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CN111837219A - 加工品的制造方法及粘合性层叠体 - Google Patents

加工品的制造方法及粘合性层叠体 Download PDF

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CN111837219A
CN111837219A CN201980018435.XA CN201980018435A CN111837219A CN 111837219 A CN111837219 A CN 111837219A CN 201980018435 A CN201980018435 A CN 201980018435A CN 111837219 A CN111837219 A CN 111837219A
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adhesive layer
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Abstract

本发明提供一种加工品的制造方法，其是使用粘合性层叠体来制造加工品的方法，所述粘合性层叠体具备热膨胀性的粘合片(I)、及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、并且在任意层中包含热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，所述加工品的制造方法依次具有：工序(1)，将所述粘合性层叠体的粘合剂层(X1)的表面粘贴于支撑体，并且将加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面；工序(2)，对所述加工对象物实施一种以上的加工；工序(3)，通过在所述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的加热，在保持将所述加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的状态的同时，将所述粘合性层叠体在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P进行分离；并且在工序(2)中或在工序(3)之后进一步实施工序(4)，所述工序(4)是对所述加工对象物的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施切削及磨削中的至少任一种加工。

Description

加工品的制造方法及粘合性层叠体
技术领域
本发明涉及实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品的制造方法、以及用于该制造方法的粘合性层叠体。
背景技术
粘合片不仅用于半永久性地固定构件的用途，有时也用于在对建材、内装材料及电子部件等进行加工、检查时将作为对象的构件进行临时固定的临时固定用途。
这样的临时固定用途的粘合片要求兼顾使用时的粘接性和使用后的剥离性。
例如，专利文献1中公开了一种电子部件切断时的临时固定用加热剥离型粘合片，其在基材的至少一面设有包含热膨胀性微小球的热膨胀性粘合层。
该加热剥离型粘合片相对于热膨胀性粘合层的厚度调整了热膨胀性微小球的最大粒径，将加热前的热膨胀性粘合层表面的中心线平均粗糙度调整为0.4μm以下。
专利文献1记载了以下主旨，该加热剥离型粘合片在电子部件切断时能够确保与被粘附物的接触面积，因此可以发挥能够防止芯片飞散等粘接不良情况的粘接性，另一方面，在使用后进行加热使热膨胀性微小球发生膨胀而减少与被粘附物的接触面积，由此可以容易地进行剥离。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3594853号公报
发明内容
发明要解决的课题
在使用了专利文献1中记载的粘合片的加工的工序中，使用粘合片将待加工的对象物(以下，也称为“加工对象物”)临时固定，并在对加工对象物实施了给定的加工之后，将该加工对象物从粘合片上分离。
然而，特别是在电子部件等的制造中，多数情况下要经过包括对加工对象物进行切削的工序及进行磨削的工序中至少任一种工序的多个加工工序。
因此，例如，在对临时固定于粘合片的加工对象物实施了包括对该加工对象物进行切削的工序及进行磨削的工序中的至少任一种加工工序之后，有时将该加工对象物从粘合片上分离，将分离后的加工对象物粘贴于新的粘合片，供于下一工序。
另外，在对临时固定于粘合片的加工对象物实施了除对该加工对象物进行切削的工序及进行磨削的工序以外的加工工序之后，有时也将加工对象物从粘合片上分离，将分离后的加工对象物粘贴于新的粘合片，实施对加工对象物进行切削工序及进行磨削的工序中的至少任一种加工工序。
然而，在通过上述那样的步骤制造产品时，不仅操作变得烦杂，而且还会导致产品的生产性降低。因此，希望确立能够抑制操作的烦杂性、并且可以提高产品的生产性的方法。
本发明的目的在于提供实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品的制造方法、以及用于实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品的制造的粘合性层叠体，所述制造方法是如下方法：将加工对象物固定于支撑体，并实施了对该加工对象物的加工之后，可以用微小的力将该加工对象物从支撑体上一起容易地分离，而且能够以将从支撑体上分离后的该加工对象物粘贴于粘合片的状态供于下一工序的加工，在该加工对象物从支撑体上分离前后的至少任一时刻可以对该加工对象物进行切削及磨削中的至少任一种加工。
解决课题的方法
本发明人等发现，通过使用下述粘合性层叠体来制造实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品，可以解决上述课题，所述粘合性层叠体具备热膨胀性的粘合片(I)、及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材及粘合剂层、并且包含在任意层中含有热膨胀性粒子的层，所述粘合片(II)具有基材及粘合剂层，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材直接层叠而成的。
即，本发明涉及以下的[1]～[17]。
[1]一种加工品的制造方法，其是使用粘合性层叠体来制造实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品的方法，
所述粘合性层叠体具备热膨胀性的粘合片(I)、及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、并且在任意层中包含热膨胀起始温度(t)的热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，
所述加工品的制造方法依次具有下述工序(1)～(3)，
·工序(1)：将所述粘合性层叠体的粘合剂层(X1)的表面粘贴于支撑体，并且将加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的工序；
·工序(2)：对所述加工对象物实施一种以上的加工的工序；
·工序(3)：通过在所述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的温度下进行加热，在保持所述加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的状态的同时，将所述粘合性层叠体在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P进行分离的工序，
所述加工品的制造方法进一步具有下述工序(4)，
·工序(4)：对于所述加工对象物的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施切削及磨削中的至少任一种加工的工序，
在下述(X)及(Y)中的至少任一种情况下实施所述工序(4)，
(X)：作为所述一种以上的加工在所述工序(2)中实施，
(Y)：在所述工序(3)之后实施。
[2]上述[1]所述的制造方法，其中，所述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)为60～270℃。
[3]上述[1]或[2]所述的制造方法，其中，粘合片(I)所具有的基材(Y1)具有包含所述热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1-1)。
[4]上述[3]所述的制造方法，其中，粘合片(I)所具有的基材(Y1)具有热膨胀性基材层(Y1-1)和非热膨胀性基材层(Y1-2)。
[5]上述[3]或[4]所述的制造方法，其中，粘合片(I)所具有的基材(Y1)的热膨胀性基材层(Y1-1)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠在一起。
[6]上述[3]～[5]中任一项所述的制造方法，其中，
粘合片(I)具有基材(Y1)被第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)夹持的结构，
具有粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的结构，
粘合片(I)的第2粘合剂层(X12)的表面是粘贴于所述支撑体的面。
[7]上述[1]或[2]所述的制造方法，其中，
第1粘合剂层(X11)是包含所述热膨胀性粒子的热膨胀性粘合剂层，
第2粘合剂层(X12)是非热膨胀性粘合剂层，
具有粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的结构，
粘合片(I)的第2粘合剂层(X12)的表面是粘贴于所述支撑体的面。
[8]上述[6]或[7]所述的制造方法，其中，基材(Y1)的层叠第1粘合剂层(X11)一侧的表面是实施了易粘接处理的表面。
[9]上述[1]～[8]中任一项所述的制造方法，其中，基材(Y2)的层叠粘合片(I)一侧的表面是实施了剥离处理的表面。
[10]上述[1]～[9]中任一项所述的制造方法，其中，粘合片(II)在基材(Y2)与粘合剂层(X2)之间具有中间层(Z2)。
[11]上述[1]～[10]中任一项所述的制造方法，其中，粘合片(II)的粘合剂层(X2)是能量线固化型的粘合剂层。
[12]上述[1]～[11]中任一项所述的制造方法，其中，粘合片(II)满足下述要件(α)～(γ)中的1项以上。
·要件(α)：基材(Y2)的杨氏模量为1.0MPa以上；
·要件(β)：基材(Y2)的厚度为5μm以上；
·要件(γ)：粘合剂层(X2)的储能模量G’(23℃)为0.1MPa以上。
[13]上述[1]～[12]中任一项所述的制造方法，其中，所述加工对象物为半导体晶片，
所述工序(2)中的所述一种以上的加工包括下述工序(2-A)，
·工序(2-A)：在所述半导体晶片上形成作为分割起点的改性区域的工序，
所述工序(4)为下述工序(4-A)，
·工序(4-A)：对所述半导体晶片的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施磨削的工序，
在下述(X-A)或(Y-A)中的至少任一种情况下实施所述工序(4-A)，
(X-A)：作为所述一种以上的加工在所述工序(2-A)之后实施，
(Y-A)：在所述工序(3)之后实施。
[14]上述[1]～[12]中任一项所述的制造方法，其中，
所述加工对象物是半导体芯片，
所述工序(2)中的所述一种以上的加工包括下述工序(2-B)，
·工序(2-B)：用密封材料包覆所述半导体芯片、和粘合剂层(X2)的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序，
在下述(X-B)及(Y-B)中的至少任一种情况下实施所述工序(4)，
(X-B)：作为所述一种以上的加工在所述工序(2-B)之后实施，
(Y-B)：在所述工序(3)之后实施。
[15]上述[1]～[12]中任一项所述的制造方法，其中，
所述加工对象物是具有作为分割起点的改性区域的半导体晶片，
所述工序(4)为下述工序(4-A)，
·工序(4-A)：对于所述半导体晶片的位于粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施磨削的工序。
[16]上述[1]～[12]中任一项所述的制造方法，其中，
所述加工对象物是具有作为分割起点的切入槽的半导体晶片，
所述工序(1)为下述工序(1-C)，所述工序(4)为下述工序(4-C)，
·工序(1-C)：将所述粘合性层叠体的粘合剂层(X1)的表面粘贴于支撑体，并且将所述半导体晶片的具有切入槽的面粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的工序，
·工序(4-C)：对于所述半导体晶片的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施磨削的工序。
[17]一种粘合性层叠体，其用于制造实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品，
所述粘合性层叠体具备热膨胀性的粘合片(I)及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、并且在任意层中包含热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的。
发明的效果
根据本发明，可以提供实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品的制造方法、以及用于实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品的制造的粘合性层叠体，所述制造方法是如下方法：将加工对象物固定于支撑体，并实施了对该加工对象物的加工之后，可以用微小的力将该加工对象物从支撑体上一起容易地分离，而且能够以将从支撑体上分离后的该加工对象物粘贴于粘合片的状态供于下一工序的加工，在该加工对象物从支撑体上分离前后的至少任一时刻可以对该加工对象物进行切削及磨削中的至少任一种加工。
附图说明
图1是示出本发明的制造方法中使用的第一方式的粘合性层叠体的结构的该粘合性层叠体的剖面示意图。
图2是示出本发明的制造方法中使用的第二方式的粘合性层叠体的结构的该粘合性层叠体的剖面示意图。
图3是示出本发明的制造方法中使用的第三方式的粘合性层叠体的结构的该粘合性层叠体的剖面示意图。
图4是示出本发明的制造方法的一例的示意图。
图5是示出本发明的制造方法的另一例的示意图。
符号说明
1a、1b、1c、1d、2 粘合性层叠体
(I) 粘合片
(X1) 粘合剂层
(X11) 第1粘合剂层
(X12) 第2粘合剂层
(Y1) 基材
(Y1-1) 热膨胀性基材层
(Y1-2) 非热膨胀性基材层
(II) 粘合片
(X2) 粘合剂层
(Z2) 中间层
(Y2) 基材
50 支撑体
60、70 加工对象物
61 固化密封体
61a 固化密封体的单片化物
71 改性区域
72 间隙
具体实施方式
在本说明书中，按照以下的方式来判断“层”是“非热膨胀性层”还是“热膨胀性层”。
在包含热膨胀性粒子的层所包含的热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下对作为对象的层进行3分钟加热处理，在根据下式计算出的体积变化率小于5％时，判断该层为“非热膨胀性层”，为5％以上时，判断该层为“热膨胀性层”。
·体积变化率(％)＝{(加热处理后的上述层的体积－加热处理前的上述层的体积)/加热处理前的上述层的体积}×100
需要说明的是，不含热膨胀性粒子的层为“非热膨胀性层”。
在本说明书中，“有效成分”是指作为对象的组合物所包含的成分中除稀释溶剂以外的成分。
在本说明书中，重均分子量(Mw)是指用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的换算成标准聚苯乙烯的值，具体而言是基于实施例中记载的方法测得的值。
在本说明书中，例如，“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酸”和“甲基丙烯酸”这两者，其它类似用语也同样。
在本说明书中，对于优选的数值范围(例如，含量等的范围)，阶梯性地记载的下限值及上限值可以分别独立地进行组合。例如，根据“优选为10～90、更优选为30～60”这样的记载，可以将“优选的下限值(10)”与“更优选的上限值(60)”进行组合而得到“10～60”。
[加工品的制造方法]
本发明的加工品的制造方法是使用粘合性层叠体来制造实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品的方法，
所述粘合性层叠体具备热膨胀性的粘合片(I)、及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、并且在任意层中包含热膨胀起始温度(t)的热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，
所述加工品的制造方法依次具有下述工序(1)～(3)，
·工序(1)：将所述粘合性层叠体的粘合剂层(X1)的表面粘贴于支撑体，并且将加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的工序；
·工序(2)：对所述加工对象物实施一种以上的加工的工序；
·工序(3)：通过在所述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的温度下进行加热，在保持所述加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的状态的同时，将所述粘合性层叠体在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P进行分离的工序，
所述加工品的制造方法进一步具有下述工序(4)，
·工序(4)：对于所述加工对象物的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施切削及磨削中的至少任一种加工的工序，
在下述(X)及(Y)中的至少任一种情况下实施所述工序(4)，
(X)：作为所述一种以上的加工在所述工序(2)中实施，
(Y)：在所述工序(3)之后实施。
以下，对于本发明的制造方法中使用的粘合性层叠体进行说明，然后对于包含工序(1)～(4)的各制造工序进行说明。
[粘合性层叠体的结构]
本发明的制造方法中使用的粘合性层叠体具备热膨胀性的粘合片(I)和粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、且任意层包含热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，其用于在对加工对象物实施给定的加工时将加工对象物固定于支撑体。
在本说明书中，给定的加工是指本发明的制造方法中的工序(2)的加工。需要说明的是，在本发明中，作为工序(2)中的一种以上的加工之一，有时也实施工序(4)。因此，给定的加工也可以包括本发明的制造方法中的工序(4)。
在本发明的制造方法所使用的粘合性层叠体中，粘合片(I)的粘合剂层(X1)的表面是粘贴支撑体的一面。在粘合片(I)具有第1粘合剂层(X11)和第2粘合剂层(X12)的情况下，第2粘合剂层(X12)的表面是粘贴支撑体的一面，第1粘合剂层(X11)的表面是层叠于粘合片(II)的基材(Y2)侧的一面。另外，粘合片(II)的粘合剂层(X2)的表面是粘贴加工对象物的一面。
因此，本发明的制造方法中使用的粘合性层叠体通过在热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理，可以在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P分离。以下的说明中，将该加热处理也称为“分离用加热处理”。
图1～3是分别示出了本发明的制造方法中使用的第一方式、第二方式、以及第三方式的粘合性层叠体的结构的剖面示意图。
＜第一方式的粘合性层叠体＞
作为本发明的制造方法中使用的第一方式的粘合性层叠体，例如可以举出图1(a)、(b)所示的粘合性层叠体1a、1b。
粘合性层叠体1a、1b具有如下结构：其具备粘合片(I)和粘合片(II)，所述粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)，所述粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，且粘合片(I)的基材(Y1)与粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠在一起。
对于本发明的制造方法中使用的粘合性层叠体而言，以能够通过分离用加热处理在界面P发生分离的方式，使粘合片(I)的任意层为包含热膨胀性粒子的层。
本发明的制造方法中使用的粘合性层叠体通过分离用加热处理，热膨胀性粒子发生膨胀，在包含热膨胀性粒子的层的表面产生凹凸。由此，粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的接触面积减少。
其结果是，通过在将加工对象物粘贴于粘合片(II)的粘合剂层(X2)的表面上并实施了给定的加工之后，使其在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P分离，从而可以得到实施了给定的加工的粘贴于粘合片(II)的状态的加工对象物。
因此，根据本发明的制造方法，可以通过上述的粘合性层叠体将加工对象物固定于支撑体来实施给定的加工，并且可以用微小的力将实施了给定加工的加工对象物从支撑体上一起容易地分离。而且，从支撑体上分离后的加工对象物可以以粘贴于粘合片(II)的状态直接供于下一工序。
因此，不需要进行将实施了给定加工的分离后的加工对象物粘贴于新的粘合片的操作，可以提高操作性及产品的生产性。
在本发明的第一方式中，优选基材(Y1)如图1所示的粘合性层叠体1a、1b那样具有包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1-1)。
需要说明的是，基材(Y1)可以是如图1(a)所示的粘合性层叠体1a那样仅具有包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1-1)的单层结构。另外，基材(Y1)也可以是如图1(b)所示的粘合性层叠体1b那样具有热膨胀性基材层(Y1-1)和非热膨胀性基材层(Y1-2)的多层结构。
图1(a)所示的粘合性层叠体1a通过分离用加热处理使构成基材(Y1)的热膨胀性基材层(Y1-1)中包含的热膨胀性粒子膨胀，在基材(Y1)的粘合片(II)一侧的表面产生凹凸，基材(Y1)与粘合片(II)的基材(Y2)的接触面积减少。
另一方面，粘合性层叠体1a所具有的粘合剂层(X1)与支撑体粘贴在一起，因此不易在基材(Y1)的粘合剂层(X1)一侧的表面形成凹凸。由此，可以在与粘合片(II)相接的基材(Y1)的表面高效地形成凹凸。
其结果是，粘合性层叠体1a可以用微小的力在粘合片(I)的基材(Y1)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离。
需要说明的是，通过由对支撑体的粘合力提高的粘合剂组合物形成粘合性层叠体1a所具有的粘合剂层(X1)，也可以设计成在界面P能够更容易地分离。
另外，图1(b)所示的粘合性层叠体1b通过分离用加热处理而使构成基材(Y1)的热膨胀性基材层(Y1-1)中包含的热膨胀性粒子膨胀，在基材(Y1)的粘合片(II)一侧的表面产生凹凸，基材(Y1)与粘合片(II)的基材(Y2)的接触面积减少。
另一方面，构成基材(Y1)的非热膨胀性基材层(Y1-2)由加热处理引起的膨胀的程度小，因此不易在基材(Y1)的粘合剂层(X1)一侧的表面产生凹凸。由此，可以在基材(Y1)的粘合片(II)一侧的表面高效地形成凹凸。
其结果是，粘合性层叠体1b可以用微小的力在粘合片(I)的基材(Y1)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离。
需要说明的是，与粘合性层叠体1a的情况同样地，通过由对支撑体的粘合力提高的粘合剂组合物形成粘合性层叠体1b所具有的粘合剂层(X1)，也可以设计为在界面P能够更容易地分离。
从上述观点考虑，在本发明的第一方式中，如图1(b)所示的粘合性层叠体1b那样，优选基材(Y1)在一个表面侧具有热膨胀性基材层(Y1-1)，在另一个表面侧具有非热膨胀性基材层(Y1-2)。
另外，在本发明的第一方式中，从制成能够用微小的力在界面P一起容易地分离的粘合性层叠体的观点考虑，优选粘合性层叠体1a、1b为粘合片(I)所具有的基材(Y1)的热膨胀性基材层(Y1-1)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的结构。
＜第二方式的粘合性层叠体＞
作为本发明的制造方法中使用的第二方式的粘合性层叠体，可以举出例如图2(a)、(b)所示的粘合性层叠体1c、1d。
粘合性层叠体1c、1d具有粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的结构，且粘合片(I)具有第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)夹持基材(Y1)的结构。
需要说明的是，在粘合性层叠体1c、1d中，第2粘合剂层(X12)的表面是与支撑体粘贴的面。
在本发明的第二方式中，如图2所示的粘合性层叠体1c、1d那样，优选基材(Y1)具有包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1-1)。
需要说明的是，基材(Y1)可以是如图2(a)所示的粘合性层叠体1c那样仅具有包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1-1)的单层结构。另外，基材(Y1)也可以是如图2(b)所示的粘合性层叠体1d那样具有热膨胀性基材层(Y1-1)和非热膨胀性基材层(Y1-2)的多层结构。
另外，在基材(Y1)为具有热膨胀性基材层(Y1-1)和非热膨胀性基材层(Y1-2)的多层结构的情况下，优选热膨胀性基材层(Y1-1)配置在粘合片(II)侧，非热膨胀性基材层(Y1-2)配置在第2粘合剂层(X12)侧。
图2(a)所示的粘合性层叠体1c通过分离用加热处理使构成基材(Y1)的热膨胀性基材层(Y1-1)中的热膨胀性粒子膨胀，在基材(Y1)的第1粘合剂层(X11)一侧的表面产生凹凸。而且，由于基材(Y1)的表面产生的凹凸，第1粘合剂层(X11)被顶起，在第1粘合剂层(X11)的粘合片(II)一侧的表面也形成凹凸。由此，第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)的接触面积减少。
另一方面，第2粘合剂层(X12)粘贴于支撑体，因此不易在基材(Y1)的第2粘合剂层(X12)一侧的表面形成凹凸。因此，可以在基材(Y1)的第1粘合层(X11)一侧的表面高效地形成凹凸，在第1粘合层(X11)的粘合片(II)一侧的表面高效地形成凹凸。
其结果是，粘合性层叠体1c可以用微小的力在粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离。
需要说明的是，通过由对支撑体的粘合力提高的粘合剂组合物形成粘合性层叠体1c所具有的第2粘合剂层(X12)，也可以设计成在界面P能够更容易地分离。
另外，图2(b)所示的粘合性层叠体1d通过分离用加热处理使构成基材(Y1)的热膨胀性基材层(Y1-1)中包含的热膨胀性粒子膨胀，在基材(Y1)的第1粘合剂层(X11)一侧的表面产生凹凸。而且，由于基材(Y1)的表面产生的凹凸，第1粘合剂层(X11)也被顶起，在第1粘合剂层(X11)的粘合片(II)一侧的表面也形成凹凸。由此，第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)的接触面积减少。
另一方面，构成基材(Y1)的非热膨胀性基材层(Y1-2)由加热处理引起的膨胀的程度小，因此不易在基材(Y1)的第2粘合剂层(X12)一侧的表面形成凹凸。由此，可以在基材(Y1)的第1粘合剂层(X11)一侧的表面高效地形成凹凸。
其结果是，粘合性层叠体1d可以用微小的力在粘合片(I)的基材(Y1)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离。
需要说明的是，与粘合性层叠体1c的情况同样地，通过由对支撑体的粘合力提高的粘合剂组合物形成粘合性层叠体1d所具有的第2粘合剂层(X12)，也可以设计为在界面P能够更容易地分离。
这里，在本发明的第二方式中，从制成可以用更微小的力在界面P一起容易地分离的粘合性层叠体的观点考虑，粘合性层叠体1c、1d优选为粘合片(I)所具有的基材(Y1)的热膨胀性基材层(Y1-1)与第1粘合剂层(X11)直接层叠而成的结构。在该情况下，更优选为进一步将第1粘合剂层(X11)与树脂膜形成用片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的结构。
＜第三方式的粘合性层叠体＞
本发明的制造方法中使用的第一方式的粘合性层叠体1a、1b、第二方式的粘合性层叠体1c、1d均包含含有热膨胀性粒子的层作为构成基材(Y1)的层之一。
另一方面，作为本发明的制造方法中使用的第三方式的粘合性层叠体，可以是在粘合片(I)的基材(Y1)的界面P侧的表面设置上述包含热膨胀性粒子的热膨胀性粘合剂层、且在基材(Y1)的另一表面设置非热膨胀性粘合剂层而成的结构。
作为这样的方式，可以举出例如，如图3所示的粘合性层叠体2那样的具有下述结构的层叠体：粘合片(I)具有基材(Y1)被第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)夹持的结构，第1粘合剂层(X11)是包含热膨胀性粒子的热膨胀性粘合剂层，第2粘合剂层(X12)是非热膨胀性粘合剂层，且粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠在一起。
需要说明的是，在粘合性层叠体2这样的上述结构中，第2粘合剂层(X12)的表面是与支撑体粘贴的面。
另外，在粘合性层叠体2这样的上述结构中，基材(Y1)优选为非热膨胀性基材。
在图3所示的粘合性层叠体2中，通过分离用加热处理，在作为第1粘合剂层(X11)的热膨胀性粘合剂层的表面产生凹凸，第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)的接触面积减少。
另一方面，由于第1粘合剂层(X11)的基材(Y1)一侧的表面层叠有作为非热膨胀性基材的基材(Y1)，因此不易产生凹凸。因此，可以在第1粘合剂层(X11)的粘合片(II)一侧的表面高效率地形成凹凸。
其结果是，粘合性层叠体2可以用微小的力在粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离。
＜具有剥离材料的粘合性层叠体的结构＞
对于本发明的制造方法中使用的一个方式的粘合性层叠体而言，可以是在待粘贴支撑体的粘合剂层(X1)的表面及待粘贴加工对象物的粘合剂层(X2)的表面中的一者或两者进一步层叠有剥离材料的结构。
另外，例如对于图1(a)、(b)所示的粘合性层叠体1a、1b而言，可以是将在粘合剂层(X1)及粘合剂层(X2)中的一个粘合表面层叠有两面实施了剥离处理的剥离材料而成的层叠体卷成卷状的结构。对于图2(a)、(b)所示的粘合性层叠体1c、1d、图3所示的粘合性层叠体2，也同样地可以是卷成卷状的结构。
[粘合性层叠体的各种物性]
本发明的制造方法中使用的一个方式的粘合性层叠体可以通过热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理而用微小的力在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离。
这里，在本发明的一个方式的粘合性层叠体中，作为通过热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理在界面P进行分离时的剥离力(F1)，通常为0～2000mN/25mm、优选为0～1000mN/25mm、更优选为0～150mN/25mm、进一步优选为0～100mN/25mm、更进一步优选为0～50mN/25mm。
需要说明的是，在剥离力(F1)为0mN/25mm的情况下，也包括即使想要用实施例中记载的方法测定剥离力，也由于剥离力过小而无法测定的情况。
另外，从在加热处理前充分固定加工对象物而不对加工操作造成不良影响的观点考虑，优选粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的层间密合性高。
从上述观点考虑，在本发明的制造方法中使用的一个方式的粘合性层叠体中，作为进行加热处理前在界面P进行分离时的剥离力(F0)，优选为100mN/25mm以上、更优选为300mN/25mm以上、进一步优选为500mN/25mm以上，另外，优选为50000mN/25mm以下。
在本发明的制造方法中使用的一个方式的粘合性层叠体中，剥离力(F0)大于剥离力(F1)。具体而言，剥离力(F1)与剥离力(F0)之比〔(F1)/(F0)〕优选为0～0.9、更优选为0～0.8、进一步优选为0～0.5、更进一步优选为0～0.2。
需要说明的是，作为测定剥离力(F1)时的温度条件，只要是膨胀起始温度(t)以上、且热膨胀性粒子发生膨胀的温度即可。
另外，作为测定剥离力(F0)时的温度条件，只要低于膨胀起始温度(t)即可，基本为室温(23℃)。
其中，剥离力(F1)及剥离力(F0)的更具体的测定条件及测定方法基于实施例中记载的方法。
在本发明的制造方法中使用的一个方式的粘合性层叠体中，作为室温(23℃)下的粘合片(I)所具有的粘合剂层(X1)(第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12))的粘合力、以及粘合片(II)所具有的粘合剂层(X2)的粘合力，优选为0.1～10.0N/25mm、更优选为0.2～8.0N/25mm、进一步优选为0.4～6.0N/25mm、更进一步优选为0.5～4.0N/25mm。
在粘合片(I)具有第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)的情况下，优选第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)的粘合力分别为上述范围，从提高与支撑体的密合性、更容易在界面P一起分离的观点考虑，更优选与支撑体粘贴的第2粘合剂层(X12)的粘合力高于第1粘合剂层(X11)的粘合力。
粘合片(I)所具有的基材(Y1)及粘合片(II)所具有的基材(Y2)是非粘合性的基材。
在本发明中，对于是否是非粘合性的基材的判定，如果按照JIS Z0237:1991对作为对象的基材的表面进行测定而得到的探针粘性值低于50mN/5mmφ，则将该基材判断为“非粘合性的基材”。
本发明的一个方式中使用的粘合片(I)所具有的基材(Y1)及粘合片(II)所具有的基材(Y2)的表面的探针粘性值分别独立地通常为低于50mN/5mmφ、优选为低于30mN/5mmφ、更优选为低于10mN/5mmφ、进一步优选为低于5mN/5mmφ。
需要说明的是，在本说明书中，热膨胀性基材的表面的探针粘性值的具体测定方法基于实施例中记载的方法。
以下，对构成本发明的粘合性层叠体的各层进行说明。
[粘合片(I)的结构]
本发明的制造方法中使用的粘合性层叠体所具有的粘合片(I)是热膨胀性的粘合片，其具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、且以通过分离用加热处理能够在与粘合片(II)的基材(Y2)的界面分离的方式在任意层包含热膨胀性粒子。
在本发明的一个方式中，热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)优选为60～270℃。
作为本发明的一个方式中使用的粘合片(I)，优选为以下的方式。
·第1方式的粘合片(I)：具有包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1-1)作为基材(Y1)的粘合片(I)。
·第2方式的粘合片(I)：在基材(Y1)的两面侧具有第1粘合剂层(X11)和第2粘合剂层(X12)的粘合片(I)，所述第1粘合剂层(X11)是包含热膨胀性粒子的热膨胀性粘合剂层，所述第2粘合剂层(X12)是非热膨胀性粘合剂层。
·基材(Y1)为非热膨胀性基材的粘合片(I)。
以下，对本发明的一个方式中使用的第一方式及第二方式的粘合片(I)进行说明。
＜第一方式的粘合片(I)＞
作为第一方式的粘合片(I)，可以举出如图1～2所示那样的基材(Y1)具有包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1-1)的粘合片。
在第一方式的粘合片(I)中，从能够用微小的力在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离的观点考虑，优选粘合剂层(X1)为非热膨胀性粘合剂层。
具体而言，在图1所示的粘合性层叠体1a、1b所具有的粘合片(I)中，优选粘合剂层(X1)为非热膨胀性粘合剂层。另外，在图2所示的粘合性层叠体1c、1d所具有的粘合片(I)中，优选第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)中的任意层为非热膨胀性粘合剂层。
第一方式的粘合片(I)在分离用加热处理前的基材(Y1)的厚度优选为10～1000μm、更优选为20～700μm、进一步优选为25～500μm、更进一步优选为30～300μm。
第一方式的粘合片(I)在分离用加热处理前的粘合剂层(X1)的厚度优选为1～60μm、更优选为2～50μm、进一步优选为3～40μm、更进一步优选为5～30μm。
需要说明的是，在本说明书中，例如，如图2所示那样在粘合片(I)具有多个粘合剂层的情况下，上述的“粘合剂层(X1)的厚度”是指各个粘合剂层的厚度(在图2中，是指粘合剂层(X11)及(X12)各自的厚度)。
另外，在本说明书中，构成粘合性层叠体的各层的厚度是通过实施例中记载的方法测得的值。
在第一方式的粘合片(I)中，作为分离用加热处理前的热膨胀性基材层(Y1-1)与粘合剂层(X1)的厚度比〔(Y1-1)/(X1)〕，优选为1000以下、更优选为200以下、进一步优选为60以下、更进一步优选为30以下。
该厚度比为1000以下时，可以制成能够通过加热处理而用微小的力在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离的粘合性层叠体。
需要说明的是，该厚度比优选为0.2以上、更优选为0.5以上、进一步优选为1.0以上、更进一步优选为5.0以上。
另外，在第一方式的粘合片(I)中，基材(Y1)可以如图1(a)所示那样仅由热膨胀性基材层(Y1-1)构成，也可以如图1(b)所示那样，在粘合(II)侧具有热膨胀性基材层(Y1-1)、且在粘合剂层(X1)侧具有非热膨胀性基材层(Y1-2)。
在第一方式的粘合片(I)中，作为分离用加热处理前的热膨胀性基材层(Y1-1)与非热膨胀性基材层(Y1-2)的厚度比〔(Y1-1)/(Y1-2)〕，优选为0.02～200、更优选为0.03～150、进一步优选为0.05～100。
＜第二方式的粘合片(I)＞
作为第二方式的粘合片(I)，可以列举如图3所示那样在基材(Y1)的两面侧分别具有第1粘合剂层(X11)和第2粘合剂层(X12)的粘合片，所述第1粘合剂层(X11)是包含热膨胀性粒子的热膨胀性粘合剂层，所述第2粘合剂层(X12)是非热膨胀性粘合剂层。
需要说明的是，在第二方式的粘合片(I)中，作为热膨胀性粘合剂层的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)直接接触。
需要说明的是，在第二方式的粘合片(I)中，优选基材(Y1)为非热膨胀性基材层。
在第二方式的粘合片(I)中，作为分离用加热处理前的第1粘合剂层(X11)与第2粘合剂层(X12)的厚度比〔(X11)/(X12)〕，优选为0.1～80、更优选为0.3～50、进一步优选为0.5～15，所述第1粘合剂层(X11)是热膨胀性粘合剂层，所述第2粘合剂层(X12)是非热膨胀性粘合剂层。
另外，在第二方式的粘合片(I)中，作为分离用加热处理前的第1粘合剂层(X11)与基材(Y1)的厚度比〔(X11)/(Y1)〕，优选为0.05～20、更优选为0.1～10、进一步优选为0.2～3，所述第1粘合剂层(X11)是热膨胀性粘合剂层。
以下，对构成粘合片(I)的任意层中包含的热膨胀性粒子进行说明，并在此基础上对构成基材(Y1)的热膨胀性基材层(Y1-1)、非热膨胀性基材层(Y1-2)、以及粘合剂层(X1)进行详细说明。
＜热膨胀性粒子＞
本发明中使用的热膨胀性粒子只要是通过加热而发生膨胀的粒子即可，优选为膨胀起始温度(t)调整为60～270℃的粒子。膨胀起始温度(t)可以根据粘合性层叠体的用途而适当选择。
例如，在本发明的制造方法中，在工序(1)及工序(2)中粘合性层叠体不暴露于高温环境下的情况(例如，进行在半导体晶片内部形成作为分割起点的改性区域的加工的情况等)下，优选热膨胀性粒子的膨胀起始温度在上述温度范围内尽可能低。由此，使将粘合片(I)与粘合片(1I)分离时所需要的加热能量减小，可以降低切削物和/或磨削物的制造成本。另外，可以不对加工对象物施加过度的热加工而将粘合片(I)与粘合片(1I)分离。
在本说明书中，热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)是基于以下方法测得的值。
(热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)的测定方法)
向直径6.0mm(内径5.65mm)、深度4.8mm的铝杯中加入作为测定对象的热膨胀性粒子0.5mg，从其上放上铝盖(直径5.6mm、厚度0.1mm)，从而制作试样。
使用动态粘弹性测定装置，利用压头从铝盖上部对该试样施加0.01N的力，在该状态下测定试样的高度。然后，利用压头施加0.01N的力，在该状态下以10℃/分的升温速度从20℃加热至300℃，测定压头在垂直方向的位移量，将向正向的位移起始温度作为膨胀起始温度(t)。
作为热膨胀性粒子，优选为由外壳和内包成分构成的微胶囊发泡剂，所述外壳由热塑性树脂构成，所述内包成分内包于该外壳，并且在加热至给定的温度时发生气化。
作为构成微胶囊发泡剂的外壳的热塑性树脂，可以列举例如：偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、聚砜等。
作为内包于外壳的内包成分，可以列举例如：丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、异丁烷、异戊烷、异己烷、异庚烷、异辛烷、异壬烷、异癸烷、环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环辛烷、新戊烷、十二碳烷、异十二碳烷、环十三碳烷、己基环己烷、十三碳烷、十四碳烷、十五碳烷、十六碳烷、十七碳烷、十八碳烷、十九碳烷、异十三碳烷、4-甲基十二碳烷、异十四碳烷、异十五碳烷、异十六碳烷、2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷、异十七碳烷、异十八碳烷、异十九碳烷、2,6,10,14-四甲基十五碳烷、环十三碳烷、庚基环己烷、正辛基环己烷、环十五碳烷、壬基环己烷、癸基环己烷、十五烷基环己烷、十六烷基环己烷、十七烷基环己烷、十八烷基环己烷等。
这些内包成分可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)可以通过适当选择内包成分的种类来进行调整。
本发明的一个方式中使用的热膨胀性粒子在23℃下的膨胀前的平均粒径优选为3～100μm、更优选为4～70μm、进一步优选为6～60μm、更进一步优选为10～50μm。
需要说明的是，热膨胀性粒子的膨胀前的平均粒径是指体积中值粒径(D50)，是使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如，Malvern公司制造、产品名“Mastersizer 3000”)测定的膨胀前的热膨胀性粒子的粒子分布中，从膨胀前的热膨胀性粒子中粒径小者开始计算的累积体积频率相当于50％的粒径。
作为本发明的一个方式中使用的热膨胀性粒子在23℃下的膨胀前的90％粒径(D90)，优选为10～150μm、更优选为20～100μm、进一步优选为25～90μm、更进一步优选为30～80μm。
需要说明的是，热膨胀性粒子的膨胀前的90％粒径(D90)是使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如，Malvern公司制造、产品名“Mastersizer 3000”)测定的膨胀前的热膨胀性粒子的粒子分布中，从膨胀前的热膨胀性粒子中粒径小者开始计算的累积体积频率相当于90％的粒径。
本发明的一个方式中使用的热膨胀性粒子在加热至膨胀起始温度(t)以上的温度时的体积最大膨胀率优选为1.5～100倍、更优选为2～80倍、进一步优选为2.5～60倍、更进一步优选为3～40倍。
＜热膨胀性基材层(Y1-1)＞
在本发明的一个方式的粘合性层叠体中，在粘合片(I)的基材(Y1)具有包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1-1)的情况下，优选热膨胀性基材层(Y1-1)满足下述要件(1)。
·要件(1)：在热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下，热膨胀性基材层(Y1-1)的储能模量E’(t)为1.0×107Pa以下。
需要说明的是，在本说明书中，热膨胀性基材层(Y1-1)在给定温度下的储能模量E’是通过实施例中记载的方法测得的值。
上述要件(1)可以认为是表示热膨胀性粒子即将发生膨胀前的热膨胀性基材层(Y1-1)的刚性的指标。
在热膨胀性粒子膨胀前，热膨胀性基材层(Y1-1)的储能模量E’随升温而降低。但是，在达到热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)前后，热膨胀性粒子开始膨胀，由此，热膨胀性基材层(Y1-1)的储能模量E’的降低受到抑制。
另一方面，为了能够用微小的力在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P容易地分离，需要通过加热至膨胀起始温度(t)以上的温度而在与粘合片(I)的基材(Y2)层叠侧的表面容易地形成凹凸。
即，对于满足上述要件(1)的热膨胀性基材层(Y1-1)而言，热膨胀性粒子在膨胀起始温度(t)下发生膨胀而充分增大，容易在与粘合片(II)的基材(Y2)层叠侧的粘合片(I)的表面形成凹凸。
其结果，可以制成能够用微小的力在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离的粘合性层叠体。
从上述观点考虑，本发明中使用的热膨胀性基材层(Y1-1)的要件(1)中限定的储能模量E’(t)优选为9.0×106Pa以下、更优选为8.0×106Pa以下、进一步优选为6.0×106Pa以下、更进一步优选为4.0×106Pa以下。
另外，从抑制膨胀后的热膨胀性粒子的流动、提高在与粘合片(II)的基材(Y2)层叠侧的粘合片(I)的表面形成的凹凸的形状保持性、且能够用微小的力在界面P更容易地分离的观点考虑，热膨胀性基材层(Y1-1)的要件(1)中限定的储能模量E’(t)优选为1.0×103Pa以上、更优选为1.0×104Pa以上、进一步优选为1.0×105Pa以上。
从制成满足上述要件(1)的热膨胀性基材层(Y1-1)的观点考虑，相对于热膨胀性基材层(Y1-1)的总质量(100质量％)，热膨胀性基材层(Y1-1)中的热膨胀性粒子的含量优选为1～40质量％、更优选为5～35质量％、进一步优选为10～30质量％、更进一步优选为15～25质量％。
需要说明的是，从提高与层叠于热膨胀性基材层(Y1-1)的其它层的层间密合性的观点考虑，可以对热膨胀性基材层(Y1-1)的表面实施利用氧化法、凹凸化法等进行的表面处理、易粘接处理、或底涂处理。
作为氧化法，可以列举例如：电晕放电处理、等离子体放电处理、铬酸处理(湿法)、热风处理、臭氧、以及紫外线照射处理等，作为凹凸化法，可以列举例如：喷砂法、溶剂处理法等。
热膨胀性基材层(Y1-1)优选由包含树脂及热膨胀性粒子的树脂组合物(y)形成。
需要说明的是，在不损害本发明效果的范围内，树脂组合物(y)可以根据需要而含有基材用添加剂。
作为基材用添加剂，可以列举例如：紫外线吸收剂、光稳定剂、抗氧剂、抗静电剂、爽滑剂、防粘连剂、着色剂等。
需要说明的是，这些基材用添加剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
在含有这些基材用添加剂的情况下，相对于上述树脂100质量份，各基材用添加剂的含量优选为0.0001～20质量份、更优选为0.001～10质量份。
对于作为热膨胀性基材层(Y1-1)的形成材料的树脂组合物(y)中包含的热膨胀性粒子，如上所述。
相对于树脂组合物(y)的有效成分的总量(100质量％)，热膨胀性粒子的含量优选为1～40质量％、更优选为5～35质量％、进一步优选为10～30质量％、更进一步优选为15～25质量％。
作为热膨胀性基材层(Y1-1)的形成材料、即树脂组合物(y)中包含的树脂，可以是非粘合性树脂，也可以是粘合性树脂。
即，即使树脂组合物(y)中包含的树脂为粘合性树脂，只要在由树脂组合物(y)形成热膨胀性基材层(Y1-1)的过程中，该粘合性树脂与聚合性化合物发生聚合反应，得到的树脂为非粘合性树脂，且包含该树脂的热膨胀性基材层(Y1-1)为非粘合性即可。
作为树脂组合物(y)中包含的上述树脂的重均分子量(Mw)，优选为1000～100万、更优选为1000～70万、进一步优选为1000～50万。
另外，在该树脂为具有2种以上结构单元的共聚物的情况下，该共聚物的形态没有特别限定，可以是嵌段共聚物、无规共聚物、以及接枝共聚物中的任一种。
相对于树脂组合物(y)的有效成分的总量(100质量％)，树脂的含量优选为50～99质量％、更优选为60～95质量％、进一步优选为65～90质量％、更进一步优选为70～85质量％。
需要说明的是，从形成满足上述要件(1)的热膨胀性基材层(Y1-1)的观点考虑，作为树脂组合物(y)中包含的上述树脂，优选包含选自丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂中的1种以上。
另外，作为上述丙烯酸氨基甲酸酯类树脂，优选为以下的树脂(U1)。
·氨基甲酸酯预聚物(UP)与包含(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物聚合而成的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)。
(丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1))
作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)的主链的氨基甲酸酯预聚物(UP)，可以举出多元醇与多异氰酸酯的反应产物。
需要说明的是，氨基甲酸酯预聚物(UP)优选实施进一步使用了扩链剂的扩链反应而得到。
作为成为氨基甲酸酯预聚物(UP)的原料的多元醇，可以列举例如：亚烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯酰胺型多元醇、酯/醚型多元醇、以及碳酸酯型多元醇等。
这些多元醇可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
本发明的一个方式中使用的多元醇，优选为二醇，更优选为酯型二醇、亚烷基型二醇及碳酸酯型二醇，进一步优选为酯型二醇、碳酸酯型二醇。
作为酯型二醇，可以列举例如从以下的二醇类中选择的1种或2种以上与从以下的二羧酸及它们的酸酐中选择的1种或2种以上所形成的缩聚物，所述二醇类选自1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等链烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等亚烷基二醇；等，所述二羧酸选自邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、萘二甲酸、4,4-联苯二甲酸、二苯基甲烷-4,4’-二甲酸、丁二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、氯桥酸、马来酸、富马酸、衣康酸、环己烷-1,3-二甲酸、环己烷-1,4-二甲酸、六氢邻苯二甲酸、六氢间苯二甲酸、六氢对苯二甲酸、甲基六氢邻苯二甲酸等。
具体而言，可以列举：聚己二酸乙二醇酯二醇、聚己二酸丁二醇酯二醇、聚己二酸六亚甲基二醇酯二醇、聚间苯二甲酸六亚甲基二醇酯二醇、聚己二酸新戊二醇酯二醇、聚己二酸乙二醇丙二醇酯二醇、聚己二酸乙二醇丁二醇酯二醇、聚己二酸丁二醇六亚甲基二醇酯二醇、聚己二酸二乙二醇酯二醇、聚己二酸(聚四亚甲基醚)二醇酯二醇、聚(己二酸3-甲基戊二醇酯)二醇、聚壬二酸乙二醇酯二醇、聚癸二酸乙二醇酯二醇、聚壬二酸丁二醇酯二醇、聚癸二酸丁二醇酯二醇、以及聚对苯二甲酸新戊二醇酯二醇等。
作为亚烷基型二醇，可以列举例如：1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等链烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等亚烷基二醇；聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等聚亚烷基二醇；聚四亚甲基二醇等聚氧亚烷基二醇；等等。
作为碳酸酯型二醇，可以列举例如：碳酸1,4-丁二醇酯二醇、碳酸1,5-戊二醇酯二醇、碳酸1,6-己二醇酯二醇、碳酸1,2-丙二醇酯二醇、碳酸1,3-丙二醇酯二醇、碳酸2,2-二甲基丙二醇酯二醇、碳酸1,7-庚二醇酯二醇、碳酸1,8-辛二醇酯二醇、碳酸1,4-环己烷二醇酯二醇等。
作为氨基甲酸酯预聚物(UP)的原料的多异氰酸酯，可以举出芳香族多异氰酸酯、脂肪族多异氰酸酯、脂环族多异氰酸酯等。
这些多异氰酸酯可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
另外，这些多异氰酸酯也可以是三羟甲基丙烷加合型改性物、与水反应而得到的双缩脲型改性物、含有三聚异氰酸酯环的三聚异氰酸酯型改性物。
其中，作为本发明的一个方式中使用的多异氰酸酯，优选为二异氰酸酯，更优选为选自4,4’-二苯甲烷二异氰酸酯(MDI)、2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-TDI)、2,6-甲苯二异氰酸酯(2,6-TDI)、六亚甲基二异氰酸酯(HMDI)、以及脂环族二异氰酸酯中的一种以上。
作为脂环族二异氰酸酯，可以列举例如：3-异氰酸酯基甲基-3,5,5-三甲基环己基异氰酸酯(异佛尔酮二异氰酸酯、IPDI)、1,3-环戊烷二异氰酸酯、1,3-环己烷二异氰酸酯、1,4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2,4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2,6-环己烷二异氰酸酯等，优选异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)。
在本发明的一个实施方式中，作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)主链的氨基甲酸酯预聚物(UP)，为二醇与二异氰酸酯的反应物，优选为两末端具有烯属不饱和基团的直链氨基甲酸酯预聚物。
作为在该直链氨基甲酸酯预聚物的两末端导入烯属不饱和基团的方法，可以举出：使直链氨基甲酸酯预聚物的末端的NCO基与(甲基)丙烯酸羟基烷基酯反应的方法，所述直链氨基甲酸酯预聚物是二醇与二异氰酸酯化合物反应而形成的。
作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，可以列举例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。
作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)的支链的乙烯基化合物，至少包含(甲基)丙烯酸酯。
作为(甲基)丙烯酸酯，优选为选自(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯中的1种以上，更优选组合使用(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯。
在组合使用(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的情况下，相对于(甲基)丙烯酸烷基酯100质量份，作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的配合比例，优选为0.1～100质量份、更优选为0.5～30质量份、进一步优选为1.0～20质量份、更进一步优选为1.5～10质量份。
作为该(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳原子数，优选为1～24、更优选为1～12、进一步优选为1～8、更进一步优选为1～3。
另外，作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，可以举出与上述的为了在直链氨基甲酸酯预聚物的两末端导入烯属不饱和基团而使用的(甲基)丙烯酸羟基烷基酯相同的化合物。
作为除(甲基)丙烯酸酯以外的乙烯基化合物，可以列举例如：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等芳香烃类乙烯基化合物；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚类；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、(甲基)丙烯酸、马来酸、富马酸、衣康酸、(甲基)丙烯酰胺等含有极性基团的单体；等等。
这些乙烯基化合物可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
作为乙烯基化合物中的(甲基)丙烯酸酯的含量，相对于该乙烯基化合物的总量(100质量％)，优选为40～100质量％、更优选为65～100质量％、进一步优选为80～100质量％、更进一步优选为90～100质量％。
作为乙烯基化合物中(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的总含量，相对于该乙烯基化合物的总量(100质量％)，优选为40～100质量％、更优选为65～100质量％、进一步优选为80～100质量％、更进一步优选为90～100质量％。
本发明的一个方式中使用的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)可以通过将氨基甲酸酯预聚物(UP)与包含(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物混合、并使两者聚合而得到。
在该聚合中，优选进一步加入自由基引发剂来进行。
在本发明的一个方式中使用的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)中，作为来自氨基甲酸酯预聚物(UP)的结构单元(u11)与来自乙烯基化合物的结构单元(u12)的含量比〔(u11)/(u12)〕，以质量比计优选为10/90～80/20、更优选为20/80～70/30、进一步优选为30/70～60/40、更进一步优选为35/65～55/45。
(烯烃类树脂)
作为树脂组合物(y)中包含的树脂，适合的烯烃类树脂是至少具有来自烯烃单体的结构单元的聚合物。
作为上述烯烃单体，优选为碳原子数2～8的α-烯烃，具体可以举出：乙烯、丙烯、丁烯、异丁烯、1-己烯等。
其中，优选为乙烯及丙烯。
作为具体的烯烃类树脂，可以列举例如：超低密度聚乙烯(VLDPE、密度：880kg/m3以上且低于910kg/m3)、低密度聚乙烯(LDPE、密度：910kg/m3以上且低于915kg/m3)、中密度聚乙烯(MDPE、密度：915kg/m3以上且低于942kg/m3)、高密度聚乙烯(HDPE、密度：942kg/m3以上)、直链状低密度聚乙烯等聚乙烯树脂；聚丙烯树脂(PP)；聚丁烯树脂(PB)；乙烯-丙烯共聚物；烯烃类弹性体(TPO)；聚(4-甲基-1-戊烯)(PMP)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)；乙烯-丙烯-(5-亚乙基-2-降冰片烯)等烯烃类三元共聚物；等等。
在本发明的一个方式中，烯烃类树脂可以是进一步实施了选自酸改性、羟基改性及丙烯酰基改性中的一种以上改性而得到的改性烯烃类树脂。
例如，作为对烯烃类树脂实施酸改性而得到的酸改性烯烃类树脂，可以举出在上述的未改性烯烃类树脂上接枝聚合不饱和羧酸或其酸酐而成的改性聚合物。
作为上述的不饱和羧酸或其酸酐，可以列举例如：马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸、戊烯二酸、四氢邻苯二甲酸、乌头酸、(甲基)丙烯酸、马来酸酐、衣康酸酐、戊烯二酸酐、柠康酸酐、乌头酸酐、降冰片烯二酸酐、四氢邻苯二甲酸酐等。
需要说明的是，不饱和羧酸或其酸酐可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
作为对烯烃类树脂实施丙烯酰基改性而得到的丙烯酸改性烯烃类树脂，可以举出在作为主链的上述的未改性烯烃类树脂上接枝聚合(甲基)丙烯酸烷基酯作为侧链而成的改性聚合物。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳原子数，优选为1～20、更优选为1～16、进一步优选为1～12。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可以举出与后文叙述的能够选择作为单体(a1’)的化合物相同的化合物。
作为对烯烃类树脂实施羟基改性而成的羟基改性烯烃类树脂，可以举出在作为主链的上述未改性烯烃类树脂上接枝聚合含羟基化合物而成的改性聚合物。
作为上述的含羟基化合物，可以举出例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯类；乙烯醇、烯丙醇等不饱和醇类等。
(除丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂)
在本发明的一个方式中，在不损害本发明效果的范围内，树脂组合物(y)可以含有除丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂。
作为这样的树脂，可以列举例如：聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇等乙烯基类树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯类树脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纤维素；聚碳酸酯；不属于丙烯酸氨基甲酸酯类树脂的聚氨酯；聚砜；聚醚醚酮；聚醚砜；聚苯硫醚；聚醚酰亚胺、聚酰亚胺等聚酰亚胺类树脂；聚酰胺类树脂；丙烯酸树脂；氟树脂等。
其中，从形成满足上述要件(1)及(2)的热膨胀性基材层(Y1-1)的观点考虑，优选树脂组合物(y)中除丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂的含有比例较少。
作为除丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂的含有比例，相对于树脂组合物(y)中包含的树脂的总量100质量份，优选小于30质量份、更优选小于20质量份、进一步优选小于10质量份、更进一步优选小于5质量份、再进一步优选小于1质量份。
(无溶剂型树脂组合物(y1))
作为本发明的一个方式中使用的树脂组合物(y)的一个方式，可以举出无溶剂型树脂组合物(y1)，所述无溶剂型树脂组合物(y1)配合有重均分子量(Mw)为50000以下且具有烯属不饱和基团的低聚物、能量线聚合性单体、以及上述的热膨胀性粒子，并且未配合溶剂。
在无溶剂型树脂组合物(y1)中，虽然未配合溶剂，但能量线聚合性单体有助于提高上述低聚物的塑性。
通过对由无溶剂型树脂组合物(y1)形成的涂膜照射能量线，易于形成满足上述要件(1)的热膨胀性基材层(Y1-1)。
需要说明的是，对于无溶剂型树脂组合物(y1)中配合的热膨胀性粒子的种类、形状、配合量(含量)，如上所述。
无溶剂型树脂组合物(y1)中包含的上述低聚物的重均分子量(Mw)为50000以下、优选为1000～50000、更优选为2000～40000、进一步优选为3000～35000、更进一步优选为4000～30000。
另外，作为上述低聚物，在上述的树脂组合物(y)中包含的树脂中，只要是重均分子量为50000以下且具有烯属不饱和基团的低聚物即可，优选为上述的氨基甲酸酯预聚物(UP)。
需要说明的是，作为该低聚物，也可以使用具有烯属不饱和基团的改性烯烃类树脂。
相对于无溶剂型树脂组合物(y1)的总量(100质量％)，无溶剂型树脂组合物(y1)中的上述低聚物及能量线聚合性单体的总含量优选为50～99质量％、更优选为60～95质量％、进一步优选为65～90质量％、更进一步优选为70～85质量％。
作为能量线聚合性单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧基酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯、丙烯酸三环癸酯等脂环式聚合性化合物；丙烯酸苯基羟丙酯、丙烯酸苄酯、苯酚环氧乙烷改性丙烯酸酯等芳香族聚合性化合物；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸吗啉酯、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等杂环式聚合性化合物等。
这些能量线聚合性单体可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
无溶剂型树脂组合物(y1)中，上述低聚物与上述能量线聚合性单体的含量比[低聚物/能量线聚合性单体]以质量比优选为20/80～90/10、更优选为30/70～85/15、进一步优选为35/65～80/20。
在本发明的一个方式中，优选无溶剂型树脂组合物(y1)进一步配合光聚合引发剂而成。
通过含有光聚合引发剂，也可以利用照射较低能量的能量线来充分进行固化反应。
作为光聚合引发剂，可以列举例如：1-羟基环己基苯基酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻丙基醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、双乙酰、8-氯蒽醌等。
这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
相对于上述低聚物及能量线聚合性单体的总量(100质量份)，光聚合引发剂的配合量优选为0.01～5质量份、更优选为0.01～4质量份、进一步优选为0.02～3质量份。
＜非热膨胀性基材层(Y1-2)＞
作为构成基材(Y1)的非热膨胀性基材层(Y1-2)的形成材料，可以列举例如：纸基材、树脂、金属等，可以根据本发明的一个方式的粘合性层叠体的用途而适当选择。
作为构成纸基材的纸，可以列举例如：薄页纸、中级纸、全化浆纸、浸渍纸、涂料纸、铜版纸、硫酸纸、玻璃纸等。
作为树脂，可以列举例如：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃树脂；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚乙烯醇、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物等乙烯基类树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯类树脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纤维素；聚碳酸酯；聚氨酯、丙烯酸改性聚氨酯等氨基甲酸酯树脂；聚甲基戊烯；聚砜；聚醚醚酮；聚醚砜；聚苯硫醚；聚醚酰亚胺、聚酰亚胺等聚酰亚胺类树脂；聚酰胺类树脂；丙烯酸树脂；氟树脂等。
作为金属，可以列举例如：铝、锡、铬、钛等。
这些形成材料可以由1种构成，也可以组合使用2种以上。
作为组合使用2种以上形成材料而成的非热膨胀性基材层(Y1-2)，可以列举：用聚乙烯等热塑性树脂对纸基材进行层压而成的基材层、在包含树脂的树脂膜或片的表面形成金属膜而成的基材层等。
需要说明的是，作为金属层的形成方法，可以列举例如：通过真空蒸镀、溅射、离子镀等PVD法蒸镀上述金属的方法、或者使用通常的粘合剂粘贴由上述金属形成的金属箔的方法等。
需要说明的是，从提高与层叠于非热膨胀性基材层(Y1-2)的其它层的层间密合性的观点考虑，在非热膨胀性基材层(Y1-2)包含树脂的情况下，可以与上述的热膨胀性基材层(Y1-1)同样地对非热膨胀性基材层(Y1-2)的表面实施利用氧化法、凹凸化法等进行的表面处理、易粘接处理、或底涂处理。
另外，在非热膨胀性基材层(Y1-2)包含树脂的情况下，也可以在含有该树脂的同时还含有能够在树脂组合物(y)中含有的上述的基材用添加剂。
非热膨胀性基材层(Y1-2)是基于上述方法判断的非热膨胀性层。
因此，作为根据上述式计算出的非热膨胀性基材层(Y1-2)的体积变化率(％)，为低于5％、优选为低于2％、更优选为低于1％、进一步优选为低于0.1％、更进一步优选为低于0.01％。
另外，只要体积变化率为上述范围，非热膨胀性基材层(Y1-2)也可以含有热膨胀性粒子。例如，通过选择非热膨胀性基材层(Y1-2)中包含的树脂，即使包含热膨胀性粒子，也可以将体积变化率调整为上述范围。
其中，非热膨胀性基材层(Y1-2)中的热膨胀性粒子的含量越少越好。
作为具体的热膨胀性粒子的含量，相对于非热膨胀性基材层(Y1-2)的总质量(100质量％)，通常低于3质量％、优选为低于1质量％、更优选为低于0.1质量％、进一步优选为低于0.01质量％、更进一步优选为低于0.001质量％。再进一步优选非热膨胀性基材层(Y1-2)中不含热膨胀性粒子。
＜粘合剂层(X1)＞
本发明的第一方式中使用的粘合片(I)所具有的粘合剂层(X1)可以由包含粘合性树脂的粘合剂组合物(x1)形成。
需要说明的是，粘合剂组合物(x1)可以根据需要含有交联剂、增粘剂、聚合性化合物、聚合引发剂等粘合剂用添加剂。
以下，对粘合剂组合物(x1)中包含的各成分进行说明。
需要说明的是，在粘合片(I)具有第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)的情况下，第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)也可以由含有以下所示的各成分的粘合剂组合物(x1)形成。
(粘合性树脂)
作为本发明的一个方式中使用的粘合性树脂，只要是该树脂单独具有粘合性、且重均分子量(Mw)为1万以上的聚合物即可。
作为本发明的一个方式中使用的粘合性树脂的重均分子量(Mw)，从提高粘合力的观点考虑，优选为1万～200万、更优选为2万～150万、进一步优选为3万～100万。
作为具体的粘合性树脂，可以列举例如：丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、聚异丁烯类树脂等橡胶类树脂、聚酯类树脂、烯烃类树脂、有机硅类树脂、聚乙烯基醚类树脂等。
这些粘合性树脂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
另外，在这些粘合性树脂是具有2种以上结构单元的共聚物的情况下，该共聚物的形态没有特别限定，可以是嵌段共聚物、无规共聚物、以及接枝共聚物中的任一种。
本发明的一个方式中使用的粘合性树脂可以是在上述的粘合性树脂的侧链导入了聚合性官能团的能量线固化型粘合性树脂。
作为该聚合性官能团，可以列举：(甲基)丙烯酰基、乙烯基等。
另外，作为能量线，可以列举：紫外线、电子束，优选为紫外线。
在本发明的一个方式中，从表现出优异的粘合力的观点考虑，优选粘合性树脂包含丙烯酸类树脂。
需要说明的是，在使用具有第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)的粘合片(I)的情况下，通过在与树脂膜形成用片(II)接触的第1粘合剂层(X11)中包含丙烯酸类树脂，可以在第1粘合剂层的表面容易地形成凹凸。
作为粘合性树脂中的丙烯酸类树脂的含有比例，相对于粘合剂组合物(x1)或粘合剂层(X1)中包含的粘合性树脂的总量(100质量％)，优选为30～100质量％、更优选为50～100质量％、进一步优选为70～100质量％、更进一步优选为85～100质量％。
(丙烯酸类树脂)
在本发明的一个方式中，作为可以用作粘合性树脂的丙烯酸类树脂，可以举出例如，包含来自于具有直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的聚合物、包含来自于具有环状结构的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的聚合物等。
作为丙烯酸类树脂的重均分子量(Mw)，优选为10万～150万、更优选为20万～130万、进一步优选为35万～120万、更进一步优选为50万～110万。
作为本发明的一个方式中使用的丙烯酸类树脂，更优选为丙烯酸类共聚物(A1)，所述丙烯酸类共聚物(A1)具有来自于(甲基)丙烯酸烷基酯(a1’)(以下，也称为“单体(a1’)”)的结构单元(a1)及来自于含官能团单体(a2’)(以下，也称为“单体(a2’)”)的结构单元(a2)。
作为单体(a1’)所具有的烷基的碳原子数，从提高粘合特性的观点考虑，优选为1～24、更优选为1～12、进一步优选为2～10、更进一步优选为4～8。
需要说明的是，单体(a1’)所具有的烷基可以是直链烷基，也可以是支链烷基。
作为单体(a1’)，可以列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。
这些单体(a1’)可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
作为单体(a1’)，优选为(甲基)丙烯酸丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
相对于丙烯酸类共聚物(A1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a1)的含量优选为50～99.9质量％、更优选为60～99.0质量％、进一步优选为70～97.0质量％、更进一步优选为80～95.0质量％。
作为单体(a2’)所具有的官能团，可以列举例如：羟基、羧基、氨基、环氧基等。
即，作为单体(a2’)，可以列举例如：含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。
这些单体(a2’)可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
其中，作为单体(a2’)，优选为含羟基单体及含羧基单体。
作为含羟基单体，可举出例如与上述含有羟基的化合物相同的单体。
作为含羧基单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和单羧酸；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸及其酸酐、琥珀酸2-(丙烯酰氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯等。
相对于丙烯酸类共聚物(A1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a2)的含量优选为0.1～40质量％、更优选为0.5～35质量％、进一步优选为1.0～30质量％、更进一步优选为3.0～25质量％。
丙烯酸类共聚物(A1)可以进一步具有来自于除单体(a1’)及(a2’)以外的其它单体(a3’)的结构单元(a3)。
需要说明的是，在丙烯酸类共聚物(A1)中，相对于丙烯酸类共聚物(A1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a1)及(a2)的含量优选为70～100质量％、更优选为80～100质量％、进一步优选为90～100质量％、更进一步优选为95～100质量％。
作为单体(a3’)，可以列举例如：乙烯、丙烯、异丁烯等烯烃类；氯乙烯、偏二氯乙烯等卤代烯烃类；丁二烯、异戊二烯、氯丁二烯等二烯类单体类；(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等具有环状结构的(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰基吗啉、N-乙烯基吡咯烷酮等。
另外，丙烯酸类共聚物(A1)可以是在主链和/或侧链导入了聚合性官能团的能量线固化型丙烯酸类共聚物。
作为该聚合性官能团及该能量线，如上所述。
需要说明的是，聚合性官能团可以通过使具有上述的结构单元(a1)及(a2)的丙烯酸类共聚物与聚合性化合物(Xa)进行反应而导入，所述聚合性化合物(Xa)具有能够与该丙烯酸类共聚物的结构单元(a2)所具有的官能团键合的取代基和聚合性官能团。
作为聚合性化合物(Xa)，可以列举例如：(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、异氰酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸等。
(交联剂)
在本发明的一个方式中，在粘合剂组合物(x1)含有上述丙烯酸类共聚物(A1)那样的具有官能团的粘合性树脂的情况下，优选进一步含有交联剂。
该交联剂是与具有官能团的粘合性树脂反应、并以该官能团作为交联起点使粘合性树脂彼此交联的物质。
作为交联剂，可以列举例如：异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮丙啶类交联剂、金属螯合物类交联剂等。
这些交联剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
在这些交联剂当中，从提高凝聚力使粘合力增强的观点、以及容易获得等的观点考虑，优选为异氰酸酯类交联剂。
交联剂的含量可以通过粘合性树脂所具有的官能团的数量而适当调整，相对于具有官能团的粘合性树脂100质量份，优选为0.01～10质量份、更优选为0.03～7质量份、进一步优选为0.05～5质量份。
(增粘剂)
在本发明的一个方式中，从进一步提高粘合力的观点考虑，粘合剂组合物(x1)优选还含有增粘剂。
在本说明书中，“增粘剂”是指辅助性提高上述粘合性树脂的粘合力的成分，是重均分子量(Mw)低于1万的低聚物，与上述的粘合性树脂相区别。
增粘剂的重均分子量(Mw)优选为400～10000、更优选为500～8000、进一步优选为800～5000。
作为增粘剂，可以列举例如：松香类树脂、萜烯类树脂、苯乙烯类树脂、将石脑油热裂解所产生的戊烯、异戊二烯、间戊二烯(ピペリン)、1,3-戊二烯等C5馏分共聚而得到的C5系石油树脂、将石脑油热裂解所产生的茚、乙烯基甲苯等C9馏分共聚而得到的C9系石油树脂、以及将它们氢化而成的氢化树脂等。
增粘剂的软化点优选为60～170℃、更优选为65～160℃、进一步优选为70～150℃。
需要说明的是，在本说明书中，增粘剂的“软化点”是指按照JIS K 2531测得的值。
增粘剂可以单独使用，也可以组合使用软化点、结构不同的2种以上增粘剂。
另外，在使用2种以上的多种增粘剂的情况下，优选这些多种增粘剂的软化点的加权平均为上述范围。
相对于粘合剂组合物(x1)的有效成分的总量(100质量％)或粘合剂层(X1)的总质量(100质量％)，增粘剂的含量优选为0.01～65质量％、更优选为0.05～55质量％、进一步优选为0.1～50质量％、更进一步优选为0.5～45质量％、再进一步优选为1.0～40质量％。
(光聚合引发剂)
在本发明的一个方式中，在粘合剂组合物(x1)包含能量线固化型的粘合性树脂作为粘合性树脂的情况下，优选进一步含有光聚合引发剂。
通过制成含有能量线固化型的粘合性树脂及光聚合引发剂的粘合剂组合物，由该粘合剂组合物形成的粘合剂层即使照射较低能量的能量线，也可以充分地进行固化反应，将粘合力调整为希望的范围。
需要说明的是，作为本发明的一方式中使用的光聚合引发剂，可以举出与上述的无溶剂型树脂组合物(y1)中配合的引发剂相同的引发剂。
相对于能量线固化型的粘合性树脂100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～10质量份、更优选为0.03～5质量份、进一步优选为0.05～2质量份。
(粘合剂用添加剂)
在本发明的一个方式中，在不损害本发明效果的范围内，粘合剂组合物(x1)除了上述的添加剂以外，还可以含有通常的粘合剂中使用的粘合剂用添加剂。
作为这样的粘合剂用添加剂，可以列举例如：抗氧剂、软化剂(增塑剂)、防锈剂、颜料、染料、反应抑制剂、反应促进剂(催化剂)、紫外线吸收剂等。
需要说明的是，这些粘合剂用添加剂可以分别单独使用，也可以组合使用2种以上。
在含有这些粘合剂用添加剂的情况下，相对于粘合性树脂100质量份，各粘合剂用添加剂的含量优选为0.0001～20质量份、更优选为0.001～10质量份。
需要说明的是，在使用具有如图3所示的粘合性层叠体2那样的上述第2方式的粘合片(I)的情况下，作为热膨胀性粘合剂层的第1粘合剂层(X11)由进一步含有热膨胀性粒子的热膨胀性粘合剂组合物(x11)形成。
该热膨胀性粒子如上所述。
作为热膨胀性粒子的含量，相对于热膨胀性粘合剂组合物(x11)的有效成分的总量(100质量％)或热膨胀性粘合剂层的总质量(100质量％)，优选为1～70质量％、更优选为2～60质量％、进一步优选为3～50质量％、更进一步优选为5～40质量％。
另一方面，在粘合剂层(X1)为非热膨胀性粘合剂层的情况下，优选尽量减少作为非热膨胀性粘合剂层形成材料的非热膨胀性粘合剂组合物中的热膨胀性粒子的含量。
作为热膨胀性粒子的含量，相对于非热膨胀性粘合剂组合物的有效成分的总量(100质量％)或非热膨胀性粘合剂层的总质量(100质量％)，优选为低于1质量％、更优选为低于0.1质量％、进一步优选为低于0.01质量％、更进一步优选为低于0.001质量％。更进一步优选非热膨胀性粘合剂组合物或非热膨胀性粘合剂层中不含热膨胀性粒子。
需要说明的是，在使用如图2所示的粘合性层叠体1c、1d那样具有作为非热膨胀性粘合剂层的第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)的粘合片(I)的情况下，作为非热膨胀性粘合剂层的第1粘合剂层(X11)在23℃下的剪切模量G’(23)优选为1.0×108Pa以下、更优选为5.0×107Pa以下、进一步优选为1.0×107Pa以下。
如果作为非热膨胀性粘合剂层的第1粘合剂层(X11)的剪切模量G’(23)为1.0×108Pa以下，则例如在制成图2所示的粘合性层叠体1c、1d的结构时，通过利用分离用加热处理进行的热膨胀性基材层(Y1-1)中的热膨胀性粒子的膨胀，容易在与粘合片(II)接触的第1粘合剂层(X11)的表面形成凹凸。其结果，可以制成能够用微小的力在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离的粘合性层叠体。
需要说明的是，作为非热膨胀性粘合剂层的第1粘合剂层(X11)在23℃下的剪切模量G’(23)优选为1.0×104Pa以上、更优选为5.0×104Pa以上、进一步优选为1.0×105Pa以上。
需要说明的是，在本说明书中，粘合剂层的剪切模量G’(23)是指通过实施例中记载的方法测得的值。
[粘合片(II)的结构]
本发明的制造方法中使用的粘合性层叠体所具有的粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，基材(Y2)与粘合片(I)直接层叠在一起。
需要说明的是，从使基材(Y2)与粘合剂层(X2)的层间密合性提高的观点考虑，可以对基材(Y2)的层叠粘合剂层侧的表面实施上述的利用氧化法、凹凸化法等进行的表面处理、易粘接处理、或底涂处理。
另外，在本发明的一个方式所使用的粘合性层叠体中，从抑制粘合剂层(X2)的残渣附着于切削物和/或磨削物的观点、对于如具有凸块的半导体晶片等那样的表面凹凸大的加工对象物的跟随性优异的观点、以及使粘合剂层(X2)的粘合力的经时稳定性优异的观点考虑，优选粘合片(II)在基材(Y2)与粘合剂层(X2)之间具有中间层(Z2)。
另外，例如，基材(Y2)的粘合剂层(X2)一侧的表面可以实施防静电处理。在具有中间层(Z2)的情况下，基材(Y2)的中间层(Z2)一侧的表面可以实施防静电处理。
从能够用微小的力在与粘合片(I)的界面P一起容易地分离的观点考虑，优选基材(Y2)为非热膨胀性基材。
另外，从在上述加热处理的前后保持与被粘附物的良好的密合性的观点考虑，优选粘合剂层(X2)为非热膨胀性粘合剂层。
另外，优选中间层(Z2)也为非热膨胀性层。
因此，作为根据上式计算出的基材(Y2)、粘合剂层(X2)、以及中间层(Z2)的体积变化率(％)，分别独立地小于5％、优选为小于2％、更优选为小于1％、进一步优选为小于0.1％、更进一步优选为小于0.01％。需要说明的是，更进一步优选基材(Y2)、粘合剂层(X2)、以及中间层(Z2)中不含热膨胀性粒子。
以下，对于基材(Y2)、粘合剂层(X2)、以及中间层(Z2)进行说明。
＜基材(Y2)＞
作为基材(Y2)的形成材料，可以举出与上述的非热膨胀性基材层(Y1-2)的形成材料相同的那些。
需要说明的是，优选基材(Y2)包含树脂，更优选至少在与粘合片(I)层叠侧的基材(Y2)的表面形成了包含树脂的树脂层，进一步优选基材(Y2)为树脂膜或树脂片。
另外，在树脂膜或树脂片中，从在工序(4)的加工对象物的磨削中将加工对象物磨削为极薄时也具有可以稳定保持加工对象物的性质的观点考虑，优选为聚乙烯膜、聚丙烯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，更优选为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜。
需要说明的是，上述的树脂膜或树脂片可以含有公知的填料、着色剂、防静电剂、抗氧剂、有机润滑剂、催化剂等。
另外，树脂膜或树脂片可以是透明的，也可以根据希望进行着色或蒸镀金属等。
此外，从在分离用加热处理后能够用微小的力在界面P一起容易地分离的观点考虑，层叠于粘合片(I)侧的基材(Y2)的表面可以进行剥离处理。
另外，从易于防止将加工对象物粘贴于粘合剂层(X2)时的位置偏移的观点、以及粘贴加工对象物时易于防止过度沉入粘合剂层(X2)的观点考虑，基材(Y2)在23℃下的储能模量E’(23)优选为1.0×106Pa以上。
需要说明的是，只要基材(Y2)的体积变化率为上述范围，也可以含有热膨胀性粒子，从上述观点考虑，基材(Y2)中的热膨胀性粒子的含量越少越好。
作为基材(Y2)中的热膨胀性粒子的含量，相对于基材(Y2)的总质量(100质量％)，通常为低于3质量％、优选为低于1质量％、更优选为低于0.1质量％、进一步优选为低于0.01质量％、更进一步优选为低于0.001质量％。再进一步优选基材(Y2)中不含热膨胀性粒子。
基材(Y2)的厚度优选为5～500μm、更优选为15～300μm、进一步优选为20～200μm。
基材(Y2)的厚度为5μm以上时，易于使高温下的耐变形性(尺寸稳定性)变得优异。另一方面，基材的厚度为500μm以下时，在对粘贴于粘合片(II)的加工对象物实施切削及磨削中的至少任一种加工时，可以抑制振动导致的粘合片(II)的变形，因此易于提高膜厚精度等加工精度。
＜粘合剂层(X2)＞
树脂膜形成用片(II)所具有的粘合剂层(X2)可以使用上述的粘合剂组合物(x1)来形成，其优选的成分、各成分含量的优选范围与粘合剂组合物(x1)相同。
这里，在本发明的一个方式中，粘合剂层(X2)优选为由包含在侧链导入了聚合性官能团的能量线固化型粘合性树脂作为粘合性树脂的粘合剂组合物形成的层，更优选为由包含能量线固化型的丙烯酸类聚合物(B)(以下，也称为“丙烯酸类聚合物(B)”或“(B)成分”)的粘合剂组合物形成的层。
由该粘合剂组合物形成的粘合剂层(X2)在照射能量线之前具有能够充分保持加工对象物的优异的粘合力，在照射能量线之后，粘合力降低。因此，可以容易地将加工品从粘合片(II)上分离。
相对于粘合剂组合物的总量(100质量％)，粘合剂组合物中的(B)成分的含量优选为70质量％以上、更优选为80质量％以上、进一步优选为90质量％以上，另外，优选为99.9质量％以下、更优选为99.0质量％以下、进一步优选为98.0质量％以下。
从具有良好的粘合力、且对于如具有凸块等的半导体晶片等那样的表面的凹凸差异大的加工对象物的跟随性良好的观点考虑，粘合剂层(X2)的厚度优选为1～100μm、更优选为1～75μm、进一步优选为1～50μm。
另外，在作为形成粘合剂层(X2)的材料的粘合剂组合物包含能量线固化性的丙烯酸类聚合物(B)等能量线固化型的粘合性树脂的情况下，优选进一步含有交联剂、光聚合引发剂。
作为交联剂，可以举出与上述的丙烯酸类树脂中配合的交联剂相同的那些，其含量的范围也如上所述，从提高粘合剂层(X2)的凝胶分数、抑制将加工品分离时在该加工品上产生残胶的观点考虑，相对于具有官能团的粘合性树脂100质量份，优选为0.1～20质量份、更优选为0.5～15质量份、进一步优选为1.0～10质量份。
作为光聚合引发剂，可以举出与上述的无溶剂型树脂组合物(y1)中配合的光聚合引发剂相同的那些，其含量的范围也如上所述。
另外，还可以含有除此以外的其它添加剂。
以下，对于粘合剂组合物中包含的能量线固化性的丙烯酸类聚合物(B)进行说明。
((B)成分：能量线固化性的丙烯酸类聚合物(B))
本发明的一个方式中使用的能量线固化性的丙烯酸类聚合物(B)是在非能量线固化性的丙烯酸类聚合物的侧链和/或主链导入聚合性官能团而成的丙烯酸类共聚物。
非能量线固化性的丙烯酸类聚合物可以列举例如：具有来自于带直链或支链的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸类聚合物、具有来自于带环状结构的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的丙烯酸类聚合物等。
聚合性官能团如上所述，但从导入非能量线固化性的丙烯酸类聚合物的容易性的观点考虑，优选为(甲基)丙烯酰基。
(B)成分的重均分子量(Mw)优选为10万～150万、更优选为20万～120万、进一步优选为25万～100万、更进一步优选为30万～90万、再进一步优选为35万～80万。
作为(B)成分，从制成可以通过能量线的照射而有效地降低粘合力的粘合片的观点考虑，优选包含丙烯酸类共聚物(B0)、和与聚合性化合物(Xb)反应而得到的能量线固化性的丙烯酸类共聚物(B1)，所述丙烯酸类共聚物(B0)具有结构单元(b1)及结构单元(b2)，所述结构单元(b1)来自于具有碳原子数1～18的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯(b1’)(以下，也称为“单体(b1’)”)，所述结构单元(b2)来自于含官能团单体(b2’)(以下，也称为“单体(b2’)”)，更优选为能量线固化性的丙烯酸类共聚物(B1)。
需要说明的是，丙烯酸类共聚物(B0)、(B1)的共聚的方式没有特别限定，可以是嵌段共聚物、无规共聚物、接枝共聚物中的任一种。
相对于粘合剂组合物中包含的(B)成分的总量(100质量％)，丙烯酸类共聚物(B1)的含量优选为70～100质量％、更优选为80～100质量％、进一步优选为90～100质量％、更进一步优选为100质量％。
作为单体(b1’)所具有的烷基的碳原子数，优选为1～18、更优选为1～12、进一步优选为1～8、更进一步优选为1～6。
作为单体(b1’)，可以列举作为上述单体(a1’)而示例出的单体，优选为(甲基)丙烯酸丁酯、或(甲基)丙烯酸2-乙基己酯，更优选为(甲基)丙烯酸丁酯。
从提高形成的粘合剂层的粘合力的观点考虑，相对于丙烯酸类共聚物(B0)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类共聚物(B0)中的结构单元(b1)的含量优选为50～99.5质量％、更优选为60～99质量％、进一步优选为70～98质量％、更进一步优选为80～96质量％。
作为单体(b2’)，可以列举作为上述单体(a2’)而示例出的那些，优选为选自含羟基单体、含羧基单体、以及含环氧基单体中的1种以上，更优选为含羟基单体，进一步优选为(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
相对于丙烯酸类共聚物(B0)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类共聚物(B0)中的结构单元(b2)的含量优选为0.5～40质量％、更优选为1～30质量％、进一步优选为2～25质量％、更进一步优选为3～15质量％。
结构单元(b2)的含量为0.5质量％以上时，能够充分确保具有与聚合性化合物(Xb)的反应点的官能团的结构单元(b2)的含量，可以通过能量线的照射而形成固化性高的粘合剂层(X2)，因此，在从粘合剂层(X2)上剥离切削物和/或磨削物时，能够在防止在切削物和/或磨削物上产生粘合剂层(X2)的残渣的同时进行剥离。
另外，结构单元(b2)的含量为40质量％以下时，在涂布粘合剂组合物的溶液而形成粘合剂层(X2)时，能够确保足够的适用期。
需要说明的是，聚合性化合物(Xb)是指具有能够与丙烯酸类共聚物(B0)的结构单元(b2)中的官能团键合的取代基(以下，也称为“反应性官能团”)和聚合性官能团的化合物。
丙烯酸类共聚物(B0)可以具有来自于除上述单体(b1’)及(b2’)以外的其它单体(b3’)的结构单元(b3)。
作为其它单体(b3’)，可以列举作为上述单体(a3’)而示例出的那些。
相对于丙烯酸类共聚物(B0)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类共聚物(B0)中的结构单元(b3)的含量优选为0～20质量％、更优选为0～10质量％、进一步优选为0～5质量％、更进一步优选为0～1质量％。
需要说明的是，上述的单体(b1’)～(b3’)可以单独使用，或者组合2种以上使用。
能量线固化性的丙烯酸类共聚物(B1)可以通过使上述的具有结构单元(b1)及(b2)的丙烯酸类共聚物(B0)与聚合性化合物(Xb)反应而得到。
作为聚合性化合物(Xb)，可以列举作为上述聚合性化合物(Xa)而示例出的那些，其中，优选为具有反应性官能团、且每1个分子具有1～5个聚合性官能团的化合物。
作为上述反应性取代基，可以列举例如：异氰酸酯基、羧基、环氧基等，优选为异氰酸酯基。
作为上述聚合性官能团，如上所述可以列举：(甲基)丙烯酰基、乙烯基等，优选为(甲基)丙烯酰基。
作为具体的聚合性化合物(Xb)，优选为(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。
需要说明的是，聚合性化合物(Xb)可以单独使用，或者组合2种以上使用。
在丙烯酸类共聚物(B1)中，关于丙烯酸类共聚物(B0)所具有的官能团数与聚合性化合物(Xb)的配合量的关系，从得到照射能量线之前具有适度的粘合力、且在照射能量线之后可有效地降低粘合力的粘合片的观点考虑，通过下述式(1)计算出的α值优选为0.5～50、更优选为1.0～40、进一步优选为1.2～35、更进一步优选为1.5～30。
需要说明的是，上述α值相当于丙烯酸类共聚物(B1)所具有的聚合性官能团数。
式(1)：α＝〔PB〕×〔QB〕×〔RB〕/100
(式(1)中，〔PB〕表示结构单元(b2)相对于丙烯酸类共聚物(B0)的全部结构单元100质量份的含量，〔QB〕表示聚合性化合物(Xb)相对于丙烯酸类共聚物(B0)所具有的来自于该含官能团单体的官能团100当量的当量，〔RB〕表示聚合性化合物(Xb)所具有的聚合性官能团数。)
＜中间层(Z2)＞
在本发明的一个方式中，中间层(Z2)由包含非能量线固化性的丙烯酸类聚合物(C)及能量线固化性的丙烯酸类聚合物(D)的中间层形成用组合物(z2)形成。
通过设置中间层(Z2)，可以制成对于如具有凸块的半导体晶片等那样的表面凹凸大的加工对象物的跟随性优异的粘合片(II)。因此，在对粘贴有该粘合片(II)的加工对象物进行切削及磨削中的至少任一种加工时，能够在抑制加工对象物的破损的同时，防止切削屑、磨削屑、切削水、以及磨削水等渗入加工对象物的与粘合片(II)的粘贴面。
需要说明的是，中间层(Z2)可以具有粘合性，也可以不具有粘合性。
中间层(Z2)的厚度可以根据加工对象物的凹凸的程度而适当选择，例如，在加工对象物为半导体晶片、半导体芯片的情况下，可以根据该半导体晶片、半导体芯片所具有的凸块的高度而适当选择，优选为10～800μm、更优选为15～600μm、进一步优选为20～400μm。
中间层(Z2)的厚度为10μm以上时，可以使对凹凸差异大的加工对象物的跟随性变得良好。另一方面，中间层的厚度为800μm以下时，易于抑制粘合片(II)的变形。
从使照射能量线之后的粘合片(II)的中间层(Z2)与粘合剂层(X2)的密合性良好、将切削物和/或磨削物从粘合片(II)剥离时抑制粘合剂层(X2)的断裂、在切削物和/或磨削物表面产生粘合剂层(X2)的残渣的观点考虑，形成作为中间层(Z2)的材料的中间层形成层组合物(z2)优选包含非能量线固化性的丙烯酸类聚合物(C)(以下，也称为“丙烯酸类聚合物(C)”或“(C)成分”)、以及重均分子量为5万～25万的能量线固化性的丙烯酸类聚合物(D)(以下，也称为“丙烯酸类聚合物(D)”或“(D)成分”)。
另外，从进一步提高照射能量线之后的中间层(Z2)与粘合剂层(X2)的密合性的观点考虑，中间层形成用组合物(z2)中的(D)成分相对于(C)成分100质量份的含量优选为25质量份以上、更优选为30质量份以上、进一步优选为37质量份以上、更进一步优选为40质量份以上。
此外，在本发明的一个方式中，从抑制中间层(Z2)的一部分从粘合片(II)的端部渗出的观点考虑，中间层形成用组合物(z2)中的(D)成分相对于(C)成分100质量份的含量优选为150质量份以下、更优选为140质量份以下、进一步优选为130质量份以下。
相对于中间层形成用组合物(z2)的总量(100质量％)，中间层形成用组合物(z2)中的(C)成分及(D)成分的总含量优选为70质量％以上、更优选为80质量％以上、进一步优选为90质量％以上，另外，优选为99.9质量％以下、更优选为99.0质量％以下、进一步优选为98.0质量％以下。
需要说明的是，中间层形成用组合物(z2)除上述(C)成分、(D)成分以外，优选还含有光聚合引发剂、交联剂。另外，还可以含有除此以外的其它添加剂。
作为交联剂，可以列举与上述的丙烯酸类树脂中配合的交联剂相同的那些，其含量的范围也如上所述。
作为光聚合引发剂，可以列举与上述的无溶剂型树脂组合物(y1)中配合的光聚合引发剂相同的那些，其含量的范围也如上所述。
另外，还可以含有除此以外的其它添加剂。
以下，对于中间层形成用组合物(z2)中包含的非能量线固化性的丙烯酸类聚合物(C)及能量线固化性的丙烯酸类聚合物(D)进行说明。
((C)成分：非能量线固化性的丙烯酸类聚合物(C))
作为非能量线固化性的丙烯酸类聚合物(C)，可以列举例如：具有来自于带直链或支链的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的聚合物、具有来自于带环状结构的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的聚合物等。
(C)成分的重均分子量(Mw)优选为30万～150万、更优选为35万～130万、进一步优选为40万～120万、更进一步优选为40万～110万、再进一步优选为45万～90万。
作为(C)成分，从与(D)成分的相容性的观点考虑，优选包含具有结构单元(c1)及结构单元(c2)的烯酸类共聚物(C1)，所述结构单元(c1)来自于具有碳原子数1～18的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯(c1’)(以下，也称为“单体(c1’)”)，所述结构单元(c2)来自于含官能团单体(c2’)(以下，也称为“单体(c2’)”)，更优选为丙烯酸类共聚物(C1)。
需要说明的是，丙烯酸类共聚物(C1)的共聚的方式没有特别限定，可以是嵌段共聚物、无规共聚物、接枝共聚物中的任一种。
相对于中间层形成用组合物(z2)中包含的(C)成分的总量(100质量％)，丙烯酸类共聚物(C1)的含量优选为70～100质量％、更优选为80～100质量％、进一步优选为90～100质量％、更进一步优选为100质量％。
作为单体(c1’)所具有的烷基的碳原子数，从与(D)成分的相容性的观点考虑，更优选为4～12、进一步优选为4～8、更进一步优选为4～6。
作为单体(c1’)，可以列举与上述的单体(a1’)相同的那些。
其中，优选为(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯，更优选为(甲基)丙烯酸丁酯。
相对于丙烯酸类共聚物(C1)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类共聚物(C1)中的结构单元(c1)的含量优选为50～99.5质量％、更优选为60～99质量％、进一步优选为70～95质量％、更进一步优选为80～93质量％。
在结构单元(c1)的含量为50质量％以上时，可以制成对凹凸差异大的加工对象物的跟随性良好的粘合片，因此优选。
另外，在结构单元(c1)的含量为99.5质量％以下时，可以充分确保结构单元(c2)的含量，使与(D)成分的相容性良好，因此优选。
另外，丙烯酸类共聚物(C1)优选具有结构单元(c11)作为结构单元(c1)，所述结构单元(c11)来自于具有碳原子数4以上(优选为4～12、更优选为4～8、进一步优选为4～6)的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。
相对于丙烯酸类共聚物(C1)所具有的结构单元(c1)的总量(100质量％)，结构单元(c1)中的结构单元(c11)的含有比率优选为60质量％以上、更优选为70质量％以上、进一步优选为80质量％以上、更进一步优选为85质量％以上，另外，优选为100质量％以下。
作为单体(c2’)所具有的官能团，可以列举与上述的单体(a2’)所具有的官能团相同的那些。
对于具体的单体(c2’)，可以列举与上述的单体(a2’)相同的那些。
其中。优选为选自含羟基单体、含羧基单体、以及含环氧基单体中的1种以上，更优选为含羧基单体。
对于含羟基单体、含羧基单体、以及含环氧基单体的具体例子，与上述的单体(a2’)相同。
相对于丙烯酸类共聚物(C1)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类共聚物(C1)中的结构单元(c2)的含量优选为0.5～50质量％、更优选为1～40质量％、进一步优选为5～30质量％、更进一步优选为7～20质量％。
结构单元(c2)的含量为0.5质量％以上时，可以使与(D)成分的相容性良好，因此优选。
另外，结构单元(c2)的含量为50质量％以下时，可以制成对凹凸差异大的被粘附物的跟随性良好的粘合片，因此优选。
丙烯酸类共聚物(C1)可以具有来自于除上述单体(c1’)及(c2’)以外的其它单体(c3’)的结构单元(c3)。
作为其它单体(c3’)，可以列举与上述的单体(a3’)相同的那些。
相对于丙烯酸类共聚物(C1)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类共聚物(C1)中的结构单元(c3)的含量优选为0～30质量％、更优选为0～20质量％、进一步优选为0～10质量％、更进一步优选为0～5质量％。
需要说明的是，上述的单体(c1’)～(c3’)可以单独使用，或者组合2种以上使用。
((D)成分：能量线固化性的丙烯酸类聚合物(D))
能量线固化性的丙烯酸类聚合物(D)是向非能量线固化性的丙烯酸类聚合物导入了聚合性官能团的丙烯酸类聚合物。
需要说明的是，上述聚合性官能团被导入至非能量线固化性的丙烯酸类聚合物的主链和/或支链。
可以认为，通过在中间层含有(D)成分，在照射能量线时，(D)成分与粘合剂层(X2)中的(B)成分发生反应而键合，粘合片(II)的中间层(Z2)与粘合剂层(X2)的密合性提高。另外，可以认为粘合剂层(X2)和中间层(Z2)变得牢固，可以抑制残胶。因此，在从粘合片(II)上剥离切削物和/或磨削物时，能够抑制粘合剂层(X2)的残留。
作为非能量线固化性的丙烯酸类聚合物，可以列举：具有来自于带直链或支链的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸类聚合物、具有来自于带环状结构的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的丙烯酸类聚合物等。
聚合性官能团只要是包含能量线聚合性的碳-碳双键的基团即可，可以列举例如：(甲基)丙烯酰基、乙烯基等，从容易导入能量线聚合基团的观点考虑，优选为(甲基)丙烯酰基。
需要说明的是，该能量线聚合性基可以经由亚烷基、亚烷基氧基、聚亚烷基氧基等而键合于非能量线固化性的丙烯酸类聚合物的主链或侧链。
(D)成分的重均分子量(Mw)优选为5万～25万、更优选为6万～22万、进一步优选为7万～20万、更进一步优选为8万～18万、再进一步优选为8.5万～15万。
(D)成分的Mw小于5万时，得到的粘合片的经时稳定性变差。即，在长期间保管该粘合片时，(D)成分的一部分向粘合剂层内转移，该粘合片的粘合力变得不稳定，而且照射能量线之后粘合剂层(X2)容易过度固化。其结果，对于该粘合片而言，在长期间保管后使用的情况、或在以粘贴了加工对象物的状态下长期间放置的情况下，照射能量线之后的中间层(Z2)与粘合剂层(X2)的密合性变得不足，因此，在剥离该粘合片时，有时粘合剂层(X2)断裂、粘合剂层(X2)的残渣附着于切削物和/或磨削物。
另一方面，(D)成分的Mw超过25万时，照射能量线之后的中间层(Z2)与粘合剂层(X2)的密合性容易变差，在将切削物/磨削物从粘合片(II)上剥离时，有时粘合剂层(X2)断裂、粘合剂层(X2)的残渣附着于切削物和/或磨削物。
作为(D)成分，从制成经时稳定性优异的粘合片的观点、以及制成提高形成的中间层(Z2)与粘合剂层(X2)在照射能量线之后的密合性的粘合片的观点考虑，优选包含丙烯酸类共聚物(D0)、和与聚合性化合物(Xd)反应而得到的能量线固化性的丙烯酸类共聚物(D1)，所述丙烯酸类共聚物(D0)具有结构单元(d1)及结构单元(d2)，所述结构单元(d1)来自于具有碳原子数1～18的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯(d1’)(以下，也称为“单体(d1’)”)，所述结构单元(d2)来自于含官能团单体(d2’)(以下，也称为“单体(d2’)”)，更优选为能量线固化性的丙烯酸类共聚物(D1)。
需要说明的是，丙烯酸类共聚物(D0)、(D1)的共聚的方式没有特别限定，可以是嵌段共聚物、无规共聚物、接枝共聚物中的任一种。
相对于中间层形成用组合物(z2)中包含的(D)成分的总量(100质量％)，丙烯酸类共聚物(D1)的含量优选为70～100质量％、更优选为80～100质量％、进一步优选为90～100质量％、更进一步优选为100质量％。
作为单体(d1’)所具有的烷基的碳原子数，更优选为4～12、进一步优选为4～8、更进一步优选为4～6。
作为单体(d1’)，可以举出作为上述的单体(a1’)而示例出的那些。
其中，优选为(甲基)丙烯酸丁酯或(甲基)丙烯酸2-乙基己酯，更优选为(甲基)丙烯酸丁酯。
相对于丙烯酸类共聚物(D0)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类共聚物(D0)中的结构单元(d1)的含量优选为50～99质量％、更优选为55～95质量％、进一步优选为60～90质量％、更进一步优选为65～85质量％。
结构单元(d1)的含量为50质量％以上时，可以充分保持待形成的中间层(Z2)的形状，因此优选。
另外，结构单元(d1)的含量为99质量％以下时，能够充分确保具有成为与聚合性化合物(Xd)的反应位点的官能团的结构单元(d2)的含量，可以提高形成的中间层(Z2)与粘合剂层(X2)在照射能量线之后的密合性，因此优选。
作为单体(d2’)，可以举出作为上述的单体(a2’)而示例出的那些，优选为选自含羟基单体、含羧基单体、以及含环氧基单体中的1种以上，更优选为含羟基单体，进一步优选为(甲基)丙烯酸羟基丙烯酸酯，更进一步优选为(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
相对于丙烯酸类共聚物(D0)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类共聚物(D0)中的结构单元(d2)的含量优选为1～50质量％、更优选为5～45质量％、进一步优选为10～40质量％、更进一步优选为15～35量％。
结构单元(d2)的含量为1质量％以上时，可以确保与聚合性化合物(Xd)的足够的反应点来提高形成的中间层(Z2)与粘合剂层(X2)在照射能量线之后的密合性，因此优选。
另外，结构单元(d2)的含量为50质量％以下时，可以充分保持待形成的中间层(Z2)的形状，因此优选。
丙烯酸类共聚物(D0)可以具有来自于除上述单体(d1’)及(d2’)以外的其它单体(d3’)的结构单元(b3)。
作为其它单体(d3’)，可以列举作为上述的单体(a3’)而示例出的那些。
相对于丙烯酸类共聚物(D0)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类共聚物(D0)中的结构单元(d3)的含量优选为0～30质量％、更优选为0～20质量％、进一步优选为0～10质量％、更进一步优选为0～5质量％。
需要说明的是，上述的单体(d1’)～(d3’)可以单独使用，或者组合2种以上使用。
能量线固化性的丙烯酸类共聚物(D1)是该丙烯酸类共聚物(D0)的结构单元(d2)中的官能团与聚合性化合物(Xd)反应而将聚合性化合物(Xd)所具有的聚合性官能团导入丙烯酸类共聚物(D0)的主链及侧链中的至少任一者而成的化合物。
聚合性化合物(Xd)只要是具有聚合性官能团、且具有反应性官能团的化合物即可，没有特别限制。
需要说明的是，在聚合性化合物(Xd)当中，优选为具有上述反应性取代基、且每1分子具有1～5个聚合性官能团的化合物。
作为上述反应性取代基，可以列举例如：异氰酸酯基、羧基、环氧基等，优选为异氰酸酯基。
作为上述聚合性官能团，如上所述，可以列举：(甲基)丙烯酰基、乙烯基等，优选为(甲基)丙烯酰基。
作为具体的聚合性化合物(Xd)，可以列举与上述的聚合性化合物(Xb)相同的那些。
聚合性化合物(Xd)可以单独使用，或者组合2种以上使用。
其中，从具有合适的异氰酸酯基作为上述反应性取代基、且丙烯酸类共聚物(D0)与能量线聚合性基团的距离适当的化合物的观点考虑，优选为(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。
在丙烯酸类共聚物(D1)中，关于丙烯酸类共聚物(D0)所具有的官能团数与聚合性化合物(Xd)的配合量的关系，从提高形成的中间层(Z2)与粘合剂层(X2)在照射能量线之后的密合性的观点考虑，根据下述式(2)计算出的β值优选为1～50、更优选为2～40、进一步优选为3～35、更进一步优选为5～30。
需要说明的是，上述β值相当于丙烯酸类共聚物(D1)所具有的能量线聚合性基团数。
式(2)：β＝〔Pd〕×〔Qd〕×〔Rd〕/100
(式(2)中，〔Pd〕表示结构单元(d2)相对于丙烯酸类共聚物(D0)的全部结构单元100质量份的含量，〔Qd〕表示聚合性化合物(Xd)相对于来自于丙烯酸类共聚物(D0)所具有的该含官能团单体的官能团100当量的当量，〔Rd〕表示聚合性化合物(Xd)所具有的聚合性官能团数。)
(中间层形成用组合物中包含的其它添加剂)
中间层形成用组合物(z2)在不损害本发明效果的范围可以含有其它添加剂。
作为其它添加剂，可以列举例如：抗氧剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、颜料、染料、增粘剂等。
在含有这些添加剂的情况下，各添加剂的含量相对于(A)成分100质量份优选为0.01～6质量份、更优选为0.01～2质量份。
＜剥离材料＞
本发明的一个方式的粘合性层叠体可以在待与加工对象物粘贴的粘合剂层(X1)及(X2)的表面进一步层叠剥离材料。
作为剥离材料，可以使用实施了双面剥离处理的剥离片、实施了单面剥离处理的剥离片等，可以举出在剥离材料用基材上涂布剥离剂而成的剥离材料等。
作为剥离材料用基材，可以列举例如：全化浆纸、玻璃纸、牛皮纸等纸类；聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等聚酯树脂膜、聚丙烯树脂、聚乙烯树脂等烯烃树脂膜等塑料膜；等等。
作为剥离剂，可以列举例如：有机硅类树脂、烯烃类树脂、异戊二烯类树脂、丁二烯类树脂等橡胶类弹性体、长链烷基类树脂、醇酸类树脂、氟树脂等。
剥离材料的厚度没有特别限制，优选为10～200μm、更优选为25～170μm、进一步优选为35～80μm。
＜粘合片(II)的物性＞
在本发明的一个方式中，从更容易进行工序(4)中的切削、磨削的观点考虑，优选粘合片(II)满足下述要件(α)～(γ)中的1项以上，更优选满足下述要件(α)～(γ)中的任意两项，进一步优选满足全部要件(α)～(γ)。
·要件(α)：基材(Y2)的杨氏模量为1.0MPa以上。
·要件(β)：基材(Y2)的厚度为5μm以上。
·要件(γ)：粘合剂层(X2)的储能模量G’(23℃)为0.10MPa以上。
需要说明的是，从更容易进行工序(4)中的切削、磨削的观点考虑，要件(α)中限定的基材(Y2)的杨氏模量优选为1.0～1000Mpa、更优选为1.5～800Mpa、进一步优选为2.0～500MPa。
另外，从更容易进行工序(4)中的切削、磨削的观点考虑，要件(β)中限定的基材(Y2)的厚度优选为5～250μm、更优选为10～230μm、进一步优选为20～210μm。
另外，从更容易进行工序(4)中的切削、磨削的观点考虑，要件(γ)中限定的粘合剂层(X2)的储能模量G’(23℃)优选为0.10～1MPa、更优选为0.12～0.9MPa、进一步优选为0.14～0.8MPa。
[加工品的制造方法的各工序]
接下来，对于本发明的加工品的制造方法的各工序进行详细说明。
本发明的加工品的制造方法是使用粘合性层叠体来制造实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品的方法，
所述粘合性层叠体具备热膨胀性的粘合片(I)、及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、并且在任意层中包含热膨胀起始温度(t)的热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，
所述加工品的制造方法依次具有下述工序(1)～(3)，
·工序(1)：将所述粘合性层叠体的粘合剂层(X1)的表面粘贴于支撑体，并且将加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的工序；
·工序(2)：对所述加工对象物实施一种以上的加工的工序；
·工序(3)：通过在所述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的加热，在保持将所述加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的状态的同时，将所述粘合性层叠体在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P进行分离的工序，
所述加工品的制造方法进一步具有下述工序(4)，
·工序(4)：对于所述加工对象物的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施切削及磨削中的至少任一种加工的工序，
在下述(X)及(Y)中的至少任一种情况下实施所述工序(4)，
(X)：在作为所述一种以上的加工的所述工序(2)中实施，
(Y)：在所述工序(3)之后实施。
在本发明的制造方法中，使用上述的粘合性层叠体。具体而言，将粘合性层叠体的粘合片(I)的粘合剂层(X1)的表面粘贴于支撑体，并且将加工对象物粘贴于粘合性层叠体的粘合片(II)的粘合剂层(X2)的表面而使用。因此，可以在将加工对象物固定于支撑体的状态下实施给定的加工。而且，在实施了该给定的加工之后，粘贴有实施了该给定的加工的加工对象物的粘合片(II)可以用微小的力从粘合片(I)上一起容易地分离。即，可以从支撑体上将粘贴有实施了该给定的加工的加工对象物的粘合片(II)容易地分离。因此，可以不用将实施了该给定的加工的加工对象物粘贴于新的粘合片而供于下一工序。
以下，适当参照图4及图5对本发明的制造方法的各工序进行说明。
＜工序(1)＞
图4(a)及图5(a)是示出通过粘合性层叠体将加工对象物粘贴于支撑体的状态的剖面示意图。
在工序(1)中，如图4(a)及图5(a)所示，经由上述第一方式的粘合性层叠体1a将加工对象物60、70粘贴于支撑体50，依次层叠上述支撑体、上述粘合性层叠体、以及上述加工对象物。
需要说明的是，在图4及图5中，示出了使用图1(a)所示的粘合性层叠体1a的例子，但在使用具有其它结构的本发明的粘合性层叠体的情况下，同样地依次层叠上述支撑体、上述粘合性层叠体、以及上述加工对象物。
如图4(a)及图5(a)所示，在工序(1)中，将加工对象物60、70粘贴于上述粘合性层叠体所具有的粘合片(II)的粘合剂层(X2)，并且将上述粘合性层叠体所具有的粘合片(I)的粘合剂层(X1)和支撑体50粘贴。
需要说明的是，作为粘贴于粘合性层叠体的加工对象物，可以列举例如：半导体芯片、半导体晶片、化合物半导体、半导体封装、电子部件、蓝宝石基板、显示器、面板用基板等。
另外，加工对象物可以是在表面形成了切入槽的半导体晶片等，也可以将该切入槽的形成面侧与粘合片(II)的粘合剂层(X2)贴合。另外，加工对象物可以是通过激光照射而预先在内部形成了改性区域的半导体晶片等。在该情况下，通过在工序(4)中进行磨削，可以以切入槽或改性区域作为分割起点而将加工对象物分割。
即，在加工对象物为在表面形成了切入槽的半导体晶片的情况下，本发明的一个方式的制造方法的工序(1)为下述工序(1-C)，上述工序(4)为下述工序(4-C)，
·工序(1-C)：将上述粘合性层叠体的粘合剂层(X1)的表面粘贴于支撑体，并且将上述半导体晶片的具有切入槽的面粘贴于上述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的工序，
·工序(4-C)：对于上述半导体晶片的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施磨削的工序。
另外，在加工对象物是具有作为分割起点的改性区域的半导体晶片的情况下，本发明的一个方式的制造方法的工序(4)为下述工序(4-A)，
·工序(4-A)：对于上述半导体晶片的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施磨削的工序。
上述支撑体可以用于在工序(2)中固定加工对象物而提高加工的精度。
优选上述支撑体粘贴于粘合性层叠体的粘合剂层(X1)的整个粘合表面。
因此，支撑体优选为板状。另外，如图4及图5所示，与粘合剂层(X1)的粘合表面122a粘贴一侧的支撑体50的表面的面积优选为粘合剂层(X1)的粘合表面122a的面积以上。
作为构成上述支撑体的材质，可以根据加工对象物的种类、工序(α-2)中实施的加工，在考虑机械强度、耐热性等所要求的特性的基础上适宜选择。
作为具体的构成支撑体的材质，可以列举例如：SUS等金属材料；玻璃、硅晶片等非金属无机材料；环氧树脂、ABS树脂、丙烯酸树脂、工程塑料、超级工程塑料、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂等树脂材料；玻璃环氧树脂等复合材料等，其中，优选为SUS、玻璃、以及硅晶片等。
需要说明的是，作为工程塑料，可以列举：尼龙、聚碳酸酯(PC)、以及聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。
作为超级工程塑料，可以列举：聚苯硫醚(PPS)、聚醚砜(PES)、以及聚醚醚酮(PEEK)等。
支撑体的厚度可以考虑到要求的特性等而适当选择，优选为20μm以上且50mm以下、更优选为60μm以上且20mm以下。
作为工序(1)中的温度条件，只要低于热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)即可。
＜工序(2)＞
在工序(2)中，对于工序(1)中粘贴于本发明的粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的上述加工对象物实施一种以上的加工。
作为工序(2)中实施的加工处理，可以列举例如：使用树脂对加工对象物的密封处理、在加工对象物上形成作为分割起点的改性区域的处理、电路形成处理、蚀刻处理、镀敷处理、溅射处理、蒸镀处理、保护膜形成处理、使用了另行准备的粘合片的层压处理等。
另外，工序(2)中实施的加工处理可以是对于加工对象物的切削及磨削中的至少任一种加工处理。
即，工序(2)中实施的加工处理可以是包含对加工对象物进行切削的工序及进行磨削的工序中的至少任一种工序，也可以是不包含对加工对象物进行切削的工序及进行磨削的工序的加工。
工序(2)中的温度条件也与工序(1)同样，只要低于热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)即可。
以下，作为工序(2)，在进行在加工对象物上形成作为分割起点的改性区域的处理(工序(2-A))情况下，列举进行使用树脂对加工对象物的密封处理(工序(2-B))的情况作为例子进行说明。
(工序(2-A))
工序(2-A)是加工对象物为半导体晶片、且在该半导体晶片上形成作为分割起点的改性区域的工序。
具体而言，如图4(b)所示，将半导体晶片的与和粘合片(II)的粘贴面相反侧的面作为激光入射面，通过以激光的聚光点在半导体晶片的内部的方式照射激光，形成多光子吸收等产生的改性区域71。改性区域71通过在工序(4)中进行磨削而作为半导体晶片的分割起点发挥功能。
需要说明的是，在图4所示的制造例中，在工序(3)之后实施工序(4)，在工序(2-A)之后，可以实施工序(4)的磨削作为工序(2)中的一种以上的加工之一。在该情况下，可以不将单片化后的半导体晶片从粘合片(II)上分离，而在将单片化后的半导体晶片粘贴于粘合片(II)的状态下供于下一工序。
即，在本发明的一个方式的制造方法中，加工对象物为半导体晶片，工序(2)中的一种以上的加工包括下述工序(2-A)，
·工序(2-A)：在上述半导体晶片上形成作为分割起点的改性区域的工序，
工序(4)为下述工序(4-A)，
·工序(4-A)：对上述半导体晶片的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施磨削的工序，
在下述(X-A)或(Y-A)的情况下实施工序(4-A)，
(X-A)：在作为一种以上的加工的工序(2-A)之后实施，
(Y-A)：在工序(3)之后实施。
(工序(2-B))
工序(2-B)是如下工序：加工对象物为半导体芯片，用密封材料包覆该半导体芯片、以及粘合剂层(X2)的粘合表面中的上述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到上述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体。
如图5所示，在本发明的制造方法具有工序(2-B)的情况下，在工序(1)中，使用半导体芯片60作为加工对象物。
半导体芯片60可以使用现有公知的芯片，其电路面由集成电路形成，所述集成电路由晶体管、电阻、电容器等电路元件构成。
然后，优选放置半导体芯片60的电路面，并使其被粘合片(II)的粘合剂层(X2)的粘合表面包覆。半导体芯片的放置可以使用倒装芯片焊接器、芯片焊接器等公知的装置。
半导体芯片60的配置的布局、配置数量等可以根据目标的封装的形式、生产数量等而适当确定。
这里，作为本发明的一个方式的制造方法，优选应用于如下封装：如FOWLP、FOPLP等那样，在大于芯片尺寸的区域用密封材料包覆半导体芯片60，不仅在半导体芯片60的电路面，而且在密封材料的表面区域也形成再布线层。
因此，半导体芯片60放置于粘合剂层(X2)的粘合表面的一部分，优选多个半导体芯片60以空开一定间隔排列的状态放置于该粘合表面，更优选多个半导体芯片60以空开一定间隔、且排列成多行多列的阵列状的状态放置于该粘合表面。
半导体芯片60彼此的间隔可以根据目标的的封装的形式等而适当确定。
然后，在工序(2-B)中，用密封材料包覆上述半导体芯片60和该半导体芯片60的至少周边部的粘合剂层(X1)的粘合表面(以下，也称为“包覆工序”)，使该密封材料固化，得到上述半导体芯片60被固化密封材料密封而成的固化密封体61(以下，也称为“固化工序”)。
通过将半导体芯片60放置在粘合剂层(X2)的粘合表面的一部分，形成粘合剂层(X2)的粘合表面中半导体芯片60的周边部。
即，半导体芯片60的周边部是指，多个半导体芯片60中，相当于相邻的半导体芯片60彼此的间隙的粘合剂层(X2)的粘合表面。
在工序(2-B)的包覆工序中，首先用密封材料包覆半导体芯片60、和粘合剂层(X2)的粘合表面中的半导体芯片60的周边部。密封材料包覆半导体芯片CP的露出的整个面、且填充于多个半导体芯片CP彼此的间隙。
密封材料具有保护半导体芯片CP及其附属元件免受外部环境影响的功能。
作为密封材料，可以从用作半导体密封材料的材料中适当选择任意的材料，例如可以举出：包含热固化性树脂的密封材料、包含能量线固化性树脂的密封材料等。
另外，密封材料可以在室温下为颗粒状、片状等固体形态，也可以是成为组合物形态的液体形态，从操作性的观点考虑，优选为片状的密封材料。
作为使用密封材料包覆半导体芯片60及其周边部的方法，可以根据密封材料的种类从目前半导体密封工序中应用的方法中适当选择来应用，例如，可以应用辊层压法、真空压制法、真空层压法、旋涂法、模涂法、传递模塑成型法、压缩成型模塑法等。
然后，在进行了包覆工序之后，使密封材料固化，可以得到半导体芯片60被固化密封材料密封而成的固化密封体61。
需要说明的是，工序(2-B)的包覆工序及固化工序优选在低于热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)的温度条件下进行。
另外，包覆工序与固化工序可以分别实施，在包覆工序中加热密封材料的情况下，可以通过该加热直接使密封材料固化，同时实施包覆工序和固化工序。
需要说明的是，在图5所示的制造例中，在工序(3)之后实施工序(4)，但也可以在工序(2-B)之后实施工序(4)作为工序(2)中的一种以上的加工之一。在该情况下，可以不将固化密封体从粘合片(II)上分离，而在将固化密封体粘贴于粘合片(II)的状态下供于下一工序。
即，在本发明的一个方式的制造方法中，加工对象物为半导体芯片，工序(2)中的一种以上的加工包括下述工序(2-B)，
·工序(2-B)：用密封材料包覆上述半导体芯片、和粘合剂层(X2)的粘合表面中的上述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到上述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序，
在下述(X-B)及(Y-B)中的至少任一种情况下实施工序(4)，
(X-B)：在作为上述一种以上的加工的上述工序(2-B)之后实施，
(Y-B)：在上述工序(3)之后实施。
＜工序(3)＞
在工序(3)中，通过膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理(分离用加热处理)，在上述粘合性层叠体的粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P发生分离。
图4(c)及图5(c)是示出通过分离用加热处理而在界面P分离的状态的剖面示意图。
在图4(c)及图5(c)中，示出了通过分离用加热处理而以实施了给定的加工的加工对象物层叠在粘合片(II)上的状态分离的状态。
作为工序(3)中的分离用加热处理时的“膨胀起始温度(t)以上的温度”，优选为“膨胀起始温度(t)+10℃”以上且“膨胀起始温度(t)+60℃”以下，更优选为“膨胀起始温度(t)+15℃”以上且“膨胀起始温度(t)+40℃”以下。
由此，可以以层叠(粘贴)有工序(2)中实施了给定的加工的加工对象物的状态将粘合片(II)从粘合片(I)上分离而从支撑体上分离，因此，能够省略将分离后的加工对象物粘贴于粘合片的操作，供于下一工序。
＜工序(4)＞
在工序(4)中，对加工对象物的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施切削及磨削中的至少任一种加工。
例如，通过对该加工对象物实施切削，可以将该加工对象物分割为希望的大小。另外，通过实施磨削，可以将该加工对象物调整为希望的厚度。需要说明的是，也可以进行切削和磨削这两种加工，进行加工对象物的分割和厚度的调整。
另外，例如如图4(d)所示，对于通过激光照射形成了作为分割起点的改性区域的半导体晶片的与和粘合片(II)的粘贴面相反侧的面进行磨削，由此，在使半导体晶片减薄而处于易于割断的状态之后，利用磨削磨石等的加工压力使改性区域71作为分割起点而产生间隙72，从而可以将半导体晶片单片化为给定的大小，制成半导体芯片。
另外，如图5(d)所示，通过对固化密封体61进行切削，可以得到以半导体芯片CP单元将固化密封体61单片化而成的固化密封体的单片化物61a。用于使固化密封体61单片化的切削方法没有特别限定，可以举出例如划片机(dicing saw)等切断装置等。
另外，虽然省略了图示，但为了使半导体芯片的电路表面露出，可以对固化密封体61进行磨削。
需要说明的是，在工序(1)～(4)之间、工序(1)之前、工序(4)之后，可以进一步具有其它工序。例如，可以具有再布线形成工序等。
另外，如上所述，工序(4)可以作为工序(2)中的一种以上加工之一而实施，或者也可以在工序(3)之后实施。另外，工序(4)可以作为工序(2)中的一种以上加工之一而实施，并且在工序(3)之后实施。
例如，作为工序(2)中的一种以上加工之一，可以对加工对象物的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面进行磨削，在工序(3)之后进行切削。
另外，作为工序(2)中的一种以上加工之一，可以仅对加工对象物的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面的一个方向(例如，加工对象物的XY平面中的X轴方向)进行切削，将加工对象物分割成长方形，在工序(3)之后仅对其它方向(例如，加工对象物的XY平面中的Y轴方向)进行切削，将分割成长方形的加工对象物进一步细小地分割(例如为正方形)。
实施例
通过以下的实施例对本发明更具体地进行说明，但本发明并不限定于以下的实施例。需要说明的是，以下的制造例及实施例中的物性值是通过以下方法测得的值。
＜重均分子量(Mw)＞
使用凝胶渗透色谱装置(东曹株式会社制造，产品名“HLC-8020”)在下述条件下进行测定，使用了换算为标准聚苯乙烯的测定值。
(测定条件)
·色谱柱：将“TSK guard column HXL-L”“TSK gel G2500HXL”“TSK gelG2000HXL”“TSK gel G1000HXL”(均为东曹株式会社制造)依次连接而成的色谱柱
·柱温：40℃
·洗脱溶剂：四氢呋喃
·流速：1.0mL/分
＜各层的厚度的测定＞
使用Teclock公司制造的恒压测厚仪(型号：“PG-02J”，按照标准：JIS K6783、Z1702、Z1709)进行了测定。
＜热膨胀性粒子的平均粒径(D50)、90％粒径(D90)＞
使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如，Malvern公司制造，产品名“Mastersizer 3000”)测定了23℃下膨胀前的热膨胀性粒子的粒子分布。
然后，将相当于从粒子分布中粒径小者起计算的累积体积频率为50％及90％的粒径分别作为“热膨胀性微粒的平均粒径(D50)”及“热膨胀性粒子的90％粒径(D90)”。
＜热膨胀性基材层(Y1-1)的储能模量E’＞
将形成的热膨胀性基材层(Y1-1)制成纵5mm×横30mm×厚度200μm的大小，将去除了剥离材料的基材作为试验样品。
使用动态粘弹性测定装置(TA Instruments公司制造，产品名“DMAQ800”)在试验起始温度0℃、试验结束温度300℃、升温速度3℃/分、振动频率1Hz、振幅20μm的条件下，测定了给定温度下该试验样品的储能模量E’。
＜第1粘合剂层(X11)、第2粘合剂层(X12)、以及粘合剂层(X2)的剪切模量G’＞
将形成的第1粘合剂层(X11)、第2粘合剂层(X12)、以及粘合剂层(X2)切成直径8mm的圆形，去除剥离材料，使其叠合而使厚度为3mm，将其作为试验样品。
使用粘弹性测定装置(Anton Paar公司制造，装置名“MCR300”)在试验起始温度0℃、试验结束温度300℃、升温速度3℃/分、振动频率1Hz的条件下，通过扭转剪切法测定了试验样品在给定温度下的剪切模量G’。
＜探针粘性值＞
将作为测定对象的基材切成边长10mm的正方形，然后在23℃、50％RH(相对湿度)的环境下静置24小时，作为试验样品。
在23℃、50％RH(相对湿度)的环境下使用粘性试验仪(日本特殊测器株式会社制造，产品名“NTS-4800”)，按照JIS Z0237:1991测定了试验样品表面的探针粘性值。
具体而言，在1秒钟、接触负荷0.98N/cm2的条件下使直径5mm的不锈钢制探针接触试验样品的表面后，测定了以10mm/秒的速度使该探针离开试验样品的表面所需要的力，将测得的值作为该试验样品的探针粘性值。
＜分离加热处理前的粘合剂层的粘合力的测定＞
在剥离膜上形成的粘合剂层的粘合表面上层叠厚度50μm的PET膜(东洋纺株式会社制造、产品名“Cosmoshine A4100”)，制成带有基材的粘合片。
然后，去除剥离膜，将露出的粘合剂层的粘合表面粘贴于作为被粘附物的不锈钢板(SUS304 360号抛光)，在23℃、50％RH(相对湿度)的环境下静置24小时，然后在相同环境下，基于JIS Z0237:2000通过180°剥离法以拉伸速度300mm/分测定了23℃下的粘合力。
以下的实施例中的各层的形成所使用的粘合性树脂、添加剂、热膨胀性粒子、以及剥离材料的详细情况如下所述。
＜粘合性树脂＞
·丙烯酸类共聚物(i)：Mw为60万的丙烯酸类共聚物，其具有来自于由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)/丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)＝80.0/20.0(质量比)构成的原料单体的结构单元。
·丙烯酸类共聚物(ii)：Mw为60万的丙烯酸类共聚物，其具有来自于由丙烯酸正丁酯(BA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)/丙烯酸＝86.0/8.0/5.0/1.0(质量比)构成的原料单体的结构单元。
＜添加剂＞
·异氰酸酯交联剂(i)：东曹株式会社制造、产品名“Coronate L”、固体成分浓度：75质量％。
·光聚合引发剂(i)：BASF公司制造、产品名“Irgacure 184”、1-羟基环己基苯基酮。
＜热膨胀性粒子＞
·热膨胀性粒子(i)：Japan Fillite公司、产品名“Expancel 031DU40”、膨胀起始温度(t)＝90℃、平均粒径(D50)＝22μm、90％粒径(D90)＝30μm。
＜剥离材料＞
·重剥离膜：琳得科株式会社制造，产品名“SP-PET382150”，在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的一面设置有由有机硅类剥离剂形成的剥离剂层，厚度：38μm。
·轻剥离膜：琳得科株式会社制造，产品名“SP-PET381031”，在PET膜的一面设置有由有机硅类剥离剂形成的剥离剂层，厚度：38μm。
[实施例1]
按照以下步骤制作了粘合性层叠体，所述粘合性层叠体具有在图2(b)所示的粘合性层叠体1d中，在粘合片(I)的第2粘合剂层(X12)及粘合片(II)的粘合剂层(X2)上进一步层叠有剥离材料的结构、且在粘合片(II)的基材(Y2)与粘合剂层(X2)之间设有中间层(Z2)。
[1]粘合片(I)的制作
(1-1)第1粘合剂层(X11)的形成
在作为粘合性树脂的上述丙烯酸类共聚物(i)的固体成分100质量份中配合上述异氰酸酯类交联剂(i)5.0质量份(固体成分比)，用甲苯稀释，均匀搅拌，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)25质量％的粘合剂组合物。
然后，在上述重剥离膜的剥离剂层的表面涂布该粘合剂组合物，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥60秒钟，形成了厚度5μm的作为非热膨胀性粘合剂层的第1粘合剂层(X11)。
需要说明的是，第1粘合剂层(X11)在23℃下的剪切模量G’(23)为2.5×105Pa。
另外，基于上述方法测得的第1粘合剂层(X11)的粘合力为0.3N/25mm。
(1-2)第2粘合剂层(X12)的形成
在作为粘合性树脂的上述丙烯酸类共聚物(ii)的固体成分100质量份中配合上述异氰酸酯类交联剂(i)0.8质量份(固体成分比)，用甲苯稀释，均匀搅拌，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)25质量％的粘合剂组合物。
然后，在上述轻剥离膜的剥离剂层的表面涂布该粘合剂组合物，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥60秒钟，形成了厚度10μm的第2粘合剂层(X12)。
需要说明的是，第2粘合剂层(X12)在23℃下的剪切模量G’(23)为9.0×104Pa。
另外，基于上述方法测得的第2粘合剂层(X12)的粘合力为1.0N/25mm。
(1-3)基材(Y1)的制作
(1-3-1)组合物(y1-1)的制备
使酯型二醇与异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)反应而得到末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物，并使其与丙烯酸2-羟基乙酯反应，得到了重均分子量(Mw)5000的2官能的丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物。
然后，向上述合成的丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物40质量％(固体成分比)中配合作为能量线聚合性单体的丙烯酸异冰片酯(IBXA)40质量％(固体成分比)及丙烯酸苯基羟丙酯(HPPA)20质量％(固体成分比)，相对于丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物及能量线聚合性单体的总量(100质量份)，进一步配合光聚合引发剂(i)2.0质量份(固体成分比)及作为添加剂的酞菁类颜料0.2质量份(固体成分比)，制备了能量线固化性组合物。
然后，向该能量线固化性组合物中配合上述热膨胀性粒子(i)，制备了不含溶剂的无溶剂型组合物(y1-1)。
需要说明的是，相对于组合物(y1-1)的总量(100质量％)，热膨胀性粒子(i)的含量为20质量％。
(1-3-2)基材(Y1)的制作
在作为非热膨胀性基材的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(东洋纺株式会社制造、产品名“Cosmoshine A4300”、探针粘性值：0mN/5mmφ)的表面上涂布制备成的组合物(y1-1)，形成了涂膜。
然后，使用紫外线照射装置(EYE GRAPHICS公司制造、产品名“ECS-401GX”)及高压水银灯(EYE GRAPHICS公司制造、产品名“H04-L41”)，在照度160mW/cm2、光量500mJ/cm2的条件下照射紫外线，使该涂膜固化，形成了厚度50μm的热膨胀性基材(Y-1)。需要说明的是，照射紫外线时的上述的照度及光量是使用照度/光能测定仪(EIT公司制造、产品名“UV PowerPuck II”)测得的值。
另外，作为上述的非热膨胀性基材的PET膜相当于非热膨胀性基材层(Y1-2)。
需要说明的是，作为测定热膨胀性基材层(Y1-1)物性值的样品，在上述轻剥离膜的剥离剂层的表面涂布该树脂组合物，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥120秒钟，同样地形成了厚度50μm的热膨胀性基材层(Y1-1)。
然后，基于上述的测定方法测定了热膨胀性基材层(Y1-1)在各温度下的储能模量及探针粘性值，该测定结果如下所述。
·23℃下的储能模量E’(23)＝5.0×108Pa
·100℃下的储能模量E’(100)＝4.0×106Pa
·208℃下的储能模量E’(208)＝4.0×105Pa
·探针粘性值＝2mN/5mmφ
(1-4)各层的层叠
将上述(1-3)中制作的基材(Y1)的非热膨胀性基材层(Y1-2)与上述(1-2)中形成的第2粘合剂层(X12)贴合，并且将热膨胀性基材层(Y1-1)与上述(1-2)中形成的第2粘合剂层(X12)贴合。
然后，制作了将轻剥离膜/第2粘合剂层(X12)/非热膨胀性基材层(Y1-2)/热膨胀性基材层(Y1-1)/第1粘合剂层(X11)/重剥离膜依次层叠而成的粘合片(I)。
[2]粘合片(II)的制作
(2-1)粘合剂层(X2)的形成
向作为粘合性树脂的上述丙烯酸类共聚物(ii)的固体成分100质量份中配合上述异氰酸酯类交联剂(i)8质量份(固体成分比)，用甲苯稀释，搅拌均匀，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)25质量％的粘合剂组合物。
然后，在上述重剥离膜的剥离剂层的表面涂布该粘合剂组合物，形成涂膜，将该涂膜在100℃下干燥60秒钟，形成了厚度20μm的粘合剂层(X2)。
另外，基于上述方法测得的粘合剂层(X2)的粘合力为0.5N/25mm。
(2-2)基材(Y2)
基材(Y2)为厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(东洋纺株式会社制造、产品名“Cosmoshine A4300”、探针粘性值：0mN/5mmφ)。
(2-3)中间层(Z2)
(1)中间层形成用组合物的制备
添加100质量份的非能量线固化性丙烯酸类共聚物C1、68质量份的能量线固化性丙烯酸类共聚物D1、2.8质量份的甲苯二异氰酸酯类交联剂(商品名：BHS 8515、TOYOCHEM公司制造)、以及2.7质量份的上述的光聚合引发剂(i)，用乙酸乙酯稀释，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)35质量％的中间层形成用组合物的溶液。
(2)非能量线固化性丙烯酸类共聚物C1的制备
在乙酸乙酯溶剂中添加丙烯酸丁酯(BA)90质量份及丙烯酸(AAc)10质量份，添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN)1.0质量份，进行溶液聚合，得到了非能量线固化性的丙烯酸类共聚物C1(Mw：50万)。
(3)能量线固化性丙烯酸类共聚物D1的制备
在乙酸乙酯溶剂中添加丙烯酸丁酯(BA)62质量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)10质量份、以及丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)28质量份，添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN)1.0质量份，进行溶液聚合，在经过一定时间后，得到了丙烯酸类共聚物(BA/MMA/HEA＝62/10/28(质量％))。
接着，向该丙烯酸类共聚物添加相对于添加的HEA中的总羟基数100当量异氰酸酯基数为80当量的量的甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯，进行反应，得到了侧链具有能量线聚合性基团的能量线固化性丙烯酸类共聚物D1(Mw：10万)。能量线固化性丙烯酸类共聚物D1的根据上述式(2)计算出的β值为22.4。
(4)中间层(Z2)的制作
在剥离片(琳得科株式会社制造、商品名“SP-PET381031”、进行了有机硅剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、厚度：38μm)的经剥离处理的面上涂布如上所述制备的中间层形成用组合物的溶液，形成了涂布膜，使得干燥后的厚度为45μm。接着，在100℃下使该涂布膜干燥2分钟，形成中间层(Z2)，制作了带有中间层的剥离片。
需要说明的是，对于该带有中间层的剥离片，制作2片相同的剥离片，将2片带有中间层的剥离片的中间层彼此贴合，得到了厚度90μm的中间层(Z2)被2片剥离片夹持而成的层叠片。
(2-4)各层的层叠
将厚度90μm的中间层(Z2)被2片剥离片夹持而成的层叠片中的一个剥离片去除，在露出的中间层(Z2)的表面上层叠基材(Y2)。
另外，去除另一个剥离片，在露出的中间层(Z2)的表面上贴合上述(2-1)中形成的粘合剂层(X2)，制作了将基材(Y2)/中间层(Z2)/粘合剂层(X2)/重剥离膜依次层叠而成的粘合片(II)。
[3]粘合性层叠体的制作
将上述[1]中制作的粘合片(I)的重剥离膜去除，使露出的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)贴合，得到了粘合性层叠体。
对于该粘合性层叠体，基于下述方法测定了加热处理前及加热处理后在粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P进行分离时的剥离力(F0)、(F1)。
其结果是，剥离力(F0)＝0.5N/25mm，剥离力(F1)＝0mN/25mm，剥离力(F1)与剥离力(F0)之比〔(F1)/(F0)〕为0。
＜剥离力(F0)的测定＞
将制作的粘合性层叠体在23℃、50％RH(相对湿度)的环境下静置24小时，然后去除粘合性层叠体的粘合片(II)所具有的重剥离膜，将露出的粘合剂层(X2)粘贴于不锈钢板(SUS304、360号抛光)。
接着，将粘贴有粘合性层叠体的不锈钢板的端部固定于万能拉伸试验机(ORIENTEC公司制造，产品名“Tensilon UTM-4-100”)的下部卡盘。
另外，用万能拉伸试验机的上部卡盘固定粘合性层叠体的粘合片(I)，以便在粘合性层叠体的粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P发生剥离。
然后，将在与上述相同的环境下基于JIS Z0237:2000通过180°剥离法以拉伸速度300mm/分在界面P进行剥离时测得的剥离力作为“剥离力(F0)”。
＜剥离力(F1)的测定＞
去除制作的粘合性层叠体的粘合片(II)所具有的重剥离膜，将露出的粘合剂层(X2)粘贴于不锈钢板(SUS304、360号抛光)。
然后，在240℃下将不锈钢板及粘合性层叠体加热3分钟，使粘合性层叠体的热膨胀性基材层(Y1-2)中的热膨胀性粒子膨胀。
然后，与上述的剥离力(F0)的测定同样地将上述条件下在粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P发生剥离时测得的剥离力作为“剥离力(F1)”。
需要说明的是，在剥离力(F1)的测定中，想要用万能拉伸试验机的上部卡盘固定粘合性层叠体的粘合片(I)时，粘合片(I)在界面P完全分离而无法固定，在此情况下，结束测定，此时的剥离力(F1)为“0mN/25mm”。
[实施例2]
通过以下的步骤，制作了粘贴有加工对象物的状态的粘合片(II)。
(1)半导体晶片的固定
将实施例1中制作的粘合性层叠体所具有的轻剥离膜去除，将露出的粘合片(I)的第2粘合剂层(X12)的粘合表面粘贴于支撑体(玻璃)。
然后，将具有形成了图案的电路面的半导体晶片的电路面侧的表面与粘合片(II)的粘合剂层(X2)贴合，通过实施例1中制作的粘合性层叠体将半导体晶片固定于支撑体。
(2)改性区域的形成
使用隐形激光照射装置(东京精密株式会社制造、装置名“ML300PlusWH”)从半导体晶片的与和电路形成面相反侧的表面进行隐形激光照射，在半导体晶片内部形成了作为分割起点的改性区域。
(3)在界面P的分离
在上述(2)之后，在热膨胀性粒子的膨胀起始温度(90℃)以上的120℃下对粘合性层叠体进行了3分钟的加热处理。然后，可以在粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P一起容易地分离。
然后，在分离后得到了粘贴有在内部形成了改性区域的半导体晶片的状态的粘合片(II)。

Claims (17)

1.一种加工品的制造方法，其是使用粘合性层叠体来制造实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品的方法，
所述粘合性层叠体具备热膨胀性的粘合片(I)、及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、并且在任意层中包含热膨胀起始温度(t)的热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，
所述加工品的制造方法依次具有下述工序(1)～(3)，
·工序(1)：将所述粘合性层叠体的粘合剂层(X1)的表面粘贴于支撑体，并且将加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的工序；
·工序(2)：对所述加工对象物实施一种以上的加工的工序；
·工序(3)：通过在所述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的加热，在保持所述加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的状态的同时，将所述粘合性层叠体在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P进行分离的工序，
所述加工品的制造方法进一步具有下述工序(4)，
·工序(4)：对于所述加工对象物的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施切削及磨削中的至少任一种加工的工序，
在下述(X)及(Y)中的至少任一种情况下实施所述工序(4)，
(X)：作为所述一种以上的加工在所述工序(2)中实施，
(Y)：在所述工序(3)之后实施。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，
所述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)为60～270℃。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
粘合片(I)所具有的基材(Y1)具有包含所述热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1-1)。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，
粘合片(I)所具有的基材(Y1)具有热膨胀性基材层(Y1-1)和非热膨胀性基材层(Y1-2)。
5.根据权利要求3或4所述的制造方法，其中，粘合片(I)所具有的基材(Y1)的热膨胀性基材层(Y1-1)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠在一起。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的制造方法，其中，
粘合片(I)具有基材(Y1)被第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)夹持的结构，
具有粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的结构，
粘合片(I)的第2粘合剂层(X12)的表面是粘贴于所述支撑体的面。
7.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
第1粘合剂层(X11)是包含所述热膨胀性粒子的热膨胀性粘合剂层，
第2粘合剂层(X12)是非热膨胀性粘合剂层，
具有粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的结构，
粘合片(I)的第2粘合剂层(X12)的表面是粘贴于所述支撑体的面。
8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其中，
基材(Y1)的层叠有第1粘合剂层(X11)一侧的表面是实施了易粘接处理的表面。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的制造方法，其中，
基材(Y2)的层叠粘合片(I)一侧的表面是实施了剥离处理的表面。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的制造方法，其中，
粘合片(II)在基材(Y2)与粘合剂层(X2)之间具有中间层(Z2)。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的制造方法，其中，
粘合片(II)的粘合剂层(X2)是能量线固化型的粘合剂层。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的制造方法，其中，
粘合片(II)满足下述要件(α)～(γ)中的1项以上，
·要件(α)：基材(Y2)的杨氏模量为1.0MPa以上；
·要件(β)：基材(Y2)的厚度为5μm以上；
·要件(γ)：粘合剂层(X2)的储能模量G’(23℃)为0.1MPa以上。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的制造方法，其中，
所述加工对象物为半导体晶片，
所述工序(2)中的所述一种以上的加工包括下述工序(2-A)，
·工序(2-A)：在所述半导体晶片上形成作为分割起点的改性区域的工序，
所述工序(4)为下述工序(4-A)，
·工序(4-A)：对所述半导体晶片的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施磨削的工序，
在下述(X-A)或(Y-A)的情况下实施所述工序(4-A)，
(X-A)：作为所述一种以上的加工在所述工序(2-A)之后实施，
(Y-A)：在所述工序(3)之后实施。
14.根据权利要求1～12中任一项所述的制造方法，其中，
所述加工对象物是半导体芯片，
所述工序(2)中的所述一种以上的加工包括下述工序(2-B)，
·工序(2-B)：用密封材料包覆所述半导体芯片、和粘合剂层(X2)的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序，
在下述(X-B)及(Y-B)中的至少任一种情况下实施所述工序(4)，
(X-B)：作为所述一种以上的加工在所述工序(2-B)之后实施，
(Y-B)：在所述工序(3)之后实施。
15.根据权利要求1～12中任一项所述的制造方法，其中，
所述加工对象物是具有作为分割起点的改性区域的半导体晶片，
所述工序(4)为下述工序(4-A)，
·工序(4-A)：对于所述半导体晶片的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施磨削的工序。
16.根据权利要求1～12中任一项所述的制造方法，其中，
所述加工对象物是具有作为分割起点的切入槽的半导体晶片，
所述工序(1)为下述工序(1-C)，所述工序(4)为下述工序(4-C)，
·工序(1-C)：将所述粘合性层叠体的粘合剂层(X1)的表面粘贴于支撑体，并且将所述半导体晶片的具有切入槽的面粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的工序，
·工序(4-C)：对于所述半导体晶片的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施磨削的工序。
17.一种粘合性层叠体，其用于制造实施了切削及磨削中的至少任一种加工的加工品，
所述粘合性层叠体具备热膨胀性的粘合片(I)及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、并且在任意层中包含热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210141929A (ko) 2019-03-15 2021-11-23 린텍 가부시키가이샤 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
CN114829529A (zh) * 2019-12-11 2022-07-29 琳得科株式会社 粘合片及半导体装置的制造方法
KR20220159984A (ko) * 2020-03-27 2022-12-05 린텍 가부시키가이샤 반도체 장치 제조용 시트
TW202301426A (zh) * 2021-03-17 2023-01-01 日商琳得科股份有限公司 半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造裝置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003261842A (ja) * 2002-03-12 2003-09-19 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
JP2005116679A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2010209158A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Nitto Denko Corp 粘着シート及びそれを用いた半導体ウェハの加工方法
JP2013079322A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Nitto Denko Corp 加熱発泡型再剥離性粘着テープ又はシート、及び剥離方法
JP2015034265A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 日東電工株式会社 易解体型両面粘着シート、及びその貼付方法
WO2016076131A1 (ja) * 2014-11-13 2016-05-19 Dic株式会社 両面粘着テープ、物品及び分離方法
JP2017088782A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 積層体および合同体・組み合わせの回収方法・半導体装置の製造方法
WO2017150676A1 (ja) * 2016-03-03 2017-09-08 リンテック株式会社 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法
JP2018032777A (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 株式会社ディスコ パッケージデバイスチップの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS594853A (ja) 1982-07-01 1984-01-11 Mitsubishi Electric Corp 太陽熱暖房給湯システム
CN100486806C (zh) * 1999-11-22 2009-05-13 住友化学工业株式会社 易于脱落的层压材料以及其中应用的树脂组合物

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003261842A (ja) * 2002-03-12 2003-09-19 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
JP2005116679A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2010209158A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Nitto Denko Corp 粘着シート及びそれを用いた半導体ウェハの加工方法
JP2013079322A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Nitto Denko Corp 加熱発泡型再剥離性粘着テープ又はシート、及び剥離方法
JP2015034265A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 日東電工株式会社 易解体型両面粘着シート、及びその貼付方法
WO2016076131A1 (ja) * 2014-11-13 2016-05-19 Dic株式会社 両面粘着テープ、物品及び分離方法
JP2017088782A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 積層体および合同体・組み合わせの回収方法・半導体装置の製造方法
WO2017150676A1 (ja) * 2016-03-03 2017-09-08 リンテック株式会社 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法
JP2018032777A (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 株式会社ディスコ パッケージデバイスチップの製造方法

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