CN112259590B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 251
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，提出一种显示面板及其制备方法、显示装置，该显示面板包括背板、第一电极、辅助层、像素界定层、发光层组、第二电极和辅助电极；第一电极设于背板的一侧，第一电极的远离背板的一面为第一平面；辅助层设于背板的与第一电极相同的一侧，辅助层的远离背板的一面为第二平面，第二平面与第一平面共面，或第二平面比第一平面更远离背板；像素界定层设于辅助层的远离背板的一侧；发光层组设于第一电极的远离背板的一侧；第二电极设于发光层组的远离背板的一侧；辅助电极设于第二电极的远离背板的一侧，且辅助电极在背板上的正投影位于像素界定层在背板上的正投影内。该显示面板的像素界定层不会产生褶皱不良，亮度较均匀。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及该显示面板的制备方法、包括该显示面板的显示装置。
背景技术
相比LCD(Liquid Crystal Display，液晶)显示，OLED(OrganicElectroluminesence Display，有机发光半导体)显示具有自发光、高发光效率、低工作电压、轻薄、可柔性化以及制程工艺简单等特点，在显示照明等领域应用广泛。OLED显示根据出光面的不同分为顶发射和底发射两种，由于顶发射OLED具有高的开口率，被广泛关注和研究。
顶发射OLED器件主要包括透明阴极、有机功能层和反射阳极，有机功能层发出的光必须穿过透明阴极，因此透明阴极需要做得很薄才能实现高透过率，但是透明阴极变薄之后，面电阻很大，电压降特别明显，造成显示时的亮度不均匀。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的阴极电阻较大的不足，提供一种阴极电阻较小的显示面板及该显示面板的制备方法、包括该显示面板的显示装置。
本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本发明的实践而习得。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：
背板；
第一电极，设于所述背板的一侧，所述第一电极的远离所述背板的一面为第一平面；
辅助层，设于所述背板的与所述第一电极相同的一侧，所述辅助层的远离所述背板的一面为第二平面，所述第二平面与所述第一平面共面，或所述第二平面比所述第一平面更远离所述背板；
像素界定层，设于所述辅助层的远离所述背板的一侧；
发光层组，设于所述第一电极的远离所述背板的一侧，所述发光层组至少覆盖所述第一电极；
第二电极，设于所述发光层组的远离所述背板的一侧；
辅助电极，设于所述第二电极的远离所述背板的一侧，且所述辅助电极在所述背板上的正投影位于所述像素界定层在所述背板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中，所述辅助层与所述第一电极同层同材料设置，且与所述第一电极之间设置有间隙。
在本公开的一种示例性实施例中，所示背板包括：
绝缘层，在所述绝缘层上设置有凹槽以及突出部，所述第一电极设置在所述凹槽内。
在本公开的一种示例性实施例中，所述突出部形成所述辅助层，或所述显示面板还包括：
增高层，设于所述突出部的远离所述背板的一侧，所述增高层与所述突出部形成所述辅助层，所述增高层与所述第一电极同层同材料设置，且与所述第一电极之间设置有间隙。
在本公开的一种示例性实施例中，所述发光层组覆盖所述第一电极以及所述像素界定层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：
保护层，设于所述辅助电极的远离所述背板的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中，所述像素界定层的高度大于等于3微米且小于等于5微米。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板的制备方法，包括：
提供一背板，在所述背板的同一侧形成第一电极和辅助层，所述第一电极的远离所述背板的一面为第一平面，所述辅助层的远离所述背板的一面为第二平面，所述第二平面与所述第一平面共面，或所述第二平面比所述第一平面更远离所述背板；
在所述辅助层的远离所述背板的一侧形成像素界定层；
在所述第一电极的远离所述背板的一侧形成发光层组，所述发光层组至少覆盖所述第一电极；
在所述发光层组的远离所述背板的一侧形成第二电极；
在所述第二电极的远离所述背板的一侧形成辅助电极，且所述辅助电极在所述背板上的正投影位于所述像素界定层在所述背板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述第二电极的远离所述背板的一侧形成辅助电极，包括：
提供一基板，在所述基板上形成辅助电极材料层；
将形成所述辅助电极材料层的所述基板覆盖在所述第二电极的远离所述背板的一面，且使所述辅助电极材料层与所述第二电极接触；
通过辊轮辊压所述基板；
剥离所述基板，使与所述第二电极接触的所述辅助电极材料层保留形成所述辅助电极。
在本公开的一种示例性实施例中，提供一背板，在所述背板的同一侧形成第一电极和辅助层，包括：
在所述背板的一侧形成第一电极材料层，对所述第一电极材料层进行图案化处理形成所述第一电极和所述辅助层，且在所述第一电极和所述辅助层之间形成间隙。
在本公开的一种示例性实施例中，提供一背板，在所述背板的同一侧形成第一电极和辅助层，包括：
所述背板包括绝缘层，对所述绝缘层进行图案化处理形成凹槽和突出部；
在所述背板形成所述凹槽的一侧形成第一电极材料层，对所述第一电极材料层进行图案化处理形成所述第一电极，所述第一电极形成在所述凹槽内，所述突出部形成所述辅助层。
在本公开的一种示例性实施例中，提供一背板，在所述背板的同一侧形成第一电极和辅助层，包括：
所述背板包括绝缘层，对所述绝缘层进行图案化处理形成凹槽和突出部；
在所述背板形成所述凹槽的一侧形成第一电极材料层，对所述第一电极材料层进行图案化处理形成所述第一电极和增高层，且在所述第一电极与所述增高层之间形成间隙，所述第一电极形成在所述凹槽内，所述增高层形成在所述突出部的远离所述背板的一侧，所述增高层与所述突出部形成所述辅助层。
根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括：上述任意一项所述的显示面板。
由上述技术方案可知，本发明具备以下优点和积极效果中的至少之一：
本发明的显示面板，在背板的同一侧设置有第一电极和辅助层，且辅助层的第二平面与第一电极的第一平面共面，或第二平面比第一平面更远离所述背板，像素界定层设置在辅助层的远离背板的一侧，在第二电极的远离背板的一侧设置有辅助电极，且辅助电极在背板上的正投影位于像素界定层在背板上的正投影内。一方面，将像素界定层设置在辅助层的远离背板的一侧，使像素界定层的形成基础较高，将像素界定层制作的较低就可以满足将像素界定层作为转印印刷版的高度要求，从而避免将像素界定层制作的较高时边缘产生的褶皱等不良；另一方面，在第二电极的远离背板的一侧设置有辅助电极，辅助电极增加了第二电极的截面积，使第二电极的电阻减小、电压降减小，使显示面板显示时亮度较为均匀。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是相关技术中显示时出现黑线的效果示意图；
图2是相关技术中保护层出现裂缝的显微结构示意图；
图3是图2中I所指位置的局部放大示意图；
图4是相关技术中显示面板的结构示意图；
图5是本发明显示面板一示例实施方式的结构示意图；
图6是本发明显示面板另一示例实施方式的结构示意图；
图7是本发明显示面板又一示例实施方式的结构示意图；
图8是本发明显示面板的制备方法一示例实施方式的流程示意框图；
图9是本发明显示面板的制备过程中形成第一电极和辅助层后的结构示意图。
图中主要元件附图标记说明如下：
1、背板；11、衬底基板；12、阵列基板；13、绝缘层；14、凹槽；15、突出部；
2、第一电极；21、第一平面；
3、辅助层；31、第二平面；32、增高层；
4、间隙；5、像素界定层；6、发光层组；7、第二电极；8、辅助电极；9、保护层；10、黑线。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
目前，在相关技术中，可以在OLED器件上直接打印形成辅助电极8，但是，现有的喷头打印出来的极限线宽在20um左右，辅助电极8会覆盖发光区造成开口率减小、亮度降低。还有一些相关技术中采用转印工艺，但是，单次最大印刷范围为450mm*550mm，55寸的顶发射显示面板需要4次才能完成印刷，时间成本高；而且印刷膜是硅材质的软膜，对位过程会产生偏差，对位精度也是一个挑战，控制不好很容易覆盖到发光区，如图1所示，会造成显示时的黑线10；另外，利用印刷版转印的辅助电极8侧边陡直，在后续的通过CVD(化学气相沉积)形成的保护层9，如图2和图3所示，保护层9在辅助电极8的侧边处容易形成缝隙M，形成封装薄弱位置。
为提高转印工艺的量产性，参照图4所示，相关技术中利用一定高度的像素界定层5来当转印印刷版，直接使辅助电极8留在像素界定层5的顶部，简化工艺步骤。但与此同时，带来一个问题，在相关技术的顶发射显示面板中，像素界定层5直接设置在背板1上，在像素界定层5之间的间隔空间的背板1上设置有第一电极2，像素界定层5与第一电极2之间的高度差才是像素界定层5作为转印印刷版时的有效高度H，像素界定层5的高度需要大于5um才能作为转印印刷版，但是，这个高度的像素界定层5一次完成制作较难，而且在像素界定层5的边缘容易产生褶皱不良等。综上所述，目前辅助电极8的制作比较困难。
本示例实施方式首先提供了一种显示面板，参照图5和图9所示的本发明显示面板一示例实施方式的结构示意图，该显示面板可以包括背板1、第一电极2、辅助层3、像素界定层5、发光层组6、第二电极7以及辅助电极8；第一电极2设于所述背板1的一侧，所述第一电极的远离所述背板的一面为第一平面21；辅助层3设于所述背板1的与所述第一电极2相同的一侧，所述辅助层3的远离所述背板1的一面为第二平面31，所述第二平面31与所述第一平面21共面，或所述第二平面31比所述第一平面21更远离所述背板1；像素界定层5设于所述辅助层3的远离所述背板1的一侧；发光层组6设于所述第一电极2的远离所述背板1的一侧，所述发光层组6至少覆盖所述第一电极2；第二电极7设于所述发光层组6的远离所述背板1的一侧；辅助电极8设于所述第二电极7的远离所述背板1的一侧，且所述辅助电极8在所述背板1上的正投影位于所述像素界定层5在所述背板1上的正投影内。
本发明的显示面板，将像素界定层5设置在辅助层3的远离背板1的一侧，使像素界定层5的形成基础较高，将像素界定层5制作的较低就可以满足将像素界定层5作为转印印刷版的高度要求，从而避免将像素界定层5制作的较高时边缘产生的褶皱等不良。在第二电极7的远离背板1的一侧设置有辅助电极8，辅助电极8增加了第二电极7的截面积，使第二电极7的电阻减小、电压降减小，使显示面板显示时亮度较为均匀。
在本示例实施方式中，参照图9所示，背板1可以包括衬底基板11，在衬底基板11之上设置有阵列基板12，阵列基板12可以包括多个阵列排布的薄膜晶体管(图中未示出)，在阵列基板12的远离衬底基板11的一侧可以设置有绝缘层13。
在本示例实施方式中，参照图9所示，绝缘层13的远离衬底基板11的一面为平面，在绝缘层13的远离衬底基板11的一面设置有第一电极2和辅助层3，第一电极2的远离背板1的一面为第一平面21，辅助层3的远离背板1的一面为第二平面31。辅助层3与第一电极2同层同材料设置，同层同材料设置即通过同一次构图工艺形成，使辅助层3的远离背板1的一面与背板1之间的距离等于第一电极2的远离背板1的一面与背板1之间的距离，即辅助层3的厚度与第一电极2的厚度相同，还可以说是第二平面31与第一平面21共面，且在辅助层3与第一电极2之间设置有间隙4。
第一电极2为显示面板的阳极，第一电极2可以包括第一透明层、反射金属层以及第二透明层；反射金属层设置在第一透明层的远离背板1的一侧，第二透明层设置在反射金属层的远离背板1的一侧。第一透明层和第二透明层的材质可以是ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等等，反射金属层的材质可以是Ag、Al等等。第一电极2的厚度大于等于0.5微米且小于等于2微米。
在本示例实施方式中，像素界定层5设置在辅助层3的远离背板1的一侧，像素界定层5的高度大于等于3微米且小于等于5微米。在将像素界定层5作为转印印刷版时，像素界定层5的自身高度就是像素界定层5作为转印印刷版时的有效高度H，此时，不需要将像素界定层5制作的较高即可满足作为转印印刷版的高度要求。像素界定层5还能够沉积在辅助层3与第一电极2之间的间隙4内，使辅助层3与第一电极2之间隔断，避免辅助层3与第一电极2之间相互连接导致短路影响显示效果。
另外，在本发明的其他示例实施方式中，参照图6所示的本发明显示面板另一示例实施方式的结构示意图，可以在绝缘层13上设置凹槽14和突出部15，在凹槽14内设置第一电极2，突出部15形成辅助层3。即在需要形成第一电极2的位置形成凹槽14，在需要形成像素界定层5的位置形成突出部15。第一电极2的厚度等于或小于凹槽14的深度。在第一电极2的厚度等于凹槽14的深度时，第二平面31与第一平面21共面，像素界定层5的自身高度就是像素界定层5作为转印印刷版时的有效高度H；在第一电极2的厚度小于凹槽14的深度时，第二平面31比第一平面21更远离所述背板1，第一电极2的厚度和凹槽14的深度之差与像素界定层5的自身高度的和就是像素界定层5作为转印印刷版时的有效高度H。将像素界定层5的高度进一步降低也可以满足作为转印印刷版的高度要求。
当然，参照图7所示的本发明显示面板又一示例实施方式的结构示意图，该示例实施方式与图6中所示的示例实施方式的区别在于，还包括增高层32，增高层32与第一电极2同层同材料设置，同层同材料设置即通过同一次构图工艺形成，但是并不一定在同一平面内，且增高层32设于突出部15的远离背板1的一侧，增高层32与第一电极2之间仍然设置有间隙，增高层32与突出部15形成辅助层3，使第二平面31比第一平面21更远离所述背板1。像素界定层5还能够沉积在辅助层3与第一电极2之间的间隙内，使辅助层3与第一电极2之间隔断，避免辅助层3与第一电极2之间相互连接导致短路影响显示效果。
在图5所示的示例实施方式中，发光层组6设置在第一电极2的远离背板1的一侧。发光层组6不仅覆盖第一电极2还覆盖像素界定层5。当然，在本发明的其他示例实施方式中，发光层组6可以仅覆盖第一电极2。
第二电极7设置在发光层组6的远离背板1的一侧。第二电极7为透明电极，第二电极7为显示面板的阴极。第二电极7的材质可以是ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或MgAg等等。
辅助电极8设置在第二电极7的远离背板1的一侧，且辅助电极8在背板1上的正投影位于像素界定层5在背板1上的正投影内，辅助电极8的材质可以是Ag。辅助电极8增加了第二电极7的截面积，使第二电极7的电阻减小、电压降减小，使显示面板显示时亮度较为均匀。
在本示例实施方式中，在辅助电极8的远离背板1的一侧还设置有保护层9，保护层9的材质可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等等。
进一步的，本示例实施方式还提供了一种显示面板的制备方法，参照图8所示，该制备方法可以包括以下步骤：
步骤S10，提供一背板1，在所述背板1的同一侧形成第一电极2和辅助层3，所述第一电极2的远离所述背板1的一面为第一平面21，所述辅助层3的远离所述背板1的一面为第二平面31，所述第二平面31与所述第一平面21共面，或所述第二平面31比所述第一平面21更远离所述背板1。
步骤S20，在所述辅助层3的远离所述背板1的一侧形成像素界定层5。
步骤S30，在所述第一电极2的远离所述背板1的一侧形成发光层组6，所述发光层组6至少覆盖所述第一电极2。
步骤S40，在所述发光层组6的远离所述背板1的一侧形成第二电极7。
步骤S50，在所述第二电极7的远离所述背板1的一侧形成辅助电极8，且所述辅助电极8在所述背板1上的正投影位于所述像素界定层5在所述背板1上的正投影内。
在本示例实施方式中，提供一衬底基板11，在衬底基板11上形成阵列排布的薄膜晶体管，阵列排布的薄膜晶体管形成阵列基板12。在阵列基板12的远离衬底基板11的一侧形成绝缘层13。
在绝缘层13的远离衬底基板11的一侧通过沉积、溅射或蒸镀等等方法形成第一电极材料层。参照图9所示，对第一电极材料层进行图案化处理，形成第一电极2和辅助层3，第一电极2的远离背板1的一面为第一平面21，辅助层3的远离背板1的一面为第二平面31。由于第一电极2和辅助层3通过同一次构图工艺形成，第一电极2和辅助层3的厚度相同，绝缘层13的远离背板1的一面又是平面，使辅助层3的远离背板1的一面与背板1之间的距离等于第一电极2的远离背板1的一面与背板1之间的距离，即第一平面21与第二平面31共面。
在本发明另一示例实施方式中，可以对绝缘层13进行图案化处理形成凹槽14和突出部15；在背板1形成凹槽14的一侧形成第一电极材料层，对第一电极材料层进行图案化处理形成第一电极2，第一电极2形成在凹槽14内，突出部15形成辅助层3。
在本发明又一示例实施方式中，对绝缘层13进行图案化处理形成凹槽14和突出部15；在背板1形成凹槽14的一侧形成第一电极材料层，对第一电极材料层进行图案化处理形成第一电极2和增高层32，且在第一电极2与增高层32之间形成间隙，第一电极2形成在凹槽14内，增高层32形成在突出部15的远离背板1的一侧，增高层32与突出部15形成辅助层。
在辅助层3的远离背板1的一侧通过沉积、溅射或蒸镀等等方法形成像素界定材料层，并对像素界定材料层进行图案化处理形成像素界定层5，使像素界定层5仅形成在辅助层3的远离背板1的一侧。在第一电极2的远离背板1的一侧通过沉积、溅射或蒸镀等等方法形成发光层组6，发光层组6覆盖第一电极2和像素界定层5。当然，在本发明的其他示例实施方式中，可以仅在第一电极2之上形成发光层组6。
在发光层组6的远离背板1的一侧通过沉积、溅射或蒸镀等等方法形成第二电极7。
在本示例实施方式中，提供一基板，在基板上通过沉积、溅射或蒸镀等等方法形成辅助电极材料层；将沉积有辅助电极材料层的基板覆盖在第二电极7的远离背板1的一面，并使辅助电极材料层与第二电极7接触。然后，可以通过辊轮辊压基板；最后剥离基板，使与第二电极7接触的辅助电极材料层保留形成辅助电极8。参照图5-7所示，如此形成的辅助电极8边缘与像素区边缘的距离L大于6微米为安全距离，即辅助电极8不会形成在发光区；辅助电极8边缘角度α小于70°，即辅助电极8的侧面的倾斜角度α小于70°，在后续通过沉积、溅射或蒸镀等等方法形成保护层9后，保护层9不会出现裂缝。
上述图案化处理可以根据需要采用光刻、干刻或湿刻等方法。
进一步的，本示例实施方式还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括上述任意一项所述的显示面板。显示面板的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。
而该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如手机等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
与现有技术相比，本发明示例实施方式提供的显示装置的有益效果与上述示例实施方式提供的显示面板的有益效果相同，在此不做赘述。
上述所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中，如有可能，各实施例中所讨论的特征是可互换的。在上面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本发明的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组件、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明的各方面。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
本说明书中，用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
应可理解的是，本发明不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本发明能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本发明的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本发明延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本发明的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本发明的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本发明。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
背板；
第一电极，设于所述背板的一侧，所述第一电极的远离所述背板的一面为第一平面；
辅助层，设于所述背板的与所述第一电极相同的一侧，所述辅助层的远离所述背板的一面为第二平面，所述第二平面与所述第一平面共面，或所述第二平面比所述第一平面更远离所述背板；至少部分所述辅助层与所述第一电极同层同材料设置，且与所述第一电极之间设置有间隙；
像素界定层，设于所述辅助层的远离所述背板的一侧，所述像素界定层的高度大于等于3微米且小于等于5微米；
发光层组，设于所述第一电极的远离所述背板的一侧，所述发光层组至少覆盖所述第一电极；
第二电极，设于所述发光层组的远离所述背板的一侧；
辅助电极，设于所述第二电极的远离所述背板的一侧，且所述辅助电极在所述背板上的正投影位于所述像素界定层在所述背板上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所示背板包括：
绝缘层，在所述绝缘层上设置有凹槽以及突出部，所述第一电极设置在所述凹槽内。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
增高层，设于所述突出部的远离所述背板的一侧，所述增高层与所述突出部形成所述辅助层，所述增高层与所述第一电极同层同材料设置，且与所述第一电极之间设置有间隙。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光层组覆盖所述第一电极以及所述像素界定层。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
保护层，设于所述辅助电极的远离所述背板的一侧。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一背板，在所述背板的同一侧形成第一电极和辅助层，所述第一电极的远离所述背板的一面为第一平面，所述辅助层的远离所述背板的一面为第二平面，所述第二平面与所述第一平面共面，或所述第二平面比所述第一平面更远离所述背板；至少部分所述辅助层与所述第一电极同层同材料设置，且与所述第一电极之间设置有间隙；
在所述辅助层的远离所述背板的一侧形成像素界定层，所述像素界定层的高度大于等于3微米且小于等于5微米；
在所述第一电极的远离所述背板的一侧形成发光层组，所述发光层组至少覆盖所述第一电极；
在所述发光层组的远离所述背板的一侧形成第二电极；
在所述第二电极的远离所述背板的一侧形成辅助电极，且所述辅助电极在所述背板上的正投影位于所述像素界定层在所述背板上的正投影内。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述第二电极的远离所述背板的一侧形成辅助电极，包括：
提供一基板，在所述基板上形成辅助电极材料层；
将形成所述辅助电极材料层的所述基板覆盖在所述第二电极的远离所述背板的一面，且使所述辅助电极材料层与所述第二电极接触；
通过辊轮辊压所述基板；
剥离所述基板，使与所述第二电极接触的所述辅助电极材料层保留形成所述辅助电极。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，提供一背板，在所述背板的同一侧形成第一电极和辅助层，包括：
在所述背板的一侧形成第一电极材料层，对所述第一电极材料层进行图案化处理形成所述第一电极和所述辅助层，且在所述第一电极和所述辅助层之间形成间隙。
9.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，提供一背板，在所述背板的同一侧形成第一电极和辅助层，包括：
所述背板包括绝缘层，对所述绝缘层进行图案化处理形成凹槽和突出部；
在所述背板形成所述凹槽的一侧形成第一电极材料层，对所述第一电极材料层进行图案化处理形成所述第一电极和增高层，且在所述第一电极与所述增高层之间形成间隙，所述第一电极形成在所述凹槽内，所述增高层形成在所述突出部的远离所述背板的一侧，所述增高层与所述突出部形成所述辅助层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1～5任意一项所述的显示面板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011140259.8A CN112259590B (zh) | 2020-10-22 | 2020-10-22 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| US17/506,532 US11985864B2 (en) | 2020-10-22 | 2021-10-20 | Display panel and method of manufacturing same, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011140259.8A CN112259590B (zh) | 2020-10-22 | 2020-10-22 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112259590A CN112259590A (zh) | 2021-01-22 |
| CN112259590B true CN112259590B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=74264058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011140259.8A Active CN112259590B (zh) | 2020-10-22 | 2020-10-22 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11985864B2 (zh) |
| CN (1) | CN112259590B (zh) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7579771B2 (en) * | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7026658B2 (en) * | 2003-03-13 | 2006-04-11 | Samsung Sdi, Co., Ltd. | Electrical conductors in an electroluminescent display device |
| US7022534B2 (en) * | 2004-01-14 | 2006-04-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optimal bank height for inkjet printing |
| JP4367346B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| CN103545457B (zh) * | 2013-10-28 | 2016-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件、阵列基板、显示装置及发光器件的制造方法 |
| CN107359258A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-11-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
| KR102654917B1 (ko) * | 2019-04-15 | 2024-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| CN110931653B (zh) * | 2019-11-27 | 2022-07-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN111463250A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-28 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| CN111682121A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法和显示装置 |
-
2020
- 2020-10-22 CN CN202011140259.8A patent/CN112259590B/zh active Active
-
2021
- 2021-10-20 US US17/506,532 patent/US11985864B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220130926A1 (en) | 2022-04-28 |
| US11985864B2 (en) | 2024-05-14 |
| CN112259590A (zh) | 2021-01-22 |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |