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CN113129932B - 磁头及磁记录装置 - Google Patents

磁头及磁记录装置 Download PDF

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CN113129932B
CN113129932B CN202010950143.4A CN202010950143A CN113129932B CN 113129932 B CN113129932 B CN 113129932B CN 202010950143 A CN202010950143 A CN 202010950143A CN 113129932 B CN113129932 B CN 113129932B
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pole
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
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Abstract

提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括记录部。所述记录部包括磁极、屏蔽件以及设置在所述磁极与所述屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；以及第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。

Description

磁头及磁记录装置
本申请以日本专利申请2020-004369(申请日2020年1月15日)为 基础，根据该申请享受优先利益。本申请通过参照该申请，包含该申请的 全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁头及磁记录装置。
背景技术
使用磁头向HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等的磁存储介质 记录信息。在磁头及磁记录装置中希望提高记录密度。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。
用于解决问题的技术方案
根据本发明的实施方式，磁头包括记录部。所述记录部包括磁极、屏 蔽件以及设置在所述磁极与所述屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括： 第1磁性层；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述 磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr 以及PtCr中的至少一种；以及第1中间层，其设置在所述第1磁性层与 所述屏蔽件之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1 组中的至少一种。
根据上述结构的磁头以及磁记录装置，能够提供能提高记录密度的磁 头以及磁记录装置。
附图说明
图1是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图2是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图3是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图4是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图5是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图6是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图7是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图8是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图9的(a)和图9的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意性 剖视图。
图10的(a)和图10的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图11的(a)和图11的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图12的(a)和图12的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图13的(a)和图13的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图14的(a)和图14的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图15的(a)和图15的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图16的(a)和图16的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图17的(a)和图17的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图18的(a)和图18的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图19的(a)和图19的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图20的(a)和图20的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图21的(a)和图21的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图22的(a)和图22的(b)是例示第2实施方式涉及的磁头的示意 性剖视图。
图23是例示实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图24是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
图25是例示实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图26是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
图27是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
图28的(a)和图28的(b)是例示实施方式涉及的磁记录装置的一 部分的示意性立体图。
标号说明
20层叠体；20D电气电路；21、22第1磁性层、第2磁性层；21M、 22M磁化；28第1层；29第2层；30磁极；30D记录电路；30F介质 相向面；30M磁化；30c线圈；30i绝缘部；31屏蔽件；31M磁化；32 第2屏蔽件；41第1中间层；41P磁极侧第1中间层；41S屏蔽件侧第1 中间层；42第2中间层；42P磁极侧第2中间层；42S屏蔽件侧第2中 间层；43第3中间层；43P磁极侧第3中间层；43S屏蔽件侧第3中间 层；60记录部；70再现部；71磁再现元件；72a、72b第1再现磁屏蔽 件、第2再现磁屏蔽件；80磁记录介质；81磁记录层；82介质基板；83 磁化；85介质移动方向；θ1角度；111～114、121～124、131a～131d、 132a～132d、141a～141d、142a～142d、145a～145d、146a～146d、147a～147d磁头；150磁记录装置；154悬架；155臂；156音圈马达；157轴 承部；158头万向架组件；159头滑块；159A空气流入侧；159B空气流 出侧；160头堆叠组件(head stack assembly)；161支承框架；162线圈； 180记录用介质盘；180M主轴马达；181记录介质；190信号处理部； 210磁记录装置；AR箭头；D1第1方向；Iw记录电流；T1、T2第1 端子、第2端子；W1、W2布线；jc1电流；Je1电子流
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。
附图是示意性或者概念性的附图，各部分的厚度和宽度的关系、部分 间的大小的比率等并不一定限于与现实的情况相同。即使是在表示相同的 部分的情况下，有时也通过附图以彼此的尺寸、比率不同的方式来表示。
在本申请说明书和各图中，对与关于前面的附图已经描述过的要素同 样的要素标记同一标号，适当省略详细的说明。
(第1实施方式)
图1是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图1所示，实施方式涉及的磁头111包括记录部60。磁头包含于磁 记录装置210。磁记录装置210包括磁头111和磁记录介质80。通过磁头 111的记录部60，对磁记录介质80记录信息。磁记录介质80例如为垂直 记录介质。关于磁记录介质80的例子，将在后面进行描述。
如图1所示，磁头111包括磁极30、屏蔽件31以及层叠体20。层叠 体20设置在磁极30与屏蔽件31之间。屏蔽件31例如为尾随屏蔽件。
如图1所示，层叠体20包括第1磁性层21、第1层28以及第1中间 层41。
第1层28设置在第1磁性层21与磁极30之间。第1层28与磁极30 相接。第1层28例如包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、 MnCr以及PtCr中的至少一种。第1层28例如为反铁磁性体层。
第1中间层41设置在第1磁性层21与屏蔽件31之间。第1中间层 41包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。 第1中间层41例如作为使自旋透过的层来发挥功能。
第1磁性层21包含选自Co、Fe以及Ni中的至少一种第1元素。第1 磁性层21中的第1元素的浓度为50原子％以上。第1磁性层21例如包含 FeCo合金或者NiFe合金。
磁极30例如是主磁极。磁极30和屏蔽件31例如形成磁回路。如后述 的那样，在磁极30(和/或屏蔽件31)设置有线圈。从磁极30产生与在线 圈中流动的记录电流相应的记录磁场。所产生的记录磁场的至少一部分朝 向磁记录介质80。记录磁场的至少一部分被施加于磁记录介质80。磁记录 介质80中的被施加了记录磁场的部分的磁化的方向由记录磁场来控制。由 此，向磁记录介质80记录与记录磁场的方向相应的信息。例如，记录磁场 的至少一部分在朝向了磁记录介质80之后，朝向屏蔽件31。
将从磁极30朝向屏蔽件31的方向作为第1方向。第1方向沿着X轴 方向。X轴方向例如为下行磁道(down-track)方向。
能够向层叠体20供给电流。例如，如后所述，经由磁极30和屏蔽件 31向层叠体20供给电流。电流被从后述的电气电路20D(参照图25)进 行供给。
如图1所示，具有从屏蔽件31朝向磁极30的方向的电流jc1被供给 至层叠体20。在层叠体20中流动从磁极30朝向屏蔽件31的方向的电子 流je1。例如，电流jc1(以及电子流je1)被设定为使第1磁性层21的磁 化21M反转的大小。
通过这样的电流jc1，第1磁性层21的磁化21M的方向具有与磁极 30的磁化30M的方向(以及屏蔽件31的磁化31M的方向)相反的成分。 由此，从磁极30产生的记录磁场难以在层叠体20中通过。由此，从磁极 30产生的记录磁场的大部分容易朝向磁记录介质80。记录磁场被效率良好 地施加于磁记录介质80。
例如，当为了提高记录密度而缩短磁极30与屏蔽件31之间的距离时， 从磁极30产生的记录磁场不朝向磁记录介质80，而容易进入屏蔽件31。 此时，在实施方式中，通过磁化21M反转，即使在磁极30与屏蔽件31 之间的距离短的情况下，记录磁场也有效地朝向磁记录介质80。即使在磁 极30与屏蔽件31之间的距离(记录间隙)短的情况下，也能够将记录磁场有效地施加于磁记录介质80。由此，能够提供能提高记录密度的磁头以 及磁记录装置。
在实施方式中，在第1磁性层21与磁极30之间设置有与磁极30相接 的第1层28。如已经说明的那样，第1层28为反铁磁性体层。通过设置 第1层28，例如磁极30与第1磁性层21之间的动态耦合被抑制。认为这 是由于：通过第1层28，磁极30的表面处的、磁化的铁磁共振频率和/或 阻尼(damping)被进行调制。通过抑制动态耦合，能够降低第1磁性层 21的磁化21M反转的电流(动作电流)。通过降低动作电流，能够使层叠 体20小型化，能够缩小记录间隙。由此，例如能够提供能提高记录密度的 磁头。
图2是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图2所示，在实施方式涉及的磁头112中，层叠体20还包括第2 中间层42。第2中间层42设置在第1磁性层21与第1层28之间。第2 中间层42包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta构成的第2组 中的至少一种。第2中间层42例如作为使阻尼降低的层来发挥功能。通过 设置第2中间层42，能够进一步降低动作电流。
图3是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图3所示，在实施方式涉及的磁头113中，层叠体20在第2中间层 42之外还包括第3中间层43。第3中间层43设置在第2中间层42与第1 层28之间。第3中间层43包含选自由Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、 Mn以及Ni构成的第3组中的至少一种。第3中间层43例如作为对自旋 进行衰减(例如消除)的层来发挥功能。通过设置第3中间层43，能够进 一步降低动作电流。
图4是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图4所示，在实施方式涉及的磁头114中，层叠体20不包括第2 中间层42，而包括第3中间层43。第3中间层43设置在第1磁性层21 与第1层28之间。第3中间层43包含选自由Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、 Tb、Mn以及Ni构成的第3组中的至少一种。在该情况下，第3中间层 43例如也作为对自旋进行衰减(例如消除)的层来发挥功能。通过设置第 3中间层43，能够进一步降低动作电流。
图5是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图5所示，在实施方式涉及的磁头121中，记录部60也包括磁极 30、屏蔽件31以及层叠体20。层叠体20包括第1磁性层21、第1层28 以及第1中间层41。第1层28设置在第1磁性层21与屏蔽件31之间。 第1层28与屏蔽件31相接。第1层28包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种。
第1中间层41设置在第1磁性层21与磁极30之间。第1中间层41 包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。
如图5所示，在磁头121中，在层叠体20中流动具有从磁极30朝向 屏蔽件31的方向的电流jc1。在层叠体20中流动从屏蔽件31朝向磁极30 的方向的电子流je1。例如，电流jc1(以及电子流je1)被设定为使第1 磁性层21的磁化21M反转的大小。
在磁头121中，也能通过设置第1层28来抑制屏蔽件31与第1磁性 层21之间的动态耦合。由此，通过能够降低动作电流，能够使层叠体20 小型化，能够减小记录间隙。由此，例如能够提供能提高记录密度的磁头。
图6是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图6所示，在实施方式涉及的磁头122中，层叠体20还包括第2 中间层42。第2中间层42设置在第1磁性层21与第1层28之间。第2 中间层42包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta构成的第2组 中的至少一种。通过第2中间层42，例如能够使阻尼降低。通过设置第2中间层42，能够进一步降低动作电流。
图7是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图7所示，在实施方式涉及的磁头123中，层叠体20还包括第3 中间层43。第3中间层43设置在第2中间层42与第1层28之间。第3 中间层43包含选自由Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni构成 的第3组中的至少一种。通过第3中间层43，例如能衰减或者消除自旋。通过设置第3中间层43，能够进一步降低动作电流。
图8是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图8所示，在实施方式涉及的磁头124中，层叠体20不包括第2 中间层42，而包括第3中间层43。第3中间层43设置在第1磁性层21 与第1层28之间。第3中间层43包含选自由Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、 Tb、Mn以及Ni构成的第3组中的至少一种。在该情况下，第3中间层 43例如也作为对自旋进行衰减(例如消除)的层来发挥功能。通过设置第 3中间层43，能够进一步降低动作电流。
(第2实施方式)
图9的(a)、图9的(b)、图10的(a)以及图10的(b)是例示第 2实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图9的(a)所示，实施方式涉及的磁头131a包括记录部60。记录 部60包括磁极30、屏蔽件31以及设置在磁极30与屏蔽件31之间的层叠 体20。层叠体20包括第1磁性层21、第2磁性层22、第1层28、第1 中间层41以及屏蔽件侧第1中间层41S。第2磁性层22设置在第1磁性 层21与磁极30之间。
第1层28设置在第2磁性层22与磁极30之间。第1层28与磁极30 相接。第1层28包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、 MnCr以及PtCr中的至少一种。
第1中间层41设置在第1磁性层21与第2磁性层22之间。第1中间 层41包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少 一种。第1中间层41例如作为使自旋透过的层来发挥功能。
屏蔽件侧第1中间层41S设置在第1磁性层21与屏蔽件31之间。屏 蔽件侧第1中间层41S包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以 及Ni中的至少一种。屏蔽件侧第1中间层41S例如作为对自旋进行衰减(例如消除)的层来发挥功能。
例如，在层叠体20中流动具有从屏蔽件31朝向磁极30的方向的电流 jc1。在层叠体20中流动具有从磁极30朝向屏蔽件31的方向的电子流je1。 通过这样的电流jc1(电子流je1)，在层叠体20中产生交流磁场。第1磁 性层21、第2磁性层22以及第1中间层41作为STO(spin-torque oscillator， 自旋转矩振荡器)来发挥功能。第1磁性层21例如作为自旋注入层来发挥 功能。第2磁性层22作为振荡层来发挥功能。第2磁性层22的磁化22M 旋转。
在层叠体20中产生的交流磁场(高频磁场)被施加于磁记录介质80 的一部分。在被施加了的部分中，磁化容易变化。例如，进行MAMR (Microwave Assisted MagneticRecording，微波辅助磁记录)。
在实施方式中，在第2磁性层22与磁极30之间设置有与磁极30相接 的第1层28。第1层28例如为反铁磁性体层。通过设置第1层28，例如 能抑制磁极30与第2磁性层22之间的动态耦合。认为这是由于：通过第 1层28，磁极30的表面的磁化的铁磁共振频率和/或阻尼被进行调制。通 过抑制动态耦合，能够降低产生振荡的电流(动作电流)。通过能够降低动作电流而能够使层叠体20小型化，能够减小记录间隙。由此，例如能够提 供能提高记录密度的磁头。
如图9的(b)所示，在实施方式涉及的磁头131b中，层叠体20还 包括磁极侧第2中间层42P。磁极侧第2中间层42P设置在第2磁性层22 与第1层28之间。磁极侧第2中间层42P包含选自Cu、Ag、Au、Al、 Cr、Ru以及Ta中的至少一种。在该例子中，磁极侧第2中间层42P例如 作为使阻尼降低的层来发挥功能。通过设置磁极侧第2中间层42P，能够 进一步降低动作电流。
如图10的(a)所示，在实施方式涉及的磁头131c中，层叠体20还 包括磁极侧第3中间层43P。磁极侧第3中间层43P设置在第1层28与磁 极侧第2中间层42P之间。磁极侧第3中间层43P包含选自Ta、Pt、W、 Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。磁极侧第3中间层43P例如作为对自旋进行衰减(例如消除)的层来发挥功能。通过设置磁极侧第 3中间层43P，能够进一步降低动作电流。
如图10的(b)所示，在实施方式涉及的磁头131d中，层叠体20包 括磁极侧第3中间层43P，磁极侧第2中间层42P被省略。在该构成中， 例如也能够进一步降低动作电流。
图11的(a)、图11的(b)、图12的(a)以及图12的(b)是例示 第2实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图11的(a)、图11的(b)、图12的(a)以及图12的(b)所示， 在实施方式涉及的磁头132a～132d中，层叠体20还包括屏蔽件侧第3中 间层43S。屏蔽件侧第3中间层43S设置在第1磁性层21与屏蔽件侧第1 中间层41S之间。屏蔽件侧第3中间层43S包含选自Ta、Pt、W、Ir、 Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。除此以外，磁头132a～132d 具有与磁头131a～131d同样的结构。屏蔽件侧第3中间层43S例如作为 对自旋进行衰减(例如消除)的层来发挥功能。例如，能够进一步降低动 作电流。
图13的(a)、图13的(b)、图14的(a)以及图14的(b)是例示 第2实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图13的(a)所示，实施方式涉及的磁头141a包括记录部60。记 录部60包括磁极30、屏蔽件31以及设置在磁极30与屏蔽件31之间的层 叠体20。层叠体20包括第1磁性层21、第2磁性层22、第1层28、第1 中间层41以及磁极侧第1中间层41P。第2磁性层22设置在第1磁性层 21与屏蔽件31之间。
第1层28设置在第2磁性层22与屏蔽件31之间。第1层28与屏蔽 件31相接。第1层28包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、 RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种。
第1中间层41设置在第1磁性层21与第2磁性层22之间。第1中间 层41包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少 一种。第1中间层41例如作为使自旋透过的层来发挥功能。
磁极侧第1中间层41P设置在磁极30与第1磁性层21之间。磁极侧 第1中间层41P包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中 的至少一种。磁极侧第1中间层41P例如作为使自旋衰减(例如消除)的 层来发挥功能。
例如，在层叠体20中流动具有从磁极30朝向屏蔽件31的方向的电流 jc1。在层叠体20中流动具有从屏蔽件31朝向磁极30的方向的电子流je1。 通过这样的电流jc1(电子流je1)，在层叠体20中产生交流磁场。第1磁 性层21、第2磁性层22以及第1中间层41作为STO来发挥功能。第1 磁性层21例如作为自旋注入层来发挥功能。第2磁性层22作为振荡层来发挥功能。第2磁性层22的磁化22M旋转。
在层叠体20中产生的交流磁场(高频磁场)被施加于磁记录介质80 的一部分。例如进行MAMR。
在实施方式中，在第2磁性层22与屏蔽件31之间设置有与屏蔽件31 相接的第1层28。第1层28例如为反铁磁性体层。通过设置第1层28， 例如能抑制屏蔽件31与第2磁性层22之间的动态耦合。认为这是由于： 通过第1层28，屏蔽件31的表面处的磁化的铁磁共振频率和/或阻尼被进 行调制。通过抑制动态耦合，能够降低产生振荡的电流(动作电流)。通过能够降低动作电流而能够使层叠体20小型化，能够减小记录间隙。由此， 例如能够提供能提高记录密度的磁头。
如图13的(b)所示，在实施方式涉及的磁头141b中，层叠体20还 包括屏蔽件侧第2中间层42S。屏蔽件侧第2中间层42S设置在第2磁性 层22与第1层28之间。屏蔽件侧第2中间层42S包含选自Cu、Ag、Au、 Al、Cr、Ru以及Ta中的至少一种。在该例子中，屏蔽件侧第2中间层42S 例如作为使阻尼降低的层来发挥功能。通过设置屏蔽件侧第2中间层42S， 能够进一步降低动作电流。
如图14的(a)所示，在实施方式涉及的磁头141c中，层叠体20还 包括屏蔽件侧第3中间层43S。屏蔽件侧第2中间层42S设置在屏蔽件侧 第3中间层43S与第1层28之间。屏蔽件侧第3中间层43S包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。屏蔽件侧第3中间层43S例如作为对自旋进行衰减(例如消除)的层来发挥功能。通过设 置屏蔽件侧第3中间层43S，能够进一步降低动作电流。
如图14的(b)所示，在实施方式涉及的磁头141d中，层叠体20包 括屏蔽件侧第3中间层43S，屏蔽件侧第2中间层42S被省略。在该结构 中，例如也能够进一步降低动作电流。
图15的(a)、图15的(b)、图16的(a)以及图16的(b)是例示 第2实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图15的(a)、图15的(b)、图16的(a)以及图16的(b)所示， 在实施方式涉及的磁头142a～142d中，层叠体20还包括磁极侧第3中间 层43P。磁极侧第3中间层43P设置在磁极侧第1中间层41P与第1磁性 层21之间。磁极侧第3中间层43P包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种，除此以外，磁头142a～142d具有与磁头 141a～141d同样的结构。磁极侧第3中间层43P例如作为对自旋进行衰减 (例如消除)的层来发挥功能。例如能够进一步降低动作电流。
图17的(a)、图17的(b)、图18的(a)以及图18的(b)是例示 第2实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图17的(a)所示，实施方式涉及的磁头145a包括记录部60。记 录部60包括磁极30、屏蔽件31以及设置在磁极30与屏蔽件31之间的层 叠体20。层叠体20包括第1磁性层21、第2磁性层22、第1层28、第1 中间层41以及第2层29。
第2磁性层22设置在第1磁性层21与磁极30之间。
第1层28设置在磁极30与第2磁性层22之间，与磁极30相接。第 1层28包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr 以及PtCr中的至少一种。第1层28例如为反铁磁性体层。
第1中间层41设置在第1磁性层21与第2磁性层22之间。第1中间 层41包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少 一种。
第2层29设置在第1磁性层21与屏蔽件31之间，与屏蔽件31相接。 第2层29包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr 以及PtCr中的至少一种。第2层29例如为反铁磁性体层。
在磁头145a中，在层叠体20中产生的交流磁场(高频磁场)被施加 于磁记录介质80的一部分。在被施加了的部分中，磁化容易变化。例如进 行MAMR。
在实施方式中，在第2磁性层22与磁极30之间设置有与磁极30相接 的第1层28。例如，能抑制磁极30与第2磁性层22之间的动态耦合。在 第1磁性层21与屏蔽件31之间设置有与屏蔽件31相接的第2层29。例 如，能抑制屏蔽件31与第1磁性层21之间的动态耦合。例如，能够降低 产生振荡的电流(动作电流)。通过能够降低动作电流而能够使层叠体20 小型化，能够减小记录间隙。由此，例如能够提供能提高记录密度的磁头。
如图17的(b)所示的磁头145b那样，层叠体20也可以还包括磁极 侧第2中间层42P。磁极侧第2中间层42P设置在第2磁性层22与第1 层28之间。磁极侧第2中间层42P包含选自Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru 以及Ta中的至少一种。磁极侧第2中间层42P例如作为使阻尼降低的层 来发挥功能。通过设置磁极侧第2中间层42P，能够进一步降低动作电流。
如图18的(a)所示的磁头145c那样，层叠体20也可以还包括磁极 侧第3中间层43P。磁极侧第3中间层43P设置在第1层28与磁极侧第2 中间层42P之间。磁极侧第3中间层43P包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、 Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。磁极侧第3中间层43P例如作为对 自旋进行衰减(例如消除)的层来发挥功能。通过设置磁极侧第3中间层 43P，能够进一步降低动作电流。
如图18的(b)所示的磁头145d那样，层叠体20包括磁极侧第3中 间层43P，磁极侧第2中间层42P也可以被省略。磁极侧第3中间层43P 设置在第2磁性层22与第1层28之间。磁极侧第3中间层43P包含选自 Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
图19的(a)、图19的(b)、图20的(a)以及图20的(b)是例示 第2实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图19的(a)、图19的(b)、图20的(a)以及图20的(b)所示， 在实施方式涉及的磁头146a～146d中，层叠体20还包括屏蔽件侧第2中 间层42S。屏蔽件侧第2中间层42S设置在第1磁性层21与第2层29之 间。屏蔽件侧第2中间层42S包含选自Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta中的至少一种。屏蔽件侧第2中间层42S例如作为使阻尼降低的层来发 挥功能。通过设置屏蔽件侧第2中间层42S，能够进一步降低动作电流。
图21的(a)、图21的(b)、图22的(a)以及图22的(b)是例示 第2实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图21的(a)、图21的(b)、图22的(a)以及图22的(b)所示， 在实施方式涉及的磁头147a～147d中，层叠体20还包括屏蔽件侧第3中 间层43S。屏蔽件侧第3中间层43S设置在第1磁性层21与屏蔽件侧第2 中间层42S之间。屏蔽件侧第3中间层43S包含选自Ta、Pt、W、Ir、 Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。屏蔽件侧第3中间层43S例如 作为对自旋进行衰减(例如消除)的层来发挥功能。通过设置屏蔽件侧第 3中间层43S，能够进一步降低动作电流。
在实施方式中，设置有屏蔽件侧第3中间层43S，屏蔽件侧第2中间 层42S也可以被省略。在该情况下，屏蔽件侧第3中间层43S设置在第1 磁性层21与第2层29之间。屏蔽件侧第3中间层43S包含选自Ta、Pt、 W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。通过设置屏蔽件侧第 3中间层43S，能够进一步降低动作电流。
在第1实施方式和第2实施方式中，第1层28和第2层29中的至少 某一层的厚度(沿着第1方向D1的长度)例如优选为1nm以上且10nm 以下。通过厚度为1nm以上，例如容易得到对磁极30的表面处的磁化的 铁磁共振频率和/或阻尼进行调制的效果。通过厚度为10nm以上，例如能 够抑制记录间隙过宽而写入能力降低。
在第1实施方式中，第1磁性层21的厚度优选为2nm以上且15nm 以下。通过这样的厚度，例如会容易得到由磁化21M反转实现的写入能力 的增强效果。在这样的厚度下，能够抑制记录间隙过宽而写入能力降低。
在第2实施方式中，第1磁性层21的厚度优选为2nm以上且10nm 以下。第2磁性层22的厚度优选为5nm以上且15nm以下。在这样的厚 度下，会容易得到由在层叠体20中产生的交流磁场(高频磁场)实现的写 入能力的增强效果。在这样的厚度下，能够抑制记录间隙过宽而写入能力 降低。
第1中间层41～第5中间层45中的至少某一层的厚度优选为2nm以 上且10nm以下。通过这样的厚度，例如能够切断磁耦合，会容易得到有 效的自旋注入。在这样的厚度下，能够抑制记录间隙过宽而写入能力降低。
以下，对实施方式涉及的磁头以及磁记录介质的例子进行说明。
图23是例示实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图23所示，在实施方式涉及的磁头(例如磁头111)中，从屏蔽件 31朝向磁极30的第1方向D1也可以相对于X轴方向倾斜。第1方向D1 对应于层叠体20的层叠方向。X轴方向沿着磁极30的介质相向面30F。 将第1方向D1与介质相向面30F之间的角度设为角度θ1。角度θ1例如 为15度以上且30度以下。角度θ1也可以为0度。
在第1方向D1相对于X轴方向倾斜的情况下，层的厚度对应于沿着 第1方向D1的长度。第1方向D1相对于X轴方向倾斜的结构可以应用 于第1实施方式或者第2实施方式涉及的任意磁头。
以下，对实施方式涉及的磁头以及磁记录介质的例子进行说明。以下， 对磁头111的例子进行说明。
图24是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
图25是例示实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图24所示，实施方式涉及的磁头111与磁记录介质80一起使用。 实施方式涉及的磁记录装置210包括磁头111和磁记录介质80。在该例子 中，磁头111包括记录部60和再现部70。通过磁头111的记录部60，在 磁记录介质80记录信息。通过再现部70，再现记录于磁记录介质80的信 息。
磁记录介质80例如包括介质基板82和设置在介质基板82上的磁记录 层81。磁记录层81的磁化83由记录部60进行控制。
再现部70例如包括第1再现磁屏蔽件72a、第2再现磁屏蔽件72b以 及磁再现元件71。磁再现元件71设置在第1再现磁屏蔽件72a与第2再 现磁屏蔽件72b之间。磁再现元件71能够输出与磁记录层81的磁化83 相应的信号。
如图24所示，磁记录介质80在介质移动方向85的方向上相对于磁头 111相对地进行移动。通过磁头111，在任意的位置控制与磁记录层81的 磁化83对应的信息。通过磁头111，在任意的位置再现与磁记录层81的 磁化83对应的信息。
如图25所示，在磁头111中设置有线圈30c。从记录电路30D向线圈 30c供给记录电流Iw。从磁极30向磁记录介质80施加与记录电流Iw相 应的记录磁场。
如图25所示，磁极30包括介质相向面30F。介质相向面30F例如是 ABS(AirBearing Surface，空气支承面)。介质相向面30F例如与磁记录 介质80相对向。
将相对于介质相向面30F垂直的方向设为Z轴方向。将相对于Z轴方 向垂直的一个方向设为X轴方向。将相对于Z轴方向和X轴方向垂直的 方向设为Y轴方向。
Z轴方向例如是高度方向。X轴方向例如是下行磁道方向。Y轴方向 例如是交叉磁道方向。
如图25所示，电气电路20D电连接于层叠体20。在该例子，层叠体 20与磁极30以及屏蔽件31电连接。在磁头111设置有第1端子T1和第 2端子T2。第1端子T1经由布线W1以及磁极30与层叠体20电连接。 第2端子T2经由布线W2以及屏蔽件31与层叠体20电连接。从电气电 路20D例如向层叠体20供给电流(例如直流电流)。
如图25所示，在记录部60也可以设置有第2屏蔽件32。在第2屏蔽 件32与屏蔽件31之间设置有磁极30。在屏蔽件31、第2屏蔽件32以及 磁极30的周围设置有绝缘部30i。
实施方式涉及磁记录装置210包括磁头111和通过磁头111记录信息 的磁记录介质80。以下，对实施方式涉及的磁记录装置的例子进行说明。 磁记录装置也可以是磁记录再现装置。磁头也可以包括记录部和再现部。
图26是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
图26例示了头滑块(head slider)。
磁头111设置于头滑块159。头滑块159例如包含Al2O3/TiC等。头滑 块159一边在磁记录介质上悬浮或者与磁记录介质接触，一边相对于磁记 录介质进行相对的运动。
头滑块159例如具有空气流入侧159A和空气流出侧159B。磁头111 配置在头滑块159的空气流出侧159B的侧面等。由此，磁头111一边在 磁记录介质上悬浮或者与磁记录介质接触，一边相对于磁记录介质进行相 对的运动。
图27是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
图28的(a)和图28的(b)是例示实施方式涉及的磁记录装置的一 部分的示意性立体图。
如图27所示，在实施方式涉及的磁记录装置150中使用旋转(rotary) 致动器。记录用介质盘180安装于主轴马达180M。记录用介质盘180利 用主轴马达180M在箭头AR的方向上进行旋转。主轴马达180M对来自 驱动装置控制部的控制信号进行响应。本实施方式涉及的磁记录装置150 也可以具备多个记录用介质盘180。磁记录装置150也可以包括记录介质 181。记录介质181例如是SSD(Solid State Drive，固态驱动器)。记录介 质181例如可使用闪速存储器等的非易失性存储器。例如，磁记录装置150 也可以混合式HDD(Hard DiskDrive)。
头滑块159进行记录于记录用介质盘180的信息的记录和再现。头滑 块159设置在薄膜状的悬架154的前端。在头滑块159的前端附近设置有 实施方式涉及的磁头。
当记录用介质盘180旋转时，由悬架154产生的按压压力和在头滑块159的介质相向面(ABS)产生的压力平衡。头滑块159的介质相向面与 记录用介质盘180的表面之间的距离成为预定的悬浮量。在实施方式中， 头滑块159也可以与记录用介质盘180接触。例如，也可以应用接触走行 型。
悬架154与臂155(例如致动器臂)的一端连接。臂155例如具有线 轴(bobbin)部等。线轴部保持驱动线圈。在臂155的另一端设置有音圈 马达156。音圈马达156是线性马达的一种。音圈马达156例如包括驱动 线圈和磁回路。驱动线圈卷绕于臂155的线轴部。磁回路包括永磁体和相 向磁轭。在永磁体和相向磁轭之间设置有驱动线圈。悬架154具有一端和 另一端。磁头设置在悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
臂155由滚珠轴承保持。滚珠轴承设置在轴承部157的上下的2个部 位。臂155能够利用音圈马达156进行旋转和滑动。磁头能够移动到记录 用介质盘180的任意位置。
图28的(a)例示了磁记录装置的一部分的结构，是头堆叠组件160 的放大立体图。
图28的(b)是例示成为头堆叠组件160的一部分的磁头组件(头万 向架组件：HGA)158的立体图。
如图28的(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、头万向架组 件158以及支承框架161。头万向架组件158从轴承部157延伸。支承框 架161从轴承部157延伸。支承框架161延伸的方向与头万向架组件158 延伸的方向相反。支承框架161对音圈马达156的线圈162进行支承。
如图28的(b)所示，头万向架组件158具有从轴承部157延伸的臂 155和从臂155延伸的悬架154。
在悬架154的前端设置有头滑块159。在头滑块159设置有实施方式 涉及的磁头。
实施方式涉及的磁头组件(头万向架组件)158包括实施方式涉及的 磁头、设置有磁头的头滑块159、悬架154以及臂155。头滑块159设置于 悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
悬架154例如具有信号的记录和再现用的引线(未图示)。悬架154 例如也可以具有用于调整悬浮量的加热器用的引线(未图示)。悬架154 例如也可以具有用于自旋转移矩振荡器用等的引线(未图示)。这些引线与 设置于磁头的多个电极电连接。
在磁记录装置150中设置有信号处理部190。信号处理部190使用磁 头进行对于磁记录介质的信号的记录和再现。信号处理部190中，信号处 理部190的输入输出线，例如连接于头万向架组件158的电极焊盘，与磁 头电连接。
实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁 头、可动部、位置控制部以及信号处理部。可动部能够在使磁记录介质与 磁头分离或者接触的状态下相对地进行移动。位置控制部使磁头对准磁记 录介质的预定记录位置。信号处理部进行使用了磁头的对于磁记录介质的 信号的记录和再现。
例如，使用记录用介质盘180来作为上述的磁记录介质。上述的可动 部例如包括头滑块159。上述的位置控制部例如包括头万向架组件158。
实施方式也可以包括以下的构成(例如技术方案)。
(构成1)
一种磁头，具备记录部，所述记录部包括：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接， 包括选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr 中的至少一种；以及
第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自 由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。
(构成2)
根据构成1所述的磁头，在所述层叠体中流动具有从所述屏蔽件朝向 所述磁极的方向的电流。
(构成3)
一种磁头，具备记录部，所述记录部包括：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，与所述屏蔽件 相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr 以及PtCr中的至少一种；以及
第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，包含选自由 Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。
(构成4)
根据构成3所述的磁头，在所述层叠体中流动具有从所述磁极朝向所 述屏蔽件的方向的电流。
(构成5)
根据构成1～4中任一项所述的磁头，
所述层叠体还包括第2中间层，
所述第2中间层设置在所述第1磁性层与所述第1层之间，包含选自 由Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta构成的第2组中的至少一种。
(构成6)
根据构成5所述的磁头，
所述层叠体还包括第3中间层，
所述第3中间层设置在所述第2中间层与所述第1层之间，包含选自 由Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni构成的第3组中的至少一 种。
(构成7)
根据构成1～4中任一项所述的磁头，
所述层叠体还包括第3中间层，
所述第3中间层设置在所述第1磁性层与所述第1层之间，包含选自 由Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni构成的第3组中的至少一 种。
(构成8)
一种磁头，具备记录部，所述记录部包括：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间；
第1层，其设置在所述第2磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接， 包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr 中的至少一种；
第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，包含 选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种；以及
屏蔽件侧第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间， 包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
(构成9)
根据构成8所述的磁头，在所述层叠体中流动具有从所述屏蔽件朝向 所述磁极的方向的电流。
(构成10)
根据构成8或者9所述的磁头，
所述层叠体还包括屏蔽件侧第3中间层，
所述屏蔽件侧第3中间层设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件侧第1 中间层之间，包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的 至少一种。
(构成11)
根据构成8～10中任一项所述的磁头，
所述层叠体还包括磁极侧第2中间层，
所述磁极侧第2中间层设置在所述第2磁性层与所述第1层之间，包 含选自Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta中的至少一种。
(构成12)
根据构成10所述的磁头，
所述层叠体还包括磁极侧第3中间层，
所述磁极侧第3中间层设置在所述第1层与所述磁极侧第2中间层之 间，包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
(构成13)
根据构成8～11中任一项所述的磁头，
所述层叠体还包括磁极侧第3中间层，
所述磁极侧第3中间层设置在所述第2磁性层与所述第1层之间，包 含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
(构成14)
一种磁头，具备记录部，所述记录部包括：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间；
第1层，其设置在所述第2磁性层与所述屏蔽件之间，与所述屏蔽件 相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；
第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，包含 选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种；以及
磁极侧第1中间层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，包含 选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
(构成15)
根据构成14所述的磁头，在所述层叠体中流动具有从所述磁极朝向所 述屏蔽件的方向的电流。
(构成16)
根据构成14或者15所述的磁头，
所述层叠体还包括磁极侧第3中间层，
所述磁极侧第3中间层设置在所述第1层与所述第1磁性层之间，包 含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
(构成17)
根据构成14～16中任一项所述的磁头，
所述层叠体还包括屏蔽件侧第2中间层，
所述屏蔽件侧第2中间层设置在所述第2磁性层与所述第1层之间， 包含选自Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta中的至少一种。
(构成18)
根据构成17所述的磁头，
所述层叠体还包括屏蔽件侧第3中间层，
所述屏蔽件侧第3中间层设置在所述屏蔽件侧第2中间层与所述第2 磁性层之间，包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的 至少一种。
(构成19)
根据构成14～17中任一项所述的磁头，
所述层叠体还包括磁极侧第3中间层，
所述磁极侧第3中间层设置在所述第2磁性层与所述第1层之间，包
含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
(构成20)
一种磁头，具备记录部，所述记录部包括：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第2磁性层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间；
第1层，其设置在所述磁极与所述第2磁性层之间，与所述磁极相接， 包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr 中的至少一种；
第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，包含 选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种；以及
第2层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，与所述屏蔽件 相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr 以及PtCr中的至少一种。
(构成21)
根据构成20或者21所述的磁头，
所述层叠体还包括磁极侧第2中间层，
所述磁极侧第2中间层设置在所述第2磁性层与所述第1层之间，包 含选自Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta中的至少一种。
(构成22)
根据构成21所述的磁头，
所述层叠体还包括磁极侧第3中间层，
所述磁极侧第3中间层设置在所述第1层与所述磁极侧第2中间层之 间，包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
(构成23)
根据构成20所述的磁头，
所述层叠体还包括磁极侧第3中间层，
所述磁极侧第3中间层设置在所述第2磁性层与所述第1层之间，包 含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
(构成24)
根据构成20～23中任一项所述的磁头，
所述层叠体还包括屏蔽件侧第2中间层，
所述屏蔽件侧第2中间层设置在所述第1磁性层与所述第2层之间， 包含选自Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta中的至少一种。
(构成25)
根据构成24所述的磁头，
所述层叠体还包括屏蔽件侧第3中间层，
所述屏蔽件侧第3中间层设置在所述第1磁性层与所述磁极侧第2中 间层之间，包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至 少一种。
(构成26)
根据构成20～23中任一项所述的磁头，
所述层叠体还包括磁极侧第3中间层，
所述磁极侧第3中间层设置在所述第1磁性层与所述第2层之间，包 含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
(构成27)
根据构成1～26中任一项所述的磁头，所述记录部还包括设置于所述 磁极的线圈。
(构成28)
一种磁记录装置，具备：
构成1～27中任一项所述的磁头；和
磁记录介质，其被通过所述记录部记录信息。
根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。
在本申请说明书中，“垂直”以及“平行”并不仅是严格的垂直以及严格 平行，可以包含例如制造工程中的偏差等，只要实质上垂直以及实质上平 行即可。
以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并 不限定于这些具体例。例如，关于磁头所包含的磁极、屏蔽件、第2屏蔽 件、层叠体、磁性层、非磁性层、层以及布线等的各要素的具体结构，只 要本领域技术人员能够通过从公知的范围中适当地进行选择来同样地实施 本发明、并获得同样的效果，就包含在本发明的范围中。
对于在技术上可行的范围内组合各具体例的任意2个以上的要素而得 到方案，只要包含本发明的宗旨，就也包含在本发明的范围内。
另外，对于本领域技术人员能够基于作为本发明的实施方式所描述过 的磁头以及磁记录装置来适当地进行设计变更而实施的全部磁头以及磁记 录装置，只要包含本发明的宗旨，就也属于本发明的范围。
另外，应该了解到：本领域技术人员能够在本发明的思想的范畴中想 到各种变更例以及修正例，那些变更例以及修正例也属于本发明的范围。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提 示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各 样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、 变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且包含在权 利要求书所记载的发明及其等同的范围内。

Claims (8)

1.一种磁头，具备记录部，所述记录部包括：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；以及
第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种，
所述层叠体还包括第2中间层，
所述第2中间层设置在所述第1磁性层与所述第1层之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta构成的第2组中的至少一种，
所述层叠体还包括第3中间层，
所述第3中间层设置在所述第2中间层与所述第1层之间，包含选自由Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni构成的第3组中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的磁头，
在所述层叠体中流动具有从所述屏蔽件朝向所述磁极的方向的电流。
3.一种磁头，具备记录部，所述记录部包括：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第1层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，与所述屏蔽件相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；以及
第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种，
所述层叠体还包括第2中间层，
所述第2中间层设置在所述第1磁性层与所述第1层之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta构成的第2组中的至少一种，
所述层叠体还包括第3中间层，
所述第3中间层设置在所述第2中间层与所述第1层之间，包含选自由Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni构成的第3组中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的磁头，
在所述层叠体中流动具有从所述磁极朝向所述屏蔽件的方向的电流。
5.一种磁头，具备记录部，所述记录部包括：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间；
第1层，其设置在所述第2磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；
第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种；以及
屏蔽件侧第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种，
所述层叠体还包括磁极侧第2中间层，
所述磁极侧第2中间层设置在所述第2磁性层与所述第1层之间，包含选自Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta中的至少一种，
所述层叠体还包括磁极侧第3中间层，
所述磁极侧第3中间层，设置在所述第1层与所述磁极侧第2中间层之间，包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
6.一种磁头，具备记录部，所述记录部包括：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间；
第1层，其设置在所述第2磁性层与所述屏蔽件之间，与所述屏蔽件相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；
第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种；以及
磁极侧第1中间层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种，
所述层叠体还包括屏蔽件侧第2中间层，
所述屏蔽件侧第2中间层设置在所述第2磁性层与所述第1层之间，包含选自Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta中的至少一种，
所述层叠体还包括屏蔽件侧第3中间层，
所述屏蔽件侧第3中间层设置在所述屏蔽件侧第2中间层与所述第2磁性层之间，包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
7.一种磁头，具备记录部，所述记录部包括：
磁极；
屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第2磁性层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间；
第1层，其设置在所述磁极与所述第2磁性层之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；
第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种；以及
第2层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，与所述屏蔽件相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种，
所述层叠体还包括磁极侧第2中间层，
所述磁极侧第2中间层设置在所述第2磁性层与所述第1层之间，包含选自Cu、Ag、Au、Al、Cr、Ru以及Ta中的至少一种，
所述层叠体还包括磁极侧第3中间层，
所述磁极侧第3中间层设置在所述第1层与所述磁极侧第2中间层之间，包含选自Ta、Pt、W、Ir、Mo、Cr、Tb、Mn以及Ni中的至少一种。
8.一种磁记录装置，具备：
权利要求1所述的磁头；和
磁记录介质，其被通过所述记录部记录信息。
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