CN111599853B - 一种显示基板及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示基板及显示面板,显示基板包括显示区和位于显示区边缘的非显示区,非显示区在远离显示区的方向上包括信号引线区和阻隔结构区;显示基板包括衬底,位于信号引线区的复数个信号线,位于显示区的复数个显示信号线,至少部分位于信号引线区的至少一层无机层和至少一层有机层;复数个信号线位于衬底上,至少一层无机层位于信号线远离衬底的一侧,且部分覆盖信号线,至少一层无机层上设置有开孔用于暴露出信号线的至少一部分远离衬底的表面;至少一层有机层在至少一层无机层远离衬底的一侧,且填充在开孔中用于覆盖被暴露出的信号线的表面。由此,在信号线上引入无机层打孔工艺,增强Dam的稳固性,减少断裂风险。
Description
技术领域
本发明涉及显示控制技术领域,特别涉及一种显示基板及显示面板。
背景技术
柔性有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)产品中,通常会在Panel边缘设置Dam,一般通过PLN(Planarization Layer,平坦化层)/PDL(PixelDefination Layer,像素定义层)边缘挖槽形成,一方面可以阻挡TFE(Thin-FilmEncapsulation)柔性封装中IJP(Ink Jet Printing,喷墨打印)的溢出,另一方面边缘挖槽处理可以将可操作(Active Area,AA)区PLN/PDL与边缘edge区PLN/PDL隔断,因PLN/PDL材料属于有机物,有机物容易吸水,挖槽处理阻断外部水氧侵入,可以形成更好的封装效果。
在Pad(信号源)侧(IC侧)会从IC Bump中引出很多Source走线(主要是Gate1/Gate2层交叠)进入AA区,Gate1/Gate2层交叠走线会引起ILD(Inter Layer Dielectric,层间绝缘层)表面凹凸不平;同时Dam1&Dam2宽度比较窄,约为50μm,这就会导致Dam1&Dam2与底部ILD表面的粘附力比较小。在BP前段工艺中,存在很多清洗(如喷淋、风刀等)流程,这些工艺流程会引起Pad侧Dam的缺失,存在引起不良的风险。
发明内容
本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此,本申请的第一个目的在于提出一种显示基板,解决了在Pad侧会从IC Bump中引出很多Source走线进入AA区,Gate1/Gate2层交叠走线会引起ILD表面凹凸不平;同时Dam1&Dam2宽度比较窄,导致Dam1&Dam2与底部ILD表面的粘附力比较小,引起Pad侧Dam的缺失,存在引起不良的风险的问题。增大PLN或PDL层与底层的接触面积,增大粘附性,进而增强Dam1&Dam2的稳固性,减少断裂风险。
本申请的第二个目的在于提出一种显示面板。
为达到上述目的,本申请一方面实施例提出了一种显示基板,包括:
所述显示基板包括显示区和位于所述显示区边缘的非显示区,所述非显示区在远离所述显示区的方向上包括信号引线区和阻隔结构区;
所述显示基板包括衬底,位于所述信号引线区的复数个信号线,位于所述显示区的复数个显示信号线,至少部分位于所述信号引线区的至少一层无机层和至少一层有机层;
所述复数个信号线与所述复数个显示信号线分别电连接,且所述复数个信号线从所述复数个显示信号线远离所述显示区的一端延伸经过所述阻隔结构区,至少延伸至与信号源电连接,为所述显示信号线提供显示信号;
所述复数个信号线位于所述衬底上,所述至少一层无机层位于所述信号线远离所述衬底的一侧,且部分覆盖所述信号线,所述至少一层无机层上设置有开孔用于暴露出所述信号线的至少一部分远离所述衬底的表面;所述至少一层有机层在所述至少一层无机层远离所述衬底的一侧,且填充在所述开孔中用于覆盖所述被暴露出的信号线的表面。
本发明实施例的显示基板,通过在Gate走线上方引入CNT打孔,PLN或PDL层Coating涂覆时,PLN或PDL有机材料会进入孔中,增大PLN或PDL层与底层的接触面积,增大粘附性,进而增强Dam1&Dam2的稳固性,减少断裂风险。同时Dam1&Dam2上方有CVD1/CVD2封装层,可以阻隔表面水氧侵蚀,不会引起Gate走线上方孔位置在信赖性验证中发生腐蚀的情况。
另外,根据本申请上述实施例的显示基板还可以具有以下附加的技术特征:
在本申请的一个实施例中,所述复数个信号线包括位于不同层的第一信号线和第二信号线,所述至少一层无机层包括位于所述第一线号线上方的栅极绝缘层和位于所述第二信号线上方的层间绝缘层,所述栅极绝缘层位于所述第一信号线和所述第二信号线之间。
在本申请的一个实施例中,所述第二信号线在所述第一信号线远离衬底的一侧,所述开孔包括第一开孔和第二开孔,所述第一开孔贯穿所述栅极绝缘层和层间绝缘层暴露出所述第一信号线,所述第二开孔贯穿所述层间绝缘层暴露出所述第二信号线,所述至少一层有机层同时填充在所述第一开孔和所述第二开孔中,且至少覆盖所述层间绝缘层用于提供一个平坦化表面。
在本申请的一个实施例中,所述第一信号线之间设置有间隔,所述第二信号线设置在所述间隔内。
在本申请的一个实施例中,还包括驱动电路层,所述驱动电路层包括设置在所述显示区的位于所述衬底上依次设置的有源层,第一绝缘层,同层同材料的栅极和第一电容电极,所述栅极绝缘层,第二电容电极,所述层间绝缘层,源极和漏极;所述复数个信号线与所述栅极,所述第二电容电极和所述源极和漏极的至少一层同层且同材料。
在本申请的一个实施例中,还包括OLED结构,所述OLED结构包括位于所述显示区的像素单元和位于像素单元之间的像素界定结构,所述至少一层有机层包括与所述像素界定结构同层同材料的第一有机层。
在本申请的一个实施例中,还包括位于所述驱动电路层和所述OLED结构之间的平坦化层,所述平坦化层中设置有开孔用于实现所述驱动电路层和OLED的电连接,所述至少一层有机层还包括与所述平坦化层同层同材料的第二有机层和位于其上的与所述像素界定结构同层同材料的第一有机层,所述第二有机层填充在所述第一开孔和第二开孔中。
在本申请的一个实施例中,还包括位于所述显示区和所述信号引线区的支撑部,以及封装层;所述支撑部和封装层在所述像素界定结构上方和所述信号线上方。
在本申请的一个实施例中,所述阻隔结构区包括至少一个阻隔结构和凹槽,当所述至少一个阻隔结构包括多个阻隔结构时,沿远离显示区的方向上,所述多个阻隔结构的高度逐渐增加,且与所述平坦化层,所述像素界定结构,和所述支撑部中的至少一层同层且同材料。
在本申请的一个实施例中,所述封装层包括一层有机封装层,所述有机封装层至少部分覆盖所述凹槽和至少一个阻隔结构。
为达到上述目的,本申请另一方面实施例提出了一种显示面板。
本申请实施例的显示面板包括显示基板和位于所述显示基板的所述阻隔结构区远离显示区一侧的信号源。
本申请实施例的显示面板,包括显示基板和位于显示基板的阻隔结构区远离显示区一侧的信号源。通过在Gate走线上方引入CNT打孔,PLN或PDL层Coating涂覆时,PLN或PDL有机材料会进入孔中,增大PLN或PDL层与底层的接触面积,增大粘附性,进而增强Dam1&Dam2的稳固性,减少断裂风险。同时Dam1&Dam2上方有CVD1/CVD2封装层,可以阻隔表面水氧侵蚀,不会引起Gate走线上方孔位置在信赖性验证中发生腐蚀的情况。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为根据本申请一个实施例的Pad侧AA边缘Dam1断裂示意图;
图2为根据本申请一个实施例的Pad侧AA边缘纵向截面结构示意图;
图3为根据本申请一个实施例的Pad侧AA边缘Dam1横向截面结构示意图;
图4为根据本申请一个实施例的Pad侧AA边缘Dam2横向截面结构示意图;
图5为根据本申请一个实施例的显示基板结构示意图;
图6为根据本申请一个实施例的CNT打孔示意图;
图7为根据本申请一个实施例的OLED显示屏Pad侧Gate走线上方结构设计方法流程图;
图8为根据本申请一个实施例的沉积Barrier+Buffer层示意图;
图9为根据本申请一个实施例的GI1层沉积示意图;
图10为根据本申请一个实施例的Gate1层沉积/刻蚀示意图;
图11为根据本申请一个实施例的GI2层沉积示意图;
图12为根据本申请一个实施例的Gate2层沉积/刻蚀示意图;
图13为根据本申请一个实施例的ILD层沉积示意图;
图14为根据本申请一个实施例的PDL/PS层涂覆(Dam1)示意图;
图15为根据本申请一个实施例的PLN/PDL/PS层涂覆(Dam2)示意图;
图16为根据本申请一个实施例的PDL/PS层涂覆及CVD1/CVD2膜层沉积(Dam1)示意图;
图17为根据本申请一个实施例的PLN/PDL/PS层涂覆及CVD1/CVD2膜层沉积(Dam2)示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
通过背景技术可知,如图1所示,现有的工艺流程会导致Pad(信号源)侧Dam的缺失存在引起不良的风险。如图2、图3和图4所示,为现有结构设计的示意图,其Dam1&Dam2与底部ILD表面的粘附力比较小,容易断裂。
下面参照附图描述根据本申请实施例提出的显示基板及显示面板。
如图1和图5所示,显示基板包括显示区和位于显示区边缘的非显示区,非显示区在远离显示区的方向上包括信号引线区和阻隔结构区。
显示基板包括衬底101(图5),衬底可以为PI(Polyimide,聚酰亚胺)层,位于信号引线区的复数个信号线,位于显示区的复数个显示信号线,至少部分位于信号引线区的至少一层无机层和至少一层有机层。
复数个信号线与复数个显示信号线分别电连接,且复数个信号线从复复数个信号线与复数个显示信号线分别电连接,且复数个信号线从复数个显示信号线远离显示区的一端延伸经过阻隔结构区,至少延伸至与信号源电连接,为显示信号线提供显示信号。
复数个信号线位于衬底上,至少一层无机层位于信号线远离衬底的一侧,且部分覆盖信号线,至少一层无机层上设置有开孔用于暴露出信号线的至少一部分远离衬底的表面;至少一层有机层在至少一层无机层远离衬底的一侧,且填充在开孔中用于覆盖被暴露出的信号线的表面。
在本申请的一个实施例中,复数个信号线包括位于不同层的第一信号线(Gate1)和第二信号线(Gate2),至少一层无机层包括位于第一线号线(Gate1)上方的栅极绝缘层(GI2)和位于第二信号线(Gate2)上方的层间绝缘层(ILD),栅极绝缘层(GI2)位于第一信号线(Gate1)和第二信号线(Gate2)之间。
在本申请的一个实施例中,第二信号线在第一信号线远离衬底的一侧,开孔包括第一开孔和第二开孔,第一开孔贯穿栅极绝缘层(GI2)和层间绝缘层(ILD)暴露出第一信号线(Gate1),第二开孔贯穿层间绝缘层(ILD)暴露出第二信号线(Gate2),至少一层有机层同时填充在第一开孔和第二开孔中,且至少覆盖层间绝缘层(ILD)用于提供一个平坦化表面。
结合图6所示,第二信号线(图6中的12)在第一信号线(图6中的11)远离衬底(图6中的1)的一侧,开孔包括第一开孔和第二开孔,如图6中标号11和12上部的凹槽。
在本申请的一个实施例中,结合图5和图6所示,第一信号线之间设置有间隔,第二信号线设置在间隔内。
如图5所示,在本申请的实施例中,还包括驱动电路层,驱动电路层包括设置在显示区的位于衬底上依次设置的有源层,第一绝缘层(GI1),同层同材料的栅极和第一电容电极,栅极绝缘层,第二电容电极,层间绝缘层,源极和漏极;复数个信号线与栅极,第二电容电极和源极和漏极的至少一层同层且同材料。
在本申请的实施例中,还包括位于驱动电路层和OLED结构之间的平坦化层(PLN),平坦化层中设置有开孔用于实现驱动电路层和OLED的电连接,至少一层有机层还包括与平坦化层同层同材料的第二有机层和位于其上的与像素界定结构(PDL)同层同材料的第一有机层,第二有机层填充在第一开孔和第二开孔中。
在本申请的实施例中,还包括位于显示区和信号引线区的支撑部(PS),以及封装层(图5中的6);支撑部和封装层在像素界定结构上方和信号线上方。
在本申请的实施例中,如图5所示,阻隔结构区包括至少一个阻隔结构和凹槽,当至少一个阻隔结构包括多个阻隔结构时,沿远离显示区的方向上,多个阻隔结构的高度逐渐增加,且与平坦化层,像素界定结构,和支撑部中的至少一层同层且同材料。
在本申请的实施例中,封装层包括一层有机封装层,有机封装层至少部分覆盖凹槽和至少一个阻隔结构。
图7为根据本申请一个实施例的显示面板设计方法流程图。
如图7所示,该显示面板设计方法包括以下步骤:
步骤S1,ILD层沉积后,在Gate走线上方进行CNT打孔。
本申请的实施例中,改变Pad(信号源)侧Gate(信号线)走线上方(与Dam交叠部分)结构,即ILD(Inter Layer Dielectric,层间绝缘层)层沉积后,在Gate走线上方引入CNT打孔(无机层打孔),如图6所示。
在图6中,1为PI(Polyimide,聚酰亚胺)层,其中,2为Barrier+Buffer层,Barrier阻挡层和Buffer缓冲层,3为第一绝缘层GI1(Gate Insulator 1),4为栅极绝缘层GI2(GateInsulator 2),5为ILD(Inter Layer Dielectric,层间绝缘层)层,11和12为栅极金属层,其中11为第一栅极金属层,12为第二栅极金属层。
可以理解的是,在ILD层沉积之后,在两个栅极金属层11和12上方进行CNT(Contact)打孔,如图6中,标号11和12上方的凹槽所示。
步骤S2,打孔后在Gate走线上涂覆固化有机材料,有机材料进行孔中。
在两个栅极金属层11和12上方打孔后,在上方再进行多层的沉积,在沉积时上方沉积层的有机材料会进入孔中,增大上方沉积层与底层的接触面积,增大粘附性,进而增强Dam1&Dam2的稳固性,减少断裂风险。
作为一种实施方式,在栅极金属层Gate1和Gate2走线上涂覆并固化有机材料,包括:
在Gate走线上进行PDL层(Pixel Defination Layer)和PS层(Pixel Supportion)涂覆固化,其中,在打孔后的ILD层上方涂覆PDL层(编号7),PDL层的材料进入孔中。
作为另一种实施方式,在栅极金属层Gate1和Gate2走线上涂覆并固化有机材料,包括:
在Gate走线上进行PLN层(Planarization Layer,平坦化层)、PDL层和PS层涂覆固化,其中,在打孔后的ILD层上方涂覆PLN层,PLN层材料进入孔中。
步骤S3,封装CVD层。
通过上述步骤,在PS层上方涂覆CVD层(Chemical Vaporation Deposition,无机封装层),CVD层为无机封装层工艺形成的封装层,在本发明的实施例中,CVD层分为第一无机封装层CVD1(编号9)和第二无机封装层CVD2(编号10)。
可以理解的是,在PS层上方涂覆CVD1/CVD2封装层,可以阻隔表面水氧侵蚀,不会引起Gate走线上方孔位置在信赖性验证中发生腐蚀的情况。
进一步地,在ILD层沉积之前还包括:
如图8所示,1为PI层,2为Barrier+Buffer层,首先在PI衬底1上沉积Barrier(阻挡层)+Buffer(缓冲层)。
如图9所示,在Barrier+Buffer层2的基础上沉积3,3为第一绝缘层(GI1层)。
如图10所示,在第一绝缘层3(GI1层)上方沉积或刻蚀第一栅极金属层11(Gate1层,包括栅极和第一电容电极层)。
如图11所示,Gate1层11沉积完成后,再沉积栅极绝缘层4(GI2层)。
如图12所示,在GI2层1上方沉积或刻蚀第二栅极金属层12(Gate2层,包括第二电容电极层)。
如图13所示,在Gate2层12上方沉积ILD层5。
可以理解的是,在ILD层5沉积完成之后,在Gate1层11和Gate2层12上进行CNT打孔,如图6中的结构所示。
作为一种实施方式,打完孔后,进行PDL层(编号7)和PS层(编号8)Coating涂覆/Curing固化,PDL层7的材料进入孔中,如图14所示。
作为另一种实施方式,打完孔后,进行PLN层(编号6)、PDL层(编号7)和PS层(编号8)Coating涂覆/Curing固化,PLN层6材料进入孔中。如图15所示。
在图14表示的实施例基础上,在PS层8上方进行CVD1(编号9)和CVD2(编号10)膜层沉积。如图16所示。
在图15表示的实施例基础上,在PS层8上方进行CVD1(编号9)和CVD2(编号10)膜层沉积。如图17所示。
根据本申请实施例提出的显示基板,通过设计一种特殊的Pad侧Gate走线上方结构,ILD层沉积后,在Gate走线上方进行CNT打孔;PLN或PDL层Coating涂覆/Curing固化时,PLN/PDL有机材料会进入孔中,增大PLN或PDL层与底层的接触面积,增大粘附性,进而增强Dam1&Dam2的稳固性,减少断裂风险。同时Dam1&Dam2上方有CVD1/CVD2封装层,以阻隔表面水氧侵蚀,不会引起Gate走线上方孔位置在信赖性验证中发生腐蚀的情况。
其次描述根据本申请实施例提出的显示面板。
根据本申请实施例提出的显示面板,包括显示基板和位于显示基板的阻隔结构区远离显示区一侧的信号源,通过在Gate走线上方引入CNT打孔,PLN或PDL层Coating涂覆时,PLN或PDL有机材料会进入孔中,增大PLN或PDL层与底层的接触面积,增大粘附性,进而增强Dam1&Dam2的稳固性,减少断裂风险。同时Dam1&Dam2上方有CVD1/CVD2封装层,可以阻隔表面水氧侵蚀,不会引起Gate走线上方孔位置在信赖性验证中发生腐蚀的情况。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (11)
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括显示区和位于所述显示区边缘的非显示区,所述非显示区在远离所述显示区的方向上包括信号引线区和阻隔结构区;
所述显示基板包括衬底,位于所述信号引线区的复数个信号线,位于所述显示区的复数个显示信号线,至少部分位于所述信号引线区的至少一层无机层和至少一层有机层;
所述复数个信号线与所述复数个显示信号线分别电连接,且所述复数个信号线从所述复数个显示信号线远离所述显示区的一端延伸经过所述阻隔结构区,至少延伸至与信号源电连接,为所述显示信号线提供显示信号;
所述复数个信号线位于所述衬底上,所述至少一层无机层位于所述信号线远离所述衬底的一侧,且部分覆盖所述信号线,所述至少一层无机层上设置有开孔,所述开孔用于暴露出所述信号线的至少一部分,且暴露出所述信号线的至少一部分远离所述衬底的表面;所述至少一层有机层在所述至少一层无机层远离所述衬底的一侧,且填充在所述开孔中用于覆盖所述被暴露出的信号线的表面。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述复数个信号线包括位于不同层的第一信号线和第二信号线,所述至少一层无机层包括位于所述第一信号线上方的栅极绝缘层和位于所述第二信号线上方的层间绝缘层,所述栅极绝缘层位于所述第一信号线和所述第二信号线之间。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第二信号线在所述第一信号线远离衬底的一侧,所述开孔包括第一开孔和第二开孔,所述第一开孔贯穿所述栅极绝缘层和层间绝缘层暴露出所述第一信号线,所述第二开孔贯穿所述层间绝缘层暴露出所述第二信号线,所述至少一层有机层同时填充在所述第一开孔和所述第二开孔中,且至少覆盖所述层间绝缘层用于提供一个平坦化表面。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一信号线之间设置有间隔,所述第二信号线设置在所述间隔内。
5.根据权利要求3或4所述的显示基板,其特征在于,还包括驱动电路层,所述驱动电路层包括设置在所述显示区的位于所述衬底上依次设置的有源层,第一绝缘层,同层同材料的栅极和第一电容电极,所述栅极绝缘层,第二电容电极,所述层间绝缘层,源极和漏极;所述复数个信号线与所述栅极,所述第二电容电极和所述源极和漏极的至少一层同层且同材料。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,还包括OLED结构,所述OLED结构包括位于所述显示区的像素单元和位于像素单元之间的像素界定结构,所述至少一层有机层包括与所述像素界定结构同层同材料的第一有机层。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,还包括位于所述驱动电路层和所述OLED结构之间的平坦化层,所述平坦化层中设置有开孔用于实现所述驱动电路层和OLED的电连接,所述至少一层有机层还包括与所述平坦化层同层同材料的第二有机层和位于其上的与所述像素界定结构同层同材料的第一有机层,所述第二有机层填充在所述第一开孔和第二开孔中。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,还包括位于所述显示区和所述信号引线区的支撑部,以及封装层;所述支撑部和封装层在所述像素界定结构上方和所述信号线上方。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述阻隔结构区包括至少一个阻隔结构和凹槽,当所述至少一个阻隔结构包括多个阻隔结构时,沿远离显示区的方向上,所述多个阻隔结构的高度逐渐增加,且与所述平坦化层,所述像素界定结构,和所述支撑部中的至少一层同层且同材料。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述封装层包括一层有机封装层,所述有机封装层至少部分覆盖所述凹槽和至少一个阻隔结构。
11.一种显示面板,包括权利要求1-10任一所述的显示基板和位于所述显示基板的所述阻隔结构区远离显示区一侧的信号源。
Priority Applications (1)
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