胺混合,得到物料B;
(2)将步骤(1)得到的物料A与物料B混合均匀后,向其中加入过氧化苯甲酰和N75固化剂,得到浆料;
(3)将步骤(2)得到的浆料在25℃下流延成膜6h,得到所述电子用高阻隔性TPU薄膜。
实施例3
本实施例提供一种电子用高阻隔性TPU薄膜,所述电子用高阻隔性TPU薄膜的制备原料以重量份计包括如下组分:端羟基TPU 60份、紫罗兰醇15份、石墨烯-水滑石复合物(制备例1)10份、过氧化苯甲酰3份、乙烯基聚硅氧烷10份、N75固化剂8份,N,N-二甲基甲酰胺600ml。
所述电子用高阻隔性TPU薄膜的制备方法具体包括如下步骤:
(1)将石墨烯-水滑石复合物与紫罗兰醇混合并分散后,将其与乙烯基聚硅氧烷混合,分散均匀,得到物料A;将端羟基TPU与N,N-二甲基甲酰胺混合,得到物料B;
(2)将步骤(1)得到的物料A与物料B混合均匀后,向其中加入过氧化苯甲酰和N75固化剂,得到浆料;
(3)将步骤(2)得到的浆料在80℃下流延成膜10h,得到所述电子用高阻隔性TPU薄膜。
实施例4
本实施例提供一种电子用高阻隔性TPU薄膜,所述电子用高阻隔性TPU薄膜与实施例1的区别仅在于选用制备例2的石墨烯-水滑石复合物,其他原料组分、含量及制备工艺与实施例1相同。
实施例5
本实施例提供一种电子用高阻隔性TPU薄膜,所述电子用高阻隔性TPU薄膜与实施例1的区别仅在于选用制备例3的石墨烯-水滑石复合物,其他原料组分、含量及制备工艺与实施例1相同。
对比例1
本对比例提供一种TPU薄膜,所述TPU薄膜与实施例1的区别仅在于组分中不含有紫罗兰醇,其他原料组分、含量及制备工艺与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供一种TPU薄膜,所述TPU薄膜与实施例1的区别仅在于组分中紫罗兰醇的重量份为3份,其他原料组分、含量及制备工艺与实施例1相同。
对比例3
本对比例提供一种TPU薄膜,所述TPU薄膜与实施例1的区别仅在于组分中紫罗兰醇的重量份为20份,其他原料组分、含量及制备工艺与实施例1相同。
对比例4
本对比例提供一种TPU薄膜,所述TPU薄膜与实施例1的区别仅在于组分中不含有乙烯基聚硅氧烷,其他原料组分、含量及制备工艺与实施例1相同。
对比例5
本对比例提供一种TPU薄膜,所述TPU薄膜与实施例1的区别仅在于组分中乙烯基聚硅氧烷的重量份为2份,其他原料组分、含量及制备工艺与实施例1相同。
对比例6
本对比例提供一种TPU薄膜,所述TPU薄膜与实施例1的区别仅在于组分中乙烯基聚硅氧烷的重量份为15份,其他原料组分、含量及制备工艺与实施例1相同。
对比例7
本对比例提供一种TPU薄膜,所述TPU薄膜其与实施例1的区别仅在于,不添加石墨烯-水滑石复合物,加入3份石墨烯和2份水滑石,其他原料组分、含量及制备工艺与实施例1相同。
性能测试:
1、水蒸气透过率测试:对实施例1-5以及对比例1-7提供的TPU薄膜按照GB/T21529-2008测试方法进行水蒸气透过率测试;测试结果见表1。
2、氧气透过率测试:对实施例1-5以及对比例1-7提供的TPU薄膜按照GB/T 19789-2005测试方法进行氧气透过率测试;测试结果见表1。
3、介电损耗测试:对实施例1-5以及对比例1-7提供的TPU薄膜在室温、频率为100Hz下测试其介电损耗;测试结果见表1。
4、拉伸性能测试:对实施例1-5以及对比例1-7提供的TPU薄膜采用万能试验机(华谊创鸿,RS-8005型)进行拉伸性能测试,拉伸速率为50mm/min;测试结果见表1。
表1
Figure BDA0003077703900000111
Figure BDA0003077703900000121
根据表1的数据可知,本发明通过将端羟基TPU、紫罗兰醇以及乙烯基聚硅氧烷复配,形成交联互穿网络结构,同时与石墨烯-水滑石进行复配(实施例1-5),使得TPU薄膜的水汽透过率为(0.23~0.71)×10-6g/(m2×d),氧气透过率为(0.11~0.55)×10-6cm3/(m2×d),同时具有低介电损耗为0.0042~0.0089,力学性能优异,力学强度为19~24MPa,断裂伸长率为640~702%。
由表1的数据可知,当石墨烯-水滑石中,石墨烯与水滑石的比例过高或者过低时(实施例4、5),会使得TPU薄膜的水汽和氧气的阻隔性能有些下降,同时介电损耗也会有些增加。当不含有紫罗兰醇或者含量过低时(对比例1、2),TPU薄膜的水汽透过率以及氧气透过率都会降低,同时介电损耗也大大增加,当紫罗兰醇的含量过高时(对比例3),TPU薄膜的水汽以及氧气阻隔性能也会下降,介电损耗增加;当不含有乙烯基聚硅氧烷或者含量过低时(对比例4、5),无法形成交联互穿网络结构或互穿网络结构交联度不够,这使得形成的薄膜不够致密,水汽透过率以及氧气透过率大大增加,而且含硅物质的减少使得介电性能下降,介电损耗增加,当乙烯基聚硅氧烷含量过高时,会使得TPU薄膜的水汽以及氧气阻隔性能下降,介电损耗增加;当石墨烯和水滑石不以组合物的形式,各自添加到TPU薄膜中时,TPU薄膜的水汽以及氧气阻隔性能大幅下降,同时介电性能也有所下降。
申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的电子用高阻隔性TPU薄膜,但本发明并不局限于上述实施例,即不意味着本发明必须依赖上述实施例才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (18)

1.一种介电损耗为0.0042~0.0089的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述电子用高阻隔性TPU薄膜的制备原料以重量份计包括如下组分:
端羟基TPU 40~60份;
紫罗兰醇 5~15份;
石墨烯-水滑石复合物 1~10份;
交联剂 0.1~3份;
乙烯基聚硅氧烷 3~10份;
异氰酸酯类固化剂 1~8份;
所述石墨烯-水滑石复合物通过如下方法进行制备,所述方法包括:将氧化石墨烯、水滑石和溶剂混合并分散,得到分散液;所述分散液与抗坏血酸进行还原反应,得到所述石墨烯-水滑石复合物;
所述氧化石墨烯与水滑石的质量比为(1~3):1;
所述抗坏血酸与氧化石墨烯的质量比为(2~10):1。
2.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述端羟基TPU的羟值为30~110 mg KOH/g。
3.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述端羟基TPU的数均分子量为800~5000 g/mol。
4.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述溶剂为水。
5.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述分散的方法为超声分散。
6.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述还原反应的时间为4~24 h。
7.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述还原反应完成后还包括干燥的步骤。
8.根据权利要求7所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述干燥的方法为喷雾干燥。
9.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述交联剂为有机过氧化物。
10.根据权利要求9所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述有机过氧化物包括过氧化苯甲酰、过氧化二异丙苯、过氧化环己酮或过氧化甲基异丁酮中的任意一种或至少两种的组合。
11.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述乙烯基聚硅氧烷的粘度为500~10000 mPa·s。
12.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜,其特征在于,所述异氰酸酯类固化剂包括TDI三羟基加成物、TDI三聚体、HDI缩二脲或HDI三聚体中的任意一种或至少两种的组合。
13.一种如权利要求1~12任一项所述的电子用高阻隔性TPU薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
(1)将石墨烯-水滑石复合物与紫罗兰醇混合并分散后,将其与乙烯基聚硅氧烷混合,分散均匀,得到物料A;将端羟基TPU与溶剂混合,得到物料B;
(2)将步骤(1)得到的物料A与物料B混合均匀后,向其中加入交联剂和异氰酸酯类固化剂,得到浆料;
(3)将步骤(2)得到的浆料流延成膜,得到所述电子用高阻隔性TPU薄膜。
14.根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜或N,N-二甲基乙酰胺中的任意一种或至少两种的组合。
15.根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,以所述端羟基TPU的质量为1 g计,步骤(1)所述溶剂的用量为2~10 mL。
16.根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述流延成膜的温度为25~80 ℃。
17.根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述流延成膜的时间为2~10 h。
18.一种如权利要求1~12任一项所述的电子用高阻隔性TPU薄膜在薄膜电容器或电路板中的应用。
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