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CN111477664A - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

一种显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDF

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CN111477664A CN202010338397.0A CN202010338397A CN111477664A CN 111477664 A CN111477664 A CN 111477664A CN 202010338397 A CN202010338397 A CN 202010338397A CN 111477664 A CN111477664 A CN 111477664A
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Abstract

本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明提供的一种显示面板包括基底、多个像素单元和辅助电极层。每个像素单元包括一发光器件，发光器件包括依次设置在基底上的第一电极、发光层和第二电极。辅助电极层设置在多个像素单元知识，其分为透光区和电极区，透光区在基底上的正投影至少覆盖发光层在所述基底上的正投影，透光区包括透明结构，电极区包括辅助电极。其中，辅助电极的材料包括金属，透明结构的材料包括金属氧化物，金属氧化物由金属氧化得到。本发明提供的显示面板能够直接在第二电极上形成辅助电极，且不影响发光器件的出光率，从而避免辅助电极因脱落或对位不良而失效的问题。

Description

一种显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)面板包括多个像素单元，每个像素单元中设置有一发光器件，发光器件包括阳极、发光层和阴极，其中发光层的出光侧靠近阴极。为了提高OLED的发光率，发光器件的阴极的厚度需要尽可能小，但是随着阴极厚度的减小，阴极的电阻率随之增大，为了降低阻抗，需要使发光器件的阴极与辅助电极相接，以降低OLED的功耗。而现有技术中，辅助电极通常设置在OLED面板的盖板上，与发光器件相对设置，且需要与阴极对位相接，因此阴极容易出现脱落或对位不良等问题。或者辅助电极通常设置在背板的栅极层或者源极层中，通过打孔工艺将辅助电极连接至发光器件的阴极，但打孔工艺容易形成颗粒(particle)，从而降低显示面板的显示质量。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示面板，其能够直接在第二电极上形成辅助电极，且不影响发光器件的出光率，从而避免辅助电极因脱落或对位不良而失效的问题。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，包括：
基底；
多个像素单元，设置在所述基底一侧，每个像素单元包括一发光器件，所述发光器件包括依次设置在所述基底一侧的第一电极、发光层和第二电极；
辅助电极层，设置在所述多个像素单元背离所述基底一侧，所述辅助电极层划分为透光区和电极区，所述透光区在所述基底上的正投影至少覆盖所述发光层在所述基底上的正投影，所述透光区包括透明结构，所述电极区包括辅助电极，所述辅助电极与所述第二电极相接；其中，
所述辅助电极的材料包括金属，所述透明结构的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物与所述金属具有同种元素，所述金属氧化物由所述金属氧化得到。
本发明提供的显示面板，由于将辅助电极层直接设置在发光器件的第二电极上，且辅助电极层分为透光区和电极区，透光区的位置可以将发光层发出的光透射，电极区的位置包括辅助电极用以降低第二电极的电阻率，因此能够在降低第二电极的电阻率的基础下，不影响发光器件的出光，且能够避免辅助电极因脱落或对位不良而失效的问题。
优选的，所述辅助电极的材料包括钽，所述透明结构的材料包括钽氧化物。
优选的，所述钽氧化物包括三氧化二钽或五氧化二钽中的至少一种。
优选的，所述透明结构靠近所述多个像素单元的一侧，与所述辅助电极靠近所述多个像素单元的一侧位于同一平面。
优选的，所述多个像素单元之间包括遮光层，所述遮光层与所述辅助电极共用结构。
优选的，本发明提供的显示面板还包括：封装层，设置在所述辅助电极层背离所述基底一侧。
相应的，本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：
制作基底；
在所述基底一侧制作多个像素单元，在每个像素单元中制作一发光器件，包括制作依次设置在所述基底一侧的发光器件的第一电极、发光层和第二电极；
在所述多个像素单元背离所述基底一侧制作辅助电极层，所述辅助电极层划分为透光区和电极区，所述透光区在所述基底上的正投影至少覆盖所述发光层在所述基底上的正投影；
制作所述辅助电极层具体包括：
在所述透光区制作透明结构，在所述电极区制作辅助电极，且将所述辅助电极与所述第二电极电连接；其中，
所述辅助电极的材料包括金属，所述透明结构的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物与所述金属具有同种元素，所述金属氧化物由所述金属氧化得到。
优选的，在所述透光区制作透明结构，在所述电极区制作辅助电极，且将所述辅助电极与所述第二电极电连接，具体包括：
在所述多个像素单元的第二电极背离所述基底一侧涂覆所述金属；
按照所述透光区与所述电极区的位置，对所述金属进行图案化；
使所述金属对应所述透光区的部分与氧化剂反应转化为金属氧化物，以形成所述透明结构，所述金属对应所述电极区的部分作为所述辅助电极。
优选的，按照所述透光区与所述电极区的位置，对所述金属进行图案化，具体包括：
在所述金属背离所述基底一侧涂覆光刻胶；
利用掩膜版，通过曝光显影工艺，使光刻胶仅附着在所述金属对应所述电极区的位置上。
相应地，本发明还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
附图说明
图1为本实施例提供的显示面板的一种实施例的结构示意图(发光层的俯视图)；
图2为本实施例提供的显示面板的一种实施例的结构示意图(辅助电极层的俯视图)；
图3为本实施例提供的显示面板的像素单元的一种实施例的层结构图；
图4为本实施例提供的显示面板的制作方法的一种实施例的流程图；
图5为图4中步骤3的流程图；
图6本实施例提供的显示面板的制作方法的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是为了便于对本发明实施例的内容的理解。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
如图1-3所示，其中图1为显示面板发光层及其以下膜层的俯视图，图2为显示面板辅助电极层的俯视图，图3为像素单元的层结构图。本实施例提供一种显示面板，该显示面板包括基底1、多个像素单元P和辅助电极层3。
具体地，多个像素单元P设置在基底1一侧，每个像素单元P包括一发光器件2，参见图3，发光器件2具体可以包括第一电极21、发光层22和第二电极23，第一电极21、发光层22和第二电极23依次设置在基底1上。
需要说明的是，本实施例提供的显示面板中，发光器件2可以采用顶发射结构也可以采用底发射结构，具体的可以根据需要设计。作为一种优选的方式，发光器件2采用顶发射结构，即发光层22的出光侧为其靠近第二电极23一侧。若发光器件2采用顶发射结构，则第一电极21可以为阳极，第二电极23可以为阴极。以下皆以第一电极21为阳极，第二电极23为阴极为例进行说明。
进一步地，参见图1-3，辅助电极层3设置在多个像素单元P背离基底1一侧，辅助电极层3可以划分为透光区S1和电极区S2，辅助电极层3的透光区S1对应发光器件2的发光层22的位置，也即透光区S1在基底1上的正投影覆盖发光层22在基底1上的正投影，辅助电极层3的其余位置则为电极区S2。其中，辅助电极层3的透光区S1包括透明结构31，辅助电极层3的电极区S2包括辅助电极32，图2中透明结构31的位置即对应图1中发光层22的位置。辅助电极层3的辅助电极32与发光器件2的第二电极23电连接，从而辅助电极32可以降低第二电极23的阻抗，进而降低发光器件2的功耗。其中，辅助电极32的材料包括金属，透明结构31的材料包括金属氧化物，透明结构31的金属氧化物和辅助电极32的金属具有同种元素，形成透明结构31的金属氧化物由形成辅助电极32的金属氧化得到。
需要说明的是，辅助电极层3中的透明结构31(也即透光区S1)在基底1上的正投影，覆盖发光器件2中的发光层22在基底1上的正投影，即透光区S1的面积可以大于或等于发光层22的面积大，从而避免遮挡发光层22发出的光。
本实施例提供的显示面板，由于将辅助电极层3直接设置在发光器件2的第二电极23上，因此能够避免把辅助电极32设置在盖板上，辅助电极32因脱离或对位不良而失效的问题，也无需打孔工艺将辅助电极32与第二电极23相接，且由于辅助电极层3分为透光区S1和电极区S2，辅助电极层3的透光区S1的位置可以将发光层22发出的光透射，辅助电极层3的电极区S2的位置包括辅助电极32，辅助电极32用以降低第二电极23的电阻率，因此能够在降低第二电极23的电阻率的基础下，不影响发光器件2的出光率。
可选地，在本实施例提供的显示面板中，辅助电极层3的辅助电极32的材料为金属，辅助电极层3的透明结构31的材料为该金属氧化得来的金属氧化物，通过这种设计可以降低工艺复杂度。具体地，辅助电极32的材料可以包括多种金属，例如可以辅助电极32的材料为金属钽(Ta)，相应地，透明结构31的材料包括钽氧化物。钽氧化物具有透明性质，可以将发光层22发出的光透射。作为一种优选的方式，若辅助结构32的材料为Ta，透明结构31的材料可以为三氧化二钽(Ta2O3)或五氧化二钽(Ta2O5)中的至少一种。并且Ta2O5还具有稳定的抗腐蚀性，因此透明结构31还能够保护发光器件2。当然，辅助结构32的材料还可以包括其他金属，透明结构31的材料还可以包括其他金属氧化物，只要金属氧化物具有透明性即可。
可选地，如图3所示，在辅助电极层3中，透明结构31靠近多个像素单元P的一侧，与辅助电极32靠近多个像素单元P的一侧位于同一平面，也就是说，透明结构31的厚度与辅助电极32的厚度相同，透明结构31的上表面(靠近像素单元P的一面)和辅助电极32的上表面(靠近像素单元P的一面)为一平坦的平面，从而辅助电极层3还可以作为一平坦层，用于填充发光器件2的上方使其平坦，以及保护发光器件2。
可选地，如图2、图3所示，多个像素单元P之间包括遮光层，遮光层与辅助电极层3中的辅助电极32共用结构。也就说，由于辅助电极23为金属形成，具有不透光性，且辅助电极23设置在发光层22的周边区域，辅助电极32一方面可以作为辅助电极与第二电极23相接，另一方面还可以作为像素单元P之间的遮光层，用于防止相邻的像素单元P发出的光彼此发生串扰。
可选地，如图3所示，本实施例提供的显示面板还可以包括封装层7，封装层7设置在辅助电极层3背离基底1一侧，用于将显示面板封装，以防止水汽等进入发光器件2对其产生损害。封装层7可以采用各种类型的封装方式，以及封装层7可以包括各种类型的封装材料，具体的可以根据需要选择。
进一步地，如图1、图3所示，本实施例提供的显示面板还包括设置在基底1靠近封装层7一侧的层间绝缘层(PVX)5,层间绝缘层5中设置有薄膜晶体管4，发光器件2的第一电极(阳极)21通过设置在层间绝缘层5中的过孔(Via)与薄膜晶体管4相连。在层间绝缘层5背离基底一侧，且在多个像素单元P的发光器件2之间还设置有像素定义层(PDL)6，发光器件2设置在像素定义层6中。具体地，薄膜晶体管4可以包括多个膜层，例如包括栅极(GateElectrode)，栅极设置基底1靠近封装层7一侧，栅极之上包括有源层(Activa area)，有源层与栅极之间包括栅极绝缘层，有源层背离栅极绝缘层一侧设置有漏极(DrainElectrode)和源极(Source Electrode)，漏极和源极同层设置，漏极和源极之间包括层间绝缘层。其中，有源层由半导体材料构成，例如可以为非晶硅、多晶硅、有机半导体材料等，在此不做限定。参见图1，显示面板还包括沿行方向延伸的多行栅线G，和沿列方向延伸的多列数据线D，多行栅线G和多列数据线D相交叉限定出多个像素单元P。当然，显示面板的像素单元P的层结构还可以为其他结构，例如可以包括3个薄膜晶体管，具体的可以根据需要设计，在此不做限定。
相应的，如图4所示，本实施例还提供一种显示面板的制作方法，该方法包括以下步骤：
S1、制作基底1。
具体地，基底可以包括各种类型的基底，例如玻璃基底、硅基底等，在此不做限定。
S2、在基底1一侧制作多个像素单元P，在每个像素单元P中制作一发光器件2，制作发光器件2包括制作依次设置在基底1一侧的发光器件2的第一电极(阳极)21、发光层22和第二电极(阴极)23。
具体地，包括在基底上形成薄膜晶体管4、PVX层5和第一电极21，其中在PVX层5中制作通孔，使薄膜晶体管4与第一电极21相连接。之后制备PDL层6，再使用喷墨打印技术，在PDL层6的对应区域打印发光层22，发光层22的打印材料可以分别显示红绿蓝(RGB)三色。之后在发光层22上制备整层第一电极23。
S3、在多个像素单元P背离基底1一侧制作辅助电极层3，辅助电极层3划分为透光区S1和电极区S2，透光区S1在基底1上的正投影，至少覆盖发光器件2的发光层22在基底1上的正投影。其中，在制作辅助电极层3具体包括在透光区S1制作透明结构31，在电极区S2制作辅助电极32，且将辅助电极32与发光器件2的第二电极23电连接。
进一步地，如图5所示，S3具体包括：
S31、在多个像素单元P的发光器件2中的第二电极22背离基底1一侧涂覆金属。
具体地，如图6中(a)所示，在第二电极22背离基底1一侧涂覆一整层金属(也即成品中辅助电极层3的位置)，所涂覆的金属为形成辅助电极32的金属，例如可以涂覆金属Ta。
S32、按照辅助电极层3的透光区S1与电极区S2的位置，对已涂覆的金属进行图案化。
具体地，如图6中(a)所示，在金属背离基底1一侧涂覆光刻胶8。
进一步地，如图6(b)所示，利用掩膜版(Mask)，将光刻胶8对应发光层22的位置遮挡住，其余位置暴露在光照下，将通过曝光显影工艺，在光刻胶8没有被光照的部分，也即光刻胶8对应发光层22(也即透光区S1)的部分将脱落，而光刻胶8中被光照的部分，即光刻胶8对应电极区S2的部分将保留，也就是说，使光刻胶8仅附着在金属对应电极区S2的位置上。
可选地，本实施例中的光刻胶可以为正性胶，也可以为负性胶，相应地，所使用的Mask也需要根据正性胶和负性胶相应改变，上述以正性胶为例。具体的可以根据需要选择，在此不做限定。
S33、使金属对应辅助电极层3的透光区S1的部分与氧化剂反应转化为金属氧化物，以形成透明结构31，金属对应辅助电极层3的电极区S2的部分作为辅助电极32。
具体地，如图6(c)所示，将图6(b)所示的显示面板浸入氧化剂中，由于金属对应发层22的位置(即透光区S1)没有光刻胶8，因此氧化剂会与该位置的金属反应，使金属氧化为透明的金属氧化物，形成透明结构31，而金属的其余部分(即电极区S2)由于附着有光刻胶8，光刻胶8会保护该部分金属，使其不与氧化剂反应，因此金属对应电极区的位置的材料性质没有发生改变，这部分金属可以直接作为辅助电极32，与发光器件2的第二电极23相接。
通过上述方式制作辅助电极层3，能够直接在同一层，利用光刻胶与氧化剂直接形成对应不同区域的透明结构31和辅助电极32，无需对位或镂空刻蚀等高精度工艺，从而可以简化显示面板的制作工艺，且可以避免对位不良等问题降低辅助电极的将阻抗效果。
可选地，本实施例提供的制作方法还可以包括在辅助电极层3背离基底1一侧制作封装层7。具体地，可以使用蒸镀技术或气相沉积(Chemical Vapour Deposition，CVD)工艺，形成封装层7。
相应地，本实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基底；
多个像素单元，设置在所述基底一侧，每个像素单元包括一发光器件，所述发光器件包括依次设置在所述基底一侧的第一电极、发光层和第二电极；
辅助电极层，设置在所述多个像素单元背离所述基底一侧，所述辅助电极层划分为透光区和电极区，所述透光区在所述基底上的正投影至少覆盖所述发光层在所述基底上的正投影，所述透光区包括透明结构，所述电极区包括辅助电极，所述辅助电极与所述第二电极电连接；其中，
所述辅助电极的材料包括金属，所述透明结构的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物与所述金属具有同种元素，所述金属氧化物由所述金属氧化得到。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极的材料包括钽，所述透明结构的材料包括钽氧化物。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述钽氧化物包括三氧化二钽或五氧化二钽中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述透明结构靠近所述多个像素单元的一侧，与所述辅助电极靠近所述多个像素单元的一侧位于同一平面。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个像素单元之间包括遮光层，所述遮光层与所述辅助电极共用结构。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：封装层，设置在所述辅助电极层背离所述基底一侧。
7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
制作基底；
在所述基底一侧制作多个像素单元，在每个像素单元中制作一发光器件，包括制作依次设置在所述基底一侧的发光器件的第一电极、发光层和第二电极；
在所述多个像素单元背离所述基底一侧制作辅助电极层，所述辅助电极层划分为透光区和电极区，所述透光区在所述基底上的正投影至少覆盖所述发光层在所述基底上的正投影；
制作所述辅助电极层具体包括：
在所述透光区制作透明结构，在所述电极区制作辅助电极，且将所述辅助电极与所述第二电极电连接；其中，
所述辅助电极的材料包括金属，所述透明结构的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物与所述金属具有同种元素，所述金属氧化物由所述金属氧化得到。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述透光区制作透明结构，在所述电极区制作辅助电极，且将所述辅助电极与所述第二电极电连接，具体包括：
在所述多个像素单元的第二电极背离所述基底一侧涂覆所述金属；
按照所述透光区与所述电极区的位置，对所述金属进行图案化；
使所述金属对应所述透光区的部分与氧化剂反应转化为金属氧化物，以形成所述透明结构，所述金属对应所述电极区的部分作为所述辅助电极。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，按照所述透光区与所述电极区的位置，对所述金属进行图案化，具体包括：
在所述金属背离所述基底一侧涂覆光刻胶；
利用掩膜版，通过曝光显影工艺，使光刻胶仅附着在所述金属对应所述电极区的位置上。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一所述的显示面板。
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