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CN112119675B - 有机电致发光元件 - Google Patents

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CN112119675B CN201980032966.4A CN201980032966A CN112119675B CN 112119675 B CN112119675 B CN 112119675B CN 201980032966 A CN201980032966 A CN 201980032966A CN 112119675 B CN112119675 B CN 112119675B
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Hodogaya Chemical Co Ltd
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Abstract

本发明为有机EL元件，其在薄膜的稳定性、耐久性优异的芳基胺系材料、特别是折射率高的特定的具有苯并唑环结构的二胺化合物中选择在浓度10‑5mol/L的吸收光谱中波长400nm至410nm处的吸光度高的材料，将其作为构成封盖层的材料来使用。

Description

有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及有机电致发光元件(以下有时简称为有机EL元件)及其制造方法。
本申请基于2018年07月17日在日本申请的特愿2018-134445要求优先权，将其内容援用于此。
背景技术
有机EL元件为自发光性元件。另外，就有机EL元件而言，与液晶元件相比，明亮且可视性优异，可进行鲜明的显示。因此对有机EL元件进行了活跃的研究。
1987年伊士曼柯达公司的C.W.Tang等开发出将各种职能分担于各材料的层叠结构元件。由此，他们使使用有机材料的有机EL元件成为了实用的元件。他们通过将能够传输电子的荧光体和能够传输空穴的有机物层叠、将两者的电荷注入到荧光体的层中而使其发光。由此，就有机EL元件而言，用10V以下的电压得到1000cd/m2以上的高亮度(例如参照专利文献1及专利文献2)。
目前为止，为了有机EL元件的实用化，进行了大量的改进，对层叠结构的各种职能进一步细分化。在基板上依次设置阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极，通过从底部发光的底部发射结构的电致发光元件，实现了高效率和耐久性(例如参照非专利文献1)。
近年来，逐渐使用将具有高功函数的金属用于阳极、从上部发光的顶部发射结构的发光元件。在从具有像素电路的底部将光取出的底部发射结构中，发光部的面积受到限制。与此相对，在顶部发射结构的发光元件中，由于从上部将光取出，因此像素电路不会遮挡来自发光部的光。因此，顶部发射结构的发光元件具有将发光部扩宽的优点。在顶部发射结构的发光元件中，在阴极中使用LiF/Al/Ag(例如参照非专利文献2)、Ca/Mg(例如参照非专利文献3)、LiF/MgAg等半透明电极。
在这样的发光元件中，在发光层中发出的光入射到其他膜的情况下，如果以某角度以上入射，则在发光层与其他膜的界面被全反射。因此，只能利用发出的光的一部分。近年来，为了提高光的取出效率，提出在折射率低的半透明电极的外侧设置有折射率高的“封盖层”的发光元件(例如参照非专利文献2及3)。
就顶部发射结构的发光元件中的封盖层的效果而言，如下所述得到确认。在将Ir(ppy)3用于发光材料的发光元件中，在无封盖层的情况下发光效率为38cd/A。相对于此，在使用了膜厚60nm的ZnSe作为封盖层的发光元件中，为64cd/A，发现了约1.7倍的效率提高。另外，示出半透明电极与封盖层的透射率的极大值与效率的极大值未必一致。示出了光的取出效率的最大点由干涉效应决定(例如参照非专利文献3)。
以往，提出在封盖层的形成中使用高精细度的金属掩模。但是，如果是高温条件下的使用，存在着如下问题：金属掩模由于热而产生变形，因此对位精度降低。ZnSe的熔点高达1100℃以上(例如参照非专利文献3)。因此，即使使用精细度高的金属掩模，由于在蒸镀ZnSe时金属掩模变形，因此也不能在正确的位置蒸镀，有可能对发光元件自身也产生影响。进而，即使在通过溅射法将ZnSe成膜的情况下，也会对发光元件产生影响。因此，无机物不适合作为封盖层的构成材料。
此外，作为调整折射率的封盖层，提出使用三(8-羟基喹啉)铝(以下简写为Alq3)(例如参照非专利文献2)。已知Alq3为一般作为绿色发光材料或电子传输材料使用的有机EL材料。就Alq3而言，在青色发光材料中所使用的450nm附近具有弱的吸收。因此，在使用Alq3作为封盖层的青色发光元件中，存在色纯度降低及光的取出效率降低的问题。
另外，如果是具有以往的封盖层的元件，太阳光的波长400nm至410nm的光通过，对元件内部的材料产生影响，因此也存在色纯度及光的取出效率降低的问题。
为了改善有机EL元件的元件特性，对于封盖层，特别要求吸收太阳光的波长400nm至410nm的光、使得不对元件内部的材料产生影响。另外，为了大幅地改善有机EL元件中的光的取出效率，作为封盖层的材料，寻求吸光系数高、折射率高、薄膜的稳定性及耐久性优异的材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平8-048656号公报
专利文献2：日本专利第3194657号公报
专利文献3：国际公开第2014/009310号
专利文献4：国际公开第2013/038627号
非专利文献
非专利文献1：应用物理学会第9次讲习会预稿集第55～61页(2001)
非专利文献2：Appl.Phys.Let.，78，544(2001)
非专利文献3：Appl.Phys.Let.，82，466(2003)
非专利文献4：J.Org.Chem.，71，1802(2006)
非专利文献5：Aust.J.Chem.，45，371(1992)
非专利文献6：J.Org.Chcm.，60，7508(1995)
非专利文献7：Synth.Commun.，11，513(1981)
非专利文献8：Appl.Phys.Lett.，98，083302(2011)
发明内容
发明要解决的课题
本发明鉴于上述实际情况而完成，课题在于提供高亮度、发光效率及电力效率良好且长寿命的有机EL元件。
用于解决课题的手段
本发明人为了实现上述的目的，如下所示进行了深入研究。
即，着眼于芳基胺系材料的薄膜的稳定性及耐久性优异，从折射率高的特定的具有苯并唑环结构的胺化合物中选择浓度10-5mol/L的吸收光谱中波长400nm至410nm处的吸光度高的材料。而且，制作使用了该材料作为构成封盖层的材料的有机EL元件，深入进行了元件的特性评价。其结果，完成本发明。
即，根据本发明，提供以下的有机EL元件。
1)有机EL元件，其特征在于，
在第1电极与第2电极之间具有包含发光层的有机层，
在上述第1电极的与上述有机层相反侧的面层叠封盖层，
上述第1电极为透明或半透明，
上述封盖层含有由下述通式(a-1)表示的具有苯并唑环结构的二胺化合物。
[化1]
(式(a-1)中，A表示由下述通式(b-1)表示的以R3～R12内的2处作为键合部位的2价基团。Ar1～Ar4可各自彼此相同也可不同，表示由下述通式(b-1)表示的以R3～R12内的1处作为键合部位的1价基团、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。R1及R2可彼此相同也可不同，表示氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。m及n表示0～2的整数，p及q表示0～4的整数。另外，在m或n为0的情况下，作为单键，表示A与氮原子键合。在m及n为1以上的整数的情况下，Ar1、Ar2及与它们键合的氮原子邻接的苯环、或者Ar3、Ar4及与它们键合的氮原子邻接的苯环可经由氮原子通过单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或者硫原子键合而形成环。在p及q为2以上的整数的情况下，在同一苯环键合的多个R1或者R2可彼此相同也可不同，另外，对于取代的同一苯环，可经由单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或硫原子相互键合而形成环。)
[化2]
(式(b-1)中，R3～R12可彼此相同也可不同，表示作为键合部位的连接基团、氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。X表示碳原子或氮原子。Y表示选自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子中的任一者。但是，在X为碳原子且Y为氧原子的情况下，在X为碳原子且Y为硫原子的情况下，或者在X为氮原子且Y为氮原子的情况下，Y不具有R12。)
2)根据上述1)所述的有机电致发光元件，其特征在于，
上述第1电极为阴极，
上述第2电极为阳极，
上述有机层至少包含空穴传输层、发光层和电子传输层，依次具有上述阳极、上述空穴传输层、上述发光层、上述电子传输层、上述阴极及上述封盖层。
3)根据上述1)所述的有机电致发光元件，其特征在于，上述通式(b-1)为下述通式(b-2)、(b-3)或者(b-4)。
[化3]
(式(b-2)、(b-3)或者(b-4)中，R13～R21可彼此相同也可不同，表示作为键合部位的连接基团、氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。)
4)根据上述1)所述的有机电致发光元件，其特征在于，上述通式(b-1)为下述通式(b-5)、(b-6)或者(b-7)。
[化4]
(式(b-5)、(b-6)或(b-7)中，R22～R26可彼此相同也可不同，表示作为键合部位的连接基团、氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基。)
5)根据上述1)所述的有机电致发光元件，其特征在于，上述通式(b-1)为下述通式(b-8)、(b-9)或者(b-10)。
[化5]
(式(b-8)、(b-9)或(b-10)中，R27～R30可彼此相同也可不同，表示作为键合部位的连接基团、氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。)
6)根据上述1)～上述5)中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，上述m和上述n的合计为0、1或者2。
7)根据上述1)～上述6)中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，上述通式(a-1)中的-NAr1Ar2与-NAr3Ar4的二个氨基骨架相同。
8)根据上述1)～上述7)中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，上述二胺化合物的浓度10-5mol/L的吸收光谱中的吸光度在400nm至410nm的波长范围为0.2以上。
9)根据上述1)～上述8)中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，上述封盖层的厚度为30nm～120nm的范围内。
10)根据上述1)～上述9)中任一项所述的有机电致发光元件，其中，上述封盖层的使400nm及410nm的波长的光透过时的折射率为1.85以上。
11)根据上述1)～上述10)中任一项所述的有机电致发光元件，其中，上述封盖层的波长400nm及410nm的光的消光系数为0.2以上。
12)根据上述1)～上述11)中任一项所述的有机电致发光元件，其中，上述R1和上述R2为氢原子。
发明的效果
本发明的有机EL元件的亮度高、发光效率及电力效率良好、且寿命长。
附图说明
图1为表示本实施方式的有机EL元件的一例的概略截面图。
具体实施方式
本实施方式的目的是改善有机EL元件的元件特性。特别是制成吸收太阳光的波长400nm至410nm的光、对元件内部的材料不造成影响的有机EL元件。另外，本实施方式的目的在于大幅地改善有机EL元件中的光的取出效率。进而，本实施方式的目的在于提供有机EL元件，其具备封盖层，所述封盖层由(1)吸光系数高、(2)折射率高、(3)薄膜的稳定性良好、(4)耐久性优异、(5)耐光性优异、(6)在青、绿及红色各个波长区域中不具有吸收的材料构成。
作为适于封盖层的物理的特性，能够列举出：(1)吸光系数高、(2)折射率高、(3)可蒸镀、(4)薄膜状态稳定、(5)玻璃化转变温度高。
另外，作为适于有机EL元件的物理的特性，能够列举出：(1)吸收400nm至410nm的光、(2)光的取出效率高、(3)没有色纯度的降低、(4)没有经时变化地透过光、(5)长寿命。
“有机EL元件”
本实施方式的有机EL元件在第1电极与第2电极之间具有包含发光层的有机层，在第1电极的与有机层相反侧的面层叠有封盖层。
有机层包含发光层，可以只是发光层，也可具有将发光层与其他有机层层叠的层叠结构。就有机层而言，功能分离型结构的有机层可提高发光效率，因此优选在空穴传输层与电子传输层之间配置有发光层。
第1电极为阳极或者阴极。第2电极在第1电极为阳极的情况下为阴极，在第1电极为阴极的情况下为阳极。
封盖层可只设置于第1电极的与有机层相反侧的面，也可设置于第2电极的与有机层相反侧的面。
与封盖层相接而配置的第1电极为透明或者半透明。因此，成为光的取出效率高的有机EL元件。另外，在第2电极的与有机层相反侧的面也设置了封盖层的情况下，为了成为光的取出效率高的有机EL元件，优选与封盖层相接而配置的第2电极为透明或者半透明。作为在第1电极和/或第2电极中使用的透明或者半透明的材料，例如可列举出MgAg合金等。
作为本实施方式的有机EL元件的结构，例如，在顶部发射结构的发光元件的情况下，可列举出在玻璃基板上依次设置了阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极和封盖层的多层结构。进而，可列举出在阳极与空穴传输层之间具有空穴注入层的结构、在空穴传输层与发光层之间具有电子阻挡层的结构、在发光层与电子传输层之间具有空穴阻挡层的结构、在电子传输层与阴极之间具有电子注入层的结构。
图1为表示本实施方式的有机EL元件的一例的概略截面图。图1中所示的有机EL元件为在玻璃基板1上依次层叠了阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7、阴极8、封盖层9的顶部发射结构的有机EL元件。在图1中所示的有机EL元件中，第1电极为阴极8，第2电极为阳极。另外，在图1中所示的有机EL元件中，有机层包含空穴传输层4、发光层5和电子传输层6。
在这些多层结构中，可省略或兼作某个或某些有机层。例如也能够是兼作空穴注入层和空穴传输层的构成、兼作空穴传输层和电子阻挡层的构成、兼作空穴阻挡层和电子传输层的构成、兼作电子传输层和电子注入层的构成等。另外，也可制成将2层以上的具有同一功能的有机层层叠的构成。例如，也可以是将2层空穴传输层层叠的构成、将2层发光层层叠的构成、将2层电子传输层层叠的构成、将2层封盖层层叠的构成等。
有机EL元件的各层的膜厚的合计优选200nm～750nm左右，更优选350nm～600nm左右。
图1中所示的有机EL元件中的封盖层9含有具有苯并唑环结构的由上述通式(a-1)表示的二胺化合物。在图1中所示的有机EL元件中，对封盖层9等层中使用的材料并无特别限制。以下，对于有机EL元件的各层的材料，具体地举例说明，但各层的材料并不限定于这些。
“封盖层”
在本实施方式的有机EL元件中，上述封盖层的厚度优选为30nm至120nm的范围，更优选为40nm至80nm的范围。如果封盖层的厚度为30nm以上，则具有封盖层所产生的效果变得显著，因此优选。如果封盖层的厚度为120nm以下，能够抑制封盖层的厚度给有机EL元件的薄膜化带来的阻碍，因此优选。在封盖层的膜厚为30nm～120nm的情况下，得到良好的光的取出效率。
予以说明，就封盖层的膜厚而言，能够根据发光层中使用的发光材料的种类、封盖层以外的有机EL元件的各层的厚度等来适当地改变。
在本实施方式的有机EL元件中，封盖层的折射率在透过该封盖层的光的波长为450nm～750nm的范围内，优选为1.85以上，更优选为1.90以上。
封盖层的折射率成为与有机EL元件的光的取出效率的提高有关的指标。
封盖层的折射率优选比邻接的电极的折射率大。即，通过封盖层，有机EL元件中的光的取出效率提高。就其效果而言，封盖层和与封盖层相接的材料的界面处的反射率大时光干涉的效果大，因此有效。因此，封盖层的折射率优选比邻接的电极的折射率大，优选波长400nm及410nm的光的折射率为1.70以上，更优选1.80以上，特别优选为1.85以上。
就本实施方式的有机EL元件的封盖层而言，特别是使波长400nm及410nm的光透过时的折射率优选为2.10～3.00。具有使波长400nm及410nm的光透过时的折射率为2.10以上的封盖层的有机EL元件的光的取出效率高，亮度高，发光效率及电力效率变得良好，因此优选。
另外，就本实施方式的有机EL元件的封盖层而言，优选波长400nm及410nm的光的消光系数为0.2～1.50。波长400nm及410nm的光的消光系数为0.2以上的封盖层吸收波长400nm及410nm的光的功能良好。因此，具备上述消光系数为0.2以上的封盖层的有机EL元件的耐光性良好，能够长期保持色纯度。其结果，该有机EL元件成为亮度的劣化得以抑制的寿命长的有机EL元件。
另外，本实施方式的有机EL元件中具备的封盖层可只由1层的薄膜形成，也可以是将材料不同的2种以上的薄膜层叠而成的产物。
另外，封盖层可只由1种的材料形成，也可混合包含2种以上的材料。
本实施方式的有机EL元件的封盖层含有具有苯并唑环结构的由上述通式(a-1)表示的二胺化合物。
上述二胺化合物能够通过蒸镀法而成膜。另外，就上述二胺化合物而言，除了蒸镀法以外，还能够通过旋涂法和/或喷墨法等公知的方法来形成薄膜。
作为封盖层，可使用将上述二胺化合物单独成膜的层，也可使用与其他材料一起混合而成膜的单层。就封盖层而言，可制成将多个使上述二胺化合物单独地成膜的层之间层叠的结构、将多个与其他材料一起混合而成膜的层之间层叠的结构、或者将单独地成膜的层与混合而成膜的层层叠的结构。
“由通式(a-1)表示的化合物”
本实施方式的有机EL元件中具备的封盖层含有：具有苯并唑环结构的由上述通式(a-1)表示的二胺化合物。
就由通式(a-1)表示的二胺化合物而言，具有-NAr1Ar2和-NAr3Ar4这两个氨基骨架。并且，由通式(a-1)表示的二胺化合物具有式中的A由式(b-1)表示的苯并唑环结构。或者，Ar1～Ar4中的任一者以上及A具有由式(b-1)表示的苯并唑环结构。因此，由通式(a-1)表示的二胺化合物能够形成波长400nm至410nm的光的吸光度高、使波长400nm及410nm的光透过时的折射率和消光系数高的薄膜。因此，具备含有由通式(a-1)表示的二胺化合物的封盖层的本实施方式的有机EL元件的亮度高，发光效率及电力效率良好，寿命长。
应予说明，就由上述通式(a-1)表示的二胺化合物具有的二个氨基骨架(-NAr1Ar2和-NAr3Ar4)而言，两者都不是由“-NH2”表示的氨基。-NAr1Ar2及-NAr3Ar4各自具有由仲胺除去了1个氢的“-NRR′(R及R′表示取代基。)”表示的氨基骨架。-NAr1Ar2及-NAr3Ar4具有的由“-NRR′”表示的氨基骨架可以是-N与-R和/或-R′形成了环。
作为通式(a-1)中的由Ar1至Ar4表示的“取代或未取代的芳香族烃基”、“取代或未取代的芳香族杂环基”或者“取代或未取代的稠合多环芳香族基团”中的“芳香族烃基”、“芳香族杂环基”或者“稠合多环芳香族基团”，具体地，除了苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、螺双芴基、茚基、芘基、苝基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、喹啉基、异喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、喹喔啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘啶基、菲咯啉基、吖啶基及咔啉基等以外，还选自碳原子数6～30的芳基、或碳原子数2～20的杂芳基。
作为通式(a-1)中的由Ar1至Ar4表示的“取代或未取代的芳香族烃基”、“取代或未取代的芳香族杂环基”或者“取代或未取代的稠合多环芳香族基团”中的“取代基”，具体地，除了重氢原子、三氟甲基、氰基、硝基；氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子；三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等甲硅烷基；甲基、乙基、丙基等碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基等碳原子数1-6的直链状或分支状的烷氧基；苯氧基、甲苯氧基等芳氧基；苄氧基、苯乙氧基等芳基烷氧基；乙烯基、烯丙基等烯基；苄基、萘基甲基、苯乙基等芳烷基；苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、螺双芴基、茚基、芘基、苝基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基等芳香族烃基或稠合多环芳香族基团；吡啶基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、喹啉基、异喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、喹喔啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔啉基等芳香族杂环基以外，还能够列举出碳原子数6～30的芳基、或碳原子数2～20的杂芳基等。这些取代基可进一步被上述例示的取代基取代。另外，这些取代基与取代的苯环或在同一苯环多个取代的取代基之间可经由单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或硫原子相互键合而形成环。
作为通式(a-1)、(b-1)、(b-2)、(b-3)、(b-4)、(b-5)、(b-6)、(b-7)、(b-8)、(b-9)和(b-10)中的由R1至R30表示的“可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基”、“可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基”、或者“可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基”中的“碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基”、“碳原子数5～10的环烷基”、“碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基”，具体地，能够列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、环戊基、环己基、1-金刚烷基、2-金刚烷基、乙烯基、烯丙基、异丙烯基及2-丁烯基等。这些基团之间对于取代了的同一苯环，可经由单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或者硫原子相互键合而形成环。
作为通式(a-1)、(b-1)、(b-2)、(b-3)、(b-4)、(b-5)、(b-6)、(b-7)、(b-8)、(b-9)和(b-10)中的由R1至R30表示的“可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基”、“可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基”、或者“取代或未取代的芳氧基”中的“碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基”、“碳原子数5～10的环烷氧基”、或者“芳氧基”，具体地，能够列举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、环戊氧基、环己氧基、1-金刚烷氧基、2-金刚烷氧基、苯氧基、甲苯氧基、萘氧基、芴氧基和联苯氧基等。这些基团之间对于取代了的同一苯环，可经由单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或者硫原子相互键合而形成环。
作为通式(a-1)、(b-1)、(b-2)、(b-3)、(b-4)、(b-5)、(b-6)、(b-7)、(b-8)、(b-9)和(b-10)中的由R1至R30表示的“取代或未取代的芳香族烃基”、“取代或未取代的芳香族杂环基”或者“取代或未取代的稠合多环芳香族基团”中的“芳香族烃基”、“芳香族杂环基”或者“稠合多环芳香族基团”，能够列举出与关于上述通式(a-1)中的由Ar1至Ar4表示的“取代或未取代的芳香族烃基”、“取代或未取代的芳香族杂环基”或者“取代或未取代的稠合多环芳香族基团”中的“芳香族烃基”、“芳香族杂环基”或者“稠合多环芳香族基团”表示的基团同样的基团，可采取的形态也能够列举出同样的形态。
作为通式(a-1)、(b-1)、(b-2)、(b-3)、(b-4)、(b-5)、(b-6)、(b-7)、(b-8)、(b-9)和(b-10)中的由R1至R30表示的“可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基”、“可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基”、“可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基”、“可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基”、“可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基”、“取代芳氧基”、“取代或未取代的芳香族烃基”、“取代或未取代的芳香族杂环基”、或者“取代或未取代的稠合多环芳香族基团”中的“取代基”，能够列举出与关于上述通式(a-1)中的由Ar1至Ar4表示的“取代或未取代的芳香族烃基”、“取代或未取代的芳香族杂环基”或者“取代或未取代的稠合多环芳香族基团”中的“取代基”表示的基团同样的基团，可采取的形态也能够列举出同样的形态。
作为由通式(a-1)表示的二胺化合物，上述通式(a-1)中的-NAr1Ar2与-NAr3Ar4这二个氨基骨架可相同，也可不同。在-NAr1Ar2与-NAr3Ar4这二个氨基骨架相同的情况下，由于合成容易，因此优选。
上述通式(a-1)中的Ar1至Ar4内，至少2处优选取代或未取代的芳香族烃基，更优选取代或未取代的苯基或者联苯基。
优选通式(a-1)中所含的二个氨基骨架(-NAr1Ar2和-NAr3Ar4)中的取代基Ar1～Ar4的全部为未取代的苯基或者联苯基。
上述通式(a-1)中的m和n的合计优选为2以下(0、1或2)，更优选为1以下(0或1)，最优选m和n都为0。
就由通式(a-1)表示的二胺化合物而言，优选作为A的由式(b-1)表示的苯并唑环结构中的X为碳或氮，Y为氧或氮。进而，在X为氮的情况下，更优选Y也为氮。另外，在X为碳的情况下，更优选Y为氧。在式(a-1)中的作为A的式(b-1)中的X为碳、Y为氧的情况下，消光系数为0.2以上，且吸光度大，因此具有包含其的封盖层的有机EL元件得到光取出效率进一步提高的效果。
在本实施方式的有机EL元件中适合使用的、具有苯并唑环结构的由上述通式(a-1)表示的二胺化合物中，作为优选的化合物的具体例，在以下示出由式(1)～(103)表示的化合物。予以说明，由通式(a-1)表示的化合物并不限定于由式(1)～(103)表示的化合物。
[化6]
[化7]
[化8]
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
[化18]
作为封盖层的材料，在由式(1)～(103)表示的化合物中，优选使用选自由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物中的任1种或者2种以上。
就这些化合物而言，浓度10-5mol/L下的波长400nm～410nm处的吸光度为0.2以上，吸收波长400nm～410nm的光的功能良好。
另外，就将这些化合物蒸镀而形成的厚度为30nm～120nm的蒸镀膜而言，成为使波长400nm及410nm的光透过时的折射率为2.10～3.00、消光系数为0.2～1.50的膜。
因此，通过使用选自由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物中的任1种或2种以上作为封盖层的材料，得到亮度更高、发光效率及电力效率更良好、寿命更长的有机EL元件。
作为由通式(a-1)表示的化合物，优选玻璃化转变温度(Tg)为100℃以上的化合物。化合物的玻璃化转变温度(Tg)成为薄膜状态的稳定性的指标。如果化合物的玻璃化转变温度(Tg)为100℃以上，则能够形成稳定性良好的薄膜，因此优选作为封盖层的材料。包括稳定性良好的封盖层的有机EL元件的寿命长而优选。
就本实施方式中的由通式(a-1)表示的化合物的熔点及玻璃化转变温度(Tg)而言，为使用化合物的粉体通过高灵敏度差示扫描量热计(Bruker-AXS制造、DSC3100SA)来测定而得到。
作为由通式(a-1)表示的化合物，优选浓度10-5mol/L下的波长400nm～410nm处的吸光度为0.2～1.5的化合物，更优选波长400nm处的吸光度为0.6～1.5的化合物。就包含波长400nm～410nm处的吸光度为0.2以上的化合物的封盖层而言，吸收波长400nm及410nm的光的功能良好。因此，就具备包含上述吸光度为0.2以上的化合物的封盖层的有机EL元件而言，耐光性良好，寿命长。
就由通式(a-1)表示的化合物的吸光度而言，用甲苯溶剂调节至浓度10-5mol/L，使用紫外可见近红外分光光度计(日本分光制造、V-650)而测定。
作为由通式(a-1)表示的化合物，优选吸光系数为80000～200000的范围。如果化合物的吸光系数为上述范围，则能够形成吸收光的功能良好的薄膜，因此优选作为封盖层的材料。
就由通式(a-1)表示的化合物的吸光系数而言，通过在以下所示的方法来求出。首先，制作用甲苯溶液调节至5.0×10-6mol/L、1.0×10-5mol/L、1.5×10-5mol/L、2.0×10- 5mol/L这4种浓度的化合物的样品。其次，使用紫外可见近红外分光光度计(日本分光制造、V-650)测定各样品的峰值波长处的吸光度。使用其结果来制作校正曲线，算出化合物的吸光系数。
“由通式(a-1)表示的化合物的制造方法”
就具有苯并唑环结构的由通式(a-1)表示的二胺化合物而言，例如，能够通过以下所示的方法来制造。
首先，为了形成由式(b-1)表示的苯并唑环结构，制造作为原料而使用的卤代苯并唑衍生物。就具有与由式(b-1)表示的苯并唑环结构对应的结构的卤代苯并唑衍生物而言，例如，能够通过其自身公知的手法来合成(例如参照非专利文献4、非专利文献5)。
在以下所示的反应式中，X、X’及X”均为卤素。另外，-N(Ar’)2及-N(Ar”)2为通式(a-1)中的-NAr1Ar2或-NAr3Ar4。
[化19]
进而，使用铜催化剂和/或钯催化剂等使合成的卤代苯并唑衍生物与例如芳基胺进行偶合反应。由此，能够合成具有苯并唑环结构的由通式(a-1)表示的二胺化合物。
另外，代替卤代苯并唑衍生物而使用硼酸衍生物、或者硼酸酯衍生物，与卤代芳基胺进行偶合反应，由此能够同样地合成具有苯并唑环结构的由通式(a-1)表示的二胺化合物(例如参照非专利文献6、7)。
就这样合成的由通式(a-1)表示的化合物而言，优选在通过利用柱色谱法的精制、利用硅胶、活性炭、活性白土等的吸附精制、利用溶剂的重结晶、晶析法、升华精制法等精制后使用。
就合成的由通式(a-1)表示的化合物的鉴定而言，能够通过核磁共振(NMR)分析来进行。
“阳极”
在本实施方式的有机EL元件中，在玻璃基板上设置有阳极。作为阳极的材料，使用ITO(氧化铟锡)、金这样的功函数大的电极材料。
作为阳极的制造方法，能够使用蒸镀法等公知的方法。
“有机层”
在本实施方式中，以具有从阳极侧将空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层依次层叠的产物作为有机层的情形为例进行说明。
(空穴注入层)
作为本实施方式的有机EL元件的空穴注入层的材料，能够使用具有在分子中包含3个以上三苯基胺结构、用单键或不含杂原子的2价基团连接的结构的芳基胺化合物、例如星爆型的三苯基胺衍生物、各种三苯基胺4聚体等材料、以酞菁铜为代表的卟啉化合物、六氰基氮杂苯并[9,10]菲这样的受体性的杂环化合物、涂布型的高分子材料。
作为空穴注入层，可使用将这些材料单独地成膜的层，也可使用将2种以上的材料混合而成膜的单层。就空穴注入层而言，可制成将多个使上述的材料单独地成膜的层之间层叠的结构、将多个与其他材料一起混合而成膜的层之间层叠的结构、或者将单独地成膜的层与混合而成膜的层层叠的结构。
就这些材料而言，可通过蒸镀法而进行薄膜形成，除了蒸镀法以外，还可通过旋涂法、喷墨法等公知的方法而进行薄膜形成。
(空穴传输层)
作为本实施方式的有机EL元件的空穴传输层的材料，优选使用N，N'-二苯基-N，N'-二(间-甲苯基)联苯胺(以下简称为TPD)、N，N'-二苯基-N，N'-二(α-萘基)联苯胺(以下简称为NPD)、N，N，N'，N'-四联苯基联苯胺等联苯胺衍生物、1，1-双[4-(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(以下简称为TAPC)等。作为空穴传输层的材料，特别优选使用在分子中具有将2个三苯基胺结构用单键或不含杂原子的2价基团连接的结构的芳基胺化合物，例如N，N，N'，N'-四联苯基联苯胺等。另外，作为空穴传输层的材料，优选使用在分子中具有将3个以上的三苯基胺结构用单键或不含杂原子的2价基团连接的结构的芳基胺化合物，例如各种的三苯基胺3聚体和4聚体等。
作为空穴传输层，可使用将这些材料单独地成膜的层，也可使用将2种以上的材料混合而成膜的单层。就空穴传输层而言，可制成将多个使上述的材料单独地成膜的层之间层叠的结构、将多个与其他材料一起混合而成膜的层之间层叠的结构、或者将单独地成膜的层与混合而成膜的层层叠的结构。
就这些材料而言，可通过蒸镀法而进行薄膜形成，除了蒸镀法以外，还可通过旋涂法、喷墨法等公知的方法而进行薄膜形成。
另外，作为空穴注入层及空穴传输层的材料，可使用聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)(以下简称为PEDOT)/聚(苯乙烯磺酸)(以下简称为PSS)等涂布型的高分子材料。
另外，在空穴注入层或空穴传输层中，可使用对于在该层中通常所使用的材料进一步将三(溴苯基)胺六氯化锑、轴烯衍生物(例如参照专利文献3)等进行P掺杂而成的材料、在其部分结构中具有TPD等联苯胺衍生物的结构的高分子化合物等。
(电子阻挡层)
作为本实施方式的有机EL元件的电子阻挡层的材料，能够使用4，4'，4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(以下简称为TCTA)、9，9-双[4-(咔唑-9-基)苯基]芴、1，3-双(咔唑-9-基)苯(以下简称为mCP)、2，2-双(4-咔唑-9-基苯基)金刚烷(以下简称为Ad-Cz)等咔唑衍生物、以9-[4-(咔唑-9-基)苯基]-9-[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]-9H-芴为代表的具有三苯基甲硅烷基和三芳基胺结构的化合物等具有电子阻挡作用的化合物。
作为电子阻挡层，可使用将这些材料单独地成膜的层，也可使用将2种以上的材料混合而成膜的单层。就电子阻挡层而言，可制成将多个使上述的材料单独地成膜的层之间层叠的结构、将多个与其他材料一起混合而成膜的层之间层叠的结构、或者将单独地成膜的层与混合而成膜的层层叠的结构。
就这些材料而言，可通过蒸镀法而进行薄膜形成，除了蒸镀法以外，还可通过旋涂法、喷墨法等公知的方法而进行薄膜形成。
(发光层)
作为本实施方式的有机EL元件的发光层的材料，除了以Alq3为首的喹啉酚衍生物的金属络合物以外，还能够使用各种的金属络合物、蒽衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、芘衍生物、噁唑衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基衍生物等。
另外，发光层可由主体材料和掺杂剂材料构成。作为主体材料，优选使用蒽衍生物。除此之外，作为主体材料，除了上述发光材料以外，还能够使用具有吲哚环作为稠合环的部分结构的杂环化合物、具有咔唑环作为稠合环的部分结构的杂环化合物、咔唑衍生物、噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、聚二烷基芴衍生物等。另外，作为掺杂剂材料，能够使用喹吖啶酮、香豆素、红荧烯、苝及它们的衍生物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、氨基苯乙烯基衍生物等。
作为发光层，可使用将这些材料单独地成膜的层，也可使用将2种以上的材料混合而成膜的单层。就发光层而言，可制成将多个使上述的材料单独地成膜的层之间层叠的结构、将多个与其他材料一起混合而成膜的层之间层叠的结构、或者将单独地成膜的层与混合而成膜的层层叠的结构。
另外，作为发光材料，也可使用磷光发光体。作为磷光发光体，能够使用铱、铂等的金属络合物的磷光发光体。例如，使用Ir(ppy)3等绿色的磷光发光体、双(3，5-二氟-2-(2-吡啶基苯基-(2-羧基吡啶基)铱(III)(FIrpic)、双(2，4-二氟苯基吡啶合)-四(1-吡唑基)硼酸铱(III)(FIr6)等青色的磷光发光体、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)(Btp2Ir(acac))等红色的磷光发光体等。
作为此时的主体材料，作为空穴注入·传输性的主体材料，能够使用4，4’-二(N-咔唑基)联苯(以下简称为CBP)、TCTA、mCP等咔唑衍生物。作为电子传输性的主体材料，能够使用对-双(三苯基甲硅烷基)苯(以下简称为UGH2)、2，2’，2”-(1，3，5-亚苯基)-三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(以下简称为TPBI)等，能够制作高性能的有机EL元件。
就磷光性的发光材料在主体材料中的掺杂而言，为了避免浓度消光，相对于发光层整体，优选以1～30重量％的范围通过共蒸镀而进行掺杂。
另外，作为发光材料，也可使用2-联苯基-4，6-双(12-苯基吲哚并[2，3-a]咔唑-11-基)-1，3，5-三嗪(PIC-TRZ)、2，4-双(f3-(9H-咔唑-9-基)-6-苯基-1，3，5-三嗪(CC2TA)、2，4，6-三(4-(10H-吩噁嗪-10H-基)苯基)-1，3，5-三嗪(PXZ-TRZ)、2，4，5，6-四(9H-咔唑-9-基)间苯二甲腈(4CzIPN)、咔唑基二氰基苯(CDCB)衍生物等放射延迟荧光的材料(例如参照非专利文献8)。
就这些发光材料而言，可通过蒸镀法而进行薄膜形成，除了蒸镀法以外，还可通过旋涂法、喷墨法等公知的方法而进行薄膜形成。
(空穴阻挡层)
作为本实施方式的有机EL元件的空穴阻挡层的材料，能够使用浴铜灵(以下简写为BCP)等菲咯啉衍生物、双(2-甲基-8-羟基喹啉合)-4-苯基苯酚铝(III)(以下简称为BAlq)等喹啉酚衍生物的金属络合物、各种的稀土络合物、三唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、噁二唑衍生物、苯并唑衍生物等具有空穴阻挡作用的化合物。这些材料可兼作电子传输层的材料。
作为空穴阻挡层，可使用将这些材料单独地成膜的层，也可使用将2种以上的材料混合而成膜的单层。就空穴阻挡层而言，可制成将多个使上述的材料单独地成膜的层之间层叠的结构、将多个与其他材料一起混合而成膜的层之间层叠的结构、或者将单独地成膜的层与混合而成膜的层层叠的结构。
就这些材料而言，可通过蒸镀法而进行薄膜形成，除了蒸镀法以外，还可通过旋涂法、喷墨法等公知的方法而进行薄膜形成。
(电子传输层)
作为本实施方式的有机EL元件的电子传输层的材料，除了以Alq3、BAlq为首的喹啉酚衍生物的金属络合物以外，还能够使用各种金属络合物、三唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并唑衍生物、噻二唑衍生物、蒽衍生物、碳二亚胺衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶并吲哚衍生物、菲咯啉衍生物、噻咯衍生物等。
作为电子传输层，可使用将这些材料单独地成膜的层，也可使用将2种以上的材料混合而成膜的单层。就电子传输层而言，可制成将多个使上述的材料单独地成膜的层之间层叠的结构、将多个与其他材料一起混合而成膜的层之间层叠的结构、或者将单独地成膜的层与混合而成膜的层层叠的结构。
就这些材料而言，可通过蒸镀法而进行薄膜形成，除了蒸镀法以外，还可通过旋涂法、喷墨法等公知的方法而进行薄膜形成。
(电子注入层)
作为本实施方式的有机EL元件的电子注入层的材料，能够使用氟化锂、氟化铯等碱金属盐、氟化镁等碱土类金属盐、喹啉酚锂等喹啉酚衍生物的金属络合物、氧化铝等金属氧化物、或者镱(Yb)、钐(Sm)、钙(Ca)、锶(Sr)、铯(Cs)等金属等。
就电子注入层而言，在电子传输层与阴极的优选的选择中，能够将其省略。
进而，在电子注入层或电子传输层中，能够使用对于在该层中通常所使用的材料进一步将铯等金属进行了N掺杂的材料。
作为电子注入层的制造方法，能够使用蒸镀法等公知的方法。
“阴极”
作为本实施方式的有机EL元件的阴极的材料，使用铝这样的功函数低的电极材料、镁银合金、镁钙合金、镁铟合金、铝镁合金这样的、功函数更低的合金、ITO、由氧化铟和氧化锌构成的透明电极材料(IZO)等。
在本实施方式的有机EL元件中，与封盖层相接而配置的第1电极为阴极。因此，为了制成光的取出效率高的有机EL元件，优选阴极为透明或者半透明。
作为阴极的制造方法，能够使用蒸镀法等公知的方法。
本实施方式的有机EL元件为顶部发射结构，具有在透明或者半透明电极的外侧设置的、折射率比半透明电极高的封盖层。由此，在本实施方式的有机EL元件中，能够大幅地提高光的取出效率。另外，通过在封盖层中使用由上述通式(a-1)表示的具有苯并唑环结构的二胺化合物，能够在400℃以下的温度下成膜。因此，不会对发光元件造成损伤，另外，能够使用高精细掩模而形成使各色的光的取出效率最优化的封盖层。因此，就本实施方式的有机EL元件而言，能够适合地应用于全色显示器，能够色纯度良好地显示鲜明且明亮的图像。
就本实施方式的有机EL元件而言，作为封盖层的材料，使用吸光系数高、折射率高、薄膜的稳定性及耐久性、耐光性优异的有机EL元件用的材料。因此，就本实施方式的有机EL元件而言，与以往的有机EL元件相比，不受太阳光的影响，保持色纯度，可使光的取出效率大幅提高。进而，通过本实施方式的有机EL元件，实现高效率、长寿命的有机EL元件成为可能。
应予说明，在上述中，对于顶部发射结构的有机EL元件进行了说明，但本发明并不限定于此。就本发明而言，对于底部发射结构的有机EL元件、及从上部及底部这两者发光的双重发射结构的有机EL元件，也能够同样地应用。在这些结构的有机EL元件的情况下，就位于将光从发光元件取出到外部的方向的电极而言，优选为透明或半透明。
“有机EL元件的制造方法”
本实施方式的有机EL元件的制造方法具有：在第1电极与第2电极之间形成包含发光层的有机层的工序、和在第1电极的与有机层相反侧的面层叠封盖层的工序。
在本实施方式中，使用具有苯并唑环结构的由通式(a-1)表示的二胺化合物来形成封盖层。作为将封盖层层叠的方法，由于是适于大量生产厚度为纳米单位的薄膜的方法，因此优选使用蒸镀法。
以下，对于本发明的实施方式，通过实施例具体地说明。本发明只要不超越其主旨，则并不限定于以下的实施例。
“实施例1”
由式(7)表示的化合物＜6-(双-联苯-4-基-氨基)-2-{4-(双-联苯-4-基-氨基)-苯基}-苯并噁唑＞的合成
在氮置换了的反应容器中，加入6-溴-2-(4-溴-苯基)-苯并噁唑：7.0g、双-(联苯-4-基)-胺：14.0g、叔丁氧基钠：5.7g、甲苯：140mL，一边照射30分钟超声波，一边通入氮气。在反应容器中，进一步加入醋酸钯：0.2g、三(叔丁基)膦：0.4g，在加热回流下搅拌3小时。将反应容器自然冷却后，在过滤及减压下浓缩，得到粗产物。
用甲苯/丙酮混合溶剂对得到的粗产物进行再晶析精制，得到6-(双-联苯-4-基-氨基)-2-{4-(双-联苯-4-基-氨基)-苯基}-苯并噁唑(由式(7)表示的化合物)的黄色粉体：15.0g(收率91％)。
[化20]
对于得到的黄色粉体，使用NMR对结构进行鉴定。
用1H-NMR(DMSO-d6)检测出以下的43个氢的信号。
δ(ppm)＝8.06(2H)、7.77-7.61(17H)、7.51-7.41(9H)、7.40-7.24(8H)、7.21-7.12(7H)。
“实施例2”
由式(22)表示的化合物＜6-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-2-[4-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-苯基]-苯并噁唑＞的合成
在氮置换了的反应容器中，加入6-溴-2-(4-溴-苯基)-苯并噁唑：7.0g、(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-胺：12.5g、叔丁氧基钠：5.7g、甲苯：140mL，一边照射30分钟超声波，一边通入氮气。在反应容器中，进一步加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)：0.5g、三(叔丁基)膦：0.4g，在加热回流下搅拌12小时。将反应容器自然冷却后，在过滤及减压下浓缩，得到粗产物。
用甲苯/丙酮混合溶剂对得到的粗产物进行再晶析精制，得到6-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-2-[4-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-苯基]-苯并噁唑(由式(22)表示的化合物)的黄色粉体：9.0g(收率59％)。
[化21]
对于得到的黄色粉体，使用NMR对结构进行鉴定。
用1H-NMR(DMSO-d6)检测出以下的33个氢的信号。
δ(ppm)＝8.15(2H)、8.10(2H)、8.06(2H)、7.81-7.69(5H)、7.57(1H)、7.51-7.36(8H)、7.36-7.17(11H)、7.06(2H)。
“实施例3”
由式(79)表示的化合物＜5-(联苯-4-基-苯基-氨基)-2-{4-(联苯-4-基-苯基-氨基)-苯基}-苯并噁唑＞的合成
在氮置换了的反应容器中，加入5-溴-2-(4-溴-苯基)-苯并噁唑：7.0g、联苯-4-基-苯基-胺：10.7g、叔丁氧基钠：5.7g、甲苯：110mL，一边照射30分钟超声波，一边通入氮气。在反应容器中，进一步加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)：0.5g、三(叔丁基)膦：0.5g，在加热回流下搅拌7小时。将反应容器自然冷却后，在过滤及减压下浓缩，得到粗产物。
用甲苯/丙酮混合溶剂对得到的粗产物进行再晶析精制，得到5-(联苯-4-基-苯基-氨基)-2-{4-(联苯-4-基-苯基-氨基)-苯基}-苯并噁唑(由式(79)表示的化合物)的黄色粉体：7.8g(收率56％)。
[化22]
对于得到的黄色粉体，使用NMR对结构进行鉴定。
用1H-NMR(DMSO-d6)检测出以下的35个氢的信号。
δ(ppm)＝8.06(2H)、7.71(3H)、7.68(2H)、7.62(4H)、7.44(7H)、7.34(4H)、7.24(5H)、7.08(8H)。
“实施例4”
由式(93)表示的化合物＜5-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-2-[4-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-苯基]-苯并噁唑＞的合成
在氮置换了的反应容器中，加入5-溴-2-(4-溴-苯基)-苯并噁唑：6.0g、(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-胺：10.7g、叔丁氧基钠：4.9g、甲苯：110mL，一边照射30分钟超声波，一边通入氮气。在反应容器中，进一步加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)：0.5g、三(叔丁基)膦：0.4g，在加热回流下搅拌7小时。将反应容器自然冷却后，在过滤及减压下浓缩，得到粗产物。
用甲苯溶剂对得到的粗产物进行再晶析精制，得到5-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-2-[4-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-苯基]-苯并噁唑(由式(93)表示的化合物)的黄色粉体：6.0g(收率46％)。
[化23]
对于得到的黄色粉体，使用NMR对结构进行鉴定。
用1H-NMR(DMSO-d6)检测出以下的33个氢的信号。
δ(ppm)＝8.15(4H)、8.05(2H)、7.82(1H)、7.78(2H)、7.74(2H)、7.61(1H)、7.52-7.34(8H)、7.34-7.17(11H)、7.01(2H)。
“实施例5”
由式(97)表示的化合物＜4-(联苯-4-基-苯基-氨基)-2-{4-(联苯-4-基-苯基-氨基)-苯基}-苯并噁唑＞的合成
在氮置换了的反应容器中，加入4-溴-2-(4-溴-苯基)-苯并噁唑：7.0g、联苯-4-基-苯基-胺：10.7g、叔丁氧基钠：5.7g、甲苯：110mL，一边照射30分钟超声波，一边通入氮气。在反应容器中，进一步加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)：0.5g、三(叔丁基)膦：0.5g，在加热回流下搅拌4小时。将反应容器自然冷却后，在过滤及减压下浓缩，得到粗产物。
使用柱色谱法(载体：硅胶、洗提液：正庚烷/甲苯)对得到的粗产物进行精制，得到4-(联苯-4-基-苯基-氨基)-2-{4-(联苯-4-基-苯基-氨基)-苯基}-苯并噁唑(由式(97)表示的化合物)的黄色粉体：11.9g(收率88％)。
[化24]
对于得到的黄色粉体，使用NMR对结构进行鉴定。
用1H-NMR(DMSO-d6)检测出以下的35个氢的信号。
δ(ppm)＝7.86(2H)、7.69(2H)、7.65(3H)、7.61(2H)、7.56(2H)、7.51-7.26(11H)、7.17(5H)、7.06(8H)。
“实施例6”
由式(99)表示的化合物＜4-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-2-[4-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-苯基]-苯并噁唑＞的合成
在氮置换了的反应容器中，加入4-溴-2-(4-溴-苯基)-苯并噁唑：6.0g、(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-胺：10.7g、叔丁氧基钠：4.9g、甲苯：110mL，一边照射30分钟超声波，一边通入氮气。在反应容器中，进一步加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)：0.5g、三(叔丁基)膦：0.4g，在加热回流下搅拌4小时。将反应容器自然冷却后，在过滤及减压下浓缩，得到粗产物。
使用柱色谱法(载体：硅胶、洗提液：甲苯/醋酸乙酯)对得到的粗产物进行精制，得到4-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-2-[4-{(4-苯并噁唑-2-基-苯基)-苯基-氨基}-苯基]-苯并噁唑(由式(99)表示的化合物)的黄色粉体：7.1g(收率55％)。
[化25]
对于得到的黄色粉体，使用NMR对结构进行鉴定。
用1H-NMR(CDCl3)检测出以下的33个氢的信号。
δ(ppm)＝8.09(4H)、7.92(2H)、7.73(2H)、7.54(2H)、7.42-7.20(12H)、7.21-7.07(11H)。
“实施例7”
由式(101)表示的化合物＜5-(联苯-4-基-苯基-氨基)-2-{4-(联苯-4-基-苯基-氨基)-苯基}-苯并三唑＞的合成
在氮置换了的反应容器中，加入5-溴-2-(4-溴-苯基)-苯并三唑：6.5g、联苯-4-基-苯基-胺：9.5g、叔丁氧基钠：5.3g、甲苯：130mL，一边照射30分钟超声波，一边通入氮气。在反应容器中，进一步加入醋酸钯(II)：0.1g、三(叔丁基)膦：0.3g，在加热回流下搅拌7小时。将反应容器自然冷却后，在过滤及减压下浓缩，得到粗产物。
用甲苯溶剂对得到的粗产物进行再晶析精制，得到5-(联苯-4-基-苯基-氨基)-2-{4-(联苯-4-基-苯基-氨基)-苯基}-苯并三唑(由式(101)表示的化合物)的黄色粉体：10.4g(收率83％)。
[化26]
对于得到的黄色粉体，使用NMR对结构进行鉴定。
用1H-NMR(CDCl3)检测出以下的35个氢的信号。
δ(ppm)＝8.19(2H)、7.82(1H)、7.63(4H)、7.57(4H)、7.50(1H)、7.47(4H)、7.41-7.19(17H)、7.15(2H)。
“实施例8”
由式(102)表示的化合物＜5-咔唑-9-基-2-(4-咔唑-9-基-苯基)-苯并三唑＞的合成
在氮置换了的反应容器中，加入5-溴-2-(4-溴-苯基)-苯并三唑：6.5g、咔唑：6.5g、叔丁氧基钠：5.3g、甲苯：130mL，一边照射30分钟超声波，一边通入氮气。在反应容器中，进一步加入醋酸钯：0.1g、三(叔丁基)膦：0.3g，在加热回流下搅拌一晚。将反应容器自然冷却后，在过滤及减压下浓缩，得到粗产物。
用甲苯溶剂对得到的粗产物进行再晶析精制，得到5-咔唑-9-基-2-(4-咔唑-9-基-苯基)-苯并三唑(由式(102)表示的化合物)的黄色粉体：4.7g(收率37％)。
[化27]
对于得到的黄色粉体，使用NMR对结构进行鉴定。
用1H-NMR(CDCl3)检测出以下的23个氢的信号。
δ(ppm)＝8.70(2H)、8.22(6H)、7.86(2H)、7.71(1H)、7.54(4H)、7.50(4H)、7.38(4H)。
(化合物的熔点及玻璃化转变温度(Tg)的测定)
对于实施例1～实施例8中合成的由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物，分别采用高灵敏度差示扫描量热计(Bruker-AXS制造、DSC3100SA)测定熔点及玻璃化转变温度(Tg)。以下示出其结果。
实施例1(式(7)的化合物)熔点；未观测到、Tg；138℃
实施例2(式(22)的化合物)熔点；未观测到、Tg；139℃
实施例3(式(79)的化合物)熔点；未观测到、Tg；104℃
实施例4(式(93)的化合物)熔点；未观测到、Tg；137℃
实施例5(式(97)的化合物)熔点；未观测到、Tg；106℃
实施例6(式(79)的化合物)熔点；未观测到、Tg；137℃
实施例7(式(101)的化合物)熔点；未观测到、Tg；105℃
实施例8(式(102)的化合物)熔点；232℃、Tg；115℃
可知：实施例1～实施例8中合成的由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物均为玻璃化转变温度(Tg)为100℃以上、能够形成稳定性良好的薄膜的材料。
(化合物的峰值波长、吸光度及吸光系数的测定)
对于实施例1～实施例8中合成的由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物，各自用甲苯溶剂调节至浓度10-5mol/L，使用紫外可见近红外分光光度计(日本分光制造、V-650)，测定波长200～600nm的范围中的吸光度，求出峰值波长。将其结果示于表1中。
另外，对于实施例1～实施例8中合成的由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物，各自用甲苯溶剂调节至浓度10-5mol/L，使用紫外可见近红外分光光度计(日本分光制造、V-650)，测定了波长400nm和410nm处的吸光度。将其结果示于表1中。
另外，对于实施例1～实施例8中合成的由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物，各自制成用甲苯溶液调节至5.0×10-6mol/L、1.0×10-5mol/L、1.5×10-5mol/L、2.0×10-5mol/L的4种浓度的样品。使用紫外可见近红外分光光度计(日本分光制造、V-650)测定各样品的峰值波长处的吸光度，对每个化合物制作校正曲线，算出吸光系数。将其结果示于表1中。
为了比较，使用由下述式(2-1)表示的化合物及Alq3，与由式(7)表示的化合物同样地测定各自的峰值波长、吸光度及吸光系数。
将其结果一并示于表1中。
[化28]
[表1]
如表1中所示，就由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物的峰值波长而言，与由式(2-1)表示的化合物和Alq3同样地为400nm以下。由此可知，由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物能够作为不易吸收青、绿及红各个波长区域中的光并且吸收波长400nm及410nm的光的薄膜的材料来使用。
如表1中所示，就由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物而言，与由式(2-1)表示的化合物和Alq3相比，吸光度高。由此可知，就由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物而言，如果为相同的浓度，与由式(2-1)表示的化合物和Alq3相比，是能够形成吸收波长400nm及410nm的光的功能良好的薄膜的材料。
另外，就由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物而言，与由式(2-1)表示的化合物和Alq3相比，吸光系数大。因此，通过使用由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物，能够形成越是使膜厚厚膜化、吸收光的功能越显著地升高的膜。
(薄膜的折射率和消光系数的测定)
分别使用实施例1～实施例8中合成的由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物，在硅基板上制作膜厚80nm的蒸镀膜。
对于得到的蒸镀膜，分别使用分光测定装置(フィルメトリクス公司制造、F10-RT-UV)，分别使400nm的光及410nm的光透过封盖层，测定使硅基板反射而得到的反射光，求出封盖层的折射率n及消光系数k。将其结果示于表2中。
为了比较，分别使用由上述式(2-1)表示的化合物及Alq3，在硅基板上制作膜厚80nm的蒸镀膜，与由式(7)表示的化合物的蒸镀膜同样地，分别使400nm的光及410nm的光透过封盖层，测定使硅基板反射而得到的反射光，求出封盖层的折射率n及消光系数k(例如参照专利文献4)。将其结果一并示于表2中。
[表2]
如表2中所示，就由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物构成的薄膜而言，折射率n为与由式(2-1)表示的化合物构成的薄膜同等以上，比由Alq3构成的薄膜高。
由此，通过使用由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物构成的薄膜作为封盖层，能够期待有机EL元件中的光的取出效率的提高。
另外，就由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物构成的薄膜而言，与由式(2-1)表示的化合物及Alq3构成的薄膜相比，消光系数k高。
这表示：使用了由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)所示的化合物构成的薄膜的封盖层充分吸收太阳光的波长400nm至410nm的光，不对元件内部的材料造成影响。
“实施例9”
通过以下所示的方法，制造图1中所示的有机EL元件。
在预先形成有反射电极作为由金属构成的阳极2的玻璃基板1上，通过蒸镀法，依次形成空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7、阴极8、封盖层9，得到图1中所示的有机EL元件。
具体地，准备将膜厚50nm的ITO、膜厚100nm的银合金的反射膜、膜厚5nm的ITO作为阳极2依次成膜而成的玻璃基板1。对于玻璃基板1，在异丙醇中进行20分钟超声波清洗后，在加热到250℃的热板上进行10分钟干燥。然后，进行2分钟UV臭氧处理后，将该带有ITO的玻璃基板1安装到真空蒸镀机内，将真空蒸镀机内减压到0.001Pa以下。
接着，以覆盖阳极2的方式，作为空穴注入层3，对电子受体(受体-1)和由下述式表示的化合物(3-1)以蒸镀速度比成为受体-1：化合物(3-1)＝3：97的蒸镀速度进行二元蒸镀，以膜厚成为10nm的方式形成。
在该空穴注入层3上，作为空穴传输层4，形成了化合物(3-1)以使膜厚成为140nm。
在该空穴传输层4上，作为发光层5，对由下述式表示的化合物(3-2)和由下述式表示的化合物(3-3)以蒸镀速度比成为化合物(3-2)：(3-3)＝5：95的蒸镀速度进行二元蒸镀，以膜厚成为20nm的方式形成。
在该发光层5上，作为电子传输层6，对由下述式表示的化合物(3-4)和由下述式表示的化合物(3-5)以蒸镀速度比成为化合物(3-4)：化合物(3-5)＝50：50的蒸镀速度进行二元蒸镀，以膜厚成为30nm的方式形成。
[化29]
在该电子传输层6上，作为电子注入层7，形成氟化锂以使膜厚成为1nm。
在该电子注入层7上，作为半透明的阴极8，形成镁银合金以使膜厚成为12nm。
最后，通过在阴极8上蒸镀实施例1中合成的由式(7)表示的化合物，形成膜厚60nm的封盖层9，得到实施例9的有机EL元件。
“实施例10”
作为封盖层9的材料，代替实施例1中合成的由式(7)表示的化合物而使用实施例2中合成的由式(22)表示的化合物，除此以外与实施例9同样地得到实施例10的有机EL元件。
“实施例11”
作为封盖层9的材料，代替实施例1中合成的由式(7)表示的化合物而使用实施例3中合成的由式(79)表示的化合物，除此以外与实施例9同样地得到实施例11的有机EL元件。
“实施例12”
作为封盖层9的材料，代替实施例1中合成的由式(7)表示的化合物而使用实施例4中合成的由式(93)表示的化合物，除此以外与实施例9同样地得到实施例12的有机EL元件。
“实施例13”
作为封盖层9的材料，代替实施例1中合成的由式(7)表示的化合物而使用实施例5中合成的由式(97)表示的化合物，除此以外与实施例9同样地得到实施例13的有机EL元件。
“实施例14”
作为封盖层9的材料，代替实施例1中合成的由式(7)表示的化合物而使用实施例6中合成的由式(99)表示的化合物，除此以外与实施例9同样地得到实施例14的有机EL元件。
“实施例15”
作为封盖层9的材料，代替实施例1中合成的由式(7)表示的化合物而使用实施例7中合成的由式(101)表示的化合物，除此以外与实施例9同样地得到实施例15的有机EL元件。
“实施例16”
作为封盖层9的材料，代替实施例1中合成的由式(7)表示的化合物而使用实施例8中合成的由式(102)表示的化合物，除此以外与实施例9同样地得到实施例16的有机EL元件。
“比较例1”
作为封盖层9的材料，代替实施例1中合成的由式(7)表示的化合物而使用由上述式(2-1)表示的化合物，除此以外与实施例9同样地得到比较例1的有机EL元件。
“比较例2”
作为封盖层9的材料，代替实施例1中合成的由式(7)表示的化合物而使用Alq3，除此以外与实施例9同样地得到比较例2的有机EL元件。
对于实施例9～实施例16、比较例1、比较例2的有机EL元件，分别在大气中、常温下进行了特性测定。
具体地，测定对各有机EL元件施加了直流电压时的、电流密度10mA/cm2下的驱动电压、亮度、发光效率、电力效率。将其结果示于表3中。
另外，对于实施例9～实施例16、比较例1、比较例2的有机EL元件，分别在大气中、常温下进行10mA/cm2的恒电流驱动，测定直至将初期亮度设为100％时的亮度衰减至95％的时间，作为寿命(元件寿命)进行评价。将其结果示于表3中。
[表3]
如表3中所示，电流密度10mA/cm2下的驱动电压在实施例9～实施例16、比较例1、比较例2的有机EL元件中大体上为同等。
如表3中所示，实施例9～实施例16的有机EL元件与比较例1、比较例2的有机EL元件相比，亮度、发光效率及电力效率高。这表示：通过使用由式(7)(22)(79)(93)(97)(99)(101)(102)表示的化合物作为有机EL元件的封盖层的材料，与使用了由式(2-1)表示的化合物及Alq3的情形相比，能够大幅地改善光的取出效率。
另外，实施例9～实施例16的有机EL元件与比较例1、比较例2的有机EL元件相比，为长寿命。
特别地，使用了由式(97)表示的化合物作为封盖层的材料的实施例13的有机EL元件为长寿命。
产业上的可利用性
如上所述，就本发明的有机EL元件中的、具有苯并唑环结构的由通式(a-1)表示的二胺化合物而言，吸光系数高，折射率高，薄膜状态稳定。因此，作为有机EL元件的封盖层中所使用的化合物优异。就具有使用了该化合物的封盖层的有机EL元件而言，得到高的发光效率、光的取出效率及电力效率。通过进一步制成具有使用了该化合物的封盖层的有机EL元件，吸收太阳光的光，以不对元件内部的材料造成影响的方式能够改善耐久性及耐光性。
另外，就具有苯并唑环结构的由通式(a-1)表示的二胺化合物而言，在青、绿及红各自的波长区域中不具有吸收。因此，就具有使用了该化合物的封盖层的有机EL元件而言，在想要显示色纯度好、鲜明、明亮的图像的情况下特别适合。例如可向家庭电化制品、照明的用途发展。
附图标记的说明
1 玻璃基板
2 阳极
3 空穴注入层
4 空穴传输层
5 发光层
6 电子传输层
7 电子注入层
8 阴极
9 封盖层

Claims (12)

1.一种有机电致发光元件，其特征在于，
在第1电极与第2电极之间具有包含发光层的有机层，
在所述第1电极的与所述有机层相反侧的面，层叠封盖层，
所述第1电极为透明或半透明，
所述封盖层含有由下述通式(a-1)表示的具有苯并唑环结构的二胺化合物，
式(a-1)中，A表示由下述通式(b-1)表示的以R3～R12内的2处作为键合部位的2价基团，Ar1～Ar4可各自彼此相同也可不同，表示由选自芳香族烃基、稠合多环芳香族基团和芳香族杂环基的取代基取代的或未取代的苯基，R1及R2可彼此相同也可不同，表示氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团，m及n表示0～2的整数，p及q表示0～4的整数，另外，在m或n为0的情况下，作为单键，表示A与氮原子键合，在m及n为1以上的整数的情况下，Ar1、Ar2及与它们键合的氮原子邻接的苯环、或者Ar3、Ar4及与它们键合的氮原子邻接的苯环可经由氮原子通过单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或者硫原子键合而形成环，在p及q为2以上的整数的情况下，在同一苯环键合的多个R1或者R2可彼此相同也可不同，另外，对于取代的同一苯环，可经由单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或硫原子相互键合而形成环，
式(b-1)中，R3～R12可彼此相同也可不同，表示作为键合部位的连接基团、氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团，X表示碳原子或氮原子，Y表示选自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子中的任一者，但是，在X为碳原子且Y为氧原子的情况下，在X为碳原子且Y为硫原子的情况下，或者在X为氮原子且Y为氮原子的情况下，Y不具有R12。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，
所述第1电极为阴极，
所述第2电极为阳极，
所述有机层至少包含空穴传输层、发光层和电子传输层，
依次具有所述电极、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层、所述阴极及所述封盖层。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述通式(b-1)为下述通式(b-2)、(b-3)或者(b-4)，
式(b-2)、(b-3)或者(b-4)中，R13～R21可彼此相同也可不同，表示作为键合部位的连接基团、氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述通式(b-1)为下述通式(b-5)、(b-6)或者(b-7)，
式(b-5)、(b-6)或(b-7)中，R22～R26可彼此相同也可不同，表示作为键合部位的连接基团、氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述通式(b-1)为下述通式(b-8)、(b-9)或(b-10)，
式(b-8)、(b-9)或(b-10)中，R27～R30可彼此相同也可不同，表示作为键合部位的连接基团、氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2～6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5～10的环烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述m和所述n的合计为0、1或者2。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述通式(a-1)中的-NAr1Ar2与-NAr3Ar4的二个氨基骨架相同。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述二胺化合物的浓度10-5mol/L的吸收光谱中的吸光度在400nm至410nm的波长范围为0.2以上。
9.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述封盖层的厚度为30nm～120nm的范围内。
10.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光元件，其中，所述封盖层的使400nm及410nm的波长的光透过时的折射率为1.85以上。
11.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光元件，其中，所述封盖层的波长400nm及410nm的光的消光系数为0.2以上。
12.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光元件，其中，所述R1及所述R2为氢原子。
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