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CN112242326B - 用于处理基板的设备和方法 - Google Patents

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CN112242326B CN202010697607.5A CN202010697607A CN112242326B CN 112242326 B CN112242326 B CN 112242326B CN 202010697607 A CN202010697607 A CN 202010697607A CN 112242326 B CN112242326 B CN 112242326B
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Abstract

本发明提供了一种用于处理基板的设备和方法。用于处理基板的设备包括：壳体，在该壳体中具有处理空间；加热板，其在处理空间中支撑基板并且在内部具有多个加热构件；以及温度控制单元，其控制多个加热构件来加热支撑在加热板上的基板，其中温度控制单元使用具有不同的控制周期的多个控制信号来控制多个加热构件。

Description

用于处理基板的设备和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月19日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0087512号的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本文描述的发明构思的实施例涉及一种用于处理基板的设备和方法，并且更具体地，涉及一种用于控制基板的各个区域的温度的基板处理设备和方法。
背景技术
执行各种工艺，诸如光刻、蚀刻、沉积、离子注入、清洁等，以制造半导体元件。在这些工艺中，用于形成图案的光刻工艺在实现半导体元件的高密度集成中起重要作用。
光刻工艺包括涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺，并且在曝光工艺之前和之后执行烘烤工艺。烘烤工艺是在基板上进行热处理的工艺。当将基板放置在加热板上时，基板通过设置在加热板内部的加热构件进行热处理。
在现有技术中，为了有效地控制基板温度，将加热板划分为多个温度控制区域，并且针对加热板的各个区域来控制温度。然而，由于电阻值根据温度控制区域的面积而变化，因此，当基板在被装载之后通过加热板被加热时，基板的各个区域的温度变化彼此不同。即，由于取决于加热板的温度控制区域的面积的电阻值的变化，所以每单位面积的功率(热能)会变化。因此，即使将相同的功率施加到每个温度控制区域，也可能产生温度差。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种用于以不同的控制周期来控制加热板的区域的基板处理设备和方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，并且本发明构思所属领域的技术人员将从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施例，一种用于处理基板的设备包括：壳体，该壳体中具有处理空间；加热板，该加热板在处理空间中支撑基板并且在内部具有多个加热构件；以及温度控制单元，其控制多个加热构件以加热支撑在加热板上的基板，其中温度控制单元使用具有不同的控制周期的多个控制信号来控制多个加热构件。
加热板可以包括中心区域和围绕中心区域的边缘区域。多个加热构件可以包括设置在中心区域中的第一加热构件和设置在边缘区域中的第二加热构件。温度控制单元可以包括控制第一加热构件的第一控制器和控制第二加热构件的第二控制器，该第二控制器具有与第一控制器的控制周期不同的控制周期。
第一控制器的控制周期可以短于第二控制器的控制周期。
温度控制单元还可包括温度测量构件，其测量加热板的各个区域的温度。
温度控制单元还可以包括：电源，其向所述多个加热构件供电；开关构件，其基于由温度测量构件测量的温度来控制电源与第一控制器及第二控制器之间的连接。
可以设置第一控制器和第二控制器，使得它们的控制周期是可变的。
在由温度测量构件测量的温度变化超过预设范围的动态区间中，第一控制器和第二控制器的控制周期可以改变为更短。
在由温度测量构件测量的温度变化低于预设范围的静态区间中，第一控制器和第二控制器的控制周期可以改变为更长。
加热板可包括中心区域、围绕中心区域的边缘区域以及位于中心区域与边缘区域之间的中间区域。多个加热构件可以包括设置在中心区域中的第三加热构件、设置在中间区域中的第四加热构件以及设置在边缘区域中的第五加热构件。温度控制单元可以包括控制第三加热构件的第三控制器、控制第四加热构件的第四控制器以及控制第五加热构件的第五控制器。第三加热构件、第四加热构件和第五加热构件的控制周期可以彼此不同。
第三控制器的控制周期可以短于第四控制器的控制周期，并且第四控制器的控制周期可以短于第五控制器的控制周期。
该设备可以是执行烘烤工艺的设备。
根据示例性实施例，加热单元包括：加热板，其支撑基板并且在内部具有多个加热构件；以及温度控制单元，其控制多个加热构件以加热支撑在加热板上的基板，其中温度控制单元使用具有不同的控制周期的多个控制信号来控制多个加热构件。
加热板可以包括中心区域和围绕中心区域的边缘区域。多个加热构件可以包括设置在中心区域中的第一加热构件和设置在边缘区域中的第二加热构件。温度控制单元可以包括控制第一加热构件的第一控制器和控制第二加热构件的第二控制器，该第二控制器具有与第一控制器的控制周期不同的控制周期。
第一控制器的控制周期可以短于第二控制器的控制周期。
温度控制单元可以包括温度测量构件，该温度测量构件测量加热板的各个区域的温度。
根据示例性实施例，一种基板处理方法，其用于在基板处理设备中加热支撑在加热板上的基板，该基板处理设备包括：加热板，该加热板在内部具有多个加热构件；以及温度测量构件，其测量加热板的各个区域的温度，该基板处理方法包括：基于由温度测量构件测量的温度来加热支撑在加热板上的基板，其中，通过使用具有不同控制的周期的多个控制信号来控制多个加热构件。
提供给设置在加热板的中心区域中的第一加热构件的控制信号的控制周期可以短于提供给设置在围绕中心区域的边缘区域中的第二加热构件的控制信号的控制周期。
在由温度测量构件测量的温度变化超过预设范围的动态区间中，可以将提供给多个加热构件的多个控制信号的控制周期改变为更短。
在由温度测量构件测量的温度变化低于预设范围的静态区间中，可以将提供给多个加热构件的多个控制信号的控制周期改变为更长。
附图说明
通过以下参考附图的描述，上述及其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另外指明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记表示相同的部分，并且：
图1是示出基板处理设备的俯视图；
图2是示出当沿方向A-A观察时图1的基板处理设备的图；
图3是示出当沿方向B-B观察时图1的基板处理设备的图；
图4是示出当沿方向C-C观察时图1的基板处理设备的图；
图5是示出根据本发明构思的实施例的烘烤单元的平面图；
图6是示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的截面图；
图7是示出根据本发明构思的另一实施例的基板处理设备的截面图；
图8和图9是示出根据本发明构思的各个实施例的加热板的多个区域的截面图；
图10和图11是描绘根据本发明构思的实施例的加热板的各个区域的温度变化的曲线图；并且
图12是示出根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的实施例。然而，本发明构思可以以不同的形式体现，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得发明构思将是彻底和完整的，并将向本领域技术人员充分传达发明构思的范围。在附图中，为了图示清楚，组件的尺寸被放大。
该实施例的设备可以用于对诸如半导体晶片或平板显示面板的基板执行光刻工艺。特别地，该实施例的设备可以连接至曝光设备，并且可以用于对基板执行涂覆工艺和显影工艺。在下面的描述中，将举例说明将晶片用作基板。
图1至图4是示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的示意图。
参照图1至图4，基板处理设备1包括装载端口100、分度模块200、第一缓冲器模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲器模块500、曝光前/曝光后处理模块600以及接口模块700。加载端口100、分度模块200、第一缓冲器模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲器模块500、曝光前/曝光后处理模块600、接口模块700沿一个方向依次布置成一行。
在下文中，布置装载端口100、分度模块200、第一缓冲器模块300、涂覆和显影模块400，第二缓冲器模块500、曝光前/曝光后处理模块600以及接口模块700的方向被称为第一方向12。从上方看时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，垂直于第一方向12和第二方向14的方向被称为第三方向16。
基板W以被容纳在盒子20中的状态移动。盒子20具有可以与外界密封的结构。例如，前开式晶圆传送盒(FOUP)可以用作盒子20，该前开式晶圆传送盒中的每个的前端都有一扇门。
在下文中，将详细说明装载端口100、分度模块200、第一缓冲器模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲器模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700。
装载端口100具有载置台120，载置有基板W的盒子20放置在载置台120上。载置台120沿第二方向14并排布置。在图1中，设置了四个载置台120。
分度模块200在放置在装载端口100的载置台120上的盒子20与第一缓冲器模块300之间传送基板W。分度模块200具有框架210、分度机械手220和导轨230。框架210具有内部为空的大致长方体的形状，并布置在装载端口100与第一缓冲器模块300之间。分度模块200的框架210可以设置在比第一缓冲器模块300的框架310低的位置，这将在下面描述。分度机械手220和导轨230设置在框架210中。分度机械手220具有能够四轴驱动的结构，使得用于直接处理基板W的手221可以在第一方向12、第二方向14和第三方向16上移动并且可旋转。分度机械手220具有手221、臂222、支撑杆223和基座224。手221被固定在臂222上。以可伸缩且可旋转的结构设置臂222。设置支撑杆223以使其长度方向平行于第三方向16。臂222联接至支撑杆223，从而可沿支撑杆223移动。支撑杆223固定地联接至支撑杆223。设置导轨230以使其长度方向平行于第二方向14。基座224联接至导轨230，从而可沿导轨230直线移动。此外，尽管未示出，在框架210中还设置有用于打开/关闭盒20的门的开门器。
第一缓冲器模块300具有框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器机械手360。框架310具有长方体形状，内部具有空的空间，并且设置在分度模块200和涂覆和显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器机械手360位于框架310中。冷却室350、第二缓冲器330和第一缓冲器320沿第三方向16从下到上依次布置。第一缓冲器320位于与以下将描述的涂覆和显影模块400的涂覆模块401相对应的高度，第二缓冲器330和冷却室350位于与涂覆和显影模块400的显影模块402相对应的高度，这将在下面描述。第一缓冲器机械手360定位成在第二方向14上与第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器320间隔开预定距离。
第一缓冲器320和第二缓冲器330各自临时存储多个基板W。第二缓冲器330具有壳体331和多个支撑件332。支撑件332设置在壳体331中并且沿第三方向16彼此间隔开。一个基板W被放置在支撑件332中的每个上。壳体331具有分别面向设置分度机械手220、第一缓冲机械手360和显影机机械手482的方向的开口(未示出)，使得分度机械手220、第一缓冲器机械手360和显影模块402的显影器机械手482(将在下面进行描述)将基板W装载到支撑件332上或从支撑件332卸载基板W。第一缓冲器320具有与第二缓冲器330基本类似的结构。然而，第一缓冲器320的壳体321具有分别面向设置位于涂覆模块401中的第一缓冲器机械手360和涂覆器机械手432的方向的开口。设置在第一缓冲器320中的支撑物332的数量可以与设置在第二缓冲器330中的支撑物332的数量相同或不同。根据一个实施例，设置在第二缓冲器330中的支撑件332的数量可以大于设置在第一缓冲器320中的支撑件322的数量。
第一缓冲器机械手360在第一缓冲器320和第二缓冲器330之间传送基板W。第一缓冲器机械手360具有手361、臂362和支撑杆363。手361固定到臂362。臂362具有可伸缩的结构，并且使得手361能够沿着第二方向14移动。臂362联接到支撑杆363，从而能够沿着支撑杆363在第三方向16上直线移动。支撑杆363具有从对应于第二缓冲器330的位置延伸至对应于第一缓冲器320的位置的长度。支撑杆363可以进一步向上或向下延伸。可以设置第一缓冲器机械手360，使得手361仅简单地执行沿着第二方向14和第三方向16的2轴驱动。
冷却室350冷却基板W。冷却室350具有壳体351和冷却板352。冷却板352具有其上放置有基板W的上表面以及冷却基板W的冷却单元353。冷却单元353可以使用诸如通过冷却水进行冷却、通过热电元件进行冷却等的各种方法。此外，冷却室350可以包括将基板W定位在冷却板352上的升降销组件(未示出)。壳体351具有分别面向设置分度机械手220和显影机机械手482的方向的开口(未示出)，使得设置在显影模块402中的分度机械手220和显影机机械手482将基板W装载到冷却板352上或从冷却板352卸下基板W。另外，冷却室350可包括打开或关闭上述开口的门(未示出)。
涂覆和显影模块400在曝光工艺之前执行用光刻胶涂覆基板W的工艺，并且在曝光工艺之后对基板W执行显影工艺。涂覆和显影模块400具有大致长方体的形状。涂覆和显影模块400具有涂覆模块401和显影模块402。涂覆模块401和显影模块402可以设置在不同的层上以便彼此分开。根据一个实施例，涂覆模块401位于显影模块402上方。
涂覆模块401执行用诸如光致抗蚀剂的光敏材料涂覆基板W的工艺，并且在光致抗蚀剂涂覆工艺之前和之后对基板W执行诸如加热或冷却的热处理过程。涂覆模块401具有光致抗蚀剂涂覆室410、烘烤单元420和转印室430。光致抗蚀剂涂覆室410、烘烤单元420和转印室430沿着第二方向14依次布置。因此，光致抗蚀剂涂覆室410和烘烤单元420在第二方向14上彼此间隔开，并且转印室430在它们之间。光致抗蚀剂涂覆室410沿第一方向12和第三方向16布置。附图示出了设置六个光致抗蚀剂涂覆室410的一个示例。烘烤单元420沿第一方向12和第三方向16布置。附图示出了设置六个烘烤单元420的一个示例。然而，可以设置更多数量的烘烤单元420。
转印室430在第一方向12上与第一缓冲器模块300的第一缓冲器320并排放置。涂覆器机械手432和导轨433位于转印室430中。转印室430具有大致矩形的形状。涂覆器机械手432在将在下面描述的烘烤单元420、光致抗蚀剂涂覆室、第一缓冲器模块300的第一缓冲器320和第二缓冲器模块500的第一冷却室520之间传送基板W。设置导轨433使其长度方向平行于第一方向12。导轨433引导涂覆器机械手432在第一方向12上的直线运动。涂覆器机械手432具有手434、臂435、支撑杆436和基座437。手434固定到臂435。臂435具有可伸缩的结构，并且使手434能够在水平方向上移动。设置支撑杆436使得其长度方向平行于第三方向16。臂435联接至支撑杆436，从而沿支撑杆436在第三方向16上可直线移动。支撑杆436固定地连接到基座437，并且基座437连接到导轨433，从而可沿着导轨433移动。
光致抗蚀剂涂覆室410全部具有相同的结构。然而，在各个光致抗蚀剂涂覆室410中使用的光致抗蚀剂的类型可以彼此不同。例如，化学放大抗蚀剂可以用作光致抗蚀剂。光致抗蚀剂涂覆室410中的每个均用光致抗蚀剂涂覆基板W。光致抗蚀剂涂覆室410具有壳体411、支撑板412和喷嘴413。壳体411具有顶部开口的杯形。支撑板412位于壳体411中并支撑基板W。支撑板412被设置为可旋转。喷嘴413将光致抗蚀剂分配到放置在支撑板412上的基板W上。喷嘴413可以具有圆管形状，并且可以将光致抗蚀剂分配到基板W的中心上。可选择地，喷嘴413可以具有对应于基板W的直径的长度，并且喷嘴413的分配口可以具有狭缝形状。另外，光致抗蚀剂涂覆室410可以进一步包括喷嘴414，该喷嘴414用于分配清洁溶液(诸如去离子水)，以清洁涂覆有光致抗蚀剂的基板W的表面。
烘烤单元420可以对基板W执行热处理。例如，烘烤单元420在用光致抗蚀剂涂覆基板W之前执行通过将基板W加热到预定温度来去除基板W的表面上的有机物或水分的预烘烤工艺，或者在用光致抗蚀剂涂覆基板W之后执行软烘烤工艺。另外，烘烤单元420在加热过程之后执行冷却基板W的冷却过程。
图5是示出根据本发明构思的实施例的烘烤单元的平面图，图6是示出在图5的烘烤单元中执行加热处理的加热单元的截面图。
参照图5和图6，烘烤单元420可以包括处理室423、冷却板422和加热单元800。本发明构思的基板处理设备可以是加热单元800。在下文中，加热单元800被称为基板处理设备800。
处理室423在其中具有热处理空间424。处理室423可具有长方体形状。冷却板422可以冷却被基板处理设备800加热的基板W。冷却板422可以位于热处理空间424中。冷却板422可以具有圆板形状。在冷却板422的内部设有诸如冷却水或热电元件的冷却装置。例如，冷却板422可以将加热后的基板W冷却至室温。
基板处理装置800对基板W进行热处理。基板处理装置800可以包括壳体860、加热板810、加热构件830、外部气体供应单元840、加热器880、排气构件870和温度控制单元900。
壳体860具有在基板W上进行加热处理的处理空间802。壳体860包括下部主体862、上部主体864和致动器(未图示)。下主体862可以具有在顶部开口的容器形状。加热板810和加热构件830位于下部主体862中。下部主体862包括双重隔热盖862a和862b，以防止位于加热板810周围的装置的热变形。双重隔热盖862a和862b使加热板810周围的装置暴露于由加热构件830产生的高温热量的可能性最小。双重隔热盖862a和862b包括初级隔热盖862a和次级隔热盖862b。初级隔热盖862a和次级隔热盖862b彼此间隔开。
上部主体864具有在底部开口的容器形状。上部主体864与下部主体862结合以在内部形成处理空间802。上部主体864的直径大于下部主体862的直径。上部主体864位于下部主体862的上方。上部主体864可通过致动器在上下方向上移动。上部主体864可竖直移动至上升位置和下降位置。在此，上升位置是上部主体864与下部主体862分离的位置，下降位置是上部主体864与下部主体862接触的位置。在下降位置，上部主体864和下部主体862之间的间隙被阻塞。因此，当上部主体864移动到下降位置时，处理空间802由上部主体864、下部主体862和加热板810形成。
尽管未示出，但是用于防止外部空气引入到处理空间802中的密封构件可以包括在壳体860中。例如，密封构件可以密封下部主体862和上部主体864之间的间隙。
加热板810位于处理空间802中。加热板810位于冷却板422的一侧。加热板810具有圆板形状。加热板810的上表面用作其上放置基板W的支撑区域。加热板810在其上表面上形成有多个销孔812。例如，可以设置三个销孔812。销孔812被定位成沿加热板810的圆周方向彼此隔开。销孔812被定位成以相同的间隔彼此隔开。升降销(未示出)分别设置在销孔812中。升降销通过驱动构件(未示出)在上下方向上可移动。加热板810可以在内部具有加热构件830。
加热构件830将放置在加热板810上的基板W加热到预设温度。可以在加热板810的不同区域中设置多个加热构件830，以在基板W的各个区域上进行热处理。
温度控制单元900可以控制设置在加热板810内的多个加热构件830。温度控制单元900可以使用具有不同的控制周期的多个控制信号来控制多个加热构件830。具体地，温度控制单元900可以包括温度测量构件910、控制器920、开关构件930和电源940。温度测量构件910可以测量加热板810的各个区域的温度。参照图8，例如，加热板810可以包括中心区域821和边缘区域822。在这种情况下，多个加热构件830可以包括设置在中心区域821中的第一加热构件和设置在边缘区域822中的第二加热构件。此外，控制器920可以包括第一控制器922和第二控制器921。第一控制器922可以连接到第一加热构件，并且可以控制加热板810的中心区域821的温度。第二控制器921可以连接至第二加热构件，并且可以控制加热板810的边缘区域822的温度。第一控制器922和第二控制器921可以基于由温度测量构件910测量的中心区域821和边缘区域822的温度，通过控制第一加热构件和第二加热构件来控制加热板810的各个区域的温度。这时，第一控制器922的控制周期和第二控制器921的控制周期可以彼此不同。在第一控制器922的控制周期短于第二控制器921的控制周期的情况下，第一控制器922可以更快地应对由第一控制器922控制的加热板810的中心区域821的温度变化。即，由于施加到加热板810的中心区域821的每单位面积的功率低于施加到加热板810的边缘区域822的每单位面积的功率，所以通过与基板W接触，与边缘区域822的温度相比，中心区域821的温度可以更快地改变。因此，通过将第一控制器922的控制周期控制为相对短，可以在经历相对快速的温度变化的加热板810的中心区域821中更有效地进行温度控制。此外，开关构件930可以设置在控制器920和电源940之间，并且可以根据通过温度测量构件910测量的加热板810的各个区域的温度来连接或断开控制器920和电源940。在这种情况下，可以预先设置第一控制器922和第二控制器921的控制周期。开关构件930可以包括设置在第一控制器922和电源940之间的第一开关932以及设置在第二控制器921和电源940之间的第二开关931。
可替代地，可以设置第一控制器922和第二控制器921，使得它们的控制周期是可变的。即，第一控制器922和第二控制器921可以频繁地改变其控制周期，并且第一控制器922和第二控制器921的控制周期可以基于由温度测量构件910测量的温度而改变。例如，在由温度测量构件910测量的温度变化超过预设范围的动态区间中，可以将第一控制器922和第二控制器921的控制周期改变为更短。即，当如在基板W被放置在加热板810上的情况那样快速改变加热板810的温度时，第一控制器922和第二控制器921的控制周期可以被改变为更短，因此，第一控制器922和第二控制器921可以有效地应对温度变化。在另一个示例中，第一控制器922和第二控制器921的控制周期可以在由温度测量构件910测量的温度变化低于预设范围的静态区间中被改变为更长。如上所述，可以根据温度测量构件910测量的温度变化来改变第一控制器922和第二控制器921的控制周期，并且因此可以更有效地控制加热板810的各个区域的温度。
参照图7，控制器920可包括第三控制器925、第四控制器924和第五控制器923。如图9所示，加热板810可包括中心区域823、中间区域824和加热区域810。加热构件830可包括设置在中心区域823中的第三加热构件、设置在中间区域824中的第四加热构件以及设置在边缘区域825中的第五加热构件。在这种情况下，第三控制器925、第四控制器924和第五控制器923可以分别控制第三加热构件、第四加热构件和第五加热构件。第三控制器925、第四控制器924和第五控制器923的控制周期可以彼此不同。例如，第三控制器925的控制周期可以短于第四控制器924的控制周期，并且第四控制器924的控制周期可以短于第五控制器923的控制周期。即，第三控制器925的控制周期可以是最短，该第三控制器925控制由于每单位面积相对较低的功率而经历较大温度变化的中心区域823的温度，而第五控制器923的控制周期可以是最短，该第五控制器923控制由于每单位面积相对较高的功率而经历较小温度变化的边缘区域825的温度。因此，可以更有效地控制加热板810的各个区域的温度。
图10和图11是描绘根据本发明构思的实施例的加热板的各个区域的温度变化的曲线图。在图10和11中，X轴代表时间，而Y轴代表温度和功率。参照图10和图11，当基板被放置在加热板810上时，施加到加热板810的功率上升以升高加热板810的温度，并且当加热板810的温度达到合适的温度时，施加到加热板810的功率再次保持在上升之前的状态。在这种情况下，可以通过不同地设置多个控制器920的控制周期来更有效地控制加热板810的温度，所述多个控制器920控制加热板810的各个区域的温度。
图12是示出根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。
参照图12，基于加热板的各个区域的温度来加热支撑在加热板上的基板(S1210)。在这种情况下，可以通过使用具有不同的控制周期的多个控制信号来控制多个加热构件。提供给设置在加热板的中心区域中的第一加热构件的控制信号的控制周期可以不同于提供给设置在围绕中心区域的边缘区域中的第二加热构件的控制信号的控制周期。具体地，提供给第一加热构件的控制信号的控制周期可以短于提供给第二加热构件的控制信号的控制周期。例如，在由温度测量构件测量的温度变化超过预设范围的动态区间中，可以将提供给多个加热构件的多个控制信号的控制周期改变为更短。在另一个示例中，在由温度测量构件测量的温度变化低于预设范围的静态区间中，可以将提供给多个加热构件的多个控制信号的控制周期改变为更长。
如上所述，根据本发明构思的各个实施例，可以通过以不同的控制周期控制加热板的区域来更有效地控制加热板的各个区域的温度。
如上所述，根据本发明构思的各个实施例，可以通过以不同的控制周期控制加热板的区域来更有效地控制基板的温度。
另外，可以防止加热板上的温度波动。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员从本说明书和附图可以清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
尽管以上已经描述了本发明构思的实施例，但是应当理解，提供这些实施例以帮助理解本发明构思，并且不旨在限制本发明构思的范围，并且各种修改和等同形式可以在不脱离发明构思的精神和范围的情况下进行实施例。发明构思的范围应该由权利要求的技术思想来确定，并且应当理解，发明构思的范围不限于权利要求的字面描述，而是实际上扩展到技术价值等价物的类别。
尽管已经参考示例性实施例描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，以上实施例不是限制性的，而是说明性的。

Claims (11)

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
壳体，所述壳体中具有处理空间；
加热板，被配置为在所述处理空间中支撑所述基板，所述加热板在内部具有多个加热构件；以及
温度控制单元，被配置为控制所述多个加热构件以加热支撑在所述加热板上的所述基板，其中，所述温度控制单元使用具有不同的控制周期的多个控制信号来控制所述多个加热构件，
其中，所述加热板包括中心区域和围绕所述中心区域的边缘区域，
其中，所述多个加热构件包括设置在所述中心区域中的第一加热构件和设置在所述边缘区域中的第二加热构件，并且
其中，所述温度控制单元包括：
第一控制器，被配置为控制所述第一加热构件；以及
第二控制器，被配置为控制所述第二加热构件，
所述温度控制单元还包括温度测量构件，所述温度测量构件被配置为测量所述加热板的各个区域的温度，
其中，在由所述温度测量构件测量的温度变化低于预设范围的静态区间中，将所述第一控制器和所述第二控制器的所述控制周期改变为更长，
其中，在由所述温度测量构件测量的温度变化超过预设范围的动态区间中，将所述第一控制器和所述第二控制器的所述控制周期改变为更短。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二控制器具有与所述第一控制器的控制周期不同的控制周期。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第一控制器的控制周期短于所述第二控制器的控制周期。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述温度控制单元还包括：
电源，被配置为向所述多个加热构件供电；以及
开关构件，被配置为基于由所述温度测量构件测量的所述温度来控制所述电源与所述第一控制器及所述第二控制器之间的连接。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述加热板还包括位于所述中心区域与所述边缘区域之间的中间区域，
其中，所述多个加热构件包括设置在所述中心区域中的第三加热构件、设置在所述中间区域中的第四加热构件以及设置在所述边缘区域中的第五加热构件，
其中所述温度控制单元包括：
第三控制器，被配置为控制所述第三加热构件；
第四控制器，被配置为控制所述第四加热构件；以及
第五控制器，被配置为控制所述第五加热构件，并且
其中，所述第三加热构件、所述第四加热构件和所述第五加热构件的控制周期彼此不同。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述第三控制器的控制周期短于所述第四控制器的控制周期，并且
其中，所述第四控制器的控制周期短于所述第五控制器的控制周期。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设备是被配置为执行烘烤工艺的设备。
8.一种加热单元，包括：
加热板，被配置为支撑基板，所述加热板在内部具有多个加热构件；以及
温度控制单元，被配置为控制所述多个加热构件以加热支撑在所述加热板上的所述基板，其中，所述温度控制单元使用具有不同的控制周期的多个控制信号来控制所述多个加热构件，
其中，所述加热板包括中心区域和围绕所述中心区域的边缘区域，
其中，所述多个加热构件包括设置在所述中心区域中的第一加热构件和设置在所述边缘区域中的第二加热构件，并且
其中，所述温度控制单元包括：
第一控制器，被配置为控制所述第一加热构件；以及
第二控制器，被配置为控制所述第二加热构件，
其中，所述温度控制单元包括温度测量构件，所述温度测量构件被配置为测量所述加热板的各个区域的温度，
其中，在由所述温度测量构件测量的温度变化低于预设范围的静态区间中，将所述第一控制器和所述第二控制器的所述控制周期改变为更长，
其中，在由所述温度测量构件测量的温度变化超过预设范围的动态区间中，将所述第一控制器和所述第二控制器的所述控制周期改变为更短。
9.根据权利要求8所述的加热单元，其中，所述第二控制器具有与所述第一控制器的控制周期不同的控制周期。
10.根据权利要求9所述的加热单元，所述第一控制器的控制周期短于所述第二控制器的控制周期。
11.一种基板处理方法，所述基板处理方法用于在基板处理设备中加热支撑在加热板上的基板，其中，所述基板处理设备包括：所述加热板，所述加热板在内部具有多个加热构件；以及温度测量构件，被配置为测量所述加热板的各个区域的温度，所述基板处理方法包括：
基于由所述温度测量构件测量的所述温度来加热支撑在所述加热板上的所述基板，其中，通过使用具有不同的控制周期的多个控制信号来控制所述多个加热构件，
其中，提供给设置在所述加热板的中心区域中的第一加热构件的控制信号的控制周期短于提供给设置在围绕所述中心区域的边缘区域中的第二加热构件的控制信号的控制周期，
其中，在由所述温度测量构件测量的温度变化超过预设范围的动态区间中，将提供给所述多个加热构件的所述多个控制信号的所述控制周期改变为更短，
其中，在由所述温度测量构件测量的温度变化低于预设范围的静态区间中，将提供给所述多个加热构件的所述多个控制信号的所述控制周期改变为更长。
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