CN111925129A - 防蓝光、高透过率镀膜前板及防蓝光太阳能电池组件 - Google Patents
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Abstract
本发明给出了一种防蓝光、高透过率镀膜前板,包括浮法玻璃,浮法玻璃上设有第一膜结构,第一膜结构包括若干高折射率膜层和至少一层低折射率膜层,所述高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,所述低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2。本发明还给出了一种防蓝光太阳能电池组件,包括前板、封装用胶膜、太阳能电池芯片、光伏接线盒和铝合金附框;所述前板采用上述的防蓝光、高透过率镀膜前板,所述防蓝光、高透过率镀膜前板的第一膜结构相对浮法玻璃处于靠近太阳能电池芯片一侧位置。本防蓝光太阳能电池组件在整个太阳光光谱范围内,阳光透过高达90%以上,制得的本防蓝光太阳能电池组件颜色浓,且无色差,多角度,大角度观察,颜色可实现稳定。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池组件所使用的前板,特别涉及一种防蓝光、高透过率镀膜前板。
本发明还涉及一种防蓝光太阳能电池组件。
背景技术
太阳能是一种清洁能源,随着对太阳能应用研究的深入,光伏建筑一体化(BIPV)技术渐趋成熟。传统的太阳能电池组件外观呈现单一的偏黑灰色系,并随建筑美学与装修个性化的需求与提高,有色太阳能电池组件的应用渐渐被人们接受与推广,有色玻璃或有色塑胶基板广泛应用于特色建筑等场合。
在现有的有色太阳能电池组件中,因蓝色太阳能电池组件与建筑物匹配度较佳,应用范围较广,推广蓝色装饰效果的太阳能电池组件呈现一种流行趋势。
可见光对于刺激人体视觉功能的形成和实现具有重要作用。但是,过量的光照射可引起视网膜的损伤,导致视觉功能损伤甚至失明。随着对视网膜光损伤机制研究的逐步深入,人们发现可见光中蓝光(440nm-500nm)对视网膜敏感性高、穿透能力强,并且与发病率不断增高的年龄相关性黄斑变性密切相关。
(1)本体着色玻璃做组件封装用前板。将玻璃本体着色玻璃,替代原有的超白浮法白玻璃做封装用前板,而封装制成有色太阳能电池组件。此方法主要是在生产浮法玻璃中,采用化学气相沉积法(CVD)在玻璃中掺杂着色粒子,而使玻璃呈现颜色。因掺杂的粒子主要为含金属成分的粒子,对阳光吸收高,使得阳光穿透率降低,用在太阳能电池组件前板上,大大地降低了太阳能电池组件的发电效率。
(2)使用染色胶膜替代传统组件封装用的无色胶膜。将原有的太阳能组件封装用无色胶膜替换成染色胶膜或在无色胶膜层上追加一层染色胶膜层而封装制得有色太阳能电池组件。此方法类似方法(1),主因染色胶膜对阳光吸收重,透过差,影响太阳能电池组件的发电效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种防蓝光效果好、阳光透过率高的防蓝光、高透过率镀膜前板。
本发明还要解决的技术问题是提供一种防蓝光太阳能电池组件。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种防蓝光、高透过率镀膜前板,包括浮法玻璃;
所述浮法玻璃上设有第一膜结构,第一膜结构包括若干高折射率膜层和至少一层低折射率膜层,所述高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,所述低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2,所述高折射率膜层和所述低折射率膜层依次间隔分布,距离浮法玻璃表面最近和最远的膜层都为高折射率膜层。
作为本防蓝光、高透过率镀膜前板的优选,第一膜结构包括三层高折射率膜层和两层低折射率膜层,分别是第一层高折射率膜层、第二层低折射率膜层、第三层高折射率膜层、第四层低折射率膜层、第五层高折射率膜层;
第一层高折射率膜层的厚度为21.78nm~27.89nm;
第二层低折射率膜层的厚度为75.30nm~93.29nm;
第三层高折射率膜层的厚度为43.50nm~55.79nm;
第四层低折射率膜层的厚度为75.31nm~93.38nm;
第五层高折射率膜层的厚度为21.70nm~27.90nm。
作为本防蓝光、高透过率镀膜前板的优选,第一层高折射率膜层的厚度为24.03nm;
第二层低折射率膜层的厚度为81.85nm;
第三层高折射率膜层的厚度为48.08nm;
第四层低折射率膜层的厚度为81.85nm;
第五层高折射率膜层的厚度为24.03nm。
本防蓝光、高透过率镀膜前板具有以下技术效果:
1.镀膜层数减少,只有5层。
2.可镀制大面积基板,量产成本低,本技术方案采用磁控溅射镀膜法可以进行大面积批量化镀膜,降低生产成本。
3.本防蓝光、高透过率镀膜前板提供的膜系,对称、规整,每层膜层膜厚基本相当,且膜层较薄,膜系结构稳定,易于生产控制,有利于降低生产成本、提高生产节拍。
4.防蓝光效果佳,在有害蓝光波长范围(400nm-440nm)内,实现高反低透(高反射率、低透过率),在有益蓝光波长范围(480nm-500nm)内透光较高。
5.Nb2O5光学常数优良且比其他常用的高折射率材料如TiO2或Ti3O5等,易溅射,溅射速率高,薄膜沉积效率高,制得的膜层光学性能佳。节省镀膜时间,提高生产节拍,增大产能。
6.制得的太阳能发电窗(透光发电幕墙),除了窗户的基本功能外,可实现阳光发电,可视,且避免人眼受蓝光污染,制得的发电窗为颜色浓、鲜艳的蓝色,多角度观察呈现同一种颜色,色彩稳定性佳。
作为本发明的优选,浮法玻璃在远离第一膜结构一侧表面上设有AS/AF膜。
AS/AF膜使得本防蓝光、高透过率镀膜前板具备耐划、耐磨、耐污、易清洁、防指纹等功能。避免表面被污染或损伤等,减少人工清洗太阳能电池组件外表面的频率,节省人力与财力等优点。
作为本发明的优选,浮法玻璃与AS/AF膜之间还设有第二膜结构,第二膜结构也包括四层高折射率膜层和四层低折射率膜层,所述高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,所述低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2;
从浮法玻璃至外的方向依次是第六层高折射率膜层、第七层低折射率膜层、第八层高折射率膜层、第九层低折射率膜层、第十层高折射率膜层、第十一层低折射率膜层、第十二层高折射率膜层、第十三层低折射率膜层;
第六层高折射率膜层的厚度为12.61nm;
第七层低折射率膜层的厚度为39.72nm;
第八层高折射率膜层的厚度为30.25nm;
第九层低折射率膜层的厚度为99.36nm;
第十层高折射率膜层的厚度为12.37nm;
第十一层低折射率膜层的厚度为18.23nm;
第十二层高折射率膜层的厚度为23.98nm;
第十三层低折射率膜层的厚度为105.70nm。
本防蓝光、高透过率镀膜前板在玻璃外表面镀了第二膜结构,第二膜结构消除了玻璃表面的约4%的反射率,再次提高了阳光透过率,进而提高了太阳能电池组件的发电效率。
作为本发明的优选,浮法玻璃在远离第一膜结构一侧表面为粗糙的哑光表面,哑光表面上设有AS/AF膜。
本防蓝光、高透过率镀膜前板具备耐划、耐磨、耐污、易清洁、防指纹等功能。避免表面被污染或损伤等,同时因在浮法玻璃外表面由于制成漫反射的哑光表面,形成AG防眩光效果,消除了表面镜面反射,具有更好的环境友好性。
为解决上述技术问题,本发明还提供了一种防蓝光太阳能电池组件,包括前板、封装用胶膜、太阳能电池芯片、光伏接线盒和铝合金附框;所述前板采用上述的防蓝光、高透过率镀膜前板,所述防蓝光、高透过率镀膜前板的第一膜结构相对浮法玻璃处于靠近太阳能电池芯片一侧位置。
作为本发明的优选,太阳能电池芯片为透光太阳能电池芯片或者不透光太阳能电池芯片。
本防蓝光太阳能电池组件在整个太阳光光谱范围内,阳光透过高达90%以上,制得的本防蓝光太阳能电池组件颜色浓,且无色差,多角度,大角度观察,颜色可实现稳定。
附图说明
图1是实施例一中防蓝光、高透过率镀膜前板的结构示意图。
图2是实施例一中透光太阳能电池芯片的结构示意图。
图3是实施例一中防蓝光、高透过率镀膜前板的膜系结构图。
图4是实施例一中防蓝光、高透过率镀膜前板镀膜后光谱。
图5是实施例一中镀膜后防蓝光、高透过率镀膜前板的色品图。
图6是实施例一中CIE L*a*b*颜色模型。
图7是实施例一中防蓝光太阳能电池组件结构示意图。
图8是实施例三中的防蓝光太阳能电池组件结构示意图。
图9是实施例四中的防蓝光太阳能电池组件结构示意图。
图10是实施例五中的防蓝光太阳能电池组件局部示意图。
图11是实施例五中的防蓝光太阳能电池组件局部示意图。
图12是实施例五中超白玻璃表面未做处理的单面反射率光谱。
图13是实施例五中超白玻璃单面未镀膜与镀AR膜后单面反射率对比光谱图。
图14是实施例六中防蓝光太阳能电池组件局部示意图。
图15是实施例七中防蓝光太阳能电池组件局部示意图。
具体实施方式
实施例一
如图1所示,本防蓝光、高透过率镀膜前板3包括浮法玻璃,所述浮法玻璃上设有第一膜结构,第一膜结构包括三层高折射率膜层和两层低折射率膜层,高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2,三层高折射率膜层和两层低折射率膜层依次间隔分布,距离浮法玻璃表面最近和最远的膜层都为高折射率膜层。
第一膜结构包括三层高折射率膜层和两层低折射率膜层,从浮法玻璃表面到外侧方向分别是第一层高折射率膜层32a、第二层低折射率膜层32b、第三层高折射率膜层32c、第四层低折射率膜层32d、第五层高折射率膜层32e。
第一层高折射率膜层32a的厚度为24.03nm;
第二层低折射率膜层32b的厚度为81.85nm;
第三层高折射率膜层32c的厚度为48.08nm;
第四层低折射率膜层32d的厚度为81.85nm;
第五层高折射率膜层32e的厚度为24.03nm。
本防蓝光太阳能电池组件,包括前板、封装用胶膜、太阳能电池芯片、光伏接线盒和铝合金附框,所述前板采用上述的防蓝光、高透过率镀膜前板,所述防蓝光、高透过率镀膜前板的第一膜结构相对浮法玻璃处于靠近太阳能电池芯片一侧位置。
本防蓝光太阳能电池组件的制备工艺包括以下步骤:
步骤a)透光太阳能电池芯片准备。
如图2所示,太阳能电池芯片使用的德国公司提供的一种透光芯片1(3.2mm厚,玻璃基铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片),黑色区域12为有电池芯片区域,空白区域11为没有芯片的阵列透光区域(可调节空白区域11的大小或形状大小与阵列密切程度来调节芯片的透光程度)。
步骤b)防蓝光、高阳光透过率镀膜前板制备。
将待镀膜的浮法玻璃清洗与干燥,本实施例中使用的基板为5mm厚的钢化超白浮法玻璃(n=1.52);
真空镀膜设备抽真空,本实施例使用磁控溅射镀膜设备,溅射室真空度至少抽至8.0×10-3Pa或更高;
将清洗干燥好的待镀膜基板,安装于基片架上,并随其进入待镀膜腔体。
导入成膜膜系进行真空镀膜,本实施例,使用如下膜系:Sub|H(24.03nm)L(81.85nm)H(48.08nm)L(81.85nm)H(24.03nm)|Air。(Sub为基板),Air为空气一侧);
其中,H为高折射率材料,使用的为Nb2O5(五氧化二铌);L为低折射率材料,使用的为SiO2(二氧化硅);Air为出射介质空气。
如图3所示,本防蓝光、高透过率镀膜前板3所用的防蓝光膜系结构为规整对称结构,生产易控制,膜系稳定性佳。
本防蓝光、高透过率镀膜前板3镀膜完成,破真空,取出镀膜后的基板并进行数据检测。
基板的透过率和反射率光谱如图4所示。镀膜后,基板防蓝光效果比现有技术的佳,在有害蓝光波长范围(400nm-440nm)内,实现了高反低透(高反射率、低透过率),在有益蓝光波长范围(480nm-500nm)内透光较高;在整个太阳光光谱范围内,阳光透过高达90%以上。
图5为镀膜后的基板的色品图,入射角AOI=0°,10°,20°,30°,40°,50°,60°时,颜色分布基本集中,保证了其多角度观察呈现同一种颜色,色彩稳定性佳。镀膜后基板的相关颜色值如下:
上表为镀膜后基板的相关颜色值。从上表可知,颜色饱和度C*(ab)相当高,保证了其后期封装成太阳能电池组件颜色浓,颜色鲜艳,保证了其制得的太阳能电池组件比现有技术制得的有色太阳能组件外观颜色更浓,颜色更亮丽。且AOI在各角度下,颜色差异小。由b*可以看出,颜色相当蓝(b*值反映镀膜后基板的蓝色与黄色程度,正值代表越黄,负值代表越蓝。),且在各入射角下b*差异小。
备注:CIE L*a*b*模式:有鉴於色彩标准过多,无法统一,国际标准色彩协会色彩特别在1931年制订了一套国际通用的色彩表示标准。这套色彩系统与印刷设备与器材都没有任何关系。L*a*b*由一个垂直轴心表示明亮度(Luminance)的全白到全黑(L*值反映),两个水平延伸面表示色彩,其中之一为红到绿色(a*值反映),另外一个面表示蓝到黄色(b*值反映),参考图6。
步骤c)本防蓝光太阳能电池组件封装。
如图7所示,本防蓝光太阳能电池组件使用的一种玻璃基铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片;封装用胶膜2使用厚度为1.14mm厚的光伏级PVB胶膜(也可以使用其他厚度或其他封装胶膜,如PU、SGP、POE、EVA等);钢化超白浮法玻璃31和第一膜结构32共同组成本防蓝光、高透过率镀膜前板3;
光伏接线盒4使用的为分体式接线盒(光伏接线盒4也可以使用一体式、侧接式、笔式、背接式等光伏接线盒);光伏接线盒4和安装用铝合金附框5最后安装,待组件层压、釜压,EL、IV等检测OK后再安装。
步骤d)组件层压。
具体层压工艺参数如下表:
如上表所示,采用的层压透光太阳能电池组件的工艺参数。按上表的工艺将组件进入层压机预压。
步骤e)组件釜压。
具体高压釜工艺参数如下:
温度(℃) | 时间(min) | 压力(MPa) | 时间(min) |
20 | / | / | / |
45 | 20 | 0.4 | 25 |
70 | 20 | 0.8 | 25 |
100 | 25 | 1 | 20 |
130 | 30 | 1.2 | 25 |
130 | 60 | 1.2 | 40 |
100 | 30 | 1.2 | 40 |
50 | 35 | 1.2 | 40 |
30 | 10 | 1.2 | 15 |
将层压好的组件再装入釜压工件架上进入高压釜内按上表工艺参数进行釜压,釜压后,将组件边缘多出的PVB胶膜修边。
步骤f)IV和EL检测(功率、电压、电流、热成像缺陷等检测分析)。
步骤g)贴附框5,打结构胶(双组份硅酮结构胶)。
步骤h)安装光伏接线盒4。
步骤i)结构胶固化OK后,组件装箱包装入库。
实施例二
本防蓝光、高透过率镀膜前板3包括浮法玻璃,所述浮法玻璃上设有第一膜结构,第一膜结构包括三层高折射率膜层和两层低折射率膜层,高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2,三层高折射率膜层和两层低折射率膜层依次间隔分布,距离浮法玻璃表面最近和最远的膜层都为高折射率膜层。
第一膜结构包括三层高折射率膜层和两层低折射率膜层,从浮法玻璃表面到外侧方向分别是第一层高折射率膜层32a、第二层低折射率膜层32b、第三层高折射率膜层32c、第四层低折射率膜层32d、第五层高折射率膜层32e。
第一层高折射率膜层32a的厚度为21.78nm;
第二层低折射率膜层32b的厚度为75.30nm;
第三层高折射率膜层32c的厚度为43.50nm;
第四层低折射率膜层32d的厚度为75.31nm;
第五层高折射率膜层32e的厚度为21.70nm。
本防蓝光太阳能电池组件,包括前板、封装用胶膜、太阳能电池芯片、光伏接线盒和铝合金附框,所述前板采用上述的防蓝光、高透过率镀膜前板,所述防蓝光、高透过率镀膜前板的第一膜结构相对浮法玻璃处于靠近太阳能电池芯片一侧位置。
本防蓝光太阳能电池组件的制备工艺包括以下步骤:
步骤a)透光太阳能电池芯片准备。
太阳能电池芯片使用的德国公司提供的一种透光芯片(3.2mm厚,玻璃基铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片),黑色区域12为有电池芯片区域,空白区域11为没有芯片的阵列透光区域(可调节空白区域11的大小或形状大小与阵列密切程度来调节芯片的透光程度)。
步骤b)防蓝光、高阳光透过率镀膜前板制备。
将待镀膜的浮法玻璃清洗与干燥,使用的基板为550nm处折射率n=1.50~2.20的空白玻璃基板,厚度d可为0.2mm~10mm;
真空镀膜设备抽真空,使用磁控溅射镀膜设备,溅射室真空度至少抽至8.0×10- 3Pa或更高;
将清洗干燥好的待镀膜基板,安装于基片架上,并随其进入待镀膜腔体。
导入成膜膜系进行真空镀膜,使用如下膜系:Sub|H(21.78nm)L(75.30nm)H(43.50nm)L((75.31nm)H((21.70nm)|Air。(Sub为基板);
其中,H为高折射率材料,使用的为Nb2O5(五氧化二铌);L为低折射率材料,使用的为SiO2(二氧化硅);Air为出射介质空气。
本防蓝光、高透过率镀膜前板3所用的防蓝光膜系结构为规整对称结构,生产易控制,膜系稳定性佳。
本防蓝光、高透过率镀膜前板3镀膜完成,破真空,取出镀膜后的基板并进行数据检测。
镀膜后,基板防蓝光效果比现有技术的佳,在有害蓝光波长范围(400nm-440nm)内,实现了高反低透(高反射率、低透过率),在有益蓝光波长范围(480nm-500nm)内透光较高;在整个太阳光光谱范围内,阳光透过高达90%以上。
步骤c)本防蓝光太阳能电池组件封装。
本防蓝光太阳能电池组件使用的一种玻璃基铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片;封装用胶膜2使用厚度为1.14mm厚的光伏级PVB胶膜(也可以使用其他厚度或其他封装胶膜,如PU、SGP、POE、EVA等);钢化超白浮法玻璃31和第一膜结构32共同组成本防蓝光、高透过率镀膜前板3;
光伏接线盒4使用的为分体式接线盒(光伏接线盒4也可以使用一体式、侧接式、笔式、背接式等光伏接线盒);光伏接线盒4和安装用铝合金附框5最后安装,待组件层压、釜压,EL、IV等检测OK后再安装。
步骤d)组件层压。
具体层压工艺参数如下表:
如上表所示,采用的层压透光太阳能电池组件的工艺参数。按上表的工艺将组件进入层压机预压。
步骤e)组件釜压。
具体高压釜工艺参数如下:
温度(℃) | 时间(min) | 压力(MPa) | 时间(min) |
15 | / | / | / |
40 | 15 | 0.3 | 20 |
60 | 15 | 0.5 | 20 |
90 | 20 | 0.8 | 15 |
120 | 25 | 0.8 | 20 |
120 | 50 | 0.8 | 30 |
90 | 20 | 0.8 | 30 |
40 | 30 | 0.8 | 30 |
25 | 6 | 0.8 | 10 |
将层压好的组件再装入釜压工件架上进入高压釜内按上表工艺参数进行釜压,釜压后,将组件边缘多出的PVB胶膜修边。
步骤f)IV和EL检测(功率、电压、电流、热成像缺陷等检测分析)。
步骤g)贴附框5,打结构胶(双组份硅酮结构胶)。
步骤h)安装光伏接线盒4。
步骤i)结构胶固化OK后,组件装箱包装入库。
实施例三
本防蓝光、高透过率镀膜前板3包括浮法玻璃,所述浮法玻璃上设有第一膜结构,第一膜结构包括三层高折射率膜层和两层低折射率膜层,高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2,三层高折射率膜层和两层低折射率膜层依次间隔分布,距离浮法玻璃表面最近和最远的膜层都为高折射率膜层。
第一膜结构包括三层高折射率膜层和两层低折射率膜层,从浮法玻璃表面到外侧方向分别是第一层高折射率膜层32a、第二层低折射率膜层32b、第三层高折射率膜层32c、第四层低折射率膜层32d、第五层高折射率膜层32e。
第一层高折射率膜层32a的厚度为27.89nm;
第二层低折射率膜层32b的厚度为93.29nm;
第三层高折射率膜层32c的厚度为55.79nm;
第四层低折射率膜层32d的厚度为93.38nm;
第五层高折射率膜层32e的厚度为27.90nm。
本防蓝光太阳能电池组件,包括前板、封装用胶膜、太阳能电池芯片、光伏接线盒和铝合金附框,所述前板采用上述的防蓝光、高透过率镀膜前板,所述防蓝光、高透过率镀膜前板的第一膜结构相对浮法玻璃处于靠近太阳能电池芯片一侧位置。
本防蓝光太阳能电池组件的制备工艺包括以下步骤:
步骤a)透光太阳能电池芯片准备。
太阳能电池芯片使用的德国公司提供的一种透光芯片(3.2mm厚,玻璃基铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片),黑色区域12为有电池芯片区域,空白区域11为没有芯片的阵列透光区域(可调节空白区域11的大小或形状大小与阵列密切程度来调节芯片的透光程度)。
步骤b)防蓝光、高阳光透过率镀膜前板制备。
将待镀膜的浮法玻璃清洗与干燥,使用的基板为550nm处折射率n=1.50~2.20的空白玻璃基板,厚度d可为0.2mm~10mm;
真空镀膜设备抽真空,使用磁控溅射镀膜设备,溅射室真空度至少抽至8.0×10- 3Pa或更高;
将清洗干燥好的待镀膜基板,安装于基片架上,并随其进入待镀膜腔体。
导入成膜膜系进行真空镀膜,使用如下膜系:Sub|H(27.89nm)L(93.29nm)H(55.79nm)L(93.38nm)H(27.90nm)|Air。(Sub为基板);
其中,H为高折射率材料,使用的为Nb2O5(五氧化二铌);L为低折射率材料,使用的为SiO2(二氧化硅);Air为出射介质空气。
本防蓝光、高透过率镀膜前板3所用的防蓝光膜系结构为规整对称结构,生产易控制,膜系稳定性佳。
本防蓝光、高透过率镀膜前板3镀膜完成,破真空,取出镀膜后的基板并进行数据检测。
镀膜后,基板防蓝光效果比现有技术的佳,在有害蓝光波长范围(400nm-440nm)内,实现了高反低透(高反射率、低透过率),在有益蓝光波长范围(480nm-500nm)内透光较高;在整个太阳光光谱范围内,阳光透过高达90%以上。
步骤c)本防蓝光太阳能电池组件封装。
如图8所示,为本实施例:本防蓝光太阳能电池组件使用的为透光芯片(3.2mm厚,玻璃基铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片);2为封装用胶膜,本实施列使用厚度为1.14mm厚的光伏级PVB胶膜,也可以使用其他厚度或其他封装胶膜,如PU、SGP、POE、EVA等;31为钢化超白浮法玻璃;32为第一膜结构;钢化超白浮法玻璃与第一膜结构共同组成本防蓝光、高透过率镀膜前板3;6为超白钢化玻璃(做太阳能电池封装用背板;本实施例背板使用厚度为5mm);4为光伏接线盒;5为安装用铝合金附框。
步骤d)组件层压。
具体层压工艺参数如下表:
如上表所示,采用的层压透光太阳能电池组件的工艺参数。按上表的工艺将组件进入层压机预压。
步骤e)组件釜压。
具体高压釜工艺参数如下:
温度(℃) | 时间(min) | 压力(MPa) | 时间(min) |
25 | / | / | / |
55 | 25 | 0.54 | 30 |
75 | 25 | 1.0 | 35 |
110 | 30 | 1.2 | 30 |
140 | 35 | 1.6 | 30 |
140 | 70 | 1.6 | 50 |
110 | 40 | 1.6 | 50 |
60 | 45 | 1.6 | 50 |
40 | 15 | 1.6 | 20 |
将层压好的组件再装入釜压工件架上进入高压釜内按上表工艺参数进行釜压,釜压后,将组件边缘多出的PVB胶膜修边。
步骤f)IV和EL检测(功率、电压、电流、热成像缺陷等检测分析)。
步骤g)贴附框5,打结构胶(双组份硅酮结构胶)。
步骤h)安装光伏接线盒4。
步骤i)结构胶固化OK后,组件装箱包装入库。
实施例四
如图9所示
本实施例与实施例一的区别仅仅在于:本防蓝光、高透过率镀膜前板3还包括AS/AF膜;
浮法玻璃在远离第一膜结构一侧表面上设有AS/AF膜。AS/AF膜层通过真空镀膜法实现,AS/AF材料在超高真空条件下(约8.0×10-3Pa或更高),以(或更高)的沉积速率在1上形成致密的AS/AF膜;或通过其他方式实现,如直接喷涂AS/AF药水在浮法玻璃的外表面形成AS/AF膜层,AS/AF膜、浮法玻璃和第一膜结构共同组成本防蓝光、高透过率镀膜前板33。
采用本实施例中防蓝光、高透过率镀膜前板制得的本防蓝光太阳能电池组件具备耐划、耐磨、耐污、易清洁、防指纹等功能。避免表面被污染或损伤等,减少人工清洗本防蓝光太阳能电池组件外表面的频率,节省人力与财力等优点。
实施例五
如图10至11所示
本实施例与实施例四的区别仅仅在于:本防蓝光、高透过率镀膜前板3还包括第二膜结构34。
浮法玻璃与AS/AF膜之间还设有第二膜结构34,第二膜结构34也包括四层高折射率膜层和四层低折射率膜层,所述高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,所述低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2;
从浮法玻璃至外的方向依次是第六层高折射率膜层34a、第七层低折射率膜层34b、第八层高折射率膜层34c、第九层低折射率膜层34d、第十层高折射率膜层34e、第十一层低折射率膜层34f、第十二层高折射率膜层34g、第十三层低折射率膜层34h;
第六层高折射率膜层34a的厚度为12.61nm;
第七层低折射率膜层34b的厚度为39.72nm;
第八层高折射率膜层34c的厚度为30.25nm;
第九层低折射率膜层34d的厚度为99.36nm;
第十层高折射率膜层34e的厚度为12.37nm;
第十一层低折射率膜层34f的厚度为18.23nm;
第十二层高折射率膜层34g的厚度为23.98nm;
第十三层低折射率膜层34h的厚度为105.70nm。
第二膜结构34通过真空磁控溅射镀膜法制备;AS/AF膜、浮法玻璃、第一膜结构和第二膜结构34共同组成本防蓝光、高透过率镀膜前板3。
因在浮法玻璃外表面镀了第二膜结构34;消除了玻璃表面的约4%的反射率,再次提高了阳光透过率,进而提高了本防蓝光太阳能电池组件的发电效率。
如图12为浮法玻璃表面未做处理的单面反射率光谱,浮法玻璃表面,单面反射率约4%。通过在玻璃表面上镀AR膜,可有效提高阳光透过率。
超白玻璃单面未镀膜与镀AR膜后单面反射率对比光谱结果如图13,第二膜结构34如下:Sub|H(12.61nm)L(39.72nm)H(30.25nm)L(99.36nm)H(12.37nm)L(18.23nm)H(23.98nm)L(105.70nm)|Air(H材料为Ti3O5;L材料为SiO2)。
实施例六
如图14所示
本实施例与实施例一的区别仅仅在于:本防蓝光、高透过率镀膜前板3的浮法玻璃在远离第一膜结构一侧表面为粗糙的哑光表面,哑光表面形成粗糙的表面,起到哑光防眩光效果;哑光表面、浮法玻璃与第一膜结构共同组成本防蓝光、高透过率镀膜前板3。
浮法玻璃的哑光表面的形成方式有如下:
(1)采用太阳能超白压延玻璃;
(2)采用绒面玻璃;
(3)采用压花玻璃;
(4)采用化学蚀刻玻璃;
(5)采用表面喷砂玻璃;等等方式。
本实施例的优点为:由于制成漫反射的哑光表面,形成AG防眩光效果,消除了表面镜面反射,具有更好的环境友好性。
实施例七
如图15所示
本实施例与实施例六的区别仅仅在于:本防蓝光、高透过率镀膜前板3的哑光表面上还具有AS/AF膜层。
AS/AF材料在超高真空条件下(约8.0×10-3Pa或更高),以(或更高)的沉积速率在1上形成致密的AS/AF膜,或通过其他方式实现,如直接喷涂AS/AF药水在哑光表面形成AS/AF膜层;哑光表面为在浮法玻璃的外表面形成粗糙的表面;起到哑光防眩光效果;AS/AF膜层、哑光表面、浮法玻璃与第一膜结构共同组成本防蓝光、高透过率镀膜前板3。
本实施例的优点:制得的本防蓝光太阳能电池组件具备耐划、耐磨、耐污、易清洁、防指纹等功能。避免表面被污染或损伤等,减少人工清洗本防蓝光太阳能电池组件外表面的频率,节省人力与财力等优点;同时因在玻璃外表面由于制成漫反射的哑光表面,形成AG防眩光效果,消除了表面镜面反射,具有更好的环境友好性。
实施例八
本实施例与实施例一的区别仅仅在于:本防蓝光太阳能电池组件将透光太阳能电池芯片替换为不透光太阳能电池芯片(如铜铟镓硒、砷化镓、碲化镉、单晶硅、多晶硅等太阳能电池芯片),纯做成蓝色太阳能电池组件。
以上所述的仅是本发明的八种实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干变型和改进,这些也应视为属于本发明的保护范围,比如,喷气孔11a的个数、喷气孔11a偏向钻头下方的角度等等。
Claims (8)
1.一种防蓝光、高透过率镀膜前板,包括浮法玻璃,其特征为:
所述浮法玻璃上设有第一膜结构,第一膜结构包括若干高折射率膜层和至少一层低折射率膜层,所述高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,所述低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2,所述高折射率膜层和所述低折射率膜层依次间隔分布,距离浮法玻璃表面最近和最远的膜层都为高折射率膜层。
2.根据权利要求1所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,其特征是:
所述的第一膜结构包括三层高折射率膜层和两层低折射率膜层,分别是第一层高折射率膜层、第二层低折射率膜层、第三层高折射率膜层、第四层低折射率膜层、第五层高折射率膜层;
第一层高折射率膜层的厚度为21.78nm~27.89nm;
第二层低折射率膜层的厚度为75.30nm~93.29nm;
第三层高折射率膜层的厚度为43.50nm~55.79nm;
第四层低折射率膜层的厚度为75.31nm~93.38nm;
第五层高折射率膜层的厚度为21.70nm~27.90nm。
3.根据权利要求2所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,其特征是:
第一层高折射率膜层的厚度为24.03nm;
第二层低折射率膜层的厚度为81.85nm;
第三层高折射率膜层的厚度为48.08nm;
第四层低折射率膜层的厚度为81.85nm;
第五层高折射率膜层的厚度为24.03nm。
4.根据权利要求1所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,其特征是:
浮法玻璃在远离第一膜结构一侧表面上设有AS/AF膜。
5.根据权利要求4所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,其特征是:
浮法玻璃与AS/AF膜之间还设有第二膜结构,第二膜结构也包括四层高折射率膜层和四层低折射率膜层,所述高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,所述低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2;
从浮法玻璃至外的方向依次是第六层高折射率膜层、第七层低折射率膜层、第八层高折射率膜层、第九层低折射率膜层、第十层高折射率膜层、第十一层低折射率膜层、第十二层高折射率膜层、第十三层低折射率膜层;
第六层高折射率膜层的厚度为12.61nm;
第七层低折射率膜层的厚度为39.72nm;
第八层高折射率膜层的厚度为30.25nm;
第九层低折射率膜层的厚度为99.36nm;
第十层高折射率膜层的厚度为12.37nm;
第十一层低折射率膜层的厚度为18.23nm;
第十二层高折射率膜层的厚度为23.98nm;
第十三层低折射率膜层的厚度为105.70nm。
6.根据权利要求4所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,其特征是:
浮法玻璃在远离第一膜结构一侧表面为粗糙的哑光表面,哑光表面上设有AS/AF膜。
7.一种防蓝光太阳能电池组件,包括前板、封装用胶膜、太阳能电池芯片、光伏接线盒和铝合金附框,其特征是:所述前板采用如权利要求1至6中任一项所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,所述防蓝光、高透过率镀膜前板的第一膜结构相对浮法玻璃处于靠近太阳能电池芯片一侧位置。
8.根据权利要求7所述的防蓝光太阳能电池组件,其特征是:
所述的太阳能电池芯片为透光太阳能电池芯片或者不透光太阳能电池芯片。
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