CN112599568A - 一种激光切割的面板结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及激光切割的面板结构技术领域，特别涉及一种激光切割的面板结构及其制备方法，包括玻璃基板，玻璃基板的一侧面的非激光切割区域覆盖有遮光层，玻璃基板的一侧面的激光切割区域覆盖有切割金属层，这样使得在镭射切割工艺中，可以先对切割位置的切割金属层通电，使该层金属原子均带上正电荷，当激光切割该区域时，该区域的玻璃裂化形成玻璃颗粒，该玻璃颗粒上均有带正电荷的金属薄膜，在负数离子风的作用下，带正电荷的玻璃颗粒均被吸走，从而减少了镭射切割中玻璃颗粒的残留，提高了切割环境的洁净度提高切割良率。
Description
技术领域
本发明涉及激光切割的面板结构技术领域，特别涉及一种激光切割的面板结构及其制备方法。
背景技术
在有机发光二极管(英文全称为Organic Light Emitting Diode，缩写为OELD)显示面板制作的工序中包含切割磨边的工艺，采用激光切割机对OLED面板内部的线路进行切割，并且往往一张较大的玻璃上制作多个显示屏和触摸屏，在小尺寸面板制作过程中，需要把大尺寸玻璃切割成小单元以便后续的工艺流程的继续，线路板制作工艺复杂和精细，所以采用激光进行切割面板，切割的精度高，切割烧裂的影响小，有利于提高产品良率；
镭射切割机又称为激光切割机，将从激光器发射出的激光，经光路系统，聚焦成高功率密度的激光束。激光束照射到工件表面，使工件表面照射的区域达到熔点或沸点，引起该区域形成热度梯度和机械变形，从而使该工件表面形成裂缝，同时与光束同轴的高压气体将熔化或气化工件材料吹走。
激光切割机在切割玻璃工件时，激光切割机随着激光使用的频率和切割积累的时间，激光的能量会随之衰减，激光的切割效果变差，相同的切割次数，切割的深度变浅，玻璃容易掰裂，产品报废率增高。
激光切割玻璃边际容易发生玻璃碎屑及Micro crack(微观裂缝)的现象，切割留下的颗粒，容易粘连在显示面板之上，影响后续洁净度较高的工艺环境。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种激光切割的面板结构及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种激光切割的面板结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面的非激光切割区域覆盖有遮光层，所述玻璃基板的一侧面的激光切割区域覆盖有切割金属层，所述切割金属层的厚度与遮光层的厚度相同。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种激光切割的面板结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧面的非激光切割区域形成遮光层；
步骤S2、在所述玻璃基板的一侧面的激光切割区域形成切割金属层。
本发明的有益效果在于：
通过在玻璃基板的一侧面的非激光切割区域覆盖有遮光层，玻璃基板的一侧面的激光切割区域覆盖有切割金属层，这样使得在镭射切割工艺中，可以先对切割位置的切割金属层通电，使该层金属原子均带上正电荷，当激光切割该区域时，该区域的玻璃裂化形成玻璃颗粒，该玻璃颗粒上均有带正电荷的金属薄膜，在负数离子风的作用下，带正电荷的玻璃颗粒均被吸走，从而减少了镭射切割中玻璃颗粒的残留，提高了切割环境的洁净度提高切割良率；本方案设计的激光切割的面板结构可以避免镭射切割产生的玻璃碎屑粘连在显示面板之内，减少切裂玻璃颗粒对后续制程的影响，也可以减少激光能量的浪费，延长激光切割机的使用寿命，提高切割效果，提高产品良率。
附图说明
图1为根据本发明的一种激光切割的面板结构的结构示意图；
图2为根据本发明的一种激光切割的面板结构的制备方法的步骤流程图；
标号说明：
1、玻璃基板；2、遮光层；3、切割金属层；4、缓冲层；5、有源层；6、栅极绝缘层；7、栅极金属层；8、钝化层；9、源漏极金属层；10、平坦层；11、电极层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种激光切割的面板结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面的非激光切割区域覆盖有遮光层，所述玻璃基板的一侧面的激光切割区域覆盖有切割金属层，所述切割金属层的厚度与遮光层的厚度相同。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在玻璃基板的一侧面的非激光切割区域覆盖有遮光层，玻璃基板的一侧面的激光切割区域覆盖有切割金属层，这样使得在镭射切割工艺中，可以先对切割位置的切割金属层通电，使该层金属原子均带上正电荷，当激光切割该区域时，该区域的玻璃裂化形成玻璃颗粒，该玻璃颗粒上均有带正电荷的金属薄膜，在负数离子风的作用下，带正电荷的玻璃颗粒均被吸走，从而减少了镭射切割中玻璃颗粒的残留，提高了切割环境的洁净度提高切割良率；本方案设计的激光切割的面板结构可以避免镭射切割产生的玻璃碎屑粘连在显示面板之内，减少切裂玻璃颗粒对后续制程的影响，也可以减少激光能量的浪费，延长激光切割机的使用寿命，提高切割效果，提高产品良率。
进一步的，所述切割金属层的厚度范围为0.1μm-0.15μm。
由上述描述可知，将切割金属层的厚度范围设为0.1μm-0.15μm，能够进一步提高切割效果，提高产品良率。
进一步的，所述遮光层远离玻璃基板的一侧面上依次层叠设有缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、钝化层、源漏极金属层、平坦层和电极层，所述缓冲层中开设有第一过孔，所述钝化层上开设有第二过孔，所述第二过孔与第一过孔相对设置且相通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有源漏极金属层，所述第一过孔中的源漏极金属层。
进一步的，所述切割金属层的材质为钼。
请参照图2，本发明提供的另一种技术方案：
一种激光切割的面板结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧面的非激光切割区域形成遮光层；
步骤S2、在所述玻璃基板的一侧面的激光切割区域形成切割金属层。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
本方案设计的激光切割的面板结构的制备方法可以避免镭射切割产生的玻璃碎屑粘连在显示面板之内，减少切裂玻璃颗粒对后续制程的影响，也可以减少激光能量的浪费，延长激光切割机的使用寿命，提高切割效果，提高产品良率。
进一步的，还包括以下步骤：
步骤S3、形成缓冲层，且覆盖于所述遮光层表面；在所述缓冲层中形成第一过孔；
步骤S4、形成有源层，且覆盖于所述缓冲层表面；
步骤S5、形成栅极绝缘层，且覆盖于所述有源层表面；在所述栅极绝缘层中形成第二过孔，所述第二过孔与第一过孔相对设置且相通；
步骤S6、形成栅极金属层，且覆盖于所述栅极绝缘层表面；
步骤S7、形成钝化层，且覆盖于所述栅极金属层表面；
步骤S8、在所述第一过孔和第二过孔中形成源漏极金属层；
步骤S9、形成平坦层，且分别覆盖于所述源漏极金属层和钝化层表面；
步骤S10、形成电极层，且覆盖于所述平坦层表面。
进一步的，所述切割金属层的厚度范围为0.1μm-0.15μm。
由上述描述可知，将切割金属层的厚度范围设为0.1μm-0.15μm，能够进一步提高切割效果，提高产品良率。
进一步的，所述切割金属层的材质为钼。
请参照图1，本发明的实施例一为：
一种激光切割的面板结构，包括玻璃基板1，所述玻璃基板1的一侧面的非激光切割区域覆盖有遮光层2，所述玻璃基板1的一侧面的激光切割区域覆盖有切割金属层3，所述切割金属层3的厚度与遮光层2的厚度相同。
所述切割金属层3的厚度范围为0.1μm-0.15μm，优选为0.12μm。
所述遮光层2远离玻璃基板1的一侧面上依次层叠设有缓冲层4、有源层5、栅极绝缘层6、栅极金属层7、钝化层8、源漏极金属层9、平坦层10和电极层11，所述缓冲层4中开设有第一过孔，所述钝化层8上开设有第二过孔，所述第二过孔与第一过孔相对设置且相通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有源漏极金属层9，所述第一过孔中的源漏极金属层9。
所述切割金属层3的材质不限于钼，金属铬等黑色吸光材料。
所述缓冲层4的材料不限于氧化硅和氮化硅，其厚度范围为0.3μm-0.5μm，优选为0.4μm；
所述有源层5的材料不限于IGZO、IGZTO和石墨烯，其厚度范围为0.03μm-0.06μm，优选为0.04μm；
所述栅极绝缘层6的材料不限于氧化硅，其厚度范围0.1μm-0.2μm，优先为0.15μm；
所述栅极金属层7的材料不限于Mo/Cu，MoTi/Cu叠层，其中Mo或者MoTi厚度范围为0.02μm-0.05μm，优选为0.03μm，其中Cu的厚度范围为0.4μm-0.6μm，优先为0.5μm；
所述钝化层8的材料不限于氧化硅和氮化硅，其厚度范围为0.3μm-0.5μm，优选为0.4μm；
所述平坦层10的材料不限于氧化硅和淡化硅，其厚度范围为0.3μm-0.5μm，优选为0.4μm；
所述电极层11的材料不限于ITO、AZO和IZO，其厚度范围为0.05μm-0.08μm，优选为0.075μm；
通过在玻璃基板1的一侧面的非激光切割区域覆盖有遮光层2，玻璃基板1的一侧面的激光切割区域覆盖有切割金属层3，这样使得在镭射切割工艺中，可以先对切割位置的切割金属层3通电，使该层金属原子均带上正电荷，当激光切割该区域时，该区域的玻璃裂化形成玻璃颗粒，该玻璃颗粒上均有带正电荷的金属薄膜，在负数离子风的作用下，带正电荷的玻璃颗粒均被吸走，从而减少了镭射切割中玻璃颗粒的残留，提高了切割环境的洁净度提高切割良率。
请参照图2，本发明的实施例二为：
一种激光切割的面板结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板1，在所述玻璃基板1的一侧面的非激光切割区域形成遮光层2；
步骤S2、在所述玻璃基板1的一侧面的激光切割区域形成切割金属层3。
还包括以下步骤：
步骤S3、形成缓冲层4，且覆盖于所述遮光层2表面；在所述缓冲层4中形成第一过孔；
步骤S4、形成有源层5，且覆盖于所述缓冲层4表面；
步骤S5、形成栅极绝缘层6，且覆盖于所述有源层5表面；在所述栅极绝缘层6中形成第二过孔，所述第二过孔与第一过孔相对设置且相通；
步骤S6、形成栅极金属层7，且覆盖于所述栅极绝缘层6表面；
步骤S7、形成钝化层8，且覆盖于所述栅极金属层7表面；
步骤S8、在所述第一过孔和第二过孔中形成源漏极金属层9；
步骤S9、形成平坦层10，且分别覆盖于所述源漏极金属层9和钝化层8表面；
步骤S10、形成电极层11，且覆盖于所述平坦层10表面。
所述切割金属层3的厚度范围为0.1μm-0.15μm，优选为0.12μm。
所述切割金属层3的材质不限于钼，金属铬等黑色吸光材料。
上述的激光切割的面板结构的制备方法的具体实施例为：
在玻璃基板1上沉积一层遮光层2，该遮光层2的材料不限于钼，其厚度范围为0.1μm-0.2μm，优选为0.15μm，该金属钼经过曝光蚀刻形成图案，再在金属钼上沉积一层缓冲层4，该缓冲层4的材料不限于氧化硅和氮化硅，其厚度范围为0.3μm-0.5μm，优选为0.4μm，再在缓冲层4上通过PVD机台溅射一层金属氧化物(即有源层5)，该金属氧化物的材料不限于IGZO、IGZTO和石墨烯，其厚度范围为0.03μm-0.06μm，优选为0.04μm，经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案化有源层5，再在有源层5上通过PECVD机台沉积一层栅极绝缘层6，其材料不限于氧化硅，其厚度范围0.1μm-0.2μm，优先为0.15μm，再在栅极绝缘层6上通过PVD机台沉积一层栅极金属层7，该栅极金属层7的材料不限于Mo/Cu，MoTi/Cu叠层，其中Mo或者MoTi厚度范围为0.02μm-0.05μm，优选为0.03μm，其中Cu的厚度范围为0.4μm-0.6μm，优先为0.5μm，然后在栅极金属层7上通过PECVD机台沉积一层钝化层8，该钝化层8的材料不限于氧化硅和氮化硅，其厚度范围为0.3μm-0.5μm，优选为0.4μm，将钝化层8开孔，通过PVD机台溅射一层源漏极金属层9，源漏极金属层9经过曝光和蚀刻形成金属源极和金属漏极，然后再在源漏极金属层9上沉积一层平坦层10，该平坦层10的材料不限于氧化硅和淡化硅，其厚度范围为0.3μm-0.5μm，优选为0.4μm，平坦层10经过开孔，最后通过PVD机台沉积一层电极层11，其中电极层11的材料不限于ITO、AZO和IZO，其厚度范围为0.05μm-0.08μm，优选为0.075μm，其中切割金属层3可与栅极金属层7或源漏极金属层9或遮光层2中的任意一层同时沉积，其厚度也要和同时沉积的金属层相同。
综上所述，本发明提供的一种激光切割的面板结构及其制备方法，通过在玻璃基板的一侧面的非激光切割区域覆盖有遮光层，玻璃基板的一侧面的激光切割区域覆盖有切割金属层，这样使得在镭射切割工艺中，可以先对切割位置的切割金属层通电，使该层金属原子均带上正电荷，当激光切割该区域时，该区域的玻璃裂化形成玻璃颗粒，该玻璃颗粒上均有带正电荷的金属薄膜，在负数离子风的作用下，带正电荷的玻璃颗粒均被吸走，从而减少了镭射切割中玻璃颗粒的残留，提高了切割环境的洁净度提高切割良率；本方案设计的激光切割的面板结构可以避免镭射切割产生的玻璃碎屑粘连在显示面板之内，减少切裂玻璃颗粒对后续制程的影响，也可以减少激光能量的浪费，延长激光切割机的使用寿命，提高切割效果，提高产品良率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种激光切割的面板结构，其特征在于，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面的非激光切割区域覆盖有遮光层，所述玻璃基板的一侧面的激光切割区域覆盖有切割金属层，所述切割金属层的厚度与遮光层的厚度相同。
2.根据权利要求1所述的激光切割的面板结构，其特征在于，所述切割金属层的厚度范围为0.1μm-0.15μm。
3.根据权利要求1所述的激光切割的面板结构，其特征在于，所述遮光层远离玻璃基板的一侧面上依次层叠设有缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、钝化层、源漏极金属层、平坦层和电极层，所述缓冲层中开设有第一过孔，所述钝化层上开设有第二过孔，所述第二过孔与第一过孔相对设置且相通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有源漏极金属层，所述第一过孔中的源漏极金属层。
4.根据权利要求1所述的激光切割的面板结构，其特征在于，所述切割金属层的材质为钼。
5.一种权利要求1所述的激光切割的面板结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧面的非激光切割区域形成遮光层；
步骤S2、在所述玻璃基板的一侧面的激光切割区域形成切割金属层。
6.根据权利要求5所述的激光切割的面板结构的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
步骤S3、形成缓冲层，且覆盖于所述遮光层表面；在所述缓冲层中形成第一过孔；
步骤S4、形成有源层，且覆盖于所述缓冲层表面；
步骤S5、形成栅极绝缘层，且覆盖于所述有源层表面；在所述栅极绝缘层中形成第二过孔，所述第二过孔与第一过孔相对设置且相通；
步骤S6、形成栅极金属层，且覆盖于所述栅极绝缘层表面；
步骤S7、形成钝化层，且覆盖于所述栅极金属层表面；
步骤S8、在所述第一过孔和第二过孔中形成源漏极金属层；
步骤S9、形成平坦层，且分别覆盖于所述源漏极金属层和钝化层表面；
步骤S10、形成电极层，且覆盖于所述平坦层表面。
7.根据权利要求5所述的激光切割的面板结构的制备方法，其特征在于，所述切割金属层的厚度范围为0.1μm-0.15μm。
8.根据权利要求5所述的激光切割的面板结构的制备方法，其特征在于，所述切割金属层的材质为钼。
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