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CN112018136B - 数字x射线检测仪、数字x射线检测装置及其制造方法 - Google Patents

数字x射线检测仪、数字x射线检测装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

提出了一种数字X射线检测仪、数字X射线检测装置及其制造方法。所述数字X射线检测仪包括：基础衬底，包括有源区域以及GIP(面板内栅极)区域，所述有源区域包括多个像素区域，所述GIP区域位于所述有源区域的至少一个侧面区域中；PIN(P型半导体‑本征型半导体‑N型半导体)二极管，设置在所述有源区域中并且在所述基础衬底的上方；GIP驱动器，设置在所述GIP区域中并且在所述基础衬底的上方；以及闪烁体层，设置在所述PIN二极管和所述GIP驱动器的上方，以覆盖所述有源区域和至少一部分所述GIP区域。本发明能够在将边框尺寸最小化的同时将X射线对驱动器的损坏最小化。

Description

数字X射线检测仪、数字X射线检测装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种包括GIP(面板内栅极)驱动器的数字X射线检测仪、包括数字X射线检测仪的数字X射线检测装置及其制造方法，其中在将边框尺寸最小化的同时将X射线对驱动器的损坏最小化。
背景技术
因为X射线的波长短，所以X射线可以容易地透射物体。X射线的透射率取决于物体的内部密度。因此，可以通过检测透射过物体的X射线的透射率来观察物体的内部结构。
在医学领域中使用的基于X射线的检查方法之一是胶片印刷方案。但是，在胶片印刷方案中，为了检查结果，拍摄图像，然后印刷胶片。因此，会需要较长时间来检查结果。特别是，在胶片印刷方案中，在存储和保存已印刷的胶片方面会存在一些困难。
近来，使用薄膜晶体管的数字X射线检测仪(DXD)已得到开发并已广泛用于医疗领域。
通常，数字X射线检测仪检测透射过物体的X射线的透射率，并基于该透射率在显示器上显示物体的内部状态。
因此，数字X射线检测仪可以显示物体的内部结构，而无需使用单独的胶片和打印纸。此外，DXD具有可以紧接在X射线拍摄之后实时检查结果的优点。
发明内容
在乳房造影法中使用的数字X射线检测装置中，例如，为了提高要成像的人体的一部分的成像分辨率，需要将与要成像的人体接触的数字X射线检测仪的边框尺寸最小化。
通常，栅极驱动器和读出电路以集成电路(IC)的形式附接到数字X射线检测仪的至少一个边框区域。
具体地，栅极驱动器和读出电路可以使用膜上芯片(COF)方案以集成电路的形式来实现，并且可以附接至数字X射线检测仪的阵列面板的一端。
由于附接到阵列面板的一端的栅极驱动器和读出电路，因此需要具有一定面积或更大面积的边框区域。因而，难以减小边框尺寸。
因此，本发明人开发了一种数字X射线检测仪其中应用GIP(面板内栅极)驱动器以将边框尺寸最小化，并且将X射线对GIP驱动器的损坏最小化，并且还进一步开发了包括这种数字X射线检测仪的数字X射线检测装置及这种数字X射线检测仪的制造方法。
本发明的一个目的是提供一种数字X射线检测仪以及包括数字X射线检测仪的数字X射线检测装置及其制造方法，数字X射线检测仪包括可以允许将边框尺寸最小化的GIP驱动器。
此外，本发明的另一个目的是提供一种数字X射线检测仪以及包括数字X射线检测仪的数字X射线检测装置及其制造方法，其中将X射线对GIP驱动器的损坏最小化。
此外，本发明的又一个目的是提供一种数字X射线检测仪其中将与作为成像目标的身体接触的接触部分的边框尺寸最小化，从而提高了接触部分的成像分辨率，还提供一种包括数字X射线检测仪的数字X射线检测装置及其制造方法。
本发明的目的不限于上述目的。以上未提及的本发明的其他目的和优点可以从以下描述中加以理解，并且从本发明的实施方式中可以更清楚地理解。此外，将容易意识到，可以通过所要求保护的特征及其组合来实现本发明的目的和优点。
本发明的一个实施方式提供了一种具有GIP驱动器的数字X射线检测仪以及包括数字X射线检测仪的数字X射线检测装置，其中在将边框区域最小化的同时将X射线对驱动器的损坏最小化。
根据一个实施方式，所述数字X射线检测仪可以包括：基础衬底，包括有源区域以及GIP区域，所述有源区域包括多个像素区域，所述GIP区域位于所述有源区域的至少一个侧面区域中；PIN(P型半导体-本征型半导体-N型半导体)二极管，设置在所述有源区域中并且在所述基础衬底的上方；GIP驱动器，设置在所述GIP区域中并且在所述基础衬底的上方；以及闪烁体层，设置在所述PIN二极管和所述GIP驱动器的上方，以覆盖所述有源区域和至少一部分所述GIP区域。
在这个例子中，GIP驱动器可以包括晶体管区域和信号线区域。晶体管区域可以比信号线区域更靠近有源区域。闪烁体层可以覆盖到晶体管区域。
此外，数字X射线检测装置可以包括：数字X射线检测仪；支撑件，用于支撑所述数字X射线检测仪；以及X射线光源，与所述数字X射线检测仪隔开预定间隔，用于将X射线照射到所述数字X射线检测仪，所述数字X射线检测装置包括：基础衬底，包括有源区域以及GIP(面板内栅极)区域，所述有源区域包括多个像素区域，所述GIP区域位于所述有源区域的至少一个侧面区域中；PIN(P型半导体-本征型半导体-N型半导体)二极管，设置在所述有源区域中并且在所述基础衬底的上方；GIP驱动器，设置在所述GIP区域中并且在所述基础衬底的上方；以及闪烁体层，设置在所述PIN二极管和所述GIP驱动器的上方，以覆盖所述有源区域和至少一部分所述GIP区域。就此而言，数字X射线检测仪的侧面接触作为成像目标的身体，其中，该侧面具有GIP区域。
本发明的一个实施方式提供了一种具有GIP驱动器的数字X射线检测仪的制造方法，在数字X射线检测仪中，在将边框区域最小化的同时将X射线对驱动器的损坏最小化。
根据一个实施方式，该方法可以包括：在基础衬底的上方限定包括多个像素区域的有源区域以及位于所述有源区域的至少一个侧面区域中的GIP区域；形成设置在所述有源区域中并且在所述基础衬底的上方的PIN二极管，并形成设置在所述GIP区域中并且在所述基础衬底的上方的GIP驱动器，从而形成阵列面板；以及在所述阵列面板的PIN二极管和GIP驱动器的上方形成闪烁体层，以覆盖所述有源区域和至少一部分所述GIP区域。
本发明具有以下效果和优点，但不限于此。
首先，根据本发明，可以通过在阵列面板上方形成作为栅极驱动器的GIP驱动器而不是将栅极集成电路形式的栅极驱动器单独地附接到阵列面板来将边框区域最小化。
第二，根据本发明，用闪烁体层覆盖包括具有晶体管区域和信号线区域的GIP驱动器的晶体管区域的至少一部分。因此，可以将X射线对GIP驱动器的损坏最小化。
第三，根据本发明，GIP驱动器形成在与作为成像目标的身体接触的接触区域中，并且覆盖闪烁体层的密封层不覆盖基础衬底的侧面，密封层的端部形成在信号线区域上。因此，将边框区域最小化，使得可以提高接触部分的成像分辨率。
除了上述效果和优点之外，下面结合对实现本发明的具体细节的描述来描述本发明的具体效果和优点。
附图说明
图1是根据本发明实施方式的示意性地示出数字X射线检测仪的框图。
图2是根据本发明实施方式的数字X射线检测仪的示意性平面图。
图3是根据本发明实施方式的数字X射线检测仪的示意性截面侧视图。
图4是根据本发明实施方式的GIP驱动器的GIP电路的一部分的放大图。
图5是根据本发明实施方式的数字X射线检测仪的截面侧视图。
图6示出了根据本发明实施方式的数字X射线检测装置。
图7A-图7D是根据本发明实施方式的数字X射线检测仪的制造方法的流程图。
图8示出了基于存在或不存在根据本发明实施方式的屏蔽层，数字X射线检测仪的薄膜晶体管的阈值电压(Vth)变化之间的比较。
具体实施方式
为了图示的简单和清楚起见，图中的元件不必按比例绘制。不同附图中的相同附图标记表示相同或相似的元件，并且因此执行相似的功能。此外，在本发明的以下详细描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的透彻理解。然而，将理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本发明。在其他情况下，没有详细描述公知的方法、过程、部件和电路，以免不必要地模糊本发明的各方面。
在下面示出和描述各种实施方式的示例。将理解，本文的描述并非旨在将权利要求限制为所描述的具体实施方式。相反，其意图是涵盖可以包括在由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围内的替代物、改型和等同方案。
本文中使用的术语仅为了描述具体实施方式，并且不旨在限制本发明。将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和“包含”等指定存在所描述的特征、整数、操作、元件和/或部件，但是不排除一个或多个其他特征、整数、操作、元件、部件和/或其部分的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。在元件列表之前的诸如“至少一个”之类的表达可以修饰元件的整个列表，而不是修饰列表的单独元件。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制，这些术语可不限制任何次序。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，以下描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
另外，还将理解的是，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”或“下”时，第一元件可以直接设置在第二元件上或下，或者可以在第一和第二元件或层之间设置有第三元件或层的条件下间接设置在第二元件上或下。将理解，当一元件或层被称为“连接到”或“耦合到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，连接或耦合到另一元件或层，或可以存在一个或多个中间元件或层。另外，还将理解，当一元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或也可以存在一个或多个中间元件或层。
除非另有定义，否则本文所使用的包括技术和科学术语在内的所有术语具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，不应被理想化或过度形式化地解释，除非本文明确定义。
在下文中，将描述根据本发明的一些实施方式的数字X射线检测仪、包括数字X射线检测仪的数字X射线检测装置及其制造方法。根据本发明所有实施方式的数字X射线检测仪的所有组件可操作地结合和配置。根据本发明所有实施方式的数字X射线检测装置的所有组件可操作地结合和配置。
图1是示意性示出数字X射线检测仪的框图。
参照图1，数字X射线检测仪可以包括薄膜晶体管阵列110、栅极驱动器120、偏置电源(bias supply)130、读出电路150和时序控制器160。
薄膜晶体管阵列110包括由在第一方向上排列的多条栅极线GL和由在与第一方向正交的第二方向上排列的多条数据线DL限定的多个单元区域(cell region)。单元区域以矩阵形式排列。每个单元区域可以包括其中形成有光敏像素P的像素区域。薄膜晶体管阵列110检测从X射线源发射的X射线，并将检测到的X射线转换为电信号并输出电信号。
每个光敏像素包括：PIN二极管，其将通过闪烁体从X射线转换的可见光区域的光转换成电子信号并输出电子信号；以及薄膜晶体管TFT，其将从PIN二极管输出的检测信号传送到读出电路150。PIN二极管的一端可以连接到薄膜晶体管，而其另一端可以连接到偏置线BL。
薄膜晶体管的栅极可以连接到传送扫描信号的栅极线GL。薄膜晶体管的源极/漏极可以分别连接到PIN二极管和传送从PIN二极管输出的检测信号的数据线DL。每条偏置线BL可以以平行的方式延伸到每条数据线DL。
栅极驱动器120可以通过栅极线GL将栅极信号顺序地施加到光敏像素的薄膜晶体管。可以响应于具有栅极导通电压电平的栅极信号来导通光敏像素的薄膜晶体管。
栅极驱动器120可以通过使用光刻工艺以面板内栅极(GIP)形式直接在薄膜晶体管阵列110上方堆叠诸如晶体管之类的各种器件来形成。
偏置电源130可以通过偏置线BL将驱动电压施加到光敏像素。偏置电源130可以选择性地向PIN二极管施加反向偏置或正向偏置。
读出电路150可以读出从响应于栅极驱动器120的栅极信号而导通的薄膜晶体管传送的检测信号。例如，可以将从PIN二极管输出的检测信号通过薄膜晶体管和数据线DL输入到读出电路150。
读出电路150可以以集成电路(IC)的形式形成，并且可以直接安装在薄膜晶体管阵列110的上方，或者可以安装在诸如连接到薄膜晶体管阵列110的柔性印刷电路板(FPC)之类的外部衬底的上方。
读出电路150可以具有：用于读出偏移图像的偏移读出时段；以及用于在X射线曝光之后读出从每个光敏像素输出的检测信号的X射线读出时段。
读出电路150可以包括信号检测仪和多路复用器。信号检测仪包括分别对应于数据线DL的多个放大电路。每个放大电路可以包括放大器、电容器和复位元件。
时序控制器160可以通过将包括起始信号STV和时钟信号CPV的控制信号提供给栅极驱动器120来控制栅极驱动器120的操作。
此外，时序控制器160可以通过将包括读出控制信号ROC和读出时钟信号CLK的控制信号提供给读出电路150来控制读出电路150的操作。
在下文中，将参照图2至图5详细描述根据本发明的一个实施方式的数字X射线检测仪200。
根据本发明的一个实施方式的数字X射线检测仪200包括基础衬底210，在基础衬底210中限定包括多个像素区域P的有源区域。
有源区域210A可以形成为围绕基础衬底210的中心的矩形区域。基础衬底210可以实现为由玻璃材料制成的玻璃衬底，但不限于此。当将聚酰亚胺用作基础衬底210的材料时，基础衬底210可以用作柔性衬底。
除了有源区域210A以外的区域可以被定义为非有源区域。非有源区域可以被定位成围绕有源区域210A的外围。非有源区域可以包括边框区域。
在有源区域210A的至少一个侧面部分中，限定面板内栅极(GIP)区域。因此，在GIP区域210G中和在基础衬底210上方，可以形成用于将栅极驱动信号施加到有源区域210A的GIP驱动器211。
GIP驱动器211可以通过使用光刻工艺以面板内栅极(GIP)形式在基础衬底210上方直接堆叠诸如晶体管之类的各种器件来形成。
GIP驱动器211可以包括晶体管区域211T和信号线区域211S。晶体管区域211T可以比信号线区域211S更靠近有源区域210A。
GIP驱动器211的晶体管区域211T可以包括一个或多个GIP电路213。
GIP电路213可以经由栅极线223连接到有源区域210A，并且可以经由栅极线223输出栅极驱动信号。
具体地，GIP电路213可以用作顺序输出栅极信号的移位寄存器电路，并且可以连接到每条栅极线223以输出栅极信号。
GIP电路213可以由用作移位寄存器的多个晶体管组成。
例如，GIP电路213可以实现为多晶体管型电路，其中，GIP电路漏极213D和GIP电路源极213S彼此交替排列，并且沟道区域由下面的GIP电路栅极213G限定，如图4所示。
GIP电路213可以接收栅极起始信号Vst、不同相位的多个时钟信号CLK以及复位信号Rst。
GIP驱动器211的信号线区域211S可以将从读出电路150接收的时钟信号CLK提供给晶体管区域211T的GIP电路213。所提供的时钟信号CLK可以作为栅极驱动信号输出，以从GIP电路213提供给栅极线223。
在有源区域210A的一个侧面部分中，可以限定焊盘区域210P，从而可以在焊盘区域210P上方形成从外部接收信号并将信号传送到有源区域210A的焊盘。
读出电路150的读出集成电路可以经由焊盘连接到阵列面板201，并且可以经由数据线225输出读出信号。
具体地，读出电路150可以以集成电路的形式形成，并可以安装在柔性电路膜151上方，并且可以在安装在柔性电路膜151上方的同时连接到阵列面板201。
然而，读出电路150的形式不限于此。可以使用玻璃上芯片(COG)方案将读出电路150直接安装在阵列面板201上方。
此外，在一个示例中，读出电路150可以输出栅极起始信号Vst和不同相位的多个时钟信号CLK作为用于驱动GIP电路213的栅极驱动信号。
可以将从读出电路150输出的栅极驱动信号CLK和Vst经由GIP区域210G中的信号线区域211S的信号线传送到GIP电路213。
柔性电路膜151的其上安装有读出电路150的一端可以连接到阵列面板201，而其另一端可以连接到驱动板170。电源180和时序控制器160可以安装在驱动板170上方。
电源180可以供应用以驱动驱动板170的电力。时序控制器160可以输出用于驱动栅极驱动器120和读出电路150的驱动信号。
可以在有源区域210A的外部形成抗静电电路区域215。
当在有源区域210A的元件中产生静电，并且因此幅度等于或大于一定幅度的高电压或过电流瞬间流过其中时，抗静电电路区域215可以操作以将有源区域210A的元件电连接到接地电极，以允许静电经由接地电极逸出到地面。
在本发明的一个实施方式中，抗静电电路区域215可以形成为GIP区域210G的一个侧面区域，并且可以形成在例如GIP区域210G和焊盘区域210P之间。然而，本发明不限于此。
抗静电电路区域215可以包括具有预定数量的薄膜晶体管的静电放电电路(ESD)。在这种情况下，寄生双极结型晶体管可以用作薄膜晶体管。然而，本发明不限于此。
此外，可以在有源区域210A的一个侧面区域中形成虚设区域(dummy region)210D。虚设区域210D具有就元件而言与像素区域相似的结构，但是实际上不用作像素区域。
具体地，在形成像素区域的过程中，在像素区域的元件特性可能劣化的端部处的区域可以形成为虚设区域210D。可以为处理裕度定义虚设区域210D。
在本发明的一个实施方式中，虚设区域210D可以形成在作为有源区域210A的一个侧面区域的下部区域中。然而，本发明不限于此。
在有源区域210A中和在基础衬底210上方，形成分别与像素区域相对应的多个薄膜晶体管220和PIN二极管230。
图5示出了对应于一个像素区域的薄膜晶体管220和PIN二极管230的布置结构。因此，可以将相同的布置结构应用于相邻的像素区域。此外，根据图5的薄膜晶体管220和PIN二极管230的布置结构仅是一个实施方式，本发明不限于此。
在基础衬底210上方，多个单元区域由以正交方式彼此相交的多条栅极线223和多条数据线225限定。每个像素可以对应于一个单元区域，从而限定了多个像素区域。可以将与栅极线223和数据线225相对应的区域定义为像素区域之间的边界区域。
在基础衬底210上方，形成包括第一电极225a、第二电极225b、栅极223a和有源层221的薄膜晶体管220。
缓冲层可以形成在基础衬底和薄膜晶体管220之间。在这种情况下，缓冲层可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的无机材料制成，并且可以实现为由多个子层组成的多缓冲层(multi-buffer layer)。
在基础衬底210上方，形成有源层221。有源层221可以由诸如IGZO(铟镓锌氧化物)之类的氧化物半导体材料制成，但是不限于此。有源层221可以由低温多晶硅(LTPS)或非晶硅(a-Si)制成。
有源层221可以包括沟道区域221c和将沟道区域221c夹在其间的导体区域。具体地，导体区域可以包括与第一电极225a直接接触的第一导体区域221a和与第二电极225b直接接触的第二导体区域221b。
可以通过将有源层221的两端改变为具有导电性来形成有源层221的导体区域。用于将有源层221的两端改变为具有导电性的方法可以包括各种方法，比如干蚀刻、氢等离子体处理和氦等离子体处理。
栅极223a形成在有源层221上方。栅极绝缘层222形成在有源层221和栅极223a之间，以使有源层221和栅极223a彼此绝缘。
例如，栅极223a可以形成在栅极绝缘层222上方，以对应于有源层221的沟道区域221c。栅极223a可以由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)及其合金组成的集合中的一种制成，并且可以由单层或多层形成。
栅极223a可以从栅极线223延伸。栅极线223和栅极223a可以彼此集成为一体，使得栅极223a形成在栅极线223中。因此，栅极线223和栅极223a可以形成在同一层中。
由无机材料制成的栅极绝缘层222可以形成为与栅极223a相对应，并且可以形成为具有等于或大于栅极223a的面积的面积，以进行有效绝缘。
栅极223a和栅极绝缘层222可以形成为对应于有源层221的中心。因此，有源层221的未被栅极223a覆盖并因此暴露的区域，例如，有源层221中除了沟道区域221c之外的两端可以用作第一导体区域221a和第二导体区域221b。
由无机材料制成的层间绝缘层224可以形成在栅极223a上方。第一电极225a和第二电极225b可以形成在层间绝缘层224上方。
第一电极225a和第二电极225b可以形成为在栅极223a介于其间的同时分别与有源层221的两侧相对应。可以分别在至少一部分有源层221和第一电极225a彼此交叠的区域以及至少一部分有源层221和第二电极225b彼此交叠的区域中的层间绝缘层224中，形成第一接触孔224a和第二接触孔224b。
具体地，第一接触孔224a可以形成为对应于有源层221的第一导体区域221a，而第二接触孔224b可以形成为对应于第二导体区域221b。因此，第一电极225a可以经由第一接触孔224a连接到有源层221的第一导体区域221a，而第二电极225b可以经由第二接触孔224b连接到有源层221的第二导体区域221b。
在这种情况下，第一导体区域221a可以用作连接到作为漏极的第一电极225a的漏极区域，而第二导体区域221b可以用作连接到作为源极的第二电极225b的源极区域。
第一电极225a和第二电极225b可以从数据线225延伸，并且可以形成在与数据线225相同的层中。
数据线225可以由(但不限于)选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)及其合金组成的集合中的一种制成。
在薄膜晶体管220上方，可以形成第一保护层226以覆盖整个基础衬底210。第一保护层226可以由诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)之类的无机材料制成，但不限于此。第一保护层226可以用于保护下面的薄膜晶体管220，特别是有源层221。
PIN二极管230形成在第一保护层226上方，并连接到下面的薄膜晶体管220。
PIN二极管230可以包括连接到薄膜晶体管220的下电极231，在下电极231上方的PIN层232以及在PIN层232上方的上电极233。
下电极231可以用作PIN二极管230中的像素电极。取决于PIN二极管230的特性，下电极231可以由诸如钼Mo之类的不透明金属或诸如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和ZnO(氧化锌)之类的透明物氧化物中的至少一种制成。
下电极231可以经由作为第一保护层226中的接触孔的第三接触孔226h连接到薄膜晶体管220的第二电极225b，从而薄膜晶体管220可以连接到PIN二极管230。
可以在下电极231上方形成将可见光转换成电信号的PIN层232。就此而言，闪烁体可以将X射线转换为可见光。PIN层232可以通过依次堆叠其中包含N型杂质的N(负)型半导体层、不包含杂质的I(本征)型半导体层以及其中包含P型杂质的P(正)型半导体层而形成。
I型半导体层可以比N型半导体层和P型半导体层中的每一个相对更厚。PIN层232可以由能够将从X射线源发射的X射线转换成的可见光转换成电信号的材料制成，此材料例如为a-Se、HgI2、CdTe、PbO、PbI2、BiI3、GaAs和Ge。
上电极233可以形成在PIN层232上方。上电极233可以由诸如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和ZnO(氧化锌)之类的透明氧化物中的至少一种制成，并可以改善PIN二极管230的填充系数。
第二保护层234可以形成在PIN二极管230上方。第二保护层234可以由诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)之类的无机材料制成，但是不限于此。第二保护层234可以形成为覆盖到PIN二极管230的侧面，以保护PIN二极管230的侧面不受湿气或其他异物的影响。
偏置电极243可以形成在PIN二极管230上方的第二保护层234上方。偏置电极243可以经由作为第二保护层234中的接触孔的第四接触孔234h连接到PIN二极管230的上电极233，并且可以将偏置电压施加到PIN二极管230。
偏置电极243可以从以与数据线225平行的方式布置的偏置线分支。
可以在偏置电极243上方形成平坦化层250，以覆盖PIN二极管230。
平坦化层250可以形成为覆盖包括有源区域210A的GIP区域210G的至少一部分。
具体地，平坦化层250的端部可以与基础衬底210的端部不重合，并且可以与其端部间隔开。平坦化层250可以形成为例如覆盖到GIP驱动器211的晶体管区域211T。
平坦化层250可以由诸如PAC(光丙烯酸)之类的有机材料制成。
平坦化层250可以具有等于或大于某一厚度的厚度以提供平坦化的顶面。此外，平坦化层250用作生长基础层，使得基于由有机材料制成的平坦化层250，形成在PIN二极管230上方的闪烁体层260能够良好地生长为多个柱状晶体。
此外，平坦化层250在控制漏电流方面可以是有利的。平坦化层250具有能够更容易地控制闪烁体层260的剥离的优点，因为平坦化层250与可由有机材料制成的闪烁体层260具有优异的结合强度。
闪烁体层260位于PIN二极管230上方。
闪烁体层260可以在垂直方向上生长以具有多个柱状晶体相(phase)，从而可以以并排方式布置多个闪烁体柱状晶体。闪烁体可以由诸如碘化铯(CsI)或碘化铊(TlI)之类的材料制成，但不限于此。
闪烁体层260可以形成在PIN二极管230和GIP驱动器211上方，以覆盖有源区域210A和至少一部分GIP区域210G。
在这种情况下，闪烁体层260可以形成为覆盖到(up to)GIP驱动器211的晶体管区域211T，如图3所示。闪烁体层260可以吸收X射线。为此，将闪烁体层260形成为覆盖GIP驱动器211的晶体管区域211T，从而将由于暴露于X射线而对晶体管区域211T的损坏最小化。
可以在闪烁体层260上方形成密封层270以覆盖闪烁体层260。
密封层270可以包括钝化层271和反射层275。
钝化层271可以起到使湿气或其他异物向特别容易受潮的闪烁体层260的渗透最小化的作用。钝化层271可以包括有机材料或由有机材料制成，有机材料例如为聚对二甲苯，但不限于此。
由闪烁体层260吸收的X射线被转换为可见光。因此，反射层275可以用于反射可见光，该可见光不指向PIN二极管230，而是指向PIN二极管230的外部。
反射层275可以包括诸如TiO2的光散射材料。
具体地，可以通过涂敷包括诸如TiO2和粘合剂树脂(binder resin)之类的光散射材料的光散射反射材料来形成反射层275。
然而，反射层275的材料不限于此。具有反射特性的铝(Al)膜可以用作反射层。
将密封层270形成为不覆盖基础衬底210的侧面，从而将数字X射线检测仪200的边框区域最小化。
因此，密封层270的端部可以形成在信号线区域211S上方，或者密封层270的端部可以与基础衬底210的端部重合。
具体地，根据本发明，由于闪烁体层260覆盖GIP电路213的晶体管区域211T但不覆盖其信号线区域211S，因此密封层270与阵列面板201的顶面接触，以确保足够的密封面积。
因此，即使密封层270不覆盖基础衬底210的侧面，也可以获得足够的密封特性。此外，可以将边框区域最小化。
此外，根据本发明，当平坦化层250的端部与基础衬底210的端部不重合时，密封层270可以直接接触平坦化层250的大侧面，从而可以进一步改善密封特性。
特别地，当由诸如PAC之类的有机材料制成的平坦化层250的侧面与密封层270的由诸如聚对二甲苯之类的有机材料制成的钝化层271彼此直接接触时，密封特性会由于有机材料和有机材料之间的强结合力而大大改善。
GIP电路213可以包括GIP电路有源层221'、GIP电路栅极绝缘层222'和GIP电路栅极223a'的顺序堆叠层，并且可以被实现为多个多晶体管(multi-transistor)。
根据本发明的数字X射线检测仪200如下操作。
X射线照射到数字X射线检测仪200。闪烁体层260将X射线转换成可见光。PIN二极管230的PIN层232将可见光区域中的光转换成电子信号。
具体地，当可见区域中的光照射到PIN层232时，I型半导体层被P型半导体层和N型半导体层耗尽，从而在其中产生电场。然后，由光产生的空穴和电子由于电场而漂移，并且分别被收集到P型半导体层和N型半导体层中。
PIN二极管230将可见光区域中的光转换为电信号，并将该信号传送到薄膜晶体管220。如此传送的电信号经由连接到薄膜晶体管220的数据线225显示为图像信号。
如图6所示，根据本发明的一个实施方式的数字X射线检测装置10包括：根据本发明的一个实施方式的数字X射线检测仪200；支撑件300，用于支撑数字X射线检测仪200；以及光源320，与数字X射线检测仪200隔开预定距离以照射X射线。此外，数字X射线检测装置10可以包括控制每个部件的操作的控制器。
图6示出了用于乳房造影法的数字X射线检测装置10的一个示例，但是数字X射线检测仪或监测装置能够检测人体的其他部位或者能够用于其他用途。在图6的例子中，作为成像目标330的身体可以接触数字X射线检测仪200的一个侧面。
在用于乳房造影法的数字X射线检测装置10中，数字X射线检测仪200的一个侧面可以是与作为成像目标330的身体接触的胸壁。
因此，期望将数字X射线检测仪200的对应于胸壁的一个侧面中的边框区域最小化，从而可以确保最大的成像区域。
因此，根据本发明，数字X射线检测仪200被定位成使得具有GIP驱动器211的数字X射线检测仪200的侧面是接触作为成像目标330的身体的接触面，即胸壁。
如上所述，将具有GIP驱动器211的数字X射线检测仪200的侧面中的边框区域最小化，从而可以使作为成像目标330的身体被成像的有效成像区域最大化。
用于按压作为成像目标330的身体的要成像的一部分的按压器310可以设置在数字X射线检测仪200和X射线光源320之间并且可以连接到支撑件300。
例如，当作为成像目标330的身体的要成像的那部分具有预定厚度或更大厚度时，大量的X射线被吸收到身体的该部分的内部。因此，可能难以正确地获得捕获的图像。
因此，如果需要，基于要成像的成像目标330的身体状况，按压器310沿竖直方向移动以按压作为成像目标330的身体的要成像的部分，从而可以获得更清晰的图像。
以这种方式，根据本发明的数字X射线检测仪200和包括数字X射线检测仪200的数字X射线检测装置10可以表现出以下有益效果。
首先，根据本发明，可以通过在阵列面板201上方形成作为栅极驱动器120的GIP驱动器211而不是以栅极集成电路形式将栅极驱动器120分离地附接到阵列面板201，将边框区域最小化。
当以栅极集成电路的形式将栅极驱动器120安装在诸如柔性电路膜之类的单独衬底上方，然后将衬底分离地地附接到阵列面板201时，必须在阵列面板201中确保在其上方形成焊盘的焊盘区域210P。
例如，当栅极驱动器120用作栅极集成电路并连接到阵列面板201时，难以在确保单独的焊盘区域210P的同时将边框区域最小化。
然而，根据本发明，由于GIP驱动器211用作栅极驱动器120，所以不需要单独的焊盘区域210P，从而可以将边框区域最小化。
第二，根据本发明，用闪烁体层260覆盖包括具有晶体管区域211T和信号线区域211S的GIP驱动器211的晶体管区域211T的至少一部分。因此，可以将X射线对GIP驱动器211的损坏最小化。
GIP驱动器211包括晶体管区域211T，晶体管区域211T包括由多个晶体管组成的多个GIP电路213。在这种情况下，晶体管可能非常容易受到X射线的影响，并且在直接暴露于X射线的情况下可能会损坏。
因此，根据本发明，可以在GIP驱动器211的晶体管区域211T上方形成闪烁体层260。因此，可将晶体管区域211T直接暴露于X射线时发生的对GIP驱动器211的晶体管区域211T的损坏最小化。
此外，可以在包括具有预定数量的薄膜晶体管的静电放电电路ESD的抗静电电路215上方形成闪烁体层260。这可以将抗静电电路直接暴露于X射线时发生的对抗静电电路的损坏最小化。
第三，根据本发明，GIP驱动器211形成在与作为成像目标330的身体接触的接触区域中，并且覆盖闪烁体层260的密封层270不覆盖基础衬底210的侧面，密封层270的端部形成在信号线区域211S上。因此，将边框区域最小化，从而可以提高接触部分的成像分辨率。
根据本发明，闪烁体层260覆盖GIP驱动器211的晶体管区域211T，但是不覆盖其信号线区域211S。因此，即使当密封层270不覆盖阵列面板201(例如基础衬底210)的侧面时，也可以确保密封层270与阵列面板201之间的接触面积，以进一步将边框区域减到减小。
此外，根据本发明，密封层270的端部形成在信号线区域211S上。因此，密封层270可以接触基础衬底210的信号线区域211S，从而确保足够的密封区域。因此，即使边框区域最小化，也可以改善密封特性。
例如，根据本发明，闪烁体层260不覆盖整个GIP区域210G，而是仅覆盖晶体管区域211T，使得信号线区域211S可以用作密封区域。因此，不需要单独的密封区域，从而可以将边框区域最小化。
另外，根据本发明，可以通过以GIP驱动器的形式而不是以栅极集成电路的形式形成栅极驱动器，降低用于形成单独的栅极集成电路的成本。
此外，当将栅极驱动器以栅极集成电路的形式安装在诸如柔性电路膜之类的单独衬底上方，而该衬底又分离地附接到阵列面板时，可能难以实现柔性数字X-射线检测仪。然而，根据本发明，当以GIP驱动器的形式实现栅极驱动器时，易于实现柔性数字X射线检测仪。
根据本发明的实施方式的数字X射线检测仪200的制造方法可以包括：i)在基础衬底210上方限定包括多个像素区域的有源区域210A和位于有源区域210A的至少一个侧面区域中的GIP区域210G；在有源区域210A中并在基础衬底210上方形成PIN二极管；在GIP区域210G中并在基础衬底210上方形成GIP驱动器211，从而形成阵列面板201；及(ii)形成闪烁体层260以覆盖阵列面板201的有源区域210A和至少一部分GIP区域210G。
将基于掩模工艺参照图7A至图7D来说明根据本发明的实施方式的数字X射线检测仪200的制造方法。
以下示例的在每层中的图案形成方法包括由所属领域技术人员执行的技术，例如，包括沉积、光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻和光致抗蚀剂剥离的光刻工艺，因此，将省略其详细描述。
例如，对于气相沉积，将溅射用于金属材料，或者将等离子体增强气相沉积(PECVD)用于半导体或绝缘膜。此外，对于蚀刻，取决于材料，可以选择性地使用干蚀刻和湿蚀刻。适当地应用所属领域技术人员已知的技术。
首先，如图7A所示，通过在基础衬底210上方形成薄膜晶体管220和PIN二极管230来形成阵列面板201，其中，限定了包括多个像素区域的有源区域210A。多个薄膜晶体管220和多个PIN二极管230可以形成为分别对应于像素区域。
薄膜晶体管220和PIN二极管230中的每一个的形成方法和结构不受特别限制，是所属领域技术人员已知的。因此，可以省略其详细描述。
GIP驱动器211可以形成在基础衬底210上方，其中，将GIP区域210G限定为有源区域210A的至少一个侧面区域。
GIP驱动器211包括晶体管区域211T和信号线区域211S。晶体管区域211T可以形成为比信号线区域211S更靠近有源区域210A。
晶体管区域211T包括至少一个GIP电路213。GIP电路213可以通过依次堆叠GIP电路有源层221'、GIP电路栅极绝缘层222'和GIP电路栅极223a'来形成。
在这种情况下，使用与有源区域210A的有源层221相同的工艺和材料形成GIP电路有源层221'。使用与有源区域210A的栅极绝缘层222相同的工艺和材料形成GIP电路栅极绝缘层222'。可以使用与有源区域210A的栅极223a相同的工艺和材料形成GIP电路栅极223a'。
在阵列面板201上方，将平坦化层250形成为覆盖PIN二极管230和GIP电路213。
可以通过旋涂有机材料PAC(光丙烯酸)在阵列面板201上方形成平坦化层250。然而，本发明不限于此。
平坦化层250的端部可以形成为与基础衬底210的端部隔开一定距离，使得这两个端部彼此不会重合。在这种情况下，平坦化层250可以形成为仅覆盖GIP电路213的晶体管区域211T。
如图7B所示，闪烁体层260形成在平坦化层250上方。
在使用平坦化层250作为生长基础层的同时，通过沉积方法使闪烁体层260在竖直方向上生长以具有多个柱状晶相。因此，可以以并排的方式排列多个闪烁体柱状晶体。
例如，首先在平坦化层250上方形成用于形成每个闪烁体柱状晶体的晶种。然后，在晶种上以竖直方式生长晶体。因此，闪烁体层260可以形成为其中闪烁体柱状晶体并排排列并且在垂直方向上延伸的结构。
可以使用卤素化合物(例如铊(Tl)或掺有钠(Na)的碘化铯(CsI))在150℃至230℃的温度范围内通过结晶生长闪烁体。然而，本发明不限于此。
闪烁体层260可以形成为覆盖有源区域210A和至少一部分GIP区域210G。具体地，闪烁体层260可以形成为覆盖有源区域210A并且覆盖达到GIP区域210G的晶体管区域211T。
闪烁体层260形成为覆盖晶体管区域211T的GIP电路213。因此，可以防止晶体管区域211T直接暴露于X射线，从而将暴露于X射线时发生的对晶体管区域211T的损坏最小化。
例如，在阵列面板201上方形成闪烁体层260以覆盖GIP区域210G的晶体管区域211T，但是将信号线区域211S暴露于外部，由此可以允许密封层270和阵列面板201之间的接触面积得到充分确保。
接下来如图7C和图7D所示，密封层270可以形成在闪烁体层260上方以覆盖闪烁体层260。具体地，可以通过堆叠如图7C所示的钝化层271和如图7D所示的反射层275来形成密封层270。
钝化层271的材料可以包括聚对二甲苯。具体地，在加热聚对二甲苯粉末以产生反应气体之后，反应性气体利用化学气相沉积与闪烁体层260和基础衬底210反应，以形成密封层270。
反射层275可以包括诸如TiO2之类的光散射材料。
具体地，可以通过涂敷包括诸如TiO2和粘合剂树脂之类的光散射材料的光散射反射材料来形成反射层275。
然而，用于反射层275的材料不限于此。可替代地，具有反射特性的铝(Al)膜可以实现为反射层。
密封层270形成为不覆盖基础衬底210的侧面，从而与密封层270覆盖基础衬底210的侧面的结构相比，可以进一步将边框区域最小化。
具体地，密封层270的端部形成在信号线区域211S上并与信号线区域211S接触，以充分确保用于密封基础衬底210和密封层270的接触面积，从而改善密封特性并将边框区域最小化。
以下实验结果表明，与传统结构相比，具有根据本发明实施方式的结构的数字X射线检测仪200具有改善的效果。
在对照例中，在GIP电路213上方没有闪烁体层260，而在本发明的实施方式中，在GIP电路213上方设置了闪烁体层260。其他配置在它们之间是相同的。
在这个实验中，将管电压(tube voltage)为100Kv且管电流为10mA的X射线照射到与X射线源相距50厘米的数字X射线检测仪达79分钟，然后测量阈值电压Vth的变化。
如图8所示，在对照例中，在X射线照射后，ΔVth的值为-3.27。这证实了在X射线照射之后发生了相当大的负偏移。
另一方面，在如图8所示的本发明的实施方式中，在X射线照射后，ΔVth的值仅是-1.35。因此，可以看出，与对照例相比，发生了非常小的负偏移。
这证实了当根据本发明在GIP电路213上方形成闪烁体层260时，负偏移的量非常小，从而将元件特性的劣化最小化。
如对照例中那样，元件被X射线损坏，因此负偏移的值增加。在这种情况下，需要将数字X射线检测仪200设置为关闭状态，但是实际上不管用户的设置如何，检测仪都可被设置为打开状态。因此，薄膜晶体管220保持在导通状态。这可导致数字X射线检测仪200的寿命减少。
如上所述，根据本发明一个或多个实施方式的数字X射线检测仪包括：基础衬底，包括有源区域，其包括多个像素区域；以及GIP(面板内栅极)区域，位于有源区域的至少一个侧面区域中；PIN(P型半导体-本征型半导体-N型半导体)二极管，设置在有源区域中并且在基础衬底上方；GIP驱动器，设置在GIP区域中并且在基础衬底上方；及闪烁体层，设置在PIN二极管和GIP驱动器上方，以覆盖有源区域和至少一部分GIP区域。
在数字X射线检测仪的一种实施方式中，GIP驱动器包括晶体管区域和信号线区域，其中，晶体管区域比信号线区域更靠近有源区域，其中，闪烁体层覆盖到晶体管区域。
在数字X射线检测仪的一种实施方式中，晶体管区域包括至少一个GIP电路。
在数字X射线检测仪的一种实施方式中，检测仪还包括密封层，设置在闪烁体层上方并覆盖闪烁体层，其中，密封层不覆盖基础衬底的侧面。
在数字X射线检测仪的一种实施方式中，密封层的端部设置在信号线区域上。
在数字X射线检测仪的一种实施方式中，密封层的端部与基础衬底的端部重合。
在数字X射线检测仪的一种实施方式中，密封层包括钝化层和反射层。
在数字X射线检测仪的一种实施方式中，钝化层包括聚对二甲苯，反射层包括光散射材料或由铝(Al)膜制成。
在数字X射线检测仪的一种实施方式中，检测仪还包括：虚设区域，位于有源区域的一个侧面区域中；抗静电电路区域，位于GIP区域的一个侧面区域中，其中，闪烁体层还位于抗静电电路区域的上方。
如上所述，根据本发明的数字X射线检测装置包括：上述的数字X射线检测仪；支撑件，用于支撑数字X射线检测仪；以及X射线光源，与数字X射线检测仪隔开预定间隔，用于将X射线照射到数字X射线检测仪。
在数字X射线检测装置的一种实施方式中，数字X射线检测仪的侧面接触作为成像目标的身体，其中，侧面具有GIP区域。
在数字X射线检测装置的一种实施方式中，数字X射线检测装置还包括按压器，设置在数字X射线检测仪和X射线光源之间，以按压作为成像目标的身体。
如上所述，根据本发明一个或多个实施方式的用于制造数字X射线检测仪的方法包括：在基础衬底上方限定包括多个像素区域的有源区域以及位于有源区域的至少一个侧面区域中的GIP(面板内栅极)区域、形成设置在有源区域中并且在基础衬底上方的PIN二极管、以及形成设置在GIP区域中并且在基础衬底上方的GIP驱动器，从而形成阵列面板；以及在阵列面板的PIN二极管和GIP驱动器上方形成闪烁体层，以覆盖有源区域和至少一部分GIP区域。
在所述方法的一种实施方式中，形成GIP驱动器包括：形成晶体管区域和信号线区域，其中，将晶体管区域和信号线区域形成为：使得晶体管区域比信号线区域更靠近有源区域，其中，将闪烁体层形成为：使得闪烁体层覆盖到晶体管区域。
在所述方法的一种实施方式中，形成晶体管区域包括形成至少一个GIP电路。
在所述方法的一种实施方式中，所述方法还包括在闪烁体层上方形成密封层以覆盖闪烁体层，其中，将密封层形成为：使得密封层不覆盖基础衬底的侧面。
在所述方法的一种实施方式中，将密封层形成为：使得密封层的端部设置在信号线区域上。
在所述方法的一种实施方式中，将密封层形成为：使得密封层的端部与基础衬底的端部重合。
在所述方法的一种实施方式中，形成密封层包括形成钝化层和反射层。
参考附图和实施方式描述了本发明。然而，本发明不限于本文公开的实施方式和附图。显然，所属领域技术人员可以在本发明的范围内对其进行各种修改。此外，尽管在描述由本发明的配置产生的效果时没有穷举地描述由本发明的配置产生的所有效果，但是应当认识到由本发明的配置所预期的所有效果。

Claims (20)

1.一种数字X射线检测仪，包括：
基础衬底，包括：有源区域，所述有源区域包括多个像素区域；以及GIP(面板内栅极)区域，所述GIP区域位于所述有源区域的至少一个侧面区域中；
PIN(P型半导体-本征型半导体-N型半导体)二极管，设置在所述有源区域中并且在所述基础衬底的上方；
GIP驱动器，设置在所述GIP区域中并且在所述基础衬底的上方；以及
闪烁体层，设置在所述PIN二极管和所述GIP驱动器的上方，以覆盖所述有源区域和至少一部分所述GIP区域，
其中，所述GIP驱动器包括晶体管区域和信号线区域，
其中，所述晶体管区域比所述信号线区域更靠近所述有源区域，
其中，所述闪烁体层覆盖到所述晶体管区域。
2.根据权利要求1所述的数字X射线检测仪，
其中，所述晶体管区域包括至少一个GIP电路。
3.根据权利要求2所述的数字X射线检测仪，其中，所述数字X射线检测仪还包括密封层，所述密封层设置在所述闪烁体层的上方并覆盖所述闪烁体层，
其中，所述密封层不覆盖所述基础衬底的侧面。
4.根据权利要求3所述的数字X射线检测仪，其中，所述密封层的端部设置在所述信号线区域上。
5.根据权利要求3所述的数字X射线检测仪，其中，所述密封层的端部与所述基础衬底的端部重合。
6.根据权利要求3所述的数字X射线检测仪，其中，所述密封层包括钝化层和反射层，
其中，所述钝化层包括聚对二甲苯，所述反射层包括光散射材料或由铝(Al)膜制成。
7.根据权利要求1所述的数字X射线检测仪，其中，所述数字X射线检测仪还包括：
虚设区域，位于所述有源区域的一个侧面区域中；
抗静电电路区域，位于所述GIP区域的一个侧面区域中，
其中，所述闪烁体层进一步位于所述抗静电电路区域的上方。
8.根据权利要求7所述的数字X射线检测仪，其中，在所述有源区域的一个侧面部分中限定有焊盘区域，所述抗静电电路区域位于所述GIP区域和所述焊盘区域之间。
9.根据权利要求2所述的数字X射线检测仪，其中，在所述PIN二极管的上方设置有保护层，并且所述保护层覆盖到所述PIN二极管的侧面。
10.根据权利要求9所述的数字X射线检测仪，其中，在所述保护层的上方设置有平坦化层，所述平坦化层的端部与所述基础衬底的端部不重合。
11.根据权利要求10所述的数字X射线检测仪，其中，所述平坦化层覆盖到所述晶体管区域。
12.一种数字X射线检测装置，包括数字X射线检测仪、支撑件和X射线光源，
所述数字X射线检测仪包括：
基础衬底，包括：有源区域，所述有源区域包括多个像素区域；以及GIP(面板内栅极)区域，所述GIP区域位于所述有源区域的至少一个侧面区域中；
PIN(P型半导体-本征型半导体-N型半导体)二极管，设置在所述有源区域中并且在所述基础衬底的上方；
GIP驱动器，设置在所述GIP区域中并且在所述基础衬底的上方；以及
闪烁体层，设置在所述PIN二极管和所述GIP驱动器的上方，以覆盖所述有源区域和至少一部分所述GIP区域，
其中，所述支撑件用于支撑所述数字X射线检测仪，
其中，所述X射线光源与所述数字X射线检测仪隔开预定间隔，用于将X射线照射到所述数字X射线检测仪，
其中，所述GIP驱动器包括晶体管区域和信号线区域，
其中，所述晶体管区域比所述信号线区域更靠近所述有源区域，
其中，所述闪烁体层覆盖到所述晶体管区域。
13.根据权利要求12所述的数字X射线检测装置，其中，所述数字X射线检测仪的侧面接触作为成像目标的身体，其中，所述侧面具有所述GIP区域。
14.根据权利要求12所述的数字X射线检测装置，其中，所述数字X射线检测装置还包括按压器，所述按压器设置在所述数字X射线检测仪和所述X射线光源之间，以按压作为成像目标的身体。
15.一种用于制造数字X射线检测仪的方法，所述方法包括：
在基础衬底的上方限定包括多个像素区域的有源区域以及位于所述有源区域的至少一个侧面区域中的GIP(面板内栅极)区域；
形成设置在所述有源区域中并且在所述基础衬底的上方的PIN(P型半导体-本征型半导体-N型半导体)二极管，并形成设置在所述GIP区域中并且在所述基础衬底的上方的GIP驱动器，从而形成阵列面板；以及
在所述阵列面板的PIN二极管和GIP驱动器的上方形成闪烁体层，以覆盖所述有源区域和至少一部分所述GIP区域，
其中，形成所述GIP驱动器包括：形成晶体管区域和信号线区域，
其中，将所述晶体管区域和所述信号线区域形成为：使得所述晶体管区域比所述信号线区域更靠近所述有源区域，
其中，将所述闪烁体层形成为：使得所述闪烁体层覆盖到所述晶体管区域。
16.根据权利要求15所述的方法，
其中，形成所述晶体管区域包括：形成至少一个GIP电路。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述方法还包括：在所述闪烁体层的上方形成密封层以覆盖所述闪烁体层，
其中，将所述密封层形成为：使得所述密封层不覆盖所述基础衬底的侧面，
其中，形成所述密封层包括：形成钝化层和反射层。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，将所述密封层形成为：使得所述密封层的端部设置在所述信号线区域上。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，将所述密封层形成为：使得所述密封层的端部与所述基础衬底的端部重合。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述闪烁体层包括：通过使用卤素化合物在150℃至230℃的温度范围内通过结晶生长所述闪烁体层的闪烁体。
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