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CN111415863B - 晶片的加工方法 - Google Patents

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CN111415863B CN202010008606.5A CN202010008606A CN111415863B CN 111415863 B CN111415863 B CN 111415863B CN 202010008606 A CN202010008606 A CN 202010008606A CN 111415863 B CN111415863 B CN 111415863B
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Abstract

提供晶片的加工方法，能够抑制碎片附着于器件。晶片的加工方法具有如下的步骤：保护膜包覆步骤(ST1)，利用保护膜包覆晶片的层叠体；第1激光加工步骤(ST3)，向间隔道的宽度方向的两端照射激光束，从而在间隔道形成两条激光加工槽；第2激光加工步骤(ST4)，通过沿着间隔道照射激光束，将两条激光加工槽之间的层叠体与保护膜一起去除；切削步骤(ST5)，利用切削刀具对间隔道的露出基材的区域进行切削；以及保护膜去除步骤(ST2)，在实施了保护膜包覆步骤(ST1)之后且实施第1激光加工步骤(ST3)之前，向比形成两条激光加工槽的位置靠间隔道的内侧的位置照射激光束来去除保护膜。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法，该晶片在基材上层叠有层叠体，并且具有交叉的具有规定宽度的多个间隔道。
背景技术
作为将在由交叉的多个间隔道划分的区域中分别形成有器件的晶片分割为各个器件的方法，提出了如下的加工方法(例如，参照专利文献1)：为了防止激光加工所产生的碎片的附着，在实施激光加工之前利用保护膜包覆晶片的正面，并通过激光加工将晶片分割为各个器件。
在专利文献1所示的加工方法中，器件包含低介电常数绝缘膜(以下，称为Low-k膜)，为了防止Low-k膜的剥离，在间隔道的宽度方向的两端通过激光加工形成两条激光加工槽之后，利用切削刀具对间隔道的宽度方向的中央进行切削加工。
专利文献1：日本特开2005-64230号公报
但是，在专利文献1所示的加工方法中，在对层叠有TEG(Test Elements Group)和Low-k膜中的至少一方的间隔道的宽度方向的中央进行切削时，会产生由TEG或Low-k膜引起的切削刀具的堵塞。因此，可考虑在利用切削刀具对晶片进行切削之前向两条激光加工槽之间照射激光束来去除TEG或Low-k膜等层叠体的加工方法。
但是，在专利文献1所示的加工方法中，在形成两条激光加工槽时，由于激光束的冲击而产生激光加工槽的宽度方向的两端的保护膜的剥离，即产生越过间隔道而到达器件的保护膜的剥离。向两条激光加工槽之间照射激光束的加工方法存在如下的问题：当对保护膜剥离而使器件的上表面露出的晶片进行加工时，由激光束的照射产生的碎片会粘固在因保护膜的剥离而露出的器件的上表面上。
发明内容
本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供能够抑制碎片附着于器件的晶片的加工方法。
为了解决上述课题并达到目的，在本发明的晶片的加工方法中，该晶片在基材上层叠有层叠体，并且具有多个间隔道，该间隔道具有规定的宽度，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护膜包覆步骤，利用保护膜包覆该层叠体的正面；第1激光加工步骤，在实施了该保护膜包覆步骤之后，在使激光束在间隔道的内侧分别聚光于该间隔道的宽度方向的两端的状态下沿着该间隔道照射激光束，在该间隔道形成两条激光加工槽；第2激光加工步骤，在实施了该第1激光加工步骤之后，通过沿着该间隔道照射激光束而将该两条激光加工槽之间的层叠体与保护膜一起去除，使该基材露出；以及切削步骤，在实施了该第2激光加工步骤之后，利用切削刀具对该间隔道的露出该基材的区域进行切削，该晶片的加工方法具有如下的保护膜去除步骤：在实施了该保护膜包覆步骤之后并且在实施该第1激光加工步骤之前，在使激光束聚光在比形成该两条激光加工槽的位置靠该间隔道的内侧并沿该间隔道的宽度方向排列的两个点处的状态下沿着该间隔道照射激光束，将包含形成该两条激光加工槽的位置的区域中的至少该保护膜去除。
在所述晶片的加工方法中，也可以为，在该保护膜去除步骤和该第1激光加工步骤中以相同的条件照射该激光束。
本发明的晶片的加工方法起到了能够抑制碎片附着于器件的效果。
附图说明
图1是示出实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的一例的立体图。
图2是图1所示的晶片的主要部分的剖视图。
图3是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。
图4是示出在图3所示的晶片的加工方法中使用的激光加工装置的结构例的立体图。
图5是示出图3所示的晶片的加工方法的保护膜包覆步骤的侧剖视图。
图6是示出图3所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤的侧剖视图。
图7是示出图3所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤的晶片的主要部分的剖视图。
图8是示出图3所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
图9是示出图3所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤后的晶片的主要部分的俯视图。
图10是示出图3所示的晶片的加工方法的第1激光加工步骤的晶片的主要部分的剖视图。
图11是示出图3所示的晶片的加工方法的第1激光加工步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
图12是示出图3所示的晶片的加工方法的第1激光加工步骤后的晶片的主要部分的俯视图。
图13是示出图3所示的晶片的加工方法的第2激光加工步骤的晶片的主要部分的剖视图。
图14是示出图3所示的晶片的加工方法的切削步骤的晶片的主要部分的剖视图。
标号说明
1：晶片；2：基材；3：层叠体；4：间隔道；4-1：区域；5：器件；6：保护膜；9：激光加工槽；200：激光束；210：激光束；300：切削刀具；ST1：保护膜包覆步骤；ST2：保护膜去除步骤；ST3：第1激光加工步骤；ST4：第2激光加工步骤；ST5：切削步骤。
具体实施方式
参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明不限定于以下的实施方式所记载的内容。另外，在以下所记载的结构要素中包含本领域技术人员能够容易想到的、实质上相同的结构要素。而且，以下所记载的结构能够适当组合。另外，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或者变更。
根据附图对本发明的实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图1是示出实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的一例的立体图。图2是图1所示的晶片的主要部分的剖视图。图3是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。
实施方式1的晶片的加工方法是图1所示的晶片1的加工方法。在实施方式1中，晶片1是以硅、蓝宝石、砷化镓等作为基材2的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图1和图2所示，晶片1具有基材2，在基材2上层叠有层叠体3。另外，晶片1具有：多个间隔道4，它们具有规定宽度并且交叉；以及器件5，其分别形成在由交叉的多个间隔道4划分的区域中。在实施方式1中，层叠体3包含低介电常数绝缘膜(以下，称为Low-k膜)。另外，在本发明中，层叠体3不仅可以包含Low-k膜，还可以包含除Low-k膜以外的布线层。
器件5是IC(Integrated Circuit：集成电路)或者LSI(Large ScaleIntegration：大规模集成电路)等。器件5包含：布线层，其形成由金属等构成的电路；以及Low-k膜，其对布线层进行支承。Low-k膜是构成器件5并用作层间绝缘膜的膜。另外，在实施方式1中，晶片1在间隔道4的基材2上层叠有层叠体3。
另外，在本发明中，晶片1也可以在间隔道4上局部地形成未图示的TEG(TestElements Group：测试元件组)等金属来作为层叠体。TEG是用于找出在器件5产生的设计上或制造上的问题的评价用的元件，在正面具有由金属构成的电极焊盘。TEG根据晶片1的种类等任意配置。
实施方式1的晶片的加工方法是在晶片1的各间隔道4的宽度方向的两端形成激光加工槽9之后，对激光加工槽9之间进行切削，从而将晶片1分割为各个器件5的方法。本发明所说的激光加工槽9是通过照射对于层叠体3和基材2具有吸收性的波长的激光束200而形成的、将与间隔道4的宽度方向的端部相距规定距离400的部位的层叠体3和基材2的一部分去除而得到的。另外，规定距离400是为了确保对激光加工槽9之间进行切削时的切削余量而尽量地短、并且能够尽量抑制激光束200的热对器件5的影响(能够确保器件5的期望的性能的程度)的距离。即，激光加工槽9是通过照射激光束200而对基材2的一部分和层叠体3进行烧蚀加工而形成的，在能够将激光束200的热对器件5的影响抑制在能够确保器件5的期望的性能的程度的范围内形成在间隔道4的宽度方向上的靠端部的位置。另外，在实施方式1中，规定距离400是几μm以上且10μm以下，例如是7μm。
如图3所示，晶片的加工方法具有保护膜包覆步骤ST1、保护膜去除步骤ST2、第1激光加工步骤ST3、第2激光加工步骤ST4以及切削步骤ST5。晶片的加工方法在保护膜包覆步骤ST1、保护膜去除步骤ST2、第1激光加工步骤ST3以及第2激光加工步骤ST4中使用图4所示的激光加工装置20。接下来，在本说明书中，对激光加工装置20进行说明。
(激光加工装置)
图4是示出在图3所示的晶片的加工方法中使用的激光加工装置的结构例的立体图。如图4所示，激光加工装置20主要具有装置主体21、卡盘工作台30、激光束照射单元40、摄像单元50、X轴移动单元60、Y轴移动单元70、保护膜包覆清洗单元80、搬送单元90以及控制单元100。
卡盘工作台30呈圆盘形状，对晶片1进行保持的保持面31由多孔陶瓷等形成。另外，卡盘工作台30被设置为通过X轴移动单元60在X轴方向上移动自如且通过旋转驱动源32绕与沿铅直方向的Z轴方向平行的轴心旋转自如。卡盘工作台30在保持面31上载置晶片1的层叠体3的背侧的背面12侧。卡盘工作台30的保持面31与未图示的真空吸引源连接，通过被真空吸引源吸引而对晶片1的背面12侧进行吸引保持。
激光束照射单元40配置为与卡盘工作台30所保持的晶片1对置。激光束照射单元40沿着各间隔道4照射对于晶片1具有吸收性的激光束200，从而对晶片1进行烧蚀加工。激光束照射单元40安装于支承柱23的前端，该支承柱23与从装置主体21竖立设置的壁部22连接。另外，激光束照射单元40具有由透镜等构成并且能够调整激光束200的聚光点的Z轴方向的位置的光学系统。
摄像单元50对卡盘工作台30所保持的晶片1进行拍摄，在实施方式1中，摄像单元50配设在与激光束照射单元40在X轴方向上并列的位置。在实施方式1中，摄像单元50安装于支承柱23的前端。摄像单元50具有CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合元件)等摄像元件等。摄像单元50将摄像元件拍摄得到的图像输出到控制单元100。
X轴移动单元60使卡盘工作台30在X轴方向上移动。Y轴移动单元70使卡盘工作台30在Y轴方向上移动。X轴移动单元60和Y轴移动单元70具有：公知的滚珠丝杠61、71，其被设置为绕轴心旋转自如；公知的脉冲电动机62、72，其使滚珠丝杠61、71绕轴心旋转；以及公知的导轨63、73，其将卡盘工作台30支承为在X轴方向或Y轴方向上移动自如。
保护膜包覆清洗单元80将保护膜6(图6等所示)包覆在晶片1的层叠体3的正面上，并且对晶片1的正面进行清洗而去除保护膜6。保护膜包覆清洗单元80具有：旋转工作台81，其对晶片1的背面12侧进行吸引保持，绕与Z轴方向平行的轴心旋转；保护膜溶液提供喷嘴82，其向旋转工作台81所保持的晶片1的层叠体3的正面提供水溶性的保护膜溶液7(图5所示)；以及清洗液提供喷嘴83，其向旋转工作台81所保持的晶片1的正面提供纯水等清洗液。
搬送单元90在卡盘工作台30与保护膜包覆清洗单元80的旋转工作台81之间搬送晶片1。搬送单元90具有：滚珠丝杠91，其固定于装置主体21的壁部22且与X轴方向平行；导轨92，其配设为与滚珠丝杠91平行；脉冲电动机93，其与滚珠丝杠91的一端连结，使滚珠丝杠91转动；以及滑动板94，其一端部与导轨92滑动连接，并且在内部具有与滚珠丝杠91螺合的螺母(未图示)。在搬送单元90中，随着滚珠丝杠91的转动，滑动板94被导轨92引导而在X轴方向上移动。在滑动板94的下端部升降自如地设置有吸附并保持晶片1的保持部95。
控制单元100分别对激光加工装置20的上述结构要素进行控制，使激光加工装置20实施针对晶片1的加工动作。另外，控制单元100是计算机。控制单元100具有：运算处理装置，其具有CPU(central processing unit：中央处理器)那样的微处理器；存储装置，其具有ROM(read only memory：只读存储器)或RAM(random accessmemory：随机存取存储器)那样的存储器；以及输入输出接口装置。
控制单元100的运算处理装置根据存储于存储装置的计算机程序来实施运算处理，并将用于控制激光加工装置20的控制信号经由输入输出接口装置输出到激光加工装置20的上述结构要素。另外，控制单元100与显示单元和输入单元连接，该显示单元显示加工动作的状态和图像等，该输入单元在操作者登记加工内容信息等时使用。输入单元由设置于显示单元的触摸面板和键盘等外部输入装置中的至少一个构成。
在本说明书中，接下来，对实施方式1的晶片的加工方法的各步骤进行说明。在实施方式1中，当控制单元100接收到来自操作者的加工内容信息而将晶片1载置于保护膜包覆清洗单元80的旋转工作台81并接收到来自操作者的加工动作开始指示时，通过激光加工装置20来依次实施保护膜包覆步骤ST1、保护膜去除步骤ST2、第1激光加工步骤ST3以及第2激光加工步骤ST4。
(保护膜包覆步骤)
图5是示出图3所示的晶片的加工方法的保护膜包覆步骤的侧剖视图。保护膜包覆步骤ST1是利用保护膜6来包覆晶片1的层叠体3的正面的步骤。
在实施方式1中，在保护膜包覆步骤ST1中，如图5所示，激光加工装置20将晶片1的背面12侧吸引保持在保护膜包覆清洗单元80的旋转工作台81上。另外，在实施方式1中，晶片1在基材2的背面12粘贴有外周缘粘贴于环状框架11的粘合带10而被环状框架11支承。因此，在保护膜包覆步骤ST1中，激光加工装置20隔着粘合带10将晶片1吸引保持于旋转工作台81，并利用旋转工作台81周围的夹持部84夹持环状框架11。
在保护膜包覆步骤ST1中，激光加工装置20一边使旋转工作台81绕轴心旋转，一边从保护膜溶液提供喷嘴82向晶片1的正面涂覆水溶性的保护膜溶液7。水溶性的保护膜溶液7由聚乙烯醇(polyvinyl alcohol：PVA)或者聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone：PVP)等水溶性的液状的树脂构成，优选包含用于提高激光束的吸收效率的由二氧化钛等构成的金属氧化物的微粒。
在保护膜包覆步骤ST1中，在晶片1的层叠体3的正面涂覆了水溶性的保护膜溶液7之后，对保护膜溶液7进行干燥或加热而使其硬化，如图6所示，在晶片1的层叠体3的整个正面上包覆由保护膜溶液7硬化而构成的保护膜6。当在晶片1的整个正面上包覆有保护膜6时，解除旋转工作台81对晶片1的吸引保持和夹持部84对环状框架11的夹持，利用搬送单元90将晶片1从旋转工作台81搬送到卡盘工作台30，晶片的加工方法进入保护膜去除步骤ST2。
(保护膜去除步骤)
图6是示出图3所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤的侧剖视图。图7是示出图3所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤的晶片的主要部分的剖视图。图8是示出图3所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤后的晶片的主要部分的剖视图。图9是示出图3所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤后的晶片的主要部分的俯视图。
保护膜去除步骤ST2是在实施了保护膜包覆步骤ST1之后且实施第1激光加工步骤ST3之前至少将各间隔道4的宽度方向的两端部的保护膜6去除的步骤。在保护膜去除步骤ST2中，激光加工装置20将正面被保护膜6覆盖的晶片1的背面12侧隔着粘合带10吸引保持于卡盘工作台30，并且利用夹持部33对环状框架11进行夹持。在保护膜去除步骤ST2中，激光加工装置20利用摄像单元50对卡盘工作台30所保持的晶片1进行拍摄，执行对晶片1与激光束照射单元40进行对位的对准。
在保护膜去除步骤ST2中，激光加工装置20一边通过X轴移动单元60、Y轴移动单元70以及旋转驱动源32使各间隔道4的宽度方向的端部和激光束照射单元40沿着间隔道4相对移动，一边如图6所示，从激光束照射单元40向各间隔道4的宽度方向的端部照射对于保护膜6和晶片1具有吸收性的波长的激光束200。
在保护膜去除步骤ST2中，如图7所示，激光加工装置20将激光束200的聚光点201设定在保护膜6的内部，并依次向所有的间隔道4的宽度方向的两端部照射激光束200，从而对所有的间隔道4的宽度方向的两端部实施烧蚀加工。在保护膜去除步骤ST2中，如图8和图9所示，激光加工装置20至少将间隔道4的宽度方向的两端部的保护膜6去除而形成使所有的间隔道4的两端的层叠体3露出的层叠体露出槽8。即，在保护膜去除步骤ST2中，激光加工装置20在各间隔道4中形成两条层叠体露出槽8。另外，在实施方式1中，在保护膜去除步骤ST2中，激光加工装置20在各间隔道4中将保护膜6、层叠体3以及基材2的一部分去除而形成层叠体露出槽8。但是，在本发明中，可以在保护膜6对于激光束200具有充分吸收性的情况下仅去除保护膜6而形成层叠体露出槽8，也可以在保护膜6对于激光束200几乎没有吸收性而层叠体3对于激光束200具有吸收性的情况下，通过向层叠体3照射激光束200来烧蚀层叠体3，从而也将保护膜6去除而形成层叠体露出槽8。在保护膜6和层叠体3都没有吸收性的情况下，层叠体露出槽8是通过向基材2照射激光束200来烧蚀基材2，从而将基材2的一部分、层叠体3以及保护膜6去除而形成的。另外，在保护膜去除步骤ST2中，激光加工装置20照射激光束200的位置是距间隔道4的两端比规定距离400更远的位置，是即使保护膜6由于激光束200的照射而剥离但保护膜6的剥离部位也不会到达间隔道4的外侧(即器件5)的位置。
另外，在图8和图9中，在保护膜去除步骤ST2中，除了间隔道4的宽度方向的两端部的保护膜6之外，还将层叠体3和基材2的一部分去除。总之，在保护膜去除步骤ST2中，只要能够将间隔道4的宽度方向的两端的保护膜6去除且保护膜6在间隔道4的外侧不被剥离，则本发明可以仅将保护膜6去除，也可以将保护膜6和层叠体3的一部分去除，还可以将保护膜6、层叠体3以及基材2的一部分去除。另外，在保护膜去除步骤ST2中，激光加工装置20形成层叠体露出槽8的位置是距间隔道4的两端比规定距离400更远的位置。
另外，在实施方式1中，保护膜去除步骤ST2的加工条件如下：激光束200的波长为355nm，激光束200的输出为1W，激光束200的重复频率为200kHz，激光束200的聚光点201的光斑直径为10μm左右，激光束照射单元40与晶片1的相对移动速度为400mm/sec。这样，与将各间隔道4的宽度方向的两端的保护膜6和层叠体3去除而使基材2露出的现有的加工方法中形成激光加工槽9的加工条件相比，实施方式1的晶片的加工方法的保护膜去除步骤ST2的加工条件的激光束的输出更弱。当在所有的间隔道4中形成两条层叠体露出槽8时，晶片的加工方法进入第1激光加工步骤ST3。另外，图9示出了形成在与左右方向平行的间隔道4中的层叠体露出槽8，省略了形成在与上下方向平行的间隔道4中的层叠体露出槽8。
(第1激光加工步骤)
图10是示出图3所示的晶片的加工方法的第1激光加工步骤的晶片的主要部分的剖视图。图11是示出图3所示的晶片的加工方法的第1激光加工步骤后的晶片的主要部分的剖视图。图12是示出图3所示的晶片的加工方法的第1激光加工步骤后的晶片的主要部分的俯视图。
第1激光加工步骤ST3是如下的步骤：在实施了保护膜包覆步骤ST1和保护膜去除步骤ST2之后，在使激光束200在间隔道4的内侧分别聚光在间隔道4的宽度方向的两端部的状态下沿着间隔道4照射激光束200，在间隔道4形成两条激光加工槽9。在第1激光加工步骤ST3中，激光加工装置20一边通过X轴移动单元60、Y轴移动单元70以及旋转驱动源32使各间隔道4的宽度方向的端部和激光束照射单元40沿着间隔道4相对移动，一边从激光束照射单元40向各间隔道4的宽度方向的端部照射对于保护膜6和晶片1具有吸收性的波长的激光束200。
在第1激光加工步骤ST3中，如图10所示，激光加工装置20将激光束200的聚光点201设定于层叠体3的上表面，向层叠体露出槽8内并且比保护膜去除步骤ST2更靠宽度方向的端部的位置照射激光束200。在第1激光加工步骤ST3中，激光加工装置20对所有的间隔道4的宽度方向的两端的在层叠体露出槽8内露出的层叠体3实施烧蚀加工。在第1激光加工步骤ST3中，如图11和图12所示，激光加工装置20至少将间隔道4的宽度方向的两端的在层叠体露出槽8内露出的层叠体3去除而在所有的间隔道4的两端的层叠体露出槽8内形成使基材2露出的激光加工槽9。即，在第1激光加工步骤ST3中，激光加工装置20在各间隔道4中形成两条激光加工槽9。
另外，在图11和图12中，在第1激光加工步骤ST3中，虽然示出了将间隔道4的宽度方向的两端的层叠体露出槽8内的层叠体3和基材2的一部分去除的例子，但本发明也可以仅将间隔道4的宽度方向的两端的层叠体露出槽8内的层叠体3去除。总之，在第1激光加工步骤ST3中，只要能够将间隔道4的宽度方向的两端的层叠体露出槽8内的层叠体3去除，则本发明可以仅将层叠体3去除，也可以将层叠体3和基材2的一部分去除。另外，在实施方式1中，由于保护膜6比层叠体3容易剥离，因此图11和图12将层叠体露出槽8的宽度表示为比激光加工槽9的宽度宽。
另外，在第1激光加工步骤ST3中，激光加工装置20向层叠体露出槽8内且比保护膜去除步骤ST2靠宽度方向的端部的、并且距间隔道4的两端比规定距离400更远的位置照射激光束200。由此，保护膜去除步骤ST2在使激光束200聚光在比形成两条激光加工槽9的位置靠间隔道4的宽度方向的内侧并沿间隔道4的宽度方向排列的2个点处的状态下沿着间隔道4照射激光束200。另外，保护膜去除步骤ST2将包含形成两条激光加工槽9的位置的区域中的至少保护膜6去除。另外，在实施方式1中，在第1激光加工步骤ST3中，激光加工装置20在与间隔道4的两端相距规定距离400的位置形成激光加工槽9。
另外，在实施方式1中，第1激光加工步骤ST3的加工条件如下：激光束200的波长为355nm，激光束200的输出为1.3W，激光束200的重复频率为200kHz，激光束200的聚光点201的光斑直径为10μm左右，激光束照射单元40与晶片1的相对移动速度为400mm/sec。这样，在实施方式1的晶片的加工方法的保护膜去除步骤ST2和第1激光加工步骤ST3中以相同程度的条件照射激光束200。当在所有的间隔道4中形成两条激光加工槽9时，晶片的加工方法进入第2激光加工步骤ST4。
(第2激光加工步骤)
图13是示出图3所示的晶片的加工方法的第2激光加工步骤的晶片的主要部分的剖视图。第2激光加工步骤ST4是如下的步骤：在实施了第1激光加工步骤ST3之后，通过沿着间隔道4照射激光束210而将两条激光加工槽9之间的层叠体3与保护膜6一起去除，从而使两条激光加工槽9之间的基材2露出的步骤。
在第2激光加工步骤ST4中，激光加工装置20一边通过X轴移动单元60、Y轴移动单元70以及旋转驱动源32使各间隔道4的宽度方向的中央和激光束照射单元40沿着间隔道4相对移动，一边从激光束照射单元40向各间隔道4的宽度方向的中央照射对于保护膜6和晶片1具有吸收性的波长的激光束210。
在第2激光加工步骤ST4中，如图13所示，激光加工装置20使激光束210在层叠体3上的宽度211形成为比两条激光加工槽9的内缘彼此的距离9-1大且比两条激光加工槽9的外缘彼此的距离9-2小而向间隔道4的宽度方向的中央照射激光束210。在第2激光加工步骤ST4中，激光加工装置20通过向间隔道4的宽度方向的中央照射激光束210，对间隔道4的两条激光加工槽9之间的保护膜6、层叠体3以及基材2实施烧蚀加工。在第2激光加工步骤ST4中，激光加工装置20将间隔道4的宽度方向的中央的两条激光加工槽9之间的保护膜6、层叠体3以及基材2的一部分去除。
另外，在第2激光加工步骤ST4中，激光加工装置20利用掩模使激光束210在间隔道4的宽度方向上伸长而成形为具有宽度211的激光束210并进行照射，但在本发明中，在成形后的激光束210的间隔道4的宽度方向的长度比想要去除的宽度短的情况下，不必只进行1次加工，可以使激光束210在宽度方向上移动而进行多次加工，也可以利用通常的激光束200照射多条线(在间隔道4的宽度方向上重复多次通常的加工)来进行加工，还可以使激光束200分支并聚光于多个点来进行加工。
另外，在实施方式1中，在第2激光加工步骤ST4中，仅将间隔道4的宽度方向的中央的两条激光加工槽9之间的保护膜6和层叠体3去除，但本发明还可以将间隔道4的宽度方向的中央的两条激光加工槽9之间的基材2的一部分去除。总之，在第2激光加工步骤ST4中，只要能够将间隔道4的宽度方向的中央的两条激光加工槽9之间的保护膜6和层叠体3去除，则本发明可以仅将保护膜6和层叠体3去除，也可以是除了保护膜6和层叠体3之外还将基材2的一部分去除。
另外，在实施方式1中，第2激光加工步骤ST4的加工条件如下：激光束210的波长为355nm，激光束210的输出为3W～5W，激光束210的重复频率为40kHz，聚光光斑的尺寸在间隔道4的宽度方向上的长度为211μm，在间隔道4的伸长方向上的长度约为10μm左右，激光束照射单元40与晶片1的相对移动速度为600mm/sec。这样，实施方式1的晶片的加工方法的第2激光加工步骤ST4的加工条件的激光束210的输出比保护膜去除步骤ST2和第1激光加工步骤ST3的加工条件的激光束的输出强。在第2激光加工步骤ST4中，当将所有的间隔道4的两条激光加工槽9之间的保护膜6和层叠体3去除时，激光加工装置20利用保护膜包覆清洗单元80清洗晶片1，去除保护膜6而进入切削步骤ST5。
(切削步骤)
图14是示出图3所示的晶片的加工方法的切削步骤的晶片的主要部分的剖视图。切削步骤ST5是在实施了第2激光加工步骤ST4之后利用切削刀具300对间隔道4的露出基材2的区域4-1进行切削的步骤。
在实施方式1中，在切削步骤ST5中，如图14所示，切削装置301将晶片1的背面12侧隔着粘合带10吸引保持于卡盘工作台，并且利用夹持部对环状框架11进行夹持。在切削步骤ST5中，切削装置301利用摄像单元对被卡盘工作台保持的晶片1进行拍摄，从而执行对晶片1与切削刀具300进行对位的对准。另外，在实施方式1中，切削刀具300的厚度300-1比各间隔道4的露出基材2的区域4-1的宽度4-2薄。
在切削步骤ST5中，切削装置301一边使晶片1和切削刀具300沿着各间隔道4相对移动，一边使切削刀具300切入晶片1直至到达粘合带10，从而将晶片1分割为各器件5。当使切削刀具300切入所有的间隔道4时，晶片的加工方法结束。另外，在分割成各个器件5的晶片1被清洗单元等清洗而去除了切削屑之后，从粘合带10拾取各个器件5。另外，在实施方式1中，在第2激光加工步骤ST4中，激光加工装置20利用保护膜包覆清洗单元80对晶片1进行清洗以去除保护膜6，但在本发明中，激光加工装置20也可以不在第2激光加工步骤ST4中利用保护膜包覆清洗单元80来清洗晶片1，而在切削步骤ST5之后利用清洗单元等对晶片1进行清洗以去除保护膜6。
实施方式1的晶片的加工方法在第1激光加工步骤ST3中形成两条激光加工槽之前，预先在保护膜去除步骤ST2中向间隔道4照射激光束200而在间隔道4的宽度方向的两端部形成去除了保护膜6的两条层叠体露出槽8。实施方式1的晶片的加工方法在第1激光加工步骤ST3中向层叠体露出槽8照射激光束200而去除层叠体3，从而形成激光加工槽9。即，在实施方式1的晶片的加工方法中，针对所有的间隔道4，必须在间隔道4的宽度方向的两端部形成距端部比规定距离400更远的层叠体露出槽8，然后，在比层叠体露出槽8靠端部的位置形成激光加工槽9。因此，实施方式1的晶片的加工方法在第1激光加工步骤ST3中不向保护膜6照射激光束200，因此不会产生保护膜6的剥离。即，实施方式1的晶片的加工方法抑制了保护膜6超过间隔道4的宽度而剥离的情况。
而且，实施方式1的晶片的加工方法在第2激光加工步骤ST4中向去除了层叠体3的两条激光加工槽9之间照射激光束200。在实施方式1的晶片的加工方法中，在进行第2激光加工步骤ST4时产生的碎片也向间隔道4外飞散，但由于在间隔道4外覆盖有保护膜6，因此不会粘固于器件5的上表面。其结果为，在晶片的加工方法中，即使是在基材2上层叠有层叠体3并在激光加工前包覆保护膜6的晶片1，也能够抑制碎片附着于器件5。
另外，与最初形成激光加工槽9的现有的加工方法的加工条件相比，实施方式1的晶片的加工方法的保护膜去除步骤ST2的加工条件的激光束200的输出更弱，因此能够抑制保护膜去除步骤ST2之后的保护膜6的剥离。另外，实施方式1的晶片的加工方法在保护膜去除步骤ST2中向比第1激光加工步骤ST3靠间隔道4的宽度方向的内侧的位置照射激光束200，因此即使假设在保护膜去除步骤ST2中保护膜6剥离，也能够抑制保护膜6的剥离部位到达间隔道4的外侧即器件5。
另外，本发明不限定于上述实施方式。即，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形来实施。在实施方式1中，针对所有的间隔道4，必须在间隔道4的宽度方向的两端部形成距端部比规定距离400更远的层叠体露出槽8，然后，在比层叠体露出槽8靠端部的位置形成激光加工槽9。但是，在本发明中，也可以为，针对至少一个间隔道4，在间隔道4的宽度方向的两端部形成距端部比规定距离400更远的层叠体露出槽8，然后，在比层叠体露出槽8靠端部的位置形成激光加工槽9。另外，在上述实施方式1中，在保护膜去除步骤ST2中照射激光束200的条件与在第1激光加工步骤ST3中照射激光束200的条件不同，但本发明也可以在保护膜去除步骤ST2和第1激光加工步骤ST3中以相同的条件照射激光束200。

Claims (2)

1.一种晶片的加工方法，该晶片在基材上层叠有层叠体，并且具有多个间隔道，该间隔道具有规定的宽度，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
保护膜包覆步骤，利用保护膜包覆该层叠体的正面；
第1激光加工步骤，在实施了该保护膜包覆步骤之后，在使激光束在间隔道的内侧分别聚光于该间隔道的宽度方向的两端的状态下沿着该间隔道照射激光束，在该间隔道形成两条激光加工槽；
第2激光加工步骤，在实施了该第1激光加工步骤之后，通过沿着该间隔道照射激光束而将该两条激光加工槽之间的层叠体与保护膜一起去除，使该基材露出；以及
切削步骤，在实施了该第2激光加工步骤之后，利用切削刀具对该间隔道的露出该基材的区域进行切削，
该晶片的加工方法具有如下的保护膜去除步骤：在实施了该保护膜包覆步骤之后并且在实施该第1激光加工步骤之前，在使激光束聚光在比形成该两条激光加工槽的位置靠该间隔道的内侧并沿该间隔道的宽度方向排列的两个点处的状态下沿着该间隔道照射激光束，将包含形成该两条激光加工槽的位置的区域中的至少该保护膜去除。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该保护膜去除步骤和该第1激光加工步骤中以相同的条件照射该激光束。
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