[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN111610660A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111610660A
CN111610660A CN202010478724.2A CN202010478724A CN111610660A CN 111610660 A CN111610660 A CN 111610660A CN 202010478724 A CN202010478724 A CN 202010478724A CN 111610660 A CN111610660 A CN 111610660A
Authority
CN
China
Prior art keywords
color
substrate
array substrate
array
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010478724.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111610660B (zh
Inventor
滕用进
刘晓莉
邱英彰
林丽敏
高娇
黄庭曦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202010478724.2A priority Critical patent/CN111610660B/zh
Priority to US17/610,415 priority patent/US11815776B2/en
Priority to PCT/CN2020/098612 priority patent/WO2021237863A1/zh
Publication of CN111610660A publication Critical patent/CN111610660A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111610660B publication Critical patent/CN111610660B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板中，开关阵列层设置在第一基板上并且包括多个晶体管；像素电极层包括多个像素电极并且像素电极与晶体管的漏极通过过孔电连接；色阻阵列层包括多个色阻且色阻包括沿第一方向相对设置的第一边与第二边。其中，第一边包括第一凹部，第二边包括第二凹部；沿第一方向相邻设置的两个色阻中，一个色阻的第一凹部与另一个色阻的第二凹部相对设置；并且相对设置的第一凹部及第二凹部沿第二方向的投影与过孔沿第二方向的投影至少部分交叠，第二方向与阵列基板的厚度方向平行。本申请提供的阵列基板、显示面板及显示装置能够实现曲面显示同时具备良好的显示效果以及制备良率。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
【技术领域】
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
【背景技术】
液晶显示因其成熟的工艺及较低的成本，依然是显示技术领域的主流显示技术。随着人们对大显示屏的追求，方便携带的柔性显示屏及可折叠显示屏成为人们追求的热点。但是将目前最为成熟的液晶显示设计为柔性显示屏或者可折叠显示屏仍然存在不少难点。
液晶显示是在两个相对的基板之间注入液晶分子形成液晶盒，液晶分子的旋转状态可以控制液晶盒一侧的背光能否通过液晶盒到达出光面。但是由于背光为白光，因此需要在一个基板上设置色阻，以将白光转换为其他颜色的光。但是，现有技术中通常将色阻设置在一个基板上，比如，设置在彩膜基板上，将传递信号的金属走线设置在另一个基板上，那么在液晶显示屏弯折形成柔性显示屏或者可折叠显示屏的过程中，部分像素对应的色阻与该像素对应的金属走线之间会存在偏位，从而影响正常的显示。
【发明内容】
有鉴于此，本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，以解决以上问题。
第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括第一基板、开关阵列层、像素电极层。其中，开关阵列层设置在第一基板上并且包括多个晶体管；像素电极层包括多个像素电极并且像素电极与晶体管的漏极通过过孔电连接；色阻阵列层包括多个色阻且色阻包括沿第一方向相对设置的第一边与第二边。其中，第一边包括第一凹部，第二边包括第二凹部；沿第一方向相邻设置的两个色阻中，一个色阻的第一凹部与另一个色阻的第二凹部相对设置；并且相对设置的第一凹部及第二凹部沿第二方向的投影与过孔沿第二方向的投影至少部分交叠，第二方向与阵列基板的厚度方向平行。
第二方面，本申请实施例还提供一种显示面板，包括如第一方面提供的阵列基板；显示面板还包括对置基板及液晶层，对置基板与阵列基板相对设置，并且液晶层设置在对置基板与阵列基板之间。
第三方面，本申请实施例还包括一种显示装置，包括如第二方面提供的的显示面板。
本申请实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置中，将色阻层制备在阵列基板上，可以避免对应的显示面板在弯曲的过程中，色阻与对应子像素之间发生偏移导致漏光以及色彩显示混乱的问题。此外，本申请提供的色阻设计可以适用于高像素密度的设计并且能够保证色阻的制备良率。采用本申请实施例的色阻设计，在制作色阻的过程中，掩膜版的遮光区域之间的距离增加，避免了曝光过程中光的衍射，从而能够得到设计的色阻形状。同时，采用本申请实施例的色阻设计，在显影的过程中，需要去除的光刻胶位于固化后的光刻胶的边缘外置，因此可以充分接触显影液被完全显影掉；在刻蚀过程中，需要被刻蚀掉的那部分色阻位于色阻的边缘位置，因此可以充分接触刻蚀液被完全刻蚀掉；因此，本申请实施例提供的色阻设计减低了色阻的开孔难度，进而提高了像素电极与晶体管连接的可靠性。
【附图说明】
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的示意图；
图2为图1中沿MN方向的一种剖面图；
图3为本申请实施例提供的一种色阻阵列层的示意图；
图4为一种色阻的制备方式；
图5为本申请实施例提供的一种色阻对应的制备方式；
图6为图1中沿MN方向的另一种剖面图；
图7为本申请实施例提供的另一种阵列基板的示意图；
图8为本申请实施例提供的另一种色阻阵列层的示意图；
图9为本申请实施例提供的又一种阵列基板的示意图；
图10为本申请实施例提供的又一种色阻阵列层的示意图；
图11为本申请实施例提供的一种色阻的示意图；
图12为本申请实施例提供的另一种色阻的示意图；
图13为本申请实施例提供的又一种色阻的示意图；
图14为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；
图15为本申请实施例提供的另一种显示面板的示意图；
图16为本申请实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图17为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，尽管在本申请实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述颜色，但这些颜色不应限于这些术语。这些术语仅用来将颜色彼此区分开。例如，在不脱离本申请实施例范围的情况下，第一颜色色阻也可以被称为第二颜色色阻，类似地，第二颜色色阻也可以被称为第一颜色色阻。
本案申请人通过细致深入研究，对于现有技术中所存在的问题，而提供了一种解决方案。
图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的示意图，图2为图1中沿MN方向的一种剖面图，图3为本申请实施例提供的一种色阻阵列层的示意图。
请结合图1与图2，本申请实施例提供的阵列基板01包括第一基板10、开关阵列层T0、像素电极层20及色阻阵列层C0。
其中，开关阵列层T0设置在第一基板10上，并且开关阵列层T0包括多个晶体管T。晶体管T的栅极与栅极线40电连接，栅极线40接收栅极扫描信号用于控制晶体管T开启；晶体管T的源极与数据线50连接，数据线50提供显示所用的显示信号。
像素电极层20包括多个像素电极21，像素电极21与晶体管T的漏极通过过孔V电连接，像素电极21可以通过晶体管T接收显示信号。具体地，栅极线40接收栅极扫描信号控制晶体管T开启，数据线50传输显示信号，显示信号通过晶体管T的源极传输至漏极，进而传输至像素电极21。
色阻阵列层C0包括多个色阻C，多个色阻C包括第一颜色色阻C1、第二颜色色阻C2及第三颜色色阻C3，经过第一颜色色阻C1的白光可以变为第一颜色光，经过第二颜色色阻C2的白光可以变为第二颜色光，经过第三颜色色阻C3的白光可以变为第三颜色光。
如图3所示，色阻C包括沿第一方向X相对设置的第一边与第二边，第一边包括第一凹部H0，第二边包括第二凹部H1；沿第一方向相邻设置的两个色阻C中，一个色阻C的第一凹部H0与另一个色阻C的第二凹部H1相对设置。需要说明的是，图1仅示出了阵列基板的部分位置的结构，对应地，图3也仅示出了阵列基板的部分位置对应的色阻层。还需要说明的是，本申请实施例中所提供的色阻C的第一边与第二边为相对设置的两边，如图3所示，每个色阻C的左侧的边可以认为是第一边，则右侧的边可以认为是第二边；实际上，色阻C中左侧的边也可以被认为是第二边，右侧的边也可以被认为是第一边。
以图3所示的色阻层C0为例进行说明，第二颜色色阻C2中左侧的边为第一边，并且第一边包括第一凹部H0，第一颜色色阻C1中右侧的边为第二边，并且第二边包括第二凹部H1。第二颜色色阻C2与第一颜色色阻C1沿第一方向X相邻设置，并且具体地，第二颜色色阻C2的第一边与第一颜色色阻C1的第二边沿第一方向X相邻设置，因此，第二颜色色阻C2中的一个第一凹部H0与第一颜色色阻C1中的一个第二凹部H1相对设置。一个第一凹部H0与一个第二凹部H1相对设置可以看成构成了一个更加完整的过孔部H。
请结合图1-图3，像素电极21通过过孔V与晶体管T的漏极电连接，由于色阻层C0位于像素电极层20与开关阵列层T0之间，因此，色阻层C0对应过孔V的位置也应该是镂空的设计。在本申请实施例中，色阻层C0对应过孔V的位置处的镂空设计为第一凹部H0与相对设置的第二凹部H1构成的过孔部H。
请参考图2，过孔部H在第二方向Y的投影与过孔V沿第二方向Y的投影交叠，也就是，相对设置的第一凹部H0及第二凹部H1沿第二方向Y的投影与过孔V沿第二方向Y的投影至少部分交叠，其中，第二方向Y与阵列基板的厚度方向平行。
在本申请实施例提供的阵列基板中，色阻层C0中与过孔V对应的过孔部H由相对的第一凹部H0和第二凹部H1设置构成，其中，构成过孔部H的第一凹部H0和第二凹部H1分别属于两个相邻设置的色阻C。下面结合图4及图5对本申请实施例的有益效果进行说明。
图4为一种色阻的制备方式，图5为本申请实施例提供的一种色阻对应的制备方式。
以下均以制备第二颜色色阻C2为例进行说明，可以理解的是，第一颜色色阻C1及第三颜色色阻C3均适用于以下说明。由于消费者与开发者对高像素密度显示的要求，每个子像素的尺寸越来越小，并且宽度的变小尤为明显。在本申请的实施例中，由于将色阻层C0制备在了阵列基板上像素电极的下方，则像素电极21与晶体管T电连接时需要穿过色阻层C0，因此，色阻C上应该设置允许像素电极21与晶体管T连接的镂空部。
发明人发现，当子像素的宽度较小时，采用图4所示的掩膜版P’对色阻进行曝光、显影、刻蚀的过程中会得到异形的色阻。具体地，以下以图4所示的掩膜版P’及负性光刻胶制备第二颜色色阻C2’为例进行说明。掩膜版P’的第一区域B1’及第二区域B2’代表遮光的部位，第三区域A1’代表透光的部位。当第二颜色色阻C2’上允许像素电极21与晶体管T连接的镂空部H’为连续的结构时，则掩膜版P’上对应镂空部H’的第二区域B2’也为连续的结构，此时，第二区域B2’与间隔且相邻的第一区域B1’之间的第一距离D1’就会过小。那么在对第二颜色色阻C2’上方的感光胶进行曝光的过程中，由于第一距离D1’过小，则光的衍射会使得在第一区域B1’对应的部分感光胶也受到曝光得到了固化，在显影后该部分光刻胶无法去除，那么在刻蚀后该部分光刻胶下方的色阻无法去除，因此，形成了如图4所示的异形的第二颜色色阻C2’。
而采用本实施例的色阻C的设计，所采用的掩膜版P的结构如图5所示，由于允许像素电极21与晶体管T实现电连接的镂空部，也就是本申请实施例中的过孔部H，分别由相邻的两个色阻C中的一个色阻C的第一凹部H0及另一个色阻的第二凹部H1构成，并且同一色阻C中，第一凹部H0与第二凹部H1位于相对的两个边上。对应地，掩膜版P的第一区域B1及第二区域B2代表遮光的部位，第三区域A1代表透光的部位，并且具体地，左右两个突出的第二区域B2分别对应制备第一凹部H0和第二凹部H1。
在图4所示的镂空部H’的宽度与第一凹部H0及第二凹部H1的宽度之和相等时，则图5所示的掩膜版P中相对设置的两个第二区域B2之间的第二距离D1为图4所示的第一距离D1’的两倍，并且图5所示的第二区域B2与间隔设置的第一区域B1之间的距离明显大于第二距离D1。也就是说，采用本申请实施例的色阻C的设计，其所对应的掩膜版P的遮光区域之间的距离增加，避免了曝光过程中光的衍射，从而能够得到设计的色阻C的形状。
此外，请参考图4，若第二颜色色阻C2’上的镂空部H’为闭合孔时，该镂空部H’周围均是第二颜色色阻C2’在刻蚀后保留的部分，那么在显影时镂空部H’上方的感光胶应该去除，而其周围的感光胶应该保留。也就是，在显影的过程中，相当于将被固化后的光刻胶所包围中间区域的未固化的光刻胶通过显影液去除，这会导致中间区域的未固化的光刻胶去除不完全，进而导致未固化且未显影去除的那部分光刻胶下方的第二颜色色阻C2’无法去除。此外，由于镂空部H’位于第二颜色色阻C2’的中间部位，则该部分在使用刻蚀液刻蚀形成镂空部H’的过程中可能导致无法充分接受刻蚀液，导致刻蚀不彻底，当镂空部H’的孔径太深时尤为明显。上述两种情况均导致了色阻的开孔难度，使镂空部H’内有色阻残留，进而影响了像素电极21与晶体管T连接的可靠性。
在制备本申请实施例提供的色阻C的过程中，由于不同颜色的色阻C逐一进行制备，并且色阻C中的第一凹部H0及第二凹部H1位于色阻的侧边上，也就是，在制备一种颜色的色阻时，其上的第一凹部H0与第二凹部H1为开放的结构。如图5所示的，在制备第二颜色色阻C2时，则其左右两侧的色阻C的制备时间与之不同，则第二颜色色阻C2的第一凹部H0的左侧及第二凹部H1的右侧为不闭合的。在显影的过程中，需要去除第一凹部H0及第二凹部H1对应区域上方的光刻胶，由于该部分光刻胶位于固化后的光刻胶的边缘外置，因此可以充分接触显影液被完全显影掉。在刻蚀过程中，由于需要被刻蚀掉的那部分色阻位于色阻的边缘位置，因此可以充分接触刻蚀液被完全刻蚀掉。因此，本申请实施例减低了色阻的开孔难度，进而提高了像素电极21与晶体管T连接的可靠性。
在本申请的一个实施例中，第一基板10可以为曲面基板、柔性基板中的一种。
在现有技术中，由于色阻层C0设置在与阵列基板01相对的彩膜基板上，而包括有阵列基板01和彩膜基板的显示面板在弯曲的过程中，由于阵列基板01与彩膜基板不是一体的，那么阵列基板01的像素电极会与彩膜基板上对应的色阻发生错位，导致弯曲后的部分像素电极可能与相邻的色阻部分对应了，比如由于红色像素对应的像素电极上方可能存在蓝色色阻，那么该红色色阻要发光时，其像素电极对应区域的光就会通过蓝色色阻导致该红色像素对应位置至少部分区域发了蓝光，这就导致漏蓝光，使得显示颜色混乱。本申请的实施例中，将色阻层C0制备在阵列基板01上，由于相对于将色阻层C0制备在与阵列基板01相对的彩膜基板上，像素电极与对应的色阻在弯折时基本不会发生错位，因此可以避免对应的显示面板在弯曲的过程中，出现漏光以及色彩显示混乱的问题。此外，本申请实施例的色阻C的设计可以适用于高像素密度的设计并且能够保证色阻的制备良率。
如图2所示，在本申请实施例中，色阻层C0设置在像素电极层20靠近开关阵列层T0的一侧，也就是，像素电极21位于色阻C远离开关阵列层T0的一侧。因此，本申请实施例虽然将色阻层C0设置在阵列基板上，但是像素电极21与阵列基板的上表面之间的距离可以不改变，即像素电极与阵列基板上表面之上的液晶层之间距离没有改变，保证了液晶层所在位置处的电场强度，使得液晶分子能够正常被旋转。
图6为图1中沿MN方向的另一种剖面图，如图6所示，在本申请实施例的一种可替代方案中，阵列基板上还可以包括公共电极层30，公共电极层30包括公共电极31。也就是在本申请的一个实施例中，用于与像素电极21之间形成电场的公共电极31也可以与像素电极21一起设置在第一基板10之上，作为阵列基板01的一部分。当然，本申请实施例提供的阵列基板01也可以如图2所示，即阵列基板01未设置公共电极31。
请继续参考图6，当阵列基板上还包括公共电极层30时，公共电极层30位于色阻阵列层C0远离开关阵列层T0的一侧。由于液晶层的旋转是由像素电极21与公共电极31之间形成的电场控制，因此，将公共电极层30设置在相对于色阻阵列层C0更靠近阵列基板01上表面的位置，可以保证液晶层所在位置处的电场强度，使得液晶分子能够正常被旋转。
本申请实施例中所涉及的晶体管T可以为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)晶体管。由于阵列基板中采用LTPS晶体管时，对应的子像素开口会比较小，那么对应的色阻尺寸也就更小，因此，本申请实施例提供的阵列基板可以保证LTPS显示面板的色阻尺寸的完整性。当然，本申请实施例的阵列基板也可以采用非晶硅(a-Si)晶体管或者其他类型的晶体管。
此外，本申请实施例中，色阻C沿所述第一方向X的最大宽度为d，10μm≤d≤30μm，在一种实现方式中，色阻C沿第一方向X的最大宽度d为20μm左右。本申请实施例中色阻C的宽度在该范围内可以实现高像素密度，此外，本申请实施例提供的色阻C的设计使得色阻C的宽度较小时仍然能够保证较高的制备良率。
请结合图1及图3，在本申请的一个实施例中，位于同一列的子像素的颜色可以相同，那么位于同一列的色阻C的颜色也就相同。就是说，同一列中的色阻C均为第一颜色色阻C1或者第二颜色色阻C2或者第三颜色色阻C3。因此，在本申请实施例的一种实现方式中，如图3所示，沿第三方向Z，同一列的色阻C可以为连续的结构。需要说明的是，虽然位于同一列的色阻C为连续的结构，但是该列色阻C仍然包括与各个子像素一一对应的子色阻。因此，在本申请的一个实施例中，色阻C包括与像素电极21一一对应且沿第三方向Z设置的子色阻以及位于相邻子色阻之间的连接部，第三方向Z与第一方向X交叉。并且第一凹部H0与第二凹部H1设置在对应的色阻C的连接部。
以图3所示的第三颜色色阻C3为例进行说明，第三颜色色阻C3包括沿第三方向Z设置的子色阻C3a以及位于相邻的子色阻C3a之间且连接相邻的子色阻C3a的连接部C3b，并且第三色阻C3上的第一凹部H0及第二凹部H1设置在连接部C3b所在区域。
需要说明的是，当同一列的色阻C颜色相同且为连续结构时，该列色阻可以看作是一个色阻C，那么可以理解的，这样的一个色阻C的第一边应该包括多个第一凹部H0和多个第二凹部H1，以保证每个与像素电极21对应的子色阻均有与之对应的过孔部H。
当同一列的色阻C的颜色相同时，将该列色阻C设置为连续的结构，避免了图形化过程中的工艺不良。此外，连续的色阻C也有助于在色阻层C0后制备的其他膜层具备较为平坦的表面。此外，将第一凹部H0与第二凹部H1设置在连接部所在位置避免了过孔部H影响子像素的开口率。
图7为本申请实施例提供的另一种阵列基板的示意图，图8为本申请实施例提供的另一种色阻阵列层的示意图。
如图7及图8所示，阵列基板上设置的多个色阻C呈阵列排布，具体地，多个色阻C沿第一方向X及第三方向Z呈多列多行排布，并且任意一个色阻C与至少四个色阻C相邻设置。也就是说，如图7所示，本实施例中的色阻C为与像素电极21一一对应的且相互独立的结构，并且沿第一方向X，每个色阻C的两侧均设置有色阻C；沿第三方向Z，每个色阻C的两侧也均设置有色阻C。如此设计可以满足对子像素排列的多样化要求。
请继续参考图7及图8，沿第一方向X，任意一个色阻C与相邻的色阻C的颜色不同；并且沿第三方向Z，任意一个色阻C与相邻的色阻C的颜色不同。以图7及图8所示中第二行中的第二个色阻C为例进行说明，与该第一颜色色阻C1相邻的上下两个色阻C为第二颜色色阻C2，与该第一颜色色阻C1相邻的左右两个色阻C分别为第三颜色色阻C3和第二颜色色阻C2。需要说明的是，本申请中色阻C呈阵列排布且任意一个色阻C的颜色与同一行及同一列的与相邻色阻的颜色不同，也可以是除图7及图8所示情形之外的其他情形。采用该设计可以实现渲染技术，进一步提高像素密度；此外，由于在制备色阻的过程中不同颜色的色阻C逐一进行制备，则制备一种颜色的色阻C并且形成第一凹部H0和第二凹部H1时，该颜色的色阻C的上下左右各侧均无需制备色阻C并且形成第一凹部H0或者第二凹部H1，则避免了对应的掩膜版P中的一个子像素对应第二区域B2与相邻子像素对应的第三区域A1之间的距离过小，在曝光过程中受到光的衍射制备得到异形的色阻。
在本实施例中，如图7及图8所示，色阻C包括沿第一方向X设置的第一边和第二边，还包括沿第三方向Z设置的第三边与第四边，其中，第三边及第四边的长度大于第一边、第二边的长度，第三方向Z与第一方向X交叉。又由于，本申请实施例中的第一边及第二边上分别设置有第一凹部H0和第二凹部H1。因此，在本实施例中，色阻C上设置的第一凹部H0和第二凹部H1均位于色阻C的短边上，也就是，第一凹部H0与第二凹部H1沿色阻C的长度方向设置。如此，同一色阻C中，第一凹部H0与第二凹部H1之间的距离较大，可以更有效的避免在利用掩膜版进行曝光过程中的因光的衍射造成色阻C异形。
图9为本申请实施例提供的又一种阵列基板的示意图，图10为本申请实施例提供的又一种色阻阵列层的示意图。
如图9及图10所示，沿第一方向X相对设置的第一边和第二边中，第一边包括两个第一凹部H0，并且两个第一凹部H0沿第三方向Z相对设置；第二边包括两个第二凹部H1，并且两个第二凹部H1沿第三方向Z相对设置。以图10中第二行的最左端的第三颜色色阻C3为例进行说明，该第三颜色色阻C3的左侧边为第一边，右侧边为第二边，第一边包括两个第一凹部H0，并且两个第一凹部H0沿第三方向Z排列且分别位于该第三颜色色阻C3沿第三方向Z设置的上端和下端；同样地，第二边包括两个第二凹部H1，并且两个第二凹部H1沿第三方向Z排列且分别位于该第三颜色色阻C3沿第三方向Z设置的上端和下端。
请结合图9及图10，在本申请的实施例中，像素电极21与晶体管T电连接的过孔部H可以由四个色阻C中的第一凹部H0或第二凹部H1构成。具体地，在本实施例中，过孔部H由沿第三方向Z相邻设置的两个第一凹部H0及沿第三方向Z相邻设置的两个第二凹部H1构成，并且该两个第一凹部H0分别属于不同的色阻C且该两个第二凹部H1分别属于不同的色阻C。也就是，在过孔部H的尺寸确定的情况下，将构成过孔部H的两个第一凹部H0设置在两个色阻C中，将构成过孔部H的两个第二凹部H1设置在两个色阻C中。
当一个子像素对应的过孔部H由较多的色阻C中的第一凹部H0或第二凹部H1构成时，每个色阻C中的第一凹部H0及第二凹部H1的尺寸更小、数量更多且更分散，则对应的掩膜版上的第二区域B2之间的距离更大，进一步避免光的衍射造成异形色阻C。
本申请实施例所提供的色阻C上设置的第一凹部H0与第一凹部H1的形状相同。如图3及图8所示，本申请实施例提供的第一凹部H0与第一凹部H1的形状可以均为半圆形；如图10所示，本申请实施例提供的第一凹部H0与第一凹部H1的形状也可以均为扇形。
图11为本申请实施例提供的一种色阻的示意图，图12为本申请实施例提供的另一种色阻的示意图，图13为本申请实施例提供的又一种色阻的示意图。如图11所示，本申请实施例提供的第一凹部H0与第一凹部H1的形状可以均为矩形；如图12所示，本申请实施例提供的第一凹部H0与第一凹部H1的形状可以均为梯形；如图13所示，本申请实施例提供的第一凹部H0与第一凹部H1的形状可以均为三角形。
如上所述，本申请实施例提供的第一凹部H0与第二凹部H1的形状相同，且两者为半圆形、扇形、三角形、梯形、矩形中的任意一种。此外，第一凹部H0与第二凹部H1也可以为其他形状。
图14为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图，图15为本申请实施例提供的另一种显示面板的示意图。如图14及图15所示，本申请实施例提供的显示面板包括上述任意一个实施例提供的阵列基板01。
如图14及图15所示，本申请实施例提供的显示面板还包括对置基板02及液晶层03。具体地，阵列基板01与对置基板02相对设置，并且液晶层03设置在阵列基板01与对置基板02之间。
在本实施例中，对置基板02包括第二基板020，且第一基板10与第二基板020均为曲面基板、柔性基板中的一种。
在本申请的实施例中，将色阻层制备在显示面板的阵列基板上，可以避免显示面板在弯曲的过程中，色阻与对应子像素之间发生偏移导致漏光以及色彩显示混乱的问题。此外，本申请实施例的显示面板中的色阻的设计可以适用于高像素密度的设计并且能够保证色阻的制备良率，从而提成显示面板的显示效果及制备良率。
在本申请的一个实施例中，请参考图14及图15，对置基板02上还包括黑矩阵022，并且黑矩阵022沿第二方向Y的投影覆盖第一凹部与第二凹部沿第二方向Y的投影，也就是，黑矩阵022在第二方向Y上覆盖色阻层上的过孔部H。并且，黑矩阵022在第二方向Y上覆盖过孔V。避免过孔部H裸露在显示区域影响正常的显示。
此外，请继续参考图14，本申请实施例中的对置基板02上还可以包括公共电极021，对应的，阵列基板01上未设置公共电极层。此外，如图15所示，对置基板02上也可以不设置公共电极，而将公共电极31设置在阵列基板01上。
图16为本申请实施例提供的又一种显示面板的示意图，本实施例与图14所示实施例的不同之处仅在于，阵列基板01还包括黑矩阵41，并且黑矩阵41沿第二方向Y的投影覆盖第一凹部与第二凹部沿第二方向Y的投影。也就是在本实施例中，黑矩阵41设置在了阵列基板01上，而未设置在对置基板02上。将黑矩阵41同色阻层C0一起制备在阵列基板01上，则在显示面板弯曲或者弯折的过程中，避免黑矩阵41与过孔部H之间的错位，从而保证良好的观看效果。
图17为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图，本申请实施例所提供的显示装置包括如上述任意一个实施例所述的显示面板。本申请实施例提供的显示装置可以为手机，此外，本申请实施例提供的显示装置也可以为电脑、电视等显示装置。如图17所示，本申请实施例提供的显示装置包括显示区AA和围绕所述显示AA的非显示区BB，其中，对应显示区AA的阵列基板上设置有色阻层及像素电极层。
本申请的实施例提供的显示装置中，将色阻层制备在显示面板的阵列基板上，可以避免显示面板在弯曲的过程中，色阻与对应子像素之间发生偏移导致漏光以及色彩显示混乱的问题。此外，本申请实施例的显示装置中的色阻的设计可以适用于高像素密度的设计并且能够保证色阻的制备良率，从而提成显示装置的显示效果及制备良率。采用本申请实施例的色阻设计，在制作色阻的过程中，掩膜版的遮光区域之间的距离增加，避免了曝光过程中光的衍射，从而能够得到设计的色阻形状。同时，采用本申请实施例的色阻设计，在显影的过程中，需要去除的光刻胶位于固化后的光刻胶的边缘外置，因此可以充分接触显影液被完全显影掉；在刻蚀过程中，需要被刻蚀掉的那部分色阻位于色阻的边缘位置，因此可以充分接触刻蚀液被完全刻蚀掉；因此，本申请实施例提供的色阻设计减低了色阻的开孔难度，进而提高了像素电极与晶体管连接的可靠性。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (17)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
第一基板；
开关阵列层，设置在所述第一基板上，所述开关阵列层包括多个晶体管；
像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极，所述像素电极与所述晶体管的漏极通过过孔电连接；
色阻阵列层，所述色阻阵列层包括多个色阻，所述色阻包括沿第一方向相对设置的第一边与第二边；
其中，所述第一边包括第一凹部，所述第二边包括第二凹部；沿所述第一方向相邻设置的两个色阻中，一个所述色阻的所述第一凹部与另一个所述色阻的所述第二凹部相对设置；并且所述相对设置的所述第一凹部及所述第二凹部沿第二方向的投影与所述过孔沿所述第二方向的投影至少部分交叠，所述第二方向与所述阵列基板的厚度方向平行。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻阵列层位于所述像素电极层靠近所述开关阵列层的一侧。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管为低温多晶硅晶体管。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻沿所述第一方向的最大宽度为d，10μm≤d≤30μm。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻包括多个沿第三方向设置的子色阻及连接部，所述子色阻与所述像素电极一一对应设置，所述连接部设置在沿所述第三方向相邻设置的子色阻之间；所述第三方向与所述第一方向交叉；
所述第一凹部与所述第二凹部设置在对应的所述色阻的所述连接部。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻阵列层包括的多个色阻呈阵列排布，并且任意一个所述色阻与至少四个色阻相邻设置。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，任意一个所述色阻与相邻的所述色阻的颜色不同。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻还包括沿第三方向设置的第三边与第四边，所述第三边、所述第四边的长度大于所述第一边、所述第二边的长度，所述第三方向与所述第一方向交叉。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在一个所述色阻中，所述第一边包括两个所述第一凹部，所述第二边包括两个所述第二凹部；
所述两个所述第一凹部沿第三方向相对设置，所述两个所述第二凹部沿所述第三方向相对设置，所述第三方向与所述第一方向交叉。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹部与所述第二凹部的形状相同，且为半圆形、扇形、三角形、梯形、矩形中的任意一种。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极层，所述公共电极层包括公共电极；
所述公共电极层位于色阻阵列层远离所述开关阵列层的一侧。
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一基板为曲面基板、柔性基板中的一种。
13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-12任意一项所述的阵列基板。
所述显示面板还包括对置基板及液晶层，所述对置基板与所述阵列基板相对设置，并且所述液晶层设置在所述对置基板与所述阵列基板之间。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述对置基板包括第二基板，所述第二基板为曲面基板、柔性基板中的一种。
15.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述对置基板还包括黑矩阵，所述黑矩阵沿第二方向的投影覆盖所述第一凹部与所述第二凹部沿所述第二方向的投影。
16.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括黑矩阵，所述黑矩阵沿第二方向的投影覆盖所述第一凹部与所述第二凹部沿所述第二方向的投影。
17.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求13-16任意一项所述的显示面板。
CN202010478724.2A 2020-05-29 2020-05-29 一种阵列基板、显示面板及显示装置 Active CN111610660B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010478724.2A CN111610660B (zh) 2020-05-29 2020-05-29 一种阵列基板、显示面板及显示装置
US17/610,415 US11815776B2 (en) 2020-05-29 2020-06-28 Array substrate, display panel and display device
PCT/CN2020/098612 WO2021237863A1 (zh) 2020-05-29 2020-06-28 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010478724.2A CN111610660B (zh) 2020-05-29 2020-05-29 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111610660A true CN111610660A (zh) 2020-09-01
CN111610660B CN111610660B (zh) 2021-08-06

Family

ID=72203882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010478724.2A Active CN111610660B (zh) 2020-05-29 2020-05-29 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11815776B2 (zh)
CN (1) CN111610660B (zh)
WO (1) WO2021237863A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112558344A (zh) * 2020-12-30 2021-03-26 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114299894B (zh) * 2022-01-26 2022-10-11 惠科股份有限公司 阵列基板及液晶显示面板

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5314771A (en) * 1991-05-20 1994-05-24 Stanley Electric Company Limited Method of manufacturing color-filter-fitted board for liquid crystal display
US20090263921A1 (en) * 2004-05-24 2009-10-22 Deok Won Lee Thin film transistor substrate with color filter and method for fabricting the same
CN104216180A (zh) * 2009-08-24 2014-12-17 夏普株式会社 液晶显示装置
CN105652357A (zh) * 2014-12-01 2016-06-08 株式会社日本显示器 滤色器基板以及显示装置
CN105974651A (zh) * 2016-07-18 2016-09-28 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板的制作方法
CN107229152A (zh) * 2017-07-04 2017-10-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板
CN207817366U (zh) * 2018-02-12 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示面板及显示装置
CN108873450A (zh) * 2018-06-21 2018-11-23 上海天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN109557733A (zh) * 2018-12-28 2019-04-02 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN109634014A (zh) * 2019-02-22 2019-04-16 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN111090200A (zh) * 2020-03-22 2020-05-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101041970B1 (ko) * 2004-06-11 2011-06-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101525803B1 (ko) * 2008-12-23 2015-06-10 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
US20160148950A1 (en) * 2014-11-20 2016-05-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Thin-film transistor array substrate, manufacturing method, and display device
CN105607368B (zh) * 2016-01-04 2020-02-07 重庆京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN205809499U (zh) * 2016-07-26 2016-12-14 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN106547139B (zh) 2016-12-12 2019-11-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示装置
CN108873449B (zh) * 2018-06-20 2021-05-28 昆山龙腾光电股份有限公司 彩色滤光基板及液晶显示装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5314771A (en) * 1991-05-20 1994-05-24 Stanley Electric Company Limited Method of manufacturing color-filter-fitted board for liquid crystal display
US20090263921A1 (en) * 2004-05-24 2009-10-22 Deok Won Lee Thin film transistor substrate with color filter and method for fabricting the same
CN104216180A (zh) * 2009-08-24 2014-12-17 夏普株式会社 液晶显示装置
CN105652357A (zh) * 2014-12-01 2016-06-08 株式会社日本显示器 滤色器基板以及显示装置
CN105974651A (zh) * 2016-07-18 2016-09-28 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板的制作方法
CN107229152A (zh) * 2017-07-04 2017-10-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板
CN207817366U (zh) * 2018-02-12 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示面板及显示装置
CN108873450A (zh) * 2018-06-21 2018-11-23 上海天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN109557733A (zh) * 2018-12-28 2019-04-02 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN109634014A (zh) * 2019-02-22 2019-04-16 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN111090200A (zh) * 2020-03-22 2020-05-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112558344A (zh) * 2020-12-30 2021-03-26 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN112558344B (zh) * 2020-12-30 2022-08-05 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111610660B (zh) 2021-08-06
WO2021237863A1 (zh) 2021-12-02
US11815776B2 (en) 2023-11-14
US20230071313A1 (en) 2023-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100391157B1 (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
US6424397B1 (en) Method of forming wide-viewing angle liquid crystal display
KR100808466B1 (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR101547855B1 (ko) 반도체 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법
US9075269B2 (en) Array substrate and liquid crystal display device including the same
US6866917B2 (en) Substrate for liquid crystal display and method of fabricating the same
US20110049519A1 (en) Thin Film Transistor Array Panel and Method of Manufacturing the Same
KR20050001707A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
CN111610660B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
JPH11212075A (ja) 液晶表示装置の製造方法
US8305312B2 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
KR100493481B1 (ko) 도트 결함이 감소된 박막 트랜지스터 상의 색필터형 액정 디스플레이
US8223102B2 (en) Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
JP2009058606A (ja) カラーフィルタ及びその製造方法とフォトマスク及び液晶表示装置
KR100924751B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101329779B1 (ko) 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치
JP4158763B2 (ja) 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、及び電子機器
KR100650400B1 (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100853214B1 (ko) 액정 표시 장치의 패널 제조 방법
KR101061762B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR100484948B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치
US6653177B2 (en) Patterning method, thin film transistor matrix substrate manufacturing method, and exposure mask
JP2001021878A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置とその製造方法
KR101006475B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20070065072A (ko) 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant