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CN112534384B - 带检测装置的显示设备 - Google Patents

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CN112534384B CN201980049898.2A CN201980049898A CN112534384B CN 112534384 B CN112534384 B CN 112534384B CN 201980049898 A CN201980049898 A CN 201980049898A CN 112534384 B CN112534384 B CN 112534384B
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Abstract

带检测装置的显示设备具有：基板，具有第一主表面和在与第一主表面相反的一侧的第二主表面；多个无机发光元件，在基板的显示区域中设置在第一主表面侧；第一电极，隔着无机发光元件与基板的第一主表面对置；第一平坦化层，设置在基板与第一电极之间，且至少覆盖无机发光元件的侧面；以及第二电极，与基板的第二主表面对置，且输出与第二电极与第一电极之间的距离的变化相应的信号。

Description

带检测装置的显示设备
技术领域
本发明涉及带检测装置的显示设备。
背景技术
近年来，使用无机发光二极管(微型LED(micro LED))作为显示元件的无机EL显示器受到关注(例如，参照专利文献1)。无机EL显示器在阵列基板上排列有射出不同颜色的光的多个发光元件。无机EL显示器由于使用自发光元件，所以不需要光源，另外，不经由滤色器射出光，所以光的利用效率高。另外，与使用有机发光二极管(OLED：Organic LightEmitting Diode)作为显示元件的有机EL显示器相比，无机EL显示器的耐环境性优异。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特表2017-529557号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在无机EL显示器中，要求具备检测手指等与输入面的接触或接近的触摸检测、检测施加于输入面的按压力的力检测等功能。
本发明的目的在于，提供能够适当地检测力的带检测装置的显示设备。
用于解决技术问题的方案
本发明的一方式的带检测装置的显示设备具有：基板，具有第一主表面和在与所述第一主表面相反的一侧的第二主表面；多个无机发光元件，在所述基板的显示区域中设置于所述第一主表面侧；第一电极，隔着所述无机发光元件与所述基板的所述第一主表面对置；第一平坦化层，设置在所述基板与所述第一电极之间，且至少覆盖所述无机发光元件的侧面；以及第二电极，与所述基板的所述第二主表面对置，且输出与所述第二电极与所述第一电极之间的距离的变化相应的信号。
附图说明
图1为示出第一实施方式涉及的带检测装置的显示设备的构成的框图。
图2为示出第一实施方式涉及的带检测装置的显示设备的显示装置、检测装置及控制部的构成的框图。
图3为示出第一实施方式涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。
图4为示意性示出第一实施方式涉及的显示装置的俯视图。
图5为示出多个像素的俯视图。
图6为沿着图4的Pa-Pb-Pc线的剖面图。
图7为示意性地示出第一实施方式涉及的检测装置的俯视图。
图8为示出第一电极与发光元件的关系的俯视图。
图9为示出第一实施方式涉及的发光元件的剖面图。
图10为示出第一实施方式涉及的带检测装置的显示设备的动作例的定时波形图。
图11为示意性地示出第一实施方式的第一变形例涉及的检测装置的俯视图。
图12为示出第一实施方式的第一变形例涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。
图13为示出第一实施方式的第二变形例涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。
图14为示出第一实施方式的第三变形例涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。
图15为示意性地示出第一实施方式的第四变形例涉及的检测装置的俯视图。
图16为示出第二实施方式涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。
图17为示出第二实施方式涉及的发光元件的剖面图。
图18为示出第三实施方式涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。
具体实施方式
参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不限定于在以下的实施方式中所记载的内容。另外，以下所记载的构成要素中包括本领域技术人员能够容易想到的要素、实质上相同的要素。而且，以下所记载的构成要素能够适宜地组合。需要说明的是，公开仅仅是一个例子，对于本领域技术人员在保持发明主旨下能够容易想到的适宜的变更当然也包括在本发明的范围内。另外，附图有时为了使说明更加明确而与实际的方式相比示意性地示出各部分的宽度、厚度、形状等，但是仅仅是一个例子，并不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，存在对与前面就已出现过的图描述过的内容同样的要素标注相同的附图标记并适宜地省略详细说明的情况。
(第一实施方式)
图1为第一示出实施方式的带检测装置的显示设备的构成的框图。如图1所示，带检测装置的显示设备1包括显示装置2、检测装置5以及控制部CTRL。
检测装置5包括触摸检测部51和力检测部52。需要说明的是，力检测部52是兼用为构成触摸检测部51的基板或电极、以及构成和显示装置2的基板或电极的至少一部分的装置。
触摸检测部51检测被检测物OBJ对带检测装置的显示设备1的输入面IS的接触或接近。触摸检测部51将与被检测物OBJ对在与输入面IS垂直的方向上重叠的区域的接触或接近对应的信号输出至控制部CTRL。需要说明的是，输入面IS是与形成检测装置5的传感器基体53平行的平面，例如是盖部件100的表面。
被检测物OBJ可以是与输入面IS接触而变形的第一种类的物品，也可以是即便与输入面IS接触也不变形或者与第一种类的物品相比变形相对较少的第二种类的物品。第一种类的物品例示有手指，但不限定于此。第二种物品例示有树脂或金属的触控笔，但并不限定于此。
对于触摸检测部51例示有静电电容方式传感器或电阻膜方式传感器，但不限定于这些。静电电容方式例示有互静电电容方式或自静电电容方式。
显示装置2朝向输入面IS侧显示图像。显示装置2是使用无机发光二极管(LED：Light Emitting Diode)作为显示元件的微型LED(Micro LED)显示装置或min-LED显示装置。显示元件是在俯视下具有3μm以上且300μm以下程度的大小的微型LED芯片。需要说明的是，微型LED的微型并不限定显示元件的大小。
力检测部52对施加于被检测物OBJ的输入面IS的按压力进行检测。具体而言，力检测部52将与被检测物OBJ施加于输入面IS的按压力相应的信号输出到控制部CTRL。对于力检测部52例示有静电电容方式传感器。
控制部CTRL根据从力检测部52输出的信号计算表示力的力信号值。控制部CTRL包括显示控制部11、检测控制部4以及主机HST。检测控制部4包括触摸检测控制部40和力检测控制部48。
显示控制部11例示有安装在显示装置2的基板上的IC芯片(例如驱动IC200)。检测控制部4例示有安装在与传感器基体53连接的印刷基板(例如柔性印刷基板)上的IC芯片。主机HST示例有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)。显示控制部11、检测控制部4及主机HST协作控制触摸检测部51、显示装置2以及力检测部52。需要说明的是，构成显示控制部11的IC芯片可以安装在与显示装置2的基板连接的印刷基板上，显示控制部11及检测控制部4也可以内置在一个IC芯片内。
用于计算力信号值的处理在控制部CTRL中可以由显示控制部11执行，也可以由检测控制部4执行，也可以由主机HST执行。另外，也可以显示控制部11、检测控制部4以及主机HST之中的两个以上协作执行。
图2为示出第一实施方式涉及的带检测装置的显示设备的显示装置、检测装置及控制部的构成的框图。如图2所示，控制部CTRL包括显示控制部11、栅极驱动器12、源极驱动器13、源极选择器部13S以及检测控制部4。带检测装置的显示设备1是在显示装置2上安装有触摸检测部51的装置。需要说明的是，作为显示装置2使用的基板、电极等的一部分部件也可以兼用作为用作触摸检测部51使用的基板、电极等的一部分部件。另外，栅极驱动器12、源极驱动器13、源极选择器部13S中的至少任一个可以内置于显示控制部11的IC芯片内，也可以设置在构成显示装置2的基板上。
显示装置2是按照从栅极驱动器12供给的扫描信号Vscan逐水平线地依次扫描而进行显示的装置。显示控制部11是控制栅极驱动器12、源极驱动器13以及检测控制部4的电路(控制装置)。显示控制部11根据从主机HST供给的影像信号Vdisp分别向栅极驱动器12、源极驱动器13以及检测控制部4提供控制信号。另外，显示控制部11根据一水平线的视频信号Vdisp生成通过将像素信号Vpix时分复用而得的图像信号SIG，并提供给源极驱动器13。
栅极驱动器12是根据从显示控制部11供给的控制信号依次选择显示装置2的、成为显示驱动的对象的一水平线的电路。换言之，是向显示装置2所包括的栅极线之中被选择为显示驱动的对象的栅极线供给扫描信号Vscan的电路。
源极驱动器13是根据从显示控制部11供给的控制信号向显示装置2的各像素Pix供给像素信号Vpix的电路。例如将6比特的R(红)、G(绿)及B(蓝)的图像信号SIG给予源极驱动器13。
源极驱动器13从显示控制部11接收图像信号SIG，并提供给源极选择器部13S。另外，源极驱动器13生成为了将被多路复用为图像信号SIG的像素信号Vpix分离而需要的开关控制信号SEL，并与图像信号SIG一起供给至源极选择器部13S。源极选择器部13S具有多个开关元件，从源极驱动器13接收开关控制信号SEL和图像信号SIG，生成像素信号Vpix，并提供给显示装置2。源极选择器部13S能够减少源极驱动器13与显示控制部11之间的布线数。也可以没有源选择器部13S。也就是说，可以从显示控制单元11直接向源极驱动器13供给像素信号Vpix。另外，源极驱动器13的一部分控制可以由显示控制部11进行，也可以只配置源极选择器部13S。
检测控制部4包括第一驱动电极驱动器14。第一驱动电极驱动器14是根据从检测定时控制部46供给的控制信号向检测装置5的驱动电极Tx供给触摸驱动信号Vtxd的电路。触摸驱动信号Vtxd例如是规定的频率(例如数kHz～数百kHz的程度)的交流矩形波。需要说明的是，触摸驱动信号Vtxd的交流波形也可以是正弦波或三角波。另外，当触摸检测控制部40进行自静电电容方式的触摸检测动作时，第一驱动电极驱动器14向驱动电极Tx或检测电极Rx1中的任一方提供触摸驱动信号Vtxd。
检测控制部4包括第二驱动电极驱动器15。第二驱动电极驱动器15是根据从检测定时控制部46供给的控制信号向检测装置5的驱动电极Tx或检测电极Rx1的至少一方供给第二驱动信号Vd的电路。另外，在力检测控制部48进行自静电电容方式的力检测动作时，第二驱动电极驱动器15也可以向第二电极Rx2供给第二驱动信号Vd。
触摸检测部51按照从第一驱动电极驱动器14供给的触摸驱动信号Vtxd，逐个检测块地依次扫描以进行触摸检测。触摸检测部51例如是静电电容方式的触摸面板。触摸检测部51具有第一电极54(驱动电极Tx以及检测电极Rx1(参照图7))，并供给与伴随手指等外部物体接近或接触的驱动电极Tx与检测电极Rx1之间的电容变化对应的触摸检测信号Vdet1。触摸检测部51执行互静电电容方式的触摸检测以及自静电电容方式的触摸检测两者。或者，触摸检测部51也可以执行互静电电容方式的触摸检测以及自静电电容方式的触摸检测中的任意一者。
力检测部52按照从第二驱动电极驱动器15供给的第二驱动信号Vd进行互静电电容方式或自静电电容方式的力检测，第二电极Rx2(参照图6)输出力检测信号Vdet2。
检测控制部4根据从显示控制部11供给的控制信号和从触摸检测部51供给的触摸检测信号Vdet1检测有无对输入面IS的触摸。需要说明的是，在本说明书中，触摸表示被检测部OBJ处于接触状态或者接近状态。另外，检测控制部4根据从力检测部52供给的力检测信号Vdet2检测对输入面IS的按压力。并且，检测控制部4是在有触摸的情况下求出触摸检测区域中的该触摸的坐标以及接触面积等的电路。
检测控制部4包括第一检测信号放大部41、第二检测信号放大部42、第一A/D转换部43-1、第二A/D转换部43-2、信号处理部44、坐标提取部45以及检测定时控制部46。信号处理部44包括触摸检测处理部441和力检测处理部442。第一检测信号放大部41、第一A/D转换部43-1、坐标提取部45以及触摸检测处理部441构成触摸检测控制部40。第一检测信号放大部41、第二检测信号放大部42、第一A/D转换部43-1、第二A/D转换部43-2以及力检测处理部442构成力检测控制部48。
第一检测信号放大部41例如是积分电路，放大从触摸检测部51供给的触摸检测信号Vdet1。第一A/D转换部43-1在与触摸驱动信号Vtxd同步的定时，分别对从第一检测信号放大部41输出的模拟信号进行采样并转换成数字信号。
第二检测信号放大部42例如是积分电路，放大从力检测部52供给的力检测信号Vdet2。第二A/D转换部43-2在与第二驱动信号Vd同步的定时，分别对从第二检测信号放大部42输出的模拟信号进行采样并转换为数字信号。
信号处理部44是根据第一A/D转换部43-1的输出信号进行检测有无对输入面IS的触摸的检测处理、以及根据第二A/D转换部43-2的输出信号进行检测对输入面IS的按压力的力检测处理的逻辑电路。信号处理部44进行取出基于手指的检测信号的差分的信号(绝对值|ΔV|)的处理。信号处理部44将绝对值|ΔV|与规定的阈值电压进行比较，如果该绝对值|ΔV|小于阈值电压，则判断为被检测体是非接触状态。另一方面，如果绝对值|ΔV|在阈值电压以上，则信号处理部44判断为被检测体的接触状态或接近状态。另外，信号处理部44根据绝对值|ΔV|计算对输入面IS的按压力。信号处理部44将对输入面IS的按压力输出为力检测值Fcor。
坐标提取部45是当在信号处理部44中检测到触摸及对输入面IS的按压力中的至少任一方时，求出输入面IS中的触摸检测位置的坐标的逻辑电路。坐标提取部45将触摸检测位置的坐标输出为输出信号Vout。需要说明的是，触摸检测控制部40也可以不具有坐标提取部45，不计算触摸检测位置的坐标，而是将触摸检测信号Vdet1输出为输出信号Vout。触摸检测控制部40也可以将输出信号Vout输出到显示控制部11。显示控制部11能够根据输出信号Vout执行规定的显示动作或检测动作。
将从坐标提取部45输出的输出信号Vout输入到力检测控制部48。力检测控制部48也可以使用从坐标提取部45输出的输出信号Vout来校正力检测值Fcor。
接着，详细说明本实施方式的带检测装置的显示设备1的构成例。图3为示出第一实施方式涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。图4为示意性地示出第一实施方式涉及的显示装置的俯视图。图5为示出多个像素的俯视图。图6为沿着图4的Pa-Pb-Pc线的剖面图。图7为示意性地示出第一实施方式涉及的检测装置的俯视图。图8为示出第一电极与发光元件的关系的俯视图。
如图3所示，带检测装置的设备1层叠有显示装置2、检测装置5、盖部件100。盖部件100覆盖检测装置5所包括的第一电极54、传感器基体53以及显示装置2，并设置在带检测装置的显示设备1的最外侧表面。盖部件100的上表面是输入面IS。盖部件100例如是具有透光性的玻璃基板或树脂基板。
在本说明书中，在显示装置2的与基板21的表面垂直的方向上，将从基板21朝向输入面IS的方向设为“上侧”。另外，将从输入面IS朝向基板21的方向设为“下侧”。另外，“俯视”表示从与基板21的表面垂直的方向观察的情况。
需要说明的是，第一方向Dx和第二方向Dy是与基板21的表面平行的方向。第一方向Dx与第二方向Dy正交。但是，第一方向Dx也可以不与第二方向Dy正交地相交。第三方向Dz是与第一方向Dx和第二方向Dy正交的方向。换言之，第三方向Dz是与基板21的表面垂直的方向。
显示装置2具有阵列基板20、设置在阵列基板20之上的多个发光元件3以及第一平坦化层27。如图4所示，显示装置2具有设置于阵列基板20的像素Pix，像素Pix矩阵状地配置于显示区域AA。另外，栅极驱动器12、驱动IC(Integrated Circuit：集成电路)200以及阴极布线26配置在阵列基板20上。阵列基板20是用于驱动各像素Pix的驱动电路基板，也称为背板或有源矩阵基板。阵列基板20设有基板21、第一晶体管Tr1、第二晶体管Tr2等、栅极线晶体管TrG、各种布线等。第一晶体管Tr1、第二晶体管Tr2等是与像素Pix对应设置的开关元件。栅极线晶体管TrG是栅极驱动器12所包括的开关元件。
如图4所示，显示装置2具有显示区域AA和周边区域GA。显示区域AA是与多个像素Pix重叠配置并显示图像的区域。周边区域GA是不与多个像素Pix重叠的区域，配置在显示区域AA的外侧。
多个像素Pix在基板21的显示区域AA中沿第一方向Dx和第二方向Dy排列。多个像素Pix分别具有发光元件3，通过对每个发光元件3射出不同颜色的光来显示图像。
栅极驱动器12是根据来自驱动IC200的各种控制信号来驱动多个栅极线的电路。栅极驱动器12依次或同时选择多条栅极线，并向所选择的栅极线供给栅极驱动信号。由此，栅极驱动器12选择连接于栅极线的多个像素Pix。
驱动IC200是控制显示装置2的显示的电路。换言之，驱动IC200作为显示控制部11发挥功能。驱动IC200也可以作为COG(Chip On Glass：玻璃上芯片)而安装于基板21的周边区域GA。不限于此，驱动IC200也可以作为COF(Chip On Film：膜上芯片)安装在与基板21的周边区域GA连接的柔性印刷基板、刚性基板之上。
阴极布线26设置于基板21的周边区域GA。阴极布线26被以包围显示区域AA的多个像素Pix以及周边区域GA的栅极驱动器12的方式设置。换言之，阴极布线26配置在基板21的最外缘与栅极驱动器12之间。多个发光元件3的阴极连接于共同的阴极布线26，例如从阴极布线26供给基准电位(接地电位)。需要说明的是，阴极布线26也可以在局部具有狭缝，在基板21上由两个不同的布线形成。另外，在本实施方式中，阴极布线26与驱动IC200连接，但不限于此，也可以从在与基板21连接的控制部基板上配置的电源供给电路不经由驱动IC200而直接供给基准电位。
如图5所示，各像素Pix具有发光元件3、第二连接电极23以及像素电路28。多个发光元件3包括与像素Pix对应设置并射出不同颜色的光的第一发光元件3R、第二发光元件3G及第三发光元件3B。第一发光元件3R射出红色的光。第二发光元件3G射出绿色的光。第三发光元件3B射出蓝色的光。需要说明的是，在以下的说明中，在无需区分说明第一发光元件3R、第二发光元件3G及第三发光元件3B的情况下，仅表示为发光元件3。需要说明的是，多个发光元件3也可以射出四种颜色以上的不同的光。
具有第一发光元件3R的像素Pix、具有第二发光元件3G的像素Pix以及具有第三发光元件3B的像素Pix按该顺序在第一方向Dx上重复排列。即，第一发光元件3R、第二发光元件3G及第三发光元件3B按该顺序在第一方向Dx上重复排列。第一发光元件3R、第二发光元件3G及第三发光元件3B分别在第二方向Dy上排列有多个。也就是说，在图5所示的例子中，各发光元件3与在第一方向Dx上射出不同颜色的光的其他发光元件3相邻配置，在第二方向Dy上与射出相同颜色的光的其他发光元件3相邻配置。
需要说明的是，各像素Pix的配置不限于图5所示的例子。例如，具有第二发光元件3G的像素Pix和具有第三发光元件3B的像素Pix也可以在第二方向Dy上相邻配置。而且，也可以是在该第二方向Dy上相邻的两个像素Pix相对于具有第一发光元件3R的一个像素Pix在第一方向Dx上相邻配置。在该情况下，第一发光元件3R和第二发光元件3G在第一方向Dx上相邻配置，第二发光元件3G和第三发光元件3B在第二方向Dy上相邻配置。需要说明的是，第一发光元件3R也可以与第三发光元件3B在第一方向Dx上相邻配置。
如图5所示，第二连接电极23在从与基板21垂直的方向(以下表示为第三方向Dz)观察时，具有比发光元件3大的面积。需要说明的是，在图5中，发光元件3的外形表示下表面的外形。换言之，从第三方向Dz观察时，第二连接电极23具有比发光元件3的下表面大的面积。第二连接电极23采用对光进行反射的金属材料。第二连接电极23使从发光元件3射出的光中由第一平坦化层27的表面、盖部件100等反射而朝向阵列基板20的光朝向输入面IS反射。由此，带检测装置的显示设备1能够提高从发光元件3射出的光的利用效率。作为第二连接电极23的材料，例如可以列举出铝(Al)或者铝合金材料、铜(Cu)、铜合金材料等银(Ag)或者银合金材料。
图5所示的像素电路28是驱动发光元件3的驱动电路。像素电路28包括与发光元件3对应设置的多个第一晶体管Tr1、第二晶体管Tr2(参照图6)等。
如图6所示，发光元件3设置在阵列基板20之上。阵列基板20的基板21具有第一主表面21a和在与第一主表面21a相反的一侧的第二主表面21b。发光元件3设置在基板21的第一主表面21a侧。基板21是绝缘基板，例如使用了玻璃基板、树脂基板或树脂膜等。
第一晶体管Tr1和第二晶体管Tr2与各像素Pix对应设置。第一晶体管Tr1和第二晶体管Tr2是由薄膜晶体管构成的晶体管，在该例子中，由n沟道的MOS(Metal OxideSemiconductor：金属氧化物半导体)型的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)构成。第一晶体管Tr1包括半导体61、源极电极62、漏极电极63、第一栅极电极64A以及第二栅极电极64B。第一栅极电极64A隔着第一绝缘层91设置在基板21之上。第一绝缘层91至第四绝缘层94、第六绝缘层96、第七绝缘层97使用了氧化硅膜(SiO)、氮化硅膜(SiN)或者氮氧化硅膜(SiON)等无机绝缘材料。另外，各无机绝缘层不限于单层，也可以是层叠膜。
第二绝缘层92以覆盖第一栅极电极64A的方式设置在第一绝缘层91之上。半导体61设置在第二绝缘层92之上。第三绝缘层93以覆盖半导体61的方式设置于第二绝缘层92之上。第二栅极电极64B设置于第三绝缘层93之上。半导体61在与基板21垂直的方向上设置在第一栅极电极64A与第二栅极电极64B之间。在半导体61的与第一栅极电极64A及第二栅极电极64B重叠的部分形成有沟道区域。
在图6所示的例子中，第一晶体管Tr1是所谓的双栅极构造。但是，第一晶体管Tr1可以是设置有第一栅极电极64A而未设置第二栅极电极64B的底栅级构造，也可以是未设置第一栅极电极64A而只设置有第二栅极电极64B的顶栅级构造。
半导体61例如由非晶硅、微晶氧化物半导体、非晶氧化物半导体、多晶硅、低温多晶硅(以下表示为LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicone)或氮化镓(GaN)构成。作为氧化物半导体，可例示出IGZO、ZnO、ITZO。
第四绝缘层94以覆盖第二栅极电极64B的方式设置在第三绝缘层93之上。源极电极62和漏极电极63设置于第四绝缘层94之上。在本实施方式中，源极电极62经由接触孔H5与半导体61电连接。漏极电极63经由接触孔H3与半导体61电连接。
第五绝缘层95以覆盖源极电极62和漏极电极63的方式设置在第四绝缘层94之上。第五绝缘层95是有机绝缘膜，是使由第一晶体管Tr1、各种布线形成的凹凸平坦化的平坦化层。
第二晶体管Tr2包括半导体65、源极电极66、漏极电极67、第一栅极电极68A以及第二栅极电极68B。第二晶体管Tr2具有与第一晶体管Tr1类似的层构成，因此省略详细说明。第二晶体管Tr2的漏极电极67经由接触孔H8与连接布线69连接。连接布线69形成利用了与半导体61之间的第三绝缘层93的保持电容CS1。
需要说明的是，半导体65、源极电极66、漏极电极67、第一栅极电极68A以及第二栅极电极68B分别设置于与第一晶体管Tr1的半导体61、源极电极62、漏极电极63、第一栅极电极64A以及第二栅极电极64B相同的层，但也可以设置于不同的层。
栅极线晶体管TrG包括半导体71、源极电极72、漏极电极73、第一栅极电极74A以及第二栅极电极74B。栅极线晶体管TrG是栅极驱动器12所包括的开关元件。栅极线晶体管TrG也具有与第一晶体管Tr1类似的层构成，从而省略详细说明。需要说明的是，构成栅极线晶体管TrG的各层可以设置在与构成第一晶体管Tr1的各层相同的层，也可以设置在不同的层。
发光元件3隔着第六绝缘层96设置在第五绝缘层95之上。在第六绝缘层96之上设置第七绝缘层97。第一平坦化层27以覆盖发光元件3的至少侧面3a的方式设置在第七绝缘层97之上。发光元件3是阳极端子23t设置在下侧且阴极端子22t设置在上侧的所谓面朝上方构造。第二连接电极23是与发光元件3的阳极端子23t连接的阳极电极。第二连接电极23设置在第六绝缘层96之上，并经由接触孔H7与第三连接电极24连接。第三连接电极24设置在第五绝缘层95之上，并经由接触孔H2与漏极电极63连接。这样，第二连接电极23和第三连接电极24对发光元件3的阳极端子23t与第一晶体管Tr1的漏极电极63连接。另外，第四连接电极25设置在与第三连接电极24相同的层，并经由接触孔H4与源极电极62连接。
另外，第四连接电极25在第五绝缘层95上延伸，在第三方向Dz上隔着第六绝缘层96与第二连接电极23对置。由此，在第二连接电极23与第四连接电极25之间形成电容。形成于第二连接电极23与第四连接电极25之间的电容被用作像素电路28的保持电容。这样，第二连接电极23兼作对光进行反射的反射板和电容CS2的电极。
发光元件3的阴极端子22t从第一平坦化层27的表面露出。第一连接电极22设置在第一平坦化层27之上，与多个发光元件3的阴极端子22t连接。第一连接电极22是与发光元件3的阴极端子22t连接的阴极电极。另外，第一连接电极22从显示区域AA延伸至周边区域GA。第一连接电极22在设置于第一平坦化层27和第五绝缘层95的接触孔H1的底部与阴极布线26电连接。由此，各发光元件3的阴极经由第一连接电极22与阴极布线26电连接。
在显示装置2中，阵列基板20包括从基板21到第二连接电极23的各层。阵列基板20不包括第一平坦化层27、发光元件3及第一连接电极22。
如图3和图6所示，在显示装置2的上侧设置有检测装置5。检测装置5具有传感器基体53和设置于传感器基体53的第一电极54。如图6所示，传感器基体53和第一电极54隔着发光元件3与基板21的第一主表面21a对置设置。传感器基体53通过粘接层99而贴合在显示装置2的第一连接电极22之上。粘接层99例如可以使用光学用粘合树脂片(OCA：OpticalClear Adhesive：光学透明粘合剂)。传感器基体53例如使用具有透光性的膜状的树脂。需要说明的是，传感器基体53只要是能够通过施加于输入面IS的按压变形的材料即可，例如也可以是玻璃基板。
如图7所示，第一电极54包括多个驱动电极Tx和多个检测电极Rx1。在多个驱动电极Tx和多个检测电极Rx1之间形成静电电容。多个驱动电极Tx和多个检测电极Rx1设置于检测装置5的检测区域GA。在本实施方式中，检测装置5的检测区域GA与显示装置2的显示区域AAA重叠设置。即，多个驱动电极Tx和多个检测电极Rx1与显示装置2的多个发光元件3重叠地配置。
驱动电极Tx中的每一个包括多个第一电极部55和多个第一连接部56。多个第一电极部55彼此分开地排列在第一方向Dx上。在第一方向Dx上相邻的第一电极部55通过第一连接部56连接。多个驱动电极Tx分别沿第一方向Dx延伸，并沿第二方向Dy排列。
另外，检测电极Rx1包括多个第二电极部57和多个第二连接部58。多个第二电极部57相互分离地沿第二方向Dy排列。在第二方向Dy上相邻的第二电极部57通过第二连接部58连接。多个检测电极Rx1分别在第二方向Dy上延伸，并沿第一方向Dx排列。另外，第二连接部58在俯视观察时与第一连接部56相交。
第一电极部55、第二电极部57、第一连接部56及第二连接部58可以使用ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等透光性的导电材料。另外，第一电极部55、第二电极部57、第一连接部56和第二连接部58中的至少任一个可以由金属材料或使用以上述材料为主成分的合金材料的多个金属细线构成。例如，在用ITO形成第一电极部55和第二电极部57的情况下，形成矩形的瓷砖状，在用金属细线形成第一电极部55和第二电极部57的情况下，也可以将各电极部设为具有多个开口部的网状的形状。
驱动电极Tx和检测电极Rx1设置于同一传感器基体53。第一电极部55和第二电极部57既可以隔着绝缘层设置在不同的层，也可以设置在同一层。在设置于同一层的情况下，各电极部以至少在第二连接部58与第一连接部56相交的部分使第二连接部58与第一连接部56隔着绝缘层桥接的方式连接。
驱动电极Tx经由布线L1与端子部201连接。另外，检测电极Rx1经由布线L2连接于端子部201。端子部201具有与第一连接部件110电连接的多个端子。
如图8所示，驱动电极Tx的第一电极部55与多个像素Pix重叠设置。需要说明的是，在图8中示出了驱动电极Tx与发光元件3的关系，但图8的说明还能够应用与检测电极Rx1的第二电极部57同样的构成。在驱动电极Tx的第一电极部55设置有多个开口55a。多个开口55a设置于像素Pix之中与发光元件3重叠的部分。像素Pix之中未设置发光元件3的部分与驱动电极Tx重叠。由此，来自发光元件3的光通过开口55a从输入面IS射出。因此，带检测装置的显示设备1能够提高光的利用效率。需要说明的是，在图8中，虽然以一个开口55a与相邻的多个像素Pix的发光元件3对置的方式配置，但不限定于此。也可以对应每个发光元件3，以各自不同的开口对置的方式配置。
另外，如图7所示，检测装置5包括第二电极Rx2。在图7中，用双点划线示出第二电极Rx2。第二电极Rx2与驱动电极Tx和检测电极Rx1重叠，且遍布检测区域DA的整个面设置。也就是说，第二电极Rx2设置在与显示装置2的全部的发光元件3重叠的区域。
如图3和图6所示，第二电极Rx2隔着阵列基板20和发光元件3与第一电极54对置。如图6所示，第二电极Rx2设置在基板21的第二主表面21b。另外，在第二电极Rx2的下表面设置有保护第二电极Rx2的保护层98。由此，多个驱动电极Tx和多个检测电极Rx1中的至少一方与第二电极Rx2之间形成静电电容。多个驱动电极Tx和多个检测电极Rx1的至少一方与第二电极Rx2构成图1和图2所示的力检测部52。
第二电极Rx2相对于发光元件3设置在输入面IS的相反侧。因此，第二电极Rx2的材料可以是ITO等透光性的导电材料，也可以是以铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)等为成分的金属材料、以及以上述材料为主成分的合金材料。
另外，第二电极Rx2也可以是抑制光反射的反射抑制层。由此，能够抑制从发光元件3射出的光之中被盖部件100、第一电极54反射的反射光被第二电极Rx2再次反射。因此，带检测装置的显示设备1能够抑制来自发光元件3的光在带检测装置的显示设备1的内部多次反射。因此，带检测装置的显示设备1能够抑制在显示不同颜色的相邻的像素Pix间光发生颜色混合。
在这种情况下，使用光学浓度(OD：Optical density)高的金属以作为第二电极Rx2的材料。作为OD值高的金属，可举出钼(Mo)、铬(Cr)、钨(W)等。第二电极Rx2也可以是以这些金属材料为主成分的合金材料。或者，第二电极Rx2可以使用包含碳黑、石墨等碳系粒子的导电性树脂。或者，第二电极Rx2也可以是以铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)等为成分的金属材料与黑色化膜的层叠构造。作为黑色化膜，可举出铁的氧化物(磁铁矿型四氧化三铁)、或铜与铬的复合氧化物、或铜、铬、锌的复合氧化物等。
如图6所示，第一连接部件110与传感器基体53连接，与第一电极54(驱动电极Tx和检测电极Rx1)电连接。第一连接部件110例如是柔性印刷基板。第一连接部件110具有：经由端子部201与第一电极54连接的主部111A、和从主部111A分支并与第二电极Rx2电连接的分支部111B。第一连接部件110安装有检测IC300(检测控制部4)来作为COF(Chip On Film：覆晶薄膜)。另外，检测IC300也可以安装在与第一连接部件110连接的其他控制基板上。需要说明的是，第一连接部件110可以是刚性基板，也可以是刚性柔性基板。第二连接部件211与基板21连接，与驱动IC200电连接。第一连接部件110与第二连接部件211电连接。
由检测装置5检测出的触摸检测信号Vdet1从检测电极Rx1经由第一连接部件110输出到检测IC300。另外，由检测装置5检测出的力检测信号Vdet2从第二电极Rx2经由第一连接部件110输出至检测IC300。
在本实施方式中，基板21是玻璃基板。另外，如图3所示，带检测装置的显示设备1被组装入壳体210。壳体210支承基板21的第二主表面21b。因此，即使在向输入面IS施加按压的情况下，也能够抑制基板21变形。
另一方面，盖部件100是比基板21薄的玻璃基板或树脂膜，与基板21相比，容易因向输入面IS的按压而变形。另外，传感器基体53是例如使用了丙烯酸树脂、环氧树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、环烯烃聚合物(COP)等树脂的膜材料。这些材料是与在施加相同的按压时形成基板21的材料(玻璃)相比容易变形的材料。因此，传感器基体53与基板21相比，容易因向输入面IS的按压而变形。
另外，第一平坦化层27的硬度比基板21的硬度小。作为第一平坦化层27的材料，例如使用丙烯酸树脂、聚硅氧烷、聚硅氮烷、环氧树脂或者硅酮树脂等。这些材料是在施加相同的按压时与形成基板21的材料(玻璃)相比容易变形的材料。
通过这样的构成，在对输入面IS施加了按压的部位，盖部件100和传感器基体53以朝向基板21弯曲的方式变形，第一平坦化层27弹性变形。另外，基板21的变形量比盖部件100、传感器基体53及第一平坦化层27小。因此，多个驱动电极Tx和多个检测电极Rx1与第二电极Rx2的距离根据施加于输入面IS的按压发生变化。由此，多个驱动电极Tx及多个检测电极Rx1与第二电极Rx2的静电电容发生变化。第二电极Rx2将与多个驱动电极Tx及多个检测电极Rx1与第二电极Rx2的距离对应的信号作为力检测信号Vdet2输出。力检测控制部48能够基于力检测信号Vdet2检测施加于输入面IS的按压力。力检测控制部48既可以以互电容方式进行力检测，也可以以自电容方式进行力检测。
另外，第一电极54(驱动电极Tx以及检测电极Rx1)的电阻值例如为300Ω，远小于发光元件3断开(不发光)时的电阻值(例如1013Ω左右)。由于在发光元件3的输入面IS侧设置有第一电极54，所以当静电进入输入面IS时，静电在第一电极54中传导。并且，静电经由第一连接部件110流到电源、GND等固定电位并放电。由此，带检测装置的显示设备1能够抑制静电进入发光元件3。
同样地，第二电极Rx2可以使用具有比基板21更良好的导电性的金属材料。因此，在静电从第二主表面21b进入的情况下，静电也会在第二电极Rx2中传导。并且，静电经由第一连接部件110流动到电源、GND等固定电位并放电。这样，带检测装置的显示设备1通过设置第一电极54和第二电极Rx2，能够抑制发光元件3因静电而损伤。
图9为示出第一实施方式涉及的发光元件的剖面图。如图9所示，发光元件3具有多个部分发光元件3s、覆盖多个部分发光元件3s的保护层39、p型电极37以及n型电极38。多个部分发光元件3s在p型电极37与n型电极38之间分别形成为柱状。多个部分发光元件3s具有n型包覆层33、活性层34以及p型包覆层35。n型电极38与n型包覆层33电连接。p型电极37与p型包覆层35电连接。在p型电极37之上依次层叠p型包覆层35、活性层34、n型包覆层33。
n型包覆层33、活性层34及p型包覆层35是发光层，例如，使用氮化镓(GaN)、磷化铝铟(AlInP)等化合物半导体。
n型电极38是ITO等透光性的导电性材料。n型电极38具有发光元件3的阴极端子22t，并与第一连接电极22连接。另外，p型电极37具有发光元件3的阳极端子23t，并具有Pt层和通过电镀形成的厚膜Au层。阳极端子23t(厚膜Au层)通过载置面23a与第二连接电极23连接。
保护层39例如为SOG(Spin on Glass：旋涂玻璃)。保护层39的侧面成为发光元件3的侧面3a。第一平坦化层27以分别与保护层39的侧面相接的方式设置在第一连接电极22与第七绝缘层97之间。图9所示的发光元件3的构成只不过是一个例子，例如可以是所谓的倒装构造。
图10为示出第一实施方式涉及的带检测装置的显示设备的动作例的定时波形图。在图10中，作为带检测装置的显示设备1的动作例，说明同步执行显示装置2的显示和检测装置5的触摸检测及力检测的情况。如图10所示，在显示装置2的一帧期间1F、即显示一画面的影像信息所需的时间中，带检测装置的显示设备1将显示、触摸检测以及力检测分别分割为多次来进行。带检测装置的显示设备10分时地进行显示期间、触摸检测期间、力检测期间。需要说明的是，显示、触摸检测以及力检测也可以按任何方式分开进行。
若控制信号TS-VD变为接通(高电平电压)，则开始一帧期间1F。控制信号TS-HD在一帧期间1F重复接通(高电平电压)和断开(低电平电压)，在控制信号TS-HD接通的期间内执行触摸检测或力检测，在断开的期间内执行显示。
一帧期间1F由多个显示期间PdN(N＝1、2、……n)、多个触摸检测期间PtM(M＝1、2、……m)以及多个力检测期间Pf1、Pf2、Pf3构成。这些的各期间在时间轴上按照力检测期间Pf1、显示期间Pd1、触摸检测期间Pt1、显示期间Pd2、触摸检测期间Pt2、显示期间Pd3、……的方式交替配置。
显示控制部11通过栅极驱动器12和源极驱动器13将像素信号Vpix供给至在各显示期间PdN所选择的像素Pix(参照图4)。图10示出了选择RGB的三种颜色的选择信号SELR/G/B以及每种颜色的图像信号SIGn。根据选择信号SELR/G/B，选择对应的各像素Pix，并将每种颜色的图像信号SIGn供给至所选择的像素Pix。在各个显示期间PdN显示通过将一个画面的影像信号Vdisp进行n分割而得的图像，在显示期间Pd1、Pd2、……Pdn显示一个画面的影像信息。检测装置5的驱动电极Tx以及检测电极Rx1在显示期间PdN不被供给触摸驱动信号Vtxd等信号，例如连接于接地电位。或者，驱动电极Tx以及检测电极Rx1也可以是不被供给电压信号而电位未被固定的浮动状态。
在触摸检测期间PtM中，触摸检测控制部40向第一驱动电极驱动器14输出控制信号。第一驱动电极驱动器14向驱动电极Tx供给触摸驱动信号Vtxd。通过被检测物OBJ对输入面IS的接触或者接近，产生驱动电极Tx与检测电极Rx1之间的电容变化。检测电极Rx1输出与驱动电极Tx和检测电极Rx1之间的电容变化相应的触摸检测信号Vdet1。
检对测装置5以自电容方式进行力检测的情况进行说明。在力检测期间Pf1、Pf2、Pf3中，力检测控制部48向第二驱动电极驱动器15输出控制信号。第二驱动电极驱动器15向第二电极Rx2供给第二驱动信号Vd。第二电极Rx2输出与多个驱动电极Tx与第二电极Rx2的电容变化对应的力检测信号Vdet2。力检测控制部48基于从第二电极Rx2供给的力检测信号Vdet2，进行输入到输入面IS的力的运算。另外，第二驱动电极驱动器15在力检测期间Pf1、Pf2、Pf3中向检测电极Rx1供给保护信号Vsgl。优选保护信号Vsgl为与第二驱动信号Vd具有相同振幅、相同频率的波形，但也可以具有不同的振幅。
检测装置5也可以以互电容方式进行力检测。在以互电容方式进行力检测的情况下，在力检测期间Pf1、Pf2、Pf3中，力检测控制部48向第二驱动电极驱动器15输出控制信号。第二驱动电极驱动器15向驱动电极Tx供给第二驱动信号Vd。第二电极Rx2基于互电容方式，输出与多个驱动电极Tx与第二电极Rx2的电容变化对应的力检测信号Vdet2。第二驱动电极驱动器15在力检测期间Pf1、Pf2、Pf3中，向驱动电极Tx及检测电极Rx1中的未加入第二驱动信号Vd的检测电极Rx1供给保护信号Vsgl。由此能够抑制驱动电极Tx与检测电极Rx1的电容耦合。另外，第二驱动电极驱动器15也可以向检测电极Rx1供给第二驱动信号Vd，向驱动电极Tx供给保护信号Vsgl。
需要说明的是，带检测装置的显示设备1也可以不同步地执行显示装置2的显示和检测装置5的触摸检测及力检测。在非同步的情况下，在与显示装置2进行显示的期间相同的期间，检测装置5能够执行检测。在这种情况下，检测装置5也可以分时地进行触摸检测和力检测。
(第一变形例)
图11为示意性地示出第一实施方式的第一变形例涉及的检测装置的俯视图。图12为示出第一实施方式的第一变形例涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。需要说明的是，在以下的说明中，对于上述实施方式中说明的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。
如图11所示，在传感器基体53的周边区域G设置有连接端子201A。连接端子201A与端子部201电连接。如图12所示，在带检测装置的显示设备1A中设置有贯通显示装置2的贯通孔HA。贯通孔HA设置于周边区域GA，贯通基板21、各绝缘层、第一平坦化层27、粘接层99及传感器基体53。
贯通孔HA能够通过从基板21的第二主表面21b侧照射激光而形成。作为激光光源，只要能够对玻璃材料及有机系材料进行开孔加工即可，例如可以使用二氧化碳激光装置、准分子激光装置。另外，贯通孔HA除了激光的照射以外，也可以适宜地利用蚀刻等其他工艺形成。
在贯通孔HA的内部设置有导电体112。导电体112的上部与连接端子201A相接，导电体112的下部与第二电极Rx2相接。导电体112例如使用铜(Cu)、银(Ag)等具有良好的导电性的金属材料或以这些金属材料为主成分的合金材料。由此，第二电极Rx2通过连接端子201A、贯通孔HA及导电体112与第一连接部件110电连接。本变形例的带检测装置的显示设备10A能够简化第一连接部件110的构成，也能够削减第一连接部件110的分支部111B与第二电极Rx2的连接工序。换言之，带检测装置的显示设备1A不需要设置对第一连接部件110的基板21的第二方向Dy上的侧面进行覆盖的分支部111B，相应地，能够实现第二方向Dy上的小型化。另外，与将第一连接部件110分别设置于第一电极54和第二电极Rx2的情况相比，带检测装置的显示设备1A能够抑制第一连接部件110彼此接触，能够减小收纳第一连接部件110的空间。
需要说明的是，导电体112不限于填充于贯通孔HA的内部的构成，只要至少能够沿着贯通孔HA的内周面在厚度方向上接通地设置即可。
(第二变形例)
图13为示出第一实施方式的第二变形例涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。与图11同样，带检测装置的显示设备1B在传感器基体53的周边区域GA设置有连接端子201A。另外，如图13所示，带检测装置的设备1B具有设置于显示装置2的侧面的导电体113。导电体113覆盖基板21的第二主表面21b的端部，并与第二电极Rx2电连接。另外，导电体113设置于基板21、各绝缘层、第一平坦化层27、粘接层99及传感器基体53的侧面，并与连接端子201A电连接。
导电体113可使用包含铜(Cu)、银(Ag)等金属材料的导电糊剂。导电体113可以使用分配器等涂布形成。通过从分配器等喷出导电糊剂，从而沿着显示装置2的侧面形成导电体113。带检测装置的显示设备10B与第一变形例相比，不需要对基板21进行贯通孔HA的加工，能够降低制造成本。
(第三变形例)
图14为示出第一实施方式的第三变形例涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。带检测装置的显示设备1C具有第二平坦化层99A。第二平坦化层99A设置在第一连接电极22之上。即，第二平坦化层99A设置在第一平坦化层27与传感器基体53之间，并覆盖发光元件3的上表面。第二平坦化层99A使用在向输入面IS施加按压力的情况下比第一平坦化层27更容易变形的树脂材料。例如，在第一平坦化层27的弹性模量为20MPa左右的情况下，第二平坦化层99具有200MPa左右的弹性模量。
这样，通过在第一电极54与基板21及第二电极Rx2之间设置多个树脂层，从而盖部件100、第一电极54、传感器基体53等部件变得容易根据施加于输入面IS的按压力变形。因此，带检测装置的显示设备1C能够提高力检测的检测精度。
(第四变形例)
图15为示意性地示出第一实施方式的第四变形例涉及的检测装置的俯视图。在本变形例的检测装置5A中，多个检测电极Rx1A矩阵状地配置于检测区域DA。检测电极Rx1A兼用作驱动电极Tx。多个检测电极RxlA分别经由布线L3与端子部201电连接。
本变形例的检测装置5A通过自电容方式进行触摸检测。即，在触摸检测期间PtM中，第一驱动电极驱动器14向检测电极Rx1A供给触摸驱动信号Vtxd。检测电极Rx1A由于接触或接近的被检测物OBJ的存在而发生电容变化。检测电极Rx1A分别输出对应于电容变化的触摸检测信号Vdet1。
另外，在以互电容方式进行力检测的情况下，与图10同样，第二驱动电极驱动器15向检测电极Rx1A供给第二驱动信号Vd。第二电极Rx2基于互电容方式，输出与检测电极Rx1A与第二电极Rx2的电容变化对应的力检测信号Vdet2。第二驱动电极驱动器15也可以在力检测期间Pf1、Pf2、Pf3中向检测电极Rx1之中未加入第二驱动信号Vd的检测电极Rx1A供给保护信号Vsgl。
(第二实施方式)
图16为示出第二实施方式涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。图17为示出第二实施方式涉及的发光元件的剖面图。在本实施方式的带检测装置的显示设备1D中，发光元件3A是所谓的倒装构造。即，发光元件3A的阳极端子23t和阴极端子22t设置在基板21侧。如图16所示，第一连接电极22及第二连接电极23设置在基板21与发光元件3A之间。第一连接电极22与发光元件3A的阴极端子22t连接。第一连接电极22经由设置在第六绝缘层96上的布线，与阴极布线26电连接。另外，第二连接电极23与发光元件3A的阳极端子23t连接。另外，第一平坦化层27以覆盖发光元件3A的侧面3a及上表面的方式设置在第七绝缘层97之上。
如图17所示，发光元件3A按照缓冲层32、n型包覆层33、活性层34、p型包覆层35、p型电极36的顺序层叠在透光性基板31之上。发光元件3A被以透光性基板31为上侧、p型电极36为下侧的方式安装。另外，在n型包覆层33中，在与第一连接电极22对置的面侧设置有从活性层34露出的区域。在该区域设置有n型电极38。
p型电极36由反射来自发光层的光的具有金属光泽的材料形成。p型电极36包括阳极端子23t，并通过凸块39A与作为阳极电极的第二连接电极23连接。n型电极38包括阴极端子22t，并通过凸块39B与作为阴极电极的第一连接电极22连接。在发光元件3A中，p型包覆层35与n型包覆层33不直接接合，而是在其间导入有其他层(发光层(活性层34))。由此，能够使电子或空穴这样的载流子集中在发光层之中，能够高效地再结合(发光)。为了实现高效率化，也可以采用通过周期性地层叠由数个原子层构成的阱层和阻挡层而得的多量子阱构造(MQW构造)作为发光层。在这样的具有面倒装构造的发光元件3A的带检测装置的显示设备1D中，也与上述的第一实施方式同样地能良好地进行力检测。
(第三实施方式)
图18为示出第三实施方式涉及的带检测装置的显示设备的简要剖面构造的剖面图。如图18所示，在本实施方式的带检测装置的显示设备1E中，检测装置5具有传感器基体53和设置于传感器基体53的检测电极Rx1B。检测装置5仅设置检测电极Rx1B来作为第一电极54，而未设置驱动电极Tx。检测电极Rx1B连续设置于检测区域DA的整个面。在这种情况下，检测装置5也可以不进行触摸检测，带检测装置的设备1E也可以不具有触摸检测控制部40。需要说明的是，如图8所示，第一电极54也可以在与发光元件3对置的区域具有开口55a。
检测电极Rx1B隔着阵列基板20、发光元件3及第一平坦化层27与第二电极Rx2对置设置。由此，与上述的例子相同，检测装置5B至少能够进行力检测。带检测装置的显示设备1E例如也能够应用于可穿戴终端、智能手表等。
以上，对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不限定于这样的实施方式。实施方式所公开的内容只不过是一个例子，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变更。关于在不脱离本发明的主旨的范围内进行的适当的变更，当然也属于本发明的技术范围。在不脱离上述的各实施方式以及各变形例的主旨的范围内，能够进行构成要素的各种省略、置换以及变更中的至少一个。
附图标记说明
1、1A、1B、1C、1D、1E 带检测装置的显示设备
2 显示装置
3、3A 发光元件
4 检测控制部
5、5A、5B 检测装置
11 显示控制部
20 阵列基板
21 基板
22 第一连接电极
23 第二连接电极
24 第三连接电极
25 第四连接电极
26 阴极布线
27 第一平坦化层
28 像素电路
40 触摸检测控制部
48 力检测控制部
51 触摸检测部
52 力检测部
53 传感器基体
99A 第二平坦化层
100 盖部件
110 第一连接部件
112、113 导电体
200 驱动IC
Pix 像素
Rx1、Rx1A、Rx1B 检测电极
Rx2 第二电极
Tx 驱动电极

Claims (12)

1.一种带检测装置的显示设备，具有：
基板，具有第一主表面和在与所述第一主表面相反的一侧的第二主表面；
多个无机发光元件，在所述基板的显示区域中设置于所述第一主表面侧；
第一电极，隔着所述无机发光元件与所述基板的所述第一主表面对置；
第一平坦化层，设置在所述基板与所述第一电极之间，且至少覆盖所述无机发光元件的侧面；以及
第二电极，与所述基板的所述第二主表面对置，所述第二电极与所述基板的所述第二主表面直接接触设置，且输出与所述第二电极与所述第一电极之间的距离的变化相应的信号，
所述第一平坦化层是硬度比所述基板小的材料，能够通过施加于输入面的按压而变形，
所述第一电极与所述第二电极的距离根据所述第一平坦化层的变形的情况而变化。
2.根据权利要求1所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述带检测装置的显示设备具有：
传感器基体，与所述基板的所述第一主表面对置，且设置有所述第一电极；以及
连接部件，连接至所述传感器基体并与所述第一电极电连接。
3.根据权利要求2所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述连接部件具有与所述第一电极连接的主部和从所述主部分支并与所述第二电极电连接的分支部。
4.根据权利要求2所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述带检测装置的显示设备具有：
贯通孔，设置在所述显示区域的外侧的周边区域，并贯通所述基板及所述第一平坦化层；以及
导电体，设置在所述贯通孔的内部，并电连接所述第二电极与所述连接部件。
5.根据权利要求2所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述带检测装置的显示设备具有导电体，所述导电体设置在所述基板的所述第二主表面及侧面，并电连接所述第二电极与所述连接部件。
6.根据权利要求1所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述第二电极是抑制光反射的反射抑制层。
7.根据权利要求1所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述带检测装置的显示设备具有第二平坦化层，所述第二平坦化层设置在所述第一平坦化层与所述第一电极之间，并覆盖所述无机发光元件的上表面。
8.根据权利要求1所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述第一电极具有多个驱动电极和多个检测电极，
所述检测电极输出与所述驱动电极与所述检测电极之间的静电电容相应的信号。
9.根据权利要求1所述的带检测装置的显示设备，其中，
在所述第一电极在与所述无机发光元件重叠的部分设置有开口。
10.根据权利要求1所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述第二电极被以覆盖所述基板的与所述显示区域重叠的区域的整个面的方式设置。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述带检测装置的显示设备具有：
第一连接电极，与所述无机发光元件的阴极端子连接；以及
第二连接电极，与所述无机发光元件的阳极端子连接，
所述第一连接电极及所述第二连接电极设置在所述基板与所述无机发光元件之间。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述带检测装置的显示设备具有：
第一连接电极，与所述无机发光元件的阴极端子连接；以及
第二连接电极，与所述无机发光元件的阳极端子连接，
所述第一连接电极设置在所述无机发光元件及所述第一平坦化层之上，
所述第二连接电极设置在所述基板与所述无机发光元件之间。
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