CN113248244B - 一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料及其制备方法 - Google Patents
一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料及其制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料及其制备方法，按质量百分比计，所述陶瓷绝缘材料由以下原料组成：硅橡胶10－20％，成瓷填料30－40％，低熔点助熔剂15－30％，气相二氧化硅15－30％，余量为功能助剂以及不可避免的杂质，其中，所述功能助剂包括结构化控制剂和硫化剂，结构化控制剂和硫化剂共计1－3％。本发明利用混炼、硫化后得到的前驱体具有的优良机械性能，进而将前驱体加工成型为复杂绝缘结构的形状后，再进行烧结，烧结成瓷后得到的陶瓷体成品具有耐腐蚀、耐高温、防辐射、导热性能优异等性能，同时，降低了陶瓷材料的成瓷温度，实现了在1000℃下制得致密的陶瓷体，满足了实际的应用需求，克服了现有陶瓷绝缘材料所存在的不足。
Description
技术领域
本发明涉及低温瓷化陶瓷绝缘材料制备技术领域，特别涉及一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料及其制备方法。
背景技术
随着国民经济的增长，用电需求也在持续增长，电气绝缘材料在保证电能的安全性和可靠性方面发挥着重要的作用，具有广阔的发展前景，不同领域对绝缘材料的性能要求也有所不同。常用的电气绝缘材料分为三类，即有机绝缘材料、无机绝缘材料、混合绝缘材料。其中，有机绝缘材料大部分为高分子聚合物，包括塑料、橡胶和纤维。常用的有硅橡胶、聚乙烯、环氧树脂等。无机绝缘材料以离子型结构为主，包括云母、陶瓷、玻璃等。混合绝缘材料由有机绝缘材料和无机绝缘材料混合加工成型，常用作电器的底座和外壳等。
有机绝缘材料具有良好的综合性能，具有良好的绝缘性能和机械强度，耐电弧，耐老化、可模压或浇筑成型，易于加工。但是在高温、腐蚀、辐射等严酷的工况下，有机绝缘材料的各项性能将受到影响。近年来，有机绝缘材料越来越难以应对复杂的工作环境，故障也层出不穷。陶瓷绝缘材料具有优异的机械和电气性能，稳定性高、耐高温、耐腐蚀、防辐射、高导热，在一些方面可以弥补有机绝缘材料的不足。但由于原子间结合键和显微结构的特点，陶瓷材料的塑韧性低，脆性大，制备工艺受到较大限制。在进行陶瓷材料的加工成型时，素坯机械强度不高，很难加工成型为复杂形状的陶瓷构件，并且陶瓷材料的烧结温度较高，例如Al2O3陶瓷根据成分的不同，烧结温度一般为 1650－1950℃，热压烧结的Si3N4的热压温度一般为1600－1800℃，AlN陶瓷在采用无压烧结时，烧结温度为1800℃左右，而采用热压烧结则需要在1800－2000℃的高温下进行。所以，常用陶瓷的烧结温度一般高于铜导线的熔点(1083.4℃)，在电气设备等领域的应用具有很大的局限性。
郭建华等人发明了一种可低温陶瓷化的硅橡胶及其制备方法 (CN107163585A)，制备了一种复合硅橡胶材料，用于电线电缆的阻燃耐火领域。制备的复合硅橡胶具有普通硅橡胶的弹性和电绝缘性，在遇到火灾时，会烧蚀形成陶瓷层，具有一定的残余强度，三点弯曲强度超过3MPa，可保持电线电缆的内部铜线在30min内不发生熔断，使电路在火灾中依然保持畅通，防止火灾范围扩大。根据本领域技术人员对陶瓷化硅橡胶的理解，陶瓷化硅橡胶作为本技术领域内常用的防火阻燃材料，其成品为复合硅橡胶，即使用的是未瓷化前的复合硅橡胶材料，当发生火灾时，该复合硅橡胶材料烧结瓷化，得到陶瓷层，由此起到防火阻燃的效果，烧结后的硅橡胶复合材料性能发生质变 (硅橡胶在烧结中损失)，得到的陶瓷层不再满足其作为电力电缆保护壳的要求而需要更换。因此，该发明制备的是一种硅橡胶复合材料，即本质上是一种有机绝缘材料，在遇到火灾时，形成的陶瓷层的平整度和致密度有限，陶瓷层只有一定的残余强度，三点弯曲强度超过3MPa，机械强度不高，同时缺乏陶瓷层的电气绝缘性能和导热性能的研究，其烧结后的陶瓷层的使用效能不满足陶瓷绝缘材料的要求，无法满足高温、腐蚀、辐射等严酷工况的应用需求。在电力系统的具体应用中，材料的机械强度、导热性能，以及电气绝缘性能有限，火灾后需及时更换，需停电检修，会增大运维与检修成本，降低了可靠性，因此在实际应用中受到了较大限制。虽然其制备方法中包括了烧结工艺，但明显该烧结工艺是属于成瓷化性能的检验，看其是否能在火灾的环境中，形成具有一定残余强度的陶瓷层，防止火灾范围的扩大。其得到的成品本质上是一种复合硅橡胶材料，不需要烧结瓷化，烧结后只能得到陶瓷体而不能得到复合硅橡胶材料。
因此，需要一种新型的绝缘材料，机械强度好，电气绝缘性能优异，易于加工成型，可以满足复杂绝缘结构的需求，同时具有刚度好、耐高温、防辐射，导热性能优异的特点，可满足高温、腐蚀、辐射等严酷工况的应用需求。
发明内容
本发明的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料及其制备方法，制得了表面光滑而致密的陶瓷材料，本发明成瓷前的前驱体具有硅橡胶优良的机械性能，易于挤出或模压成型，进而将前驱体加工成型为复杂绝缘结构的形状后，再进行烧结，烧结成瓷后得到的陶瓷体成品具有陶瓷材料的优良性能，耐腐蚀、耐高温、防辐射、导热性能优异，同时，降低了陶瓷材料的成瓷温度，实现了在1000℃下制得致密的陶瓷体，远低于传统陶瓷材料的成瓷温度，满足了实际的应用需求，克服了现有陶瓷绝缘材料所存在的不足。
本发明采用的技术方案如下：一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，按质量百分比计，所述陶瓷绝缘材料由以下原料组成：硅橡胶10－20％，成瓷填料30－40％，低熔点助熔剂15－30％，气相二氧化硅15－30％，余量为功能助剂以及不可避免的杂质，其中，所述功能助剂包括结构化控制剂和硫化剂，结构化控制剂和硫化剂共计1－3％。
本发明与郭建华等人的低温陶瓷化的硅橡胶及其制备方法相比，虽然本发明在组分上与其主要存在硅橡胶比例，填料种类和配比量不同的区别，但正是由于这些区别，导致本申请与其存在实质性不同，本发明是一种陶瓷绝缘材料，最终形态是陶瓷产品，具有陶瓷材料的优良性能，与复合硅橡胶材料存在本质的区别。制得的陶瓷绝缘材料的密度为2.15－2.18g·cm－3，显气孔率为1.5－1.7％，弯曲强度可达85Mpa，成瓷前后的线性收缩率为12.06－12.21％，热扩散系数的范围为0.6mm2·s－1－0.8mm2·s－1之间，导热系数的范围为1.2W·m－1·K－1－1.7W·m－1·K－1之间，体积电阻率为(3.101－3.111)×1012Ω·m，相对介电常数为8.09－8.12， tanδ的值为(9.30－9.38)×10－4，工频击穿场强为(21.01－21.31)kV·mm－1，可广泛应用于电力、航空航天、军事、核工业等高温、腐蚀、辐射等严酷的工况。郭建华等人发明的是一种硅橡胶复合材料，其是以硅橡胶为基体材料，比例为40％－80％，作为主要成分，再加入各种填料作为辅助成分，最终得到的是硅橡胶复合材料。对于本发明来说，本申请是将硅橡胶作为粘结剂，比例为 18％，利用硅橡胶将成瓷材料等组分混炼、硫化得到前驱体，然后利用其良好的加工性能，将其加工成型成结构复杂的绝缘产品，烧结后硅橡胶消失，成为二氧化硅，参与到后面的成瓷反应，最终得到满足复杂绝缘结构需求的陶瓷绝缘材料。同时，本申请的陶瓷绝缘材料断面平整致密，三点弯曲强度为85Mpa，绝缘性能和导热性能优异，郭建华等人的陶瓷化硅橡胶的三点弯曲强度仅为 3.1－5.9MPa，陶瓷层的平整致密度有限，同时其缺乏陶瓷层绝缘性能和导热性能的研究，不满足陶瓷绝缘材料的使用效能要求，无法满足高温、腐蚀、辐射等严酷工况的应用需求。这是本发明与该专利技术的实质性区别。
进一步，所述基体优选为甲基乙烯基硅橡胶，发挥的作用是作为前驱体的粘结剂，同时在成瓷过程中提供二氧化硅。当然其还可以使用甲基苯基乙烯基硅橡胶等其它硅橡胶中的一种或多种。
进一步，所述成瓷填料优选为硅灰石，当然其还可以使用云母、硅藻土、高岭土以及纤维类填料中的一种或多种。
进一步，所述低熔点助熔剂优选为低熔点玻璃粉，熔点为400－500℃。当然其还可以使用氧化锌、硼酸锌等低熔点助熔剂中的一种或多种。
进一步，所述结构化控制剂优选为羟基硅油。当然其还可以使用二苯基二羟基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷等其他结构化控制剂中的一种或多种。
进一步，所述硫化剂优选为2，4－二氯过氧化苯甲酰。当然其还可以使用 2，5－二甲基－2，5－二(叔丁基过氧基)己烷(双二五)、过氧化二异丙苯(DCP) 等一种或多种其他硫化剂。
作为优选，按质量百分比计，所述陶瓷绝缘材料由以下原料组成：甲基乙烯基硅橡胶18％，硅灰石36％，低熔点玻璃粉22％，气相二氧化硅22％，羟基硅油和2，4－二氯过氧化苯甲酰共计2％。
本发明还包括一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将硅灰石、低熔点玻璃粉、气相二氧化硅、功能助剂与硅橡胶按比例混合均匀，然后在常温下进行混炼，得到混合物；
S2、对混合物进行硫化处理，得到前驱体，对前驱体进行裁剪成型，然后在1000℃下进行烧结一定时间；
S3、烧结结束后随炉冷却，取出即得。
进一步，在S1中，向硅橡胶中先加入结构控制剂，然后分多次批量缓慢加入气相二氧化硅，混合均匀后，加入硅灰石和低熔点玻璃粉，最后加入硫化剂，混合均匀后进行混炼。
进一步，硫化处理时，将混合物在120℃下进行第一次硫化，硫化时间 5－20min，然后再在150℃下进行第二次硫化，硫化时间为3－5h。
进一步，在烧结时，用氧化铝粉埋烧，升温速率1℃/min，保温时间1－2h。
本发明的制备工艺跟郭建华等人的制备工艺相比，虽然其制备方法中也包括了烧结工艺，导致其跟本发明的制备工艺很相似，但是该专利技术中的烧结工艺明显属于成瓷化性能的检验，陶瓷化硅橡胶复合材料的制备不需要烧结瓷化，烧结后只能得到陶瓷体而不能得到硅橡胶复合材料。因此，该专利的制备方法明显不应该包括陶瓷烧结工艺，这是与本发明的制备方法所存在的最大区别。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明的陶瓷绝缘材料与郭建华等人发明的陶瓷化硅橡胶材料相比，本发明属于一种陶瓷化绝缘材料，陶瓷体平整致密，其具备优异的电气绝缘性能，优异的机械强度，耐高温、防腐蚀，导热性能优异。同时也具有防火阻燃的功能，而该专利技术所制备的陶瓷化硅橡胶材料属于一种复合硅橡胶材料，其仅具备良好的防火阻燃性能，发生火灾烧结后，陶瓷层机械强度低，致密度和平整度有限，同时绝缘性能和导热性能有限，火灾后需要及时更换，不能满足高温、腐蚀、辐射等严酷工况的应用需求；
2、本发明的陶瓷绝缘材料与现有陶瓷绝缘材料相比，其主要优势是：优异的加工性能和低温瓷化性能，本发明的陶瓷绝缘材料在成瓷前的素坯(前驱体)机械强度好，加工性能优异，能够轻易加工成型为复杂形状的陶瓷构件，同时，其烧结时的烧结温度在1000℃以下，远低于现有陶瓷绝缘材料的烧结温度，克服了现有陶瓷绝缘材料的缺陷；
3、本发明通过利用成瓷前的前驱体具有硅橡胶优良的机械性能，易于挤出或模压成型，进而将前驱体加工成型为复杂绝缘结构的形状后，再进行烧结，烧结成瓷后得到的陶瓷体成品不仅具有陶瓷材料的优良性能，耐腐蚀、耐高温、防辐射、导热性能优异，同时，还降低了陶瓷材料的成瓷温度，实现了在1000℃下制得致密的陶瓷体，远低于传统陶瓷材料的成瓷温度，满足了实际的应用需求，可广泛应用于电力、航空航天、军事、核工业等高温、腐蚀、辐射等严酷的工况。
附图说明
图1是本发明的一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料的制备方法工艺流程图；
图2是本发明的陶瓷绝缘材料小圆形试样成瓷前后宏观表面形貌图；
图3是本发明的陶瓷绝缘材料方形试样成瓷前后宏观表面形貌图；
图4是本发明的陶瓷绝缘材料条形试样成瓷前后宏观表面形貌图；
图5是本发明的陶瓷绝缘材料大圆形试样成瓷前后宏观表面形貌图；
图6是本发明实施例3制备的陶瓷绝缘材料的SEM图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明作详细的说明。
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料的制备方法，如图1所示，其包括以下步骤：
S1、将成瓷填料、低熔点助熔剂、气相二氧化硅、功能助剂与甲基乙烯基硅橡胶按分别比例称取，备用；
S2、由于甲基乙烯基硅橡胶在常温下呈柔软流动状，因此在常温的条件下先加入10－20％(％表示质量分数)的甲基乙烯基硅橡胶(优选18％)，然后加入结构控制剂羟基硅油，再加入15－30％的补强剂气相二氧化硅(优选22％)，其中，因为气相二氧化硅密度低，加入容易使胶料变硬，所以需分批、多次、少量、缓慢加入；
S3、使用转矩流变仪进行混炼，甲基乙烯基硅橡胶与气相二氧化硅混合均匀后，加入30－40％的成瓷填料硅灰石(优选36％)和15－30％的助熔剂低熔点玻璃粉(熔点为450℃，优选掺量22％)，最后加入硫化剂2，4－二氯过氧化苯甲酰，硫化剂和结构化控制剂的用量共计1－3％，优选掺量2％，待所有原料混合均匀后取出称量，得到混合物；
S4、对混合物进行硫化处理，将称量好的混合物放入平板硫化机进行一次硫化，一次硫化温度为120℃，时间10min，取出后利用电热鼓风箱进行二次硫化，二次硫化温度为150℃，时间4h，得到前驱体，对前驱体进行裁剪成型，裁剪成型时可利用专用裁刀将前驱体裁剪为需要的形状，例如裁剪成复杂结构的产品形状；
S5、将加工成型后的前驱体，放置于刚玉坩埚中，使用空气马弗炉进行烧结，期间采用Al2O3粉埋烧；在烧结的过程中，从常温开始，设置温度梯度50℃，升温速率为1℃·min－1，即升温增量每隔50℃保温1h，最高烧结温度为1000℃，然后随炉冷却后取出即得。
为了更好地实施本发明，以下列举具体实施例：
实施例1
一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料(小圆形试样)，其制备方法包括以下步骤：
S1、称取甲基乙烯基硅橡胶10g，放入转矩流变仪中，混炼5分钟之后，添加少量羟基硅油，继续混炼5分钟，再缓慢加入12g气相白炭黑，气相白炭黑分三次加入，每次加4g，气相白炭黑添加完毕后，混炼10分钟，加入20g 硅灰石，混炼10分钟，加入12g玻璃粉，继续混炼10分钟，加入0.15g硫化剂，再混炼10分钟后将混合物取出；
S2、将混合物放入平板硫化机内进行一次硫化，一次硫化温度为120℃，时间10min，取出后利用电热鼓风箱进行二次硫化，二次硫化温度为150℃，时间4小时，得到硫化后的前驱体；
S3、使用专用裁刀，将硫化后的前驱体裁剪为小圆形形状，将加工成型后的前驱体放置于刚玉坩埚中，使用空气马弗炉进行烧结，期间采用Al2O3粉埋烧；在烧结的过程中，从常温开始，设置温度梯度50℃，升温速率为1℃·min－1，最高烧结温度为1000℃，然后随炉冷却后取出即得。
实施例2
一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料(方形试样)，其制备方法包括以下步骤：
S1、称取甲基乙烯基硅橡胶12g，放入转矩流变仪中，混炼5分钟之后，添加少量羟基硅油，继续混炼5分钟，再缓慢加入15g气相白炭黑，气相白炭黑分三次加入，每次加5g，气相白炭黑添加完毕后，混炼10分钟，加入24g 硅灰石，混炼10分钟，加入15g玻璃粉，继续混炼10分钟，加入0.15g硫化剂，再混炼10分钟后将混合物取出；
S2、将混合物放入平板硫化机内进行一次硫化，一次硫化温度为120℃，时间10min，取出后利用电热鼓风箱进行二次硫化，二次硫化温度为150℃，时间4小时，得到硫化后的前驱体；
S3、使用专用裁刀，将硫化后的前驱体裁剪为方形形状，将加工成型后的前驱体放置于刚玉坩埚中，使用空气马弗炉进行烧结，期间采用Al2O3粉埋烧；在烧结的过程中，从常温开始，设置温度梯度50℃，升温速率为1℃·min－1，最高烧结温度为1000℃，然后随炉冷却后取出即得。
实施例3
一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料(条形试样)，其制备方法包括以下步骤：
S1、称取甲基乙烯基硅橡胶10g，放入转矩流变仪中，混炼5分钟之后，添加少量羟基硅油，继续混炼5分钟，再缓慢加入12g气相白炭黑，气相白炭黑分三次加入，每次加4g，气相白炭黑添加完毕后，混炼10分钟，加入20g 硅灰石，混炼10分钟，加入12g玻璃粉，继续混炼10分钟，加入0.15g硫化剂，再混炼10分钟后将混合物取出；
S2、将混合物放入平板硫化机内进行一次硫化，一次硫化温度为120℃，时间10min，取出后利用电热鼓风箱进行二次硫化，二次硫化温度为150℃，时间4小时，得到硫化后的前驱体；
S3、使用专用裁刀，将硫化后的前驱体裁剪为条形形状，将加工成型后的前驱体放置于刚玉坩埚中，使用空气马弗炉进行烧结，期间采用Al2O3粉埋烧；在烧结的过程中，从常温开始，设置温度梯度50℃，升温速率为1℃·min－1，最高烧结温度为1000℃，然后随炉冷却后取出即得。
实施例4
一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料(大圆形试样)，其制备方法包括以下步骤：
S1、称取甲基乙烯基硅橡胶11g，放入转矩流变仪中，混炼5分钟之后，添加少量羟基硅油，继续混炼5分钟，再缓慢加入12g气相白炭黑，气相白炭黑分三次加入，每次加4g，气相白炭黑添加完毕后，混炼10分钟，加入21g 硅灰石，混炼10分钟，加入12g玻璃粉，继续混炼10分钟，加入0.16g硫化剂，再混炼10分钟后将混合物取出；
S2、将混合物放入平板硫化机内进行一次硫化，一次硫化温度为120℃，时间10min，取出后利用电热鼓风箱进行二次硫化，二次硫化温度为150℃，时间4小时，得到硫化后的前驱体；
S3、使用专用裁刀，将硫化后的前驱体裁剪为大圆形形状，将加工成型后的前驱体放置于刚玉坩埚中，使用空气马弗炉进行烧结，期间采用Al2O3粉埋烧；在烧结的过程中，从常温开始，设置温度梯度50℃，升温速率为1℃·min－1，最高烧结温度为1000℃，然后随炉冷却后取出即得。
实施例1－4得到的试样如图2－5所示，根据图2－5可以得到，本发明的制备方法能够制备出各种形状的产品，制得的产品在成瓷前后形状和结构没有发生明显变化，成瓷前后的线性收缩率在10％－12％之间。同时，结合图6可以得到，本发明制得的陶瓷绝缘材料的断面显微结构呈平整致密的状态。
进一步，本发明实施例1－4所得到的试样的主要性能如表1所示(均按标准方法进行检测)：
表1实施例1－4试样主要性能
注：热扩散系数是从常温上升至300℃时测得。
由表1可以得到，本发明的陶瓷绝缘材料的密度为2.15－2.18g·cm－3，显气孔率为1.5－1.7％，弯曲强度可达85Mpa，成瓷前后的线性收缩率为 12.06－12.21％，热扩散系数的范围为0.6mm2·s－1－0.8mm2·s－1之间，导热系数的范围为1.2W·m－1·K－1－1.7W·m－1·K－1之间，体积电阻率为(3.101－3.111)×1012Ω·m，相对介电常数为8.09－8.12，tanδ的值为(9.30－9.38)×10－4，工频击穿场强为(21.01－21.31)kV·mm－1，可广泛应用于电力、航空航天、军事、核工业等高温、腐蚀、辐射等严酷的工况。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，按质量百分比计，所述陶瓷绝缘材料由以下原料组成：硅橡胶10-20％，成瓷填料30-40％，低熔点助熔剂15-30％，气相二氧化硅15-30％，余量为功能助剂以及不可避免的杂质，其中，所述功能助剂包括结构化控制剂和硫化剂，结构化控制剂和硫化剂共计1-3％；所述成瓷填料为硅灰石、云母、硅藻土、高岭土、纤维类填料中的一种或多种；所述陶瓷绝缘材料的制备方法包括以下步骤：
S1、将硅灰石、低熔点玻璃粉、气相二氧化硅、功能助剂与硅橡胶按比例混合均匀，然后在常温下进行混炼，得到混合物；
S2、对混合物进行硫化处理，得到前驱体，对前驱体进行加工成型，然后在1000℃下进行烧结一定时间；
S3、烧结结束后随炉冷却，取出即得。
2.如权利要求1所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，所述助熔剂为玻璃粉、氧化锌、硼酸锌中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，所述结构化控制剂为羟基硅油、二苯基二羟基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，所述硫化剂为2,4-二氯过氧化苯甲酰、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧基)己烷、过氧化二异丙苯中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，按质量百分比计，所述陶瓷绝缘材料由以下原料组成：甲基乙烯基硅橡胶18％，硅灰石36％，低熔点玻璃粉22％，气相二氧化硅22％，羟基硅油和2,4-二氯过氧化苯甲酰共计2％。
6.如权利要求1所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，在S1中，向硅橡胶中先加入结构控制剂，然后分多次批量缓慢加入气相二氧化硅，混合均匀后，加入硅灰石和低熔点玻璃粉，最后加入硫化剂，混合均匀后进行混炼。
7.如权利要求6所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，硫化处理时，将混合物在120℃下进行第一次硫化，硫化时间5-20min，然后再在150℃下进行第二次硫化，硫化时间为3-5h。
8.如权利要求7所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，在烧结时，用氧化铝粉埋烧，升温速率1℃/min，保温时间1-2h。
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