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CN111340762B - 用于预测晶片级缺陷可印性的设备及方法 - Google Patents

用于预测晶片级缺陷可印性的设备及方法 Download PDF

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CN111340762B CN202010101012.9A CN202010101012A CN111340762B CN 111340762 B CN111340762 B CN 111340762B CN 202010101012 A CN202010101012 A CN 202010101012A CN 111340762 B CN111340762 B CN 111340762B
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Abstract

本申请实施例涉及用于预测晶片级缺陷可印性的设备及方法。使用光罩检验工具在不同成像配置处从测试光罩的多个图案区域中的每一者获取图像。基于从所述测试光罩的每一图案区域获取的图像恢复所述测试光罩的图案区域中的每一者的光罩近场。将光刻模型施加到所述测试光罩的所述光罩近场以模拟多个测试晶片图像，且分析所述模拟的测试晶片图像以确定所述测试光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片。

Description

用于预测晶片级缺陷可印性的设备及方法
本申请案为申请日为2016年8月5日，申请号为“201680045998.4”，而发明名称为“用于预测晶片级缺陷可印性的设备及方法”的申请的分案申请。
相关申请案的交叉参考
本申请案主张先前申请案(即，阿卜杜拉曼·瑟尼那(Abdurrahman Sezginer)等人在2015年5月1日申请的第14/702,336号美国申请案)的权利且为所述先前申请案的部份接续申请案，所述申请案主张2014年5月6日申请的第61/988,909号美国临时申请案及2014年9月23日申请的第62/054,185号美国临时申请案的优先权。这些申请案的全文出于所有目的以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及光罩检验的领域。更具体来说，本发明涉及图案合格性鉴定。
背景技术
一般来说，半导体制造的产业涉及用于使用分层及图案化到衬底上的半导体材料(例如硅)制作集成电路的高复杂性技术。由于半导体装置的大规模集成电路化及缩小尺寸，制作成的装置已变得对缺陷越来越敏感。即，引起装置中的故障的缺陷变得越来越小。所述装置在运送到终端用户或客户之前是无故障的。
通常从多个光罩制作集成电路。首先，电路设计者将描述特定集成电路(IC)设计的电路图案数据提供到光罩生产系统或光罩写入器。所述电路图案数据通常是采取制作成的IC装置的物理层的代表布局的形式。所述代表布局包含IC装置的每一物理层的代表层(例如，栅极氧化物、多晶硅、金属化等等)，其中每一代表层包括界定特定IC装置的层的图案化的多个多边形。光罩写入器使用电路图案数据来写入(例如，通常使用电子束写入器或激光扫描仪暴露光罩图案)随后将用于制作特定IC设计的多个光罩。
光罩或光掩模是含有至少透明及不透明区域及有时半透明及相移区域(其共同界定例如集成电路的电子装置中的共面特征的图案)的光学元件。在光刻期间使用光罩界定半导体晶片的指定区域以用于蚀刻、离子植入或其它制作过程。
在制作每一光罩或光罩的群组之后，每一新光罩通常有资格用于晶片制作中。举例来说，光罩图案需要无可印刷缺陷。因此，需要改进的光罩检验及合格性鉴定技术。
发明内容
下文呈现本文的简化概述以提供对本发明的某些实施例的基础了解。此概述不是本文的广泛概论且其不识别本发明的主要/关键要素或描绘本发明的范围。此概述的唯一目的是以简化形式呈现本文揭示的一些概念作为后文呈现的更详细描述的序言。
在一个实施例中，揭示一种用于鉴定光刻光罩合格性的方法。使用光学光罩检验工具在不同成像配置处从校准光罩的多个图案区域中的每一者获取图像。基于从校准光罩的每一图案区域获取的图像恢复校准光罩的图案区域中的每一者的光罩近场。基于光罩近场而使用校准光罩的恢复的光罩近场产生用于模拟晶片图像的光刻模型。还使用光学光罩检验工具在不同成像配置处从测试光罩的多个图案区域中的每一者获取图像。基于从所述测试光罩的每一图案区域获取的图像恢复测试光罩的图案区域中的每一者的光罩近场。接着，将所产生的模型施加到测试光罩的光罩近场以模拟测试晶片图像。接着，可分析模拟的测试晶片图像以确定测试光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片。
在特定实施方案中，使用拟牛顿或共轭梯度技术恢复光罩近场以确定光罩近场。在另一方面中，通过最小化多个在所获取图像与从光罩近场计算的图像之间的差异的平方的总和的回归技术恢复光罩近场。在另一实施例中，使用霍普金斯(Hopkins)近似法恢复光罩近场。在另一实例中，在不使用用于制作光罩的设计数据库的情况下恢复光罩近场。在一个方面中，所获取的图像包含在经选择以导致相同光罩近场的不同成像条件下获取的至少三个图像。在另一方面中，不同过程条件包含不同焦点设置、不同照明方向或图案、完整照明光瞳或照明光瞳的不同部分的不同线性偏振、及/或遮蔽集光光束的不同部分的不同切趾设置。
在另一实施例中，光刻模型模拟光刻过程，包含特定光致抗蚀剂材料的效应。在一个方面中，通过比较源自所述模型的晶片图像与使用校准光罩制作的晶片的参考图像且调整所述模型的模型参数直到最小化所获取的图像与参考图像之间的差异而产生光刻模型。在另一方面中，还使用校准光罩校准光学接近校正(OPC)模型。在特定实施方案中，在不同光刻过程条件下将模型施加到测试光罩近场。在此方面中，分析模拟的测试晶片图像包含通过比较具有不同过程条件且与相同光罩区域相关联的模拟测试图像而确定所述测试光罩是否在不同光刻过程条件下将可能导致不稳定晶片。在另一方面中，当比较模拟的测试图像导致高于预定义阈值的差异时，确定测试光罩是不稳定的。在又另一方面中，不同光罩区域具有不同预定义阈值。
在进一步应用中，所述方法包含：基于测试光罩将可能导致不稳定或缺陷晶片的确定而修复测试光罩；丢弃所述测试光罩；或监测利用此测试光罩制作的晶片的特定区域。在另一方面中，通过比较模拟的测试图像与由预OPC设计数据库形成的图像而分析模拟的测试图像以确定所述测试光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片。
在替代实施例中，本发明涉及一种用于鉴定光刻光罩合格性的检验系统。所述系统包含用于产生入射光束的光源及用于将所述入射光束引导到光罩上的照明光学装置模块。所述系统还包含用于将输出光束从光罩的每一图案区域引导到至少一个传感器的集光光学装置模块及用于检测所述输出光束且基于所述输出光束产生图像或信号的至少一个传感器。所述系统进一步包括控制器，所述控制器经配置以执行以下操作：(i)使得在不同成像配置处从校准光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像，(ii)基于从校准光罩的每一图案区域获取的图像恢复所述校准光罩的图案区域中的每一者的光罩近场，(iii)基于光罩近场使用校准光罩的恢复的光罩近场产生用于模拟多个晶片图像的光刻模型，(iv)使得在不同成像配置处从测试光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像，(v)基于从所述测试光罩的每一图案区域获取的图像恢复所述测试光罩的图案区域中的每一者的光罩近场，(vi)将所产生的模型施加到测试光罩的光罩近场以模拟多个测试晶片图像，且(vii)分析模拟的测试晶片图像以确定测试光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片。所述控制器及系统还可进一步经配置以执行以上描述的方法操作中的任何者。
以下参考图式进一步描述本发明的这一些及其它方面。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的说明模型校准程序的流程图。
图2A及2B说明根据本发明的一个实施例的表示光罩合格性鉴定过程的流程图。
图3A是根据本发明的实例应用的说明用于确定光罩图案稳定性的过程的流程图。
图3B是根据本发明的替代实施例的说明缺陷检验程序的流程图。
图4是其中可实施本发明的技术的实例检验系统的图解表示。
图5A是根据某些实施例的用于将掩模图案从光掩模转印到晶片上的光刻系统的简化示意性表示。
图5B根据某些实施例提供光掩模检验设备的示意性表示。
具体实施方式
在以下描述中，阐述众多特定细节以提供对本发明的全面了解。可在无部分或全部这一些特定细节的情况下实践本发明。在其它例子中，未详细描述已知过程操作或设备组件以无不必要地模糊本发明。尽管将结合特定实施例描述本发明，但将了解不希望将本发明限制于实施例。
术语“光罩”、“掩模”、“光掩模”在本文中交替使用且每一者大体上可包含透明衬底，例如玻璃、硼硅酸玻璃、石英或具有形成于其上的一层不透明材料的熔融硅石。不透明(或大体上不透明)材料可包含完全或部分阻挡光刻光(例如，深UV)的任何适合的材料。实例材料包含铬、硅化钼(MoSi)、硅化钽、硅化钨、玻璃上的不透明MoSi(OMOG)等等。还可在不透明层与透明衬底之间增加多晶硅膜以改进粘合。在不透明材料上方可形成低反射膜，例如氧化钼(MoO2)、氧化钨(WO2)、氧化钛(TiO2)或氧化铬(CrO2)。
术语光罩是指不同类型的光罩，包含(但不限制于)明场光罩、暗场光罩、二元光罩、相移掩模(PSM)、交替PSM、衰减或半色调PSM、三元衰减PSM、无铬相位光刻PSM及无铬相位光刻(CPL)。明场光罩具有为透明的场或背景区域，且暗场光罩具有为不透明的场或背景区域。二元光罩是具有透明或不透明的图案化区域的光罩。举例来说，可使用由具有图案(由铬金属吸附膜界定)的透明熔融硅石胚料制成的光掩模。二元光罩不同于相移掩模(PSM)，一种二元光罩可包含仅部分透射光的膜，且这一些光罩通常可被称为半色调或嵌入相移掩模(EPSM)，例如ArF及KrF掩模。如果将相移材料放置于光罩的交替净空间上，那么所述光罩被称为交替PSM、ALT PSM、或列文森(Levenson)PSM。施加到任意布局图案的一种相移材料被称为衰减或半色调PSM，其可通过用部分透射或“半色调”膜来替代不透明材料而制作。三元衰减PSM是还包含完全不透明特征的衰减PSM。
在使用此掩模制作晶片之前或将掩模运送到制作工厂之前检测每一掩模的缺陷是有利的。本发明的一个实施例包含用于通过使用从检验工具获得的此光罩的图像预测晶片级行为而鉴定掩模合格性的技术。首先从来自光罩(例如校准光罩)的光罩图像产生用于预测晶片级行为的模型，且接着基于相同或其它光罩的光罩图像，此模型可用于晶片级缺陷检测中。
校准实施例：
本发明的某些实施例提供用于基于从校准掩模恢复的掩模近场校准光刻模型的技术，且随后可在缺陷检测期间或出于如以下相对于模型使用实施例进一步描述的其它目的使用此校准模型。相较于例如基于设计数据库的校准过程的其它技术，此校准过程导致更准确的光刻模型。设计数据库方法假设设计数据库中的几何形状准确地表示制作的掩模上的图案，而情况通常不是如此。其它校准技术做出假设：可由预先选择的三维轮廓及一组材料性质描述准确地表示制作的掩模图案及材料。相比来说，如本文描述的某些校准实施例通过利用从实际光罩恢复的掩模近场避免这一些模型化缺点以准确地校准光刻模型。
图1是根据本发明的一个实施例的说明模型校准过程100的流程图。可在利用此光罩制作任何晶片之前或在开始大量晶片制作之前执行特定光罩或一组光罩的以下校准过程100。
首先，在操作102中使用掩模检验工具在不同成像配置处获取校准掩模的至少三个图像。替代地，可使用两个图像，但已发现使用三个图像运作良好。在本文描述的某些实施例中，此校准过程的结果最终可基于光罩图像而用于其它光罩的缺陷检测。因此，优选地利用将用于其它光罩的检验的光罩检验系统的检测器或类似配置的光罩检验系统(例如，与将用于检验的光罩检验系统相同的做法及模型的不同光罩检验系统)的类似配置的检测器获取校准光罩的图像。换句话说，优选地在如将用于检验的相同光学条件下获取可用于校准的图像。以此方式，可尽量直接测量光罩与照明电磁波的相互作用。
校准光罩应具有大体上类似于待检验以用于缺陷检测或待测量以用于计量目的的光罩的特性。举例来说，校准光罩及测试光罩优选由具有大体上相同厚度及组成的大体上相同材料形成。另外，可使用相同过程形成两个光罩。所述两个光罩可不必具有印刷于其上的相同图案，只要光罩上的图案可破碎成大体上是相同的片段(例如，具有类似宽度的线等等)。另外，将检验的光罩及用于获取图像的光罩可为同一光罩。
接着，在操作104中，三个或三个以上图像可彼此对准或每一图像可与后OPC数据库对准。举例来说，可经由空间域或频域方法对准所获取的图像。对准调整可取决于所使用的检验系统的特定几何形状。如果使用不同集光路径获得不同图像，那么可作出图像的一些调整来补偿光学路径的差异。
在光刻及检验中，由从许多方向入射的电磁(EM)波照明具有各种图案的光罩。此入射光在彼此不同干扰的不同电磁场相位处从掩模图案的不同点衍射。光罩的近场是离光罩一些波长的接近距离处的电磁场。
集光光学装置大体上将来自光罩的光的衍射限制部分引导朝向检测器(或晶片)以形成图像。所述检测器检测为归因于掩模近场的干扰的结果的强度，但不检测相位。
尽管在所检测的信号中获得远场强度，但期望恢复包含振幅及相位的掩模近场。在所说明的实施例中，基于此类所获取的校准掩模图像恢复且存储掩模近场，如在操作106中所说明。多个图像(或信号)大体上用于恢复包含相位及振幅分量两者的掩模近场。可基于从光罩获取的图像通过回归技术确定近场数据。举例来说，可使用拟牛顿或共轭梯度技术从光罩的所获取光学图像或在检测器平面处记录的图像强度恢复(回归)光罩的所选择部分的近场。另外，可使用任何其它适合的回归方法及/或算法从一或多个实际图像确定近场数据。
特定来说，从光罩的强度图像恢复所述光罩的近场是逆问题或回归问题。可通过最小化成本函数(例如，能量或惩罚函数)迭代地恢复近场。最小化的数量可为所获取的图像与在检测器中从掩模近场计算的强度图像之间的差异的平方的总和。换句话说，可针对各种光学系统性质组从最终掩模近场计算强度图像，且当找出掩模近场时，这些经计算的图像将最紧密地匹配所获取的图像。参考第14/702,336号美国申请案以找出有关掩模近场恢复方法的更多细节。
在其中于各种光学条件下获取多个图像的情况中，携载相位及振幅信息的恢复近场掩模m可通过以下方程式确定：
Figure BDA0002386872650000061
在以上方程式中，Iα是成像条件α的测量的图像，ψi (α)是描述检验成像系统的一组特征向量，
Figure BDA0002386872650000062
是成像系统的一组对应特征向量，且cα是0与1之间的非负加权因子。可通过(例如)例如拟牛顿或共轭梯度的方法迭代地求解以上方程式。
可利用照明及/或集光配置的各种适合的组合。大体上选择不同成像配置来提供可从其计算掩模近场的图像。可选择任何适合的成像或光学配置，使得掩模近场在不同操作条件下保持相同。实例包含不同焦点设置、不同照明方向或图案、用于完整照明光瞳或所述照明光瞳的不同部分的不同线性偏振、遮蔽集光光束的不同部分的不同切趾设置等等。举例来说，照明光瞳的不同象限可具有不同偏振设置。在另一实例中，成像配置可包含高分辨率图像，例如具有不同光瞳形状及/或不同焦点条件的透射图像(例如，用于ArF掩模)。在另一实施例中，可获得具有不同光瞳形状及/或不同焦点条件的三个或三个以上反射图像(例如，用于EUV掩模)。
可使用相对较低NA(例如，小于0.5)成像光罩。相比来说，“大体上高分辨率图像”大体上是指其中印刷于所述光罩上的特征大体上显现为其形成于光罩上(在用于产生图像的光罩检验系统的光学限制内)的光罩的图像。举例来说，光罩的“大体上高分辨率图像”是通过利用大体上高分辨率光罩检验系统(例如，大于0.8的数值孔径(NA))在光罩平面处成像物理光罩而产生的图像。相比来说，用于产生光罩的图像的“大体上低NA”可为小于0.5的NA。另外，用于产生光罩图像的“大体上低NA”可大体上相同于光罩侧上的曝光系统用来将光罩的图像投射到晶片上借此将光罩上的特征转印到所述晶片上的NA。因此，在大体上低NA图像(或LNI)中，光罩特征可具有大体上不同于实际光罩特征的外形。举例来说，在特征的LNI中，光罩特征显然可比形成于光罩上的实际特征具有更多修圆隅角。
利用不同成像配置的获取可同时或循序进行。所获取的图像不必在场平面处。可在光瞳平面处获取两个或两个以上图像。一个实例是其中场平面图像与光瞳平面衍射顺序的组合可用于解决物体的振幅及相位两者的盖师贝格-撒克斯通(Gerchberg-Saxton)算法。
在一个实施例中，可基于获取的图像经由霍普金斯近似法确定掩模近场。在另一实施例中，回归不包含薄掩模近似法。举例来说，光罩的近场是当由垂直入射平面波照明时经计算以呈现靠近光罩的表面的电磁场。在光刻及检验中，由从许多方向入射的平面波照明光罩。当入射的方向改变时，根据霍普金斯近似法，衍射顺序的方向改变但其振幅及相位大致保持未改变。本文描述的实施例可使用霍普金斯相位近似法但不进行所谓薄掩模或基尔霍夫(Kirchhoff)近似法。
实际掩模可归因于掩模写入过程而随预期设计图案改变。从掩模的图像获得近场掩模意味着从实际物理掩模而非设计数据库获得此近场掩模。即，可在不使用设计数据库的情况下恢复掩模近场。
一旦恢复近场掩模，其就可用于任何数目的应用。针对缺陷检测，晶片上的光罩缺陷的可印性是重要的，且光罩缺陷的可印性直接取决于光罩近场及光刻系统。有趣且值得注意的是，由于较高NA导致的掩模电磁场向量的干扰将是较大的(比较低NA检验系统更大)，这归因于光的入射角的更广范围及较高NA的相关联干扰电场分量。
在一个实施例中，通过评估恢复的掩模近场是否将可能在模拟的晶片制作条件下导致晶片图案缺陷而执行光罩合格性鉴定。在所说明的过程中，在操作108中，可使用相对于近场掩模的组初始模型参数模型化光刻过程及光致抗蚀剂。所述模型可仅包含光刻扫描仪的效应及/或所述模型还可包含抗蚀剂、蚀刻、CMP或任何其它晶片过程的效应。一个实例过程模拟工具是购自加利福尼亚州苗必达科磊公司(KLA-Tencor Corp.of Milpitas,CA)的Prolith。
模型及其模型化参数的输入包含一组过程条件。即，所述模型经配置以模拟重建的近场掩模上的不同组过程条件。每一组过程条件大体上对应于特性化或部分特性化用于由掩模形成晶片图案的晶片过程的一组晶片制造过程参数。举例来说，可将焦点及曝光的特定设置输入到模型。使用具有不同组过程条件的此模型可导致由重建的近场掩模在不同处理条件下形成的一组模拟的晶片或抗蚀剂图案图像，且这些模拟的晶片图像可用于缺陷检测，如本文进一步描述。
在操作116中，还使用校准光罩制作从其获得实际图像的校准晶片。在一个实例中，使用临界尺寸(CD)扫描电子显微镜(SEM)获取实际图像。可利用其它成像工具，但优选是高分辨率工具。
一般来说，校准晶片将含有任何数目的结构，所述结构可广泛改变。所述结构可采取通常是周期性的光栅形式。每一光栅可沿一个方向(X或Y)具有周期性，例如，作为线空间光栅；或每一光栅可沿两个方向(X及Y)具有周期性，例如，作为栅格空间光栅。栅格空间光栅的实例可包含沿Y方向的线的阵列，其中每一线为沿X方向分段。另一栅格空间实例是点结构的阵列。即，每一结构可采取线空间光栅、栅格空间光栅、棋盘图案结构等等的形式。结构设计特性可每一包含线宽度(特定高度处的宽度)、线空间宽度、线长度、形状、侧壁角度、高度、节距、光栅定向、顶部轮廓(圆形顶或T形顶的程度)、底部轮廓(基脚)等等。校准晶片可含有具有这些特征特性的不同组合的结构。如应明白，不同结构特性(例如，不同宽度、间隔、形状、节距等等)展现对焦点的不同响应，且因此，校准掩模优选包含具有不同特性的不同结构。
在替代实施例中，校准晶片可采取“具有经受不同处理条件的不同测量点的实验设计(DOE)晶片”的形式。在更一般的实施例中，在半导体晶片(被称为DOE晶片)的表面上的图案中组织过程参数变化。以此方式，测量点对应于具有不同相关联过程参数值的晶片表面上的不同位置。在一个实例中，DOE图案是焦点/曝光矩阵(FEM)图案。通常，展现FEM图案的DOE晶片包含测量点的栅格图案。在一个栅格方向(例如，x方向)中，曝光剂量改变但焦点的深度保持恒定。在正交栅格方向(例如，y方向)中，焦点的深度改变但曝光剂量保持恒定。以此方式，从FEM晶片收集的测量数据报含与焦点及剂量过程参数中的已知变化相关联的数据。
FEM测量点大体上跨焦点曝光矩阵晶片定位。实际上，每一场大体上可存在一或多个测量点。可使用焦点及曝光的不同组合(或可仅为焦点或曝光)形成每一场。举例来说，可使用第一组合产生第一场，且可使用不同于所述第一组合的第二组合产生第二场。可使用可变焦点及可变曝光、可变焦点-恒定曝光、恒定焦点-可变曝光及类似者产生多重组合。
测量点的数目还可不同。每一场的点数目在生产晶片上大体上是较少的，这是因为生产晶片上的空间是很珍贵的。此外，产品晶片上作出的测量比焦点曝光矩阵晶片上作出的测量更少，这是因为生产中的时间限制。在一个实施例中，每一场测量单一点。在另一实施例中，每一场测量多个点。
在大多数FEM情况中，使用不同处理参数由同样设计的图案形成测量点结构。然而应注意，不同焦点曝光矩阵可具有不同结构。举例来说，可使用第一光栅类型执行第一矩阵且可使用不同于所述第一光栅类型的第二光栅类型执行第二矩阵。
一般来说，设想与任何组过程参数、结构参数或两者的已知变化相关联的光学信号数据。不管形式，校准晶片结构可印刷于各种不同晶片层中。特定来说，大体上使用标准光刻过程(例如，将电路图像通过光罩投射到涂布有光致抗蚀剂的硅晶片上)将印刷结构印刷于一层光致抗蚀剂中。所述晶片可为校准晶片，其中在测试过程中的所述步骤中，对应于材料的材料层通常呈现于产品晶片上。印刷的结构可印刷于下层中的其它结构上方。校准晶片可为具有产生工作装置的潜力的产品晶片。所述校准晶片可为仅用于校准模型的简单晶片。所述校准晶片可为用于校准OPC设计模型的相同晶片。一个以上校准晶片可用于校准光刻模型。当使用多重校准晶片时，可使用相同或不同校准光罩。不同校准光罩可具有拥有不同尺寸的图案以产生较广范围的图像数据。
用于形成校准结构的过程参数大体上经配置以将校准结构的特性保持于所要规格内。校准结构可印刷于校准晶片上作为校准程序的部分或其可在生产期间印刷于生产晶片上。在生产中，校准结构通常印刷于安置于生产晶片上的装置区域(例如，界定IC的裸片)之间的划割线中。测量点可为经安置围绕装置结构的专属校准结构或其可为装置结构的部分(例如，周期部分)。如应明白，使用装置结构的部分可更困难，但这个将更准确因为其为装置结构的部分。在另一实施例中，校准结构可跨完整校准晶片印刷。
再参考图1，在操作110中，可比较对应模型化图像及校准图像。接着，在操作112中，可确定是否将调整模型参数。如果将调整模型参数，那么在操作114中调整所述模型参数且程序100重复操作108以使用经调整的参数模型化光刻过程(及抗蚀剂)。可调整模型参数直到模型与校准图像之间的差异已达到还低于预定义阈值的最小值。经最小化的数量可为获取的校准图像与模拟图像之间的差异的平方的总和。此过程100的输出是光刻/抗蚀剂模型及其最终模型参数。此组模型参数通过使用掩模近场的本质来克服与掩模过程模型化及掩模3D形貌模型化相关联的技术困难。
模型使用实施例：
在获得特定过程的最终校准的光刻/抗蚀剂模型之后，此模型可用于在利用掩模进行晶片制作之前从此掩模产生准确晶片平面抗蚀剂图像(例如，在显影后或蚀刻后)。这些抗蚀剂图像将允许某人利用高保真度且通过不同焦点及曝光设置评估任何检验图案的晶片图像。由于此评估过程可在晶片制作之前发生，所以可显著缩短合格性鉴定及缺陷检测循环。
图2A及2B说明根据本发明的一个实施例的表示光罩合格性鉴定过程200的流程图。一般来说，在操作102、104及106中针对特定光罩基于从此特定光罩获取的图像获得掩模近场。这些操作类似于图1的相同参考操作。获得掩模近场之后，在操作208中，可使用相对于经计算的掩模近场的最终模型参数模型化光刻过程(及抗蚀剂)。举例来说，利用校准晶片校准的模型用于使用掩模近场来模型化晶片图像。
参考图2B，接着在操作222中，可确定光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片图案。在一个实施例中，可使用多个不同过程条件(例如焦点及剂量)简单将模型施加到掩模近场以在可变过程条件下评估光罩设计稳定性。图3A是根据本发明的实例应用的说明用于确定光罩图案稳定性的过程300的流程图。首先，在操作302中，由模型产生的每一测试图像可与其在一组不同过程条件下模拟且对应于相同晶片区域的对应参考图像对准而获得一或多个晶片图案差异。
在操作304中，可将每一对对准的图像彼此比较以获得一或多个晶片图案差异。接着，在操作306中，阈值可与每一晶片图案差异相关联。可将所述阈值指派到光罩的不同区域且借此指派到对应晶片图案。基于各种因子(例如结构类型、指派的MEEF(或如以下进一步描述的掩模误差增强因子)等级或热点识别等等)，阈值可全部相同或不同。举例来说，不同结构类型可给定不同阈值。可任选地在参考及测试掩模图案两者中识别一组初始热点。举例来说，设计者可提供热点坐标的列表。举例来说，可将一个检测阈值指派到界定为热点的区域，而可将更高阈值(用于缺陷检测)指派到非热点区域。此差异可用于优化检验资源。
随着集成电路(IC)的密集性及复杂性持续增加，检验光刻掩模图案逐渐变得更具挑战性。IC的每一新代具有目前达到且超过光刻系统的光学限制的更密集及更复杂的图案。为了克服这些光学限制，已引入各种分辨率增强技术(RET)，例如光学接近校正(OPC)。举例来说，OPC通过修改光掩模图案(使得所得印刷图案对应于初始所要图案)而帮助克服一些衍射限制。此类修改可包含对主要IC特征(即，可印刷特征)的尺寸及边缘的扰动。其它修改涉及增加图案隅角的衬线及/或提供附近子分辨率辅助特征(SRAF)，不期望导致印刷特征且因此被称为不可印特征。期望这些不可印特征取消在印刷过程期间以其它方式出现的图案扰动。然而，OPC使得掩模图案更复杂且通常非常不同于所得晶片图像。此外，OPC缺陷通常不转化为可印缺陷。光掩模图案的增加的复杂性及不期望所有图案元件都直接影响印刷图案的事实使得检验光掩模以使得图案缺陷有意义的任务变得更困难。由于半导体产业趋向于更小的特征，所以尖端制造商开始使用更多外来的OPC，例如逆光刻技术(ILT)，这导致掩模上极其复杂的图案。因此，极其期望在物理制作晶片之前知道掩模写入保真度及其晶片印刷质量。
缺陷的重要性的一个度量是其MEEF或掩模误差增强因子。此因子使得掩模平面中的缺陷的尺寸与其将对印刷图像的影响量级相关。高MEEF缺陷对印刷图案具有大影响；低MEEF缺陷对印刷图案具有较少影响或不具有影响。图案的密集细线部分中的尺寸过小主要图案特征是具有高MEEF的缺陷的实例，其中设置错误尺寸的小掩模平面可引起印刷图案的完全塌陷。隔离小针孔是具有低MEEF的缺陷的实例，其中缺陷本身太小以不可印刷且离最近主要图案边缘足够远以不影响如何印刷所述边缘。由于这些实例展示缺陷的MEEF是缺陷类型及其中定位缺陷的图案背景的稍复杂的函数。
除了引起更显著的晶片缺陷的较高MEEF掩模缺陷外，某些设计图案及对应掩模图案可比其它设计及掩模图案对过程改变更稳健。当制作过程开始从最优过程条件偏移时，某些掩模图案可导致更显著的晶片图案扰动及缺陷。
再参考图2B，接着在操作224中，可确定设计是否有缺陷。在一个实施例中，确定设计图案是否导致过程条件(或过程窗)的指定范围下的不可接受晶片图案变化。确定是否存在归因于过程变化性的显著差异。如果不同处理的晶片图案之间的差异高于对应阈值，那么此类晶片图案可被认为是有缺陷的。如果确定设计是有缺陷的，那么在操作232中，可修改所述设计。
如果认为设计无缺陷，那么接着在操作226中可确定是否可监测热点。如果将监测热点，那么接着在操作234中，可在晶片过程期间监测所述热点，(例如)如以下进一步描述。举例来说，可在晶片制作期间监测热点图案以确定所述过程是否已偏移出规格且已使得对应晶片图案具有变为不可接受值的临界参数。一个实施方案可涉及设置相对较高的MEEF等级以检验对应热点的光罩及/或晶片图案。随着条件进一步远离标称过程条件，CD或EPE可变大且对晶片制造过程的整体性有危害。
仅当测试掩模图案改变预定义量时可识别热点图案，不管此变化是如何与初始预期设计(例如，预OPC数据)比较的。换句话说，在不同过程条件下的物理掩模图案中的显著改变可指示有关预期设计图案中的问题。对应模型化图像部分之间的差异表示设计图案及制造的掩模上的过程条件的效应的差异。与特定设计图案相关联的差异通常被称为“设计热点”或仅为“热点”，且表示相对于已检查的特定过程条件(还可相对于制造的掩模)的设计中的弱点。可在不同过程条件的模型化图像之间找出的差异种类的实例是CD(临界尺寸)或EPE(边缘放置误差)。
在另一实施例中，如果将模型施加到后OPC设计数据库，那么所得晶片图案可对应于设计者希望印刷于晶片上的图案。任选地，将模型施加到后OPC数据库所得的结果可与模型化图像搭配使用以改进热点检测。举例来说，后OPC数据库的模型仅考虑设计效应，所以可用于分离设计上的晶片过程的效应与制造的掩模上的晶片过程的效应。来自掩模近场的模型化图案可与来自对应后OPC图案的模型化晶片图案相比较。举例来说，当不同过程改变的一组模型化晶片图案匹配相同过程改变的对应模型化后OPC晶片图案时，可确定归因于过程改变的晶片图案(或抗蚀剂图案)中的改变是源自于可再设计或监测的设计图案而非源自于掩模图案中的缺陷。然而，如果归因于来自后OPC数据库的过程变化的晶片上的改变不同于归因于来自恢复的掩模(或掩模近场)的相同过程变化的晶片上的改变，那么接着这些热点被认为是源自于来自实际掩模的可修复或监测的热点。
在操作228中，还可确定是否修复光罩。可确定预期晶片图案变化是超出期望在光刻过程期间使用的过程窗的规格。在某些情况中，光罩可含有在操作236中修复的缺陷。接着，可再鉴定光罩的合格性。否则，如果光罩不可修复，那么在操作230中可丢弃所述光罩。接着，可制造新光罩且鉴定其合格性。
图3B是根据本发明的替代实施例的说明缺陷检验程序350的流程图。首先，检验光罩的缺陷。在操作352中，每一测试光罩图像可与其对应参考图像对准。在一个实施例中，可达成裸片对裸片或单元对单元对准。在另一实施例中，光罩图像与对应后OPC设计的绘图对准。举例来说，后OPC设计经处理以模拟光罩制作过程及此设计的成像。举例来说，隅角经修圆。
在操作354中，基于相关联的阈值比较每一对对准的测试及参考图像以定位光罩缺陷。任何适合的机构可用于使得阈值与特定光罩区域相关联，如以上进一步描述。
在操作356中，接着可针对每一光罩缺陷将对应模拟的晶片缺陷区域与其对应参考预OPC区域作比较。即，评估模拟的晶片图案以确定光罩缺陷是否导致随预期设计改变的晶片缺陷。预OPC设计图案还可进一步经处理以模型化检验工具操作以成像此类设计图案。
再参考图2B，在操作224中，接着可确定光罩设计是否有缺陷。举例来说，可确定光罩缺陷的模拟的晶片图案与其对应预OPC图案之间的任何差异是否高于预定义阈值。程序200可继续以确定是否监测晶片热点、修复光罩或再设计光罩，如以上所描述。
本发明的某些技术在开始晶片制造之前提供掩模图案合格性鉴定及物理掩模上的弱图案或热点的早期检测。本发明的某些实施例不止提供掩模近场恢复。除了基于光罩图像提供晶片图案的恢复外，可考虑包含焦点及曝光的许多设置的晶片过程效应及晶片抗蚀剂、蚀刻、CMP及任何其它晶片过程的效应的完整范围。不需要掩模的先前知识，因为在不使用光罩设计数据的情况下仅使用光罩图像恢复掩模近场。由于掩模图案大体上是晶片图案的4倍，所以可确定图案相对于设计数据库的更确切位置。以上技术还可扩展到任何适合类型的掩模，例如对EUV掩模的图案合格性鉴定。
本发明的技术可在硬件及/或软件的任何适合的组合中实施。图4是其中可实施本发明的技术的实例检验系统400的图解表示。检验系统400可接收来自高NA检验工具或仿制扫描仪(未展示)的低NA检验器的输入402。所述检验系统还可包含：数据分布系统(例如，404a及404b)，其用于分布接收的输入402；强度信号(或分块)处理系统(例如，分块处理器及光罩合格性鉴定系统(例如412))，其用于掩模近场及晶片恢复、处理模型化等等；网络(例如，切换网络408)，其用于允许检验系统组件之间的通信；任选大容量存储装置416；及一或多个检验控制及/或检视站(例如410)，其用于检视识别的热点、检验结果等等。检验系统400的每一处理器通常可包含一或多个微处理器集成电路且还可含有接口及/或存储器集成电路且可另外耦合到一或多个共享及/或全局存储器装置。
用于产生输入数据402的检验器或数据获取系统(未展示)可采取用于获得光罩的强度信号或图像的任何适合的仪器(例如，如本文进一步所描述)的形式。举例来说，低NA检验器可构造光学图像或基于经反射、透射或以其它方式引导到一或多个光传感器的检测光的部分而产生光罩的部分的强度值。接着，低NA检验器可输出强度值或图像。
当入射光学光束跨光罩的每一分块扫描时，低NA检验工具可操作以检测且收集反射及/或透射光。如以上所提及，入射光学光束可跨每一包括多个分块的光罩扫描带扫描。响应于来自每一分块的多个点或子区域的此入射光束而收集光。
低NA检验工具大体上可操作以将此检测的光转换成对应于强度值的检测的信号。所述检测的信号可采取具有对应于光罩的不同位置处的不同强度值的振幅值的电磁波形的形式。检测的信号还可采取强度值及相关联的光罩点坐标的简单列表的形式。检测的信号还可采取具有对应于光罩上的不同位置或扫描点的不同强度值的图像的形式。可在光罩的所有位置都经扫描且转换成检测的信号之后产生光罩的两个或两个以上图像，或可当每一光罩部分经扫描有最终两个或两个以上图像时产生两个或两个以上图像的部分以在扫描完整光罩之后完成光罩。
检测的信号还可采取航空图像的形式。即，航空成像技术可用于模拟光刻系统的光学效应以产生暴露于晶片的光致抗蚀剂图案的航空图像。一般来说，仿真光刻工具的光学装置以基于来自光罩的检测的信号而产生航空图像。航空图像映射于从穿过光刻光学装置及光罩而到晶片的光致抗蚀剂层上的光产生的图案。另外，还可仿真特定类型的光致抗蚀剂材料的光致抗蚀剂暴露过程。
入射光或检测的光可穿过任何适合的空间孔径以在任何适合的入射角产生任何入射或检测光轮廓。举例来说，可编程照明或检测孔径可用于产生特定光束轮廓，例如双极、四极、类星体、环面等等。在特定实例中，可实施源极掩模优化(SMO)或任何像素化照明技术。入射光还可穿过线性偏光镜以使得在一或多个偏振中的照明光瞳的全部或部分线性偏振。检测的光可穿过切趾组件以用于阻挡集光光束的特定区域。
可通过数据分布系统经由网络408接收强度或图像数据402。数据分布系统可与用于保持接收的数据402的至少一部分的一或多个存储器装置(例如RAM缓冲器)相关联。优选地，总存储器足够大以保持数据的完整样本。举例来说，存储器的一个千兆字节对于100万乘以1000像素或点的样本运作良好。
数据分布系统(例如，404a及404b)还可控制接收的输入数据402的部分到处理器(例如，406a及406b)的分布。举例来说，数据分布系统可将用于第一分块的数据投送到第一分块处理器406a，且可将用于第二分块的数据投送到分块处理器406b。还可将用于多个分块的多组数据投送到每一分块处理器。
分块处理器可接收对应于光罩的至少部分或分块的强度值或图像。分块处理器还可各自耦合到一或多个存储器装置(未展示)或与所述一或多个存储器装置集成，例如提供局部存储器功能(例如保持所接收的数据部分)的DRAM装置。优选地，存储器足够大以保持对应于光罩的分块的数据。举例来说，存储器的八个兆字节对于对应于512乘1024像素的分块的强度值或图像运作良好。替代地，分块处理器可共享存储器。
每一组输入数据402可对应于光罩的扫描带。一或多组数据可存储于数据分布系统的存储器中。可通过数据分布系统内的一或多个处理器控制此存储器，且所述存储器可分为多个分区。举例来说，数据分布系统可将对应于扫描带的部分的数据接收于第一存储器分区(未展示)内，且数据分布系统可将对应于另一扫描带的另一数据接收于第二存储器分区(未展示)内。优选地，数据分布系统的存储器分区中的每一者仅保持将被投送到与此存储器分区相关联的处理器的数据的部分。举例来说，数据分布系统的第一存储器分区可保持第一数据且将所述第一数据投送到分块处理器406a，且第二存储器分区可保持第二数据且将所述第二数据投送到分块处理器406b。
数据分布系统可基于数据的任何适合参数界定且分布数据的每一组数据。举例来说，可基于光罩上的分块的对应位置界定且分布数据。在一个实施例中，每一扫描带是与对应于所述扫描带内的像素的水平位置的列位置的范围相关联。举例来说，扫描带的列0到256可对应于第一分块，且这些列内的像素将包括投送到一或多个分块处理器的第一图像或第一组强度值。类似地，扫描带的列257到512可对应于第二分块，且这些列中的像素将包括投送到不同分块处理器的第二图像或第二组强度值。
图5A是根据某些实施例的可用于将掩模图案从光掩模M转印到晶片W上的典型光刻系统500的简化示意表示。此类系统的实例包含扫描仪及步进电动机，更具体来说是购自荷兰维荷芬中的ASML(ASML in Veldhoven,Netherlands)的TWINSCAN NXT:1970Ci步进及扫描系统。一般来说，照明源503将光束引导通过照明光学装置507(例如，透镜505)到定位于掩模平面502中的光掩模M上。照明透镜505在所述平面502处具有数值孔径501。数值孔径501的值影响光掩模上的哪一些缺陷是光刻显著缺陷且哪一些缺陷不是光刻显著缺陷。穿过光掩模M的光束的部分形成经引导通过成像光学装置513且到晶片W上以起始图案转印的图案化光学信号。
图5B根据某些实施例提供具有照明光学装置551a且包含在光罩平面552处具有相对较大的数值孔径551b的成像透镜的实例检验系统550的示意表示。所描绘的检验系统550包含检测光学装置553a及553b，包含经设计以提供(例如)60-200X放大或更大放大以用于增强检验的显微镜放大光学装置。举例来说，检验系统的光罩平面552处的数值孔径551b可比光刻系统500的光罩平面502处的数值孔径501大相当多，这将导致测试检验图像与实际印刷图像之间的差异。
本文描述的检验技术可在各种专门配置的检验系统上实施，例如在图5B中示意地说明中的一者。说明的系统550包含产生经引导通过照明光学装置551a到光罩平面552中的光掩模M上的光束的照明源560。光源的实例包含同调激光光源(例如，深UV或气体激光产生器)、过滤灯、LED光源等等。在一个实例中，所述光源是193nm激光。如以上所解释，检验系统550可在光罩平面552处具有可等于或大于对应光刻系统的光罩平面数值孔径(例如，图5A中的元件501)的数值孔径551b。将待检验的光掩模M放置于光罩平面552处的掩模载物台上且暴露于光源。
将来自掩模M的图案化图像引导通过光学元件553a的集合，光学元件553a将图案化图像投射到传感器554a上。在反射系统中，光学元件(例如，分束器576及检测透镜578)引导且捕获从掩模M到传感器554b上的反射光。尽管展示两个传感器，但单个传感器可用于在相同光罩区域的不同扫描期间检测反射及透射光。适合的传感器包含电荷耦合装置(CCD)、CCD阵列、时间延迟积分(TDI)传感器、TDI传感器阵列、光电倍增管(PMT)及其它传感器。
可相对于掩模载物台及/或通过任何适合的机构相对于检测器或相机移动的载物台移动照明光学装置管柱以扫描光罩的分块。举例来说，可利用电机机构来移动所述载物台。举例来说，可由螺钉驱动器及步进电机、具有反馈位置的线性驱动器或频带致动器及步进电机形成所述电机机构。
可通过计算机系统573或更一般来说通过一或多个信号处理装置处理由每一传感器(例如，554a及/或554b)捕获的信号，所述一或多个信号处理装置各自可包含经配置以将来自每一传感器的模拟信号转换为数字信号以用于处理的模拟对数字转换器。计算机系统573通常具有经由合适总线或其它通信机构耦合到输入/输出端口及一或多个存储器的一或多个处理器。
计算机系统573还可包含一或多个输入装置(例如，键盘、鼠标、操纵杆)以用于提供用户输入，例如改变焦点及其它检验配方参数。计算机系统573还可连接到载物台以用于(例如)控制样本位置(例如，聚焦及扫描)且连接到其它检验系统组件以用于控制此类检验系统组件的其它检验参数及配置。
计算机系统573可经配置(例如，利用编程指令)以提供显示所得强度值、图像及其它检验结果的用户接口(例如，计算机屏幕)。计算机系统573可经配置以分析反射及/或透射的感测光束的强度、相位及/或其它特性。计算机系统573可经配置(例如，利用编程指令)以提供显示所得强度值、图像及其它检验特性的用户接口(例如，于计算机屏幕上)。在某些实施例中，计算机系统573经配置以实施以上详细描述的检验技术。
由于此信息及过程指令可在专门配置的计算机系统上实施，所以此系统包含用于执行本文描述的可存储于计算机可读媒体上的各种操作的过程指令/计算机码。机器可读媒体的实例包含(但不限制于)：磁性媒体，例如硬盘、软盘及磁带；光学媒体，例如CD-ROM碟；磁光媒体，例如光盘；及经专门配置以存储且执行过程指令的硬件装置，例如只读存储器装置(ROM)及随机存取存储器(RAM)。过程指令的实例包含(例如)由编译程序产生的机器码及含有可由计算机使用解译器执行的较高阶码的文件两者。
在某些实施例中，用于检验光掩模的系统包含至少一个存储器及经配置以执行本文描述的技术的至少一个处理器。检验系统的一个实例包含购自加利福尼亚州苗必达的科磊的经专门配置的TeraScanTM DUV检验系统。
尽管已为清楚了解的目的在一些细节上描述以上发明，但将明白，可在所附权利要求书的范围内实践某些改变及修改。应注意，存在实施本发明的过程、系统及设备的许多替代方式。因此，本实施例将被认为是说明性及非限制性的，且未将本发明限制于本文给出的细节。

Claims (22)

1.一种鉴定光刻光罩合格性的方法，所述方法包括：
使用光罩检验工具在不同成像配置处从测试光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像；
基于从所述测试光罩的每一图案区域获取的所述图像恢复所述测试光罩的所述图案区域中的每一者的光罩近场；
将光刻模型施加到所述测试光罩的所述光罩近场以模拟多个测试晶片图像；以及
分析经模拟的测试晶片图像以确定所述测试光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：
使用光罩检验工具在不同成像配置处从校准光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像；
基于从所述校准光罩的每一图案区域获取的所述图像恢复所述校准光罩的所述图案区域中的每一者的所述光罩近场；
基于所述光罩近场使用所述校准光罩的经恢复的光罩近场模拟多个晶片图像；
调整所述光刻模型的参数以使经模拟晶片图像与使用所述校准光罩印刷的晶片一致。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻模型是基于自光罩恢复的光罩近场。
4.根据权利要求3所述的方法，其中使用用于确定所述光罩近场的拟牛顿或共轭梯度技术恢复所述光罩近场。
5.根据权利要求3所述的方法，其中通过最小化多个在所获取的图像与从所述光罩近场计算的多个图像之间的差异的平方的总和的回归技术恢复所述光罩近场。
6.根据权利要求3所述的方法，其中使用霍普金斯近似法恢复所述光罩近场。
7.根据权利要求3所述的方法，其中在不使用用于制作所述光罩的设计数据库的情况下恢复所述光罩近场。
8.根据权利要求3所述的方法，其中所获取的图像包含在经选择以导致相同光罩近场的不同成像条件下获取的至少三个图像。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述不同过程条件包含不同焦点设置、不同照明方向或图案、完整照明光瞳或照明光瞳的不同部分的不同线性偏振、及/或遮蔽集光光束的不同部分的不同切趾设置。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻模型模拟光刻过程，包含特定光致抗蚀剂材料的效应。
11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在多个不同光刻过程条件下将所述光刻模型施加到所述测试光罩近场；以及
分析所述经模拟的测试晶片图像，其包含通过比较具有不同过程条件且与相同光罩区域相关联的经模拟的测试图像而确定所述测试光罩是否将可能在所述不同光刻过程条件下导致不稳定晶片。
12.一种用于鉴定光刻光罩合格性的检验系统，所述系统包括：
光源，其用于产生入射光束；
照明光学装置，其用于将所述入射光束引导到光罩上；
集光光学装置，其用于将输出光束从所述光罩的每一图案区域引导到至少一个传感器；
至少一个传感器，其用于检测所述输出光束且基于所述输出光束产生图像或信号；及
控制器，其经配置以执行以下操作：
在不同成像配置处从测试光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像；
基于从所述测试光罩的每一图案区域获取的所述图像恢复所述测试光罩的所述图案区域中的每一者的光罩近场；
将光刻模型施加到所述测试光罩的所述光罩近场以模拟多个测试晶片图像；以及
分析经模拟的测试晶片图像以确定所述测试光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片。
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述控制器经配置以进一步执行：
在不同成像配置处从校准光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像；
基于从所述校准光罩的每一图案区域获取的所述图像恢复所述校准光罩的所述图案区域中的每一者的所述光罩近场；
基于所述光罩近场使用所述校准光罩的经恢复的光罩近场模拟多个晶片图像；
调整所述光刻模型的参数以使经模拟晶片图像与使用所述校准光罩印刷的晶片一致。
14.根据权利要求12所述的系统，其中所述光刻模型是基于自光罩恢复的光罩近场。
15.根据权利要求14所述的系统，其中使用用于确定所述光罩近场的拟牛顿或共轭梯度技术恢复所述光罩近场。
16.根据权利要求14所述的系统，其中通过最小化多个在所获取的图像与从所述光罩近场计算的多个图像之间的差异的平方的总和的回归技术恢复所述光罩近场。
17.根据权利要求14所述的系统，其中使用霍普金斯近似法恢复所述光罩近场。
18.根据权利要求14所述的系统，其中在不使用用于制作所述光罩的设计数据库的情况下恢复所述光罩近场。
19.根据权利要求14所述的系统，其中所获取的图像包含在经选择以导致相同光罩近场的不同成像条件下获取的至少三个图像。
20.根据权利要求19所述的系统，其中所述不同过程条件包含不同焦点设置、不同照明方向或图案、完整照明光瞳或照明光瞳的不同部分的不同线性偏振、及/或遮蔽集光光束的不同部分的不同切趾设置。
21.根据权利要求12所述的系统，其中所述光刻模型模拟光刻过程，包含特定光致抗蚀剂材料的效应。
22.根据权利要求12所述的系统，其中在多个不同光刻过程条件下将所述模型施加到所述测试光罩近场且分析所述经模拟的测试晶片图像包含通过比较具有不同过程条件且与相同光罩区域相关联的经模拟的测试图像而确定所述测试光罩是否将可能在所述不同光刻过程条件下导致不稳定晶片。
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