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CN111903187B - 显示装置 - Google Patents

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CN111903187B
CN111903187B CN201880091587.8A CN201880091587A CN111903187B CN 111903187 B CN111903187 B CN 111903187B CN 201880091587 A CN201880091587 A CN 201880091587A CN 111903187 B CN111903187 B CN 111903187B
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electrode
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Abstract

包括设置在树脂基板层上的第一金属层(52)、设置在第一金属层上的平坦化膜(16)、设置在平坦化膜上的第二金属层(53)和多个发光元件9以及覆盖多个发光元件的密封膜(10)，密封膜所包含的有机层(40)的周端缘位于边框区域，在平坦化膜的外侧设置有与有机层的周端缘重叠的狭缝(42)，第一金属层及第二金属层在狭缝的内部相互接触，第一金属层和第二金属层形成有开口(55)，该开口使层间绝缘膜(20)在有机层和狭缝重叠的位置从第一金属层和第二金属层露出。

Description

显示装置
技术领域
本公开关于一种显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机EL(ElectroLuminescence，电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在有机EL显示装置中，设置有覆盖有机EL元件的密封膜，以抑制由于水分、氧等的侵入造成的有机EL元件的劣化。作为使用该密封膜的密封结构，提出了通过由有机层和无机层构成的层叠膜来构成该密封膜的结构(例如，参照专利文献1)。构成密封膜的有机层例如通过喷墨法形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2011-175300号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，由于通过喷墨法形成的有机层的成膜性容易受到被成膜表面的状态的影响，因此难以高精度地形成有机层的周缘(边缘)。在形成有机层时，有机层的材料(墨水)未涂布到边框区域中的预定位置并保留在存在单片电路的部分等显示区域侧时，异物存在于有机层应该覆盖的位置的情况下，该异物可能不会被密封膜覆盖，并且密封膜中可能会发生缺陷。
因此，在密封膜的形成工序中，需要确认形成有机层的材料被涂布到边框区域中的预定位置。但是，边框区域中包含该有机层的周缘位置的部分形成构成有机EL元件的电极、边框配线的金属层，由于该金属层优选地使用银(Ag)等高反射率的金属材料，因此，由于该金属层导致的光的反射的影响而难以确认形成有机层的材料的涂布位置。
本公开的技术是鉴于这些点而完成的，其目的在于，这是为了可以可靠地确认形成有机层的材料被涂布到边框区域中的预定位置。
用于解决技术问题的技术方案
本公开的技术涉及的显示装置包括：基板；第一金属层，其设置在所述基板上；平坦化膜，其设置在所述第一金属层上；设置在所述平坦化膜上的第二金属层及多个发光元件；以及密封膜，其覆盖所述多个发光元件上，所述显示装置设置有通过所述发光元件的发光进行图像显示的显示区域以及位于所述显示区域的周围的边框区域，所述密封膜包括有机层，所述有机层的周端缘位于所述边框区域，在所述平坦化膜的外侧设置有与所述有机层的周端缘重叠的狭缝，所述第一金属层及所述第二金属层分别以横跨所述狭缝的方式设置，并且在所述狭缝的内部相互接触，所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一方的金属层形成有开口，所述开口使所述第一金属层的下层在所述有机层和所述狭缝重叠的位置处从所述金属层露出。
有益效果
根据上述显示装置，在边框区域中，在平坦化膜的狭缝内部相互接触的第一金属层和第二金属层中的至少一方的金属层上，在有机层与狭缝重叠的位置使第一金属层的下层露出的开口，因此，在形成有该开口的位置，未发生金属层引起的光的反射，即使将例如高反射率的金属材料用于金属层，在该有机EL显示装置的制造中，也可以可靠地确认用于形成有机层的材料涂布在边框区域中的预定位置上。由此，可以容易地进行有机层的涂布区域的检查并减少不良面板向下一工序流出。
附图说明
图1是表示实施方式的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是表示图1的有机EL显示装置由II包围的显示区域的一部分的俯视图。
图3是构成实施方式的有机EL显示装置的TFT层的一部分的等效电路图。
图4是图2的显示区域沿着IV-IV线位置中的截面图。
图5是表示构成有机EL显示装置的有机EL层的结构的截面图。
图6是表示图1的有机EL显示装置的由VI包围的部分的俯视图。
图7是图6的有机EL显示装置的沿着VII-VII线的位置中的截面图。
图8是图6的有机EL显示装置的沿着VIII-VIII线的位置中的截面图。
图9是实施方式的第一变形例的有机EL显示装置的与图6对应的图。
图10是实施方式的第二变形例的有机EL显示装置的与图6对应的图。
图11是实施方式的第三变形例的有机EL显示装置的与图8对应的图。
图12是实施方式的第四变形例的有机EL显示装置的与图8对应的图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明例示的实施方式。
在该实施方式中，将以有机EL显示装置为例来说明本公开的技术涉及的显示装置。
图1是表示有机EL显示装置1的概略构成的俯视图。图2是表示图1的有机EL显示装置1的由II包围的显示区域的一部分的俯视图。图3是构成有机EL显示装置1的TFT层8的一部分的等效电路图。图4是图2的显示区域2的沿着IV-IV线的位置的截面图。图5是构成有机EL显示装置1的有机EL层30的构成的截面图。
如图1所示，有机EL显示装置1包括进行图像显示的矩形状的显示区域2和设置在显示区域的周围的矩形框状的边框区域3。然后，在构成边框区域3的一边的部分设置用于与外部电路连接的端子部4。尽管未图示出，但是FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷电路)的配线基板的一端部连接到端子部4。
进一步地，在边框区域3中，在构成与设置有端子部4的边相邻的边(图1的左右的各边)的部分，分别包括控制电路区域CCM，该控制电路区域CCM中栅极驱动器电路(未图示)等的控制电路单片地形成在基板(后述的树脂基板层7)上的。此外，在边框区域3中的显示区域2与端子部4之间设置有多条边框配线15f。每个边框配线15f构成有在端子部4处与配线基板连接的配线端子15t。这些多条配线端子15t以预定的图案排列在端子部4。
多条边框配线15f包括低压电源配线15lp(标注斜线表示)，该低压电源配线15lp与后述的有机EL元件9的第二电极31电连接。低压电源配线15lp以包围显示区域2的方式设置在边框区域3中的一部分，该部分构成除了设置有端子部4的一边之外的三条边，并且被引绕到端子部4。低压电源配线15lp经由设置在端子部4的配线端子15t与未图示的低电压电源(ELVSS)电连接。
有机EL显示装置1采用有源矩阵驱动方式。如图2所示，在显示区域2中，多个子像素5呈矩阵状配置。各像素5被构成为包括例如由进行红色显示的子像素6r、进行绿色显示的子像素6g和进行蓝色显示的子像素6b构成的三色的子像素6。这三色的子像素6r、6g、6b例如以并列方式排列，并以条状彼此相邻。
如图4所示，有机EL显示装置1包括：作为基板的树脂基板层7、设置在树脂基板层7上的TFT(Thin Film Transistor)层8、设置在TFT层8上并作为发光元件的多个有机EL元件9以及覆盖这多个有机EL元件9的密封膜10。
树脂基板层7例如由聚酰亚胺树脂等形成，并具有可挠性。
TFT层8包括：设置在树脂基板层7上的底涂膜11；设置在底涂膜11上的多个第一TFT 12、多个第二TFT 13和多个电容器14以及多种显示用配线15；以及以覆盖这多个第一TFT 12、多个第二TFT 13和多个电容器14以及显示用配线15的方式设置的平坦化膜16。
底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等构成的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。在每个子像素6设置第一TFT 12、第二TFT 13以及电容器14。
如图2和图3所示，作为显示用配线15设置有彼此平行延伸的多条栅极配线15g、在与各栅极配线15g相交的方向上彼此平行延伸的多条源极配线15s以及沿着各源极配线15s延伸的多条高压电源配线15hp。此外，栅极配线15g和源极配线15s以及高压电源配线15hp彼此绝缘，并且作为整体形成为格子状以区画各子像素6。
各源极配线15s和各高压电源配线15hp作为边框配线15f从显示区域2引出到端子部4。各高压电源配线15hp经由设置在端子部4的配线端子15t与未图示的高电压电源(ELVDD)电连接。各栅极配线15g连接到控制电路区域CCM中的栅极驱动器电路，并且由栅极驱动器电路顺序驱动。
第一TFT 12和第二TFT 13是有源元件的示例，并且例如采用顶栅型的结构。具体地，第一TFT 12和第二TFT 13包括：以岛状设置在底涂膜11上的半导体层17、覆盖半导体层17的栅极绝缘膜18以及隔着栅极绝缘膜18并与半导体层17的一部分(沟道区域)重叠的栅极19、覆盖栅极19的层间绝缘膜20、以及设置在层间绝缘膜20上的源极21和漏极22。
栅极19由与多条栅极配线15g相同的材料形成在同一层。层间绝缘膜20由第一层间绝缘膜23和第二层间绝缘膜24的层叠膜构成。这些第一层间绝缘膜23、第二层间绝缘膜24和栅极绝缘膜18分别是例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等构成的无机绝缘层的单层膜或层叠膜构成。
源极21和漏极22彼此分离，且经由形成在栅极绝缘膜18以及层间绝缘膜20上的接触孔25分别连接到半导体层17的不同部分(源极区域、漏极区域)。源极21和漏极22在显示区域2中由与多条源极配线15s相同的材料形成在同一层。
在第一TFT 12中，栅极19与对应的栅极配线15g一体设置，源极21与对应的源配线15s一体设置，漏极22与第二TFT 13的栅极19和电容器14电连接。在第二TFT 13中，源极21与高压电源配线15hp电连接。
电容器14与对应的第一TFT 12及高压电源配线15hp连接。该电容器14包括设置在栅极绝缘膜18上的下部导电层26、覆盖下部导电层26的第一层间绝缘膜23以及隔着第一层间绝缘膜23与下部导电层26重叠的上部导电层27。下部导电层26由与栅极19相同的材料形成在同一层。上部导电层27经由形成在第二层间绝缘膜24的接触孔28与高压电源配线15hp连接。
通过平坦化膜16在显示区域2中覆盖除第二TFT 13的漏极22的一部分以外的部分，TFT层8的表面被平坦化，使得源极配线15s、高压电源配线15hp、第一TFT 12和第二TFT13的表面形状不被反射。该平坦化膜16例如由聚酰亚胺树脂等无色透明的有机树脂材料形成。
有机EL元件9设置在平坦化膜16上的各子像素6上。显示区域2由该有机EL元件9构成。该有机EL元件9采用顶部发射型的结构。具体地，有机EL元件9包括设置在平坦化膜16的表面上的第一电极29、设置在第一电极29上的作为功能层的有机EL层30以及隔着有机EL层30与第一电极29重叠的第二电极31。
第一电极29在每个有机EL元件9设置并且呈矩阵状配置，并经由形成在平坦化膜16中的接触孔32连接到对应的子像素6中的第二TFT 13的漏极22上。第一电极29具有向有机EL层30注入空穴(hole)的功能，并优选由功函数大的材料形成，以提高到有机EL层30的空穴注入效率。
作为第一电极29的材料，例如可例举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等金属材料。
此外，第一电极29的材料例如也可以为镁(Mg)与铜(Cu)、镁(Mg)与银(Ag)、钠(Na)与钾(K)、砹(At)与氧化砹(AtO2)、锂(Li)与铝(Al)、锂(Li)与钙(Ca)与铝(Al)、氟化锂(LiF)与钙(Ca)与铝(Al)等合金。
此外，第一电极29的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。此外，第一电极29例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。另外，作为功函数大的材料，例如可例举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
相邻的子像素6的第一电极29彼此之间被边缘罩33区画。边缘罩33形成为格子状并且覆盖各第一电极29的周缘部。作为边缘罩33的材料的可以例举例如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等无机化合物，以及聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等有机树脂材料。
每个有机EL元件9上设置有有机EL层30。该有机EL层30具有如图5所示的空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36、电子传输层37和电子注入层38依次层叠在第一电极29上的结构。
空穴注入层34也称为阳极缓冲层，其使第一电极29和有机EL层30的能级接近，具有改善空穴从第一电极29被注入到有机EL层30的效率的功能。作为空穴注入层34的材料，例如可例举三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。
空穴传输层35具有提高空穴从第一电极29到有机EL层30的传输效率的功能。在此，作为空穴传输层35的材料，例如可例举卟啉衍生物、芳香族三级胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对苯撑乙烯、聚硅烷、三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查尔酮衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
当通过第一电极29和第二电极31施加电压时，发光层36具有使从第一电极29注入的空穴和从第二电极31注入的电子重组来发光的功能。发光层36在每一个子像素6中由与有机EL元件9的发光颜色(例如，红色、绿色或蓝色)对应的不同的材料来形成。
作为发光层36的材料，例如可例举金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。
电子传输层37具有使电子高效率地迁移至发光层36的功能。作为电子传输层37的材料，例如可例举恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。
空穴注入层34也被称为阳极缓冲层，其使第二电极31和有机EL层30的能级接近，具有改善从第二电极31到有机EL层30的空穴注入效率的功能。作为电子注入层38的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)那样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图4所示，第二电极31共通设置在多个有机EL元件9(即，在多个子像素6上共通)，并覆盖有机EL层30。该第二电极31连接至低压电源配线15lp，并通过设置在端子部4的配线端子15t经由该低压电源配线15lp与低电压电源(ELVSS)导通。第二电极31具有将电子注入到有机EL层30中的功能，并且优选地由具有功函数小的材料形成，以便提高将电子到有机EL层30中的注入效率。
作为第二电极31的材料，例如可例举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。
此外，第二电极31的材料例如也可以为镁(Mg)与铜(Cu)的合金、镁(Mg)与银(Ag)的合金、钠(Na)与钾(K)的合金、砹(At)与氧化砹(AtO2)的合金、锂(Li)与铝(Al)的合金、锂(Li)与钙(Ca)与铝(Al)的合金、氟化锂(LiF)与钙(Ca)与铝(Al)的合金等。
此外，第二电极31的材料例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物。此外，第二电极31例如也可以是多个由上述材料构成的层而形成。另外，作为功函数小的材料，例如可例举镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)与铜(Cu)的合金、镁(Mg)与银(Ag)的合金、钠(Na)与铜(Cu)的合金、钠(Na)与钾(K)的合金、锂(Li)与铝(Al)的合金、锂(Li)与钙(Ca)与铝(Al)的合金、氟化锂(LiF)与钙(Ca)与铝(Al)的合金等。
密封膜10具有保护有机EL层9免受水分、氧的功能。如图4、图7以及图8所示，该密封膜10包括覆盖第二电极31的第一无机层39、设置在第一无机层39上的有机层40和覆盖有机层40的第二无机层41。
第一无机膜39以及第二无机膜41例如由氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、四氮化三硅(Si3N4)等无机材料形成。有机膜40由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺等有机树脂材料构成。
图6是表示图1的有机EL显示装置1的由VI包围的部分的俯视图。图7是图6的有机EL显示装置1的沿着VII-VII线的位置的截面图。此外，图8是图6的有机EL显示装置1的沿着VIII-VIII线的位置的截面图。另外，在图6中，将点添加到形成有平坦化膜16、第一阻挡壁45和第二阻挡壁46的区域。此外，省略了构成密封膜10的第一无机层39和第二无机层41的图示，有机层40的周端缘40e由粗线表示。这在后述的变形例中参照的图9和图10中也相同。
如图6～图8所示，第一无机层39、有机层40和第二无机层41设置在整个显示区域2上，且也设置在边框区域3上。第一无机层39、有机层40和第二无机层41的各周端缘均位于边框区域3中。有机层40的周端缘40e位于在边框区域3中比第一无机层39和第二无机层41的周端缘更靠近显示区域2侧。
边框区域3设置有阻挡结构44，该阻挡结构44用于在有机EL显示装置1的制造过程中阻挡成为有机层40的有机树脂材料的扩展。阻挡结构44包括包围显示区域2的第一阻挡壁45和包围第一阻挡壁45的第二阻挡壁46。
第一阻挡壁45和第二阻挡壁46形成为彼此相似的矩形框状(参照图1)，并且在边框区域3的宽度方向上隔开间隔配置。这第一阻挡壁45和第二阻挡壁46均具有层叠了第一壁层47和第二壁层48的结构。第一壁层47由与平坦化膜16相同的材料形成在同一层。第二壁层48由与边缘罩33相同的材料形成在同一层。
平坦化膜16形成有贯通该平坦化膜16的沟槽49。沟槽49沿着边框区域3中除了设置有端子部4的一边之外的三条边延伸，并分割平坦化膜16，且起到防止水分浸透到显示区域2中的作用。此外，在平坦化膜16的外侧形成有狭缝50，该狭缝50在该平坦化膜16的侧方使平坦化膜16的下层露出。具体地，在平坦化膜16与第一阻挡壁45之间形成第一狭缝50a作为该狭缝50。此外，在第一阻挡壁45和第二阻挡壁46之间形成第二狭缝50b作为该狭缝50。
有机层40从显示区域2至少设置到第一阻挡壁45，并与第一阻挡壁45接触。然后，有机层40的周端缘40e与第一狭缝50a重叠。在图6～图8所示的示例中，有机层40设置在第一阻挡壁45的内侧，且被第一阻挡壁45阻挡并且没有设置到第一阻挡壁45的外侧。这样的有机层40覆盖有机EL元件9以及栅极驱动电路等各种元件、电路，且起到在这些各种元件、电路的形成位置存在异物时，作为覆盖该异物并将其完全包裹，防止在密封膜10中发生缺陷的缓冲层的作用。
第一无机层39和第二无机层41覆盖第一阻挡壁45和第二阻挡壁46两者。这些第一无机层39和第二无机层41的周端缘部彼此之间在第一阻挡壁45的外侧相互连接。即，有机层40被第一无机层39和第二无机层41包围，并且被封入在第一无机层39和第二无机层41之间。
在边框区域3中与密封膜10相比的下层设置有反射从表面侧入射的光的光反射部51。光反射部51包括设置在平坦化膜16下层的第一金属层52和设置在平坦化膜16上层的第二金属层53。这第一金属层52和第二金属层53以包围显示区域2的方式构成低压电源配线15lp。
第一金属层52由与显示区域2中的源极配线15s、源极21以及漏极22相同的材料形成在同一层，并设置在层间绝缘膜20上。在边框区域3中，从与平坦化膜16重叠的区域至第二阻挡壁46设置有该第一金属层52，且第一金属层52在第一狭缝50a的内部和第二狭缝50b的内部从平坦化膜16、第一阻挡壁45和第二阻挡壁46露出。
第二金属层53由与有机EL元件9的第一电极29相同的材料形成在同一层，并设置在平坦化膜16上。从平坦化膜16至第二阻挡壁46设置有该第二金属层53，第二金属层53位于第一壁层47和第二壁层48之间，其中，该第一壁层47和第二壁层48构成第一阻挡壁45以及第二阻挡壁46。然后，第二金属层53在第一狭缝50a内部和第二狭缝50b的内部与第一金属层52重叠并接触，并且与第一金属层52电连接。
此外，在平坦化膜16上从比沟槽49更靠近该平坦化膜16的外侧到比沟槽49更靠近显示区域2侧设置有该第二金属膜53，且第二金属膜53覆盖沟槽49的内表面。在平坦化膜16上从比沟槽49靠显示区域2侧到比沟槽49靠平坦化膜16的外侧设置有第二电极31，第二电极31与第二金属层53重叠并接触，且第二电极31与第二金属层53一起覆盖沟槽49的内表面。
如上所述，用第二金属层53和第二电极31覆盖沟槽49的内表面，可以防止来自有机EL显示装置1中的外部环境的水分通过沟槽49浸入显示区域2。第二金属层53和第二电极31在平坦化膜16上和沟槽49的内部重叠并且接触，并且彼此电连接。然后，第二电极31经由第二金属层53与第一金属层52电连接。
如上所述，第一金属层52和第二金属层53以横跨第一狭缝50a和第二狭缝50b的方式设置，并且在第一狭缝50a的内部和第二狭缝50b的内部相互接触。由这些第一金属层52和第二金属层53构成的光反射部51处于在第一狭缝50a的内部隔着第一无机层39与有机层40的周端缘部重叠的位置关系。
该光反射部51上形成有开口55，在第一狭缝50a的内部和第二狭缝50b的内部使平坦化膜16的下层即层间绝缘膜20露出。在第一金属层52上形成有第一开口56作为该开口55。在第二金属层53上形成有第二开口57作为该开口55。第一开口56的开口面积大于第二开口57的开口面积，并且第一金属层52包括第一开口56的周缘，且被第二金属层53覆盖。开口55由这些第一开口56和第二开口57构成。
如图6所示，多个开口55沿着第一阻挡壁45相互隔开间隔设置。各开口55在边框区域3的宽度方向上从光反射部51中的比第一阻挡壁45更靠近显示区域2侧的部分延伸到第一阻挡壁45和第二阻挡壁46之间的部分，且形成有在边框区域3的外侧敞开的切口状的狭缝。然后，这些各开口55中的一部分在第一阻挡壁45内侧与有机层40重叠。
有机EL显示装置1中的形成有开口55的位置构成用于确认形成有机层40的材料的涂布位置的被检查部60。被检查部60是因开口55成为不存在第一金属层52和第二金属层53的区域。在这种被检查部60中，不会发生第一金属层52和第二金属层53引起的光的反射，有机层40是否形成到与开口55对应的位置，即，可以确认有机层40的周端缘的位置。
在上述有机EL显示装置1中，在各子像素6中，通过将栅极信号经由栅极线15g输入至第一TFT 12使第一TFT 12成为接通状态，通过将对应于源极信号的规定的电压经由源极配线15s写入至第二TFT 13的栅极19及电容器14，且与第二TFT 13的栅极电压对应的电流从高压电源配线15hp被提供给有机EL元件9，由此，有机EL层30的发光层36发光，从而进行图像显示。此外，在有机EL显示装置1中，即使第一TFT 12成为截止状态，由于第二TFT13的栅极电压通过电容器14被保持，因此，在每个子像素6中有机EL层30(发光层36)的发光也被维持，直到输入下一帧的栅极信号。
这种有机EL显示装置1可以通过例如使用已知的方法在形成于玻璃基板的表面的树脂基板层7上形成TFT层8、有机EL元件9以及密封膜10之后，使玻璃基板从树脂基板层7剥离来制造。
在这种有机EL显示装置1的制造中，在形成TFT层8的过程中，在显示区域中的源极配线15s、源极21和漏极22的形成工序中，从与形成这些源极配线15s、源极21和漏极22的金属膜相同的膜一并形成设置有第一开口56的第一金属层52。此外，在形成有机EL元件9的过程中的第一电极29的形成工序中，从与形成第一电极29的金属膜相同的膜一并形成设置有第二开口57的第二金属层53。然后，将被检查部60设置在边框区域3中的光反射部51上。
此外，在密封膜10的形成工序中，通过喷墨法形成有机层40。此时，通过被检查部60进行确认形成有机层40的材料的涂布位置的检查，以确认形成有机层40的材料被涂布到边框区域3中的预定位置，即至少涂布到第一阻挡壁45。
根据本实施方式的有机EL显示装置1，由于在边框区域3中，在第一狭缝50a的内部和第二狭缝50b的内部相互接触的第一金属层52和第二金属层53中，在第一狭缝50a和有机层40重叠的位置形成有使层间绝缘膜20露出的开口55(第一开口56和第二开口57)，因此，在形成有该开口55的被检查部60中，不会发生第一金属层52和第二金属层53引起的光的反射，即使将例如高反射率的金属材料用于第一金属层52和第二金属层53，在有机EL显示装置1的制造中，也可以可靠地确认用于形成有机层40的材料涂布在边框区域3中的预定位置上。由此，可以容易地进行有机层40的涂布区域的检查，并减少不良面板向下一工序流出的情况。
<实施方式的第一变形例>
图9是该第一变形例的有机EL显示装置1的与图6对应的图。在上述实施方式的有机EL显示装置1中，开口55形成为在边框区域3的外侧敞开的切口状的狭缝，但是在该第一变形例的有机EL显示装置1中，如图9所示，开口55(第一开口56和第二开口57)形成为具有框形周缘的中空状的狭缝，例如，从光反射部51中的第一狭缝50a的宽度方向的中央部位延伸至第二狭缝50b的宽度方向中的中央部。
根据这种构成，在可以获得与上述实施方式相同的效果的基础上，由于在光反射部51中的开口55的开口面积，即第一金属层52中的第一开口56的开口面积以及第二金属层53中的第二开口57的开口面积可以减小，因此，能够抑制设置开口55引起的光反射部51的导电性，即低压电源配线15lp的导电性的降低。
<实施方式的第二变形例>
图10是该第二变形例的有机EL显示装置1的与图6对应的图。在上述第一变形例的有机EL显示装置1中，开口55在光反射部51中从第一狭缝50a的中央部位延伸至第二狭缝50b的中央部位，但是在该第二变形例的有机EL显示装置1中，如图10所示，开口55(第一开口56和第二开口57)只形成在光反射部51中比第一阻挡壁45更靠近显示区域2侧的部分。
根据这种构成，在可以获得与上述实施方式相同的效果的基础上，由于与第一变形例相比，光反射部51中的开口55的开口面积减小，因此，能够抑制设置开口55引起的光反射部51的导电性，即低压电源配线15lp的导电性的降低。
<实施方式的第三变形例>
图11是第三变形例的有机EL显示装置1的与图8对应的图。在上述实施方式的有机EL显示装置1中，第一阻挡壁45和第二阻挡壁46两者均具有层叠了第一壁层47和第二壁层48的结构，但是，在该第三变形例的有机EL显示装置1中，如图11所示，第一阻挡壁45仅由第二壁层48构成。即，第一阻挡壁45由与边缘罩33相同的材料形成在同一层。
与上述实施方式同样地，第二阻挡壁46具有层叠了第一壁层47和第二壁层48的结构。光反射部51(第一金属层52和第二金属层53)以及开口55(第一开口56和第二开口57)的形态与上述实施方式相同。然后，形成有开口55的位置构成用于确认形成有机层40的材料的涂布位置的被检查部60。即使在这种构成中，也能够得到与上述实施方式同样的效果。
<实施方式的第四变形例>
图12是该第四变形例的有机EL显示装置1的与图8对应的图。在上述实施方式的有机EL显示装置1中，第一阻挡壁45和第二阻挡壁46两者均具有层叠了第一壁层47和第二壁层48的结构，但是，在第四变形例的有机EL显示装置1中，如图12所示，第一阻挡壁45仅由第一壁层47构成。即，第一阻挡壁45由与平坦化膜16相同的材料形成在同一层。
与上述实施方式同样地，第二阻挡壁46具有层叠了第一壁层47和第二壁层48的结构。光反射部51(第一金属层52和第二金属层53)以及开口55(第一开口56和第二开口57)的形态与上述实施方式相同。然后，形成有开口55的位置构成用于确认形成有机层40的材料的涂布位置的被检查部60。即使在这种构成中，也能够得到与上述实施方式同样的效果。
如上所述，已将优选的实施方式作为本申请公开的技术的示例进行说明。但是，本申请公开的技术不限定于此，并且还可以适用于适当地进行变更、置换、增加、省略等实施方式。此外，在附图和详细说明中记载的构成要素中，可以包括对于解决问题不是必需的构成要素。因此，基于在附图和详细描述中描述了非必要构成要素的事实，不应立即认识到这些非必要成分是必需的。
在上述实施方式中，在第一金属层52形成有第一开口56，在第二金属层53形成有第二开口57，光反射部51形成有由这些第一开口56和第二开口57构成的开口55的形态为例进行说明，但是，本公开的技术不限于此。例如，第一金属层52仅设置在边框区域3中比第一阻挡壁45更靠近外侧的区域中，从控制电路区域CCM到第二阻挡壁46设置第二金属层53，当在第一阻挡壁45的外侧与第一金属层52重叠并接触时，开口55(第二开口57)也可以仅形成在第二金属层53上。
此外，例如，从控制电路区域CCM到比第一狭缝50a的中间更靠内侧的位置设置有第二金属层53，从比第一狭缝50a更靠内侧到第二阻挡壁46上设置有第一金属层52，并且当在比第一狭缝50a的中间靠内侧的位置处与第一金属层52重叠并连接时，开口55(第一开口56)也可以只形成位于第一金属层52中在第一狭缝50a的内部比第二金属层53更靠外侧的部分。
总之，在第一金属层52和第二金属层53中的至少一方金属层，在有机层40和狭缝50重叠的位置处形成有使第一金属层52的下层从该金属层露出的开口55即可。即，在本公开的技术中，如果在第一金属层52和第二金属层53中的至少一方的金属层上形成有使第一金属层52的下层从该金属层露出的开口，则没有特别限定。
此外，在上述实施方式中，以开口55为狭缝的形态为例进行了说明，但是本公开的技术不限于此。狭缝仅是开口55的示例，如果开口55是能够确认形成有机层40的材料的涂布位置的形态，也可以采用任意的形状来代替狭缝。
此外，在上述实施方式中，从显示区域2到第一阻挡壁45设置有有机层40，但是本公开的技术不限于此。例如，也可以从显示区域2到第二阻挡壁46设置有机层40，也可以设置在第二阻挡壁46的外侧为止。
此外，在上述实施方式中，光反射部51构成与第二电极31电连接的低压电源配线15lp，但是本公开的技术不限于此。光反射部51不必构成低压电源配线15lp，也可以是构成其它配线、其它功能部的电极的金属层。
此外，在上述实施方式中，有机EL层30分别形成在每个子像素6中，但是本公开的技术的应用范围不限于此。有机EL层30也可以被共通设置在多个子像素6上。在这种情况下，有机EL显示装置1也可以包括滤色器等以进行每个子像素6的色调表现。
此外，在本实施方式中，例示了使用树脂基板层7作为基板的有机EL显示装置1，但是本公开的技术的应用范围不限于此。作为基板，也可以使用由玻璃、石英等无机材料，聚对苯二甲酸乙二酯等塑料、氧化铝等陶瓷构成的基板。此外，基板也可以是用硅胶、有机绝缘材料等涂覆铝、铁等金属基板的一个表面获得的基板，或者是通过阳极氧化等方法对金属基板的表面进行绝缘处理获得的基板。
此外，在上述实施方式中，第一TFT 12和第二TFT 13采用顶栅型的结构，但是本公开的技术的应用范围不限于此。第一TFT 12和第二TFT 13也可以采用底栅型的结构。
此外，在上述实施方式中，例示了具有空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36、电子传输层37以及电子注入层38的五层层叠结构的有机EL层30，但是本公开的技术的应用范围不限于此。有机EL层30也可以采用例如空穴注入层兼空穴传输层、发光层和电子传输层兼电子注入层的三层层叠结构。
此外，在上述实施方式中，例示了第一电极29作为阳极，第二电极31作为阴极的有机EL显示装置1，但本发明的技术的应用范围不限于此。在本公开的技术中，也可以应用于例如，将有机EL层30的层叠结构反转，将第一电极29作为阴极，将第二电极31作为阳极的有机EL显示装置1。
此外，在上述实施方式中，例示了有机EL显示装置作为显示装置，但不限于此。本公开的技术也可以适用于包括通过电流驱动的多个发光元件的显示装置，例如具备QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode)的显示装置，该QLED是使用量子点含有层的发光元件。
工业上的实用性
如上所述，本公开的技术对于包括密封结构的显示装置是有用的，该密封结构通过具有有机层的密封膜覆盖发光元件。
附图标记说明
CCM：控制电路区域
1：有机EL显示装置
2：显示区域
3：边框区域
4：端子部
5：像素
6、6r、6g、6b：子像素
7：树脂基板层(基础基板)
8：TFT层
9：有机EL元件(发光元件)
10：密封膜
11：底涂膜
12：第一TFT(有源元件)
13：第二TFT(有源元件)
14：电容器
15：显示用配线
15g：栅极配线
15s：源极配线
15hp：高压电源配线
15lp：低压电源配线
15f：边框配线
15t：配线端子
16：平坦化层
17：半导体层
18：栅极绝缘膜
19：栅极
20：层间绝缘膜
21：源极
22：漏极
25、28、32：接触孔
26：下部导电层
27：上部导电层
29：第一电极
30：有机EL层
31：第二电极
33：边缘罩
34：空穴注入层
35：空穴传输层
36：发光层
37：电子传输层
38：电子注入层
39：第一无机层
40：有机绝缘层
40e：有机层的周端缘
41：第二无机层
50a：第一狭缝
50b：第二狭缝
44：阻挡结构
45：第一阻挡壁
46：第二阻挡壁
47：第一壁层
48：第二壁层
51：光反射部
52：第一金属层
53：第二金属层
54：沟槽
55：开口
56：第一开口
57：第二开口
60：被检查部

Claims (24)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板；
第一金属层，其设置在所述基板上；
平坦化膜，其设置在所述第一金属层上；
设置在所述平坦化膜上的第二金属层及多个发光元件；以及
密封膜，其覆盖所述多个发光元件，
所述显示装置设置有通过所述发光元件的发光进行图像显示的显示区域以及位于所述显示区域的周围的边框区域，
所述密封膜包括有机层，所述有机层的周端缘位于所述边框区域，所述显示装置的特征在于，
在所述平坦化膜的外侧设置有与所述有机层的周端缘重叠的狭缝，
所述第一金属层及所述第二金属层分别以横跨所述狭缝的方式设置，并且在所述狭缝的内部相互接触，
所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一方的金属层形成有开口，所述开口使所述第一金属层的下层在所述有机层和所述狭缝重叠的位置处从所述金属层露出，
所述发光元件包括第一电极、设置在所述第一电极上的功能层以及设置在所述功能层上的第二电极，
所述第二电极被共通设置在所述多个发光元件上，
所述第二金属层由与所述第一电极相同的材料形成在同一层，
在所述显示区域中，在所述第二金属层和所述第二电极之间设置有边缘罩，
在所述边框区域设置有包围所述显示区域的第一阻挡壁和包围所述第一阻挡壁的第二阻挡壁，
所述第一阻挡壁由与所述边缘罩相同的材料形成在同一层，
所述第二阻挡壁包括第一壁层以及形成在所述第一壁层上的第二壁层，所述第一壁层由与所述平坦化膜相同的材料形成在同一层，所述第二壁层由与所述边缘罩相同的材料形成在同一层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属层形成有第一开口作为所述开口，
所述第二金属层形成有第二开口作为所述开口。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一开口的开口面积大于所述第二开口的开口面积，
所述第一金属层被所述第二金属层覆盖。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述平坦化膜上形成有贯通所述平坦化膜的沟槽，
所述第二金属层和所述第二电极覆盖所述沟槽的内表面，且在所述沟槽的内部相互接触。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属层由与设置在所述显示区域上的源极配线相同的材料形成在同一层，
所述第二电极经由所述第二金属层与所述第一金属层电连接，
所述第一金属层和所述第二金属层构成有以包围所述显示区域的方式设置在所述边框区域的边框配线。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述开口形成在所述平坦化膜和所述第一阻挡壁之间。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
从所述至少一方的金属层中的比所述第一阻挡壁靠近所述显示区域侧的部分到所述第一阻挡壁和所述第二阻挡壁之间的部分遍布形成有所述开口。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
沿着所述第一阻挡壁相互隔开间隔地形成有多个所述开口。
9.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板；
第一金属层，其设置在所述基板上；
平坦化膜，其设置在所述第一金属层上；
设置在所述平坦化膜上的第二金属层及多个发光元件；以及
密封膜，其覆盖所述多个发光元件，
所述显示装置设置有通过所述发光元件的发光进行图像显示的显示区域以及位于所述显示区域的周围的边框区域，
所述密封膜包括有机层，所述有机层的周端缘位于所述边框区域，所述显示装置的特征在于，
在所述平坦化膜的外侧设置有与所述有机层的周端缘重叠的狭缝，
所述第一金属层及所述第二金属层分别以横跨所述狭缝的方式设置，并且在所述狭缝的内部相互接触，
所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一方的金属层形成有开口，所述开口使所述第一金属层的下层在所述有机层和所述狭缝重叠的位置处从所述金属层露出，
所述发光元件包括第一电极、设置在所述第一电极上的功能层以及设置在所述功能层上的第二电极，
所述第二电极被共通设置在所述多个发光元件上，
所述第二金属层由与所述第一电极相同的材料形成在同一层，
在所述显示区域中，在所述第二金属层和所述第二电极之间设置有边缘罩，
在所述边框区域设置有包围所述显示区域的第一阻挡壁和包围所述第一阻挡壁的第二阻挡壁，
所述第一阻挡壁由与所述平坦化膜相同的材料形成在同一层，
所述第二阻挡壁包括第一壁层以及形成在所述第一壁层上的第二壁层，所述第一壁层由与所述平坦化膜相同的材料形成在同一层，所述第二壁层由与所述边缘罩相同的材料形成在同一层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属层形成有第一开口作为所述开口，
所述第二金属层形成有第二开口作为所述开口。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
所述第一开口的开口面积大于所述第二开口的开口面积，
所述第一金属层被所述第二金属层覆盖。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述平坦化膜上形成有贯通所述平坦化膜的沟槽，
所述第二金属层和所述第二电极覆盖所述沟槽的内表面，且在所述沟槽的内部相互接触。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属层由与设置在所述显示区域上的源极配线相同的材料形成在同一层，
所述第二电极经由所述第二金属层与所述第一金属层电连接，
所述第一金属层和所述第二金属层构成有以包围所述显示区域的方式设置在所述边框区域的边框配线。
14.根据权利要求9～13中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述开口形成在所述平坦化膜和所述第一阻挡壁之间。
15.根据权利要求9～13中任一项所述的显示装置，其特征在于，
从所述至少一方的金属层中的比所述第一阻挡壁靠近所述显示区域侧的部分到所述第一阻挡壁和所述第二阻挡壁之间的部分遍布形成有所述开口。
16.根据权利要求9～13中任一项所述的显示装置，其特征在于，
沿着所述第一阻挡壁相互隔开间隔地形成有多个所述开口。
17.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板；
第一金属层，其设置在所述基板上；
平坦化膜，其设置在所述第一金属层上；
设置在所述平坦化膜上的第二金属层及多个发光元件；以及
密封膜，其覆盖所述多个发光元件，
所述显示装置设置有通过所述发光元件的发光进行图像显示的显示区域以及位于所述显示区域的周围的边框区域，
所述密封膜包括有机层，所述有机层的周端缘位于所述边框区域，所述显示装置的特征在于，
在所述平坦化膜的外侧设置有与所述有机层的周端缘重叠的狭缝，
所述第一金属层及所述第二金属层分别以横跨所述狭缝的方式设置，并且在所述狭缝的内部相互接触，
所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一方的金属层形成有开口，所述开口使所述第一金属层的下层在所述有机层和所述狭缝重叠的位置处从所述金属层露出，
所述发光元件包括第一电极、设置在所述第一电极上的功能层以及设置在所述功能层上的第二电极，
所述第二电极被共通设置在所述多个发光元件上，
所述第二金属层由与所述第一电极相同的材料形成在同一层，
在所述显示区域中，在所述第二金属层和所述第二电极之间设置有边缘罩，
在所述边框区域设置有包围所述显示区域的第一阻挡壁和包围所述第一阻挡壁的第二阻挡壁，
所述第一阻挡壁和所述第二阻挡壁分别包括第一壁层以及形成在所述第一壁层上的第二壁层，所述第一壁层由与所述平坦化膜相同的材料形成在同一层，所述第二壁层由与所述边缘罩相同的材料形成在同一层。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属层形成有第一开口作为所述开口，
所述第二金属层形成有第二开口作为所述开口。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，
所述第一开口的开口面积大于所述第二开口的开口面积，
所述第一金属层被所述第二金属层覆盖。
20.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
所述平坦化膜上形成有贯通所述平坦化膜的沟槽，
所述第二金属层和所述第二电极覆盖所述沟槽的内表面，且在所述沟槽的内部相互接触。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属层由与设置在所述显示区域上的源极配线相同的材料形成在同一层，
所述第二电极经由所述第二金属层与所述第一金属层电连接，
所述第一金属层和所述第二金属层构成有以包围所述显示区域的方式设置在所述边框区域的边框配线。
22.根据权利要求17～21中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述开口形成在所述平坦化膜和所述第一阻挡壁之间。
23.根据权利要求17～21中任一项所述的显示装置，其特征在于，
从所述至少一方的金属层中的比所述第一阻挡壁靠近所述显示区域侧的部分到所述第一阻挡壁和所述第二阻挡壁之间的部分遍布形成有所述开口。
24.根据权利要求17～21中任一项所述的显示装置，其特征在于，
沿着所述第一阻挡壁相互隔开间隔地形成有多个所述开口。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4040496A4 (en) * 2019-09-30 2023-02-15 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE
CN115176299B (zh) * 2020-03-02 2023-09-19 夏普株式会社 显示装置
KR20240118374A (ko) * 2023-01-27 2024-08-05 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102057513A (zh) * 2008-06-09 2011-05-11 佳能株式会社 有机发光器件
CN107123750A (zh) * 2016-02-25 2017-09-01 株式会社日本显示器 显示装置及其制造方法
CN107180848A (zh) * 2016-03-11 2017-09-19 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7038377B2 (en) 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
US8350466B2 (en) * 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2011192567A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ装置
JP2015185479A (ja) * 2014-03-25 2015-10-22 パイオニア株式会社 発光装置
KR20170041815A (ko) * 2014-09-29 2017-04-17 엘지디스플레이 주식회사 벤딩 스트레스를 감소시키는 와이어들을 구비한 플렉서블 디스플레이 장치
KR102455318B1 (ko) * 2015-10-30 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102404573B1 (ko) * 2016-05-27 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102610025B1 (ko) * 2016-06-02 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2018037510A (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置
KR102357392B1 (ko) * 2017-04-26 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102057513A (zh) * 2008-06-09 2011-05-11 佳能株式会社 有机发光器件
CN107123750A (zh) * 2016-02-25 2017-09-01 株式会社日本显示器 显示装置及其制造方法
CN107180848A (zh) * 2016-03-11 2017-09-19 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法

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