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CN111477262A - 半导体器件的失效分析方法 - Google Patents

半导体器件的失效分析方法 Download PDF

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CN111477262A CN202010268633.6A CN202010268633A CN111477262A CN 111477262 A CN111477262 A CN 111477262A CN 202010268633 A CN202010268633 A CN 202010268633A CN 111477262 A CN111477262 A CN 111477262A
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Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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Abstract

本发明提供了一种半导体器件的失效分析方法，所述半导体器件的失效分析方法包括：对所述半导体器件进行电性失效分析，以定位到某条失效导电线路；以及，对所述某条失效导电线路进行热点抓取，以定位所述热点；若未抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则对所述某条失效导电线路进行修补处理，以将所述某条失效导电线路暴露出来，进而抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点，以进行下一步的物性失效分析。本发明的技术方案使得在产品设计发生改变的情况下还能抓取到热点，进而使得能够快速且准确地找到缺陷位置以及分析失效原因，从而实现对失效产品的改善。

Description

半导体器件的失效分析方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件的失效分析方法。
背景技术
电性失效分析(EFA，Electrical Failure Analysis)是以电学测量为主的失效分析，主要工作目的是确定芯片中发生故障的测试结构。电性失效分析是基于功能性的检测，通过为芯片提供电测试信号，分析电测试结果是否符合理论分析，来确定发生故障的测试结构。物性失效分析(PFA，Physical Failure Analysis)是为了根据要求获取测试芯片内测试结构的线宽、厚度、成分等值，很多时候需要对缺陷发生的位置进行切片观察，以确定出缺陷发生的具体位置。
其中，Nor flash产品在做可靠性测试时，经常会出现测试后array区域的写入及擦除失败的情况。在正常情况下，产品工程师会通过对array区域进行电性失效分析来定位到失效的比特(bit),但是，若电性失效分析做的不够充分，则会出现只能定位到比特中某根失效的字线(WL)或是位线(BL)的情况。在这种情况下，失效分析(FA，Failure Analysis)的常用方法是利用EMMI(微光显微镜)机台抓取动态热点(dynamic hotspot),以将失效的范围从一根字线(长度约600μm)或是一根位线(长度约300μm)缩小到3μm以内。参阅图1，从图1中可看出，多条字线11与多条位线12垂直分布，先通过电性失效分析找到失效字线111，再通过EMMI机台抓取失效字线111上的热点13，之后对热点13所在区域进行物性失效分析，以确定具体的缺陷位置。
但是，在实际生产过程中，经常出现因为产品设计的不同，导致与EMMI机台配合使用的电性测试程序无法访问到失效的某根字线或位线的内部，进而导致EMMI机台无法抓取到热点，从而无法通过进一步的物性失效分析来找到失效原因，也就无法对失效的产品进行改善。
因此，需要提出一种新的失效分析的方法，能够在产品设计发生变化的情况下也能抓取到热点，以便于通过后续进一步地失效分析找到失效原因后，对失效的产品进行改善。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体器件的失效分析方法，在产品设计发生改变的情况下还能抓取到热点，进而使得能够快速且准确地找到缺陷位置以及分析失效原因，从而实现对失效产品的改善。
为实现上述目的，本发明提供了一种半导体器件的失效分析方法，包括：
提供一半导体器件，所述半导体器件包括多条导电线路；
对所述半导体器件进行电性失效分析，以定位到某条失效导电线路；以及，
对所述某条失效导电线路进行热点抓取，以定位所述热点；若抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则继续进行下一步的物性失效分析；若未抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则对所述某条失效导电线路进行修补处理，以将所述某条失效导电线路暴露出来，进而抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点，以进行下一步的物性失效分析。
可选的，所述半导体器件包括具有字线和位线的存储区域，对所述半导体器件进行电性失效分析的步骤包括：对所述存储区域进行写入和擦除的操作，以对所述半导体器件中的每条字线和位线进行电性测试，进而定位到某条失效的字线或位线，以定位到所述某条失效导电线路。
可选的，所述某条失效导电线路的长度大于100μm；定位的所述热点为直径不超过3μm的范围。
可选的，从所述半导体器件的背面对所述某条失效导电线路进行热点抓取，且采用微光显微镜和光束诱导电阻变化模式抓取所述热点。
可选的，所述半导体器件还包括与所述某条失效导电线路构成测试回路的电学结构，所述电学结构和所述某条失效导电线路之间通过相应的介质层相互绝缘隔离；其中，对所述某条失效导电线路进行修补处理的步骤包括：
研磨所述半导体器件至所述介质层；
去除部分区域的所述介质层，以将所述某条失效导电线路和所述电学结构的顶部端点暴露出来；以及，
在暴露出来的所述顶部端点上以及所述顶部端点周围的所述介质层上形成导电层。
可选的，所述某条失效导电线路包括字线、位线以及与所述字线、位线电性连接的导电插栓中的至少一种，所述电学结构包括字线、位线、阱区以及与所述字线、位线、阱区分别电性连接的导电插栓中的至少一种。
可选的，通过所述导电层向所述某条失效导电线路与所述电学结构构成的测试回路进行外接电源，以测试所述测试回路的电流随电压的变化关系，进而获得所述某条失效导电线路所在的漏电路径的漏电方向。
可选的，抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点的步骤包括：通过所述导电层向所述某条失效导电线路与所述电学结构构成的测试回路中提供一固定电压，以采用热点机台抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点。
可选的，所述物性失效分析的步骤包括：
根据所述漏电方向和所述热点的位置对所述半导体器件进行多次切割，并在每次切割的同时对切割面进行观察，直至切割至缺陷位置；以及，
对所述半导体器件进行减薄，以对所述缺陷位置处的切割面进行形貌检测。
可选的，所述半导体器件为存储器，包括位线、字线、漏区、栅氧、阱区、位线导电插栓、字线导电插栓和阱区导电插栓，所述某条失效导电线路为字线、位线、字线导电插栓或位线导电插栓；所述漏电路径为从位线导电插栓经其下方的漏区、阱区至所述阱区导电插栓的测试回路，且该漏电路径的漏电方向是漏电流从所述位线导电插栓经所述漏区、阱区流向所述阱区导电插栓，缺陷位置位于所述位线导电插栓与所述阱区导电插栓之间的漏电路径上；或者，所述漏电路径为从字线经其下方的栅氧、阱区至所述阱区导电插栓的测试回路，且所述漏电路径的漏电方向是漏电流从所述字线经所述栅氧、阱区流向所述阱区导电插栓，和/或，漏电流从所述阱区导电插栓经所述阱区、栅氧流向所述字线，缺陷位置位于所述字线与所述阱区导电插栓之间的漏电路径上；或者，所述漏电路径是从字线经位线导电插栓、所述位线导电插栓下方的漏区、阱区至所述阱区导电插栓的测试回路，且所述漏电路径的漏电方向是漏电流从所述字线经所述位线导电插栓、所述漏区、阱区流向所述阱区导电插栓，缺陷位置位于所述字线与所述阱区导电插栓之间的的漏电路径上。
与现有技术相比，本发明的半导体器件的失效分析方法通过对所述半导体器件进行电性失效分析，以定位到半导体器件中的某条失效导电线路；以及，对所述某条失效导电线路进行热点抓取，以定位所述热点；若抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则继续进行下一步的物性失效分析；若未抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则对所述某条失效导电线路进行修补处理，以将所述某条失效导电线路暴露出来，进而抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点，以进行下一步的物性失效分析，使得在产品设计发生改变的情况下还能抓取到热点，进而使得能够快速且准确地找到缺陷位置以及分析失效原因，从而实现对失效产品的改善。
附图说明
图1是一种抓取到的热点的位置示意图；
图2是本发明一实施例的半导体器件的失效分析方法的流程图；
图3a～3c是本发明一实施例的半导体器件中漏电方向的示意图。
其中，附图1～3c的附图标记说明如下：
11-字线；111-失效字线；12-位线；13-热点；20-衬底；21-阱区；211-阱区导电插栓；212-第一导电层；22-漏区；221-位线导电插栓；222-第二导电层；23-字线；231-字线导电插栓；232-第三导电层；24-栅氧；25-介质层；26-外接电源。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图2～3c对本发明提出的半导体器件的失效分析方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明一实施例提供一种半导体器件的失效分析方法，参阅图2，图2是本发明一实施例的半导体器件的失效分析方法的流程图，所述半导体器件的失效分析方法包括：
步骤S1，提供一半导体器件，所述半导体器件包括多条导电线路；
步骤S2，对所述半导体器件进行电性失效分析，以定位到某条失效导电线路；
步骤S3，对所述某条失效导电线路进行热点抓取，以定位所述热点；若抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则继续进行下一步的物性失效分析；若未抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则对所述某条失效导电线路进行修补处理，以将所述某条失效导电线路暴露出来，进而抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点，以进行下一步的物性失效分析。
下面更为详细的介绍本实施例提供的半导体器件的失效分析方法。
按照步骤S1，提供一半导体器件，所述半导体器件包括多条导电线路，所述导电线路包括字线、位线、导电插栓和金属互连线等。
按照步骤S2，对所述半导体器件进行电性失效分析，以定位到某条失效导电线路。当所述半导体器件包括具有字线和位线的存储区域时，对所述半导体器件进行电性失效分析的步骤可以包括：对所述存储区域进行写入和擦除的操作，以对所述半导体器件中的每条字线和每条位线进行电性测试，进而定位到某条失效的字线或位线，以定位到所述某条失效导电线路。当所述半导体器件包括其它导电线路时，可以采用其它对应的电性测试程序对所述半导体器件中的其它导电线路进行电性测试(例如电流随电压的变化关系)，以定位到所述某条失效导电线路。
所述某条失效导电线路可以包括字线、位线以及与所述字线、位线电性连接的导电插栓中的至少一种。其中，对于所述某条失效导电线路包括至少两种失效的导电线路的情况，即是指当不同种类的导电线路之间电性连接时，相当于不同种类的导电线路位于同一所述某条失效导电线路中；例如，所述字线以及与所述字线电性连接的导电插栓均失效(即均存在缺陷)，二者属于同一所述某条失效导电线路。需要说明的是，所述某条失效导电线路的范围不仅限于上述的种类，可以包括所述半导体器件中的任一导电结构。
通过对所述半导体器件进行电性失效分析来定位到的所述某条失效导电线路的长度大于100μm，此时，还无法确定所述半导体器件中的缺陷的具体位置，需要继续进行下一步地失效分析。
按照步骤S3，对所述某条失效导电线路进行热点抓取，以定位所述热点；若抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则继续进行下一步的物性失效分析；若未抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则对所述某条失效导电线路进行修补处理，以将所述某条失效导电线路暴露出来，进而抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点，以进行下一步的物性失效分析。
从所述半导体器件的背面对所述某条失效导电线路进行热点抓取，所述半导体器件的背面为衬底的表面，所述衬底的材质为硅、硅锗等本领域人员所熟知的材质，用于抓取所述热点的机台上的镜头发出的激光能够穿透所述衬底，去抓取所述某条失效导电线路中的所述热点。其中，可以采用微光显微镜(EMMI)和光束诱导电阻变化(OBIRCH)模式抓取所述热点，微光显微镜能够提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式，可侦测和定位非常弱的发光，由此捕捉各种器件中的缺陷或异常处所产生的漏电流可见光；光束诱导电阻变化模式是利用激光束在固定电压下的器件表面进行扫描，激光束的部分能量转化为热能，如果半导体器件中的导电线路中存在缺陷，那么，缺陷处的温度将无法迅速通过导电线路传导散开，这将导致缺陷处的温度累计升高，并进一步引起导电线路的电阻以及电流的变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，就可以定位到缺陷位置。那么，可以采用微光显微镜和光束诱导电阻变化模式配合使用来抓取所述热点，具体步骤可以包括：对所述某条失效导电线路进行电性测试，同时，采用光束诱导电阻变化模式发出的激光束对所述半导体器件的背面进行扫描，定位到所述半导体器件中的缺陷位置；并且，采用微光显微镜抓取缺陷位置处所产生的漏电流可见光，从而抓到所述某条失效导电线路中的所述热点。
通过对所述某条失效导电线路进行热点抓取，可以将所述热点的位置定位到直径不超过3μm的范围，使得后续能够快速且精准地定位到失效的具体位置以及找到失效的原因，减少了失效分析所需的时间，且提高了失效分析的成功率，进而能够根据失效原因对半导体器件进行改善。
但是，当产品设计发生改变时，导致与抓取热点的机台配合使用的电性测试程序无法访问到所述某条失效导电线路的内部，进而导致抓取热点的机台无法抓取到热点，从而无法通过进一步的物性失效分析来找到失效原因，也就无法对失效的产品进行改善。因此，需要对电性测试程序无法访问到的所述某条失效导电线路进行修补处理，以将所述某条失效导电线路暴露出来之后，进行后续的电性测试和热点抓取。
所述半导体器件还包括与所述某条失效导电线路构成测试回路的电学结构，所述电学结构为所述半导体器件中区别于所述某条失效导电线路的，且能够与所述某条失效导电线路构成测试回路的结构，所述电学结构和所述某条失效导电线路之间通过相应的介质层相互绝缘隔离。其中，对所述某条失效导电线路进行修补处理的步骤包括：首先，研磨所述半导体器件至所述介质层，由于所述介质层上形成有多层的金属层和其它介质层，需将多层的金属层和其它介质层去除，以为后续的步骤做准备；然后，去除部分区域的所述介质层，以将所述某条失效导电线路和所述电学结构的顶部端点暴露出来；接着，在暴露出来的所述顶部端点上以及所述顶部端点周围的所述介质层上形成导电层，以使得能够通过所述导电层向所述某条失效导电线路和所述电学结构构成的测试回路中通入电压，进而使得与抓取热点的机台配合使用的电性测试程序能够访问到所述某条失效导电线路的内部，从而能够对所述某条失效导电线路中的热点进行抓取。可以采用修补机台去除部分区域的所述介质层以及在暴露出来的所述顶部端点上以及所述顶部端点周围的所述介质层上形成所述导电层。
其中，所述电学结构包括字线、位线、阱区以及与所述字线、位线、阱区分别电性连接的导电插栓中的至少一种。当然，所述电学结构的范围不仅限于上述的种类，可以包括所述半导体器件中的任一导电结构。所述修补机台包括聚焦离子束机台，所述聚焦离子束机台能够对所述介质层进行刻蚀，以去除部分区域的所述介质层；且所述聚焦离子束机台能够在暴露出来的所述顶部端点上以及所述顶部端点周围的所述介质层上生长导电材料，以在所述顶部端点周围的所述介质层上形成导电层。
另外，在对所述某条失效导电线路进行修补处理之后，可以对所述某条失效导电线路所在的漏电路径的漏电方向进行测试和分析，具体地，可以通过所述导电层向所述某条失效导电线路与所述电学结构构成的测试回路进行外接电源(即分别接地和接工作电压)，以测试所述测试回路的电流随电压的变化关系，进而通过分析所述测试回路的电流随电压的变化关系来获得所述某条失效导电线路所在的漏电路径的漏电方向。
其中，以所述半导体器件为存储器为例，所述存储器包括位线、字线、漏区、栅氧、阱区、位线导电插栓、字线导电插栓和阱区导电插栓，所述某条失效导电线路为字线、位线、字线导电插栓或位线导电插栓，对所述某条失效导电线路所在的漏电路径的漏电方向举例说明如下：参阅图3a～3c，衬底20的顶部形成有阱区21，衬底20上形成有阱区导电插栓211、位线导电插栓221和字线23，且阱区导电插栓211、字线23与位线导电插栓221之间通过介质层25绝缘隔离，其中，阱区导电插栓211的底部与阱区21电性连接，位线导电插栓221的底部与阱区21中的漏区22电性连接，字线23与衬底20之间形成有栅氧24，字线23的顶部形成有字线导电插栓231，阱区导电插栓211、字线导电插栓231和位线导电插栓221的顶部分别采用FIB机台修补形成了第一导电层212、第三导电层232和第二导电层222。如图3a所示，将第一导电层212和第二导电层222进行外接电源26(即分别接地和接工作电压)，通过电性测试之后获得所述漏电路径为从位线导电插栓221经其下方的漏区22、阱区21至所述阱区导电插栓211的测试回路，且该漏电路径的漏电方向是漏电流从所述位线导电插栓221经所述漏区22、阱区21流向所述阱区导电插栓211，漏电打破了所述漏区22和所述阱区21之间的PN结，那么，缺陷位置位于所述位线导电插栓221与所述阱区导电插栓211之间的漏电路径上；或者，如图3b所示，将第一导电层212和第三导电层232进行外接电源26(即分别接地和接工作电压)，通过电性测试之后获得所述漏电路径为从字线23经其下方的栅氧24、阱区21至所述阱区导电插栓211的测试回路，且所述漏电路径的漏电方向是漏电流从所述字线23经所述栅氧24、阱区21流向所述阱区导电插栓211，以及漏电流从所述阱区导电插栓211经所述阱区21、栅氧24流向所述字线23，即漏电具有双向性，缺陷位置位于所述字线23与所述阱区导电插栓211之间的漏电路径上，当然，漏电也可以具有单向性，即漏电流从所述字线23经所述栅氧24、阱区21流向所述阱区导电插栓211，或者，漏电流从所述阱区导电插栓211经所述阱区21、栅氧24流向所述字线23；或者，如图3c所示，将第一导电层212和第三导电层232进行外接电源26(即分别接地和接工作电压)，通过电性测试之后获得所述漏电路径是从字线23经位线导电插栓221、所述位线导电插栓221下方的漏区22、阱区21至所述阱区导电插栓211的测试回路，且所述漏电路径的漏电方向是漏电流从所述字线23经所述位线导电插栓221、所述漏区22、阱区21流向所述阱区导电插栓211，实际探测的电流为PN结的开启电流，所述字线23在负压下漏电且在正压下不漏电，那么，缺陷位置位于所述字线23与所述阱区导电插栓211之间的的漏电路径上。所述某条失效导电线路所在的漏电路径的漏电方向不仅限于上述的示例，可以根据实际电性测试的结果进行分析获取到对应的漏电方向，以进行后续的物性失效分析。
另外，抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点的步骤可以包括：通过所述导电层向所述某条失效导电线路与所述电学结构构成的测试回路中提供一固定电压或者变化的电压以进行电性测试，同时，采用光束诱导电阻变化模式发出的激光束对所述半导体器件的背面进行扫描，定位到所述半导体器件中的缺陷位置；并且，采用微光显微镜抓取缺陷位置处所产生的漏电流可见光，从而抓到所述某条失效导电线路中的所述热点。
在确定了所述某条失效导电线路所在的漏电路径的漏电方向以及所述热点的位置范围之后，即可分析得到所述半导体器件中的缺陷位置，进而可以对所述半导体器件进行物性失效分析，以找到缺陷位置后进行观察分析。所述物性失效分析的步骤包括：首先，根据所述漏电方向和所述热点的位置对所述半导体器件进行多次切割，由于所述热点的位置为直径不超过3μm的范围，可以从靠近所述热点的位置范围处开始，以与所述漏电路径的漏电方向相平行的方向逐步对所述半导体器件进行切割，以逐步切割进入所述热点的位置范围内，进而逐步靠近缺陷位置，可以采用聚焦离子束机台进行切割，并在每次切割的同时对切割面进行观察，直至切割至缺陷位置后停止切割；接着，对所述半导体器件进行减薄，可以将所述半导体器件减薄至100nm的厚度，以使得能够将减薄后的所述半导体器件放入透射电子显微镜等机台中，进而能够对所述缺陷位置处的切割面进行形貌检测后找出失效的原因。
通过上述步骤S1至步骤S3可知，当产品设计发生改变而导致与抓取热点的机台配合使用的电性测试程序无法访问到所述某条失效导电线路的内部时，采用本发明的方法对所述某条失效导电线路进行修补处理之后，使得电性测试程序能够访问到所述某条失效导电线路的内部，以对所述某条失效导电线路的内部进行深入分析，进而能够明确漏电方向，以及能够抓取到所述某条失效导电线路中的热点，为后续的物性失效分析提供明确的指向，便于快速找到失效原因，对失效的产品进行改善。
另外，上述的半导体器件的失效分析方法中的各个步骤不仅限于上述的形成顺序，各个步骤的先后顺序可适应性的进行调整。
综上所述，本发明提供的半导体器件的失效分析方法，包括：提供一半导体器件，所述半导体器件包括多条导电线路；对所述半导体器件进行电性失效分析，以定位到某条失效导电线路；以及，对所述某条失效导电线路进行热点抓取，以定位所述热点；若抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则继续进行下一步的物性失效分析；若未抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则对所述某条失效导电线路进行修补处理，以将所述某条失效导电线路暴露出来，进而抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点，以进行下一步的物性失效分析。本发明的半导体器件的失效分析方法在产品设计发生改变的情况下还能抓取到热点，使得能够快速且准确地找到缺陷位置以及分析失效原因，进而实现对失效产品的改善。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于，包括：
提供一半导体器件，所述半导体器件包括多条导电线路；
对所述半导体器件进行电性失效分析，以定位到某条失效导电线路；以及，
对所述某条失效导电线路进行热点抓取，以定位所述热点；若抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则继续进行下一步的物性失效分析；若未抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点，则对所述某条失效导电线路进行修补处理，以将所述某条失效导电线路暴露出来，进而抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点，以进行下一步的物性失效分析。
2.如权利要求1所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述半导体器件包括具有字线和位线的存储区域，对所述半导体器件进行电性失效分析的步骤包括：对所述存储区域进行写入和擦除的操作，以对所述半导体器件中的每条字线和位线进行电性测试，进而定位到某条失效的字线或位线，以定位到所述某条失效导电线路。
3.如权利要求1所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述某条失效导电线路的长度大于100μm；定位的所述热点为直径不超过3μm的范围。
4.如权利要求1所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，从所述半导体器件的背面对所述某条失效导电线路进行热点抓取，且采用微光显微镜和光束诱导电阻变化模式抓取所述热点。
5.如权利要求1所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述半导体器件还包括与所述某条失效导电线路构成测试回路的电学结构，所述电学结构和所述某条失效导电线路之间通过相应的介质层相互绝缘隔离；其中，对所述某条失效导电线路进行修补处理的步骤包括：
研磨所述半导体器件至所述介质层；
去除部分区域的所述介质层，以将所述某条失效导电线路和所述电学结构的顶部端点暴露出来；以及，
在暴露出来的所述顶部端点上以及所述顶部端点周围的所述介质层上形成导电层。
6.如权利要求5所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述某条失效导电线路包括字线、位线以及与所述字线、位线电性连接的导电插栓中的至少一种，所述电学结构包括字线、位线、阱区以及与所述字线、位线、阱区分别电性连接的导电插栓中的至少一种。
7.如权利要求5所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，通过所述导电层向所述某条失效导电线路与所述电学结构构成的测试回路进行外接电源，以测试所述测试回路的电流随电压的变化关系，进而获得所述某条失效导电线路所在的漏电路径的漏电方向。
8.如权利要求5所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，抓取到暴露出来的所述某条失效导电线路中的所述热点的步骤包括：通过所述导电层向所述某条失效导电线路与所述电学结构构成的测试回路中提供一固定电压，以采用热点机台抓取到所述某条失效导电线路中的所述热点。
9.如权利要求7所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述物性失效分析的步骤包括：
根据所述漏电方向和所述热点的位置对所述半导体器件进行多次切割，并在每次切割的同时对切割面进行观察，直至切割至缺陷位置；以及，
对所述半导体器件进行减薄，以对所述缺陷位置处的切割面进行形貌检测。
10.如权利要求7所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述半导体器件为存储器，包括位线、字线、漏区、栅氧、阱区、位线导电插栓、字线导电插栓和阱区导电插栓，所述某条失效导电线路为字线、位线、字线导电插栓或位线导电插栓；所述漏电路径为从位线导电插栓经其下方的漏区、阱区至所述阱区导电插栓的测试回路，且该漏电路径的漏电方向是漏电流从所述位线导电插栓经所述漏区、阱区流向所述阱区导电插栓，缺陷位置位于所述位线导电插栓与所述阱区导电插栓之间的漏电路径上；或者，所述漏电路径为从字线经其下方的栅氧、阱区至所述阱区导电插栓的测试回路，且所述漏电路径的漏电方向是漏电流从所述字线经所述栅氧、阱区流向所述阱区导电插栓，和/或，漏电流从所述阱区导电插栓经所述阱区、栅氧流向所述字线，缺陷位置位于所述字线与所述阱区导电插栓之间的漏电路径上；或者，所述漏电路径是从字线经位线导电插栓、所述位线导电插栓下方的漏区、阱区至所述阱区导电插栓的测试回路，且所述漏电路径的漏电方向是漏电流从所述字线经所述位线导电插栓、所述漏区、阱区流向所述阱区导电插栓，缺陷位置位于所述字线与所述阱区导电插栓之间的的漏电路径上。
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