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CN111788327A - 成膜用掩模以及使用其之显示装置的制造方法 - Google Patents

成膜用掩模以及使用其之显示装置的制造方法 Download PDF

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CN111788327A
CN111788327A CN201880090172.9A CN201880090172A CN111788327A CN 111788327 A CN111788327 A CN 111788327A CN 201880090172 A CN201880090172 A CN 201880090172A CN 111788327 A CN111788327 A CN 111788327A
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CN
China
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film formation
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organic
display device
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Application number
CN201880090172.9A
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园田通
宫本惠信
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Sharp Corp
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Abstract

本发明的成膜用掩模(50a)，包括：设置为框状的掩模主体(41)、设置为从掩模主体(41)向框内突出的突出部(42a)，并且与被成膜基板相对地配置，所述成膜用掩模(50a)的特征在于，在突出部(42a)的表面上，设置有凹部(R)，上述凹部以不到达突出部(42a)的框内侧的端部。

Description

成膜用掩模以及使用其之显示装置的制造方法
技术领域
本发明是关于成膜掩模以及使用其之显示装置的制造方法。
背景技术
近年以来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机EL(electroluminescence)元件的自发光型有机EL显示装置引起关注。在此，在有机EL显示装置中，为了抑制水分、氧等的混入导致的有机EL元件的劣化，而提案了将覆盖有机EL元件的密封膜由无机膜与有机膜的层叠膜来构成的密封结构。
例如，专利文献1公开了一种显示装置，该显示装置包括：薄膜密封层，该薄膜密封层包括由CVD(chemical vapor deposition)法等形成的无机膜层与由喷墨法等形成的有机膜层交替地配置的层叠结构，并且覆盖有机发光元件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-86415号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
近年以来，提案了在有机EL显示装置中，使进行图像显示且设置为略矩形状的显示区域的一边的一部分凹陷，并且在其凹陷的切口部中装载摄像头、环境传感器等的画面形状。因此，在包括这样的画面形状的有机EL显示装置中，需要以覆盖构成显示区域的有机EL元件的方式形成密封膜，从而需要使形成密封膜的无机膜时所使用的成膜用掩模的开口部的形状与显示区域的平面形状对应。在此应用的成膜用掩模在其开口部的一边中，与显示区域的切口部对应，包括在俯视下向内侧突出的突出部，但是在其突出部中，将成膜用掩模拉伸焊接于成膜装置内的框架从而作用的张力不作用，因此存在突出部从被成膜基板的表面上浮的问题。这样的话，无机膜绕回于突出部与被成膜基板之间，其周边中的无机膜的膜厚变薄，或无机膜被形成于过大的范围，因此降低密封功能的可靠性。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于抑制成膜用的突出部的上浮。
解决问题的手段
为了达成上述目的，本发明所述涉及的成膜用掩模包括：设置为框状的掩模主体、设置为从上述掩模主体向框内突出的突出部，并且与被成膜基板相对地配置，所述成膜用掩模特征在于，在上述突出部的上述被成膜基板侧的表面上，设置有凹部，上述凹部不到达该突出部的框内侧的端部。
发明效果
根据本发明，在从成膜用掩模的掩模主体向框内突出的突出部的被成膜基板侧的表面上设置有凹部，凹部不到达突出部的框内侧的端部，因此可以抑制成膜用掩模的突出部的上浮。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是表示沿着图1中的II-II线的有机EL显示装置的概略构成的剖视图。
图3是表示本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的详细构成的剖视图。
图4是表示本发明的第一实施方式所涉及的构成有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。
图5是表示本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的边框区域的详细构成的剖视图。
图6是使用于本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的成膜用掩模的俯视图。
图7是扩大使用于本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的成膜用掩模的要部的里面侧的俯视图。
图8是沿着图7中的VIII-VIII线的成膜用掩模的剖视图。
图9是表示本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的无机膜形成工序中的成膜用掩模的变化的说明图。
图10是表示使用于本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的成膜用掩模的第一变形例的俯视图。
图11是表示使用于本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的成膜用掩模的第二变形例的俯视图。
图12是表示使用于本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的成膜用掩模的第三变形例的俯视图。
图13是使用于本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的成膜用掩模的俯视图。
图14是沿着图13中的XIV-XIV线的成膜用掩模的剖视图。
图15是表示使用于本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的成膜用掩模的第一变形例的剖视图。
图16是表示使用于本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的成膜用掩模的第二变形例的剖视图。
图17是使用于本发明的第三实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的成膜用掩模的俯视图。
图18是使用于本发明的第三实施方式所涉及的有机EL显示装置的制造方法的其他成膜用掩模的俯视图。
具体实施方式
以下，根据附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，本发明并不限定于以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1至图12是表示本发明所涉及的成膜用掩模以及使用其之显示装置的制造方法的第一实施方式。此外，在以下的各实施方式中，作为包括发光元件的显示装置，例示包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置30的概略构成的俯视图。另外，图2是表示沿着图1中的II-II线的有机EL显示装置30的概略构成的剖视图。另外，图3是表示有机EL显示装置30的显示区域D的详细构成的剖视图。另外，图4是表示构成有机EL显示装置30的有机EL层16的剖视图。另外，图5是表示有机EL显示装置30的边框区域F的详细构成的剖视图。
如图1所示，有机EL显示装置30包括：设置为略矩形状且进行图像显示的显示区域D、设置于显示区域D的周围的边框区域F。在此，在显示区域D中，多个像素按矩阵状排列，在各像素中，例如用于进行红色显示的红色用子像素、用于进行绿色显示的绿色用子像素、用于进行蓝色显示的蓝色用子像素排列成互相相邻。另外，在边框区域F的端部(图1中下端部)中，设置有端子区域T。另外，在显示区域D的端子区域T侧的一边(图中下边)中，如图1所示，设置有在俯视下轮廓的一部分向内侧凹陷的切口部N。另外，在边框区域F中，如图2所示，堰堤壁W沿着显示区域D的周围设置。此外，堰堤壁W例如在与后述的平坦化膜13与边缘罩15的至少一方的同一层上由相同材料来形成。
如图1与图2所示，有机EL显示装置30包括：树脂基板层10，其作为衬底基板设置的；有机EL元件18，其作为发光元件设置，所述发光元件在树脂基板层10的一方的表面侧构成显示区域D；密封膜22，其设置为覆盖有机EL元件18。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
如图3所示，有机EL元件18包括：在树脂基板层10上依次设置的底涂膜11、多个TFT12、平坦化膜13、多个第一电极14、边缘罩15、多个有机EL层16以及第二电极17。
底涂膜11例如是氧化硅膜、氮化硅以及氧氮化硅膜等的无机绝缘膜。
TFT12设置于显示区域D的各子像素。在此，TFT12包括：例如在底涂膜11上设置为岛状的半导体层、设置为覆盖半导体层的栅极绝缘膜、设置为在栅极绝缘膜上与半导体层的一部分重叠的栅极电极、设置为覆盖栅极电极的层间绝缘膜、设置于层间绝缘膜上，而且配置为互相离开的源极电极与漏极电极(未图示)。此外，在本实施方式中，例示了顶栅型的TFT12，但是TFT12也可以是底栅型的TFT。
如图3所示，平坦化膜13通过覆盖各TFT12的漏极电极的一部分以外，设置为平坦化由各TFT12表面形状。在此，平坦化膜13例如由聚酰亚胺树脂等的有机树脂材料构成。
如图3所示，多个第一电极14以与多个子像素对应的方式，在平坦化膜13上设置为矩阵状。在此，如图3所示，第一电极14经由形成于平坦化膜13的接触孔，连接于对应的TFT12的漏极电极。另外，第一电极14包含将孔(空穴)注入于有机EL层16的功能。另外，第一电极14为了提高向有机EL层16的孔穴注入效率，更优选由功函数大的材料来形成。在此，作为构成第一电极14的材料，例如举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)以及氟化锂(LiF)等的金属材料。另外，构成第一电极14的材料可以是例如镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)，或也可以是氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金。进一步，构成第一电极14的材料也可以是像氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)以及铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极14也可以将由上述材料构成的层多个层叠而形成。此外，作为功函数大的材料，例如举出铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图3所示，边缘罩15以覆盖各第一电极14的周缘部的方式设置为格子状。在此，作为构成边缘罩15的材料，例如举出氧化硅(SiO2)、像四氮化三硅(Si3N4)那样的氮化硅(SiNx(X为正数))、氮氧化硅(SiNO)等的无机膜，或举出聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂以及酚醛清漆树脂等的有机膜。
16如图3所示，多个有机EL层配置于各第一电极14上，而且以与多个子像素对应的方式，设置为矩阵状。在此，如图4所示，有机EL层16包括：在第一电极14上依次设置的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5。
空穴注入层1也称为阳极缓冲层，包含使第一电极14与有机EL层16的能级接近，而且改善从第一电极14向有机EL层16的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物以及茋衍生物等。
空穴输送层2包括提高从第一电极14向有机EL层16的空穴的输送效率的功能。在此，作为构成空穴输送层2的材料，例如举出卟啉衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基(poly-p-phenylene vinylene)、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、氢氧化非晶硅、氢化非晶硅碳、硫化锌以及硒化锌等。
发光层3是当通过第一电极14与第2电极17来施加电压时，孔穴与电子分别从第一电极14与第二电极17注入，并且孔穴与电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如举出金属羟基喹啉酮(オキシノイド，oxinoid)化合物(8-羟基喹啉金属络合物)、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基亚乙基衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、若丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基(poly-p-phenylene vinylene)以及聚硅烷等。
电子输送层4包括将电子有效地移动至发光层3的功能。在此，作为构成电子输送层4的材料，例如作为有机化合物，举出恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物以及金属羟基喹啉酮(オキシノイド，oxinoid)化合物等。
电子注入层5包括使第二电极17与有机EL层16的能级接近，且提高电子从第二电极17向有机EL层16注入的效率的功能，通过该功能来可以降低有机EL元件18的驱动电压。此外，电子注入层5也称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如举出像氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)以及氟化钡(BaF2)那样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)以及氧化锶(SrO)等。
如图3所示，第二电极17作为共用电极(无机膜)以覆盖各有机EL层16与边缘罩15且与多个子像素共用的方式设置。另外，第二电极17具有将电子注入于有机EL层16的功能。另外，第二电极17为了提高向有机EL层16的电子注入效率，优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极17的材料，例如举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)以及氟化锂(LiF)等。另外，第二电极17也可以由例如镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)以及氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金形成。另外，第二电极17也可以例如由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)以及铟锌氧化物(IZO)等的导电性氧化物形成。另外，第二电极17也可以将由上述材料构成的层多个层叠而形成。此外，作为功函数小的材料，例如举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)以及氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图3与图5所示，密封膜22包括：设置为覆盖有机EL元件18与堰堤壁W的第一无机膜19、设置为在第一无机膜19上与有机EL元件18重叠的有机膜20、设置为覆盖有机膜20与从有机膜20露出的第一无机膜19的周端部的第二无机膜21。
第一无机膜19与第二无机膜21例如由氮化硅、氧化硅膜、氧氮化硅膜等的无机绝缘膜构成。
有机膜20例如由丙烯酸脂、聚脲、Parylene、聚酰亚胺以及聚酰胺等的有机树脂材料构成。在此，构成有机膜20的有机树脂材料，以喷墨法来吐出于第一无机膜19上，而且以形成为框状的堰堤壁W堰堤。
上述有机EL显示装置30具有可弯曲性，在各子像素中，构成为通过经由TFT12使有机EL层16的发光层3适当地发光来进行图像显示。
接下来，使用图6至图12来说明本实施方式的有机EL显示装置30的制造方法。在此，图6是使用于有机EL显示装置30的制造方法的成膜用掩模50a的俯视图。另外，图7是扩大成膜用掩模50a的要部的里面侧的俯视图。另外，图8是沿着图7中的VIII-VIII线的成膜用掩模50a的剖视图。另外，图9是表示在有机EL显示装置30的制造方法的第一无机膜形成工序与第二无机膜形成工序中的成膜掩模50a的变化的说明图。另外，图10、图11以及图12是表示成膜用掩模50a的第一、第二以及第三变形例的成膜掩模50b、50c以及50d的俯视图。
首先，对使用于有机EL显示装置30的制造方法的成膜用掩模50a进行说明。
如图6至图8所示，成膜用掩模50a包括：设置为矩形框状的掩模主体41、设置为从掩模主体41向框内突出的突出部42a，并且向被成膜基本S(参照图9)相对地配置。另外，成膜用掩模50a例如由厚度200μm左右的殷钢合金等的金属片构成，其线膨胀系数为1.7ppm/度左右。
在突出部42a的里面侧(被成膜基板S侧)的表面中，如图7与图8所示，设置有凹部R，该凹部R不到达突出部42a的框内侧(图7中上侧、左侧与右侧)的端部。在此，如图7与图8所示，凹部R设置为沿着与突出部42a突出的方向正交的方向(图7中横方向)间歇且互相平行地延伸的多个沟G构成。此外，在成膜用掩模50a中，沟G的深度(图8中纵方向的长度)，例如为80μm左右，沟G的宽度(图8中横方向的长度)例如为400μm左右。
成膜用掩模50a例如通过在将殷钢合金等的金属片加工为如图6所示的平面形状后，进行半蚀刻成为其被加工的金属片的突出部42a的部分的一方的表面侧，并且形成多个沟G(凹部R)而可以作成。
以下，使用上述构成的成膜用掩模50a来说明本实施方式的有机EL显示装置30的制造方法。此外，本实施方式的有机EL显示装置30的制造方法包括：有机EL元件形成工序、包含第一无机膜形成工序、有机膜形成工序与第二无机膜形成工序的密封膜形成工序。
＜有机EL元件形成工序＞
例如，使用普遍已知的方法来在玻璃基板上形成的树脂基板层10的表面上形成有机EL元件18(底涂膜11、TFT12、层间绝缘膜13、第一电极14、边缘罩15、有机EL层16(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)、第二电极17)以及堰堤壁W。
＜密封膜形成工序＞
首先，在上述有机EL元件形成工序中形成有有机EL元件18的基板(被成膜基板S)上，在使突出部42a配置于成为显示区域D的切口部N的部分的状态下，使用成膜用掩模50a，例如以等离子CVD法将氮化硅、氧化硅膜、氧氮化硅膜等的无机绝缘膜成膜为厚度1000nm左右，且以覆盖有机EL元件18的方式形成第一无机膜19(第一无机膜形成工序)。在此，在第一无机膜形成工序中，成膜用掩模50a在腔内加热到80度左右，因此如图9所示，突出部42a的图中上面侧以热膨胀相对较大地延伸，包括沟G的突出部42a的图中下面侧相对较小地延伸。由此，在成膜用掩模50a中，如图9所示，作用向被成膜基板S侧翘曲的力，因此可以抑制成膜用掩模50a的突出部42a的上浮。
接下来，在上述第一无机膜形成工序中形成有第一无机膜19的基板的堰堤壁W的框内，例如以喷墨法来吐出丙烯酸酯、聚脲、Parylene(注册商标、日本Parylene合同会社制)、聚酰亚胺以及聚酰胺等的紫外线固化型的有机树脂材料后，以紫外线的照射固化其有机树脂材料，而形成有机膜20(有机膜形成工序)。
进一步，在上述有机EL元件形成工序中形成有有机层20的基板(被成膜基板S)上，在使突出部42a配置于成为显示区域D的切口部N的部分的状态下，使用成膜用掩模50a，例如以等离子CVD法将氮化硅、氧化硅膜、氧氮化硅膜等的无机绝缘膜成膜为厚度1000nm左右，形成第二无机膜21(第二无机膜形成工序)。之后，使玻璃基板从形成有由第一无机膜19、有机膜20以及第二无机膜21构成的密封膜22的基板剥离。在此，在第二无机膜形成工序中，与上述第一无机膜形成工序同样的，成膜用掩模50a在腔内加热到80度左右，因此在成膜用掩模50a中，如图9所示，向被成膜基板S侧翘曲的力起作用，而可以抑制成膜用掩模50a的突出部42a的上浮。
以上那样，可以制造本实施方式的有机EL显示装置30。
此外，在本实施方式中，例示了包括各沟G的宽度均匀地形成的突出部42a的成膜用掩模50a，如图10所示，也可以是包括各沟G的宽度不均匀地形成的突出部42b的成膜用掩模50b。具体来说，在成膜用掩模50b中，如图10所示，各沟G的宽度随着向突出部42b的突出侧(在图中为上侧)变宽。基于该成膜用掩模50b，随着向突出侧，图9所示的图中上面侧与包括沟G的图中下面侧的热膨胀差变大。因此，随着向突出侧，向被成膜基板S侧翘曲的力变强，从而更抑制突出部42b的上浮，能够使突出部42b与被成膜基板S更紧密接触。
另外，在本实施方式中，例示了包括各沟G间歇地设置的突出部42a的成膜用掩模50a，如图11所示，也可以是包括各沟G连续设置的突出部42c的成膜用掩模50c。具体来说，在成膜用掩模50c中，如图11所示，各沟G沿着与突出部42c突出的方向正交的方向(图中横方向)连续设置。该成膜用掩模50c中，不存在位于图7所示的成膜用掩模50a的图中中央部的沟之间的条状部分。在此，在条状部分中，不会产生使突出部42c向被成膜基板S侧翘曲的热膨胀差，因此如果有存在条状部分，则导致突出部42c在条状部分变形。但是，在图11所示的成膜用掩模50c中没有上述条状部分，因此可以抑制突出部42c中的意想不到的变形。
另外，在本实施方式中，例示了包括各沟G的长度均匀地形成的突出部42a的成膜用掩模50a，如图12所示，也可以是各沟G的长度不均匀地形成的突出部42d的成膜用掩模50d。具体来说，在成膜用掩模50中，与显示区域D的切口部N的形状对应，如图12所示，突出部42d在俯视下包括R形状，各沟G的长度随着向突出部42d的突出侧(图中上侧)变短。根据该成膜用掩模50d，虽然切口部N的形状成为R形状，但是可以适当地使突出部42d向被成膜基板S侧翘曲。进一步，在成膜用掩模50d中，沟G未到达突出部42d的框内侧的端部，因此可以抑制第一无机膜19与第二无机膜21被成膜于不必要的范围。
以上那样，根据本实施方式的成膜用掩模50a以及使用其之的有机显示装置30的制造方法，在从成膜用掩模50a的掩模主体41向框内突出的突出部42a的被成膜基板S侧的表面上设置有由多个沟构成的凹部R，该凹部R不到达突出部42a的框内侧的端部。因此，在第一无机膜形成工序与第二无机膜形成工序中，通过成膜用掩模50a在腔内加热，从而与突出部42a的被成膜基板S相反的一侧以热膨胀相对较大地延伸，包括沟G的突出部42a的被成膜基板S侧相对较小地延伸。由此，在成膜用掩模50a中，作用向被成膜基板S侧翘曲的力，而可以抑制成膜用掩模50a的突出部42a的上浮。其结果，第一无机膜19与第二无机膜21难以绕回于突出部42a与被成膜基板S之间，因此确保在其周边的第一无机膜19与第二无机膜21的膜厚，并且由于第一无机膜19与第二无机膜21形成于必要的范围，从而可以确保由密封膜22的密封功能的可靠性。
《第二实施方式》
图13至图16是表示本发明所涉及的成膜用掩模以及使用其之的显示装置的制造方法的第二实施方式。在此，图13是使用于本实施方式的有机EL显示装置30的制造方法的成膜用掩模50e的俯视图。另外，图14是沿着图13中的XIV-XIV线的成膜用掩模50e的剖视图。另外，图15与图16是表示成膜用掩模50e的第一变形例与第二变形例的成膜用掩模502a与成膜用掩模50eb的剖视图。此外，对以下各实施方式中，与图1至图12相同的部件标注相同标记，省略其说明。
在上述第一实施方式中，例示了沟G沿着与突出部42a至42d的突出方向正交的方向设置的成膜用掩模50a至50d，但是在本实施方式中，例示了沟G沿着突出部42e的突出方向设置的成膜用掩模50e。
如图13与14所示，成膜用掩模50e包括：设置为矩形框状的掩模主体41、设置为从掩模主体41向框内突出的突出部42e，并且与被成膜基板S相对地配置。另外，成膜用掩模50e与上述第一实施方式的成膜用掩模50a同样的，例如由殷钢合金等的金属片构成。
在突出部42e的里面侧(被成膜基板S侧)的表面上，如图13与图14所示，设置有凹部R，该凹部R不到达突出部42e的框内侧(图7中上侧、左侧与右侧)的端部。在此，如图13与图14所示，凹部R由设置为沿着突出部42e的突出方向(图13中纵方向)互相平行地延伸的多个沟G构成。此外，成膜用掩模50e的厚度例如为200μm左右，沟G的深度(图14中纵方向的长度)例如为80μm左右，沟G的宽度(图13中横方向的长度)例如为400μm左右。
成膜用掩模50e例如在将殷钢合金的金属片加工为如图6所示的平面形状后，进行半蚀刻成为其被加工的金属片的突出部42a的部分的一方的表面侧，并且形成多个沟G(凹部R)而可以作成。
此外，在本实施方式中，例示了包括沟G的深度均匀地形成的突出部42e的成膜用掩模50e，但是如图15与图16所示，也可以是包括各沟G的深度形成为连续变化的突出部42ea与42eb的成膜用掩模50ea与50eb。
具体来说，在成膜用掩模50ea中，如图15所示，各沟G的深度随着向突出部42ea的突出侧(图中右侧)变浅。根据该成膜用掩模50ea，作用为向被成膜基板S侧翘曲的力的中心位于掩模主体41侧，因此可以容易使突出部42ea整体与被成膜基板S紧密接触。即，如图15所示，在成膜用掩模50ea中，在沿着突出部42ea的突出方向的截面中，突出部42ea的最薄的部分位于掩模主体41侧。在此，在最薄的部分是刚性小，因此突出部42ea以该最薄的部分为弯曲点，容易翘曲。从而，在成膜用掩模50ea中，可以容易使突出部40ea整体与被成膜基板S紧密接触。
另外，在成膜用掩模50eb中，如图16所示，各沟G的深度随着向突出部42eb突出侧(图中右侧)变深。根据该成膜用掩模50eb，作用于向被成膜基板S侧翘曲的力的中心位于突出部42eb的前端侧，因此可以容易使突出部42eb的前端侧与被成膜基板S紧密接触。即，在成膜用掩模50eb中，如图16所示，在沿着突出部42eb的突出方向的截面中，突出部42eb的最薄的部分位于前端侧。在此，该最薄的部分是刚性小，因此突出部42eb在该最薄的部分容易变形。从而，在成膜用掩模50eb中，可以容易使突出部42eb的前端侧与被成膜基板S紧密接触。
使用上述构成的成膜用掩模50e要制造有机EL显示装置30，在上述第一实施方式所说明的有机EL显示装置30的制造方法中，代替成膜用掩模50a使用成膜用掩模50e即可。
以上那样，根据本实施方式的成膜用掩模50e以及使用其之的有机显示装置30的制造方法，在从成膜用掩模50e的掩模主体41向框内突出的突出部42e的被成膜基板S侧的表面上，设置由多个沟G构成的凹部R，该凹部R不到达突出部42e的框内侧的端部。因此，在第一无机膜形成工序与第二无机膜形成工序中，通过成膜用掩模50e在腔内加热，从而与突出部42e的被成膜基板S相反的一侧以热膨胀相对较大地延伸，包括沟G的突出部42e的被成膜基板S侧相对较小地延伸。由此，在成膜用掩模50e中，由于向被成膜基板S侧翘曲的力起作用，从而可以抑制成膜用掩模50e的突出部42e的上浮。其结果，第一无机膜19与第二无机膜21难以绕回于突出部42e与被成膜基板S之间，因此确保在其周边的第一无机膜19与第二无机膜21的膜厚，并且由于第一无机膜19与第二无机膜21形成于必要的范围，从而可以确保由密封膜22的密封功能的可靠性。
《第三实施方式》
图17与图18是表示本发明所涉及的成膜用掩模以及使用其之的显示装置的制造方法的第三实施方式。在此，图17与图18是使用于本实施方式的有机EL显示装置30的制造方法的成膜用掩模50f与50g的俯视图。
在上述第一实施方式与第二实施方式中，例示了成膜用掩模50a至50e，该成膜用掩模50a至50e在突出部42a至42e设置有由互相平行地延伸的多个沟G构成的凹部R，在本实施方式中，例示成膜用掩模50f与50g，但是该成膜用掩模50f与50g在突出部42f和突出部42g设置有由其他形状的多个沟G构成的凹部R。
如图17所示，成膜用掩模50f包括：设置为矩形框状的掩模主体41、设置为从掩模主体41向框内突出的突出部42f，并且与被成膜基板S相对地配置。另外，成膜用掩模50f与上述第一实施方式的成膜用掩模50a同样的，例如由殷钢合金等的金属片构成。
在突出部42f的里面侧(被成膜基板S侧)的表面上，如图17所示，设置有凹部R，该凹部R不到达突出部42f的框内侧(图中上侧、左侧以及右侧)。在此，凹部R如图17所示，分别由在俯视下形成为圆形状，并且随机配置的多个沟G构成。此外，成膜用掩模50f的厚度例如为200μm左右，沟G的深度例如为80μm左右，沟G的直径例如为200μm至400μm左右。
如图18所示，成膜用掩模50g设置为矩形框状的掩模主体41、设置为从掩模主体41向框内突出的突出部42g，并且与被成膜基板S相对地配置。另外，成膜用掩模50g与上述第一实施方式的成膜用掩模50a同样的，例如由殷钢合金等的金属片构成。
突出部42g的里面侧(被成膜基板S侧)的表面上，如图18所示，设置有凹部R，该凹部R，不到达突出部42g的框内侧(图中上侧、左侧以及右侧)。在此，如图17所示，凹部R由在俯视下形成为L字状或I字状的多个沟G构成。此外，成膜用掩模50g的厚度例如为200μm左右，沟G的深度例如为80μm左右，沟G的宽度例如为400μm左右。
成膜用掩模50f(50g)例如将殷钢合金等的金属片加工为如图6所示的平面形状后，进行半蚀刻成为其被加工的金属片的突出部42a的部分的一方的表面侧，并且形成多个沟G(凹部R)，而可以作成。
使用上述构成的成膜用掩模50f(50g)要制造有机EL显示装置30，在上述第一实施方式所说明的有机EL显示装置30的制造方法中，代替成膜用掩模50a使用成膜用掩模50f(50g)即可。
如以上那样，根据本实施方式的成膜用掩模50f(50g)以及使用其之的有机显示装置30的制造方法，在从成膜用掩模50f(50g)的掩模主体41向框内突出的突出部42f(42g)的被成膜基板S侧的表面中，设置有凹部R，该凹部R不到达突出部42f(42g)的框内侧的端部。因此，在第一无机膜形成工序与第二无机膜形成工序中，成膜用掩模50f(50g)在腔内加热，突出部42f(42g)的与被成膜基板S相反的一侧以热膨胀相对较大地延伸，包括沟G的突出部42f(42g)的被成膜基板S侧相对较小的延伸。由此，在成膜用掩模50f(50g)中，作用向被成膜基板S侧翘曲的力，而可以抑制成膜用掩模50f(50g)的突出部42f(42g)的上浮。其结果，第一无机膜19与第二无机膜21难以绕回于突出部42f(42g)与被成膜基板S之间，因此确保在其周边中的第一无机膜19与第二无极薄21的膜厚，并且第一无机膜19与第二无机膜21形成于必要范围内，因此可以确保由密封膜22的密封功能的可靠性。
《其他实施方式》
此外，在上述实施方式中，例示了制造单个有机EL显示装置的方法，但是，本发明能应用于使用格子状的成膜用掩模，来制造多个显示装置的方法。
另外，在上述实施方式中，例示了使用包括设置有凹部的突出部的成膜用掩模，以CVD法形成密封膜的无机膜的有机EL显示装置的制造方法，但是本发明能应用于使用包括设置有凹部的突出部的成膜用掩模，以真空蒸镀法形成第二电极等的有机EL显示装置的制造方法。
另外，在上述各实施方式中，例示了使用包括设置有凹部的突出部的成膜用掩模，以CVD法形成密封膜的第一无机膜与第二无机膜，并且第一无机膜、有机膜以及第二无机膜依次层叠的密封膜，但是密封膜例如也可以包括只由无机膜层叠结构。
另外，在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电极注入层的5层层叠结构的有机EL层，但是有机EL层也可以是例如空穴注入层兼空穴输送层、发光层以及电子输送层兼电子注入层的3层层叠结构。
另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极，将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但是本发明也能应用于使有机EL层的层叠结构反转，将第一电极为阴极，将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，例示了包括将连接于第一电极的TFT的电极作为漏极电极的元件基板的有机EL显示装置，但是本发明也能应用于包括将连接于第一电极的TFT的电极称为源极电极的元件基板的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，列举出作为显示装置将有机EL显示装置为例子进行说明，但是本发明能应用于包括以电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，能应用于包括使用含量子点的层的发光元件即QLED(Quantum-dot light emitting diode)的显示装置。
工业实用性
如以上那样，本发明是对柔性显示装置有用的。
附图标记说明
D 显示区域
G 沟
N 切口部
R 凹部
S 被成膜基板
10 树脂基板层(衬底基板)
17 第二电极(共用电极，无机膜)
18 有机EL元件(发光元件)
19 第一无机膜
20 有机膜
21 第二无机膜
22 密封膜
30 有机EL显示装置
41 掩模主体
42a至42g、42ea、42eb 突出部
50a至50g、50ea、50eb 成膜用掩模

Claims (16)

1.一种成膜用掩模，包括：
设置为框状的掩模主体、设置为从上述掩模主体向框内突出的突出部，并且与被成膜基板相对地配置，上述成膜用掩模特征在于，
在上述突出部的表面上，设置有凹部，上述凹部不到达该突出部的框内侧的端部。
2.根据权利要求1所述的成膜用掩模，其特征在于，
上述凹部设置于上述突出部的上述被成膜基板侧的表面。
3.根据权利要求1或2所述的成膜用掩模，其特征在于，
上述凹部由多个沟构成，上述多个沟构设置为互相平行地延伸。
4.根据权利要求3所述的成膜用掩模，其特征在于，
上述多个沟沿着与上述突出部的突出方向正交的方向设置。
5.根据权利要求4所述的成膜用掩模，其特征在于，
上述突出部在俯视下包括R形状，
上述各沟的长度与上述R形状对应，随着向上述突出部的突出侧变短。
6.根据权利要求3所述的成膜用掩模，其特征在于，
上述多个沟沿着与上述突出部的突出方向正交的方向间歇地设置。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的成膜用掩模，其特征在于，
上述各沟的宽度随着向上述突出部的突出侧变宽。
8.根据权利要求3所述的成膜用掩模，其特征在于，
上述多个沟沿着上述突出部的突出方向设置。
9.根据权利要求8所述的成膜用掩模，其特征在于，
上述各沟的深度随着向上述突出部的突出侧变浅。
10.根据权利要求8所述的成膜用掩模，其特征在于，
上述各沟的深度随着向上述突出部的突出侧变深。
11.一种显示装置的制造方法，包括：
发光元件形成工序，形成有发光元件，上述发光元件在衬底基板的一方的表面侧构成显示区域，
密封膜形成工序，以覆盖上述发光元件的方式形成密封膜，上述显示装置的制造方法的其特征在于，
在上述显示区域中，设置有在俯视下轮廓的一部分向内侧凹陷的切口部，
上述发光元件形成工序与密封膜形成工序的至少一方包括使用成膜掩模形成无机膜的无机膜形成工序，
上述成膜掩模包括：设置为框状的掩模主体、设置为从该掩模主体向框内突出，并且使与上述切口部对应配置的突出部，在使与上述突出部的上述衬底基板相对地配置的侧表面上，设置有凹部，上述凹部不到达该突出部的框内侧的端部。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
上述密封膜形成工序包括：
作为上述无机膜以覆盖上述发光元件的方式形成第一无机膜的第一无机膜形成工序；
以在该第一无机膜上与上述发光元件重叠的方式形成有机膜的有机膜形成工序、
作为上述无机膜以覆盖该有机膜的方式形成第二无机膜的第二无机膜形成工序。
13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在上述第一无机膜形成工序与第二无机膜形成工序中，以CVD法形成上述第一无机膜与第二无机膜。
14.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在上述发光元件形成工序中，作为上述无机膜在上述显示区域形成共用电极。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
上述显示区域在俯视下设置为矩形状，
上述切口部设置于上述显示区域的一边。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
上述发光元件为有机EL元件。
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