CN111192966B - 钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的钙钛矿层及空穴传输层，空穴传输层的空穴传输材料为氟化聚噻吩，氟化聚噻吩的结构如式I所示，式中的R基团选自甲基、乙基和2‑乙基己基中的任一种。钙钛矿太阳能电池的制备方法包括：使用空穴传输材料的旋涂液在钙钛矿层表面旋涂制备空穴传输层。能够有效降低空穴传输层的成本，同时能够保证钙钛矿太阳能电池有较好的稳定性。

Description

钙钛矿太阳能电池及其制备方法

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。

背景技术

空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中扮演着十分重要的角色，其光学、电学性能以及自身的稳定性，可以直接影响钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性。目前，2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)-氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)作为一个性能优异的空穴传输层材料，应用范围最为广泛，但其昂贵的价格，严重的影响到了该空穴传输层材料的产业化应用。为了减少成本，新材料3-己基噻吩的聚合物(P3HT)和钙钛矿相比有着较为合适的能级，可以很好地收集空穴，是一种较为理想的新型空穴传输层材料，但是P3HT作为空穴传输层的钙钛矿电池存在稳定性较差的问题。因此，提供一种有效降低空穴传输层成本且能够保持钙钛矿太阳能电池有较好稳定性的技术方案十分必要。

发明内容

本申请的目的在于提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，能够有效降低空穴传输层的成本，同时能够保证钙钛矿太阳能电池有较好的稳定性。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种钙钛矿太阳能电池，包括依次层叠设置的钙钛矿层及空穴传输层，空穴传输层的空穴传输材料为氟化聚噻吩，氟化聚噻吩的结构如式I所示：

式中的R基团选自甲基、乙基和2-乙基己基中的任一种。

第二方面，本申请实施例提供一种第一方面实施例提供的钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括：使用空穴传输材料的旋涂液在钙钛矿层表面旋涂制备空穴传输层。

经发明人研究发现，钙钛矿层对水汽的敏感性会造成钙钛矿的水解，是导致钙钛矿太阳能电池的稳定性较差的主要原因。上述技术方案中，采用式I所示的氟化聚噻吩作为空穴传输材料，其合成方便，材料成本低。式中的氟化聚噻吩具有和噻吩相同的能级，其作为空穴传输材料与钙钛矿层中的钙钛矿相有着较为合适的能级，可以很好地收集空穴。氟化聚噻吩中的氟元素使得氟化聚噻吩具有一定的疏水性，该结构中的氟化修饰程度适当，在不牺牲电池效率的情况下可以很好地隔绝水汽，为钙钛矿层提供了疏水膜层，能够有效延缓钙钛矿的水解，从而提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。使用上述空穴传输材料制备空穴传输层与钙钛矿层配合，能够有效降低空穴传输层材料的成本，同时能够保证钙钛矿太阳能电池有较好的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的一种钙钛矿太阳能电池的结构示意图；

图2为本申请实施例1提供的钙钛矿太阳能电池的IV曲线；

图3为本申请实施例1和对比例2提供的钙钛矿太阳能电池的电池效率，随储存时间的变化的曲线。

图标：100-钙钛矿太阳能电池；110-导电玻璃层；120-电子传输层；130-钙钛矿层；140-空穴传输层；150-电极层。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

需要说明的是，本申请中的“和/或”，如“方案A和/或方案B”，均是指可以单独地为方案A、单独地为方案B、方案A加方案B，该三种方式。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

下面对本申请实施例的钙钛矿太阳能电池100及其制备方法进行具体说明。

第一方面，请参阅图1，本申请实施例提供一种钙钛矿太阳能电池100，其包括钙钛矿层130及空穴传输层140，空穴传输层140的空穴传输材料为氟化聚噻吩，氟化聚噻吩的结构如式I所示：

式中的R基团选自甲基、乙基和2-乙基己基中的任一种。

式I所示的氟化聚噻吩合成方便、成本相对较低，用作空穴传输层140材料能够有效降低空穴传输层140的成本。式中的氟化聚噻吩具有和噻吩相同的能级，其作为空穴传输材料与钙钛矿层130中的钙钛矿相有着较为合适的能级，可以很好地收集空穴。氟化聚噻吩中的氟元素使得氟化聚噻吩具有一定的疏水性，该结构中的氟化修饰程度适当，在不牺牲电池效率的情况下可以很好地隔绝水汽，为钙钛矿层130提供了疏水膜层，能够有效延缓钙钛矿的水解，从而提高钙钛矿太阳能电池100的稳定性。

可以理解的是，在本申请的实施例中，钙钛矿太阳能电池100可以根据需要设置基底结构、活性结构、电极结构等各个功能层。请继续参阅图1，示例性的，钙钛矿太阳能电池100包括依次层叠设置的导电玻璃层110、电子传输层120、钙钛矿层130、空穴传输层140以及电极层150。

关于导电玻璃层110，在一些可能的实施方案中，导电玻璃层110选自FTO导电玻璃和ITO导电玻璃中的一种。例如导电玻璃层110为FTO导电玻璃，其成本低、性能稳定。

关于电子传输层120，在一些可能的实施方案中，电子传输层120为二氧化锡层、二氧化钛层、氧化镍层、C60(足球烯)层或者PCBM(富勒烯衍生物，分子式为[6,6]-phenyl-C61-butyricacidmethylester)/BCP(嵌段共聚物，blockcopolymer)双层膜结构的中的任一种，例如电子传输层120为二氧化锡层或二氧化钛层。电子传输层120为二氧化钛层的实施方案中，示例性的，二氧化钛层包括依次层叠设置的致密二氧化钛层和介孔二氧化钛层，致密二氧化钛层位于介孔二氧化钛层的靠近导电玻璃层110的一侧。

示例性的，电子传输层120的厚度为10-30nm，例如但不限于为10nm、15nm、20nm、25nm、30nm中的任一者或任意两者之间的范围。

关于钙钛矿层130，在一些可能的实施方案中，钙钛矿层130中包括一种或至少两种钙钛矿材料ABX₃。在钙钛矿材料ABX₃中，A为甲胺基团和/或甲脒基团；B选自Pb离子和Sn离子中的一种，例如B为Pb离子，在使用Pb离子的情况下具有较好的稳定性；X选自I离子、Cl离子和Br离子中的至少一种，例如X为I离子和Br离子。

示例性的，钙钛矿层130的厚度为400-600nm，例如但不限于为400nm、425nm、450nm、475nm、500nm、525nm、550nm、575nm、600nm中的任一者或任意两者之间的范围。

关于空穴传输层140，在一些可能的实施方案中，R基团为2-乙基己基。

示例性的，空穴传输层140的厚度为10-50nm，例如但不限于为10nm、20nm、30nm、40nm、50nm中的任一者或任意两者之间的范围。

关于电极层150，在一些可能的实施方案中，电极层150选自金电极和银电极中的一种，例如电极层150为金电极。

示例性的，电极层150的厚度为70-90nm，例如但不限于为70nm、75nm、80nm、85nm、90nm中的任一者或任意两者之间的范围。

第二方面，本申请实施例提供一种第一方面实施例提供的钙钛矿太阳能电池100的制备方法，包括：使用空穴传输材料的旋涂液在钙钛矿层130表面旋涂制备空穴传输层140。

示例性的，在钙钛矿太阳能电池100包括依次层叠设置的导电玻璃层110、电子传输层120、钙钛矿层130、空穴传输层140以及电极层150的实施方案中，制备方法还包括：在导电玻璃层110表面旋涂制备电子传输层120，然后在电子传输层120表面旋涂制备钙钛矿层130，在完成旋涂制备空穴传输层140后，再在空穴传输层140表面蒸镀电极层150。

关于电子传输层120制备，在一些可能的实施方案中，将含电子传输材料的溶液旋涂在导电玻璃层110表面，旋涂完成后进行加热处理。

作为一种示例，在FTO导电玻璃的表面制备二氧化锡层。示例性的，将二氧化锡水胶体溶液与去离子水按照1:2.5-3.5的体积比进行混合，例如按照1:3的体积比进行混合，得到稀释的二氧化锡溶液。将清洗好的FTO导电玻璃放置于匀胶机上，将稀释的二氧化锡溶液均匀旋涂在的FTO导电玻璃表面。旋涂的操作中，旋涂转速为2500-3500rpm，例如为3000rpm；旋涂时间为15-25s，例如为20s。旋涂完成后置于加热台上进行加热处理，加热温度为170-190℃，例如为180℃；加热时间为25-35min，例如为30min。制备得到的二氧化锡层的成膜效果好，厚度有效控制在10-30nm内，电子传输层120具有较好的电子传输效率。

作为另一种示例，在ITO导电玻璃的表面制备二氧化钛层。示例性的，首先制备致密二氧化钛层：采用体积百分比浓度为70-80％的二氧化钛的烯丙醇溶液均匀旋涂在ITO导电玻璃表面，该含二氧化钛的烯丙醇溶液中二氧化钛的例如为75％。旋涂的操作中，旋涂转速为1500-2500rpm，例如为2000rpm；旋涂时间为35-45s，例如为40s。旋涂完成后进行加热处理，加热温度为480-520℃，例如为500℃；加热时间为25-35min，例如为30min。再制备介孔二氧化钛层：将二氧化钛和乙醇按照1:3-4的体积比混合得到的二氧化钛稀释溶液均匀旋涂在致密二氧化钛层表面，该二氧化钛稀释溶液例如按照1:3.5的体积比进行稀释。旋涂的操作中，旋涂转速为3000-4000rpm，例如为3500rpm；旋涂时间为25-35s，例如为30s。旋涂完成后进行加热处理，加热温度为480-520℃，例如为500℃；加热时间为25-35min，例如为30min。制备得到的二氧化钛层的成膜效果好，厚度有效控制在10-30nm内，电子传输层120具有较好的电子传输效率。

关于钙钛矿层130的制备，在一些可能的实施方案中，可以将提供ABX₃中A基团、B离子、C离子的原料混合并配制成钙钛矿前驱体溶液，然后将钙钛矿前驱体溶液进行旋涂，旋涂一定时间后使用氯苯进行萃取，旋涂完毕后进行加热处理。

示例性的，备取PbI₂、PbBr₂、MABr(甲基溴化胺)及FAI(甲脒碘)，然后加入DMSO(二甲基亚砜)及DMF(二甲基甲酰胺)，超声搅拌，得到钙钛矿前驱体溶液。旋涂钙钛矿前驱体溶液的操作中，旋涂转速为2500-3500rpm，例如为3000rpm；旋涂25-30s后，例如旋涂28s后，使用氯苯进行萃取。旋涂完成后进行加热操作，加热温度为140-160℃，例如为150℃；加热时间为25-35min，例如为30min。制备得到的钙钛矿层130的成膜效果好，能够有效将厚度控制在400-600nm内，钙钛矿层130具有较好的吸光效率。

在另一些可能的实施方案中，可以将提供ABX₃中B离子、X离子的原料混合配并制成第一旋涂液，将提供ABX₃中A基团的原料配制成第二旋涂液，先采用第一旋涂液进行第一次旋涂，旋涂完成后进行第一次加热处理，然后采用第二旋涂液进行第二次旋涂，旋涂完成后进行第二次加热处理。

示例性的，备取PbI₂及PbBr₂，然后加入DMSO及DMF，超声搅拌，得到第一旋涂液；备取MABr及FAI，溶解于异丙醇中，得到第二旋涂液。第一次旋涂的旋涂转速为1500-2500rpm，例如为2000rpm；旋涂时间为25-35s，例如为30s。旋涂完成后进行第一次加热处理，加热温度为70-80℃，例如为75℃；加热时间为8-12s，例如为10s。

第二次旋涂的旋涂转速为1500-2000rpm，例如为1700rpm；旋涂时间为25-35s，例如为30s。旋涂完成后进行第二次加热处理，加热温度为170-190℃，例如为180℃；加热时间为18-22min，例如为20min。制备得到的钙钛矿层130的成膜效果好，能够有效将厚度在400-600nm内，钙钛矿层130具有较好的吸光效率。

关于空穴传输层140的制备，在一些可能的实施方案中，空穴传输材料的旋涂液通过以下方法制得：将氟化聚噻吩配制成含氟化聚噻吩的氯苯溶液，然后将含氟化聚噻吩的氯苯溶液与Li-TFSI(双三氟甲烷磺酰亚胺锂)的乙腈溶液和4-t-BP(4-叔丁基苯酚)混合。

将氟化聚噻吩配制成含氟化聚噻吩的氯苯溶液的过程中，超声溶解8-12min，例如超声溶解10min，保证氟化聚噻吩充分地溶解。示例性的，含氟化聚噻吩的氯苯溶液中，氟化聚噻吩的浓度为5-30mg/mL，或10-25mg/mL，或10-20mg/mL，例如但不限于为5mg/mL、8mg/mL、10mg/mL、12mg/mL、15mg/mL、18mg/mL、20mg/mL、22mg/mL、25mg/mL、28mg/mL、30mg/mL中的任一者或任意两者之间的范围。按照上述浓度配制含氟化聚噻吩的氯苯溶液，氟化聚噻吩具有适当的浓度，保证空穴传输层140具有较好的空穴传输效率。

可选的，含氟化聚噻吩的氯苯溶液、Li-TFSI的乙腈溶液以及4-t-BP的体积比为1000:4-6:13-17，按照上述比例配制空穴传输材料的旋涂液，具有较好的掺杂效果。

进一步的，采用上述的空穴传输材料的旋涂液进行旋涂，在旋涂过程中，旋涂转速为2500-4000rpm，或2500-3500rpm，例如但不限于为2500rpm、2800rpm、3000rpm、3200rpm、3500rpm、3800rpm、4000rpm中的任一者或任意两者之间的范围。旋涂时间为20-40s，或25-35s，例如但不限于为20s、22s、25s、28s、30s、32s、35s、38s、40s中的任一者或任意两者之间的范围。按照上述标准进行旋涂，具有较好的旋涂效果，得到的空穴传输层140的成膜效果好，厚度有效控制在10-50nm，保证空穴传输层140有较好的空穴传输效率。

经发明人研究发现，在本申请的实施例中，制备空穴传输层140时，氟化聚噻吩的浓度、旋涂转速及旋涂时间对空穴传输层140的性能有较大的影响，若低于上述范围或高于上述范围，都会导致空穴传输层140的空穴传输效率降低。

以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。

实施例1

一种钙钛矿太阳能电池100，其制备方法包括：

S1.将FTO导电玻璃清洗待用。

S2.在导电玻璃层110表面旋涂制备二氧化锡层：

将50ml二氧化锡水胶体溶液与去离子水按照1：3的体积比进行混合，得到稀释的二氧化锡溶液。以3000rpm的转速将该稀释的二氧化锡溶液均匀旋涂在FTO导电玻璃表面，旋涂时间20s，然后置于加热台上，以180℃的温度退火处理30min。

S3.在电子传输层120表面旋涂制备钙钛矿层130：

称取459mg的PbI₂、76mg的PbBr₂、24.68mg的MABr及208mg的FAI，然后加入200μL的DMSO及800μL的DMF，超声搅拌10min，得到钙钛矿前驱体溶液。将钙钛矿前驱体溶液滴加在二氧化锡层表面，开始以3000rpm的转速旋涂，在旋涂的第28s使用500μL氯苯萃取。旋涂完毕后，以150℃的温度加热30min。

S4.在钙钛矿表面旋涂制备空穴传输层140：

将式I所示的氟化聚噻吩溶解于氯苯中超声溶解10min，配制得到含氟化聚噻吩的氯苯溶液，其中，式I中的R基团为2-乙基己基，溶液中氟化聚噻吩的浓度为15mg/mL。在1mL的含氟化聚噻吩的氯苯溶液中加入5μL的Li-TFSI乙腈溶液和15.2μL的4-t-BP，搅拌后旋涂在钙钛矿层130上，旋涂转速为3000rpm，旋涂时间为30s。

S5.在空穴传输层140表面蒸镀厚度为80nm的金电极。

实施例2

一种钙钛矿太阳能电池100，其制备方法与实施例1的不同之处仅在于S1和S2步骤，具体地：

S1.将ITO导电玻璃清洗待用。

S2.在导电玻璃层110表面旋涂制备二氧化钛层：

首先制备致密TiO₂层：采用二氧化钛的体积浓度为75％的烯丙醇溶液，以2000rpm的速度旋涂40秒，旋涂完毕后使用500℃的温度加热30min。

再制备介孔二氧化钛层：采用氧化钛和乙醇按照1：3.5的体积比混合得到的二氧化钛稀释溶液，以3500rpm的速度旋涂30s，旋涂完毕后使用500℃的温度加热30min。

实施例3

一种钙钛矿太阳能电池100，其制备方法与实施例1的不同之处仅在于S3步骤，具体地：

称取459mg的PbI₂和76mg的PbBr₂，然后加入200μL的DMSO及800μL的DMF，超声搅拌10min，得到第一旋涂液。称取166mg的FAI及66mgFABr溶解于1ml异丙醇中，得到第二旋涂液。先将第一旋涂液用2000rpm的速度旋涂30s，旋涂完成后用75℃的温度加热10s。再将第二旋涂液用1700rpm的速度旋涂30s，旋涂完成后用180℃的温度加热20min。

实施例4

一种钙钛矿太阳能电池100，其制备方法与实施例1的不同之处仅在于：S4步骤中，所使用的氟化聚噻吩如式I所示，其中，式I中的R基团为甲基。

实施例5

一种钙钛矿太阳能电池100，其制备方法与实施例1的不同之处仅在于：S4步骤中，所使用的氟化聚噻吩如式I所示，其中，式I中的R基团为乙基。

实施例6

一种钙钛矿太阳能电池100，其制备方法与实施例1的不同之处仅在于：S4步骤中，含氟化聚噻吩的氯苯溶液中，氟化聚噻吩的浓度为5mg/mL。在1mL的含氟化聚噻吩的氯苯溶液中加入4μL的Li-TFSI乙腈溶液和13μL的4-t-BP。旋涂转速为2500rpm，旋涂时间为25s。

实施例7

一种钙钛矿太阳能电池100，其制备方法与实施例1的不同之处仅在于：S4步骤中，含氟化聚噻吩的氯苯溶液中，氟化聚噻吩的浓度为25mg/mL。在1mL的含氟化聚噻吩的氯苯溶液中加入6μL的Li-TFSI乙腈溶液和17μL的4-t-BP。旋涂转速为2500rpm，旋涂时间为35s。

对比例1

一种钙钛矿太阳能电池100，其制备方法与实施例1的不同之处仅在于S4步骤，具体地：

在1mL的氯苯中加入56mg的Spiro-OMeTAD、6mg的Li-TFSI和30mg的4-t-BP，超声溶解10min，配制得到Spiro-OMeTAD的氯苯溶液。采用Spiro-OMeTAD的氯苯溶液在钙钛矿层130上旋涂制备Spiro-OMeTAD层，旋涂转速为2500rpm，旋涂时间为20s。

对比例2

一种钙钛矿太阳能电池100，其制备方法与实施例1的不同之处仅在于S4步骤，具体地：

配制P3HT溶液，浓度为15mg/mL，超声溶解10min。在1mL的P3HT溶液中加入5μL的Li-TFSI乙腈溶液和15.2μL的4-t-BP，搅拌后旋涂在钙钛矿层130上。旋涂转速为3000rpm，旋涂时间为30s。

试验例

按照1个标准太阳光下稳态光源测试的标准，对本申请实施例及对比例提供的太阳能电池进行性能检测。

对本申请实施例1提供的钙钛矿太阳能电池100的性能进行检测，体现其在正向扫描情况下和反向扫描情况下，输出电流与输出电压的变化关系的IV曲线如图2所示。

对本申请实施例1-3及对比例1-2提供的钙钛矿太阳能电池100的性能进行检测，其IV数据结果如表1所示。

表1.钙钛矿太阳能电池100的IV数据

	Jsc(mA/cm2)	Voc(V)	FF(％)	Eff(％)
					实施例1	23.33	1.084	71.95	18.19
实施例2	22.89	1.095	71.83	18.00
					实施例3	23.09	1.17	70.98	19.17
对比例1	23.21	1.19	72.77	20.09
					对比例2	22.91	1.096	72.03	18.08

对本申请实施例1及对比例2提供的钙钛矿太阳能电池100的稳定性进行检测，其结果如图3所示。

根据图2-图3以及表1可知，实施例1提供的钙钛矿太阳能电池100，采用式I所示的氟化聚噻吩作为空穴传输层140的空穴传输材料，其和采用Spiro-OMeTAD作为空穴传输层140的对比例1相比，有效降低了成本的同时，具有相当的工作效率；其和采用P3HT作为空穴传输层140的对比例2相比，稳定性得到了明显的提高。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的钙钛矿层及空穴传输层，所述空穴传输层的空穴传输材料为氟化聚噻吩，所述氟化聚噻吩的结构如式I所示：

式中的R基团选自甲基、乙基和2-乙基己基中的任一种，n为聚合物主链单元的重复个数。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿层的厚度为400-600nm，和/或，所述空穴传输层的厚度为10-50nm。

3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的导电玻璃层、电子传输层、所述钙钛矿层、所述空穴传输层以及电极层。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10-30nm，和/或，所述电极层的厚度为70-90nm。

5.权利要求1或2所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：使用所述空穴传输材料的旋涂液在所述钙钛矿层表面旋涂制备所述空穴传输层。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料的旋涂液通过以下方法制得：将所述氟化聚噻吩配制成含所述氟化聚噻吩的氯苯溶液，然后将含所述氟化聚噻吩的所述氯苯溶液与Li-TFSI的乙腈溶液和4-t-BP混合。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，含所述氟化聚噻吩的所述氯苯溶液中，所述氟化聚噻吩的浓度为5-30mg/mL。

8.根据权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氟化聚噻吩的浓度为10-25mg/mL。

9.根据权利要求8所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氟化聚噻吩的浓度为10-20mg/mL。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，含所述氟化聚噻吩的所述氯苯溶液、所述Li-TFSI的乙腈溶液及所述4-t-BP的体积比为1000:4-6:13-17。

11.根据权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，使用所述空穴传输材料的旋涂液在所述钙钛矿层表面旋涂的操作中，旋涂转速为2500-4000rpm。

12.根据权利要求11所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，旋涂转速为2500-3500rpm。

13.根据权利要求6、11或12所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，使用所述空穴传输材料的旋涂液在所述钙钛矿层表面旋涂的操作中，旋涂时间为20-40s。

14.根据权利要求13所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，旋涂时间为25-35s。