CN111816683B - 显示装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示装置及其制备方法，该显示装置包括：基板；阴极，所述阴极设置在所述基板上；多个像素单元，所述多个像素单元设置在所述阴极上，且所述多个像素单元阵列排布，所述像素单元中具有红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素；其中，所述红色子像素包括红光量子点发光层，所述绿色子像素包括绿光量子点发光层，所述蓝色子像素包括蓝光间隔层；蓝光有机发光层，所述蓝光有机发光层设置在所述多个像素单元上；阳极，所述阳极设置在所蓝光有机发光层上。本发明解决了现有技术制备的QLED、OLED混合器件在使用过程中存在的电流降低，发光亮度衰减，进而导致显示画面产生残影(图像残留)的问题。

Description

显示装置及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制备方法。

背景技术

蓝光QLEDs((Quantum dots Light-emitting Diodes，量子点电致发光器件)发光效率低且寿命较差，阻碍了RGB全彩QLEDs显示的实用化，目前，可以利用具有共同蓝光有机发光层的蓝光OLED(Organic Light Emitting Diodes，OLED)、红光QLED、和绿光QLED构成的正置混合器件，以提升正置混合器件的发光效率以及使用寿命。然而，正置混合器件的氧化物TFT的栅极电压(Vgs)会随着OLED器件老化而改变，导致通过OLED的电流降低，进而导致正置混合器件的发光亮度衰减，显示画面产生残影(图像残留)的问题。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种显示装置及其制备方法，旨在解决现有技术中可能会存在QLEDs的电流降低，发光亮度衰减，进而导致显示画面产生残影(图像残留)等的技术问题。

为实现上述目的，本申请提供一种显示装置，显示装置包括：基板；阴极，阴极设置在基板上；多个像素单元，多个像素单元设置在阴极上，且多个像素单元阵列排布，每个像素单元中具有红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素；其中，红色子像素包括红光量子点发光层，绿色子像素包括绿光量子点发光层，蓝色子像素包括蓝光间隔层；蓝光有机发光层，蓝光有机发光层设置在多个像素单元上；阳极，阳极设置在蓝光有机发光层上。

根据本发明的实施例，显示装置进一步包括：电子传输层，电子传输层设置在阴极与多个像素单元之间；电子阻挡层，电子阻挡层设置在蓝光有机发光层与阳极之间；空穴传输层，空穴传输层设置在电子阻挡层与阳极之间；空穴注入层，空穴注入层设置在空穴传输层与阳极之间。

根据本发明的实施例，形成蓝光间隔层的材料包括：有机电子传输材料和n-型掺杂剂；其中，有机电子传输材料包括：有机聚合物电子传输材料以及有机小分子电子传输材料的至少之一；n-型掺杂剂为碱金属或碱金属化合物；基于形成蓝光间隔层的材料的总质量，n-型掺杂剂的含量为0.1～50wt％。

根据本发明的实施例，红光量子点发光层的厚度为1～50nm。

根据本发明的实施例，绿光量子点发光层的厚度为1～50nm。

根据本发明的实施例，蓝光间隔层的厚度为10～50nm。

根据本发明的实施例，蓝光有机发光层的厚度为10～50nm。

根据本发明的实施例，显示装置进一步包括：第一像素界定层，第一像素界定层设置在阴极上，第一像素界定层具有多个阵列排布的第一开口区，电子传输层设置在第一开口区中；第二像素界定层，第二像素界定层设置在第一像素界定层上，第二像素界定层具有多个阵列排布的第二开口区，第二开口区与第一开口区一一对应设置，每个像素单元中的红光量子点发光层、绿光量子点发光层以及蓝光间隔层一一对应的设置在第二开口区中；其中，第一开口区在基板上的投影面积小于第二开口区在基板上的投影面积；形成第一像素界定层的材料为不含氟材料；形成第二像素界定层的材料为含氟材料。

根据本发明的实施例，阴极包括依次层叠设置的底电极、反射膜以及顶电极；形成顶电极的材料为：功函数为3.5～4.4eV的透明金属氧化物；形成底电极的材料为金属氧化物；形成反射膜的材料为反射率大于90％的金属和/或合金材料。

根据本发明的实施例，显示装置进一步包括：阳极覆盖层，阳极覆盖层覆盖阳极，阳极覆盖层的折射率大于1.8，厚度为60～100nm；封装层，封装层设置在基板上且围绕多个像素单元设置。

本申请还提供一种显示方法，包括如下步骤：提供基板；在基板上形成阴极；在阴极上形成多个像素单元，多个像素单元阵列排布，像素单元中具有红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素；其中，红色子像素包括红光量子点发光层，绿色子像素包括绿光量子点发光层，蓝色子像素包括蓝光间隔层，蓝光间隔层是通过湿法成膜方式形成的；在多个像素单元上形成蓝光有机发光层；在蓝光有机发光层上形成阳极。

根据本发明的实施例，在形成蓝光有机发光层之后，形成阳极之前，该方法进一步包括如下步骤：在蓝光有机发光层上依次层叠形成电子阻挡层、空穴传输层以及空穴注入层。

根据本发明的实施例，在形成阴极之后，形成多个像素单元之前，该方法进一步包括如下步骤：在阴极上形成第一像素界定层，第一像素界定层具有多个阵列排布的第一开口区；在第一像素界定层上形成第二像素界定层，第二像素界定层具有多个阵列排布的第二开口区，第二开口区与第一开口区一一对应设置，每个像素单元中的红光量子点发光层、绿光量子点发光层以及蓝光间隔层一一对应的设置在第二开口区中。

本申请中的显示装置包括：基板；阴极，阴极设置在基板上；多个像素单元，多个像素单元设置在阴极上，且多个像素单元阵列排布，像素单元中具有红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素；其中，红色子像素包括红光量子点发光层，绿色子像素包括绿光量子点发光层，蓝色子像素包括蓝光间隔层；蓝光有机发光层，蓝光有机发光层设置在多个像素单元上；阳极，阳极设置在所蓝光有机发光层上。在现有的正置型QLED、OLED混合器件显示装置中，像素单元在使用过程中会老化，老化会导致像素单元栅极电压(Vgs)降低，因而，电致发光器件存在基于该栅极电压降低而导致电流降低，进而导致发光亮度衰减，显示画面产生残影(图像残留)的问题。在本申请中，由于显示装置是倒置的，因而，像素单元在使用过程中即便是老化也对像素单元的栅极电压无影响，因而克服了现有技术制备的电致发光器件在使用过程中存在的因电流降低，发光亮度衰减，致使显示画面产生残影(图像残留)的问题。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请显示装置的第一场景示意图；

图2为本申请显示装置的第二场景示意图；

图3为本申请显示装置的第三场景示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				10	基板	40	第二像素界定层
21	栅电极	411	蓝光间隔层
				22	栅极绝缘层	421	绿光量子点发光层
23	有源层	431	红光量子点发光层
				24	源电极	441	蓝光有机发光层
25	漏电极	50	第一像素界定层
				26	钝化层	51	电子传输层
27	平坦层	52	电子阻挡层
				28	接触孔	53	空穴传输层
30	阴极	54	空穴注入层
				31	底电极	60	阳极
32	反射膜	61	阳极覆盖层
				33	顶电极	62	封装层

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

在本发明的一个方面，本发明提出一种显示装置，参照图1，该显示装置包括：基板10、阴极30、多个像素单元(图中未示出)、蓝光有机发光层441以及阳极60。阴极30设置在基板10上；多个像素单元设置在阴极30上，且多个像素单元阵列排布，每个像素单元中分别具有红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素；其中，红色子像素包括红光量子点发光层431，绿色子像素包括绿光量子点发光层421，蓝色子像素包括蓝光间隔层411；需要说明的是，像素单元中的红光量子点发光层431、绿光量子点发光层421、蓝光间隔层411是同层设置的。蓝光有机发光层441设置在多个像素单元上；阳极60设置在所蓝光有机发光层441上。

具体地，上述显示装置是倒置的(阴极与阳极等的设置完全倒置的)，在本实施例中的显示装置克服现有QLED、OLED混合器件的显示装置在使用过程中存在的因电流降低，发光亮度衰减，致使显示画面产生残影(图像残留)的问题，这是因为倒置结构存在于现有显示装置不同的能级势差，进而影响电流，并且，由于显示装置是倒置的，因而，像素单元在使用过程中即便是老化也对像素单元的栅极电压无影响。

需要说明的是，蓝光有机发光层441覆盖红光量子点发光层431、绿光量子点发光层421以及蓝光间隔层411。

根据本发明的实施例，红光量子点发光层431的厚度为1～50nm。例如，红光量子点发光层431厚度可以为1nm、5nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm。

根据本发明的实施例，绿光量子点发光层421的厚度为1～50nm。例如，绿光量子点发光层421的厚度可以为1nm、5nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm。

根据本发明的实施例，蓝光间隔层411的厚度为10～50nm。例如，蓝光间隔层411的厚度可以为10nm、15nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm。

根据本发明的实施例，蓝光有机发光层的厚度为10～50nm，例如，蓝光有机发光层的厚度可以为10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm。

根据本发明的实施例，蓝光有机发光层采用有机发光材料经由蒸镀成膜方式制备，有机发光材料可以为蒽衍生物系列材料中的ADN(9,10-二(2-萘基)蒽)或DPVBi(1,4-二(2,2-二苯基乙烯基)苯)，蓝光有机发光层厚度优选为10～50nm。绿光量子点发光层421以及红光量子点发光层431可以采用湿法成膜方式或者溶液法如喷墨印刷方式制备，若绿光量子点发光层421以及红光量子点发光层431可以采用湿法成膜方式制备，则绿光量子点发光层421以及红光量子点发光层431厚度可以均为1～50nm，若采用溶液法如喷墨印刷方式制备，绿光量子点发光层421以及红光量子点发光层431厚度可以均为10～30nm。绿光量子点发光层421以及红光量子点发光层431均采用核壳结构的量子点发光材料，如CdSe/ZnS，需要说明的是，由于蒸镀采用的是一起标记(common mask)方式，绿光量子点发光层421以及红光量子点发光层431上也沉积了相应厚度的蓝光有机发光层材料，由于量子点材料能级较深，载流子会被量子点捕获发光，同时蓝光有机发光层通过能量转移的方式也会将能量转移给绿光量子点发光层421以及红光量子点发光层431的量子点，因此绿光量子点发光层421以及红光量子点发光层431的量子点上的蓝光有机发光层不发光，而发出相应的绿光以及红光。

根据本发明的实施例，通过红光量子点发光层431的厚度为1～50nm；和/或绿光量子点发光层421的厚度为1～50nm；和/或蓝光间隔层411的厚度为10～50nm；和/或蓝光有机发光层的厚度为10～50nm。由于准确设置红光等各个量子点发光层的厚度而不是随机设置厚度，进一步避免在电流降低时，发光亮度衰减的问题。

根据本发明的实施例，显示装置进一步包括：电子传输层51、电子阻挡层52、空穴传输层53以及空穴注入层54。电子传输层51设置在阴极30与多个像素单元之间；电子阻挡层52设置在蓝光有机发光层441与阳极60之间；空穴传输层53设置在电子阻挡层52与阳极60之间；空穴注入层54设置在空穴传输层53与阳极60之间。

根据本发明的实施例，基板10为玻璃或聚酰亚胺基底材料。

参照图1，电子传输层51采用氧化物半导体纳米粒子材料，具体地，电子传输层51采用ZnO或ZnXO(X指的是Li，Cs，Al，Mg等)的氧化物半导体纳米粒子材料(优选ZnMgO纳米粒子)，电子传输层51采用湿法成膜方式制备，电子传输层51的厚度优选为10～150nm。

根据本发明的实施例，电子阻挡层52为有机电子阻挡材料，如TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)，厚度为5～30nm。空穴传输层5350为有机空穴传输材料，如NPB(N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)联苯胺)材料，厚度为10～100nm；空穴注入层54为有机空穴注入材料或无机空穴注入材料，如HATCN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)材料或MoO₃材料，厚度为5～15nm。

根据本发明的实施例，通过采取倒置的显示装置，以克服QLED、OLED混合器件在使用过程中存在的电流降低，发光亮度衰减，显示画面会产生残影(图像残留)等的问题。并且，通过在阴极上采用低功函数的金属氧化物设置电子注入层(低功函数的金属氧化物能够减少能级差势垒，而存在较大的能级差势垒，电子则难以从阴极注入电子传输层51，因而减少能级差势垒，能够增强电子注入)，实现增强电子注入，解决现有倒置器件结构可能存在的阴极向电子传输层51注入电子困难的问题。

根据本发明的实施例，参照图1，形成蓝光间隔层411的材料包括：有机电子传输材料和n-型掺杂剂；其中，有机电子传输材料包括：有机聚合物电子传输材料以及有机小分子电子传输材料的至少之一；n-型掺杂剂为碱金属或碱金属化合物；基于形成蓝光间隔层411的材料的总质量，n-型掺杂剂的含量为0.1～50wt％。

需要说明的是，为解决电子难以从阴极注入电子传输层51的难题，一个解决方案是降低阴极的功函数，如采用低功函数的ZnO、IGZO等，另外一个是降低电子传输材料的LUMO(最低空轨道能级)，可以通过n-掺杂的方式，使材料的LUMO能级与阴极的功函数更匹配，达到增强电子注入的效果。具体地，在本实施例中，蓝光间隔层中的有机电子传输材料为有机聚合物电子传输材料以及有机小分子电子传输材料的至少之一，并通过n-掺杂，实现降低电子传输材料的LUMO，其中，n-型掺杂剂为具有n-型掺杂效果如易于掺杂的碱金属或碱金属化合物。

根据本发明的实施例，基于形成蓝光间隔层411的材料的总质量，n-型掺杂剂的含量为0.1～50wt％。蓝光间隔层411采用湿法成膜方式制备，厚度为10～50nm。

根据本发明的实施例，蓝光间隔层411中的有机电子传输材料可以为有机聚合物材料如PEI(聚醚酰亚胺)材料、PFN(聚[(9,9-二(3'-(N,N-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴)])等，或有机小分子电子传输材料，如TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)，TmPyPb(3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶)，BCP(2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲)等，而n-型掺杂剂可以为LiF、NaF、Cs₂CO₃、Liq等，掺杂比例0.1wt％～50wt％，优选BCP以及50wt％的Liq掺杂，厚度为10～40nm。

本实施例通过形成蓝光间隔层411的材料包括：有机电子传输材料和n-型掺杂剂；其中，有机电子传输材料包括：有机聚合物电子传输材料以及有机小分子电子传输材料的至少之一；n-型掺杂剂为碱金属或碱金属化合物；基于形成蓝光间隔层411的材料的总质量，n-型掺杂剂的含量为0.1～50wt％。实现降低电子传输材料的LUMO，解决电子难以从阴极注入电子传输层51的难题。

根据本发明的实施例，该显示装置进一步包括多个驱动单元(图中未示出)，多个驱动单元设置在基板10与阴极30之间，且多个驱动单元分别与每个像素单元中的红光量子点发光层431、绿光量子点发光层421以及蓝光间隔层411一一对应设置；

下面以多个驱动单元中的一个为例进行说明：

如图2所示，驱动单元包括：栅电极21、栅极绝缘层22、有源层23、源电极24、漏电极25、钝化层26以及平坦层27。栅电极21设置在基板10上；栅极绝缘层22覆盖栅电极21；有源层23设置在所栅极绝缘层22上；源电极24和漏电极25设置在有源层23上；钝化层26设置在源电极24以及漏电极25上；平坦层27设置在钝化层26上；其中，漏电极通过钝化层26、平坦层27上的接触孔28与阴极30电连接。

根据本发明的实施例，钝化层26可以由SiNx或SiOx形成，平坦层27可以由聚酰亚胺、聚丙烯酸酯等有机材料形成。

如图1所示，显示装置还包括：第一像素界定层50以及第二像素界定层40。第一像素界定层50设置在阴极30上，第一像素界定层50具有多个阵列排布的第一开口区(图中未示出)，电子传输层51设置在第一开口区中。第二像素界定层40设置在第一像素界定层50上，第二像素界定层40具有多个阵列排布的第二开口区(图中未示出)，第二开口区与第一开口区一一对应设置。每个像素单元中的红光量子点发光层431、绿光量子点发光层421以及蓝光间隔层411一一对应的设置在第二开口区中；其中，第一开口区在基板10上的投影面积小于第二开口区在基板10上的投影面积；形成第一像素界定层50的材料为不含氟材料；形成第二像素界定层40的材料为含氟材料。

根据本发明的实施例，在阴极30的基板10上形成像素界定层即bank(堤坝)层，包含bank1层和bank2层，即第一像素界定层50和第二像素界定层40，第一像素界定层50为亲墨型不含氟材料，第二像素界定层40为疏墨型含氟材料，第一像素界定层50的高度为0.3～0.5微米，第二像素界定层40的高度为1～1.5微米。

根据本发明的实施例，参考图3，阴极30包括依次层叠设置的底电极31、反射膜32以及顶电极33；其中，底电极31通过接触孔28与漏电极电连接；形成顶电极33的材料为：功函数为3.5～4.4eV的透明金属氧化物；形成底电极31的材料为金属氧化物；形成反射膜32的材料为反射率大于90％的金属和/或合金材料。

根据本发明的实施例，如图1所示，若光线从阴极一侧发出，阴极30为叠层结构，即依次层叠设置的底电极31、反射膜32以及顶电极33，底电极31通过接触孔28连接漏电极25，顶电极33为功函范围介于3.5～4.4eV之间的透明金属氧化物，底电极31为金属氧化物，反射膜32为金属和/或者合金。

根据本发明的实施例，底电极31为金属氧化物如ITO，反射膜32为反射率大于90％的金属如Al、Ag及其合金等，顶电极33为采用功函数为3.5～4.4eV的透明金属氧化物如ZnO，或IGZO材料，具体地，层叠结构可以为ITO/Ag/ZnO，层叠结构的底电极31材料为ITO材料，反射膜32材料为Ag金属反射膜，ITO/Ag/ZnO的厚度分别为15nm/140nm/20nm。

在本实施例中，通过显示装置结构的设置尤其是层叠结构的阴极的设置，实现高性能的电致发光显示。

根据本发明的实施例，如图1所示，显示装置还包括：阳极覆盖层61以及封装层62。阳极覆盖层61覆盖阳极，阳极覆盖层61的折射率大于1.8，厚度为60～100nm；阳极覆盖层61采用蒸镀方式制备。封装层62设置在基板上且围绕多个像素单元设置。

具体地，若光线从玻璃基板10以及阴极30一侧发出，阳极可选金属为Al、Ag或Au，厚度为100～150nm，若光线从阳极一侧发出，阳极可选金属为Ag或Au，厚度为10～20nm，或厚度为60～120nm的透明导电金属氧化物ITO或IZO，阳极材料采用蒸镀或溅射的方式制备。

需要说明的是，如果阳极为薄金属材料，需要在阳极上形成一层阳极覆盖层61，起到提高光取出的效果，阳极覆盖层61的折射率大于1.8，形成阳极覆盖层61的材料可以为有机小分子材料如Alq3，或无机化合物材料如ZnSe等。封装层62可以由封装胶材等构成，封装胶材用于阻隔水和氧对像素单元的侵蚀。在本实施例中，通过阳极覆盖层61的设置，提高光取出的效果，通过封装层62的设置，阻隔水和氧对像素单元的侵蚀。

在本发明的另一个方面，本发明提供一种显示装置的制备方法，包括如下步骤：提供基板10；在基板10上形成阴极30；在阴极30上形成多个像素单元，多个像素单元阵列排布，每个像素单元中分别具有红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素；其中，红色子像素包括红光量子点发光层431，绿色子像素包括绿光量子点发光层421，蓝色子像素包括蓝光间隔层411。需要说明的是，像素单元中的红光量子点发光层431、绿光量子点发光层421、蓝光间隔层411是同层设置的。蓝光间隔层411是通过湿法成膜方式形成的；在多个像素单元上形成蓝光有机发光层441；在蓝光有机发光层441上形成阳极60。该显示装置的制备方法可以制备前面描述的显示装置，由此，该方法可以具有前面描述的显示装置所具有的全部特征以及优点。

根据本发明的实施例，在形成蓝光有机发光层441之后，形成阳极60之前，进一步包括如下步骤：在蓝光有机发光层441上依次层叠形成电子阻挡层52、空穴传输层53以及空穴注入层54。形成电子阻挡层52、空穴传输层53以及空穴注入层54的方式分别独立地包括蒸镀或喷墨打印。

根据本发明的实施例，通过有机电子传输材料和n-型掺杂剂制备蓝光间隔层；其中，有机电子传输材料包括：有机聚合物电子传输材料以及有机小分子电子传输材料的至少之一；n-型掺杂剂为碱金属或碱金属化合物；基于形成蓝光间隔层的材料的总质量，n-型掺杂剂的含量为0.1～50wt％。

根据本发明的实施例，在形成阴极30之后，形成多个像素单元之前，显示装置的制备方法进一步包括如下步骤：在阴极30上形成第一像素界定层50，第一像素界定层50具有多个阵列排布的第一开口区501；在第一像素界定层50上形成第二像素界定层40，第二像素界定层40具有多个阵列排布的第二开口区401，第二开口区401与第一开口区501一一对应设置，每个像素单元中的红光量子点发光层431、绿光量子点发光层421以及蓝光间隔层411一一对应的设置在第二开口区401中。

本申请显示方法的具体实施方式与上述显示装置各实施例基本相同，在此不再赘述。

以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利处理范围内。

Claims (9)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

基板；

阴极，所述阴极设置在所述基板上；

多个像素单元，所述多个像素单元设置在所述阴极上，且所述多个像素单元阵列排布，所述像素单元中具有红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素；其中，所述红色子像素包括红光量子点发光层，所述绿色子像素包括绿光量子点发光层，所述蓝色子像素包括蓝光间隔层，所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层、所述蓝光间隔层同层设置；其中，形成所述蓝光间隔层的材料包括：有机电子传输材料和n-型掺杂剂；其中，所述有机电子传输材料包括有机聚合物电子传输材料以及有机小分子电子传输材料的至少之一；所述n-型掺杂剂为碱金属或碱金属化合物；基于形成所述蓝光间隔层的材料的总质量，所述n-型掺杂剂的含量为0.1～50wt％；

蓝光有机发光层，所述蓝光有机发光层设置在所述多个像素单元上，且覆盖所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层、所述蓝光间隔层；

阳极，所述阳极设置在所述蓝光有机发光层上。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，进一步包括：

电子传输层，所述电子传输层设置在所述阴极与所述多个像素单元之间；

电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述蓝光有机发光层与所述阳极之间；

空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述电子阻挡层与所述阳极之间；

空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述空穴传输层与所述阳极之间。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述红光量子点发光层的厚度为1～50nm；和/或

所述绿光量子点发光层的厚度为1～50nm；和/或

所述蓝光间隔层的厚度为10～50nm；和/或

所述蓝光有机发光层的厚度为10～50nm。

4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，进一步包括：

第一像素界定层，所述第一像素界定层设置在所述阴极上，所述第一像素界定层具有多个阵列排布的第一开口区，所述电子传输层设置在所述第一开口区中；

第二像素界定层，所述第二像素界定层设置在所述第一像素界定层上，所述第二像素界定层具有多个阵列排布的第二开口区，所述第二开口区与所述第一开口区一一对应设置，每个所述像素单元中的所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层以及所述蓝光间隔层一一对应的设置在所述第二开口区中；

其中，所述第一开口区在所述基板上的投影面积小于所述第二开口区在所述基板上的投影面积；

形成所述第一像素界定层的材料为不含氟材料；

形成所述第二像素界定层的材料为含氟材料。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阴极包括依次层叠设置的底电极、反射膜以及顶电极；

形成所述顶电极的材料为：功函数为3.5～4.4eV的透明金属氧化物；

形成所述底电极的材料为金属氧化物；

形成所述反射膜的材料为反射率大于90％的金属和/或合金材料。

6.如权利要求1所述显示装置，其特征在于，进一步包括：

阳极覆盖层，所述阳极覆盖层覆盖所述阳极，所述阳极覆盖层的折射率大于1.8，厚度为60～100nm；

封装层，所述封装层设置在所述基板上且围绕所述多个像素单元设置。

7.一种显示装置的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至6任一项所述的显示装置，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上形成阴极；

在所述阴极上形成多个像素单元，所述多个像素单元阵列排布，所述像素单元中具有红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素；其中，所述红色子像素包括红光量子点发光层，所述绿色子像素包括绿光量子点发光层，所述蓝色子像素包括蓝光间隔层，所述蓝光间隔层是通过湿法成膜方式形成的；

在所述多个像素单元上形成蓝光有机发光层；

在所述蓝光有机发光层上形成阳极。

8.如权利要求7所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在形成所述蓝光有机发光层之后，形成所述阳极之前，进一步包括如下步骤：

在所述蓝光有机发光层上依次层叠形成电子阻挡层、空穴传输层以及空穴注入层。

9.如权利要求8的显示装置的制备方法，其特征在于，在形成所述阴极之后，形成所述多个像素单元之前，进一步包括如下步骤：

在所述阴极上形成第一像素界定层，所述第一像素界定层具有多个阵列排布的第一开口区；

在所述第一像素界定层上形成第二像素界定层，所述第二像素界定层具有多个阵列排布的第二开口区，所述第二开口区与所述第一开口区一一对应设置，每个所述像素单元中的所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层以及所述蓝光间隔层一一对应的设置在所述第二开口区中。

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