CN111443517A - 显示器件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示器件及其制作方法，包括：形成一器件板，所述器件板包括间隔排列的第一区域和第二区域；在所述器件板的所述第一区域上形成第一遮光层，所述第一遮光层中的第一遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度；在所述第一遮光层上形成第二遮光层，所述第二遮光层中的第二遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度，所述第二遮光层中的所述第二遮光单元在所述器件板上的正投影覆盖所述第一遮光层中的所述第一遮光单元在所述器件板上的正投影的至少一部分；在所述器件板的所述第二区域上形成色阻层；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二遮光层和所述色阻层。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器件及其制作方法。
背景技术
显示技术包括液晶显示技术(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示技术。
在发光二极管显示技术中，使用彩膜(Color Filter，CF)代替偏光片(Polarizer，POL)被称为免偏光板(POL-less)技术，它不仅能将功能层的厚度从100微米左右降低至5微米以下，而且能够将出光率从42％提高至60％。基于彩膜的POL-less技术被认为是实现动态弯折产品开发的关键技术之一；而在液晶显示技术中，彩膜基板被用于过滤背光源发出的光线。
现有制备彩膜的工艺包括用黑矩阵(Black Matrix，BM)作为堤坝层(Bank)，然而，在形成色阻块的过程中，形成色阻块的色阻材料很容易粘在黑矩阵的表面，使得制作显示器件的彩膜工艺中色阻层的精确度不高。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示器件及其制作方法，其能提高制作显示器件的彩膜工艺中色阻层的精确度。
本发明实施例提供一种显示器件的制作方法，包括：
步骤A：形成一器件板，所述器件板包括间隔排列的第一区域和第二区域；
步骤B：在所述器件板的所述第一区域上形成第一遮光层，所述第一遮光层中的第一遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度；
步骤C：在所述第一遮光层上形成第二遮光层，所述第二遮光层中的第二遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度，所述第二遮光层中的所述第二遮光单元在所述器件板上的正投影覆盖所述第一遮光层中的所述第一遮光单元在所述器件板上的正投影的至少一部分；
步骤D：在所述器件板的所述第二区域上形成色阻层；
步骤E：形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二遮光层和所述色阻层。
在本发明实施例提供的显示器件的制作方法中，所述第二遮光层中的所述第二遮光单元与所述器件板的坡度角大于或等于所述第一遮光层中的所述第一遮光单元与所述器件板的坡度角。
在本发明实施例提供的显示器件的制作方法中，所述步骤C包括：
步骤c1：利用光阻材料制作所述第二遮光层，所述光阻材料包括含氟元素的化合物。
在本发明实施例提供的显示器件的制作方法中，所述步骤c1包括：
步骤c11：将所述光阻材料涂布至所述第一遮光层上，以形成遮光材料层；
步骤c12：加热形成所述遮光材料层之后的所述器件板，使得所述遮光材料层形成所述第二遮光层。
在本发明提供的显示器件的制作方法中，所述第一遮光层的厚度大于或等于所述第二遮光层的厚度。
本发明实施例还提供一种显示器件，包括：
器件板，所述器件板包括薄膜晶体管阵列基板，子像素单元和封装层，其中，所述子像素单元设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，所述封装层设置于所述子像素单元上，所述封装层包括第一区域和第二区域；
第一遮光层，所述第一遮光层设置于所述封装层的所述第一区域，所述第一遮光层中的第一遮光单元与所述封装层的坡度角小于90度；
第二遮光层，所述第二遮光层设置于所述第一遮光层上，所述第二遮光层中的第二遮光单元与所述封装层的坡度角小于90度，所述第二遮光层中的所述第二遮光单元在所述封装层上的正投影覆盖所述第一遮光层中的所述第一遮光单元在所述封装层上的正投影的至少一部分；
色阻层，所述色阻层设置于所述封装层的所述第二区域；
钝化层，所述钝化层覆盖所述第二遮光层和所述色阻层。
在本发明实施例提供的显示器件中，所述第二遮光层中的所述第二遮光单元与所述封装层的坡度角大于或等于所述第一遮光层中的所述第一遮光单元与所述封装层的坡度角。
在本发明实施例提供的显示器件中，所述第一遮光层的厚度大于或等于所述第二遮光层的厚度。
在本发明实施例提供的显示器件中，所述第二遮光层材料包括含氟元素的化合物。
在本发明实施例提供的显示器件中，所述色阻层中的色阻块与所述器件板中的所述子像素单元一一对应。
与现有技术相比，本发明实施例中的显示器件及其制作方法通过在第一遮光层上制作第二遮光层，通过预定掩模板进行曝光，形成第一遮光层中的第一遮光单元与器件板所在平面的坡度角小于90度的第一遮光层以及第二遮光层中的第二遮光单元与器件板所在平面的坡度角小于90度的第二遮光层，由于第一遮光层的坡度角θ1和第二遮光层的坡度角θ2小于90度，在形成色阻层的过程中，色阻材料可以通过坡度角滴落至器件板的第二区域内，提高制作显示器件的彩膜工艺的色阻层的精确度。
同时，由于现阶段疏水性的遮光材料的开发难度较大，本发明实施例使用不同的遮光材料制备两层层叠的遮光层，不需要考虑第一遮光材料层的疏水性能，可以降低生产成本。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示器件的制作方法的流程图；
图2至图6为本发明实施例提供的显示器件的制作方法的示意图；
图7为本发明实施例提供的器件板的俯视图；
图8和图9为本发明实施例提供的第一遮光层和第二遮光层的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本发明具体实施例，其不应被视为限制本发明未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
需要说明的是，本发明实施例中虽然以特定的顺序图示特定数目的特定步骤，但其他数目的步骤、其他步骤、其他的子步骤、其他步骤的组合以及该等步骤的其他顺序都是有可能的。换言之，尽管特定实施例表示的图示在某一图中，但是本发明的意图是要含括可实施例来实现本发明的功能之步骤或/和子步骤的任何组合及顺序。
需要说明的是，在本发明实施例中，所述显示器件的制作方法包括有机发光二极管显示器件的制作方法和液晶显示器件中彩膜基板的制作方法；所述显示器件包括有机发光二极管显示器件和液晶显示器件。
如图1所示，本发明实施例提供一种显示器件的制作方法，包括：
步骤S1：形成一器件板，所述器件板包括间隔排列的第一区域和第二区域；
如图2所示，所述器件板10包括薄膜晶体管阵列基板100、子像素单元和封装层120，其中，所述薄膜晶体管阵列基板100包括基底、缓冲层、半导体层、绝缘层、栅极、源极、漏极、平坦化层和像素定义层，(图中未标出)所述子像素单元包括阴极111、有机发光层112和阳极113。
可选的，所述器件板包括一衬底，衬底包括玻璃基板和柔性衬底基板，此时，若提供的器件板10为玻璃基板或是柔性衬底基板，在后续工艺制程可形成彩膜基板。
步骤S2：在所述器件板的所述第一区域上形成第一遮光层，所述第一遮光层中的第一遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度；
其中，所述第一遮光层中的第一遮光单元与所述器件板的坡度角是指第一遮光单元与器件板所在的平面的夹角。
步骤S3：在所述第一遮光层上形成第二遮光层，所述第二遮光层中的第二遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度，所述第二遮光层中的所述第二遮光单元在所述器件板上的正投影覆盖所述第一遮光层中的所述第一遮光单元在所述器件板上的正投影的至少一部分；
其中，所述第二遮光层中的第二遮光单元与所述器件板的坡度角是指第二遮光单元与器件板所在的平面的夹角。
步骤S4：在所述器件板的所述第二区域上形成色阻层；
其中，形成光阻层的材料包括荧光材料、量子点材料以及彩色滤光材料等。
步骤S5：形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二遮光层和所述色阻层。
具体地，请继续参考图2，在一种有机发光二极管显示器件的制作方法中，步骤S1包括：依次在基底上形成缓冲层、半导体层、绝缘层、栅极、源极、漏极、平坦化层和像素定义层，以形成薄膜晶体管阵列基板10，在薄膜晶体管阵列基板10上依次形成阴极111、有机发光层112和阳极113，以形成子像素单元；然后，在子像素单元上形成封装层120，其中，如图7所示，器件板10包括器件板的第一区域10a和器件板的第二区域10b，需要说明的是，对器件板10的划分形式还包括其他形式。
然后，如图3所示，在步骤S2中，首先，利用等离子增强化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)技术、磁控溅射技术或热蒸发的方法在器件板10上沉积第一遮光材料层，然后采用掩模板对第一遮光材料层进行曝光，以形成图案化的第一遮光层20，第一遮光层20位于器件板10的第一区域10a，第一遮光层20中的第一遮光单元与器件板10所在平面的坡度角小于90度，其中，第一遮光材料层的材料包括金属和树脂材料，例如，氧化铜CuO、氧化铁Fe2O3、二氧化锰MnO2、四氧化三铁Fe2O3、硫化钼MoS、硫化铜CuS等较为稳定的金属氧化物和金属硫化物，以及黑色有机树脂。
进一步的，请结合图8和图9，所述第二遮光层30中的所述第二遮光单元与所述器件板10的坡度角θ2大于或等于所述第一遮光层20中的所述第一遮光单元与所述器件板10的坡度角θ1。
需要说明的是，根据实际需求，本发明实施例中的第一遮光层20和第二遮光层30的形状是可以变化的。具体地，如图8所示，当第一遮光层20和第二遮光层30的图形为规则图形时，第二遮光层30中的第二遮光单元与器件板10所在的平面的坡度角θ2大于第一遮光层20中的第一遮光单元与器件板10所在的平面的坡度角θ1；如图9所示，当第一遮光层20和第二遮光层30的图形为不规则图形时，第一遮光层20中的第一遮光单元与器件板10所在的平面的坡度角θ1指除了第一遮光层20中的第一遮光单元的顶点外的任意一点Q的切线与器件板10所在平面的交点；第二遮光层30中的第二遮光单元与器件板10所在的平面的坡度角θ2是指除了第二遮光层30中的第二遮光单元的顶点外的任意一点P的切线与器件板10所在平面的交点；此时，θ2大于或等于θ1。
接下来，如图4所示，在步骤S3中，包括步骤S31：利用光阻材料制作所述第二遮光层30，所述光阻材料包括含氟元素的化合物。
其中，含氟元素的化合物包括含氟树脂，例如，聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯等。
进一步的，步骤S31包括：
步骤S311：将所述光阻材料涂布至所述第一遮光层20上，以形成遮光材料层；
步骤S312：加热形成所述遮光材料层之后的所述器件板10，使得所述遮光材料层形成所述第二遮光层30。
其中，光阻材料的涂布方法包括喷墨打印，等离子体增强化学气相沉积和物理气相沉积等。
具体的，利用喷涂、旋涂或者刷涂的方式将光阻材料涂布至器件板10的表面，加热形成遮光材料层之后的器件板10，加热温度介于50摄氏度至180摄氏度之间，需要说明的是，在本发明实施例中，可以通过多次在第一遮光层20上涂布光阻材料，然后以加热的方式制备遮光材料层，最后利用掩模板进行曝光，形成第二遮光层30。本方法制得的第二遮光层30的膜层厚度可控，消耗能源少。
可选的，在本发明实施例中，还可以通过等离子体增强化学气相沉积、物理气相沉积等工艺将光阻材料沉积至第一遮光层20上，然后利用掩模板进行曝光，形成第二遮光层30。
进一步的，请继续参考图4，在本发明实施例中，所述第一遮光层20的厚度大于或等于所述第二遮光层30的厚度。
需要说明的是，在本发明实施例中，第一遮光层20包括N个第一遮光单元，第二遮光层30包括N个第二遮光单元，其中，N为大于零的整数。
如图5所示，在步骤S4中，利用喷涂、旋涂或者刷涂的方式将色阻材料涂布至器件板10的第二区域10b内，固化形成色阻层。其中，色阻材料包括彩色滤光材料、荧光材料和量子点材料等。
如图6所示，在步骤S5中，利用化学气相沉积技术、等离子增强化学气相沉积技术，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)技术或溅射工艺制作钝化层50，所述钝化层50的材料包括氧化硅、氮化硅或氧化铝等无机薄膜材料，以及苯酚基树脂、聚丙烯基树脂、聚酰亚胺基树脂、丙烯基树脂等具有弹性的树脂材料中的至少一种材料形成。
本发明实施例在第一遮光层20上制作第二遮光层30，通过预定掩模板进行曝光，形成第一遮光层20中的第一遮光单元与器件板10所在平面的坡度角θ1小于90度的第一遮光层以及第二遮光层30中的第二遮光单元与器件板10所在平面的坡度角θ2小于90度的第二遮光层，由于坡度角θ1和坡度角θ2小于90度，在形成色阻层的过程中，色阻材料可以通过坡度角滴落至器件板10的第二区域内，提高制作显示器件的彩膜工艺中色阻层的精确度。
如图所示，本发明实施例还提供一种显示器件，包括：
器件板10，所述器件板10包括薄膜晶体管阵列基板100，子像素单元和封装层120，其中，所述子像素单元设置于所述薄膜晶体管阵列基板100上，所述子像素单元包括阴极111、有机发光层112和阳极113，所述封装层120设置于所述子像素单元上，所述封装层120包括第一区域10a和第二区域10b；
第一遮光层20，所述第一遮光层20设置于所述封装层120的所述第一区域10a，所述第一遮光层20中的第一遮光单元与所述封装层120的坡度角小于90度；
第二遮光层30，所述第二遮光层30设置于所述第一遮光层20上，所述第二遮光层30中的第二遮光单元与所述封装层120的坡度角小于90度，所述第二遮光层30中的所述第二遮光单元在所述封装层120上的正投影覆盖所述第一遮光层20中的所述第一遮光单元在所述封装层120上的正投影的至少一部分；
其中，所述第二遮光层30中的所述第二遮光单元与所述封装层120的坡度角大于或等于所述第一遮光层20中的所述第一遮光单元与所述封装层120坡度角，以及，所述第一遮光层20厚度大于或等于所述第二遮光层30的厚度。
色阻层40，所述色阻层40设置于所述封装层120的所述第二区域10b；
钝化层50，所述钝化层50覆盖所述第二遮光层30和所述色阻层40。
进一步的，在本发明实施例中，所述第二遮光层30材料包括含氟元素的化合物。例如，包括聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯等含氟树脂。
进一步的，所述色阻层40中的色阻块与所述器件板10中的所述子像素单元一一对应。
需要说明的是，根据实际需求，本发明实施例中的第一遮光层20和第二遮光层30的形状是可以变化的。具体地，如图8所示，当第一遮光层20和第二遮光层30的图形为规则图形时，第二遮光层30中的第二遮光单元与器件板10所在的平面的坡度角θ2大于第一遮光层20中的第一遮光单元与器件板10所在的平面的坡度角θ1；如图9所示，当第一遮光层20和第二遮光层30的图形为不规则图形时，第一遮光层20中的第一遮光单元与器件板10所在的平面的坡度角θ1指除了第一遮光层20中的第一遮光单元的顶点外的任意一点Q的切线与器件板10所在平面的交点；第二遮光层30中的第二遮光单元与器件板10所在的平面的坡度角θ2是指除了第二遮光层30中的第二遮光单元的顶点外的任意一点P的切线与器件板10所在平面的交点；此时，θ2大于或等于θ1。
与现有技术相比，本发明实施例中的显示器件及其制作方法通过在第一遮光层上制作第二遮光层，通过预定掩模板进行曝光，形成第一遮光层中的第一遮光单元与器件板所在平面的坡度角小于90度的第一遮光层以及第二遮光层中的第二遮光单元与器件板所在平面的坡度角小于90度的第二遮光层，由于第一遮光层的坡度角θ1和第二遮光层的坡度角θ2小于90度，在形成色阻层的过程中，色阻材料可以通过坡度角滴落至器件板的第二区域内，提高制作显示器件的彩膜工艺的色阻层的精确度。
同时，由于现阶段疏水性的遮光材料的开发难度较大，本发明实施例使用不同的遮光材料制备两层层叠的遮光层，不需要考虑第一遮光材料层的疏水性能，可以降低生产成本。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示器件的制作方法，其特征在于，包括：
步骤A：形成一器件板，所述器件板包括间隔排列的第一区域和第二区域；
步骤B：在所述器件板的所述第一区域上形成第一遮光层，所述第一遮光层中的第一遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度；
步骤C：在所述第一遮光层上形成第二遮光层，所述第二遮光层中的第二遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度，所述第二遮光层中的所述第二遮光单元在所述器件板上的正投影覆盖所述第一遮光层中的所述第一遮光单元在所述器件板上的正投影的至少一部分；
步骤D：在所述器件板的所述第二区域上形成色阻层；
步骤E：形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二遮光层和所述色阻层。
2.根据权利要求1所述的显示器件的制作方法，其特征在于，所述第二遮光层中的所述第二遮光单元与所述器件板的坡度角大于或等于所述第一遮光层中的所述第一遮光单元与所述器件板的坡度角。
3.根据权利要求1至2任一项所述的显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤C包括：
步骤c1：利用光阻材料制作所述第二遮光层，所述光阻材料包括含氟元素的化合物。
4.根据权利3所述的显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤c1包括：
步骤c11：将所述光阻材料涂布至所述第一遮光层上，以形成遮光材料层；
步骤c12：加热形成所述遮光材料层之后的所述器件板，使得所述遮光材料层形成所述第二遮光层。
5.根据权利要求4所述的显示器件的制作方法，其特征在于，所述第一遮光层的厚度大于或等于所述第二遮光层的厚度。
6.一种显示器件，其特征在于，包括：
器件板，所述器件板包括薄膜晶体管阵列基板，子像素单元和封装层，其中，所述子像素单元设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，所述封装层设置于所述子像素单元上，所述封装层包括第一区域和第二区域；
第一遮光层，所述第一遮光层设置于所述封装层的所述第一区域，所述第一遮光层中的第一遮光单元与所述封装层的坡度角小于90度；
第二遮光层，所述第二遮光层设置于所述第一遮光层上，所述第二遮光层中的第二遮光单元与所述封装层的坡度角小于90度，所述第二遮光层中的所述第二遮光单元在所述封装层上的正投影覆盖所述第一遮光层中的所述第一遮光单元在所述封装层上的正投影的至少一部分；
色阻层，所述色阻层设置于所述封装层的所述第二区域；
钝化层，所述钝化层覆盖所述第二遮光层和所述色阻层。
7.根据权利要求6所述的显示器件，其特征在于，所述第二遮光层中的所述第二遮光单元与所述封装层的坡度角大于或等于所述第一遮光层中的所述第一遮光单元与所述封装层的坡度角。
8.根据权利要求6至7任一项所述的显示器件，其特征在于，所述第一遮光层的厚度大于或等于所述第二遮光层的厚度。
9.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，所述第二遮光层材料包括含氟元素的化合物。
10.根据权利要求9所述的显示器件，其特征在于，所述色阻层中的色阻块与所述器件板中的所述子像素单元一一对应。
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