CN111949099B - 一种存储器的温控方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种存储器的温控方法，该方法包括：对存储器的工作温度进行监测；根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前是否达到预设的温控触发条件；如果是，则根据存储器的工作温度，查询策略表，确定目标温控调整策略，策略表中包含多个级别的温控调整策略；使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制。应用本申请实施例所提供的技术方案，策略表中包含多个级别的温控调整策略。根据存储器的工作温度，通过对策略表的查询，得到较为合适的目标调整策略，不需要进行频率的切换，可以及时有效地对存储器的工作温度进行控制，避免影响电子产品的正常运行。本申请还公开了一种存储器的温控装置、设备及存储介质，具有相应技术效果。

Description

一种存储器的温控方法、装置、设备及存储介质

技术领域

本申请涉及计算机应用技术领域，特别是涉及一种存储器的温控方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

目前，固态硬盘(Solid State Disk或Solid State Drive，简称SSD)等存储器在计算机、服务器等电子产品中的应用越来越普遍。固态硬盘具有一定的工作温度范围，其工作温度处于该工作温度范围内才能保障电子产品的正常运行。电子产品在工作过程中，当环境温度上升，工作负载加大，固态硬盘的工作温度容易超过其工作温度范围，在这种情况下，一般需要通过减低工作功耗来达成降温的目的。

闪存(NAND Flash)为固态硬盘的主要存储介质，固态硬盘的工作功耗主要取决于这类器件。目前传统做法是，通过降低对闪存的访问时钟频率达成对固态硬盘降温的目的，降频前后突发脉冲示意图如图1所示。

这种做法存在一定的缺点，固态硬盘的主控和闪存之间的时钟频率的更改需要在空闲状态下完成。而空闲状态首先需要等待正在执行的命令完成后才能进入，时间开销较大。另外，需要主控向闪存发送命令来完成时钟频率切换，同样会带来一定的时间开销。也就是说，传统做法存在温控滞后的问题，不能够及时对固态硬盘的工作温度进行控制，容易影响电子产品的正常运行。

发明内容

本申请的目的是提供一种存储器的温控方法、装置、设备及存储介质，以及时有效地对存储器的工作温度进行控制，避免影响电子产品的正常运行。

为解决上述技术问题，本申请提供如下技术方案：

一种存储器的温控方法，包括：

对存储器的工作温度进行监测；

根据所述存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前是否达到预设的温控触发条件；

如果是，则根据所述存储器的工作温度，查询策略表，确定目标温控调整策略，所述策略表中包含多个级别的温控调整策略；

使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制。

在本申请的一种具体实施方式中，所述根据所述存储器的工作温度，查询策略表，确定目标温控调整策略，包括：

确定所述存储器的工作温度与所述温度阈值的温差；在策略表中查询与所述温差相对应的温控调整策略；将查询到的温控调整策略确定为目标温控调整策略。

在本申请的一种具体实施方式中，所述目标温控调整策略包括延时插入策略，所述目标温控调整策略的调整参数值包括目标步进参数值，所述使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制，包括：

根据预设的初始延时参数值和所述目标步进参数值的和，确定所述目标温控调整策略的目标延时参数值；基于所述目标延时参数值，在所述存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。

在本申请的一种具体实施方式中，在所述基于所述目标延时参数值，在所述存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时之后，还包括：

在完成一次延时插入循环时，如果所述存储器的工作温度未达到目标温度，则基于所述目标步进参数值，增大所述目标延时参数值；根据增大后的所述目标延时参数值，在所述存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。

在本申请的一种具体实施方式中，在使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，还包括：

如果延时插入循环总次数大于设定第一次数阈值，则增大所述目标步进参数值；在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进参数值。

在本申请的一种具体实施方式中，在所述增大所述目标步进参数值之后、所述在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进参数值之前，还包括：

确定增大后的所述目标步进参数值是否大于所述目标温控调整策略对应的最大步进参数值；如果是，则在所述策略表中更新所述存储器的工作温度与所述温度阈值的温差关联到所述目标温控调整策略的高一级温控调整策略；如果否，则执行所述在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进参数值的步骤。

在本申请的一种具体实施方式中，所述目标温控调整策略包括信用点策略，所述目标温控调整策略的调整参数值包括目标步进额，所述使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制，包括：

在有I/O操作要执行的情况下，确定I/O操作的信用消费总额；根据信用池的当前信用总额和所述信用消费总额，确定剩余信用额，所述当前信用总额为根据所述信用池的最大信用总额和所述目标步进额确定；根据所述剩余信用额，确定是否执行I/O操作。

在本申请的一种具体实施方式中，在所述根据所述剩余信用额，确定是否执行I/O操作之后，还包括：

在完成一次I/O限制循环时，如果所述存储器的工作温度未达到目标温度，则基于所述目标步进额，减小所述当前信用总额；在有I/O操作要执行的情况下，基于所述信用池的减小后的所述当前信用总额，确定剩余信用额；重复执行所述根据所述剩余信用额，确定是否执行I/O操作的步骤。

在本申请的一种具体实施方式中，在使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，还包括：

如果I/O限制循环总次数大于设定第二次数阈值，则增大所述目标步进额；在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进额。

在本申请的一种具体实施方式中，在所述增大所述目标步进额之后、所述在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进额之前，还包括：

确定增大后的所述目标步进额是否大于所述目标温控调整策略对应的最大步进额；如果是，则在所述策略表中更新所述存储器的工作温度与所述温度阈值的温差关联到所述目标温控调整策略的高一级温控调整策略；如果否，则执行所述在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进额的步骤。

一种存储器的温控装置，包括：

工作温度监测模块，用于对存储器的工作温度进行监测；

温控触发条件判定模块，用于根据所述存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前是否达到预设的温控触发条件，如果是，则触发目标温控调整策略确定模块；

所述目标温控调整策略确定模块，用于根据所述存储器的工作温度，查询策略表，确定目标温控调整策略，所述策略表中包含多个级别的温控调整策略；

工作温度控制模块，用于使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制。

一种存储器的温控设备，包括：

存储单元，用于存储计算机程序；

处理单元，用于执行所述计算机程序时实现上述任一项所述存储器的温控方法的步骤。

一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述存储器的温控方法的步骤。

应用本申请实施例所提供的技术方案，对存储器的工作温度进行监测，根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，在确定当前达到预设的温控触发条件的情况下，可以根据存储器的工作温度，查询策略表，确定目标调整策略，使用目标调整策略对存储器的工作温度进行控制。策略表中包含多个级别的温控调整策略。根据存储器的工作温度，通过对策略表的查询，得到较为合适的目标调整策略，不需要进行频率的切换，可以及时有效地对存储器的工作温度进行控制，避免影响电子产品的正常运行。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为使用传统固态硬盘温控方法的降频前后突发脉冲示意图；

图2为一种典型的固态硬盘组成结构示意图；

图3为一种典型的闪存的数据传输示意图；

图4为本申请实施例中一种存储器的温控方法的实施流程图；

图5为本申请实施例中在突发脉冲中插入延时的一种示意图；

图6为本申请实施例中在突发脉冲中插入延时的另一种示意图；

图7为本申请实施例中另一种固态硬盘温控方法的实施流程图；

图8为本申请实施例中基于信用点流控过程示意图；

图9为本申请实施例中另一种固态硬盘温控方法的实施流程图；

图10为本申请实施例中固态硬盘控制器总体框架图；

图11为本申请实施例中一种存储器的温控装置的结构示意图；

图12为本申请实施例中一种存储器的温控设备的结构示意图。

具体实施方式

本申请的核心是提供一种存储器的温控方法，存储器可以是固态硬盘等。为便于理解，在对本申请方案进行描述之前，先对固态硬盘的组成结构等进行说明。

图2所示为一种典型的固态硬盘组成结构示意图。如图2所示，固态硬盘可以包括主控(Controller)、NAND Flash阵列(NAND Flash Array)、DRAM(Dynamic Random AccessMemory，动态随机存取存储器)和其他外围单元，如PMIC(Power Management IC，电源管理集成电路)、OSC(Open Source Commerce，开放源代码的商业软件)、JTAG(Joint TestAction Group，联合测试工作组)、SPI flash(使用SPI(Serial Peripheral Interface，串行外围设备接口)通信的闪存)、Sensor(传感器)、UART(Universal AsynchronousReceiver/Transmitter，通用异步收发传输器)、连接器(Connector)等。

其中，主控作为控制运算单元，可以管理固态硬盘内部系统。NAND Flash阵列作为存储单元，用于存储用户数据、系统数据等。主控和NAND Flash阵列之间呈现多个通道(Channel，简写为CH)，一个通道独立连接一组NAND Flash阵列。如图2中的CH0、CH1、……、CHx。DRAM作为缓存、算法表存储单元。

图3所示为一种典型的闪存(NAND Flash)的数据传输示意图，队列数据(DQ[7:0])传输D0、D1、……、Dn是通过I/O(Input/Output，输入输出)进行传输的，一般都是一段连续发送数据操作，可以称为突发脉冲(Burst)。I/O的翻转(Toggle)频率决定了传输速度，改变频率可以影响速度，进而影响固态硬盘的工作功耗。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

参见图4所示，为本申请实施例所提供的一种存储器的温控方法的实施流程图，该方法可以包括以下步骤：

S410：对存储器的工作温度进行监测。

在电子产品工作过程中，存储器的闪存等存储颗粒处于正常运行状态。在存储颗粒全速运行的情况下，分频比为1。即没有任何分频，存储器的性能处于最佳状态。

随着存储颗粒的运行，存储器的工作温度将会发生变化。在存储颗粒运行过程中，可以对存储器的工作温度进行监测。

具体的，可以按照一定的监测周期对存储器的工作温度进行监测，还可以对存储器的工作温度进行实时监测，还可以在接收到监测指令时，对存储器的工作温度进行监测。

S420：根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前是否达到预设的温控触发条件。

在本申请实施例中，可以预先设定温度阈值。温度阈值可以根据实际情况进行设定和调整，如根据电子产品的存储颗粒要求的工作温度进行设定，如可设定为75℃。

在对存储器的工作温度进行监测的过程中，可以获得存储器的工作温度，根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，可以确定当前是否达到预设的温控触发条件。

在本申请的一种具体实施方式中，可以将存储器的工作温度与预设的温度阈值进行比较，根据比较结果，确定当前是否达到预设的温控触发条件。具体的，如果存储器的工作温度超过温度阈值，则确定当前达到预设的温控触发条件，或者，如果存储器的工作温度超过温度阈值的时长达到设定时长阈值，则确定当前达到预设的温控触发条件。

时长阈值可以根据经验值进行设定和调整。如可以根据电子产品工作环境的温度上升斜率(时间和温度变化的比例，表示每分钟上升的度数)的经验值进行设定，如果在当前工作环境下，温度上升或下降变化快，那么这个时长阈值可以设定小一些。如设定为3分钟。

在本申请实施例中，在对存储器的工作温度进行监测的过程中，只要监测到存储器的工作温度超过预设的温度阈值，就可以认为当前达到了温控触发条件，需要对存储器的工作温度进行控制，以避免因存储器的工作温度过高影响电子产品的正常工作。

而考虑到存储器的工作温度可能会出现短时间的波动，可以在监测到存储器的工作温度超过温度阈值达到设定时长阈值时，认为当前达到了温控触发条件，需要对存储器的工作温度进行控制，以避免因存储器的工作温度过高影响电子产品的正常工作。

在确定当前达到预设的温控触发条件时，可以继续执行步骤S430的操作。

当然，在对存储器的工作温度进行监测的过程中，如果存储器的工作温度未超过温度阈值，则可以认为当前并未达到预设的温控触发条件，存储器、电子产品都可以正常工作。在这种情况下，没有必要对存储器的工作温度进行控制，可以不做延时插入处理，如图4所示。

S430：确定目标步进参数值。

在对存储器的工作温度进行监测的过程中，如果根据监测得到的存储器的工作温度，确定当前达到了预设的温控触发条件，则可以先确定目标步进参数值。

在本申请实施例中，目标步进参数值可以包括目标长度步进参数值和目标次数步进参数值。可以根据存储器的工作温度与温度阈值的温差，确定目标步进参数值。具体的，温差越大确定的目标步进参数值可以越大，以快速达到温控效果，温差越小确定的目标步进参数值可以越小，以避免影响电子产品性能。

S440：基于目标步进参数值，确定目标延时参数值。

确定目标步进参数值之后，进一步可以基于该目标步进参数值，确定目标延时参数值。

在本申请实施例中，目标步进参数值包括目标长度步进参数值和目标次数步进参数值，目标步进参数值与目标延时参数值相对应，目标长度步进参数值对应目标延时参数值的目标延时长度值，目标次数步进参数值对应目标延时参数值的目标插入次数值。

在本申请的一种具体实施方式中，该步骤可以包括以下步骤：

根据预设的初始延时参数值和目标步进参数值的和，确定目标延时参数值。

可以预设一组初始延时参数值，如将初始延时参数值预设为0，即初始延时长度值为0，初始插入次数值为0。

根据初始延时参数值和目标步进参数值的和，可以确定目标延时参数值。目标延时参数值可以包括目标延时长度值和目标插入次数值。

举例而言，初始延时参数值中的初始延时长度值用Ld0表示，初始插入次数值用Nd0表示，目标步进参数值中的目标长度步进参数值用ΔLd表示，目标次数步进参数值用ΔNd表示。

目标延时参数值可通过以下公式得到：

Ld＝Ld0+ΔLd；

Nd＝Nd0+ΔNd；

其中，Ld表示目标延时长度值，Nd表示目标插入次数值。

不同的目标延时参数值，可以满足不同的分频需求。在开始需要对存储器的工作温度进行控制时，即温控初始阶段，可以使得目标延时参数值中目标延时长度值较小、目标插入次数值较小，以得到较大的分频比。分频比越大，对存储器的性能影响越小，但降温作用也越小，如果达不到降温效果，后期可以调整目标延时参数值，以快速达到降温效果。

在本申请实施例中，延时长度、一次I/O传输需求所对应的I/O总长度、突发脉冲长度等都可以以时钟周期数(Tclk)为单位。一般情况下，对于确定的存储颗粒，其I/O总长度也是确定的，如16K、32K等。假设一次I/O传输需求对应的I/O总长度为Yb，每个延时的目标延时长度值为Ld，延时的目标插入次数值为Nd。在突发脉冲中插入延时后，分频比Rp可以表示为：

Rp＝Yb/(Ld*Nd+Yb)。

从该式可知，如果Ld＝0、Nd＝0，那么Rp＝1，没有分频，存储器的性能处于最佳，存储颗粒全速运行；Rp越小性能下降越多，存储颗粒降速运行，降温效果越好。通过控制目标延时长度值和目标插入次数值，可以实现不同分频需求。

在要达到同样的分频比需求时，可能存在多种方案。图5所示，下部分图中目标延时长度值为上部分图中目标延时长度值的2倍，下部分图中目标插入次数值为1，上部分图中目标插入次数值为2，最终达到的分频比是一样的，但是从一定单位时间内的瞬时功耗的均衡性不一样。所以，在实际应用中，可以以要达到目标延时长度值较小、目标插入次数值较大为原则进行目标步进参数值及目标延时参数值的确定。这就相当于错时出行，可以分散功耗高峰点。

S450：根据目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。

在确定当前达到预设的温控触发条件，并确定出目标延时参数值后，可以基于目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的突发脉冲中插入延时。如图6所示，上部分图表示没有插入延时(Delay)的一段突发脉冲，下部分图表示在突发脉冲中插入了延时。在图6中，在突发脉冲中插入延时之后，每小段突发脉冲和每段延时的长度比例是1:1，相当于频率变成了原来的1/2。即插入延时后，可以实现与降频一样的效果，从而可以降低存储器的工作温度，对存储器的工作温度进行控制。

在本申请的一种具体实施方式中，目标延时参数值可以包括目标延时长度值和目标插入次数值，可以基于目标插入次数值，确定存储器的存储颗粒的一次I/O传输中每段突发脉冲的长度，依次在每段突发脉冲之后插入一个具有目标延时长度值的延时，直至插入次数达到目标插入次数值。

在本申请实施例中，在获得一次I/O传输需求后，可以确定需要传输的数据总数，即I/O总长度Yb。另外，可以将目标延时参数值写入到寄存器，实现软件和硬件的交互，达到可编程配置的目的。

基于确定的目标延时参数值中的目标插入次数值Nd，可以计算这一次I/O传输中插入延时后每段突发脉冲的长度值Lb，Lb＝Yb/(Nd+1)，同时还可以得到插入延时后突发脉冲的目标突发次数值Nb，Nb＝Nd+1。

在进行这一次I/O传输时，在传输一段突发脉冲后，在目标突发次数值上减1，得到剩余突发次数值，判断剩余突发次数值是否为1，如果剩余突发次数值不为1，则在该段突发脉冲后插入一段延时，再传输一段突发脉冲，更新剩余突发次数值，重复执行判断剩余突发次数值是否为1的步骤，如果剩余突发次数值为1，则在该段突发脉冲后插入一段延时，再传输一段突发脉冲，至此完成该次I/O传输的延时插入。这样可以依次在每段突发脉冲之后插入了一个具有目标延时长度值的延时，直至插入次数达到目标插入次数值。每一次I/O传输都可以按照上述方式进行延时插入。

可以理解的是，闪存等存储颗粒的I/O传输特性为：中间允许间隔，且间隔长度、次数没有强制约束，只要完成I/O总体翻转次数，即可算完成传输。利用这种传输特性，通过在突发脉冲(一次连续发送数据操作)中直接插入延时，可以实现与降频一样的效果。比如，如果插入延时后每段突发脉冲的长度和每个延时的长度的比例是1:1，则相当于频率下调1/2。

由于NAND规范(NAND Spec)对于频率是分级的，比如分为10/20/50/200/400/600/800MHz，所以在相关技术中，主控也仅仅支持这些频率，不会线性地支持各种频率。但是通过本申请实施例的方案，通过目标延时参数值的确定可以间接实现各种频率，从而实现频率线性下调，调整灵活。比如可以调整为99:100的比例。这样可以使得性能呈线性下降。本申请实施例不需要切换时钟频率，也就不需要等待空闲状态后才进行切换，可以实现实时切换，可以有效地减少滞后时间。

应用本申请实施例所提供的方法，在对存储器的工作温度进行监测的过程中，根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，如果确定当前达到预设的温控触发条件，则确定目标步进参数值，基于目标步进参数值，确定目标延时参数值，根据目标延时参数值，可以在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，对存储器的工作温度进行控制。通过在突发脉冲中插入延时，可以实现与降频一样的效果，而且不需要切换时钟频率，也就不需要等待空闲状态后才进行切换，可以实现实时切换，可以有效地减少滞后时间，从而可以及时有效地对存储器的工作温度进行控制，避免影响电子产品的正常运行。

在本申请的一个实施例中，在根据目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时之后，该方法还可以包括以下步骤：

步骤一：在完成一次延时插入循环时，如果存储器的工作温度未达到目标温度，则基于目标步进参数值，增大目标延时参数值；

步骤二：根据增大后的目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。

为便于描述，将上述两个步骤结合起来进行说明。

在本申请实施例中，对于每一次I/O传输需求，都会在I/O传输突发脉冲中插入延时，插入延时的总次数达到设定总次数阈值时，可以认为完成一次延时插入循环。

在确定当前达到预设的温控触发条件时，确定目标步进参数值，进而确定目标延时参数值后，基于目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，对存储器的工作温度进行控制，存储器的工作温度会逐渐降低。如果在完成一次延时插入循环时，存储器的工作温度就降到了目标温度，则可以认为当前所基于的目标延时参数值较为合理，可以继续基于该目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，对存储器的工作温度进行控制。反之，如果在完成一次延时插入循环时，存储器的工作温度仍未达到目标温度，则可以认为当前所基于的目标延时参数值并不合理，可以对其进行调整。也就是说，每完成一次延时插入循环，就可以确定是否对当前的目标延时参数值进行调整，以快速达到温控效果。

目标温度可以根据实际情况进行设定和调整，如设定为与温度阈值相同。

在完成一次延时插入循环时，如果存储器的工作温度仍未达到目标温度，则认为当前温控效果并不理想，调整速度过慢，可以基于目标步进参数值，增大目标延时参数值。具体的，可以在当前目标延时参数值的基础上加上目标步进参数值，获得调整后的目标延时参数值，调整后的目标延时参数值较调整前的目标延时参数值大，提高了分频比。然后根据增大后的目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，对存储器的工作温度进行控制。

在对存储器的温控效果不理想的情况下，通过增大目标延时参数值，从而根据增大后的目标延时参数值，在存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，可以加快对存储器的工作温度的控制。

在本申请的一个实施例中，在根据目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时之后，该方法还可以包括以下步骤：

第一个步骤：在达到设定的时间间隔的情况下，获得存储器的工作温度；

第二个步骤：如果存储器的工作温度未超过温度阈值，则确定存储器的工作温度与温度阈值的温差是否大于预设的温差阈值；如果是，则执行第三个步骤；

第三个步骤：基于目标步进参数值，减小目标延时参数值；

第四个步骤：根据减小后的目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。

为便于描述，将上述四个步骤结合起来进行说明。

在对存储器的工作温度进行监测的过程中，根据存储器的工作温度，如果确定当前达到预设的温控触发条件，则确定目标步进参数值，基于目标步进参数值，确定目标延时参数值，并根据目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，对存储器的工作温度进行控制。在这种情况下，存储颗粒并没有全速运行，存储器的性能未达到最佳。

在对存储器的工作温度控制一段时间后，可以再次获得存储器的工作温度，确定是否进行性能的提升。

可以在达到设定的时间间隔的情况下，获得存储器的工作温度。如果存储器的工作温度未超过温度阈值，则可以认为当前对于存储器的温度控制是有效果的。在这种情况下，可以进一步将存储器的工作温度与温度阈值的温差同温差阈值进行比较。如果温差小于温差阈值，则可以认为当前处于性能和温度平衡点上，可以继续基于当前在用的目标延时参数值进行延时插入处理，控制存储器的工作温度。如果温差大于温差阈值，则可以认为当前可以提升性能，可以减小目标延时参数值，降低分频比。

温差阈值可以根据产品需求设定，如设定为3℃。

目标延时参数值可通过以下公式调整得到：

Ld＝Ld1-ΔLd；

Nd＝Nd1-ΔNd；

其中，Ld表示调整后的目标延时长度值，Nd表示调整后的目标插入次数值，Ld1表示当前在用的目标延时长度值，Nd1表示当前在用的目标插入次数值。

对于目标延时参数值的调整，以降低分频比、提升存储器的性能为目标。分频比最小为0。基于减小后的目标延时参数值，在存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，对存储器的工作温度进行控制。

本申请实施例在确定当前达到设定的温控触发条件时，基于目标步进参数值，确定目标延时参数值，再基于目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，达到降频效果，实现对存储器的工作温度的控制。如果降温效果不理想，则可以调整目标延时参数值，提高分频比，快速降低存储器的工作温度。

当然，在存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，是以牺牲存储器的性能为代价来降低存储器的工作温度的。在温控一段时间后，如果存储器的工作温度未超过温度阈值，且工作温度与温度阈值的温差大于温差阈值，则可以考虑提高存储器的性能，调整目标延时参数值，降低分频比，随之而来的存储器的工作温度的提高和性能的提高。

当存储器的工作温度未超过温度阈值，且工作温度与温度阈值的温差小于或等于温差阈值时，可以认为达到了性能和温度的平衡点，可以继续使用当前在用的目标延时参数值，不再调整。当前在用的目标延时参数值最小值为0，即在I/O传输突发脉冲中不插入延时，使得存储颗粒能够全速运行，使得存储器的性能达到最佳。

本申请实施例不需要切换时钟，也不需要等待空闲状态后再进行切换，确定目标延时参数后，可以实时在I/O传输突发脉冲中进行延时插入处理，及时对存储器的工作温度进行控制，可以有效减少滞后时间。

需要说明的是，本申请实施例是在存储器的一个存储颗粒的角度进行的描述，在实际应用中，如果存储器配置有多个存储颗粒，存储颗粒和主控之间呈现多个通道，则在确定达到温控触发条件时，可以先对部分通道的存储颗粒的I/O传输突发脉冲进行插入延时操作，如果温控效果不明显，则可以对更多通道的存储颗粒的I/O传输突发脉冲进行插入延时操作，以及时、快速地对存储器的工作温度进行控制。

上述是在执行I/O操作过程中，通过在I/O传输突发脉冲中插入延时，对存储器的工作温度进行控制的方案的描述，下面详细说明另一种存储器的温控方法。

参见图7所示，为本申请实施例所提供的另一种存储器的温控方法的实施流程图，该方法可以包括以下步骤：

S710：对存储器的工作温度进行监测。

在本申请实施例中，在电子产品工作过程中，可以对存储器的工作温度进行监测。具体的监测方式可以参见图4所示方法实施例中步骤S410的操作，不再赘述。

S720：根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前是否达到预设的温控触发条件。

在本申请实施例中，具体判定方式可以参见图4所示方法实施例中步骤S420的操作，不再赘述。

当然，对存储器的工作温度进行监测，如果存储器的工作温度未超过温度阈值，则可以认为当前并未达到预设的温控触发条件，存储器、电子产品都可以正常工作。在这种情况下，没有必要对存储器的工作温度进行控制，可以不限制I/O操作的执行，如图7所示。

S730：在有I/O操作要执行的情况下，基于信用池的当前信用总额，确定剩余信用额。

在本申请实施例中，引入了信用池的概念。信用池具有一定的信用总额，相当于信用池的总容量，不同时刻信用池使用的信用总额可以不同，相当于信用池的总容量会发生变化。在有I/O操作执行时，需要消耗一定的信用，产生一定的信用消费额，信用池的剩余信用额就会减少。在有I/O操作完成的情况下，将该I/O操作的信用消费额归还到信用池，以供其他I/O操作执行时使用。

具体的，在进行剩余信用额的确定时，可以先确定I/O操作的信用消费总额，然后根据信用池的当前信用总额和信用消费总额，确定剩余信用额。当前信用总额可以根据信用池的最大信用总额和目标步进额确定。

在实际应用中，可以预先设定信用池的最大信用总额，最大信用总额可以满足在没有温度影响下，存储器的存储颗粒全速运行。如最大信用总额Cmax＝N*Cio，其中，N表示通道下并行执行的I/O操作的数量，Cio表示一个I/O操作执行时的最大信用消费额。在电子产品初始工作阶段，信用池的当前信用总额可以为该最大信用总额，随后在进行温控时，可以根据最大信用总额和目标步进额，得到当前信用总额。

在实际应用中，可以同时并行执行多个I/O操作。每个I/O操作在执行时有其对应的信用消费额，可以根据当前正在执行的每个I/O操作的信用消费额，得到当前正在执行的I/O操作的信用消费总额，然后根据信用池的当前信用总额和信用消费总额，确定剩余信用额。简单来说，可以将信用池的当前信用总额减去信用消费总额，得到剩余信用额，即剩余信用额＝当前信用总额-信用消费总额。

S740：根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作。

在确定当前达到预设的温控触发条件时，在有I/O操作要执行的情况下，确定出信用池的剩余信用额，根据该剩余信用额，可以确定是否执行I/O操作。

具体的，可以先确定要执行的I/O操作所需的信用消费额。如果信用消费额大于剩余信用额，则确定不执行该I/O操作，以减少I/O操作数量，达到对存储器的工作温度进行控制的目的。如果信用消费额小于或等于剩余信用额，则可以确定执行该I/O操作，并执行该I/O操作。

在执行该I/O操作时，该I/O操作将会消耗信用，有一定的信用消费额，在没有其他I/O操作完成归还信用消费额的情况下，信用池的剩余信用额将会减少。当再次有I/O操作要执行时，还是要先基于信用池的当前信用总额，确定剩余信用额，根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作，以对存储器的工作温度进行控制。

应用本申请实施例所提供的方法，对存储器的工作温度进行监测，在根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前达到预设的温控触发条件时，如果有I/O操作要执行，则基于信用池的当前信用总额，确定剩余信用额，根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作。通过控制I/O操作的数量，达到对存储器的工作温度进行控制的目的。不需要进行频率的切换，可以及时有效地对存储器的工作温度进行控制，避免影响电子产品的正常运行。

在本申请的一个实施例中，当前信用总额为根据信用池的最大信用总额和目标步进额确定的，在根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作之后，该方法还可以包括以下步骤：

步骤一：在完成一次I/O限制循环时，如果存储器的工作温度未达到目标温度，则基于目标步进额，减小当前信用总额；

步骤二：在有I/O操作要执行的情况下，基于信用池的减小后的当前信用总额，确定剩余信用额；

步骤三：根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作。

为便于描述，将上述三个步骤结合起来进行说明。

在本申请实施例中，在温控过程中，从通过目标步进额调整当前信用总额开始，到达到一定时间间隔为止，可以认为完成一次I/O限制循环。

根据剩余信用额，如果确定不执行I/O操作，则可以暂不执行该I/O操作，这样可以减少I/O操作数量，使得存储器的工作温度逐渐降低。每完成一次I/O限制循环，就可以获取一次存储器的工作温度。如果在完成一次I/O限制循环时，存储器的工作温度就降到了温度阈值以下，则可以认为信用池的当前信用总额较为合理，可以继续使用当前信用总额，对I/O操作数量进行控制，以控制存储器的工作温度。反之，如果在完成一次I/O限制循环时，存储器的工作温度仍未达到目标温度，则可以认为信用池的当前信用总额并不合理，可以继续对其进行调整。也就是说，每完成一次I/O限制循环，就可以确定是否对当前信用总额进行调整，以快速达到温控效果。

目标温度可以根据实际情况进行设定和调整，如设定为与温度阈值相同。

在完成一次I/O限制循环时，如果存储器的工作温度仍未达到目标温度，则认为当前温控效果并不理想，调整速度过慢，可以基于目标步进额，减小当前信用总额。目标步进额可以根据温控初始时的工作温度与温度阈值的温差确定，温差越大，目标步进额越大，温差越小，目标步进额越小。

在温控初始，可以根据最大信用总额与目标步进额的差，确定当前信用总额，再次需要调整时，可以在当前信用总额的基础上减去目标步进额，获得减小后的当前信用总额，相当于减小了信用池的总容量。当前信用总额减小了，如果当前正在执行的I/O操作的信用消费总额不变，则将会使得信用池的剩余信用额减小，那么可以并行的I/O数量也就相应减少了。

在有I/O操作要执行的情况下，基于信用池的减小后的当前信用总额，确定剩余信用额，然后再根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作，这样将会有更多的I/O操作被暂停执行，可以加快对存储器的工作温度进行控制。

在本申请的一个实施例中，在根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作之后，该方法还可以包括以下步骤：

第一个步骤：在达到设定的时间间隔的情况下，获得存储器的工作温度；

第二个步骤：如果存储器的工作温度未超过温度阈值，则确定存储器的工作温度与温度阈值的温差是否大于预设的温差阈值；如果是，则执行第三个步骤：

第三个步骤：基于目标步进额，加大当前信用总额；

第四个步骤：在有I/O操作要执行的情况下，基于信用池的加大后的当前信用总额，确定剩余信用额；

第五个步骤：根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作。

为便于描述，将上述五个步骤结合起来进行说明。

对存储器的工作温度进行监测，根据存储器的工作温度，如果确定当前达到预设的温控触发条件，则在有I/O操作要执行的情况下，可以基于信用池的当前信用总额，确定剩余信用额，根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作，以通过对I/O操作执行数量的控制，对存储器的工作温度进行控制。

如果信用池的当前信用总额不是最大信用总额，则表明存储颗粒并没有全速运行，存储器的性能未达到最佳。

在对存储器的工作温度控制一段时间后，可以再次获得存储器的工作温度，确定是否进行性能的提升。

可以在达到设定的时间间隔的情况下，获得存储器的工作温度。如果存储器的工作温度未超过温度阈值，则可以认为当前对于存储器的温度控制是有效果的。在这种情况下，可以进一步将存储器的工作温度与温度阈值的温差同温差阈值进行比较。如果温差小于温差阈值，则可以认为当前处于性能和温度平衡点上，可以继续根据信用池的当前信用总额，确定剩余信用总额，进而进行I/O操作是否执行的判定，控制存储器的工作温度。如果温差大于温差阈值，则可以认为当前可以提升性能，可以加大当前信用总额。

温差阈值可以根据产品需求设定，如设定为3℃。

在有I/O操作要执行的情况下，可以基于信用池的加大后的当前信用总额，确定剩余信用额。然后根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作，以对存储器的工作温度进行控制。

本申请实施例在确定当前达到设定的温控触发条件时，在有I/O操作要执行的情况下，基于信用池的当前信用总额，确定剩余信用额，根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作，以通过限制I/O操作执行的数量，对存储器的工作温度进行控制。如果降温效果不理想，则可以减小当前信用总额，这样可以限制更多的I/O操作的执行，快速降低存储器的工作温度。

当然，限制I/O操作执行的数量，是以牺牲存储器的性能为代价来降低存储器的工作温度的。在温控一段时间后，如果存储器的工作温度未超过温度阈值，且工作温度与温度阈值的温差大于温差阈值，则可以考虑提高存储器的性能，加大当前信用总额，以能够执行更多的I/O操作，随之而来的存储器的工作温度的提高和性能的提高。

可以基于目标步进额，加大当前信用总额，具体可以在当前信用总额基础上加上目标步进额，获得加大后的当前信用总额。

当存储器的工作温度未超过温度阈值，且工作温度与温度阈值的温差小于或等于温差阈值时，可以认为达到了性能和温度的平衡点，可以继续使用当前信用总额，不再调整。当前信用总额最大为最大信用总额，可以使得存储颗粒全速运行，使得存储器的性能达到最佳。

本申请实施例不需要切换时钟，也不需要等待空闲状态后再进行切换，确定信用池的剩余信用额后，可以实时进行I/O操作是否执行的判定，及时对存储器的工作温度进行控制，可以有效减少滞后时间。

对于本申请实施例方案的理解，可以借鉴对信用卡模式的理解，信用卡有总的信用额度，每产生一笔消费就会消耗一定的信用额度，消费后需要归还来恢复额度。银行根据持卡人的状态，可以调整信用额度，这样持卡人的消费能力也随之改变。

需要说明的是，本申请实施例是在存储器的一个存储颗粒的角度进行的描述，在实际应用中，如果存储器配置有多个存储颗粒，存储颗粒和主控之间呈现多个通道，则在确定达到温控触发条件时，可以先对部分通道的存储颗粒进行I/O操作的数量限制操作，如果温控效果不明显，则可以对更多通道的存储颗粒的I/O操作的数量进行限制，以及时快速地对存储器的工作温度进行控制。

在本申请的一个实施例中，信用池包括多个信用组，不同信用组对应不同操作类型；在有I/O操作要执行的情况下，基于信用池的当前信用总额，确定剩余信用额，包括：

在有I/O操作要执行的情况下，基于与该I/O操作的操作类型相对应的信用组的当前信用总额，确定剩余信用额。

在本申请实施例中，可以细分信用池为多个信用组，不同信用组对应不同操作类型，如读、写、擦操作类型。不同信用组可以对应不同的当前信用总额，这样可以分类控制I/O数量。

在确定当前达到预设的温控触发条件时，在有I/O操作要执行的情况下，可以先确定该I/O操作的操作类型，基于与该I/O操作的操作类型相对应的信用组的当前信用总额，确定剩余信用额，然后根据该剩余信用额，确定是否执行I/O操作，以对存储器的工作温度进行控制。

为方便理解，举例说明。

如下表表1所示，信用池包括读信用组、写信用组、擦信用组，其中，读信用组的当前信用总额为21，写信用组的当前信用总额为15，擦信用组的当前信用总额为12，信用池总的当前信用总额为48。如下表表2所示，读I/O信用消费额为3，写I/O信用消费额为5，擦I/O信用消费额为6。

读信用组	写信用组	擦信用组	信用池
				21	15	12	48

表1

表2

上述两表的数值为示意性表示。从上述两表可以看出，当有7个读I/O并行执行时，读信用组的剩余信用额为0，再来读I/O将不会被执行。以此类推。

当然，在实际应用中，对于信用池可以不进行细分，所有I/O操作共用一个信用池。当存储颗粒的读写擦操作所产生的功耗一样时，可以使得所有I/O操作共用一个信用池，不进行区分，当存储颗粒的读写擦操作所产生的功耗不一样时，可以将信用池细分为多个信用组，这样可以较好地控制同一通道下，读写擦操作的比例。存储颗粒的读写擦操作所产生的功耗是否一样，取决于存储颗粒的手册。

如图8所示，为一种基于信用点流控过程示意图。相应的控制逻辑每个通道可以独立。I/O提取器(I/O Fetcher)负责取I/O操作放入到I/O队列中，I/O调度器(I/ODispatcher)负责从I/O队列中取到I/O操作后发给其他模块，以执行相应I/O操作。I/O调度器是否将I/O操作发送出去，取决于信用池中的剩余信用额是否大于I/O操作所需的信用消费额，如果信用池包括多个信用组，则取决于信用池中与该I/O操作的操作类型相对应的信用组的剩余信用额是否大于I/O操作所需的信用消费额。I/O回收器在确定I/O操作执行完成后，将相应的信用消费额归还给信用池。

在实际应用中，本申请可以通过软硬件结合实现，或者通过硬件设计实现，如通过ASIC(Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路)逻辑电路实现，通过硬件执行的好处是减少了软件开销。

在本申请实施例中，可以将图4所示的存储器的温控方法简称为延时插入策略，将图7所示的存储器的温控方法简称为信用点策略。可以理解的是，延时插入策略是在执行I/O操作的过程中使用的，信用点策略是在要执行I/O操作时使用的。在实际应用中，可以结合这两种策略对存储器的工作温度进行及时、有效地控制。

参见图9所示，为本申请实施例所提供的另一种存储器的温控方法的实施流程图，该方法可以包括以下步骤：

S910：对存储器的工作温度进行监测。

在本申请实施例中，在电子产品工作过程中，可以对存储器的工作温度进行监测。具体的监测方式可以参见图4所示方法实施例中步骤S410的操作，不再赘述。

S920：根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前是否达到预设的温控触发条件。

在本申请实施例中，具体判定方式可以参见图4所示方法实施例中步骤S420的操作，不再赘述。。

当然，对存储器的工作温度进行监测，如果存储器的工作温度未超过温度阈值，则可以认为当前并未达到预设的温控触发条件，存储器、电子产品都可以正常工作。在这种情况下，没有必要对存储器的工作温度进行控制，如图9所示。

S930：根据存储器的工作温度，查询策略表，确定目标温控调整策略。

策略表中包含多个级别的温控调整策略，温控调整策略的级别越高，使用该温控调整策略对于性能的影响越大。

在本申请的一种具体实施方式中，可以先确定存储器的工作温度与温度阈值的温差，然后在策略表中查询与温差相对应的温控调整策略，再将查询到的温控调整策略确定为目标温控调整策略。

可以理解的是，在存储器的工作温度超过温度阈值的情况下，如果存储器的工作温度与温度阈值的温差越大，则可以认为越需要快速降温，可以执行激进的、级别更高的温控调整策略。

在策略表中，不同温差可以对应不同的温控调整策略，每种温控调整策略具有相应的调整参数，对应相应的调整参数阈值和循环次数阈值。如表3所示：

温差	温控调整策略	调整参数阈值	循环次数阈值
				ΔTa	Px	S0	Xi
ΔTb	Py	S1	Xj
				ΔTc	Pz	S2	Xk
……	……	……	……
				ΔTn	Px	Sn	Xn

表3

以表3中的第一行为例说明，如果温差为ΔTa，则对应的温控调整策略为Px，调整参数阈值为S0，循环次数阈值为Xi。每个温控调整策略的初始的调整参数阈值和循环次数阈值可以根据大样本数据获得。

在确定存储器的工作温度与温度阈值的温差之后，可以在策略表中查询与该温差相对应的温控调整策略，将查询到的温控调整策略确定为目标温控调整策略。然后使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制。

在初始阶段，设定的温控调整策略可以如表4所示：

表4

需要说明的是，上述表3、表4中对温控调整策略的说明仅为具体示例，在实际应用中，可以进行更多温控调整策略的设定和调整。

结合硬件具有的能力，可以形成以下多个级别的温控调整策略：

温控调整策略P1：通过信用点策略控制每个通道下的读、写、擦的I/O数量，即控制对应操作类型的信用组的当前在用信用总额；

温控调整策略P2：通过延时插入策略控制通道的执行I/O的速度，即控制每个通道下存储颗粒的I/O传输突发脉冲的插入延时的长度和次数；

温控调整策略P3：通过信用点策略控制每个通道下的I/O数量，即控制对应通道的信用池的当前在用信用总额；

温控调整策略P4：通过延时插入策略控制通道的执行I/O的速度，同时通过信用点策略控制通道的I/O执行数量。

这里，温控调整策略P1、P2、P3、P4的级别依次升高，在第一级温控调整策略P1下，仅控制每个通道下的I/O数量，对应性能影响最小，但对功耗下调也最小；

在第二级温控调整策略P2下，由于控制了I/O执行速度，性能按照比例下降，如前所描述的，如果突发脉冲的长度和延时的长度比例是1:1，则相当于频率下调1/2，性能基本也是下调1/2；

在第三级温控调整策略P3下，控制并行通道数量，即轮流开启部分通道，最直接的控制功耗的开销；

在第四级温控调整策略P4下，合并使用延时插入策略和信用点策略，控制并行通道数量和I/O执行速度，可以最大程度的控制功耗。

上述四种温控调整策略的差异点在于调整完成之后性能下降比例。温控调整策略级别越高，对性能的影响越大。

当然，上述的几种温控调整策略仅为示例性说明，在实际应用中，初始时可以配置更多级别的策略，通过更多级别的策略，使得性能的下降是比较平滑的，呈现出线性下降趋势。

S940：使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制。

在确定出目标温控调整策略后，可以使用该目标温控调整策略执行相应操作，对存储器的工作温度进行控制。

应用本申请实施例所提供的方法，对存储器的工作温度进行监测，根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，在确定当前达到预设的温控触发条件的情况下，可以根据存储器的工作温度，查询策略表，确定目标调整策略，使用目标调整策略对存储器的工作温度进行控制。策略表中包含多个级别的温控调整策略。根据存储器的工作温度，通过对策略表的查询，得到较为合适的目标调整策略，不需要进行频率的切换，可以及时有效地对存储器的工作温度进行控制，避免影响电子产品的正常运行。

在本申请的一个实施例中，目标温控调整策略包括延时插入策略，目标温控调整策略的调整参数值包括目标步进参数值，步骤S940使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制，可以包括以下步骤：

步骤一：根据预设的初始延时参数值和目标步进参数值的和，确定目标温控调整策略的目标延时参数值；

步骤二：基于目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。

为便于描述，将上述两个步骤结合起来进行说明。

在本申请实施例中，目标温控调整策略可以包括延时插入策略，相应的，目标温控调整策略的调整参数值可以包括目标步进参数值。

在使用目标温控调整策略时，可以先根据预设的初始延时参数值和目标步进参数值的和，确定目标温控调整策略的目标延时参数值。目标延时参数值可以包括目标延时长度值和目标插入次数值。基于目标延时参数值，在存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，减低I/O执行速度，对存储器的工作温度进行控制。具体的延时插入方式可以参见上面相关实施例的描述，在此不再赘述。

在完成一次延时插入循环时，如果存储器的工作温度未达到目标温度，则基于目标步进参数值，增大目标延时参数值，根据增大后的目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，对存储器的工作温度进行控制。

即每完成一次延时插入循环，就可以确定是否对当前的目标延时参数值进行调整，以快速达到温控效果。在完成一次延时插入循环时，如果存储器的工作温度仍未达到目标温度，则可以认为当前使用的目标延时参数值不足以满足降温需求，可以基于目标步进参数值，增大目标延时参数值，基于增大后的目标延时参数值，在存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时，可以进一步减低I/O执行速度，更快地对存储器的工作温度进行控制。

在本申请的一个实施例中，目标温控调整策略包括信用点策略，目标温控调整策略的调整参数值包括目标步进额，步骤S940使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制，可以包括以下步骤：

第一个步骤：在有I/O操作要执行的情况下，确定I/O操作的信用消费总额；

第二个步骤：根据信用池的当前信用总额和信用消费总额，确定剩余信用额；当前信用总额为根据信用池的最大信用总额和目标步进额确定；

第三个步骤：根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作。

为便于描述，将上述三个步骤结合起来进行说明。

在本申请实施例中，目标温控调整策略可以包括信用点策略，相应的，目标温控调整策略的调整参数值可以包括目标步进额。

在使用目标温控调整策略时，在有I/O操作要执行的情况下，可以先确定当前正在执行的I/O操作的信用消费总额，根据信用池的当前信用总额和信用消费总额，可以确定剩余信用额，当前信用总额可以根据信用池的最大信用总额和目标步进额确定。根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作，控制I/O操作的执行数量，对存储器的工作温度进行控制。具体的判定方式可以参见上面相关实施例的描述，在此不再赘述。

在完成一次I/O限制循环时，如果存储器的工作温度未达到目标温度，则基于目标步进额，减小当前信用总额，再有I/O操作要执行的情况下，基于信用池的减小后的当前信用总额，确定剩余信用额，然后根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作，以对存储器的工作温度进行控制。

在完成一次I/O限制循环时，如果存储器的工作温度未达到目标温度，则可以认为当前信用总额不足以满足降温需求，可以基于目标步进额，减小当前信用总额。当前信用总额减小了，在有I/O操作要执行时，基于减小后的当前信用总额，可以确定剩余信用额，从而根据剩余信用额，可以控制更多的I/O操作不被执行，以更快地对存储器的工作温度进行控制。

在实际应用中，如果目标温控调整策略既包括延时插入策略又包括信用点策略，则可以在I/O操作要执行时，及I/O操作执行过程中同时使用目标温控调整策略，以更快地对存储器的工作温度进行控制。

在本申请的一个实施例中，目标温控调整策略包括延时插入策略，在使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，该方法还可以包括以下步骤：

步骤一：如果延时插入循环总次数大于设定第一次数阈值，则增大目标步进参数值；

步骤二：在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进参数值。

为便于描述，将上述两个步骤结合起来进行说明。

在本申请实施例中，策略表中的每个温控调整策略可以对应一个调整参数阈值，该调整参数阈值也即为相应温控调整策略的调整参数上限值，可以根据大样本数据确定。

在使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，可以获得本次温控调整事件的相关信息，如延时插入循环总次数。延时插入循环总次数表示在完成多少次延时插入循环后存储器的工作温度达到温度阈值以下。

如果延时插入循环总次数大于设定第一次数阈值，则可以认为对于本次温控调整事件，使用目标温控调整策略的目标步进参数值，温控速度过慢。在这种情况下，可以增大目标步进参数值。如按照倍数增大，或者按照增加一个设定值增大。第一次数阈值可以通过策略表中目标温控调整策略对应的循环次数阈值进行确定。

在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进参数值。即将策略表中目标温控调整策略包含的目标步进参数值更新为增大后的值。这样，当再有与本次温控调整事件相似事件时，在确定目标温控调整策略后，将直接使用增大后的目标步进参数值进行相应操作。以加快温控速度。

在本申请的一种具体实施方式中，在增大目标步进参数值之后、在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进参数值之前，该方法还可以包括以下步骤：

第一个步骤：确定增大后的目标步进参数值是否大于目标温控调整策略对应的最大步进参数值；如果是，则执行下面第二个步骤，如果否，则执行上一实施例中的步骤二；

第二个步骤：在策略表中更新存储器的工作温度与温度阈值的温差关联到目标温控调整策略的高一级温控调整策略。

在本申请实施例中，在使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，如果延时插入循环总次数大于设定第一次数阈值，则增大目标步进参数值。在增大目标步进参数值后，可以确定增大后的目标步进参数值是否大于目标温控调整策略对应的最大步进参数值。目标温控调整策略对应的最大步进参数值可以根据策略表中目标温控调整策略对应的调整参数阈值确定。

如果增大后的目标步进参数值大于目标温控调整策略对应的最大步进参数值，则可以认为在本次温控调整事件中，使用目标温控调整策略温控速度过慢，目标温控调整策略并不适合于本次温控调整事件类似事件。在这种情况下，可以在策略表中更新存储器的工作温度与温度阈值的温差与温控调整策略的关联关系，将该温差关联到目标温控调整策略的高一级温控调整策略中。这样，下次再有与本次温控调整事件相似事件时，可以通过该温差在策略表中确定的目标温控调整策略是本次使用的目标温控调整策略的高一级温控调整策略。可以加快温控速度。

如果增大后的目标步进参数值不大于目标温控调整策略对应的最大步进参数值，则可以认为在本次温控调整事件中，虽然使用目标温控调整策略温控速度较慢，但是如果增大目标温控调整策略包含的目标步进参数值，还是可以适用于本次温控调整事件类似事件的。在这种情况下，可以在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进参数值。这样，下次再有与本次温控调整事件相似事件时，通过温差在策略表中确定的目标温控调整策略仍是本次使用的目标温控调整策略，但是其包含的目标步进参数值较之前增大了，所以可以加快温控速度。

举例而言，策略表中温差ΔTa对应的温控调整策略Px为延时插入策略，其包含的步进参数值为Δd，对应的最大步进参数值为Sd，对应的第一次数阈值为Xd。在某一次温控调整事件中，对存储器的工作温度进行监测，根据存储器的工作温度和温度阈值，确定当前达到预设的温控触发条件，根据工作温度与温度阈值的温差ΔTa在策略表中查询到相对应的目标温控调整策略为延时插入策略Px，使用延时插入策略Px对存储器的工作温度进行控制。在温控过程中，根据预设的初始延时参数值d0和步进参数值Δd的和，确定目标延时参数值d0+Δd，基于目标延时参数值d0+Δd，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。在完成一次延时插入循环时，如果存储器的工作温度未达到目标温度，则基于步进参数值Δd，增大目标延时参数值d0+Δd，增大后的目标延时参数值为d0+Δd+Δd，根据增大后的目标延时参数值d0+Δd+Δd，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。再完成一次延时插入循环时，如果存储器的工作温度仍未达到目标温度，则基于步进参数值Δd，增大目标延时参数值d0+Δd+Δd，增大后的目标延时参数值为d0+Δd+Δd+Δd，根据增大后的目标延时参数值d0+Δd+Δd+Δd，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。

在完成温控调整之后，即在完成本次温控调整事件后，统计本次温控调整事件的相关信息，延时插入循环总次数为3。如果该延时插入循环总次数大于第一次数阈值，则增大步进参数值，如将步进参数值增大到2Δd。

如果2Δd小于或等于温控调整策略Px对应的最大步进参数值Sd，则可以在策略表中将温控调整策略Px包含的步进参数值调整为2Δd。这样，当下一次类似温控调整事件发生时，根据工作温度与温度阈值的温差ΔTa在策略表中查询到相对应的目标温控调整策略仍为温控调整策略Px，使用温控调整策略Px对存储器的工作温度进行控制。在温控过程中，根据预设的初始延时参数值d0和步进参数值2Δd的和，确定目标延时参数值d0+2Δd，基于目标延时参数值d0+2Δd，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。在完成一次延时插入循环时，如果存储器的工作温度未达到目标温度，则基于步进参数值2Δd，增大目标延时参数值d0+2Δd，增大后的目标延时参数值为d0+2Δd+2Δd，根据增大后的目标延时参数值d0+2Δd+2Δd，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。将会在更少的延时插入循环总次数中完成温控调整。

如果2Δd大于温控调整策略Px对应的最大步进参数值Sd，则可以在策略表中更新温差ΔTa对应的温控调整策略为Px的高一级温控调整策略Py。这样，当下一次类似温控调整事件发生时，根据工作温度与温度阈值的温差ΔTa在策略表中查询到相对应的目标温控调整策略将会是温控调整策略Py，使用温控调整策略Py对存储器的工作温度进行控制。

在本申请的一个实施例中，目标温控调整策略包括信用点策略，在使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，该方法还可以包括以下步骤：

步骤一：如果I/O限制循环总次数大于设定第二次数阈值，则增大目标步进额；

步骤二：在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进额。

为便于描述，将上述两个步骤结合起来进行说明。

在本申请实施例中，策略表中的每个温控调整策略可以对应一个调整参数阈值，该调整参数阈值也即为相应温控调整策略的调整参数上限值，可以根据大样本数据确定。

在使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，可以获得本次温控调整事件的相关信息，如I/O限制循环总次数。I/O限制循环总次数表示在完成多少次I/O限制循环后存储器的工作温度达到温度阈值以下。

如果I/O限制循环总次数大于设定第二次数阈值，则可以认为对于本次温控调整事件，使用目标温控调整策略的目标步进额，温控速度过慢。在这种情况下，可以增大目标步进额。如按照倍数增大，或者按照增加一个设定值增大。第二次数阈值可以通过策略表中目标温控调整策略对应的循环次数阈值进行确定。

在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进额。即将策略表中目标温控调整策略包含的目标步进额更新为增大后的值。这样，当再有与本次温控调整事件相似事件时，在确定目标温控调整策略后，将直接使用增大后的目标步进额进行相应操作。以加快温控速度。

在本申请的一种具体实施方式中，在增大目标步进额之后、在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进额之前，该方法还可以包括以下步骤：

第一个步骤：确定增大后的目标步进额是否大于目标温控调整策略对应的最大步进额；如果是，则执行第二个步骤，如果否，则执行上一实施例中的步骤二；

第二个步骤：在策略表中更新存储器的工作温度与温度阈值的温差关联到目标温控调整策略的高一级温控调整策略。

在本申请实施例中，在使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，如果I/O限制循环总次数大于设定第二次数阈值，则增大目标步进额。在增大目标步进额后，可以确定增大后的目标步进额是否大于目标温控调整策略对应的最大步进额。目标温控调整策略对应的最大步进额可以根据策略表中目标温控调整策略对应的调整参数阈值确定。

如果增大后的目标步进额大于目标温控调整策略对应的最大步进额，则可以认为在本次温控调整事件中，使用目标温控调整策略温控速度过慢，目标温控调整策略并不适合于本次温控调整事件类似事件。在这种情况下，可以在策略表中更新存储器的工作温度与温度阈值的温差与温控调整策略的关联关系，将该温差关联到目标温控调整策略的高一级温控调整策略中。这样，下次再有与本次温控调整事件相似事件时，可以通过该温差在策略表中确定的目标温控调整策略是本次使用的目标温控调整策略的高一级温控调整策略。可以加快温控速度。

如果增大后的目标步进额不大于目标温控调整策略对应的最大步进额，则可以认为在本次温控调整事件中，虽然使用目标温控调整策略温控速度较慢，但是如果增大目标温控调整策略包含的目标步进额，还是可以适用于本次温控调整事件类似事件的。在这种情况下，可以在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进额。这样，下次再有与本次温控调整事件相似事件时，通过温差在策略表中确定的目标温控调整策略仍是本次使用的目标温控调整策略，但是其包含的目标步进额较之前增大了，所以可以加快温控速度。

可以理解的是，存储器的工作环境是不断变化的，如果使用一成不变的温控调整策略将会导致调整速度与性能下降之间不平衡。当调整参数值较小时，调整过程的循环次数越大，对性能的影响越小，当调整参数值越大时，调整幅度越大，对性能影响越大。

本申请实施例中对于每次温控调整事件使用的温控调整策略并不是一成不变的，通过两级逐步递增方式以找到更适合的温控调整策略和调整参数值。

第一级是通过循环次数阈值控制调整参数值的更新，第二级是通过调整参数阈值控制温控调整策略的更新。即在当前次温控调整事件中，确定目标温控调整策略后，通过其所对应的调整参数值开始执行相应操作。在该次温控调整事件完成后，统计相关信息，如果调整循环次数(延时插入循环次数和/或I/O限制循环次数)超过目标温控调整策略所对应的循环次数阈值，说明温控需求较大，可以增大目标温控调整策略的调整参数值，并在策略表中更新目标温控调整策略的调整参数值，下次温控调整事件发生时，可以直接使用增大后的调整参数值进行相应操作。如果增大后的调整参数值大于目标温控调整策略所对应的调整参数阈值，则可以认为目标温控调整策略的选择有问题，可以在策略表中更新温差与温控调整策略的关联关系，下次温控调整事件发生时，可以使用高一级温控调整策略。

这样，在较长时间的运行后，可以获得较佳的温控调整策略和调整参数值，以最少调整循环次数达成目标，可以减少调整滞后时间。

本申请实施例的上述方案可以通过专用集成电路实现，以存储器为固态硬盘为例，该专用集成电路可以是固态硬盘控制器芯片中一部分集成电路。如图10所示，主要表达了固态硬盘控制器里面闪存控制器部分以及CPU(central processing unit，中央处理器)、温控模块之间的关联关系。CPU分别与温控模块和CMD/Data(命令/数据)处理模块连接，CPU根据温控模块提供的调整参数值，结合软件算法，通过进行设置参数达到对硬件逻辑的配置。当外部命令进入闪存控制器后，将转化成闪存命令。每个闪存通道都可部署信用点控制逻辑、延时插入控制逻辑。下发到闪存通道的I/O操作的数量可以通过信用点控制逻辑控制，通过延时插入控制逻辑可以控制每个I/O操作的具体延时插入行为，相当于控制分频比。

相应于上面的方法实施例，本申请实施例还提供了一种存储器的温控装置，下文描述的存储器的温控装置与上文描述的存储器的温控方法可相互对应参照。

参见图11所示，该装置可以包括以下模块：

工作温度监测模块1101，用于对存储器的工作温度进行监测；

温控触发条件判定模块1102，用于根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前是否达到预设的温控触发条件，如果是，则触发目标温控调整策略确定模块1103；

目标温控调整策略确定模块1103，用于根据存储器的工作温度，查询策略表，确定目标温控调整策略，策略表中包含多个级别的温控调整策略；

工作温度控制模块1104，用于使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制。

应用本申请实施例所提供的装置，策略表中包含多个级别的温控调整策略。根据存储器的工作温度，通过对策略表的查询，得到较为合适的目标调整策略，不需要进行频率的切换，可以及时有效地对存储器的工作温度进行控制，避免影响电子产品的正常运行。

在本申请的一种具体实施方式中，目标温控调整策略确定模块1103，用于：

确定存储器的工作温度与温度阈值的温差；在策略表中查询与温差相对应的温控调整策略；将查询到的温控调整策略确定为目标温控调整策略。

在本申请的一种具体实施方式中，目标温控调整策略包括延时插入策略，目标温控调整策略的调整参数值包括目标步进参数值，工作温度控制模块1104，用于：

根据预设的初始延时参数值和目标步进参数值的和，确定目标温控调整策略的目标延时参数值；基于目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。

在本申请的一种具体实施方式中，工作温度控制模块1104，还用于：

在基于目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时之后，在完成一次延时插入循环时，如果存储器的工作温度未达到目标温度，则基于目标步进参数值，增大目标延时参数值；根据增大后的目标延时参数值，在存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。

在本申请的一种具体实施方式中，还包括策略表第一更新模块，用于：

在使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，还包括：

如果延时插入循环总次数大于设定第一次数阈值，则增大目标步进参数值；在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进参数值。

在本申请的一种具体实施方式中，策略表第一更新模块，还用于：

在增大目标步进参数值之后、在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进参数值之前，确定增大后的目标步进参数值是否大于目标温控调整策略对应的最大步进参数值；如果是，则在策略表中更新存储器的工作温度与温度阈值的温差关联到目标温控调整策略的高一级温控调整策略；如果否，则执行在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进参数值的步骤。

在本申请的一种具体实施方式中，目标温控调整策略包括信用点策略，目标温控调整策略的调整参数值包括目标步进额，工作温度控制模块1104，用于：

在有I/O操作要执行的情况下，确定I/O操作的信用消费总额；

根据信用池的当前信用总额和信用消费总额，确定剩余信用额，当前信用总额为根据信用池的最大信用总额和目标步进额确定；根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作。

在本申请的一种具体实施方式中，工作温度控制模块1104，还用于：

在根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作之后，在完成一次I/O限制循环时，如果存储器的工作温度未达到目标温度，则基于目标步进额，减小当前信用总额；在有I/O操作要执行的情况下，基于信用池的减小后的当前信用总额，确定剩余信用额；重复执行根据剩余信用额，确定是否执行I/O操作的步骤。

在本申请的一种具体实施方式中，还包括策略表第二更新模块，用于：

在使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，如果I/O限制循环总次数大于设定第二次数阈值，则增大目标步进额；

在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进额。

在本申请的一种具体实施方式中，策略表第二更新模块，还用于：

在增大目标步进额之后、在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进额之前，确定增大后的目标步进额是否大于目标温控调整策略对应的最大步进额；如果是，则在策略表中更新存储器的工作温度与温度阈值的温差关联到目标温控调整策略的高一级温控调整策略；如果否，则执行在策略表中更新目标温控调整策略的目标步进额的步骤。

相应于上面的方法实施例，本申请实施例还提供了一种存储器的温控设备，包括：

存储单元，用于存储计算机程序；

处理单元，用于执行计算机程序时实现上述存储器的温控方法的步骤。

如图12所示，为存储器的温控设备的组成结构示意图，存储器的温控设备可以包括：处理单元10、存储单元11、通信接口12和通信总线13。处理单元10、存储单元11、通信接口12均通过通信总线13完成相互间的通信。

在本申请实施例中，处理单元10可以为中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、特定应用集成电路、数字信号处理器、现场可编程门阵列或者其他可编程逻辑器件等。

处理单元10可以调用存储单元11中存储的程序，具体的，处理单元10可以执行存储器的温控方法的实施例中的操作。

存储单元11中用于存放一个或者一个以上程序，程序可以包括程序代码，程序代码包括计算机操作指令，在本申请实施例中，存储单元11中至少存储有用于实现以下功能的程序：

对存储器的工作温度进行监测；

根据存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前是否达到预设的温控触发条件；

如果是，则根据存储器的工作温度，查询策略表，确定目标温控调整策略，策略表中包含多个级别的温控调整策略；

使用目标温控调整策略对存储器的工作温度进行控制。

在一种可能的实现方式中，存储单元11可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统，以及至少一个功能(比如温度监测功能、信息查询功能)所需的应用程序等；存储数据区可存储使用过程中所创建的数据，如工作温度数据、调整策略数据等。

此外，存储单元11可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件或其他易失性固态存储器件。

通信接口13可以为通信模块的接口，用于与其他设备或者系统连接。

当然，需要说明的是，图12所示的结构并不构成对本申请实施例中存储器的温控设备的限定，在实际应用中存储器的温控设备可以包括比图12所示的更多或更少的部件，或者组合某些部件。

相应于上面的方法实施例，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述存储器的温控方法的步骤。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

Claims (12)

1.一种存储器的温控方法，其特征在于，应用于存储器的控制器芯片中的专用集成电路，包括：

对存储器的工作温度进行监测；

根据所述存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前是否达到预设的温控触发条件；

如果是，则根据所述存储器的工作温度，查询策略表，确定目标温控调整策略，所述策略表中包含多个级别的温控调整策略；

使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制；

其中，所述目标温控调整策略包括延时插入策略，所述目标温控调整策略的调整参数值包括目标步进参数值，所述使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制，包括：

根据预设的初始延时参数值和所述目标步进参数值的和，确定所述目标温控调整策略的目标延时参数值；

基于所述目标延时参数值，在所述存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时；

其中，存储器配置有多个存储颗粒，各存储颗粒和控制器芯片之间呈现多个通道，在确定达到温控触发条件时，对部分通道的存储颗粒的I/O传输突发脉冲进行插入延时操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述存储器的工作温度，查询策略表，确定目标温控调整策略，包括：

确定所述存储器的工作温度与所述温度阈值的温差；

在策略表中查询与所述温差相对应的温控调整策略；

将查询到的温控调整策略确定为目标温控调整策略。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于所述目标延时参数值，在所述存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时之后，还包括：

在完成一次延时插入循环时，如果所述存储器的工作温度未达到目标温度，则基于所述目标步进参数值，增大所述目标延时参数值；

根据增大后的所述目标延时参数值，在所述存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，还包括：

如果延时插入循环总次数大于设定第一次数阈值，则增大所述目标步进参数值；

在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进参数值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述增大所述目标步进参数值之后、所述在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进参数值之前，还包括：

确定增大后的所述目标步进参数值是否大于所述目标温控调整策略对应的最大步进参数值；

如果是，则在所述策略表中更新所述存储器的工作温度与所述温度阈值的温差关联到所述目标温控调整策略的高一级温控调整策略；

如果否，则执行所述在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进参数值的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标温控调整策略包括信用点策略，所述目标温控调整策略的调整参数值包括目标步进额，所述使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制，包括：

在有I/O操作要执行的情况下，确定I/O操作的信用消费总额；

根据信用池的当前信用总额和所述信用消费总额，确定剩余信用额，所述当前信用总额为根据所述信用池的最大信用总额和所述目标步进额确定；

根据所述剩余信用额，确定是否执行I/O操作。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述根据所述剩余信用额，确定是否执行I/O操作之后，还包括：

在完成一次I/O限制循环时，如果所述存储器的工作温度未达到目标温度，则基于所述目标步进额，减小所述当前信用总额；

在有I/O操作要执行的情况下，基于所述信用池的减小后的所述当前信用总额，确定剩余信用额；

重复执行所述根据所述剩余信用额，确定是否执行I/O操作的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制，完成温控调整之后，还包括：

如果I/O限制循环总次数大于设定第二次数阈值，则增大所述目标步进额；

在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进额。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述增大所述目标步进额之后、所述在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进额之前，还包括：

确定增大后的所述目标步进额是否大于所述目标温控调整策略对应的最大步进额；

如果是，则在所述策略表中更新所述存储器的工作温度与所述温度阈值的温差关联到所述目标温控调整策略的高一级温控调整策略；

如果否，则执行所述在所述策略表中更新所述目标温控调整策略的所述目标步进额的步骤。

10.一种存储器的温控装置，其特征在于，应用于存储器的控制器芯片中的专用集成电路，包括：

工作温度监测模块，用于对存储器的工作温度进行监测；

温控触发条件判定模块，用于根据所述存储器的工作温度和预设的温度阈值，确定当前是否达到预设的温控触发条件，如果是，则触发目标温控调整策略确定模块；

所述目标温控调整策略确定模块，用于根据所述存储器的工作温度，查询策略表，确定目标温控调整策略，所述策略表中包含多个级别的温控调整策略；

工作温度控制模块，用于使用所述目标温控调整策略对所述存储器的工作温度进行控制；

其中，所述目标温控调整策略包括延时插入策略，所述目标温控调整策略的调整参数值包括目标步进参数值，工作温度控制模块用于根据预设的初始延时参数值和所述目标步进参数值的和，确定所述目标温控调整策略的目标延时参数值；基于所述目标延时参数值，在所述存储器的存储颗粒的I/O传输突发脉冲中插入延时；

其中，存储器配置有多个存储颗粒，各存储颗粒和控制器芯片之间呈现多个通道，在确定达到温控触发条件时，对部分通道的存储颗粒的I/O传输突发脉冲进行插入延时操作。

11.一种存储器的温控设备，其特征在于，包括：

存储单元，用于存储计算机程序；

处理单元，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至9任一项所述存储器的温控方法的步骤。

12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至9任一项所述存储器的温控方法的步骤。

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