CN111509353B

CN111509353B - 电子装置及天线装置

Info

Publication number: CN111509353B
Application number: CN201910848956.XA
Authority: CN
Inventors: 曾嘉平; 高克毅; 何家齐; 翁铭彦; 曾弘毅; 吴舒龄; 陈慧颖
Original assignee: Innolux Display Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2019-01-31
Filing date: 2019-09-09
Publication date: 2022-03-01
Anticipated expiration: 2039-09-09
Also published as: CN111509353A

Abstract

本发明提供一种天线装置，包括：第一基板、多层电极、第二基板以及液晶层；所述多层电极设置于所述第一基板上，且所述多层电极包括：第一导电层、第二导电层以及第三导电层，所述第二导电层设置于所述第一导电层上，所述第三导电层设置于所述第二导电层上。所述液晶层设置于所述第一基板与所述第二基板之间；且所述第三导电层包括第一部分，所述第一部分延伸超出所述第二导电层。本发明还提供一种电子装置。

Description

电子装置及天线装置

技术领域

本发明涉及电子装置以及天线装置，特别涉及包含多层电极的电子装置及天线装置。

背景技术

现行的电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记型电脑、显示器、电视或其他可携带移动的终端，已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这种便携式电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的质量，功能或价格抱有很高的期望。这类电子产品通常可同时作为电子调制装置来使用，例如，作为可调制电磁波的天线装置。

虽然现存的电子装置可大致满足它们原先预定的用途，但其仍未在各个方面符合需求。例如，天线装置的金属电极与钝化层之间的热膨胀系数(coefficient of thermalexpansion，CTE)的差异，使得钝化层容易产生微裂缝(microcrack)，进而可能导致金属电极腐蚀的风险。

因此，发展出可有效改善电子装置的稳定性或操作可靠度的结构设计仍为目前业界致力研究的课题之一。

发明内容

根据本发明一些实施例，提供一种天线装置，其特征在于，包括：第一基板、多层电极、第二基板以及液晶层。所述多层电极设置于所述第一基板上，且所述多层电极包括：第一导电层、第二导电层以及第三导电层，所述第二导电层设置于所述第一导电层上，所述第三导电层设置于所述第二导电层上。所述液晶层设置于所述第一基板与所述第二基板之间。且所述第三导电层包括第一部分，所述第一部分延伸超出所述第二导电层。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1显示根据本发明一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；

图2A至2C显示根据本发明一些实施例中，图1所示的区域B的放大示意图；

图3A至3F显示根据本发明一些实施例中，电子装置于制程中间阶段的剖面结构示意图；

图4A至4F显示根据本发明一些实施例中，电子装置于制程中间阶段的剖面结构示意图。

符号说明

100 天线装置；

102 第一基板；

104 多层电极；

104a 第一导电层；

104ab 底表面；

104ap 第二部分；

104ap’ 底表面；

104as 侧表面；

104at 顶表面；

104b 第二导电层；

104bb 底表面；

104be 边缘；

104bs 侧表面；

104bt 顶表面；

104c 第三导电层；

104cb 底表面；

104cp 第一部分；

104cp’ 底表面；

104cs1、104cs2 侧表面；

104ct 顶表面；

106 第一钝化层；

106b 底表面；

106t 顶表面；

204 电极；

206 第二钝化层；

300 工作介质；

310 间隔元件；

B 区域；

EL 延伸线；

L1 第一长度；

L2 第二长度；

PR 光阻；

S1 第一表面；

S2 第二表面；

T1 第一厚度；

T2 第二厚度；

T3 第三厚度；

T4 第四厚度。

具体实施方式

以下针对本发明实施例的天线装置以及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明一些实施例的不同态样。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本发明一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的元件，以清楚描述本发明。然而，这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本发明一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。

应理解的是，本发明的附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本发明的特征。

再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。

此外，附图的元件或装置可以发明所属技术领域具有通常知识者所熟知的各种形式存在。此外，应理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」、「第三」等来叙述各种元件、组件、或部分，这些元件、组件或部分不应被这些用语限定。这些用语仅是用来区别不同的元件、组件、区域、层或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组件、区域、层或部分可在不偏离本发明的教示的情况下被称为一第二元件、组件、区域、层或部分。

文中用语「范围为第一数值至第二数值」、「范围介于第一数值至第二数值之间」表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。

在本发明一些实施例中，关于接合、连接的用语例如「连接」、「互连」、「接触」等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。

请参照图1，图1显示根据本发明一些实施例中，电子装置100的剖面结构示意图。应理解的是，根据一些实施例，可添加额外的特征于以下所述的电子装置100。在另一些实施例中，以下所述电子装置100的部分特征可以被取代或省略。

如图1所示，电子装置100可包含第一基板102以及第二基板202，且第二基板202可与第一基板102相对设置。详细而言，第一基板102可具有第一表面S₁以及第二表面S₂，且第一表面S₁与第二表面S₂可位于相反的两侧。相似地，第二基板202可具有位于相反的两侧的第一表面S₁以及第二表面S₂。在一些实施例中，第一基板102的第一表面S₁相邻于第二基板202的第一表面S₁，且彼此相对设置。

在一些实施例中，第一基板102以及第二基板202可为可挠式基板、刚性基板或前述的组合。在一实施例中，第一基板102以及第二基板202可包含玻璃基板、蓝宝石基板、陶瓷基板、塑胶基板、液晶高分子(liquid-crystal polymer， LCP)基板、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不限于此。在一实施例中，前述塑胶基板的材料可包含聚酰亚胺(polyimine，PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醚砜(polyether oxime，PES)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate， PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polynaphthalene ethyleneglycolate，PEN)或聚芳酯(polyarylate，PAR)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。此外，在一些实施例中，第一基板102的材料可与第二基板202的材料相同或不同。

再者，如图1所示，电子装置100可包含多层电极104，多层电极 104可设置于第一基板102上。详细而言，多层电极104可设置于第一基板102 的第一表面S₁上。根据一些实施例，多层电极104可包含第一导电层104a、第二导电层104b以及第三导电层104c，第二导电层104b可设置于第一导电层 104a上，且第三导电层104c可设置于第二导电层104b上。在一些实施例中，第一导电层104a可与第一基板102接触。

值得注意的是，由于第二导电层104b与第一钝化层16之间的热膨胀系数差异以及附着性不佳。在温度变化时，形成于第二导电层104b上的第一钝化层16的结构容易受到影响或破坏，举例，于第一钝化层106的转角容易产生裂缝。如此一来，后续制程中所产生的水气或所使用化学溶剂等将容易借由微裂缝渗入第二导电层104b，造成第二导电层104b的腐蚀或氧化。

然而，根据本发明一些实施例，提供的电子装置100包含具有第一导电层 104a、第二导电层104b以及第三导电层104c的多层电极104，且第三导电层 104c可作为缓冲层，完整地覆盖第二导电层104b以保护第二导电层104b，利用第三导电层104a改善上述的问题，例如钝化层与多层电极之间的附着性或的热膨胀系数的差异，借此可降低钝化层产生微裂缝或多层电极腐蚀的风险。

应理解的是，虽然附图中绘示具有三层结构的多层电极104，但本发明不以此为限，根据不同的实施例，多层电极104可具有其它合适数量的层别。

详细而言，根据本发明一些实施例，可借由百格测试(Cross-Cut method， ASTMD3359，ISO/DIN 2409标准规范)测量附着性。百格测试结果中，符合 ASTM等级5B的规范者表示具有良好的附着性。进一步而言，在一些实施例中，第三导电层104c的材料的热膨胀系数介于第二导电层104b的热膨胀系数与第一钝化层106的热膨胀系数(10^-6/K@20℃)之间，举例而言，介于2至17 之间、或介于4至15之间，例如，5、6、7、8、9、10、11、12、13、或14 等。

此外，如图1所示，根据一些实施例，第二导电层104b完整地被第三导电层104c覆盖。前述「完整地」指的是第二导电层104b的顶表面104bt与侧表面104bs均完全被覆盖。详细而言，在一些实施例中，第二导电层104b的底表面104bb与第一导电层104a接触，且第二导电层104b的顶表面104bt以及侧表面104bs与第三导电层104c接触。换言之，在一些实施例中，第三导电层 104c可完整地覆盖第二导电层104b的顶表面104bt以及侧表面104bs。在一些实施例中，第三导电层104c亦可覆盖第一导电层104a的部分的顶表面104at。在一些实施例中，第三导电层104c亦可覆盖第一导电层104a的部分的侧表面 104as。

在一些实施例中，第一导电层104a的材料可包含钛(Ti)、钼(Mo)、钛合金、钼合金、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一导电层104a可包含选自于钛、钼、氧化铟锌、以及氧化铟锡所组成的组合的材料。举例而言，在一些实施例中，第一导电层104a的材料可包含钼钛合金(MoTi)、钼钽合金(MoTa)、钼铌合金(MoNb)、或前述的组合，但不限于此。

在一些实施例中，第二导电层104b的材料可包含铜(Cu)、铝(Al)、铜合金、铝合金、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第二导电层104b可包含选自于铜以及铝所组成的组合的材料。在一些实施例中，第二导电层104b的材料可与用以控制多层电极104或电极204的薄膜晶体管的栅极、源极或漏极的材料相同。

在一些实施例中，第三导电层104c的材料可包含钛(Ti)、钼(Mo)、钛合金、钼合金、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第三导电层104c可包含选自于钛、钼、氧化铟锌、以及氧化铟锡所组成的组合的材料。举例而言，在一些实施例中，第一导电层104a的材料可包含钼钛合金(MoTi)、钼钽合金(MoTa)、钼铌合金(MoNb)、或前述的组合，但不限于此。

此外，第一导电层104a可具有第一厚度T₁。在一些实施例中，第一导电层104a的第一厚度T₁的范围可介于5nm至200nm之间(亦即，5nm≦第一厚度T₁≦200nm)、介于5nm至100nm之间、或介于10nm至40nm之间，例如， 15nm、20nm、25nm、30nm、或35nm。根据一些实施例，第一厚度T₁指的是于第一基板102的法线方向(例如，图中所示的Z方向)上，第一导电层104a的底表面104ab与顶表面104at之间的距离。具体而言，第一厚度T₁可为沿着第一基板102的法线方向(如Z方向)上，第一导电层104a的平均厚度(例如测量3 至5个厚度值后再去取平均值)或最大厚度，且可例如借由扫描电子显微镜 (Scanning Electron Microscope，SEM)测量。在一些实施例，当第一基板102具有可挠性时，要先使第一基板102摊平后，再于剖面中沿第一基板102的法线方向，测量第一导电层104a的平均厚度或最大厚度。

第二导电层104b可具有第二厚度T₂。在一些实施例中，第二导电层104b 的第二厚度T₂的范围可大于1微米(μm)，例如，可介于0.5μm至10μm之间(亦即，0.5μm≦第二厚度T₂≦10μm)、介于1μm至9μm之间、或介于3μm 至8μm之间，例如，4μm、5μm、6μm、或7μm。根据一些实施例，第二厚度 T₂指的是于第一基板102的法线方向(例如，图中所示的Z方向)上，第二导电层104b的底表面104bb与顶表面104bt之间的距离。第二导电层104b的第二厚度T₂的详细定义与第一导电层104a的第一厚度T₁相似，在此便不再重复。

再者，第三导电层104c可具有第三厚度T₃。在一些实施例中，第三导电层104c的第三厚度T₃的范围可介于10纳米(nm)至200纳米(nm)之间(亦即，10nm≦第三厚度T₃≦200nm)、介于10nm至100nm之间、或介于20nm 至40nm之间，例如，25nm、30nm、或35nm。根据一些实施例，第三厚度T₃指的是于第一基板102的法线方向(例如，图中所示的Z方向)上，第三导电层104c的底表面104cb与顶表面104ct之间的距离。第三导电层104c的第三厚度 T₃的详细定义与第一导电层104a的第一厚度T₁相似，在此便不再重复。

应理解的是，若第三导电层104c的第三厚度T₃过小(例如，小于10nm)，则第三导电层104c可能难以完整地覆盖第二导电层104b，或较容易因制程因素而导致厚度不均匀，因而降低保护第二导电层104b的效果；反之，若第三厚度T₃过大(例如，大于100nm)，则可能会增加第三导电层104c的制造成本。

此外，关于第一导电层104a、第二导电层104b以及第三导电层104c之间的位置关系的详细样态将于后文中进行说明。

再者，在一些实施例中，可利用一或多个沉积制程、光刻制程及蚀刻制程形成多层电极104。在一些实施例中，沉积制程可包含化学气相沉积制程、物理气相沉积制程、电镀制程、无电电镀制程、其它合适的制程、或前述的组合，但不限于此。化学气相沉积制程例如可包含低压化学气相沉积制程(LPCVD)、低温化学气相沉积制程(LTCVD)、快速升温化学气相沉积制程(RTCVD)、等离子辅助化学气相沉积制程(PECVD)或原子层沉积制程(ALD)等，但不限于此。物理气相沉积制程例如可包含溅镀制程、蒸镀制程、脉冲激光沉积等，但不限于此。此外，在一些实施例中，上述光刻制程可包含光阻涂布(例如，旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、遮罩对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗及干燥等。在一些实施例中，上述蚀刻制程包含干蚀刻制程、湿蚀刻制程或其它合适的蚀刻制程。

关于第一导电层104a、第二导电层104b以及第三导电层104c的制造方法的详细步骤将于后文中进行说明。

再者，如图1所示，在一些实施例中，电子装置100可进一步包含第一钝化层106，第一钝化层106可设置于多层电极104上。详细而言，在一些实施例中，第一钝化层106可顺应性地(conformally)形成于多层电极104的第三导电层104c上，例如表示第一钝化层106可随着位于下方的第三导电层104c 的厚度变化设置，例如，第一钝化层106可随着第三导电层104c的顶表面104ct 及侧表面104cs往下。在一些实施例中，第一钝化层106可与第三导电层104c 的顶表面104ct、侧表面104cs₁以及侧表面104cs₂接触，且第一钝化层106亦可与第一导电层104a的侧表面104as接触。换言之，在一些实施例中，第一钝化层106可完整地覆盖第三导电层104c的顶表面104ct以及侧表面104cs₁及侧表面104cs₂。此外，在一些实施例中，第一钝化层106可进一步延伸至第一基板102的第一表面S₁上。

此外，应理解的是，虽然附图中绘示的第二导电层104b具有尖锐的顶角，但根据另一些实施例，第二导电层104b可具有弧状的顶角。在第二导电层104b 具有弧状的顶角的实施例中，可改善第二导电层104b与后续形成的层别剥离的问题。

在一些实施例中，第一钝化层106可具有单层结构或多层结构。在一些实施例中，第一钝化层106的材料可包含无机材料、有机材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述有机材料可包含聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚乙烯 (polyethylene，PE)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate， PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚酰亚胺(polyimide， PI)、感光型聚酰亚胺(photo sensitive polyimide，PSPI)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。

此外，第一钝化层106可具有第四厚度T₄。在一些实施例中，第一钝化层 106的第四厚度T₄的范围可介于10nm至500nm之间(亦即，10nm≦第四厚度 T₄≦500nm)、介于50nm至200nm之间、或介于80nm至150nm之间，例如， 90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、或140nm。根据一些实施例，第四厚度T₄指的是于第一基板102的法线方向(例如，图中所示的Z方向)上，位于多层电极104上的第一钝化层106的底表面106b与顶表面106t之间的距离。第一钝化层106的第四厚度T₄的详细定义与第一导电层104a的第一厚度T₁相似，在此便不再重复。

应理解的是，若第一钝化层106的第四厚度T₄过小(例如，小于10nm)，则第一钝化层106可能难以完整地覆盖多层电极104，因而降低保护多层电极 104的效果，或较容易因制程因素而导致厚度不均匀；反之，若第四厚度T₄过大(例如，大于500nm)，则可能会增加第一钝化层106的制造成本。

在一些实施例中，可借由化学气相沉积制程、物理气相沉积制程、涂布制程、印刷制程、其它合适的制程、或前述的组合形成第一钝化层106。再者，可借由一或多个光刻制程及蚀刻制程图案化第一钝化层106。在一些实施例中，上述光刻制程可包含光阻涂布(例如，旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、遮罩对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗及干燥等。在一些实施例中，上述蚀刻制程包含干蚀刻制程、湿蚀刻制程或其它合适的蚀刻制程。

请继续参照图1，电子装置100可进一步包含电极204，电极204可设置于第二基板202上。详细而言，电极204可位于第一基板102与第二基板102 之间，且可设置于第二基板102b的第一表面S₁上。

在一些实施例中，多层电极104可具有开口(未绘示)，且于第一基板102 的法线方向(例如，图中所示的Z方向)上，开口可与电极204重叠。在一些实施例中，多层电极104可经图案化而具有开口。在一些实施例中，电极204 亦可经图案化而具有多个区域(附图中仅绘示一部分的电极204)。在一些实施例中，电极204的多个区域可连接至不同电路。

在一些实施例中，电极204及/或多层电极104可与功能电路(未绘示)电性连接。功能电路可包含有源元件(例如，薄膜晶体管)或被动元件(例如，借由集成电路(IC)或微芯片进行控制)。上述薄膜晶体管可例如为开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管、或其它薄膜晶体管。在一些实施例中，前述功能电路可与电极204(或多层电极104)同样位于第二基板202(或第一基板 102)的第一表面S₁上。在另一些实施例中，功能电路可位于第二基板202(或第一基板102)的第二表面S₂上，功能电路可与电极204(或多层电极104) 电性连接，例如，可借由贯穿第二基板202(或第一基板102)的导孔(未绘示)、软性电路板、或其它合适的电性连接方式，但不限于此。

在一些实施例中，电极204可包含导电材料，例如，金属导电材料、透明导电材料、或前述的组合。在一些实施例中，前述金属导电材料可包含铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、银(Ag)、锡(Sn)、钨(W)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜合金、铝合金、钼合金、银合金、锡合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、其它合适的金属材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述透明导电材料，可包含透明导电氧化物 (transparentconductive oxide，TCO)。例如，透明导电氧化物可包含氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化锡(tin oxide，SnO)、氧化锌(zinc oxide， ZnO)、氧化铟锌(indium zincoxide，IZO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化铟锡锌(indium tinoxide，ITZO)、氧化锑锡(antimony tin oxide，ATO)、氧化锑锌(antimony zinc oxide，AZO)、其它合适的透明导电材料、或前述的组合，但不限于此。

此外，在一些实施例中，电极204可具有单层结构或多层结构。根据一些实施例，电极204的结构可与多层电极104的结构相同或相似，但本发明不以此为限。具体而言，在一些实施例中，电极204亦可包含依序形成于第二基板 202的第一表面S₁上的第一导电层104a、第二导电层104b以及第三导电层104c。

再者，在一些实施例中，可利用一或多个沉积制程、光刻制程及蚀刻制程形成电极204。在一些实施例中，沉积制程可包含化学气相沉积制程、物理气相沉积制程、电镀制程、无电电镀制程、其它合适的制程、或前述的组合，但不限于此。此外，在一些实施例中，上述光刻制程可包含光阻涂布(例如，旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、遮罩对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗及干燥等。在一些实施例中，上述蚀刻制程包含干蚀刻制程、湿蚀刻制程或其它合适的蚀刻制程。

此外，应理解的是，虽然附图中仅绘示一个多层电极104与一个电极204，但根据一些实施例，电子装置100可根据需求调整以包含多个多层电极104及 /或电极204。

请继续参照图1，根据一些实施例，电子装置100可进一步包含第二钝化层206，第二钝化层206可设置于电极204上。详细而言，在一些实施例中，第二钝化层206可顺应性地形成于电极204上。在一些实施例中，第二钝化层 206可进一步延伸至第二基板202的第一表面S₁上。

在一些实施例中，第二钝化层206可具有单层结构或多层结构。在一些实施例中，第二钝化层206的材料可包含无机材料、有机材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述有机材料可包含聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚乙烯 (polyethylene，PE)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate， PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚酰亚胺(polyimide， PI)、感光型聚酰亚胺(photo sensitive polyimide，PSPI)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。

在一些实施例中，可借由化学气相沉积制程、物理气相沉积制程、涂布制程、印刷制程、其它合适的制程、或前述的组合形成第二钝化层206。再者，可借由一或多个光刻制程及蚀刻制程图案化第二钝化层206。在一些实施例中，上述光刻制程可包含光阻涂布(例如，旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、遮罩对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗及干燥等。在一些实施例中，上述蚀刻制程包含干蚀刻制程、湿蚀刻制程或其它合适的蚀刻制程。

此外，如图1所示，电子装置100可进一步包含工作介质300，工作介质 300可设置于第一基板102与第二基板202之间，且一部分可位于多层电极104 与电极204之间。根据一些实施例，可使用可经由施加电场或其它方式进行调整而具有不同性质(例如，介电系数)的材料作为工作介质300。在一些实施例中，可借由施加不同的电场于工作介质300以调整电容，控制穿过开口(未绘示)的电磁信号的传递方向。

在一些实施例中，工作介质300可包含液晶层，但不限于此。在一些实施例中，前述液晶层的材料可包含向列型(nematic)液晶、层列型(smectic)液晶、胆固醇(cholesteric)液晶、蓝相(blue-phase)液晶、其它合适的液晶材料、或前述的组合，但不限于此。

详细而言，在一些实施例中，前述功能电路可施加电压至电极204，借由多层电极104与电极204之间产生的电场，改变多层电极104与电极204之间的工作介质的性质。再者，所述功能电路亦可施加另一电压至多层电极104，但不限于此。在另一些实施例中，多层电极104可电性浮置、接地、或连接至其它功能电路(未绘示)，但不限于此。

此外，根据一些实施例，电子装置100可进一步包含设置于第一基板102 及第二基板202之间的间隔元件310，用来支撑第一基板102与第二基板202，以强化电子装置100的结构强度。在一些实施例中，间隔元件310可具有环状结构。在一些实施例中，间隔元件310可具有柱状结构且平行排列。

再者，间隔元件310可包含绝缘材料。在一些实施例中，前述绝缘材料可包含聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯 (polyethylene，PE)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate， PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、玻璃、或前述的组合，但不限于此。

此外，根据一些实施例，电子装置100可进一步包含设置于第一钝化层106 与工作介质300之间以及第二钝化层206与工作介质300之间的配向层(未绘示)，以控制工作介质300中的液晶分子的排列方向。在一些实施例中，配向层的材料可包含有机材料、无机材料或前述的组合。举例而言，所述有机材料可包含聚酰亚胺(polyimide，PI)、光反应型高分子材料或前述的组合，但不限于此。所述无机材料例如可包含二氧化硅(SiO₂)，但不限于此。

根据本发明一些实施例，提供的电子装置100可为显示装置、天线装置、感测装置或者是拼接装置、或用于调制电磁波的其它装置，但不限于此。根据一些实施例，电子装置100可为可弯折或可挠式电子装置。根据本一些实施例，电子装置100可进一步与其它电子装置形成拼接装置。在一些实施例中，前述其它电子装置可包含显示装置(例如，液晶显示器(liquid-crystal display，LCD))、发光装置、检测装置、或前述的组合，但不以此为限。

在本发明一些实施例中，电子装置100亦可包含有机发光二极管(organic lightemitting diode,OLED)显示装置或无机发光二极管(inorganic light emitting diode)显示装置(未绘示)，其中有机发光二极管可包含上电极、下电极及形成在上述两者之间的有机发光层，而无机发光二极管则可包含量子点发光二极管(quantum dot lightemitting diode,Q-LED)、微型发光二极管(micro LED)或次毫米发光二极管(mini LED)，其中微型二极管或次毫米发光二极管的发光材料可包含荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材料或其上述材料的任意排列组合，但不以此为限。

在本发明另一些实施例中，电子装置100可为天线装置，例如是液晶天线装置，但不以此为限。电子装置100也可为拼接装置，例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。

接着，请参照图2A至2C，图2A至2C显示根据本发明一些实施例中，图1所示的区域B的放大示意图。再者，图2A至2C是以电子装置100为天线装置的实施例进行说明，然而，应理解的是，根据一些实施例，所述结构亦可应用于其它电子装置。具体而言，图2A至2C显示根据本发明一些实施例中，第一导电层104a、第二导电层104b、第三导电层104c与第一绝缘层106之间的配置关系。应理解的是，后文中与前文相同或相似的组件或元件将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分于后文中将不再赘述。

如图2A至2C所示，根据本发明一些实施例，第三导电层104c包含第一部分104cp，且第一部分104cp延伸超出第二导电层104b。如图2A所示，在一些实施例中，第三导电层104c的第一部分104cp可覆盖第一基板102的第一表面S₁以及第一导电层104a的侧表面104as。在一些实施例中，第二导电层 104b的侧表面104bs未与第一导电层104a的侧表面104as齐平。在一些实施例中，第一导电层104a的侧表面104as比第二导电层104b的侧表面104bs突出，例如，较靠近第一部分104cp。第二导电层104b的底表面104bb上具有端点104be。根据一些实施例，可借由延伸线EL定义第三导电层104c的第一部分 104cp，所述延伸线EL为通过端点104be且平行于第一基板102的法线方向(例如，图中所示的Z方向)的参考线。详细而言，第三导电层104c的第一部分 104cp可定义为从延伸线EL起算，第三导电层104c沿着平行于第一基板102 的第一表面S₁的方向(例如，图中所示的X方向)超出延伸线EL的部分(例如，图中虚线框所示)，换言之，第三导电层104c的第一部分104cp可为第三导电层104c的侧表面104cs₁以及侧表面104cs₂与延伸线EL之间的部分。

再者，第一部分104cp具有第一长度L₁。根据一些实施例，第一长度L₁指的是第三导电层104c的第一部分104cp的底表面104cp’的长度(沿着平行于第一基板102的第一表面S₁的方向，例如，图中所示的X方向)。在一些实施例中，第一部分104cp的第一长度L₁的范围可大于0.1μm(亦即，第一长度 L₁≧0.1μm)，例如，介于0.1μm至4μm之间(亦即，0.1μm≦第一长度L₁≦4μm)、或介于0.1μm至3μm之间，例如，0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、或2.5μm，但不限于此。

应理解的是，若第一部分104cp的第一长度L₁过小(例如，小于0.1μm)，则第三导电层104c可能难以完整地覆盖第二导电层104b，因而降低保护第二导电层104b的效果；反之，若第一长度L₁过大(例如，大于4μm)，则可能会增加第三导电层104c的制造成本。

如图2B所示，跟图2A的差异在于，在一些实施例中，第三导电层104c 的底表面104cp’与第一导电层104a的顶表面104at在Z方向上重叠。根据本发明一些实施例，第一导电层104a可包含第二部分104ap，第二部分104ap延伸超出第二导电层104b，还可以与第三导电层104c的第一部分104cp接触。应理解的是，为了清楚说明，图2A所示的实施例省略了第二部分104ap。承前述，第二导电层104b的底表面104bb上具有端点104be。根据一些实施例，可借由延伸线EL定义第一导电层104a的第二部分104ap，所述延伸线EL为通过端点104be且平行于第一基板102的法线方向(例如，图中所示的Z方向) 的参考线。详细而言，第一导电层104a的第二部分104ap可定义为从延伸线 EL起算，第一导电层104a沿着平行于第一基板102的第一表面S₁的方向(例如，图中所示的X方向)超出延伸线EL的部分(例如，图中虚线框所示)，换言之，第一导电层104a的第二部分104ap可为第一导电层104a的侧表面104as 与延伸线EL之间的部分。

再者，第二部分104ap具有第二长度L₂。根据一些实施例，第二长度L₂指的是第一导电层104a的第二部分104ap的底表面104ap’的长度(沿着平行于第一基板102的第一表面S₁的方向，例如，沿着图中所示的X方向)。在一些实施例中，第二部分104ap的第二长度L₂的范围可大于0.1μm(亦即，第二长度L₂≧0.1μm)，例如，介于0.1μm至4μm之间(亦即，0.1μm≦第二长度 L₂≦4μm)、或介于0.1μm至3μm之间，例如，0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、或2.5μm，但不限于此。

应理解的是，若第二部分104ap的第二长度L₂过小(例如，小于0.1μm)，则第一导电层104a可能会暴露出部分的第二导电层104b，因而降低保护第二导电层104b的效果；反之，若第二长度L₂过大(例如，大于4μm)，则可能会增加第一导电层104a的制造成本。

再者，如图2B所示，在一些实施例中，第三导电层104c的侧表面104cs₂可与第一导电层104a的侧表面104as对齐。然而，如图2C所示，与图2B的差异在于，在一些实施例中，第三导电层104c的侧表面104cs₂可未与第一导电层104a的侧表面104as对齐。根据一些实施例，对齐指的是表面齐平。详细而言，在一些实施例中，相较于第一导电层104a的侧表面104as，第三导电层 104c的侧表面104cs₂可为内缩的。

根据本发明实施例，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪 (α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量各元件的厚度、长度或各元件之间的距离等，但不限于此。详细而言，在一些实施例中，可于移除工作介质300之后，使用扫描式电子显微镜取得结构的剖面影像，并测量各元件于影像中的厚度、长度或各元件之间的距离等。

接着，请参照图3A至3F，图3A至3F显示根据本发明一些实施例中，电子装置100的部分元件(例如，多层电极104)于制程中间阶段的剖面结构示意图。应理解的是，根据一些实施例，可于电子装置100的制造方法进行前、进行中及/或进行后提供额外的操作步骤。根据一些实施例，所述的一些操作步骤可能被取代或删除。根据一些实施例，所述操作步骤的顺序为可互换的。

请参照图3A，在一些实施例中，可提供第一基板102，并且依序形成第一导电层104a以及第二导电层104b于第一基板102上。接着，可形成光阻PR 于第二导电层104b上，以定义第二导电层104b后续的图案化形状。

在一些实施例中，可借由前述物理气相沉积制程、前述化学气相沉积制程、电镀制程、无电镀制程、其它合适的制程、或前述的组合形成第一导电层104a 及第二导电层104b。此外，在一些实施例中，可借由图案化制程将光阻PR图案化。在一些实施例中，所述图案化制程可包含光刻制程及蚀刻制程。光刻制程可包含光阻涂布(例如旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、遮罩对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗及干燥等，但不限于此。蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程，但不限于此。

接着，请参照图3B，在一些实施例中，可移除一部分的第二导电层104b，以形成经图案化的第二导电层104b。详细而言，可借由蚀刻制程移除未被光阻PR遮蔽的一部分的第二导电层104b。于此实施例中，前述蚀刻制程可为选择性蚀刻制程，例如，可仅移除一部分的第二导电层104b，而未移除第一导电层 104a。于此实施例中，前述蚀刻制程可为湿蚀刻制程。然而，在另一些实施例中，亦可借由干蚀刻制程移除一部分的第二导电层104b。

接着，请参照图3C，在一些实施例中，于经图案化的第二导电层104b形成之后，可移除光阻PR。在一些实施例中，可借由湿式剥除制程、等离子灰化制程、或前述的组合移除光阻PR。

接着，请参照图3D，在一些实施例中，可形成第三导电层104c于第一基板102上。在一些实施例中，第三导电层104c可顺应性地形成于第一导电层 104a与第二导电层104b上。

在一些实施例中，可借由前述物理气相沉积制程、前述化学气相沉积制程、电镀制程、无电镀制程、其它合适的制程、或前述的组合形成第三导电层104c。

接着，请参照图3E，在一些实施例中，可形成光阻PR于第一基板102上，以定义第一导电层104a与第三导电层104c后续的图案化形状。在一些实施例中，光阻PR可完整地覆盖第二导电层104b，以及覆盖一部分的第一导电层104a 与第三导电层104c。

在一些实施例中，可借由图案化制程将光阻PR图案化。在一些实施例中，所述图案化制程可包含光刻制程及蚀刻制程。光刻制程可包含光阻涂布(例如旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、遮罩对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗及干燥等，但不限于此。蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程，但不限于此。

接着，请参照图3F，在一些实施例中，可移除一部分的第一导电层104a 以及第三导电层104c，以形成经图案化的第一导电层104a以及第三导电层104c。详细而言，可借由蚀刻制程移除未被光阻PR遮蔽的第一导电层104a以及第三导电层104c。于此实施例中，前述蚀刻制程可为干蚀刻制程。然而，在另一些实施例中，亦可借由湿蚀刻制程移除一部分的第一导电层104a以及第三导电层 104c。

再者，在经图案化的第一导电层104a以及第三导电层104c形成之后，可移除光阻PR。在一些实施例中，可借由湿式剥除制程、等离子灰化制程、或前述的组合移除光阻PR。

如图3F所示，在此，大致上完成多层电极104的制造流程。承前述，根据一些实施例，多层电极104是借由两步骤的蚀刻制程形成(例如，如第3B 及3F图所示)。此外，在一些实施例中，第一导电层104a及第三导电层104c 是借由同一蚀刻制程形成(例如，如图3F所示)。

接着，请参照图4A至4F，图4A至4F显示根据本发明另一些实施例中，电子装置100的部分元件(例如，多层电极104)于制程中间阶段的剖面结构示意图。

请参照图4A，在一些实施例中，可提供第一基板102，并且依序形成第一导电层104a以及第二导电层104b于第一基板102上。接着，可形成光阻PR 于第二导电层104b上，以定义第二导电层104b后续的图案化形状。

接着，请参照图4B，在一些实施例中，可移除一部分的第一导电层104a 以及第二导电层104b，以形成经图案化的第一导电层104a以及第二导电层 104bb。详细而言，可借由蚀刻制程移除未被光阻PR遮蔽的一部分的第一导电层104a以及第二导电层104b。于此实施例中，前述蚀刻制程可为湿蚀刻制程。然而，在另一些实施例中，亦可借由干蚀刻制程移除一部分的第一导电层104a 以及第二导电层104b。

接着，请参照图4C，在一些实施例中，于经图案化的第一导电层104a以及第二导电层104b形成之后，可移除光阻PR。在一些实施例中，可借由湿式剥除制程、等离子灰化制程、或前述的组合移除光阻PR。

接着，请参照图4D，在一些实施例中，可形成第三导电层104c于第一基板102上。在一些实施例中，第三导电层104c可顺应性地形成于第一导电层104a与第二导电层104b上。

接着，请参照图4E，在一些实施例中，可形成光阻PR于第一基板102上，以定义第三导电层104c后续的图案化形状。在一些实施例中，光阻PR可完整地覆盖第一导电层104a以及第二导电层104b，并覆盖一部分的第三导电层104c。

接着，请参照图4F，在一些实施例中，可移除一部分的第三导电层104c，以形成经图案化的第三导电层104c。详细而言，可借由蚀刻制程移除未被光阻 PR遮蔽的第三导电层104c。于此实施例中，前述蚀刻制程可为干蚀刻制程。然而，在另一些实施例中，亦可借由湿蚀刻制程移除一部分的第三导电层104c。

再者，于经图案化的第三导电层104c形成之后，可移除光阻PR。在一些实施例中，可借由湿式剥除制程、等离子灰化制程、或前述的组合移除光阻PR。

如图4F所示，在此，大致上完成多层电极104的制造流程。承前述，根据一些实施例，多层电极104是借由两步骤的蚀刻制程形成(例如，如第4B 及4F图所示)。此外，在一些实施例中，第一导电层104a及第二导电层104b 是借由同一蚀刻制程形成(例如，如图4B所示)。

综上所述，根据本发明一些实施例，提供的电子装置包含具有第一导电层、第二导电层以及第三导电层的多层电极，且第三导电层可作为缓冲层，完整地覆盖第二导电层以保护第二导电层，或者可改善钝化层与多层电极之间的接着性或降低它们之间的热膨胀系数的差异，借此可降低钝化层产生微裂缝或多层电极腐蚀的风险。

虽然本发明的实施例及其优点已发明如上，但应该了解的是，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作变动、替代与润饰。本发明实施例之间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意组合搭配使用。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何本领域技术人员可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims

1.一种天线装置，其特征在于，包括：

一第一基板；

一多层电极，设置于所述第一基板上，所述多层电极包括：

一第一导电层；

一第二导电层，设置于所述第一导电层上；以及

一第三导电层，设置于所述第二导电层上；

一钝化层，设置于所述多层电极上；

一第二基板，与所述第一基板相对设置；以及

一液晶层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；

其中所述第三导电层包括一第一部分，所述第一部分延伸超出所述第二导电层，且其中所述第二导电层具有弧状的顶角；以及

其中所述第三导电层的热膨胀系数介于所述第二导电层的热膨胀系数与所述钝化层的热膨胀系数之间。

2.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述第一导电层包括一第二部分，所述第二部分延伸超出所述第二导电层，且与所述第一部分接触。

3.如权利要求2所述的天线装置，其特征在于，所述第二部分的一长度的范围介于0.1微米至4微米之间。

4.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述第三导电层的一厚度的范围介于10纳米至100纳米之间。

5.如权利要求4所述的天线装置，其特征在于，所述第三导电层的所述厚度的范围介于20纳米至40纳米之间。

6.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述第一部分的一长度的范围介于0.1微米至4微米之间。

7.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述第一导电层的材料包括钛、钼、钛合金、钼合金、氧化铟锌、氧化铟锡、或前述材料的组合。

8.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述第二导电层的材料包括铜、铝、铜合金、铝合金、或前述材料的组合。

9.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述第三导电层的材料包括钛、钼、钛合金、钼合金、氧化铟锌、氧化铟锡、或前述材料的组合。

10.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述多层电极是借由两步骤的蚀刻制程形成。

11.如权利要求10所述的天线装置，其特征在于，所述第一导电层及所述第三导电层是借由同一蚀刻制程形成。

12.一种电子装置，其特征在于，包括：

一第一基板；

一多层电极，设置于所述第一基板上，所述多层电极包括：

一第一导电层；

一第二导电层，设置于所述第一导电层上；以及

一第三导电层，设置于所述第二导电层上；

一钝化层，设置于所述多层电极上；

一第二基板，与所述第一基板相对设置；以及

一液晶层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；

13.如权利要求12所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电层包括一第二部分，所述第二部分延伸超出所述第二导电层，且与所述第一部分接触。

14.如权利要求12所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电层的材料包括钛、钼、钛合金、钼合金、氧化铟锌、氧化铟锡、或前述材料的组合。

15.如权利要求12所述的电子装置，其特征在于，所述第二导电层的材料包括铜、铝、铜合金、铝合金、或前述材料的组合。

16.如权利要求12所述的电子装置，其特征在于，所述第三导电层的材料包括钛、钼、钛合金、钼合金、氧化铟锌、氧化铟锡、或前述材料的组合。